JP2000031153A - Ｓｉウエーハ及びその製造方法 - Google Patents
Ｓｉウエーハ及びその製造方法Info
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
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- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
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- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
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- H01L21/324—Thermal treatment for modifying the properties of semiconductor bodies, e.g. annealing, sintering
-
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 水素アニール等の高温熱処理を行ってもゲッ
タリング能力を低下させることなく確実にＣＯＰを消滅
させることができるＳｉウエーハの製造方法、及びＣＯ
Ｐが無く且つゲッタリング能力の優れたＳｉウエーハを
提供すること。 【解決手段】 少なくとも、Ｓｉウエーハにエクストリ
ンシックゲッタリングを施す工程、及びＳｉウエーハに
還元性雰囲気下の熱処理を施す工程を含むことを特徴と
するＳｉウエーハの製造方法。
タリング能力を低下させることなく確実にＣＯＰを消滅
させることができるＳｉウエーハの製造方法、及びＣＯ
Ｐが無く且つゲッタリング能力の優れたＳｉウエーハを
提供すること。 【解決手段】 少なくとも、Ｓｉウエーハにエクストリ
ンシックゲッタリングを施す工程、及びＳｉウエーハに
還元性雰囲気下の熱処理を施す工程を含むことを特徴と
するＳｉウエーハの製造方法。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、Ｓｉウエーハ及び
その製造方法に関する。特に本発明は、ＣＯＰ（Ｃｒｙ
ｓｔａｌ Ｏｒｉｇｉｎａｔｅｄ Ｐａｒｔｉｃｌｅ）
が少なく且つゲッタリング能力に優れ、半導体デバイス
等に好適に使用されるＳｉウエーハ及びその製造方法に
関する。
その製造方法に関する。特に本発明は、ＣＯＰ（Ｃｒｙ
ｓｔａｌ Ｏｒｉｇｉｎａｔｅｄ Ｐａｒｔｉｃｌｅ）
が少なく且つゲッタリング能力に優れ、半導体デバイス
等に好適に使用されるＳｉウエーハ及びその製造方法に
関する。
【０００２】
【従来の技術】シリコンウエーハの酸化膜耐圧等の電気
特性を改善するためには、デバイスが作製されるウエー
ハ表層部を無欠陥層とする必要がある。ところがシリコ
ン単結晶成長時に、ＣＯＰと呼ばれる正八面体構造の結
晶欠陥が単結晶中に導入され、この単結晶から得られる
シリコンウエーハ表層部にＣＯＰが存在することがあ
り、これがシリコンウエーハの電気特性を劣化させるこ
とがあった。
特性を改善するためには、デバイスが作製されるウエー
ハ表層部を無欠陥層とする必要がある。ところがシリコ
ン単結晶成長時に、ＣＯＰと呼ばれる正八面体構造の結
晶欠陥が単結晶中に導入され、この単結晶から得られる
シリコンウエーハ表層部にＣＯＰが存在することがあ
り、これがシリコンウエーハの電気特性を劣化させるこ
とがあった。
【０００３】そこで従来そのようなＣＯＰを除去するた
めに、いわゆる水素アニール等の高温熱処理が行われて
いる。しかしながら上記高温熱処理は、ＣＯＰを消滅さ
せることができるものの、バルク微小欠陥（Ｂｕｌｋ
Ｍｉｃｒｏ Ｄｅｆｅｃｔ；以下、単に「ＢＭＤ」また
は「酸素析出物」という場合がある。）の欠陥核も同時
に消滅させてしまうものであった。その結果、高温熱処
理時に酸素析出が起きず、デバイス工程においてゲッタ
リング能力も著しく低下した。しかも上記高温熱処理を
施した後は、もはやどのように熱処理を行っても酸素析
出の増加は見られず、ゲッタリング能力を回復すること
は困難であった。
めに、いわゆる水素アニール等の高温熱処理が行われて
いる。しかしながら上記高温熱処理は、ＣＯＰを消滅さ
せることができるものの、バルク微小欠陥（Ｂｕｌｋ
Ｍｉｃｒｏ Ｄｅｆｅｃｔ；以下、単に「ＢＭＤ」また
は「酸素析出物」という場合がある。）の欠陥核も同時
に消滅させてしまうものであった。その結果、高温熱処
理時に酸素析出が起きず、デバイス工程においてゲッタ
リング能力も著しく低下した。しかも上記高温熱処理を
施した後は、もはやどのように熱処理を行っても酸素析
出の増加は見られず、ゲッタリング能力を回復すること
は困難であった。
【０００４】ところで、デバイス工程中にはさまざまな
工程があり、それらの中には金属汚染を発生させるよう
な装置が使われる場合もある。この場合、その装置で処
理されたウエーハは金属汚染される。しかしながら通常
のウエーハでは、その後のデバイス製造工程中に含まれ
る複数回の熱処理によってＢＭＤが成長し酸素析出が増
加することによりゲッタリング能力が増加する。その結
果、デバイス製造工程中にウエーハが金属汚染されて
も、この金属不純物をある程度排除することができる。
工程があり、それらの中には金属汚染を発生させるよう
な装置が使われる場合もある。この場合、その装置で処
理されたウエーハは金属汚染される。しかしながら通常
のウエーハでは、その後のデバイス製造工程中に含まれ
る複数回の熱処理によってＢＭＤが成長し酸素析出が増
加することによりゲッタリング能力が増加する。その結
果、デバイス製造工程中にウエーハが金属汚染されて
も、この金属不純物をある程度排除することができる。
【０００５】ところが上述のように一旦、還元性雰囲気
下で高温熱処理したウエーハでは、その後いくら熱処理
してもゲッタリング能力は回復せず著しく低下したまま
である。そのため、ウエーハ中の金属不純物を除去する
ことができず残留したままとなる。このことは、ウエー
ハの酸化膜耐圧を低下させたり、Ｐ−Ｎ接合のリーク電
流を増加させたりする。その結果、デバイスの製造歩留
りが低下するという問題を生ずる。
下で高温熱処理したウエーハでは、その後いくら熱処理
してもゲッタリング能力は回復せず著しく低下したまま
である。そのため、ウエーハ中の金属不純物を除去する
ことができず残留したままとなる。このことは、ウエー
