JP2003303870A - 半導体ウェハー搬送機構 - Google Patents
半導体ウェハー搬送機構Info
- Publication number
- JP2003303870A JP2003303870A JP2002107244A JP2002107244A JP2003303870A JP 2003303870 A JP2003303870 A JP 2003303870A JP 2002107244 A JP2002107244 A JP 2002107244A JP 2002107244 A JP2002107244 A JP 2002107244A JP 2003303870 A JP2003303870 A JP 2003303870A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wafer
- blade
- temperature
- transfer mechanism
- arm
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 従来のウェハー搬送機構４７においては、ウ
ェハー処理ステージ５４上の処理済ウェハー５５を第二
ブレード５１の上に載せたとき処理済ウェハー５５が割
れることがある。その原因は処理済ウェハー５５と第二
ブレード５１の温度差による熱ショックである。 【解決手段】 本発明のウェハー搬送機構１７において
はブレード２１にヒーター２６を取り付け、またウェハ
ー処理ステージ２４とブレード２１に温度センサー２
７、２８を取り付けた。そして処理済ウェハー２５をブ
レード２１に載せるときウェハー処理ステージ２４とブ
レード２１の温度が等しくなるように制御する。
ェハー処理ステージ５４上の処理済ウェハー５５を第二
ブレード５１の上に載せたとき処理済ウェハー５５が割
れることがある。その原因は処理済ウェハー５５と第二
ブレード５１の温度差による熱ショックである。 【解決手段】 本発明のウェハー搬送機構１７において
はブレード２１にヒーター２６を取り付け、またウェハ
ー処理ステージ２４とブレード２１に温度センサー２
７、２８を取り付けた。そして処理済ウェハー２５をブ
レード２１に載せるときウェハー処理ステージ２４とブ
レード２１の温度が等しくなるように制御する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は半導体ウェハー（以
下ウェハー）のエッチング装置、スパッタリング装置、
イオン注入装置、ＣＶＤ装置、アッシング装置などの真
空処理装置内にあって、未処理ウェハーをウェハーキャ
リアーからウェハー処理ステージへ搬送し、逆に処理済
ウェハーをウェハー処理ステージからウェハーキャリア
ーへ搬送する機能を持つウェハー搬送機構に関する。
下ウェハー）のエッチング装置、スパッタリング装置、
イオン注入装置、ＣＶＤ装置、アッシング装置などの真
空処理装置内にあって、未処理ウェハーをウェハーキャ
リアーからウェハー処理ステージへ搬送し、逆に処理済
ウェハーをウェハー処理ステージからウェハーキャリア
ーへ搬送する機能を持つウェハー搬送機構に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来のウェハー搬送機構を図４により説
明する。図４はエッチング装置、スパッタリング装置、
イオン注入装置、ＣＶＤ装置、アッシング装置などの真
空処理装置４０の主要部平面図である。
明する。図４はエッチング装置、スパッタリング装置、
イオン注入装置、ＣＶＤ装置、アッシング装置などの真
空処理装置４０の主要部平面図である。
【０００３】未処理ウェハー４１はウェハーキャリアー
４２に入っており、ウェハーキャリアー４２はウェハー
ストック室４３内のキャリアーエレベーター４４に載っ
ている。
４２に入っており、ウェハーキャリアー４２はウェハー
ストック室４３内のキャリアーエレベーター４４に載っ
ている。
【０００４】ウェハーストック室４３の隣には第一ゲー
トバルブ４５を介して搬送室４６があり、その中に本発
明で問題としているウェハー搬送機構４７がある。ウェ
ハー搬送機構４７はツインアームロボットの第一アーム
４８、第二アーム４９先端にウェハーを載せるための第
一ブレード５０、第二ブレード５１を取り付けたもので
ある。
トバルブ４５を介して搬送室４６があり、その中に本発
明で問題としているウェハー搬送機構４７がある。ウェ
ハー搬送機構４７はツインアームロボットの第一アーム
