JP5609025B2 - エピタキシャルシリコンウェーハの製造方法 - Google Patents
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Description
Deposition)法によりシリコンエピタキシャル層を成長させた場合、上記のミスフィット転位は防止されるものの、本発明者らの実験によれば、別の副作用が新たに生じることが判明した。その副作用とは、積層欠陥(スタッキングフォルト、以下SFという。)がシリコンエピタキシャル層に発生し、そのSFが段差としてウェーハ表面に現れて、ウェーハ表面のLPD(Light Point Defect:ライト・ポイント・デフェクト)レベルが悪化することである。特に、ポリバックシールをシリコン結晶基板の裏面側に施した後、シリコンエピタキシャル層を成長させた場合には、ウェーハ表面のLPDレベルが悪く、SFによるLPDの総数が非常に多いことが判明した。例えば、直径200mmのエピタキシャルシリコンウェーハにおいて、SF(Stacking Fault)によるLPDの総数は数千個程度或いはそれ以上となることもあり、実用に供することができない場合がある。このSFの発生原因は今のところ明確になっていないが、リンとゲルマニウムが高濃度にドープされたシリコン結晶基板にシリコンエピタキシャル層を形成する際の特有の問題である。
を有する。
Claims (4)
- エピタキシャルシリコンウェーハの製造方法において、
電気抵抗率調整用n型ドーパントとしてリンがドープされ、かつゲルマニウムがドープされたシリコン結晶基板を用意する第1ステップと、
前記シリコン結晶基板の表面上にシリコンエピタキシャル層を形成する第2ステップと、
前記第2ステップを実行した後に、前記シリコン結晶基板の裏面側にポリシリコン層を形成する第3ステップと
を有し、
前記第1ステップで用意される前記シリコン結晶基板のリン濃度が4.7×1019〜9.47×1019atoms/cm3の範囲、かつ前記シリコン結晶基板のゲルマニウム濃度が7.0×1019〜1.0×1020atoms/cm3の範囲に調整することを特徴とする
エピタキシャルシリコンウェーハの製造方法。 - 前記第1ステップと前記第2ステップとの間に、前記シリコン結晶基板の裏面側に酸化膜を形成する第4ステップ
を更に有する請求項1に記載のエピタキシャルシリコンウェーハの製造方法。 - 前記第2ステップと前記第3ステップとの間に、前記シリコン結晶基板の裏面側の酸化膜を除去する第5ステップ
を更に有する請求項2に記載のエピタキシャルシリコンウェーハの製造方法。 - 前記第2ステップにおいて、1000〜1090℃の範囲内の温度で前記シリコン結晶基板上にシリコンエピタキシャル層を形成する
請求項1乃至請求項3のいずれか一項に記載のエピタキシャルシリコンウェーハの製造方法。
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