JPH0395952A - 半導体装置の製造装置 - Google Patents
半導体装置の製造装置Info
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- JPH0395952A JPH0395952A JP1233605A JP23360589A JPH0395952A JP H0395952 A JPH0395952 A JP H0395952A JP 1233605 A JP1233605 A JP 1233605A JP 23360589 A JP23360589 A JP 23360589A JP H0395952 A JPH0395952 A JP H0395952A
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Landscapes
- Physical Deposition Of Substances That Are Components Of Semiconductor Devices (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概 要〕
高真空で高温の雰囲気中の被処理物を搬送する搬送ロボ
ットアームを有する半導体装置の製造装置に関し、 被処理物の搬送時における該被処理物の熱ストレスによ
る破損を防止することを目的とし、処理室内において高
温に加熱された被処理物を、前記処理室の外部に搬送す
る搬送ロボットアームを具備する半導体装置の製造装置
において、該搬送ロポソトアームは、その前記被処理物
を搭載する搭載面の温度を高める加熱手段を備えている
よう構成する。
ットアームを有する半導体装置の製造装置に関し、 被処理物の搬送時における該被処理物の熱ストレスによ
る破損を防止することを目的とし、処理室内において高
温に加熱された被処理物を、前記処理室の外部に搬送す
る搬送ロボットアームを具備する半導体装置の製造装置
において、該搬送ロポソトアームは、その前記被処理物
を搭載する搭載面の温度を高める加熱手段を備えている
よう構成する。
〔産業上の利用分野）
本発明は、半導体装置の製造装置に係り、特に高真空で
高温の雰囲気中の被処理物を搬送する搬送口ボソトアー
ムの改良に関するものである。
高温の雰囲気中の被処理物を搬送する搬送口ボソトアー
ムの改良に関するものである。
半導体装置の製造工程においては、半導体ウエーハが高
真空中において高温に加熱される半導体装置の製造装置
が多く用いられているが、これらの半導体装置の製造装
置内から半導体ウエーハを外部に取り出す場合に、近年
の大口径化した半導体ウエーハにおいては、半導体ウエ
ー八自身の大口径化に伴い熱容量が増大し、半導体ウエ
ーハと搬送ロボットアームとの接触部における局所的な
熱の放散に伴って、半導体ウエーハ面内の温度分布が不
均一になり、その結果熱ストレスが増大するため半導体
ウエーハが割れる障害が発生している。
真空中において高温に加熱される半導体装置の製造装置
が多く用いられているが、これらの半導体装置の製造装
置内から半導体ウエーハを外部に取り出す場合に、近年
の大口径化した半導体ウエーハにおいては、半導体ウエ
ー八自身の大口径化に伴い熱容量が増大し、半導体ウエ
ーハと搬送ロボットアームとの接触部における局所的な
熱の放散に伴って、半導体ウエーハ面内の温度分布が不
均一になり、その結果熱ストレスが増大するため半導体
ウエーハが割れる障害が発生している。
以上のような状況から半導体ウエーハと搬送ロボットア
ームとの接触部における局所的な熱の放散を防止するこ
とが可能な半導体装置の製造装置が要望されている。
ームとの接触部における局所的な熱の放散を防止するこ
とが可能な半導体装置の製造装置が要望されている。
従来の半導体装置の製造装置としてスバフタ装置及び搬
送ロボノトアームについて第３図〜第４図により詳細に
説明する。
送ロボノトアームについて第３図〜第４図により詳細に
説明する。
第３図はスバソタ装置の概略構造を示す図、第４図は従
来のスバッタ装置の搬送ロボットアームを示す図である
。
来のスバッタ装置の搬送ロボットアームを示す図である
。
スバソタ装置は第３図に示すように、ターゲノト３，ウ
エーハホルダ４等を有する処理室ｌ，処理室１とゲート
バルブ１ａを介して連結されるロードロック室２，排気
ボンブ６，クライオポンブ７とからなっている。
エーハホルダ４等を有する処理室ｌ，処理室１とゲート
バルブ１ａを介して連結されるロードロック室２，排気
ボンブ６，クライオポンブ７とからなっている。