４８、第二アーム４９先端にウェハーを載せるための第
一ブレード５０、第二ブレード５１を取り付けたもので
ある。
【０００５】搬送室４６の隣には第二ゲートバルブ５２
を介してエッチング、スパッタリング、イオン注入、Ｃ
ＶＤ、アッシングなどをおこなう処理室５３がある。
を介してエッチング、スパッタリング、イオン注入、Ｃ
ＶＤ、アッシングなどをおこなう処理室５３がある。
【０００６】次に従来のウェハー搬送機構４７の動作を
工程順に説明する。 （１）ウェハーキャリアー４２に入った未処理ウェハー
４１をウェハーストック 室４３内のキャリアーエレベーター４４に載せる。 （２）ウェハーストック室４３を真空引きする。その間
にキャリアーエレベーター４４を動かして未処理ウェハ
ー４１の高さを第一ブレード５０の高さに合わせる。 （３）第一ゲートバルブ４５を開け搬送室４６とウェハ
ーストック室４３をつな ぐ。搬送室４６は常に真空である。 （４）第一アーム４８を伸ばし未処理ウェハー４１を第
一ブレード５０の上に載せる。 （５）第一アーム４８を縮めて未処理ウェハー４１を搬
送室４６内に入れ第一ゲートバルブ４５を閉める。 （６）第二ゲートバルブ５２を開け搬送室４６と処理室
５３をつなぐ。 （７）第二アーム４９を伸ばしてウェハー処理ステージ
５４上の処理済ウェハー５５を第二ブレード５１の上に
載せる。 （８）第二アーム４９を縮めて処理済ウェハー５５を搬
送室４６内に入れる。 （９）第一アーム４８、第二アーム４９を１８０度回転
させる。第一アーム４８と第二アーム４９が左右入れ替
わる。 （１０）第一アーム４８を伸ばして未処理ウェハー４１
をウェハー処理ステージ５４上に載せる。 （１１）第一アーム４８を縮めてから第二ゲートバルブ
５２を締める。処理室５３では未処理ウェハー４１に対
する処理が始まる。 （１２）第一ゲートバルブ４５を開け搬送室４６とウェ
ハーストック室４３をつなぐ。 （１３）第二アーム４９を伸ばして処理済ウェハー５５
をウェハーキャリアー４２に収納する。 この後は第一アーム４８と第二アーム４９の役割が交互
に入れ替わりながら上記の動作が繰り返される。
工程順に説明する。 （１）ウェハーキャリアー４２に入った未処理ウェハー
４１をウェハーストック 室４３内のキャリアーエレベーター４４に載せる。 （２）ウェハーストック室４３を真空引きする。その間
にキャリアーエレベーター４４を動かして未処理ウェハ
ー４１の高さを第一ブレード５０の高さに合わせる。 （３）第一ゲートバルブ４５を開け搬送室４６とウェハ
ーストック室４３をつな ぐ。搬送室４６は常に真空である。 （４）第一アーム４８を伸ばし未処理ウェハー４１を第
一ブレード５０の上に載せる。 （５）第一アーム４８を縮めて未処理ウェハー４１を搬
送室４６内に入れ第一ゲートバルブ４５を閉める。 （６）第二ゲートバルブ５２を開け搬送室４６と処理室
５３をつなぐ。 （７）第二アーム４９を伸ばしてウェハー処理ステージ
５４上の処理済ウェハー５５を第二ブレード５１の上に
載せる。 （８）第二アーム４９を縮めて処理済ウェハー５５を搬
送室４６内に入れる。 （９）第一アーム４８、第二アーム４９を１８０度回転
させる。第一アーム４８と第二アーム４９が左右入れ替
わる。 （１０）第一アーム４８を伸ばして未処理ウェハー４１
をウェハー処理ステージ５４上に載せる。 （１１）第一アーム４８を縮めてから第二ゲートバルブ
５２を締める。処理室５３では未処理ウェハー４１に対
する処理が始まる。 （１２）第一ゲートバルブ４５を開け搬送室４６とウェ
ハーストック室４３をつなぐ。 （１３）第二アーム４９を伸ばして処理済ウェハー５５
をウェハーキャリアー４２に収納する。 この後は第一アーム４８と第二アーム４９の役割が交互
に入れ替わりながら上記の動作が繰り返される。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】従来のウェハー搬送機
構４７においては、上記の工程（７）第二アーム４９を
伸ばしてウェハー処理ステージ５４上の処理済ウェハー
５５を第二ブレード５１の上に載せたとき処理済ウェハ
ー５５が割れることがある。その原因は主に２つある。 （１）通常、処理中にウェハー処理ステージ５４もウェ
ハー５５も温度が上がる。たとえばスパッタリング後に
は処理済ウェハー５５は２００℃程度になっている。し
かし第二ブレード５１は室温である（第一ブレード５０
も同じ）。室温の第二ブレード５１上に２００℃の処理
済ウェハー５５を載せると処理済ウェハー５５は急激に