ハの酸化膜耐圧を低下させたり、Ｐ−Ｎ接合のリーク電
流を増加させたりする。その結果、デバイスの製造歩留
りが低下するという問題を生ずる。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】本発明は上記事情に鑑
み、水素アニール等の還元性雰囲気下で高温熱処理を行
ってもゲッタリング能力を低下させることなく確実にＣ
ＯＰを消滅させることができるＳｉウエーハの製造方
法、及びＣＯＰが無く且つゲッタリング能力の優れたＳ
ｉウエーハを提供することを目的とする。
み、水素アニール等の還元性雰囲気下で高温熱処理を行
ってもゲッタリング能力を低下させることなく確実にＣ
ＯＰを消滅させることができるＳｉウエーハの製造方
法、及びＣＯＰが無く且つゲッタリング能力の優れたＳ
ｉウエーハを提供することを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明は上記課題を解決
するためになされたもので、請求項１記載の発明は、少
なくとも、Ｓｉウエーハにエクストリンシックゲッタリ
ング（Ｅｘｔｒｉｎｓｉｃ Ｇｅｔｔｅｒｉｎｇ；以
下、単に「ＥＧ」という場合がある。）を施す工程、及
びＳｉウエーハに還元性雰囲気下の熱処理（以下、単に
「還元性熱処理」という場合がある。）を施す工程を含
むことを特徴とするＳｉウエーハの製造方法である。
するためになされたもので、請求項１記載の発明は、少
なくとも、Ｓｉウエーハにエクストリンシックゲッタリ
ング（Ｅｘｔｒｉｎｓｉｃ Ｇｅｔｔｅｒｉｎｇ；以
下、単に「ＥＧ」という場合がある。）を施す工程、及
びＳｉウエーハに還元性雰囲気下の熱処理（以下、単に
「還元性熱処理」という場合がある。）を施す工程を含
むことを特徴とするＳｉウエーハの製造方法である。
【０００８】Ｓｉウエーハに高温の還元性熱処理を施す
場合でも、上記ＥＧを施せばＳｉウエーハのゲッタリン
グ能力を充分に付与することができる。しかも、上記還
元性熱処理によって確実にウエーハ表面のＣＯＰも消滅
させることができる。
場合でも、上記ＥＧを施せばＳｉウエーハのゲッタリン
グ能力を充分に付与することができる。しかも、上記還
元性熱処理によって確実にウエーハ表面のＣＯＰも消滅
させることができる。
【０００９】また、本発明の請求項２記載の発明は、エ
クストリンシックゲッタリングを施す工程の後に還元性
雰囲気下の熱処理を施す工程を行うことを特徴とする上
記Ｓｉウエーハの製造方法である。還元性熱処理のＣＯ
Ｐ消滅効果はウエーハ表面に近いほど大きい。一方、例
えば後述のポリ・バック・シール法（Ｐｏｌｙ Ｂａｃ
ｋ Ｓｅａｌ；以下、単に「ＰＢＳ」という場合があ
る。）等によりＥＧを行う場合、その後にウエーハ表面
の研磨あるいは汚染の除去が必要となる場合がある。従
って、還元性熱処理の後にＥＧを行うと、せっかく還元
性熱処理でウエーハ表面にＣＯＰの無欠陥層を広げて
も、その後の研磨等によりこれを一部消失させる可能性
がある。一方、ＥＧのゲッタリング向上効果は、その後
の還元性熱処理によっては殆ど損なわれることはない。
そこで、上記還元性熱処理をＥＧの後で行うのが有利で
ある。
クストリンシックゲッタリングを施す工程の後に還元性
雰囲気下の熱処理を施す工程を行うことを特徴とする上
記Ｓｉウエーハの製造方法である。還元性熱処理のＣＯ
Ｐ消滅効果はウエーハ表面に近いほど大きい。一方、例
えば後述のポリ・バック・シール法（Ｐｏｌｙ Ｂａｃ
ｋ Ｓｅａｌ；以下、単に「ＰＢＳ」という場合があ
る。）等によりＥＧを行う場合、その後にウエーハ表面
の研磨あるいは汚染の除去が必要となる場合がある。従
って、還元性熱処理の後にＥＧを行うと、せっかく還元
性熱処理でウエーハ表面にＣＯＰの無欠陥層を広げて
も、その後の研磨等によりこれを一部消失させる可能性
がある。一方、ＥＧのゲッタリング向上効果は、その後
の還元性熱処理によっては殆ど損なわれることはない。
そこで、上記還元性熱処理をＥＧの後で行うのが有利で
ある。
【００１０】又、本発明の請求項３記載の発明は、前記
エクストリンシックゲッタリングをポリ・バック・シー
ル法により行うことを特徴とする上記Ｓｉウエーハの製
造方法である。ＥＧをＰＢＳにより行えば、その後に高
温熱処理を行ってもスリップ転位の発生を抑制すること
ができる。
エクストリンシックゲッタリングをポリ・バック・シー
ル法により行うことを特徴とする上記Ｓｉウエーハの製
造方法である。ＥＧをＰＢＳにより行えば、その後に高
温熱処理を行ってもスリップ転位の発生を抑制すること
ができる。
【００１１】又、請求項４記載の発明は、前記還元性雰
囲気下の熱処理を急速加熱急速冷却装置（Ｒａｐｉｄ
Ｔｈｅｒｍａｌ Ａｎｎｅａｌｅｒ；以下、単に「ＲＴ
Ａ」という場合がある。）を用いて行うことを特徴とす
る上記Ｓｉウエーハの製造方法である。還元性熱処理を
ＲＴＡで行うことによりＣＯＰを消滅させると共に、熱
処理時間、還元性ガス、及びエネルギー消費量等を削減
でき製造効率を向上させることができる。
囲気下の熱処理を急速加熱急速冷却装置（Ｒａｐｉｄ
Ｔｈｅｒｍａｌ Ａｎｎｅａｌｅｒ；以下、単に「ＲＴ
Ａ」という場合がある。）を用いて行うことを特徴とす
る上記Ｓｉウエーハの製造方法である。還元性熱処理を
ＲＴＡで行うことによりＣＯＰを消滅させると共に、熱
処理時間、還元性ガス、及びエネルギー消費量等を削減
でき製造効率を向上させることができる。
【００１２】又、請求項５記載の発明は、前記還元性雰
囲気下の熱処理を、水素１００％又は水素と不活性ガス
との混合ガス雰囲気下に１１５０〜１３５０℃で１〜３
００秒間行うことを特徴とする上記Ｓｉウエーハの製造
方法である。本発明者等が還元性熱処理条件を種々検討
した結果、具体的には上記条件が最も本発明効果を発揮
することが判った。
囲気下の熱処理を、水素１００％又は水素と不活性ガス
との混合ガス雰囲気下に１１５０〜１３５０℃で１〜３
００秒間行うことを特徴とする上記Ｓｉウエーハの製造
方法である。本発明者等が還元性熱処理条件を種々検討
した結果、具体的には上記条件が最も本発明効果を発揮
することが判った。
【００１３】更に、請求項６記載の発明は、上記製造方
法で製造されるＳｉウエーハである。このようにして製
造されたＳｉウエーハは、ＣＯＰが８インチウエーハ当
たり５０個以下（０．１６個／ｃｍ2 以下）と非常に少
なく且つゲッタリング能力が高いものである。
法で製造されるＳｉウエーハである。このようにして製
造されたＳｉウエーハは、ＣＯＰが８インチウエーハ当