このようなスバソタ装置において、高温，高真空とされ
た処理室１内でウエーハホルダ４に保持された半導体ウ
エーハ８にスバッタ処理がなされる。
た処理室１内でウエーハホルダ４に保持された半導体ウ
エーハ８にスバッタ処理がなされる。
そしてスバソタ処理後ゲートバルブ１ａが開放され、第
４図に詳細を示すが、搭載面１５ａを有するＩＭ送ロボ
ットアーム１５が点線にて示すように、ウエーハホルダ
４と半導体ウエーハ８との間に挿入され、半導体ウエー
ハ８は搬送ロボットアーム１５の搭載面１５ａに搭載さ
れてロードロック室２に搬出される。
４図に詳細を示すが、搭載面１５ａを有するＩＭ送ロボ
ットアーム１５が点線にて示すように、ウエーハホルダ
４と半導体ウエーハ８との間に挿入され、半導体ウエー
ハ８は搬送ロボットアーム１５の搭載面１５ａに搭載さ
れてロードロック室２に搬出される。
この場合、半導体ウエーハ８は高真空の処理室１内で高
温に加熱されており、搬送ロボットアームｌ５は加熱さ
れていないロードロック室２に待機されていたことから
搭載面１５ａの温度が低く、半導体ウエーハの搬送ロボ
ットアームの搭載面に接触する部分とその他の部分との
温度差が過大になり、熱ストレスによって半導体ウエー
ハ８にクランクが発生することがある。
温に加熱されており、搬送ロボットアームｌ５は加熱さ
れていないロードロック室２に待機されていたことから
搭載面１５ａの温度が低く、半導体ウエーハの搬送ロボ
ットアームの搭載面に接触する部分とその他の部分との
温度差が過大になり、熱ストレスによって半導体ウエー
ハ８にクランクが発生することがある。
以上説明した従来のスバッタ装置においては、半導体ウ
エーハが高真空の処理室内で高温に加熱されており、搬
送ロボットアームの搭載面の温度が低温の場合には、半
導体ウエーハの搬送ロボ・ノトアームの搭載面に接触す
る部分とその他の部分との温度差が過大になり、熱スト
レスによって半導体ウエーハにクランクが発生するとい
う問題点があった。
エーハが高真空の処理室内で高温に加熱されており、搬
送ロボットアームの搭載面の温度が低温の場合には、半
導体ウエーハの搬送ロボ・ノトアームの搭載面に接触す
る部分とその他の部分との温度差が過大になり、熱スト
レスによって半導体ウエーハにクランクが発生するとい
う問題点があった。
本発明はこのような問題点を解決することを目的とする
。
。
本発明の半導体装置の製造装置は、処理室内において高
温に加熱された被処理物を、この処理室の外部に搬送す
る搬送ロボットアームを具備する半導体装置の製造装置
において、この殿送ロポ・ノトアームは、その前記被処
理物を搭載する搭載面の温度を高める加熱手段を備えて
いるよう構或する。
温に加熱された被処理物を、この処理室の外部に搬送す
る搬送ロボットアームを具備する半導体装置の製造装置
において、この殿送ロポ・ノトアームは、その前記被処
理物を搭載する搭載面の温度を高める加熱手段を備えて
いるよう構或する。
上記手段によれば、処理室内において高温に加熱された
被処理物と、この被処理物を外部に搬送する搬送ロボッ
トアームとの温度差を小さくすることができ、被処理物
と搬送ロポソトアームとの接触部における局所的な熱の
放散を防止できる。
被処理物と、この被処理物を外部に搬送する搬送ロボッ
トアームとの温度差を小さくすることができ、被処理物
と搬送ロポソトアームとの接触部における局所的な熱の
放散を防止できる。
以下本発明の一実施例の半導体装置の製造装置としてス
バッタ装置及び搬送ロボットアームについて第１図〜第
４図により詳細に説明する。
バッタ装置及び搬送ロボットアームについて第１図〜第
４図により詳細に説明する。
第１図は本発明による一実施例の搬送口ボソトアームの
詳細構造図、第２図は半導体ウエー八のクラック発生の
有無の限界を示す図、第３図はスパソタ装置の概略構造
を示す図である。
詳細構造図、第２図は半導体ウエー八のクラック発生の
有無の限界を示す図、第３図はスパソタ装置の概略構造
を示す図である。
スパッタ装置は第３図に示すように処理室１と、ゲート
バルブ１ａを介してこの処理室１に隣接するロードロ・
ノク室２とから構戒されており、両室に共通の排気ボン
プ６によって室内の空気が排気され、更にクライオボン
ブ７によってそれぞれの室内圧を極低圧、例えば処理室
１はｉｏ−’〜１０− ８Ｔｏｒｒ、ロードロック室２
は１０−ｂ〜１０−’Ｔｏｒｒに維持されている。
バルブ１ａを介してこの処理室１に隣接するロードロ・
ノク室２とから構戒されており、両室に共通の排気ボン
プ６によって室内の空気が排気され、更にクライオボン