冷やされて歪みが入る。これが処理済ウェハー５５の割
れる第一の原因である。 （２）スパッタリング、ＣＶＤなどの工程では、処理済
ウェハー５５の温度が高い上に、処理済ウェハー５５の
表面にはウェハー（シリコン）と熱膨張率の異なる金属
膜などが形成されている。このような処理済ウェハー５
５を室温の第二ブレード５１に載せると、第二ブレード
５１に触れているシリコン部分は急激に温度が下がるが
金属膜はなかなか温度が下がらない。そのため処理済ウ
ェハー５５はバイメタルのように反りシリコンに曲げ応
力が加わる。これが処理済ウェハー５５の割れる第二の
原因である。
構４７においては、上記の工程（７）第二アーム４９を
伸ばしてウェハー処理ステージ５４上の処理済ウェハー
５５を第二ブレード５１の上に載せたとき処理済ウェハ
ー５５が割れることがある。その原因は主に２つある。 （１）通常、処理中にウェハー処理ステージ５４もウェ
ハー５５も温度が上がる。たとえばスパッタリング後に
は処理済ウェハー５５は２００℃程度になっている。し
かし第二ブレード５１は室温である（第一ブレード５０
も同じ）。室温の第二ブレード５１上に２００℃の処理
済ウェハー５５を載せると処理済ウェハー５５は急激に
冷やされて歪みが入る。これが処理済ウェハー５５の割
れる第一の原因である。 （２）スパッタリング、ＣＶＤなどの工程では、処理済
ウェハー５５の温度が高い上に、処理済ウェハー５５の
表面にはウェハー（シリコン）と熱膨張率の異なる金属
膜などが形成されている。このような処理済ウェハー５
５を室温の第二ブレード５１に載せると、第二ブレード
５１に触れているシリコン部分は急激に温度が下がるが
金属膜はなかなか温度が下がらない。そのため処理済ウ
ェハー５５はバイメタルのように反りシリコンに曲げ応
力が加わる。これが処理済ウェハー５５の割れる第二の
原因である。
【０００８】本発明の目的はこのような処理済ウェハー
５５の割れの発生を防ぐことのできるウェハー搬送機構
を実現することである。
５５の割れの発生を防ぐことのできるウェハー搬送機構
を実現することである。
【０００９】
【課題を解決するための手段】上述のように処理済ウェ
ハーがブレード上で割れる原因は、処理済ウェハーとブ
レードの温度差である。そこで本発明のウェハー搬送機
構においてはブレードにヒーターを取り付け、またウェ
ハー処理ステージとブレードに温度センサーを取り付け
た。そして処理済ウェハーをブレードに載せるときウェ
ハー処理ステージとブレードの温度が等しくなるように
制御する。ウェハー処理ステージと処理済ウェハーはほ
ぼ同じ温度であるから処理済ウェハーとブレードもほぼ
同じ温度になる。したがって処理済ウェハーとブレード
の温度差はほとんどなくなるので温度差に起因する処理
済ウェハーの割れは発生しなくなる。
ハーがブレード上で割れる原因は、処理済ウェハーとブ
レードの温度差である。そこで本発明のウェハー搬送機
構においてはブレードにヒーターを取り付け、またウェ
ハー処理ステージとブレードに温度センサーを取り付け
た。そして処理済ウェハーをブレードに載せるときウェ
ハー処理ステージとブレードの温度が等しくなるように
制御する。ウェハー処理ステージと処理済ウェハーはほ
ぼ同じ温度であるから処理済ウェハーとブレードもほぼ
同じ温度になる。したがって処理済ウェハーとブレード
の温度差はほとんどなくなるので温度差に起因する処理
済ウェハーの割れは発生しなくなる。
【００１０】請求項１記載の発明は半導体ウェハーの真
空処理装置内にあって、未処理ウェハーをブレードに載
せてウェハーキャリアーからウェハー処理ステージへ搬
送し、逆に処理済ウェハーをブレードに載せてウェハー
処理ステージからウェハーキャリアーへ搬送する機能を
持つ半導体ウェハー搬送機構において、ブレードに加熱
手段と温度測定手段が備えられ、またウェハー処理ステ
ージに温度測定手段が備えられ、処理済ウェハーをブレ
ードに載せるときブレードの温度がウェハー処理ステー
ジの温度とほぼ同じになるように制御されることを特徴
とする半導体ウェハー搬送機構である。
空処理装置内にあって、未処理ウェハーをブレードに載
せてウェハーキャリアーからウェハー処理ステージへ搬
送し、逆に処理済ウェハーをブレードに載せてウェハー
処理ステージからウェハーキャリアーへ搬送する機能を
持つ半導体ウェハー搬送機構において、ブレードに加熱
手段と温度測定手段が備えられ、またウェハー処理ステ
ージに温度測定手段が備えられ、処理済ウェハーをブレ
ードに載せるときブレードの温度がウェハー処理ステー