たり５０個以下（０．１６個／ｃｍ2 以下）と非常に少
なく且つゲッタリング能力が高いものである。
【００１４】特に、このような熱処理を行ったウエーハ
は、ウエーハ表層にＣＯＰが少なく、ウエーハ内部には
ゲッタリング層が無く、ウエーハ裏面にゲッタリング層
を有するウエーハとなり、デバイスが形成される表層部
分の欠陥が非常に少ないウエーハが得られる。具体的に
は、請求項７記載のように、ウエーハ表面のＣＯＰ密度
が０．１６個／ｃｍ2 以下であり、ウエーハ内部の内部
欠陥（バルク微小欠陥）密度が１×１０9 個／ｃｍ3 以
下であり、かつウエーハ裏面に０．５μｍ以上のポリシ
リコン層を有する事を特徴とするＳｉウエーハである。
は、ウエーハ表層にＣＯＰが少なく、ウエーハ内部には
ゲッタリング層が無く、ウエーハ裏面にゲッタリング層
を有するウエーハとなり、デバイスが形成される表層部
分の欠陥が非常に少ないウエーハが得られる。具体的に
は、請求項７記載のように、ウエーハ表面のＣＯＰ密度
が０．１６個／ｃｍ2 以下であり、ウエーハ内部の内部
欠陥（バルク微小欠陥）密度が１×１０9 個／ｃｍ3 以
下であり、かつウエーハ裏面に０．５μｍ以上のポリシ
リコン層を有する事を特徴とするＳｉウエーハである。
【００１５】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て図を用い説明するが、本発明はこれに限定されない。
本発明の製造方法においては、少なくとも、Ｓｉウエー
ハにＥＧを施す工程と還元性熱処理を施す工程を含む。
上記Ｓｉウエーハとしては、例えばチョクラルスキー法
（ＣＺ法）等で製造されたシリコン単結晶インゴットを
スライスし、必要に応じ面取り、ラッピング、エッチン
グ、研磨等を施して製造されたものであってよい。
て図を用い説明するが、本発明はこれに限定されない。
本発明の製造方法においては、少なくとも、Ｓｉウエー
ハにＥＧを施す工程と還元性熱処理を施す工程を含む。
上記Ｓｉウエーハとしては、例えばチョクラルスキー法
（ＣＺ法）等で製造されたシリコン単結晶インゴットを
スライスし、必要に応じ面取り、ラッピング、エッチン
グ、研磨等を施して製造されたものであってよい。
【００１６】上記ＥＧは、ウエーハのゲッタリング能力
を高めるものである。上記ＥＧとしては、例えばＰＢ
Ｓ、サンド・ブラスト法、リン・ゲッター法等が挙げら
れる。ＰＢＳはゲッタリング増大効果が大きく、又後に
高温処理を施す場合でもスリップ転位等の発生を抑制す
る効果もあるので好ましい。尚、サンド・ブラスト法も
可能であるが、ウエーハ表面を汚す可能性がある。
を高めるものである。上記ＥＧとしては、例えばＰＢ
Ｓ、サンド・ブラスト法、リン・ゲッター法等が挙げら
れる。ＰＢＳはゲッタリング増大効果が大きく、又後に
高温処理を施す場合でもスリップ転位等の発生を抑制す
る効果もあるので好ましい。尚、サンド・ブラスト法も
可能であるが、ウエーハ表面を汚す可能性がある。
【００１７】上記ＰＢＳによりＥＧを行うには、例えば
以下のようにすればよい。即ちシリコンウエーハの裏面
に先ず、必要に応じ酸化膜を予め形成させる。酸化膜の
形成は、過酸化水素やオゾンを含む洗浄等により薄い酸
化膜を成長させたり熱酸化や化学気相成長法等の常法に
従って行えばよい。次いで上記裏面に、例えば減圧化学
気相成長法等によりポリシリコン膜を形成させる。装置
としては、通常の減圧化学気相成長炉を使用すればよ
い。炉内温度は例えば、６００〜７００℃、炉内圧力は
例えば０．１〜０．３ｔｏｒｒが好ましい。原料ガスと
しては、例えばＳｉＨ4 等が挙げられる。膜厚は、例え
ば０．５〜１．５μｍとすればよい。
以下のようにすればよい。即ちシリコンウエーハの裏面
に先ず、必要に応じ酸化膜を予め形成させる。酸化膜の
形成は、過酸化水素やオゾンを含む洗浄等により薄い酸
化膜を成長させたり熱酸化や化学気相成長法等の常法に
従って行えばよい。次いで上記裏面に、例えば減圧化学
気相成長法等によりポリシリコン膜を形成させる。装置
としては、通常の減圧化学気相成長炉を使用すればよ
い。炉内温度は例えば、６００〜７００℃、炉内圧力は
例えば０．１〜０．３ｔｏｒｒが好ましい。原料ガスと
しては、例えばＳｉＨ4 等が挙げられる。膜厚は、例え
ば０．５〜１．５μｍとすればよい。
【００１８】尚、原料ガスの出るノズルを１本だけ使用
する場合は、膜厚を一定にするため炉内温度勾配を付け
てもよい。又、原料ガスの出るノズルを複数本、例えば
４、５本使用してよい。この場合は、炉内温度を一定に
し各ノズルのガス流量を最適化することにより、炉内温
度勾配を付けなくとも均一な膜厚を堆積できる。しかも
炉内温度が同じなので、結晶の配向性等の品質も均一に
することができる。
する場合は、膜厚を一定にするため炉内温度勾配を付け
てもよい。又、原料ガスの出るノズルを複数本、例えば
４、５本使用してよい。この場合は、炉内温度を一定に
し各ノズルのガス流量を最適化することにより、炉内温
度勾配を付けなくとも均一な膜厚を堆積できる。しかも
炉内温度が同じなので、結晶の配向性等の品質も均一に
することができる。
【００１９】本発明の製造方法においては、Ｓｉウエー
ハに還元性雰囲気下の熱処理を施す工程を更に含む。こ
れにより、ウエーハ表面からＣＯＰを消滅させることが
できる。上記還元性雰囲気としては、例えば水素ガス１
００％、及び水素ガスと不活性ガスとの混合ガス等が含
まれる。好ましくは水素ガスと不活性ガスとの混合ガス
である。不活性ガスとしては、例えばアルゴン、窒素等
が挙げられる。混合させる場合の水素ガス濃度として
は、例えば１０〜８０容量％、特に２０〜４０容量％が
好ましい。水素ガスがあまりに少ないとＣＯＰを十分消
滅させることはできず、逆に水素ガスがあまりに多いと
スリップ転位を発生させることがある。
ハに還元性雰囲気下の熱処理を施す工程を更に含む。こ
れにより、ウエーハ表面からＣＯＰを消滅させることが
できる。上記還元性雰囲気としては、例えば水素ガス１
００％、及び水素ガスと不活性ガスとの混合ガス等が含
まれる。好ましくは水素ガスと不活性ガスとの混合ガス
である。不活性ガスとしては、例えばアルゴン、窒素等
が挙げられる。混合させる場合の水素ガス濃度として
は、例えば１０〜８０容量％、特に２０〜４０容量％が
好ましい。水素ガスがあまりに少ないとＣＯＰを十分消
滅させることはできず、逆に水素ガスがあまりに多いと
スリップ転位を発生させることがある。
【００２０】熱処理温度としては例えば９００℃〜シリ
コンの融点以下とすることができる。ただし、熱処理温
