JP4497832B2 - 半導体製造装置 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は半導体製造装置に関し、特に半導体装置の製造過程において加工する材料の温度を検出する温度検出機構を備え、検出温度に基づいて温度制御を行って材料を加工する半導体製造装置に関する。
【0002】
【従来の技術】
半導体装置の製造に用いられる半導体製造装置の多くは、半導体材料や絶縁材料などを薄膜状に形成したりエッチングしたりするといった加工処理の際に、加工する材料の温度を検出し、その検出温度に基づいて加熱や冷却を行って加工処理温度を制御するようにしている。このように加工処理温度を制御することによって、その材料の加工状態を制御するようにしている。
【0003】
図4は従来の半導体製造装置の要部断面模式図である。
従来の半導体製造装置100は、加工する材料101が載置される試料台102を備え、この試料台102の内部に、温度検出用の熱電対103が埋め込まれている。熱電対103は、温度コントローラ104に接続されており、この温度コントローラ104は、信号線105を介してチラー106に接続されている。チラー106は、温度コントローラ104からの制御信号に基づき、試料台102に通じる冷媒循環経路107および試料台102の内部に設けられた冷媒循環室108に冷媒を循環させる。これにより、この半導体製造装置100は、試料台102に載置された材料101の温度を制御するようにしている。
【0004】
例えば半導体製造装置100が材料101に対してプラズマ照射を行うプラズマエッチング装置であれば、そのプラズマ照射によって試料台102の温度が設定温度から上昇すると、その温度変化が試料台102の内部にある熱電対103で検出される。熱電対103の検出信号は、温度コントローラ104に伝達され、温度コントローラ104は、試料台102あるいは材料101の温度を設定温度に保つよう、循環する冷媒流量を変化させる制御信号をチラー106に伝達する。
【0005】
このように、従来の半導体製造装置は、試料台の温度をその内部に埋め込まれた熱電対によって検出し、それによってその上に載置された材料の温度を把握するような温度検出機構を備え、材料の温度制御を行うようにしている。
【0006】
これまでには、プラズマエッチングなどの加工処理を行う半導体製造装置において、上部電極に対向して材料が載置される下部電極側に熱電対を埋め込み、材料により近い位置の温度を検出して温度制御を行うようにした提案もなされている(例えば特許文献1参照)。
【0007】
【特許文献1】
特開2001−093883号公報(段落番号[0023],図1)
【0008】
【発明が解決しようとする課題】
しかし、従来の半導体製造装置のように熱電対が試料台内部に埋め込まれているような場合には、熱電対が直に材料に接触しているわけではないため、その材料の温度を熱電対で間接的に把握しているにすぎない。そのため、従来の半導体製造装置の温度検出機構では、材料の温度を素早く正確に検出することが難しく、温度制御のアクションに遅れが生じ、それによって材料の加工精度の低下やばらつきが発生するという問題点があった。
【0009】
通常、熱電対は、半導体製造装置の高周波電力によるノイズを防止するため、その先端を試料台の材料載置面側、例えばプラズマ照射面側などに露出させずに材料載置面から一定の距離を保って試料台内部に配置される。そのため、加工時に、試料台に載置された材料に実際に温度変化が生じても、その温度変化が熱電対に伝わるまでにはある程度の時間を要してしまう。このようなタイムラグが温度制御の遅れを招き、材料の加工状態に影響を及ぼすようになる。
【0010】
これに対し、あらかじめダミー材料を用いた加工処理を連続して数回行い、加工開始から温度が安定するまでに要する時間あるいは加工処理回数を把握しておき、温度環境が安定してから製品用の加工処理を行うようにするといった手法を採ることも可能である。しかし、加工処理に繰り返し用いられることによって試料台の状態が変化したり、プロセスチャンバ内の温度環境や雰囲気などのプロセス状態が変化したりすれば、温度安定化に要する時間も変化する。そのため、従来の半導体製造装置の温度検出機構では、材料の加工精度の低下やばらつきの発生を完全に防止することは難しく、また、種々の材料を高精度に加工しようとする場合には、温度安定化時間や伝熱スピードなど、それぞれの材料について多大な試験データ収集が必要になる。
【0011】
このように、これまでは加工する材料の温度を、その材料から離れた位置に配置した熱電対によって間接的に把握していたため、加工処理の際にその材料の温度が変化してもその温度変化を素早く検出することができず、適切な温度制御が行われないまま加工処理を続けてしまい、それによって歩留りが低下してしまう場合もあった。
【0012】
本発明はこのような点に鑑みてなされたものであり、加工処理の際に材料の温度を素早く正確に検出できる温度検出機構を備え、材料の加工処理を適切な温度制御下で行える半導体製造装置を提供することを目的とする。