ジの温度とほぼ同じになるように制御されることを特徴
とする半導体ウェハー搬送機構である。
【００１１】このようにブレードに加熱手段を設けブレ
ードとウェハー処理ステージの温度を同じにすることに
より処理済ウェハーをブレードに載せたとき処理済ウェ
ハーが熱ショックを受けることがなくなり処理済ウェハ
ー割れを防ぐことができる。
ードとウェハー処理ステージの温度を同じにすることに
より処理済ウェハーをブレードに載せたとき処理済ウェ
ハーが熱ショックを受けることがなくなり処理済ウェハ
ー割れを防ぐことができる。
【００１２】請求項２記載の発明は請求項１記載の半導
体ウェハー搬送機構において、加熱手段がブレードに取
り付けられたヒーターで、温度測定手段がブレードに埋
め込まれた温度センサーであることを特徴とする半導体
ウェハー搬送機構である。
体ウェハー搬送機構において、加熱手段がブレードに取
り付けられたヒーターで、温度測定手段がブレードに埋
め込まれた温度センサーであることを特徴とする半導体
ウェハー搬送機構である。
【００１３】この加熱方式のメリットはブレードに取り
付けられるような面状ヒーターとブレードに小穴をあけ
て埋め込む温度センサーが汎用品なので安価で入手しや
すいことである。
付けられるような面状ヒーターとブレードに小穴をあけ
て埋め込む温度センサーが汎用品なので安価で入手しや
すいことである。
【００１４】請求項３記載の発明は請求項１記載の半導
体ウェハー搬送機構において、加熱手段がブレードの下
方に設置された赤外線ランプヒーターで、温度測定手段
がブレード下方に設置された赤外線温度センサーである
ことを特徴とする半導体ウェハー搬送機構である。
体ウェハー搬送機構において、加熱手段がブレードの下
方に設置された赤外線ランプヒーターで、温度測定手段
がブレード下方に設置された赤外線温度センサーである
ことを特徴とする半導体ウェハー搬送機構である。
【００１５】この加熱方式のメリットはブレードに接続
線がないのでブレードを動かすときに邪魔にならないこ
とと、処理済ウェハーを受け取るブレードの待機位置を
赤外線ランプヒーターの直上に決めておけば、加熱機構
が１セットで済むことである。
線がないのでブレードを動かすときに邪魔にならないこ
とと、処理済ウェハーを受け取るブレードの待機位置を
赤外線ランプヒーターの直上に決めておけば、加熱機構
が１セットで済むことである。
【００１６】
【発明の実施の形態】本発明のウェハー搬送機構の一例
を図１〜図３により説明する。まず図１はエッチング装
置、スパッタリング装置、イオン注入装置、ＣＶＤ装
置、アッシング装置などの真空処理装置１０の主要部平
面図である。
を図１〜図３により説明する。まず図１はエッチング装
置、スパッタリング装置、イオン注入装置、ＣＶＤ装
置、アッシング装置などの真空処理装置１０の主要部平
面図である。
【００１７】未処理ウェハー１１はウェハーキャリアー
１２に入っており、ウェハーキャリアー１２はウェハー
ストック室１３内のキャリアーエレベーター１４に載っ
ている。
１２に入っており、ウェハーキャリアー１２はウェハー
ストック室１３内のキャリアーエレベーター１４に載っ
ている。
【００１８】ウェハーストック室１３の隣には第一ゲー
トバルブ１５を介して搬送室１６があり、その中に本発
明のウェハー搬送機構１７がある。ウェハー搬送機構１
７はツインアームロボットの第一アーム１８、第二アー
ム１９先端にウェハーを載せるための第一ブレード２
０、第二ブレード２１を取り付けたものである。
トバルブ１５を介して搬送室１６があり、その中に本発
明のウェハー搬送機構１７がある。ウェハー搬送機構１
７はツインアームロボットの第一アーム１８、第二アー
ム１９先端にウェハーを載せるための第一ブレード２
０、第二ブレード２１を取り付けたものである。
【００１９】搬送室１６の隣には第二ゲートバルブ２２
を介してエッチング、スパッタリング、イオン注入、Ｃ
ＶＤ、アッシングなどをおこなう処理室２３がある。
を介してエッチング、スパッタリング、イオン注入、Ｃ
ＶＤ、アッシングなどをおこなう処理室２３がある。
【００２０】次に本発明のウェハー搬送機構１７の動作
を説明する。 （１）ウェハーキャリアー１２に入った未処理ウェハー
１１をウェハーストック室１３内のキャリアーエレベー
ター１４に載せる。 （２）ウェハーストック室１３を真空引きする。その間
にキャリアーエレベーター１４を動かして未処理ウェハ
ー１１の高さを第一ブレード２０の高さに合わせる。 （３）第一ゲートバルブ１５を開け搬送室１６とウェハ
