JP6358472B2 - エピタキシャルウェーハの製造方法 - Google Patents
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Description
低抵抗率のシリコン単結晶基板の主表面を塩化水素ガスにより気相エッチングするエッチング工程と、
エッチング工程後のシリコン単結晶基板に対して熱処理を、30秒を超え、かつ、5分以内の時間施す熱処理工程と、
を備えることを特徴とする。
実施例では、抵抗率が0.73mΩ・cm〜0.75mΩ・cmとなる直径200mmの基板Wを4枚用意した。次に、用意した4枚の基板Wのそれぞれに周知の気相成長装置を用いて図1に示す工程S1〜S8を施し、4枚のシリコンエピタキシャルウェーハを作製した。作製条件としては、S4のエッチング工程では、塩化水素ガスの流量を1.0slm、基板Wのエッチング量を500nmに設定した。S5の熱処理工程では、熱処理の温度を1130℃に設定し、用意した2枚の基板Wに60秒の熱処理を施し、残る2枚の基板Wに300秒の熱処理を施した。S7の気相成長工程では、抵抗率が0.28Ω・cm、かつ、層厚が4μmのシリコンエピタキシャル層を成長した。そして、以上の条件で作製した各エピタキシャルウェーハを欠陥測定装置(レーザーテック社製のMAGICS)で測定し、各エピタキシャルウェーハに発生した積層欠陥を測定した。
比較例では、熱処理の時間以外は実施例と同様の条件でエピタキシャルウェーハを3枚作製した。具体的には、用意した2枚の基板Wに30秒の熱処理を施し、残る1枚の基板Wに0秒の熱処理を施した(熱処理を実施しない)。そして、実施例と同様に各エピタキシャルウェーハに発生した積層欠陥を測定した。
Claims (4)
- 抵抗率が1.2mΩ・cm以下となるようリンがドープされたシリコン単結晶基板の主表面を塩化水素ガスにより気相エッチングするエッチング工程と、
前記エッチング工程後の前記シリコン単結晶基板に対して1100℃以上の熱処理を、30秒を超え、かつ、5分以内の時間施す熱処理工程と、
前記熱処理工程後の前記シリコン単結晶基板の主表面にシリコンエピタキシャル層を成長する成長工程と、
を備えることを特徴とするエピタキシャルウェーハの製造方法。 - 前記シリコン単結晶基板の抵抗率が0.8mΩ・cm以下である請求項1に記載のエピタキシャルウェーハの製造方法。
- エッチング量が25nm以上、かつ、1000nm以下の範囲になるように前記気相エッチングを行う請求項1又は2に記載のエピタキシャルウェーハの製造方法。
- 前記成長工程の後に、2回目の前記エッチング工程、前記熱処理工程及び前記成長工程は実施しないことを特徴とする請求項1ないし3のいずれか1項に記載のエピタキシャルウェーハの製造方法。
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