【0013】
【課題を解決するための手段】
本発明では上記課題を解決するために、図2に例示する構成によって実現可能な半導体製造装置が提供される。本発明の半導体製造装置は、加工する材料の温度を検出して前記材料を加工する半導体製造装置において、前記材料が載置される試料台と、前記試料台に載置された前記材料を固定するクランプ機構と、前記クランプ機構に内蔵され、先端が前記試料台に載置された前記材料に離接する熱電対と、を有し、前記熱電対は、保護部材によって覆われ、前記試料台に載置された前記材料に接触するときに、前記保護部材内部から進出して前記材料の側へ移動するように構成されていることを特徴とする半導体製造装置が提供される。
【0014】
このような半導体製造装置20によれば、試料台2に載置された材料10を固定するクランプ機構21に熱電対が保護部材によって覆われて内蔵されていて、この熱電対は、その先端が保護部材内部から進出して試料台2上の材料10に離接するようになっている。温度を検出する際には、その熱電対の先端を材料10に直に接触させることにより、その温度が素早く正確に検出されるようになる。
【0015】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態を、図面を参照して詳細に説明する。
まず第1の実施の形態について説明する。図1は第1の実施の形態の半導体製造装置の要部断面模式図である。
【0016】
第1の実施の形態の半導体製造装置1は、そのプロセスチャンバ内に、加工する材料10が載置される試料台2を有し、この試料台2の内部には、載置された材料10に接し、この材料10を試料台2の上方へ持ち上げるリフターピン3が設けられている。リフターピン3は、通常は試料台2の材料載置面に待機していて、半導体製造装置1での加工処理後に、材料10の下面側を支持して材料載置面から突出し、材料10を試料台2の上方へと持ち上げるようになっている。
【0017】
このリフターピン3には、材料10の温度を検出するための熱電対が内蔵されており、その熱電対の後端側は、プロセスチャンバ外に配置された温度コントローラ4に接続されている。温度コントローラ4は、信号線5を介して、プロセスチャンバ外に配置されたチラー6に接続されており、熱電対による温度の検出信号に基づいて温度コントローラ4からチラー6に制御信号が伝達されるようになっている。チラー6は、試料台2に通じる冷媒循環経路7および試料台2の内部に設けられた冷媒循環室8に、温度コントローラ4からの制御信号に応じた流量で冷媒を循環させる。これにより、この半導体製造装置1では、試料台2に載置された材料10の温度が制御されるようになっている。
【0018】
ここで、リフターピン3に内蔵された熱電対による温度検出機構について述べる。まず、熱電対は、加工処理の間にその先端が露出しないよう、セラミックなどの絶縁材料を用いて形成された保護部材の内部に収容されている。保護部材の材質は、半導体製造装置1で行われる加工処理の温度環境下において耐熱性を有する絶縁性のものであれば特に制限はない。このように熱電対を保護部材で覆うことにより、熱電対は、その先端が物理的に保護されるとともに、半導体製造装置1で発生する高周波ノイズなどから電気的に保護される。
【0019】
熱電対が収容される保護部材には、例えばその一部を開閉する蓋が揺動自在に設けられている。また、熱電対は、例えば加工処理前後の適当なタイミングで駆動するモータを利用するなどして、試料台2に載置された材料10側へ移動したり材料10から離れる側へ移動したりできるように構成されている。保護部材に蓋が設けられている場合には、その蓋は、熱電対が保護部材内部から材料10側へ移動することによって押されて開き、逆に熱電対が材料10から離れる側へ移動して保護部材内部に退避することによって閉じるようになっている。この保護部材に覆われた熱電対は、材料10側へ移動したときには、その先端が保護部材内部から進出して試料台2に載置された材料10の下面側に接触するように構成されている。
【0020】
上記構成の半導体製造装置1で材料10を加工する際には、最初に、例えば半導体製造装置1に自動的に材料10が搬送され、試料台2上に材料10が載置される。次いで、リフターピン3に内蔵された熱電対がそれを覆う保護部材内部から進出して材料10に接触し、加工処理前の材料10の温度が検出される。このとき、熱電対による検出温度と温度コントローラ4にあらかじめ設定されている設定温度との間に差が生じていれば、熱電対からの検出信号が温度コントローラ4に伝達され、さらにその検出信号に基づく制御信号が温度コントローラ4からチラー6に伝達される。チラー6は、その制御信号に応じて冷媒循環経路7および冷媒循環室8に循環する冷媒流量を変化させる。半導体製造装置1は、これによって材料10の温度制御を行う。熱電対による検出温度と設定温度との間に差が認められなければ、冷媒流量を変化させたりせずにそのままの温度状態が維持されるようになる。