ーストック室１３をつなぐ。搬送室１６は常に真空であ
る。 （４）第一アーム１８を伸ばし未処理ウェハー１１を第
一ブレード２０の上に載せる。 （５）第一アーム１８を縮めて未処理ウェハー１１を搬
送室１６内に入れ第一ゲートバルブ１５を閉める。 （６）この間に第二ブレード２１の裏側に貼り付けたヒ
ーター２６に通電して第二ブレード２１を加熱する。こ
のとき第二ブレード２１に取り付けた温度センサー２
７、ウェハー処理ステージ２４に取り付けた温度センサ
ー２８でそれぞれ第二ブレード２１とウェハー処理ステ
ージ２４の温度を測定し、第二ブレード２１とウェハー
処理ステージ２４の温度が等しくなるように加熱する。
これらの制御機能は温度コントローラー２９の中にあ
る。 （７）第二ゲートバルブ２２を開け搬送室１６と処理室
２３をつなぐ。 （８）第二アーム１９を伸ばしてウェハー処理ステージ
上２４の処理済ウェハー２５を第二ブレード２１の上に
載せる。このとき第二ブレード２１の温度が処理済ウェ
ハー２５とほぼ等しくなるようにしてあるので、処理済
ウェハー２５に熱ショックが加わったり、処理済ウェハ
ー２５がバイメタルのように反ったりすることがない。
そのため処理済ウェハー２５が割れることが防げる。こ
れが本発明のウェハー搬送機構１７の特徴である。 （９）第二アーム１９を縮めて処理済ウェハー２５を搬
送室内１６に入れる。この時点でヒーター２６の通電を
止め第二ブレード２１を自然冷却する。第二ブレード２
１を加熱したままであると次に未処理ウェハー１１を第
二ブレード２１に載せたとき未処理ウェハー１１が割れ
ることがある。 （１０）第一アーム１８、第二アーム１９を１８０度回
転させる。第一アーム１８と第二アーム１９が左右入れ
替わる。 （１１）第一アーム１８を伸ばして未処理ウェハー１１
をウェハー処理ステージ２４上に載せる。 （１２）第一アーム１８を縮めてから第二ゲートバルブ
２２を締める。処理室２３では未処理ウェハー１１に対
する処理が始まる。 （１３）第一ゲートバルブ１５を開け搬送室１６とウェ
ハーストック室１３をつなぐ。 （１４）第二アーム１９を伸ばして処理済ウェハー２５
をウェハーキャリアー１２に収納する。この後は第一ア
ーム１８と第二アーム１９の役割が交互に入れ替わりな
がら上記の動作が繰り返される。そのため第一ブレード
２０にもヒーター３０と温度センサー３１が備えられて
いる。
を説明する。 （１）ウェハーキャリアー１２に入った未処理ウェハー
１１をウェハーストック室１３内のキャリアーエレベー
ター１４に載せる。 （２）ウェハーストック室１３を真空引きする。その間
にキャリアーエレベーター１４を動かして未処理ウェハ
ー１１の高さを第一ブレード２０の高さに合わせる。 （３）第一ゲートバルブ１５を開け搬送室１６とウェハ
ーストック室１３をつなぐ。搬送室１６は常に真空であ
る。 （４）第一アーム１８を伸ばし未処理ウェハー１１を第
一ブレード２０の上に載せる。 （５）第一アーム１８を縮めて未処理ウェハー１１を搬
送室１６内に入れ第一ゲートバルブ１５を閉める。 （６）この間に第二ブレード２１の裏側に貼り付けたヒ
ーター２６に通電して第二ブレード２１を加熱する。こ
のとき第二ブレード２１に取り付けた温度センサー２
７、ウェハー処理ステージ２４に取り付けた温度センサ
ー２８でそれぞれ第二ブレード２１とウェハー処理ステ
ージ２４の温度を測定し、第二ブレード２１とウェハー
処理ステージ２４の温度が等しくなるように加熱する。
これらの制御機能は温度コントローラー２９の中にあ
る。 （７）第二ゲートバルブ２２を開け搬送室１６と処理室
２３をつなぐ。 （８）第二アーム１９を伸ばしてウェハー処理ステージ
上２４の処理済ウェハー２５を第二ブレード２１の上に
載せる。このとき第二ブレード２１の温度が処理済ウェ
ハー２５とほぼ等しくなるようにしてあるので、処理済
ウェハー２５に熱ショックが加わったり、処理済ウェハ
ー２５がバイメタルのように反ったりすることがない。
そのため処理済ウェハー２５が割れることが防げる。こ
れが本発明のウェハー搬送機構１７の特徴である。 （９）第二アーム１９を縮めて処理済ウェハー２５を搬
送室内１６に入れる。この時点でヒーター２６の通電を
止め第二ブレード２１を自然冷却する。第二ブレード２
１を加熱したままであると次に未処理ウェハー１１を第
二ブレード２１に載せたとき未処理ウェハー１１が割れ
ることがある。 （１０）第一アーム１８、第二アーム１９を１８０度回
転させる。第一アーム１８と第二アーム１９が左右入れ