ブ７によってそれぞれの室内圧を極低圧、例えば処理室
１はｉｏ−’〜１０− ８Ｔｏｒｒ、ロードロック室２
は１０−ｂ〜１０−’Ｔｏｒｒに維持されている。
このクライオボンプ７は、液体ヘリウム等により冷却さ
れた活性炭による吸着作用によって気体分子を吸着して
極低圧を生成するポンプである。
れた活性炭による吸着作用によって気体分子を吸着して
極低圧を生成するポンプである。
処理室Ｉの壁面にはターゲット３が設けられており、被
処理物、例えば半導体ウエーハ８を搭載したウエーハホ
ルダ４がこのターゲット３に対向して設けられ、ターゲ
ッｌ− ３の材料が半導体ウエー八８の表面にスパッタ
される。
処理物、例えば半導体ウエーハ８を搭載したウエーハホ
ルダ４がこのターゲット３に対向して設けられ、ターゲ
ッｌ− ３の材料が半導体ウエー八８の表面にスパッタ
される。
一般的なスバソタ法においては、ステップ力バレソジを
良くするために半導体ウエーハ８が３５０℃程度に加熱
されているが、最近の微細化したデハイスにおいては平
坦化を促進するために例えば下記条件の加熱と、バイア
スを加えるスバンタ技術が開発されつつある。
良くするために半導体ウエーハ８が３５０℃程度に加熱
されているが、最近の微細化したデハイスにおいては平
坦化を促進するために例えば下記条件の加熱と、バイア
スを加えるスバンタ技術が開発されつつある。
基板加熱温度・一・・・・−・−−−−−・−・−・−
・一・−−−−−−・−・−・−４００℃高周波電源周
波数−−−−−−−−−−＝−１３．５６ ＭＨｚ高周
波電源出力−・−〜一−・・・・・−・一・・−・・・
−３００〜５００Ｗロードロツタ室２には搬送口ボット
アームとして第４図に示すような搬送口ボソトアーム１
５が配設されており、以下に説明するように半導体ウエ
ーハ８を処理室ｌからロード口ツタ室２に搬出する。
・一・−−−−−−・−・−・−４００℃高周波電源周
波数−−−−−−−−−−＝−１３．５６ ＭＨｚ高周
波電源出力−・−〜一−・・・・・−・一・・−・・・
−３００〜５００Ｗロードロツタ室２には搬送口ボット
アームとして第４図に示すような搬送口ボソトアーム１
５が配設されており、以下に説明するように半導体ウエ
ーハ８を処理室ｌからロード口ツタ室２に搬出する。
このウエーハホルダ４は軸４ａを中心として回転可能で
あり、ウエーハホルダ４が点線にて示す水平の位置にく
ると、図示しない浮上機構により半導体ウエーハ８はそ
の周辺部で支持され図において点線にて示す位置に保持
される。
あり、ウエーハホルダ４が点線にて示す水平の位置にく
ると、図示しない浮上機構により半導体ウエーハ８はそ
の周辺部で支持され図において点線にて示す位置に保持
される。
この状態で処理室１とロードロツタ室２を仕切っている
ゲートハルブ１ａが開放され、搬送ロボットアームが図
において点線にて示すように、ウェーハホルダ４と半導
体ウエーハ８の間に挿入され、半導体ウエーハ８は搬送
ロポッ１・アームの搭載面に搭載されてロードロソク室
２に搬出される。
ゲートハルブ１ａが開放され、搬送ロボットアームが図
において点線にて示すように、ウェーハホルダ４と半導
体ウエーハ８の間に挿入され、半導体ウエーハ８は搬送
ロポッ１・アームの搭載面に搭載されてロードロソク室
２に搬出される。
本実施例の搬送ロボットアームは第１図に示すように半
導体ウエーハの搭載面５ａの直近にヒータ５ｂ、例えば
シーズヒータを内蔵したものである。
導体ウエーハの搭載面５ａの直近にヒータ５ｂ、例えば
シーズヒータを内蔵したものである。
このヒータ５ｂにより加熱される半導体ウエーハ８は温
度に応じて搭載面５ａを適当な温度となるように加熱す
る。
度に応じて搭載面５ａを適当な温度となるように加熱す
る。
半導体ウエーハ８は周辺部で支持されているので、この
搬送ロポソトアーム５の搭載面５ａはこの支持部をさけ
る図示のような形状になっている。
搬送ロポソトアーム５の搭載面５ａはこの支持部をさけ
る図示のような形状になっている。
種々の半導体ウエーハの搬送条件から求めた半導体ウエ
ーハのクラソク発生の有無の限界を示す第２図に示すよ
うに、斜線を引いた領域の状態ではクラブクの発生を防
止することが可能である。
ーハのクラソク発生の有無の限界を示す第２図に示すよ
うに、斜線を引いた領域の状態ではクラブクの発生を防
止することが可能である。
したがって例えば半導体ウエーハの温度がｉ ， ｏｏ
ｏ℃の場合には、半導体ウエー八の搬送ロボットアーム
の搭載面に接触する部分とその他の部分との温度差が１
００℃以下ならばクラックの発生を防止でき、以下同様
