JP6598140B2 - エピタキシャルウェーハの製造方法 - Google Patents
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Description
リンがドープされた低抵抗率のシリコン単結晶基板を準備する工程と、
シリコン単結晶基板をアルゴン雰囲気中において1000℃以上1200℃未満の温度で30分以上120分以下の時間、熱処理する工程と、
熱処理する工程後に、シリコン単結晶基板の主表面を塩化水素ガスにより0.025μm以上、気相エッチングする工程と、
気相エッチングする工程後に、シリコン単結晶基板にエピタキシャル層を成長する工程と、
を備えることを特徴とする。
比較例1では、抵抗率が0.71mΩ・cmとなるようにリンをドープした直径200mmのシリコン単結晶インゴットを準備した。次に、このシリコン単結晶インゴットに図1に示すS1及びS2の工程を行った。その後、図1のS3の熱処理工程は行わずにS4の鏡面研磨工程を行い、厚さ735μm、抵抗率0.71mΩ・cmの基板Wを作製した。そして、基板Wを気相成長装置の反応炉に搬入し、図1のS5とS8の工程のみを行った(図1のS6、S7の工程は行わなかった)。S5のベーク工程では、反応炉内に水素ガスを流しながら、基板Wを1150℃にまで加熱した。S8の気相成長工程では、基板Wの温度を1150℃に保持してトリクロロシラン(SiHCl3)を導入し、成長速度4.0μm/minにしてエピタキシャル層を3.0μm成長し、エピタキシャルウェーハを作製した。そして、作製したエピタキシャルウェーハの主表面に発生した積層欠陥の密度(個/cm2)をパーティクルカウンタ(レーザーテック社製のMAGICS)を用いて計測した。
実施例では、図1のS3の熱処理工程を行う以外は、比較例3と同様にエピタキシャルウェーハを作製し、作製したエピタキシャルウェーハの主表面に発生した積層欠陥の密度(個/cm2)を計測した。なお、S3の熱処理条件としては、比較例2の熱処理工程と同じ条件にした。
Claims (6)
- リンがドープされた低抵抗率のシリコン単結晶基板を準備する工程と、
前記シリコン単結晶基板をアルゴン雰囲気中において1000℃以上1200℃未満の温度で30分以上120分以下の時間、熱処理する工程と、
前記熱処理する工程後に、反応炉において前記シリコン単結晶基板の主表面を塩化水素ガスにより0.025μm以上、気相エッチングする工程と、
前記気相エッチングする工程後に、前記反応炉から塩化水素ガスを排出するパージ工程と、
前記パージ工程後に、前記シリコン単結晶基板にエピタキシャル層を成長する工程と、
を備え、
前記準備する工程は、
シリコン単結晶インゴットから切り出された前記シリコン単結晶基板に対して、ラッピング、液相エッチング、及びドナーキラー熱処理を行うCW工程と、
前記CW工程後の前記シリコン単結晶基板に粗研磨を施す粗研磨工程と、
前記粗研磨工程後の前記シリコン単結晶基板に鏡面研磨を施す鏡面研磨工程とを備え、
前記熱処理する工程は、前記粗研磨工程後、前記鏡面研磨工程前に実施し、
前記気相エッチングする工程は前記鏡面研磨工程後に実施することを特徴とするエピタキシャルウェーハの製造方法。 - 前記気相エッチングする工程は、エッチング量が、1.000μm以下である請求項1に記載のエピタキシャルウェーハの製造方法。
- 前記準備する工程は、前記リンが5×1019atoms/cm3以上ドープされた前記シリコン単結晶基板を準備する請求項1又は2に記載のエピタキシャルウェーハの製造方法。
- 前記準備する工程は、前記リンが8×1019atoms/cm3以上ドープされた前記シリコン単結晶基板を準備する請求項1ないし3のいずれか1項に記載のエピタキシャルウェーハの製造方法。
- 前記熱処理する工程の温度が1100℃以上1200℃未満である請求項1ないし4のいずれか1項に記載のエピタキシャルウェーハの製造方法。
- 前記熱処理する工程後に、前記反応炉内に水素ガスを流しながらシリコン単結晶基板を加熱するベーク工程を備え、
前記気相エッチングする工程は、前記ベーク工程後に実施する請求項1ないし5のいずれか1項に記載のエピタキシャルウェーハの製造方法。
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