替わる。 （１１）第一アーム１８を伸ばして未処理ウェハー１１
をウェハー処理ステージ２４上に載せる。 （１２）第一アーム１８を縮めてから第二ゲートバルブ
２２を締める。処理室２３では未処理ウェハー１１に対
する処理が始まる。 （１３）第一ゲートバルブ１５を開け搬送室１６とウェ
ハーストック室１３をつなぐ。 （１４）第二アーム１９を伸ばして処理済ウェハー２５
をウェハーキャリアー１２に収納する。この後は第一ア
ーム１８と第二アーム１９の役割が交互に入れ替わりな
がら上記の動作が繰り返される。そのため第一ブレード
２０にもヒーター３０と温度センサー３１が備えられて
いる。
【００２１】図２は本発明のウェハー搬送機構１７の第
二ブレード２１付近の部分拡大平面図および部分拡大正
面図である。第二アーム１９の先端に第二ブレード２１
が取り付けられている。第二ブレード２１の裏側にヒー
ター２６が貼り付けられている。第二ブレード２１には
温度センサー２７が埋め込まれている。ヒーター２６、
温度センサー２７は柔軟な接続線で温度コントローラー
２９につながっている。温度センサー２７とウェハー処
理ステージ２４に取り付けた温度センサー２８でそれぞ
れ第二ブレード２１とウェハー処理ステージ２４の温度
を測定し、第二ブレード２１とウェハー処理ステージ２
４の温度を等しくなるように第二ブレード２１を加熱す
る。図示していないが第一ブレード２０も同じ構造であ
る。
二ブレード２１付近の部分拡大平面図および部分拡大正
面図である。第二アーム１９の先端に第二ブレード２１
が取り付けられている。第二ブレード２１の裏側にヒー
ター２６が貼り付けられている。第二ブレード２１には
温度センサー２７が埋め込まれている。ヒーター２６、
温度センサー２７は柔軟な接続線で温度コントローラー
２９につながっている。温度センサー２７とウェハー処
理ステージ２４に取り付けた温度センサー２８でそれぞ
れ第二ブレード２１とウェハー処理ステージ２４の温度
を測定し、第二ブレード２１とウェハー処理ステージ２
４の温度を等しくなるように第二ブレード２１を加熱す
る。図示していないが第一ブレード２０も同じ構造であ
る。
【００２２】図３は本発明のウェハー搬送機構１７の第
二ブレード２１付近の加熱方式の別例の部分拡大正面図
である。第二アーム１９の先端に第二ブレード２１が取
り付けられている。第二ブレード２１の直下に赤外線ラ
ンプヒーター３２と赤外線温度センサー３３が設置され
ている。赤外線ランプヒーター３２と赤外線温度センサ
ー３３は温度コントローラー２９につながっている。赤
外線温度センサー３３とウェハー処理ステージ２４に取
り付けた温度センサー２８でそれぞれ第二ブレード２１
とウェハー処理ステージ２４の温度を測定し、第二ブレ
ード２１とウェハー処理ステージ２４の温度を等しくな
るように加熱する。この加熱方式のメリットは第二ブレ
ード２１に接続線がないので第二アーム１９を動かすと
きに邪魔にならないことと、ブレード２０、２１の待機
位置を赤外線ランプヒーター３２の直上に決めておけ
ば、加熱機構が１セットで済むことである。
二ブレード２１付近の加熱方式の別例の部分拡大正面図
である。第二アーム１９の先端に第二ブレード２１が取
り付けられている。第二ブレード２１の直下に赤外線ラ
ンプヒーター３２と赤外線温度センサー３３が設置され
ている。赤外線ランプヒーター３２と赤外線温度センサ
ー３３は温度コントローラー２９につながっている。赤
外線温度センサー３３とウェハー処理ステージ２４に取
り付けた温度センサー２８でそれぞれ第二ブレード２１
とウェハー処理ステージ２４の温度を測定し、第二ブレ
ード２１とウェハー処理ステージ２４の温度を等しくな
るように加熱する。この加熱方式のメリットは第二ブレ
ード２１に接続線がないので第二アーム１９を動かすと
きに邪魔にならないことと、ブレード２０、２１の待機
位置を赤外線ランプヒーター３２の直上に決めておけ
ば、加熱機構が１セットで済むことである。
【００２３】
【発明の効果】本発明のウェハー搬送機構においてはブ
レードにヒーターを取り付け、またウェハー処理ステー
ジとブレードに温度センサーを取り付けた。そして処理
済ウェハーをブレードに載せるときウェハー処理ステー
ジとブレードの温度が等しくなるように制御する。ウェ
ハー処理ステージと処理済ウェハーはほぼ同じ温度であ
るから、処理済ウェハーとブレードもほぼ同じ温度にな
る。したがって処理済ウェハーとブレードの温度差はほ
とんどなくなるので、温度差に起因する処理済ウェハー
の割れは発生しなくなる。