度があまりに低過ぎるとＣＯＰを十分消滅させるのに長
時間を要したりするので、１１５０〜１３５０℃とする
のがより好ましい。一方、還元性熱処理温度とウエーハ
中の内部欠陥密度（酸素析出物密度）との関係を示す図
１から判るように、熱処理温度が９００℃より低けれ
ば、少なくとも、一般にデバイス工程でゲッタリングに
必要とされる内部欠陥密度１×１０9 個／ｃｍ3程度は
Ｓｉウエーハは有している。還元性雰囲気の熱処理によ
りゲッタリング能力が問題となるのは、９００℃以上で
熱処理をした場合である。即ち、熱処理温度を上げてい
くとＣＯＰ消滅効果は増大するが、今度は内部欠陥密度
が減少しゲッタリング能力が大きく低下してくる。従っ
て、還元性熱処理を、１１５０〜１３５０℃とすればウ
エーハ表面のＣＯＰを消滅させるのに十分であるととも
に、前記ＥＧをウエーハに施せばゲッタリング能力も充
分なものとなる。
コンの融点以下とすることができる。ただし、熱処理温
度があまりに低過ぎるとＣＯＰを十分消滅させるのに長
時間を要したりするので、１１５０〜１３５０℃とする
のがより好ましい。一方、還元性熱処理温度とウエーハ
中の内部欠陥密度（酸素析出物密度）との関係を示す図
１から判るように、熱処理温度が９００℃より低けれ
ば、少なくとも、一般にデバイス工程でゲッタリングに
必要とされる内部欠陥密度１×１０9 個／ｃｍ3程度は
Ｓｉウエーハは有している。還元性雰囲気の熱処理によ
りゲッタリング能力が問題となるのは、９００℃以上で
熱処理をした場合である。即ち、熱処理温度を上げてい
くとＣＯＰ消滅効果は増大するが、今度は内部欠陥密度
が減少しゲッタリング能力が大きく低下してくる。従っ
て、還元性熱処理を、１１５０〜１３５０℃とすればウ
エーハ表面のＣＯＰを消滅させるのに十分であるととも
に、前記ＥＧをウエーハに施せばゲッタリング能力も充
分なものとなる。
【００２１】熱処理時間は、通常の熱処理炉を用いて還
元性熱処理を行う場合は数時間以内とされるが、ＲＴＡ
を用いる場合は１〜３００秒が好ましい。ＲＴＡを用い
れば、この程度の時間の熱処理で十分にＣＯＰを消滅さ
せることができる。ただし熱処理時間があまりに短過ぎ
るとＣＯＰを十分消滅させることができず、逆に熱処理
時間があまりに長過ぎると製造効率の低下を招くので、
前記１〜３００秒とするのがよい。
元性熱処理を行う場合は数時間以内とされるが、ＲＴＡ
を用いる場合は１〜３００秒が好ましい。ＲＴＡを用い
れば、この程度の時間の熱処理で十分にＣＯＰを消滅さ
せることができる。ただし熱処理時間があまりに短過ぎ
るとＣＯＰを十分消滅させることができず、逆に熱処理
時間があまりに長過ぎると製造効率の低下を招くので、
前記１〜３００秒とするのがよい。
【００２２】上記還元性熱処理は、単段階で行ってもよ
く、又多段階で行ってもよい。多段階で行う場合は例え
ば、前段階を１２００℃以上の高温で１〜３００秒間、
後段階をそれより低温で１〜３００秒間熱処理してもよ
い。このようにすれば、前段階の高温域ではＣＯＰを確
実に消滅させることができ、後段階の低温域ではＣＯＰ
の消滅を保持したまま、更にＳｉウエーハ表面のマイク
ロラフネス及びヘイズ等を低減させることもできる。そ
の結果、酸化膜耐圧のみならず、Ｐ型又はＮ型キャリア
の移動度等の電気特性に優れたデバイスを製造すること
ができる。
く、又多段階で行ってもよい。多段階で行う場合は例え
ば、前段階を１２００℃以上の高温で１〜３００秒間、
後段階をそれより低温で１〜３００秒間熱処理してもよ
い。このようにすれば、前段階の高温域ではＣＯＰを確
実に消滅させることができ、後段階の低温域ではＣＯＰ
の消滅を保持したまま、更にＳｉウエーハ表面のマイク
ロラフネス及びヘイズ等を低減させることもできる。そ
の結果、酸化膜耐圧のみならず、Ｐ型又はＮ型キャリア
の移動度等の電気特性に優れたデバイスを製造すること
ができる。
【００２３】上記のように還元性熱処理は、製造効率等
の観点から急速加熱・急速冷却装置を用いるのが好まし
い。ここで、急速加熱・急速冷却とは、上記温度範囲に
設定された熱処理炉中にウエーハを直ちに投入し、上記
熱処理時間の経過後、直ちに取り出す方法や、ウエーハ
を熱処理炉内の設定位置に設置した後、ランプ加熱器等
で直ちに加熱処理する方法である。
の観点から急速加熱・急速冷却装置を用いるのが好まし
い。ここで、急速加熱・急速冷却とは、上記温度範囲に
設定された熱処理炉中にウエーハを直ちに投入し、上記
熱処理時間の経過後、直ちに取り出す方法や、ウエーハ
を熱処理炉内の設定位置に設置した後、ランプ加熱器等
で直ちに加熱処理する方法である。
【００２４】そのような急速加熱・急速冷却を実行する
には、ＲＴＡ装置等を使用すればよい。具体的にはＲＴ
Ａ装置としては、例えばＡＳＴ社製、ＳＨＳ−２８００
等が市販されている。ＲＴＡ装置によってＳｉウエーハ
を急速加熱・急速冷却する場合についての一例を、図４
を用い具体的に説明する。
には、ＲＴＡ装置等を使用すればよい。具体的にはＲＴ
Ａ装置としては、例えばＡＳＴ社製、ＳＨＳ−２８００
等が市販されている。ＲＴＡ装置によってＳｉウエーハ
を急速加熱・急速冷却する場合についての一例を、図４
を用い具体的に説明する。
【００２５】まず、加熱ヒータ２，２’によってベルジ
ャ１内を、所望温度、例えば１１５０〜１３５０℃に加
熱し、その温度に保持する。尚、上記多段階加熱処理を
行いたい場合は、分割された加熱ヒータそれぞれに対し
独立して供給電力を制御すれば、ベルジャ１内を高さ方
向に沿って温度分布をつけることができる。従って、こ
の時点で後段階の低温温度帯域を前段階の高温温度帯域
の下部に設定しておくことができる。このようにＳｉウ
エーハの熱処理を複数回に分けて行う場合でも、ステー
ジ７の位置、すなわち支持軸６の炉内への挿入量を調節
することによって容易に実行することができる。
ャ１内を、所望温度、例えば１１５０〜１３５０℃に加
熱し、その温度に保持する。尚、上記多段階加熱処理を
行いたい場合は、分割された加熱ヒータそれぞれに対し
独立して供給電力を制御すれば、ベルジャ１内を高さ方
向に沿って温度分布をつけることができる。従って、こ
の時点で後段階の低温温度帯域を前段階の高温温度帯域
の下部に設定しておくことができる。このようにＳｉウ
エーハの熱処理を複数回に分けて行う場合でも、ステー
ジ７の位置、すなわち支持軸６の炉内への挿入量を調節
することによって容易に実行することができる。
【００２６】ベルジャ１内が所望温度で維持され、ベー
スプレート５に設けられたガス導入口より還元性ガスを