に４００℃の場合には１５０℃以下、２００℃の場合に
は２００℃以下ならばクラックの発生を防止することが
可能となる。
ｏ℃の場合には、半導体ウエー八の搬送ロボットアーム
の搭載面に接触する部分とその他の部分との温度差が１
００℃以下ならばクラックの発生を防止でき、以下同様
に４００℃の場合には１５０℃以下、２００℃の場合に
は２００℃以下ならばクラックの発生を防止することが
可能となる。
このように半導体ウエーハ８のクランクの発生は種々の
条件によって変わるため、搬送ロボットアーム５のヒー
タ５ｂによる加熱も半導体ウエーハ８の処理条件により
適宜変化させる必要がある。
条件によって変わるため、搬送ロボットアーム５のヒー
タ５ｂによる加熱も半導体ウエーハ８の処理条件により
適宜変化させる必要がある。
このような搬送ロボットアーム５を用いて半導体ウエー
ハ８を搬送すると、第２図に斜線で示す領域内の条件と
することが可能で、半導体ウエーハ８にクランクが発生
するのを防止することが可能となる。
ハ８を搬送すると、第２図に斜線で示す領域内の条件と
することが可能で、半導体ウエーハ８にクランクが発生
するのを防止することが可能となる。
以上の説明から明らかなように本発明によれば、搬送ロ
ボットアームの極めて簡単な構造の変更により、搭載面
の温度を上昇させることが可能となり、被処理物の搬送
ロボ・ノトアームの搭載面に接触する部分とその他の部
分との温度差を少なくして被処理物の熱ストレスによる
障害を防止することが可能となる利点があり、著しい経
済的及び、信頼性向上の効果が期待できる半導体装置の
製造装置の提供が可能である。
ボットアームの極めて簡単な構造の変更により、搭載面
の温度を上昇させることが可能となり、被処理物の搬送
ロボ・ノトアームの搭載面に接触する部分とその他の部
分との温度差を少なくして被処理物の熱ストレスによる
障害を防止することが可能となる利点があり、著しい経
済的及び、信頼性向上の効果が期待できる半導体装置の
製造装置の提供が可能である。
第１図は本発明による一実格例の搬送ロボットアームの
詳細構造図、 第２図は半導体ウエーハのクラック発生の有無の限界を
示す図、 第３図はスパッタ装置の概略構造を示す図、第４図は従
来のスパッタ装置の搬送ロボットアームを示す図、であ
る。 図において、 １は処理室、 １ａはゲートバルブ、 ２はロードロツタ室、 ３はターゲット、 ４はウエーハホルダ、 ４ａは軸、 ５は搬送ロボットアーム、 ５ａは搭載面、 ５ｂはヒータ、 ６は排気ボンブ、 ７はタライオボンブ、 ８半導体ウエーハ、を示す。 ２００ ４００ ６００ ８００半導体ウエー
八の温度Ｃ℃） １０００ 半導体ウエーハのクラック発生の有無の限界を示す図第
２図 Ａ−Ａ断面図 本発明による一実施例の搬送ロボットアームの詳細構造
図第 ｌ 図 スバノタ装置のＭｉ略構造を示す図 第 ３ 図
詳細構造図、 第２図は半導体ウエーハのクラック発生の有無の限界を
示す図、 第３図はスパッタ装置の概略構造を示す図、第４図は従
来のスパッタ装置の搬送ロボットアームを示す図、であ
る。 図において、 １は処理室、 １ａはゲートバルブ、 ２はロードロツタ室、 ３はターゲット、 ４はウエーハホルダ、 ４ａは軸、 ５は搬送ロボットアーム、 ５ａは搭載面、 ５ｂはヒータ、 ６は排気ボンブ、 ７はタライオボンブ、 ８半導体ウエーハ、を示す。 ２００ ４００ ６００ ８００半導体ウエー
八の温度Ｃ℃） １０００ 半導体ウエーハのクラック発生の有無の限界を示す図第
２図 Ａ−Ａ断面図 本発明による一実施例の搬送ロボットアームの詳細構造
図第 ｌ 図 スバノタ装置のＭｉ略構造を示す図 第 ３ 図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 処理室（１）内において高温に加熱された被処理物（８
）を、前記処理室（１）の外部に搬送する搬送ロボット
アームを具備する半導体装置の製造装置において、 該搬送ロボットアームは、その前記被処理物（８）を搭
載する搭載面（５ａ）の温度を高める加熱手段（５ｂ）
を備えていることを特徴とする半導体装置の製造装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1233605A JPH0395952A (ja) | 1989-09-07 | 1989-09-07 | 半導体装置の製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1233605A JPH0395952A (ja) | 1989-09-07 | 1989-09-07 | 半導体装置の製造装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0395952A true JPH0395952A (ja) | 1991-04-22 |