レードにヒーターを取り付け、またウェハー処理ステー
ジとブレードに温度センサーを取り付けた。そして処理
済ウェハーをブレードに載せるときウェハー処理ステー
ジとブレードの温度が等しくなるように制御する。ウェ
ハー処理ステージと処理済ウェハーはほぼ同じ温度であ
るから、処理済ウェハーとブレードもほぼ同じ温度にな
る。したがって処理済ウェハーとブレードの温度差はほ
とんどなくなるので、温度差に起因する処理済ウェハー
の割れは発生しなくなる。
【図１】 本発明のウェハー搬送機構１７を含む真空処
理装置１０の主要部平面図
理装置１０の主要部平面図
【図２】 本発明のウェハー搬送機構１７の第二ブレー
ド２１付近の部分拡大平面図および部分拡大正面図
ド２１付近の部分拡大平面図および部分拡大正面図
【図３】 本発明のウェハー搬送機構１７の第二ブレー
ド２１付近の加熱方式の別例の部分拡大正面図
ド２１付近の加熱方式の別例の部分拡大正面図
【図４】 従来のウェハー搬送機構４７を含む真空処理
装置４０の主要部平面図
装置４０の主要部平面図
１０ 真空処理装置
１１ 未処理ウェハー
１２ ウェハーキャリアー
１３ ウェハーストック室
１４ キャリアーエレベーター
１５ 第一ゲートバルブ
１６ 搬送室
１７ ウェハー搬送機構
１８ 第一アーム
１９ 第二アーム
２０ 第一ブレード
２１ 第二ブレード
２２ 第二ゲートバルブ
２３ 処理室
２４ ウェハー処理ステージ
２５ 処理済ウェハー
２６ ヒーター
２７ 温度センサー
２８ 温度センサー
２９ 温度コントローラー
３０ ヒーター
３１ 温度センサー
３２ 赤外線ランプヒーター
３３ 赤外線温度センサー
４０ 真空処理装置
４１ 未処理ウェハー
４２ ウェハーキャリアー
４３ ウェハーストック室
４４ キャリアーエレベーター
４５ 第一ゲートバルブ
４６ 搬送室
４７ ウェハー搬送機構
４８ 第一アーム
４９ 第二アーム
５０ 第一ブレード
５１ 第二ブレード
５２ 第二ゲートバルブ
５３ 処理室
５４ ウェハー処理ステージ
５５ 処理済ウェハー
Claims (3)
- 【請求項１】半導体ウェハーの真空処理装置内にあっ
て、未処理ウェハーをブレードに載せてウェハーキャリ
アーからウェハー処理ステージへ搬送し、逆に処理済ウ
ェハーをブレードに載せて前記ウェハー処理ステージか
ら前記ウェハーキャリアーへ搬送する機能を持つ半導体
ウェハー搬送機構において、前記ブレードに加熱手段と
温度測定手段が備えられ、また前記ウェハー処理ステー
ジに温度測定手段が備えられ、前記処理済ウェハーを前
記ブレードに載せるとき前記ブレードの温度が前記ウェ
ハー処理ステージの温度とほぼ同じになるように制御さ
れることを特徴とする半導体ウェハー搬送機構。 - 【請求項２】請求項１記載の半導体ウェハー搬送機構に
おいて、前記加熱手段が前記ブレードに取り付けられた
ヒーターで、前記温度測定手段が前記ブレードに埋め込
まれた温度センサーであることを特徴とする半導体ウェ
ハー搬送機構。 - 【請求項３】請求項１記載の半導体ウェハー搬送機構に
おいて、前記加熱手段が前記ブレードの下方に設置され
た赤外線ランプヒーターで、前記温度測定手段が前記ブ
レード下方に設置された赤外線温度センサーであること
を特徴とする半導体ウェハー搬送機構。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002107244A JP2003303870A (ja) | 2002-04-10 | 2002-04-10 | 半導体ウェハー搬送機構 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002107244A JP2003303870A (ja) | 2002-04-10 | 2002-04-10 | 半導体ウェハー搬送機構 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003303870A true JP2003303870A (ja) | 2003-10-24 |
Family
ID=29391297
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2002107244A Pending JP2003303870A (ja) | 2002-04-10 | 2002-04-10 | 半導体ウェハー搬送機構 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2003303870A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007212031A (ja) * | 2006-02-08 | 2007-08-23 | Koyo Thermo System Kk | 熱処理炉用ロボットアーム装置 |