導入し、所望ガス雰囲気となったなら、ＲＴＡ装置１０
に隣接して配置される、不図示のウエーハハンドリング
装置によってＳｉウエーハを水冷チャンバ４の挿入口か
ら入れ、最下端位置で待機させたステージ７上に例えば
ＳｉＣボートを介してウエーハを乗せる。この時、水冷
チャンバ４およびベースプレート５は水冷されているの
で、ウエーハはこの位置では高温化しない。
スプレート５に設けられたガス導入口より還元性ガスを
導入し、所望ガス雰囲気となったなら、ＲＴＡ装置１０
に隣接して配置される、不図示のウエーハハンドリング
装置によってＳｉウエーハを水冷チャンバ４の挿入口か
ら入れ、最下端位置で待機させたステージ７上に例えば
ＳｉＣボートを介してウエーハを乗せる。この時、水冷
チャンバ４およびベースプレート５は水冷されているの
で、ウエーハはこの位置では高温化しない。
【００２７】そして、Ｓｉウエーハのステージ７上への
載置が完了したなら、すぐにモータ９によって支持軸６
を炉内に挿入することによって、ステージ７を例えば１
１５０〜１３５０℃内にある所望温度位置まで上昇さ
せ、ステージ上のＳｉウエーハに高温熱処理を加える。
この場合、水冷チャンバ４内のステージ下端位置から、
所望温度位置までの移動には、例えば２０秒程度しかか
からないので、Ｓｉウエーハは急速加熱されることにな
る。
載置が完了したなら、すぐにモータ９によって支持軸６
を炉内に挿入することによって、ステージ７を例えば１
１５０〜１３５０℃内にある所望温度位置まで上昇さ
せ、ステージ上のＳｉウエーハに高温熱処理を加える。
この場合、水冷チャンバ４内のステージ下端位置から、
所望温度位置までの移動には、例えば２０秒程度しかか
からないので、Ｓｉウエーハは急速加熱されることにな
る。
【００２８】そして、ステージ７を所望温度位置で、所
定時間停止（例えば１〜３００秒）させることによっ
て、Ｓｉウエーハに停止時間分の高温熱処理を加えるこ
とができる。所定時間が経過し高温熱処理が終了したな
ら、すぐにモータ９によって支持軸６を炉内から引き抜
くことによって、ステージ７を下降させ水冷チャンバ４
内の下端位置とする。この下降動作も、例えば２０秒程
度で行うことができる。ステージ７上のＳｉウエーハ
は、水冷チャンバ４およびベースプレート５が水冷され
ているので、急速に冷却される。最後に、Ｓｉウエーハ
ハンドリング装置によって、Ｓｉウエーハを取り出すこ
とによって、熱処理を完了する。さらに熱処理するＳｉ
ウエーハがある場合には、ＲＴＡ装置１０の温度を降温
させていないので、次々にウエーハを投入し連続的に熱
処理をすることができる。
定時間停止（例えば１〜３００秒）させることによっ
て、Ｓｉウエーハに停止時間分の高温熱処理を加えるこ
とができる。所定時間が経過し高温熱処理が終了したな
ら、すぐにモータ９によって支持軸６を炉内から引き抜
くことによって、ステージ７を下降させ水冷チャンバ４
内の下端位置とする。この下降動作も、例えば２０秒程
度で行うことができる。ステージ７上のＳｉウエーハ
は、水冷チャンバ４およびベースプレート５が水冷され
ているので、急速に冷却される。最後に、Ｓｉウエーハ
ハンドリング装置によって、Ｓｉウエーハを取り出すこ
とによって、熱処理を完了する。さらに熱処理するＳｉ
ウエーハがある場合には、ＲＴＡ装置１０の温度を降温
させていないので、次々にウエーハを投入し連続的に熱
処理をすることができる。
【００２９】次に、本発明においては、ＥＧを施す工程
の後に還元性熱処理を施す工程を行うのが好ましい。即
ち、還元性熱処理のＣＯＰ消滅効果はウエーハ表面に近
いほど大きい。一方、例えば上述のＰＢＳによりＥＧを
行う場合、その後にウエーハの表面側に回り込んだ多結
晶膜を除去するための研磨が必要な場合がある。従っ
て、還元性熱処理の後にＥＧを行うと、せっかく還元性
熱処理でウエーハ表面にＣＯＰの無欠陥層を広げても、
その後の研磨によりこれを消失させる可能性がある。一
方、ＥＧのゲッタリング向上効果は、その後の還元性熱
処理によっては殆ど損なわれることはない。そこで、上
記還元性熱処理をＥＧの後で行うのが有利である。
の後に還元性熱処理を施す工程を行うのが好ましい。即
ち、還元性熱処理のＣＯＰ消滅効果はウエーハ表面に近
いほど大きい。一方、例えば上述のＰＢＳによりＥＧを
行う場合、その後にウエーハの表面側に回り込んだ多結
晶膜を除去するための研磨が必要な場合がある。従っ
て、還元性熱処理の後にＥＧを行うと、せっかく還元性
熱処理でウエーハ表面にＣＯＰの無欠陥層を広げても、
その後の研磨によりこれを消失させる可能性がある。一
方、ＥＧのゲッタリング向上効果は、その後の還元性熱
処理によっては殆ど損なわれることはない。そこで、上
記還元性熱処理をＥＧの後で行うのが有利である。
【００３０】しかしながら、ＥＧ処理の後に上記研磨等
のようなウエーハ表面の特殊加工を必要とせず、且つウ
エーハを表面汚染することのないＥＧであれば、還元性
熱処理の後にＥＧを行ってもよい。本発明の製造方法に
おいては、還元性熱処理とは別に実際にゲッタリング能
力を増大させるために必要に応じ適当な熱処理を更に行
ってよい。その他、Ｓｉウエーハの製造工程で通常行わ
れるラッピング、エッチング、鏡面研磨工程等を行って
よい。
のようなウエーハ表面の特殊加工を必要とせず、且つウ
エーハを表面汚染することのないＥＧであれば、還元性
熱処理の後にＥＧを行ってもよい。本発明の製造方法に
おいては、還元性熱処理とは別に実際にゲッタリング能
力を増大させるために必要に応じ適当な熱処理を更に行
ってよい。その他、Ｓｉウエーハの製造工程で通常行わ
れるラッピング、エッチング、鏡面研磨工程等を行って
よい。
【００３１】上記本発明のＳｉウエーハの製造方法で製
造されるＳｉウエーハは、ＣＯＰが８インチウエーハ当
たり５０個（０．１６個／ｃｍ2 ）以下であり且つウエ
ーハのゲッタリング能力が殆ど低下していないものであ
る。
造されるＳｉウエーハは、ＣＯＰが８インチウエーハ当
たり５０個（０．１６個／ｃｍ2 ）以下であり且つウエ
ーハのゲッタリング能力が殆ど低下していないものであ
る。
【００３２】
【実施例】以下、本発明を実施例で具体的に説明する。 ・ＲＴＡ Ｈ2 −アニールの熱処理温度と内部欠陥密度
（個／ｃｍ3 ）との相関関係 ２００ｍｍφ、導電型Ｐ型、抵抗率１０Ωｃｍ、及び酸
素濃度１６ｐｐｍａのＳｉウエーハに１０秒間、８００
℃、９００℃、１０００℃、１１００℃、１２００℃、
１３００℃の各温度でＲＴＡを用いて水素アニールを施
した。尚、本発明で用いた酸素濃度はＪＥＩＤＡ（日本
