JPH04303932A - 酸化膜の除去方法 - Google Patents
酸化膜の除去方法Info
- Publication number
- JPH04303932A JPH04303932A JP9323091A JP9323091A JPH04303932A JP H04303932 A JPH04303932 A JP H04303932A JP 9323091 A JP9323091 A JP 9323091A JP 9323091 A JP9323091 A JP 9323091A JP H04303932 A JPH04303932 A JP H04303932A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- oxide film
- hydrogen
- gas
- substrate
- temperature
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 15
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 22
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims abstract description 18
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 claims abstract description 14
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 claims abstract description 14
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 claims abstract description 14
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 13
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 10
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 abstract description 8
- 239000010703 silicon Substances 0.000 abstract description 8
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 abstract description 5
- 239000003638 chemical reducing agent Substances 0.000 abstract description 2
- 125000004435 hydrogen atom Chemical group [H]* 0.000 abstract description 2
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 abstract description 2
- 230000002269 spontaneous effect Effects 0.000 abstract 3
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 19
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 10
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 10
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 7
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 5
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 3
- 238000002485 combustion reaction Methods 0.000 description 2
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N Dioxygen Chemical compound O=O MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004809 Teflon Substances 0.000 description 1
- 229920006362 Teflon® Polymers 0.000 description 1
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 1
- 150000001485 argon Chemical class 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 238000005238 degreasing Methods 0.000 description 1
- 229910001882 dioxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 230000002209 hydrophobic effect Effects 0.000 description 1
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 1
- 239000002736 nonionic surfactant Substances 0.000 description 1
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 1
- RJCRUVXAWQRZKQ-UHFFFAOYSA-N oxosilicon;silicon Chemical compound [Si].[Si]=O RJCRUVXAWQRZKQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 239000012495 reaction gas Substances 0.000 description 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Landscapes
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、ＩＣ，ＬＳＩ等に用い
られるシリコンウェハ上に生成した自然酸化膜の除去方
法に関する。
られるシリコンウェハ上に生成した自然酸化膜の除去方
法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来のシリコンウェハ上に存在する自然
酸化膜の除去はＡＳＴＭ：Ｆ６１２−８０（１９８１）
に記載のように非イオン系界面活性剤による脱脂スクラ
バ−処理、Ｈ２ Ｏ２ による酸化を行った後、４９±