| JP2011108693A (ja) * | 2009-11-12 | 2011-06-02 | Lam Research Corp | ウェハセンシング装置および当該装置を備えた半導体製造装置 |
-
2002
- 2002-04-10 JP JP2002107244A patent/JP2003303870A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007212031A (ja) * | 2006-02-08 | 2007-08-23 | Koyo Thermo System Kk | 熱処理炉用ロボットアーム装置 |
| JP2011108693A (ja) * | 2009-11-12 | 2011-06-02 | Lam Research Corp | ウェハセンシング装置および当該装置を備えた半導体製造装置 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| TWI413166B (zh) | 低溫離子佈植技術 | |
| US7410355B2 (en) | Method for the heat treatment of substrates | |
| JP5025878B2 (ja) | 半導体ウエハを処理するためのチャンバ | |
| US6597964B1 (en) | Thermocoupled lift pin system for etching chamber | |
| JP5106331B2 (ja) | 基板載置台の降温方法、コンピュータ読み取り可能な記憶媒体および基板処理システム | |
| US20080179378A1 (en) | Method of forming bumps on a wafer utilizing a post-heating operation, and an apparatus therefore | |
| US20160322234A1 (en) | Methods and apparatus for correcting substrate deformity | |
| TW201042712A (en) | Shorten temperature recovery time of low temperature ion implantation | |
| JP4086967B2 (ja) | 静電チャックのパーティクル発生低減方法及び半導体製造装置 | |
| JP5545488B2 (ja) | プラズマ処理装置 | |
| JP2003303870A (ja) | 半導体ウェハー搬送機構 | |
| JPH11168131A (ja) | ウエハ搬送チャック | |
| US20040120797A1 (en) | Method and system for eliminating wafer protrusion | |
| JP2002009129A (ja) | 基板搬送アーム及び基板搬送方法 | |
| US20020155669A1 (en) | High temperature drop-off of a substrate | |
| JP2001004505A (ja) | ゲートバルブ，それを備える試料処理装置及び試料処理方法 | |
| JP4656808B2 (ja) | 真空装置及び加熱処理装置 | |
| JP2008028235A (ja) | 冷却処理装置 | |
| JP2003124134A (ja) | 加熱処理装置および加熱処理方法 | |
| JP2002025990A (ja) | 半導体デバイスの製造装置および半導体デバイスの製造方法 | |
| WO2020241599A1 (ja) | 基板処理システム及び基板処理システムの制御方法 | |
| JP2002198320A (ja) | 加熱処理装置、加熱処理方法および半導体装置の製造方法 | |
| JPH11135598A (ja) | 基板搬送システム | |
| JP4497832B2 (ja) | 半導体製造装置 | |
| JPH10107113A (ja) | 基板搬送装置 |