電子工業振興協会）で採用されている方法に基づいて赤
外分光法により評価している。
（個／ｃｍ3 ）との相関関係 ２００ｍｍφ、導電型Ｐ型、抵抗率１０Ωｃｍ、及び酸
素濃度１６ｐｐｍａのＳｉウエーハに１０秒間、８００
℃、９００℃、１０００℃、１１００℃、１２００℃、
１３００℃の各温度でＲＴＡを用いて水素アニールを施
した。尚、本発明で用いた酸素濃度はＪＥＩＤＡ（日本
電子工業振興協会）で採用されている方法に基づいて赤
外分光法により評価している。
【００３３】上記各水素アニールを施したＳｉウエーハ
の内部欠陥密度を、窒素雰囲気下８００℃で４時間、酸
素雰囲気下１０００℃で１６時間の熱処理を施した後、
赤外干渉法、具体的にはＯＰＰ（Ｏｐｔｉｃａｌ Ｐｒ
ｅｃｉｐｉｔａｔｅ Ｐｒｏｆｉｌｅｒ）にて表面から
ウエーハ内部９０μｍの深さまで観察した。測定結果を
図１に示す。尚、図１には対照としてＲＴＡによる水素
アニールを施さなかったＳｉウエーハの内部欠陥密度も
示す。図１より明らかなように、水素アニールの熱処理
温度が９００℃を越えると水素アニールをしていない対
照のＳｉウエーハに対して内部欠陥密度が大きく減少し
て、ゲッタリング能力に問題が生じることが判る。
の内部欠陥密度を、窒素雰囲気下８００℃で４時間、酸
素雰囲気下１０００℃で１６時間の熱処理を施した後、
赤外干渉法、具体的にはＯＰＰ（Ｏｐｔｉｃａｌ Ｐｒ
ｅｃｉｐｉｔａｔｅ Ｐｒｏｆｉｌｅｒ）にて表面から
ウエーハ内部９０μｍの深さまで観察した。測定結果を
図１に示す。尚、図１には対照としてＲＴＡによる水素
アニールを施さなかったＳｉウエーハの内部欠陥密度も
示す。図１より明らかなように、水素アニールの熱処理
温度が９００℃を越えると水素アニールをしていない対
照のＳｉウエーハに対して内部欠陥密度が大きく減少し
て、ゲッタリング能力に問題が生じることが判る。
【００３４】（実施例１）２００ｍｍφ、導電型Ｐ型、
抵抗率１０Ωｃｍ、酸素濃度１６ｐｐｍａのＳｉウエー
ハ上に、減圧化学気相成長炉を使用してポリシリコン膜
を堆積してＰＢＳ処理した。炉内温度は６５０℃、炉内
圧力は０．２ｔｏｒｒであった。原料ガスとして、Ｓｉ
Ｈ4 を使用した。膜厚は、１．０μｍであった。
抵抗率１０Ωｃｍ、酸素濃度１６ｐｐｍａのＳｉウエー
ハ上に、減圧化学気相成長炉を使用してポリシリコン膜
を堆積してＰＢＳ処理した。炉内温度は６５０℃、炉内
圧力は０．２ｔｏｒｒであった。原料ガスとして、Ｓｉ
Ｈ4 を使用した。膜厚は、１．０μｍであった。
【００３５】次いで、上記ＰＢＳ処理したＳｉウエーハ
を還元性雰囲気下の熱処理を施した。上記還元性熱処理
はＲＴＡを用い、４０容量％含有水素−アルゴン混合ガ
ス雰囲気下、１２００℃で３０秒間行った。その後、Ｓ
ｉウエーハのゲッタリング能力を調べるため上記Ｓｉウ
エーハ表面をＮｉで強制汚染した。汚染濃度は１．０×
１０12ａｔｏｍｓ／ｃｍ2 であった。
を還元性雰囲気下の熱処理を施した。上記還元性熱処理
はＲＴＡを用い、４０容量％含有水素−アルゴン混合ガ
ス雰囲気下、１２００℃で３０秒間行った。その後、Ｓ
ｉウエーハのゲッタリング能力を調べるため上記Ｓｉウ
エーハ表面をＮｉで強制汚染した。汚染濃度は１．０×
１０12ａｔｏｍｓ／ｃｍ2 であった。
【００３６】そして上記Ｓｉウエーハを、最高温度１１
５０℃の４段階熱処理を行いＣＭＯＳシミュレーション
を行った。その後ＭＯＳキャパシターを作成して、酸化
膜耐圧を測定した。測定結果を図２に示す。尚、上記酸
化膜耐圧の測定条件は、酸化膜厚２５ｎｍ、リンドープ
した２０Ωのポリシリコン膜堆積電極を使用し、測定面
積０．０８ｃｍ2 、Ｃ−モード収率としては８ＭＶ／ｃ
ｍ2 以上で良品とした。
５０℃の４段階熱処理を行いＣＭＯＳシミュレーション
を行った。その後ＭＯＳキャパシターを作成して、酸化
膜耐圧を測定した。測定結果を図２に示す。尚、上記酸
化膜耐圧の測定条件は、酸化膜厚２５ｎｍ、リンドープ
した２０Ωのポリシリコン膜堆積電極を使用し、測定面
積０．０８ｃｍ2 、Ｃ−モード収率としては８ＭＶ／ｃ
ｍ2 以上で良品とした。
【００３７】図２から明らかなように、本発明のＳｉウ
エーハは、Ｎｉ汚染しているにもかかわらず、酸化膜耐
圧（Ｃ−モード収率）はほぼ１００％の良品率となって
いる。このことから、本発明のウエーハではゲッタリン
グ能力が十分に保持されていると考えられる。
エーハは、Ｎｉ汚染しているにもかかわらず、酸化膜耐
圧（Ｃ−モード収率）はほぼ１００％の良品率となって
いる。このことから、本発明のウエーハではゲッタリン
グ能力が十分に保持されていると考えられる。
【００３８】（実施例２）還元性熱処理の後にＰＢＳ処
理した以外は、実施例１と同様にしてＳｉウエーハを作
製した。次いで実施例１と同様にして、ＭＯＳキャパシ
ターを作製し、酸化膜耐圧を測定した。測定結果を図２
に示す。この順番の処理でもゲッタリング能力は十分に
保持されている。
理した以外は、実施例１と同様にしてＳｉウエーハを作
製した。次いで実施例１と同様にして、ＭＯＳキャパシ
ターを作製し、酸化膜耐圧を測定した。測定結果を図２
に示す。この順番の処理でもゲッタリング能力は十分に
保持されている。
【００３９】（比較例１）ＰＢＳ処理しなかった以外は
実施例１と同様にして、ＭＯＳキャパシターを作成し、
酸化膜耐圧を測定した。測定結果を図２に示す。図２か
ら明らかなように、比較例１のＳｉウエーハは、酸化膜
耐圧が６５％程度にまで大きく低下している。このこと
から、ＳｉウエーハにＥＧを施さない場合は、そのゲッ
タリング能力は大きく低下することが判る。尚、実施例
１、２及び比較例１共にウエーハ表面のＣＯＰ密度は５
０個以下であった。またＯＰＰにより観察した内部欠陥
密度は１０7 個／ｃｍ3 レベルの欠陥密度であった。
実施例１と同様にして、ＭＯＳキャパシターを作成し、
酸化膜耐圧を測定した。測定結果を図２に示す。図２か
ら明らかなように、比較例１のＳｉウエーハは、酸化膜
耐圧が６５％程度にまで大きく低下している。このこと
から、ＳｉウエーハにＥＧを施さない場合は、そのゲッ
タリング能力は大きく低下することが判る。尚、実施例
１、２及び比較例１共にウエーハ表面のＣＯＰ密度は５
０個以下であった。またＯＰＰにより観察した内部欠陥
密度は１０7 個／ｃｍ3 レベルの欠陥密度であった。
【００４０】・スリップ転位の発生試験 上記実施例１と同様にしてＰＢＳ処理し、膜厚１．０μ
ｍのポリシリコン膜を堆積したＳｉウエーハを作製し
た。次いでこれを、１２００℃及び１２３０℃の各温度