０．２５％のフッ化水素酸水溶液を満たしたテフロンビ
ーカー中に５±０．５分浸漬し、その後純水洗浄を行い
、疏水性のチェックパーティクルの検査などを行うとい
う方法が用いられていた。
酸化膜の除去はＡＳＴＭ：Ｆ６１２−８０（１９８１）
に記載のように非イオン系界面活性剤による脱脂スクラ
バ−処理、Ｈ２ Ｏ２ による酸化を行った後、４９±
０．２５％のフッ化水素酸水溶液を満たしたテフロンビ
ーカー中に５±０．５分浸漬し、その後純水洗浄を行い
、疏水性のチェックパーティクルの検査などを行うとい
う方法が用いられていた。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】従来は、湿式で洗浄を
行っていた為、フッ酸水溶液による洗浄を行った後乾燥
する必要があり、一度酸化膜を除去しても雰囲気中に含
まれる酸素などの影響で、再度酸化膜が形成されてしま
い、その後の工程で酸化反応を行ってもシリコン−シリ
コン酸化膜界面の電気的特性が劣化するという問題があ
った。
行っていた為、フッ酸水溶液による洗浄を行った後乾燥
する必要があり、一度酸化膜を除去しても雰囲気中に含
まれる酸素などの影響で、再度酸化膜が形成されてしま
い、その後の工程で酸化反応を行ってもシリコン−シリ
コン酸化膜界面の電気的特性が劣化するという問題があ
った。
【０００４】本発明は上記事情に基づいてなされたもの
であり、自然酸化膜の再形成を抑えることができる酸化
膜の除去方法を提供することを目的とする。
であり、自然酸化膜の再形成を抑えることができる酸化
膜の除去方法を提供することを目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明は上記課題を解決
するために、シリコン基板上に形成された自然酸化膜の
除去方法において、被除去面を有する基板を水素雰囲気
の反応器内に設置し、基板温度を９００゜Ｃ以上に昇温
して一定時間放置し、然る後に雰囲気ガスを不活性ガス
に置換する手段を設けたものである。
するために、シリコン基板上に形成された自然酸化膜の
除去方法において、被除去面を有する基板を水素雰囲気
の反応器内に設置し、基板温度を９００゜Ｃ以上に昇温
して一定時間放置し、然る後に雰囲気ガスを不活性ガス
に置換する手段を設けたものである。
【０００６】
【作用】本発明によれば、高温水素雰囲気下で水素が自
然酸化膜に対して還元剤として作用する為、酸化膜の除
去が可能で、次に雰囲気ガスを水素から不活性ガスに置
換することにより、基板表面のシリコン原子と結合して
いる水素原子及び水酸基を脱離させることが可能である
。
然酸化膜に対して還元剤として作用する為、酸化膜の除
去が可能で、次に雰囲気ガスを水素から不活性ガスに置
換することにより、基板表面のシリコン原子と結合して
いる水素原子及び水酸基を脱離させることが可能である
。
【０００７】
【実施例】次に図１を用いて本発明の一実施例について
説明する。図１は本発明の一実施例である酸化膜の除去
方法を実施するための概略装置図である。図１に示す装
置は、炉芯管１２と炉芯管１２を加熱するためのヒータ
１４と有する水素燃焼式の横型酸化炉１０と、水素ガス
ボンベ１６と、アルゴンガスボンベ１８と、水素ガスと
アルゴンガスの流量を調整するバルブ２０ａ，２０ｂと
を備える。
説明する。図１は本発明の一実施例である酸化膜の除去
方法を実施するための概略装置図である。図１に示す装
置は、炉芯管１２と炉芯管１２を加熱するためのヒータ
１４と有する水素燃焼式の横型酸化炉１０と、水素ガス
ボンベ１６と、アルゴンガスボンベ１８と、水素ガスと
アルゴンガスの流量を調整するバルブ２０ａ，２０ｂと
を備える。
【０００８】次に本実施例の酸化膜の除去方法について
説明する。先ず、横型酸化炉１０の炉芯管１２内に湿式
洗浄で表面を清浄化したシリコンウェハ１を直列に多数
枚並べてシールし、バルブ２０ａ開いて炉芯管１２内部
を脱気して水素ガスに置換する。その後、水素ガスを流
通させつつ１０００゜Ｃまで５゜Ｃ／ｍｉｎで昇温し、
所定の温度に達したら水素ガスを流通させたまま６０分
間放置し、バルブ２０ａを閉じてバルブ２０ｂを開き、
供給ガスを水素ガスからアルゴンに切り替え再び６０分
間放置する。そのままアルゴンガスを流通させ続け、３
°Ｃ／ｍｉｎ程度で室温まで降温し、大気にさらさずに
、窒素封じのウェハキャリアボックスに収納し、次の工
程に運搬する。
説明する。先ず、横型酸化炉１０の炉芯管１２内に湿式
洗浄で表面を清浄化したシリコンウェハ１を直列に多数
枚並べてシールし、バルブ２０ａ開いて炉芯管１２内部
を脱気して水素ガスに置換する。その後、水素ガスを流
通させつつ１０００゜Ｃまで５゜Ｃ／ｍｉｎで昇温し、
所定の温度に達したら水素ガスを流通させたまま６０分
間放置し、バルブ２０ａを閉じてバルブ２０ｂを開き、
供給ガスを水素ガスからアルゴンに切り替え再び６０分
間放置する。そのままアルゴンガスを流通させ続け、３
°Ｃ／ｍｉｎ程度で室温まで降温し、大気にさらさずに
、窒素封じのウェハキャリアボックスに収納し、次の工
程に運搬する。
【０００９】次工程が酸化膜形成であれば、室温まで降
温する必要はなく、アルゴンガスを流通させたまま所定
の酸化温度になるよう調節し、供給ガスをアルゴンから
所定の酸化反応ガスに切り替えればよい。
温する必要はなく、アルゴンガスを流通させたまま所定
の酸化温度になるよう調節し、供給ガスをアルゴンから
所定の酸化反応ガスに切り替えればよい。
【００１０】本実施例では、シリコンウェハ１を高温水
素ガス雰囲気中に一定時間保持することにより酸化膜を
還元して除去することができ、更に不活性ガスであるア
ルゴンガス雰囲気内で室温まで降温した後、窒素封じの
ウェハキャリアボックスに収納するので、自然酸化膜が
再形成されるのを確実に防止することができる。
素ガス雰囲気中に一定時間保持することにより酸化膜を
還元して除去することができ、更に不活性ガスであるア
ルゴンガス雰囲気内で室温まで降温した後、窒素封じの
ウェハキャリアボックスに収納するので、自然酸化膜が
再形成されるのを確実に防止することができる。
【００１１】また、本実施例のように水素燃焼式の横型
酸化炉を用いれば、アルゴンガスラインを付加するだけ
で、旧来の設備をそのまま使用して本発明を実施するこ
とができる。更にこの場合、置換したアルゴンガスを図
示しない酸素ガスに切り替えることにより容易にシリコ
ンウェハ表面に酸化膜を形成することが可能になり、良
質な酸化膜が得られる。
酸化炉を用いれば、アルゴンガスラインを付加するだけ
で、旧来の設備をそのまま使用して本発明を実施するこ
とができる。更にこの場合、置換したアルゴンガスを図
示しない酸素ガスに切り替えることにより容易にシリコ
ンウェハ表面に酸化膜を形成することが可能になり、良
質な酸化膜が得られる。
【００１２】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、基
板を水素雰囲気ガス内に配置し、基板温度を一定温度以
上で所定時間放置した後、水素雰囲気ガスを不活性ガス
に変化させることにより、基板表面の酸化膜を除去する
ので、従来の方法に比べて基板に自然酸化膜が再形成さ
れるのを効率的に抑えることができる酸化膜の除去方法
を提供することができる。