Family
ID=16957671
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1233605A Pending JPH0395952A (ja) | 1989-09-07 | 1989-09-07 | 半導体装置の製造装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0395952A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0794413A (ja) * | 1993-09-22 | 1995-04-07 | Anelva Corp | 集積回路の配線方法及び集積回路における穴又は溝の埋め込み配線方法並びにマルチチャンバー基板処理装置 |
| KR20010019206A (ko) * | 1999-08-25 | 2001-03-15 | 윤종용 | 반도체 제조공정에 사용되는 웨이퍼 운송장치 |
| US6413888B1 (en) * | 1997-12-10 | 2002-07-02 | Oki Electric Industry Co., Ltd. | Method and apparatus for preventing rapid temperature variation of wafers during processing |
| US20090060686A1 (en) * | 2007-03-20 | 2009-03-05 | Sokudo Co., Ltd. | Substrate transport apparatus and heat treatment apparatus |
| WO2012129820A1 (zh) * | 2011-03-29 | 2012-10-04 | 中国科学院微电子研究所 | 晶圆传送装置以及晶圆传送方法 |
-
1989
- 1989-09-07 JP JP1233605A patent/JPH0395952A/ja active Pending
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0794413A (ja) * | 1993-09-22 | 1995-04-07 | Anelva Corp | 集積回路の配線方法及び集積回路における穴又は溝の埋め込み配線方法並びにマルチチャンバー基板処理装置 |
| US6413888B1 (en) * | 1997-12-10 | 2002-07-02 | Oki Electric Industry Co., Ltd. | Method and apparatus for preventing rapid temperature variation of wafers during processing |
| US6919541B2 (en) | 1997-12-10 | 2005-07-19 | Oki Electric Industry Co., Ltd. | Apparatus for preventing rapid temperature variation during wafer processing |
| KR20010019206A (ko) * | 1999-08-25 | 2001-03-15 | 윤종용 | 반도체 제조공정에 사용되는 웨이퍼 운송장치 |
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| US8383990B2 (en) * | 2007-03-20 | 2013-02-26 | Sokudo Co., Ltd. | Substrate transport apparatus and heat treatment apparatus |
| WO2012129820A1 (zh) * | 2011-03-29 | 2012-10-04 | 中国科学院微电子研究所 | 晶圆传送装置以及晶圆传送方法 |
| CN102719895A (zh) * | 2011-03-29 | 2012-10-10 | 中国科学院微电子研究所 | 晶圆传送装置以及晶圆传送方法 |
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