でそれぞれ３０秒間ＲＴＡを用いて熱処理した。熱処理
後のＳｉウエーハ表面上のスリップ転位発生状況を、パ
ーティクルカウンター（ＬＳ−６０００：日立電子エン
ジニアリング社製商品名）で観察した。観察結果を図３
に示す。一方、ＰＢＳ処理しなかったＳｉウエーハを対
照として用い、上記と同様のＲＴＡ熱処理後にスリップ
転位発生試験を行った。観察結果を図３に示す。
ｍのポリシリコン膜を堆積したＳｉウエーハを作製し
た。次いでこれを、１２００℃及び１２３０℃の各温度
でそれぞれ３０秒間ＲＴＡを用いて熱処理した。熱処理
後のＳｉウエーハ表面上のスリップ転位発生状況を、パ
ーティクルカウンター（ＬＳ−６０００：日立電子エン
ジニアリング社製商品名）で観察した。観察結果を図３
に示す。一方、ＰＢＳ処理しなかったＳｉウエーハを対
照として用い、上記と同様のＲＴＡ熱処理後にスリップ
転位発生試験を行った。観察結果を図３に示す。
【００４１】図３より明らかなように、ポリシリコン膜
を堆積したＳｉウエーハの場合は全くスリップ転位が発
生しなかったが、ポリシリコン膜を堆積しなかったＳｉ
ウエーハの場合はスリップ転位が発生した。このことか
ら、ポリシリコン膜はスリップ転位発生に対しても抑制
力が働くことが判る。ＣＯＰ密度は高温で熱処理する程
消滅しやすいが、その反面スリップ転位が発生しやすい
という問題があったが、ポリシリコン膜の形成により良
品のウエーハを得ることができる。
を堆積したＳｉウエーハの場合は全くスリップ転位が発
生しなかったが、ポリシリコン膜を堆積しなかったＳｉ
ウエーハの場合はスリップ転位が発生した。このことか
ら、ポリシリコン膜はスリップ転位発生に対しても抑制
力が働くことが判る。ＣＯＰ密度は高温で熱処理する程
消滅しやすいが、その反面スリップ転位が発生しやすい
という問題があったが、ポリシリコン膜の形成により良
品のウエーハを得ることができる。
【００４２】尚、本発明は、上記実施形態に限定される
ものではない。上記実施形態は、例示であり、本発明の
特許請求の範囲に記載された技術的思想と実質的に同一
な構成を有し、同様な作用効果を奏するものは、いかな
るものであっても本発明の技術的範囲に包含される。
ものではない。上記実施形態は、例示であり、本発明の
特許請求の範囲に記載された技術的思想と実質的に同一
な構成を有し、同様な作用効果を奏するものは、いかな
るものであっても本発明の技術的範囲に包含される。
【００４３】
【発明の効果】本発明のＳｉウエーハの製造方法によ
り、水素アニール等の高温熱処理を行ってもゲッタリン
グ能力を低下させることなく確実にＣＯＰを消滅させる
ことができる。又、本発明のＳｉウエーハは、ＣＯＰが
無く且つゲッタリング能力が殆ど低下していない。また
ポリシリコン膜の形成によりスリップ転位の発生も抑制
できる。
り、水素アニール等の高温熱処理を行ってもゲッタリン
グ能力を低下させることなく確実にＣＯＰを消滅させる
ことができる。又、本発明のＳｉウエーハは、ＣＯＰが
無く且つゲッタリング能力が殆ど低下していない。また
ポリシリコン膜の形成によりスリップ転位の発生も抑制
できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】図１は、還元性熱処理温度と内部欠陥密度との
関係図である。
関係図である。
【図２】図２は、ＰＢＳ処理し且つＲＴＡ処理した又は
処理していないＳｉウエーハより作製した各ＭＯＳキャ
パシタの酸化膜耐圧の測定結果である。
処理していないＳｉウエーハより作製した各ＭＯＳキャ
パシタの酸化膜耐圧の測定結果である。
【図３】図３は、ＰＢＳ処理した又は処理しなかった各
ＳｉウエーハのＲＴＡ熱処理後のスリップ転位発生状況
を示す図である。
ＳｉウエーハのＲＴＡ熱処理後のスリップ転位発生状況
を示す図である。
【図４】ＲＴＡの断面略図である。
１…ベルジャ、２，２’…加熱ヒータ、３…ハウジン
グ、４…水冷チャンバ、５…ベースプレート、６…支持
軸、７…ステージ、８…シリコンウエーハ、９…モー
タ、１０…ＲＴＡ。
グ、４…水冷チャンバ、５…ベースプレート、６…支持
軸、７…ステージ、８…シリコンウエーハ、９…モー
タ、１０…ＲＴＡ。
Claims (7)
- 【請求項１】 少なくとも、Ｓｉウエーハにエクストリ
ンシックゲッタリングを施す工程、及びＳｉウエーハに
還元性雰囲気下の熱処理を施す工程を含むことを特徴と
するＳｉウエーハの製造方法。 - 【請求項２】 エクストリンシックゲッタリングを施す
工程の後に還元性雰囲気下の熱処理を施す工程を行うこ
とを特徴とする請求項１記載のＳｉウエーハの製造方
法。 - 【請求項３】 前記エクストリンシックゲッタリングを
ポリ・バック・シール法により行うことを特徴とする請
求項１又は請求項２記載のＳｉウエーハの製造方法。 - 【請求項４】 前記還元性雰囲気下の熱処理を急速加熱
急速冷却装置を用いて行うことを特徴とする請求項１乃
至請求項３のいずれか１項に記載のＳｉウエーハの製造
方法。 - 【請求項５】 前記還元性雰囲気下の熱処理を、水素１
００％又は水素と不活性ガスとの混合ガス雰囲気下に１
１５０〜１３５０℃で１〜３００秒間行うことを特徴と
する請求項１乃至請求項４のいずれか１項に記載のＳｉ
ウエーハの製造方法。 - 【請求項６】 請求項１乃至請求項５のいずれか１項に
記載された製造方法で製造されるＳｉウエーハ。 - 【請求項７】 ウエーハ表面のＣＯＰ密度が０．１６個
／ｃｍ2 以下であり、ウエーハ内部の内部欠陥密度が１
×１０9 個／ｃｍ3 以下であり、かつウエーハ裏面に
０．５μｍ以上のポリシリコン層を有する事を特徴とす
るＳｉウエーハ。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10213476A JP2000031153A (ja) | 1998-07-13 | 1998-07-13 | Ｓｉウエーハ及びその製造方法 |
| EP99305342A EP0973190A3 (en) | 1998-07-13 | 1999-07-06 | Silicon wafer and method for producing it |
| TW088111549A TW417152B (en) | 1998-07-13 | 1999-07-07 | Si wafer and method for producing it |