【0021】
材料10の温度検出後、熱電対は保護部材内部に退避する。半導体製造装置1のプロセスチャンバ内では、材料10に対し、プラズマエッチングなどの所定の加工処理が施される。この加工処理の間は、熱電対は保護部材に収容されたままで、物理的・電気的に保護される。
【0022】
加工処理終了後、熱電対は再び保護部材内部から進出して材料10に接触し、加工処理直後の材料10の温度が検出され、この温度検出後は、熱電対は再び保護部材内部に退避する。その後、リフターピン3が材料10を試料台2の上方へと持ち上げ、持ち上げられた材料10は、別に設けられた搬送アームなどによって次工程へと搬送される。
【0023】
加工処理後の半導体製造装置1では、加工処理直後の検出温度と設定温度との差から生じる検出信号に基づき、温度コントローラ4とチラー6による加工処理前と同様の温度制御が行われ、次の加工処理の準備がなされる。そして、これとほぼ同時に、試料台2上には新たに加工する材料が搬送され、半導体製造装置1は、上記のように熱電対の先端を加工処理前後の新たな材料に接触させてその温度を検出し、この新たな材料に対する温度制御を行う。
【0024】
このように、第1の実施の形態の半導体製造装置1では、材料10に接するリフターピン3に熱電対を内蔵し、温度検出の際にその熱電対の先端を材料10に直に接触させて温度を検出し、その検出温度に基づいて温度制御を行うようにしたので、材料10の温度を素早く正確に検出することができる。それにより、材料10に対してより適切な温度制御が可能になり、材料10の加工精度の低下やばらつきの発生を抑え、半導体装置の製造過程における歩留りを向上させることができるようになる。
【0025】
次に第2の実施の形態について説明する。図2は第2の実施の形態の半導体製造装置の要部断面模式図である。ただし、図2では、図1に示した要素と同一の要素については同一の符号を付し、その説明の詳細は省略する。
【0026】
第2の実施の形態の半導体製造装置20は、加工する材料10に接し、この材料10を試料台2に固定しておくクランプ機構21を有し、このクランプ機構21に保護部材で覆われた熱電対が内蔵されている点で、第1の実施の形態の半導体製造装置1と相違し、その他の構成は同じである。熱電対が保護部材に対して進退可能に構成され、さらに、熱電対が試料台2上の材料10に離接するように構成されている点も同じである。
【0027】
このような半導体製造装置20で材料10を加工する際には、まず、加工する材料10が試料台2上に搬送され、搬送後の材料10がクランプ機構21によって固定される。そして、クランプ機構21に内蔵された熱電対の先端がそれを覆う保護部材内部から進出して材料10に直に接触し、加工処理前の材料10の温度が検出される。検出温度と設定温度との間に差が生じていれば、熱電対からの検出信号が温度コントローラ4に伝達され、温度コントローラ4からの制御信号がチラー6に伝達されて、材料10の温度が制御される。
【0028】
材料10の温度検出後、熱電対は保護部材内部に退避し、半導体製造装置20のプロセスチャンバ内では、熱電対が保護部材に収容された状態で、材料10に対して所定の加工処理が施される。加工処理終了後、熱電対は再び保護部材内部から進出して材料10に接触し、加工処理直後の材料10の温度が検出され、この温度検出後は熱電対が再び保護部材内部に退避する。その後、クランプ機構21による材料10の固定が解除され、材料10は、別に設けられた搬送アームなどによって次工程へと搬送される。
【0029】
加工処理後の半導体製造装置20では、加工処理直後の検出信号に基づき、温度コントローラ4とチラー6による加工処理前と同様の温度制御が行われて次の加工処理の準備がなされ、これとほぼ同時に、試料台2上には新たに加工する材料が搬送される。半導体製造装置20は、この新たな材料に対して、加工処理前後のクランプ時に熱電対の先端を接触させ、その温度検出と温度制御を行う。
【0030】
このように、第2の実施の形態の半導体製造装置20では、材料10に接するクランプ機構21に熱電対を内蔵し、温度検出の際にその熱電対の先端を材料10に直に接触させて温度を検出し、その検出温度に基づいて温度制御を行う。これにより、材料10の温度を素早く正確に検出して適切な温度制御を行い、材料10の加工精度の低下やばらつきの発生を抑え、半導体装置の製造過程における歩留りを向上させることが可能になる。
【0031】
次に第3の実施の形態について説明する。図3は第3の実施の形態の半導体製造装置の要部断面模式図である。ただし、図3では、図1に示した要素と同一の要素については同一の符号を付し、その説明の詳細は省略する。
【0032】