板を水素雰囲気ガス内に配置し、基板温度を一定温度以
上で所定時間放置した後、水素雰囲気ガスを不活性ガス
に変化させることにより、基板表面の酸化膜を除去する
ので、従来の方法に比べて基板に自然酸化膜が再形成さ
れるのを効率的に抑えることができる酸化膜の除去方法
を提供することができる。
【図１】本発明の一実施例である酸化膜の除去方法を実
施するための概略装置図である。
施するための概略装置図である。
１ シリコンウェハ
１０ 横型酸化炉
１２ 炉芯管
１４ ヒータ
１６ 水素ガスボンベ
１８ アルゴンガスボンベ
Claims (1)
- 【請求項１】 基板上に形成された酸化膜の除去方法
において、前記基板を水素雰囲気ガス内に配置し、基板
温度を一定温度以上で所定時間放置し、次に、前記水素
雰囲気ガスを不活性ガスに変化させることを特徴とする
酸化膜の除去方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9323091A JPH04303932A (ja) | 1991-03-30 | 1991-03-30 | 酸化膜の除去方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9323091A JPH04303932A (ja) | 1991-03-30 | 1991-03-30 | 酸化膜の除去方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04303932A true JPH04303932A (ja) | 1992-10-27 |
Family
ID=14076745
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9323091A Withdrawn JPH04303932A (ja) | 1991-03-30 | 1991-03-30 | 酸化膜の除去方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04303932A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5986594A (en) * | 1996-09-11 | 1999-11-16 | Canon Kabushiki Kaisha | Image compression by arithmetic coding with learning limit |
| JP2010118464A (ja) * | 2008-11-12 | 2010-05-27 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | シリコンエピタキシャルウェーハの製造方法 |
-
1991
- 1991-03-30 JP JP9323091A patent/JPH04303932A/ja not_active Withdrawn
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5986594A (en) * | 1996-09-11 | 1999-11-16 | Canon Kabushiki Kaisha | Image compression by arithmetic coding with learning limit |
| JP2010118464A (ja) * | 2008-11-12 | 2010-05-27 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | シリコンエピタキシャルウェーハの製造方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| AU776096B2 (en) | Liquid-phase growth method, liquid-phase growth apparatus, and solar cell | |
| KR100454005B1 (ko) | 반도체 웨이퍼의 메가소닉 세정을 위한 탈이온수의 온도제어 가스화 | |
| KR20000077428A (ko) | 반도체 웨이퍼의 메가소닉 클리닝을 위한 탈이온수의 온도제어된 탈기화 | |
| JPH1116866A (ja) | シリコンの洗浄方法および洗浄装置 | |
| JP2000031071A (ja) | 半導体製造装置およびこれを用いたエピタキシャルウェーハの製造方法 | |
| WO2002025718A1 (fr) | Plaquette de recuit et son procede de fabrication | |
| JP2008091498A (ja) | 基板処理装置及び基板処理方法 | |
| JPH04303932A (ja) | 酸化膜の除去方法 | |
| JP6996438B2 (ja) | 半導体ウェーハの洗浄方法、および該洗浄方法を用いた半導体ウェーハの製造方法 | |
| JPH01169924A (ja) | 不純物拡散方法 | |
| JP7560354B2 (ja) | 基板処理装置および基板処理方法 | |
| JP3243708B2 (ja) | 処理方法及び処理装置 | |
| US20220168785A1 (en) | Substrate processing apparatus and substrate processing method | |
| JP3595681B2 (ja) | エピタキシャルウェーハの製造方法 | |
| JPH06244174A (ja) | 絶縁酸化膜の形成方法 | |
| JP2004063513A (ja) | 半導体基板の洗浄乾燥方法 | |
| JPS63226029A (ja) | 絶縁膜形成方法 | |
| JPH01140728A (ja) | 物体の洗浄乾燥方法 | |
| TW200406848A (en) | Method of eliminating boron contamination of annealed wafer | |
| JPS63199434A (ja) | 絶縁膜の形成方法 | |
| JP2001213696A (ja) | エピタキシャルウェーハの製造方法およびこれに用いる半導体製造装置 | |
| JP2648556B2 (ja) | シリコンウエーハの表面処理方法 | |
| JPH1126413A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| CN116798853A (zh) | 一种硅外延片的生长方法 | |
| KR100199376B1 (ko) | 세정 장치 및 그를 이용한 웨이퍼 세정 방법 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Application deemed to be withdrawn because no request for examination was validly filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 19980514 |