| KR1019990028214A KR20000011682A (ko) | 1998-07-13 | 1999-07-13 | Ｓｉ웨이퍼및그제조방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10213476A JP2000031153A (ja) | 1998-07-13 | 1998-07-13 | Ｓｉウエーハ及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000031153A true JP2000031153A (ja) | 2000-01-28 |
Family
ID=16639843
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10213476A Pending JP2000031153A (ja) | 1998-07-13 | 1998-07-13 | Ｓｉウエーハ及びその製造方法 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| EP (1) | EP0973190A3 (ja) |
| JP (1) | JP2000031153A (ja) |
| KR (1) | KR20000011682A (ja) |
| TW (1) | TW417152B (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| JP2003332344A (ja) * | 2002-03-05 | 2003-11-21 | Sumitomo Mitsubishi Silicon Corp | シリコン単結晶層の製造方法及びシリコン単結晶層 |
| US7854974B2 (en) | 2001-05-18 | 2010-12-21 | Integrated Materials, Inc. | Tube formed of bonded silicon staves |
| DE112010002935T5 (de) | 2009-07-16 | 2012-10-25 | Sumco Corporation | Epitaktischer Siliciumwafer und Verfahren zur Herstellung desselben |
| DE112010002747T5 (de) | 2009-06-29 | 2013-09-26 | Sumco Corporation | Siliziumepitaxialwafer und Verfahren zur Herstellung desselben |
| CN104347395A (zh) * | 2013-08-07 | 2015-02-11 | 环球晶圆日本股份有限公司 | 硅晶片及其制造方法 |
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| KR100398505B1 (ko) * | 2003-02-05 | 2003-09-19 | 코닉 시스템 주식회사 | 단결정 실리콘 웨이퍼의 ｃｏｐ 제거방법 |
| DE10336271B4 (de) | 2003-08-07 | 2008-02-07 | Siltronic Ag | Siliciumscheibe und Verfahren zu deren Herstellung |
| CN102496564A (zh) * | 2011-12-22 | 2012-06-13 | 浙江金瑞泓科技股份有限公司 | 提高二氧化硅背封抛光硅单晶片异丙醇干燥成品率的方法 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| US4868133A (en) * | 1988-02-11 | 1989-09-19 | Dns Electronic Materials, Inc. | Semiconductor wafer fabrication with improved control of internal gettering sites using RTA |
| JPH0786289A (ja) * | 1993-07-22 | 1995-03-31 | Toshiba Corp | 半導体シリコンウェハおよびその製造方法 |
| JP3410828B2 (ja) * | 1993-10-15 | 2003-05-26 | コマツ電子金属株式会社 | シリコンウェーハの製造方法 |
-
1998
- 1998-07-13 JP JP10213476A patent/JP2000031153A/ja active Pending
-
1999
- 1999-07-06 EP EP99305342A patent/EP0973190A3/en not_active Withdrawn
- 1999-07-07 TW TW088111549A patent/TW417152B/zh not_active IP Right Cessation
- 1999-07-13 KR KR1019990028214A patent/KR20000011682A/ko not_active Application Discontinuation
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| DE112010002747T5 (de) | 2009-06-29 | 2013-09-26 | Sumco Corporation | Siliziumepitaxialwafer und Verfahren zur Herstellung desselben |
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| US9385210B2 (en) | 2012-08-22 | 2016-07-05 | Fuji Electric Co., Ltd. | Method for manufacturing semiconductor device using a gettering layer |
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0973190A3 (en) | 2000-03-22 |
| TW417152B (en) | 2001-01-01 |
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| EP0973190A2 (en) | 2000-01-19 |
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