第3の実施の形態の半導体製造装置は、この半導体製造装置のプロセスチャンバから材料10を搬送する搬送アーム31を有している。この搬送アーム31には熱電対32が内蔵されていて、熱電対32は、搬送アーム31で搬送される材料10に直に接触し、材料10の温度を検出できるように構成されている。この熱電対32は、搬送アーム31に材料10が載置されたときに、その先端が材料10に接触するような位置にあらかじめ設けられている。あるいは、熱電対32は、搬送アーム31に材料10が載置されたときに材料10側へ移動し、その先端を材料10の下面側に接触させるように設けられていてもよい。
【0033】
第3の実施の形態の半導体製造装置のその他の構成は、上記第1,第2の実施の形態の半導体製造装置1,20と同様である。すなわち、この第3の実施の形態の半導体製造装置は、図3には図示しないが、図1または図2に示したのと同様な試料台、温度コントローラ、信号線、および冷媒循環経路並びに冷媒循環室に冷媒を循環するチラーを有している。その温度コントローラには、搬送アーム31に内蔵した熱電対32が接続される。勿論、第3の実施の形態の半導体製造装置は、通常のリフターピンやクランプ機構を備えていてもよく、また、搬送アーム31とは別の熱電対を内蔵した上記図1,図2に示したリフターピン3やクランプ機構21を備えていてもよい。
【0034】
第3の実施の形態の半導体製造装置では、加工処理後の材料10を搬送アーム31で搬送する際に、その材料10に、搬送アーム31に内蔵された熱電対32の先端が接触して温度が検出される。熱電対32からの検出信号は温度コントローラに伝達され、チラーは温度コントローラからの制御信号に応じて冷媒流量を変化させる。これにより、試料台の温度が制御され、この半導体製造装置で新たに加工する材料の処理準備が行われる。
【0035】
なお、この第3の実施の形態の半導体製造装置では、そのプロセスチャンバからは隔離されている搬送アーム31に熱電対32を内蔵し、材料10の加工処理後の温度を検出してプロセスチャンバ側の温度制御を行うので、熱電対32を保護部材で覆うことは必ずしも必要にならない。
【0036】
また、第3の実施の形態の半導体製造装置に、第1,第2の実施の形態で述べたような熱電対内蔵型のリフターピン3やクランプ機構21を設けた場合には、その熱電対によって処理前の材料10の温度を検出し、処理後の温度は搬送アーム31に内蔵した熱電対32によって検出するようにしてもよい。
【0037】
このように、第3の実施の形態の半導体製造装置では、材料10に接する搬送アーム31に熱電対32を内蔵し、材料10の搬送時に熱電対32の先端を材料10に直に接触させて温度を検出し、その検出温度に基づいてプロセスチャンバ側の温度制御を行う。これにより、加工処理後に搬送される材料10の温度を素早く正確に検出し、次の加工処理のための温度制御が適切に行えるようになるので、材料10の加工精度の低下やばらつきの発生を抑え、半導体装置の製造過程における歩留りを向上させることが可能になる。
【0038】
なお、以上の説明では、チラーを用いて設定温度より高温になった材料を冷却する場合について述べたが、チラーに代えてヒータを用いた場合も同様の温度制御が可能である。また、半導体製造装置をチラーとヒータを両方用いた構成とすることもでき、その場合は、チラーとヒータによる温度制御動作を、熱電対からの検出信号に基づいて温度コントローラによって適宜切り替えるようにすることが可能である。
【0039】
【発明の効果】
以上説明したように本発明では、材料に接するリフターピンやクランプ機構、あるいは搬送アームに熱電対を内蔵し、温度検出の際に、熱電対の先端を材料に直に接触させることができるように構成した。これにより、半導体製造装置において材料の温度を素早く正確に検出して適切な温度制御を行い、材料の加工精度の低下やばらつきの発生を抑え、半導体装置を製造する際の歩留りを向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】 第1の実施の形態の半導体製造装置の要部断面模式図である。
【図2】 第2の実施の形態の半導体製造装置の要部断面模式図である。
【図3】 第3の実施の形態の半導体製造装置の要部断面模式図である。
【図4】 従来の半導体製造装置の要部断面模式図である。
【符号の説明】
1,20 半導体製造装置
2 試料台
3 リフターピン
4 温度コントローラ
5 信号線
6 チラー
7 冷媒循環経路
8 冷媒循環室
10 材料
21 クランプ機構
31 搬送アーム
32 熱電対
Claims (1)
- 加工する材料の温度を検出して前記材料を加工する半導体製造装置において、
前記材料が載置される試料台と、
前記試料台に載置された前記材料を固定するクランプ機構と、
前記クランプ機構に内蔵され、先端が前記試料台に載置された前記材料に離接する熱電対と、
を有し、
前記熱電対は、保護部材によって覆われ、前記試料台に載置された前記材料に接触するときに、前記保護部材内部から進出して前記材料の側へ移動するように構成されていることを特徴とする半導体製造装置。
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