JPH09159617A - 異物検査装置 - Google Patents
異物検査装置Info
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- JPH09159617A JPH09159617A JP32074795A JP32074795A JPH09159617A JP H09159617 A JPH09159617 A JP H09159617A JP 32074795 A JP32074795 A JP 32074795A JP 32074795 A JP32074795 A JP 32074795A JP H09159617 A JPH09159617 A JP H09159617A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 被検査基板の両面に付着した異物を検査でき
る異物検査装置を提供することである。 【解決手段】 両面ミラー仕上げの半導体ウェハ３１を
載せる回転テーブル３２を支持するリング状の回転テー
ブルホルダ３３と回転テーブル３２を回転させる圧接ロ
ーラ３６が取り付けられたモータ３５とを有し、可動ミ
ラー３７、４３を用いて、Ｈｅ−Ｎｅレーザ１４からの
レーザ光を両面ミラー仕上げの半導体ウェハ３１下面に
迂回させ、異物によるレーザ光の乱反射光を検出光学系
に導入して受光させる装置構成とする。 【効果】 被検査基板の両面の異物検査が可能となり、
より確実に異物発生工程を特定でき、この異物の発生防
止対策をとることで、半導体集積回路等の製造歩留を向
上させることができる。
る異物検査装置を提供することである。 【解決手段】 両面ミラー仕上げの半導体ウェハ３１を
載せる回転テーブル３２を支持するリング状の回転テー
ブルホルダ３３と回転テーブル３２を回転させる圧接ロ
ーラ３６が取り付けられたモータ３５とを有し、可動ミ
ラー３７、４３を用いて、Ｈｅ−Ｎｅレーザ１４からの
レーザ光を両面ミラー仕上げの半導体ウェハ３１下面に
迂回させ、異物によるレーザ光の乱反射光を検出光学系
に導入して受光させる装置構成とする。 【効果】 被検査基板の両面の異物検査が可能となり、
より確実に異物発生工程を特定でき、この異物の発生防
止対策をとることで、半導体集積回路等の製造歩留を向
上させることができる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は異物検査装置に関
し、さらに詳しくは、半導体ウェーハや液晶表示装置の
ＴＦＴアクティブマトリクス基板等に使用する絶縁体基
板に付着した異物を検査する異物検査装置の構造に関す
る。
し、さらに詳しくは、半導体ウェーハや液晶表示装置の
ＴＦＴアクティブマトリクス基板等に使用する絶縁体基
板に付着した異物を検査する異物検査装置の構造に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】半導体集積回路や液晶表示装置のＴＦＴ
アクティブマトリクス基板等の製造工程において、半導
体ウェハに付着した異物は形成される素子パターンの欠
陥発生となって素子特性不良の原因となったり、異物の
拡散による素子特性不良の原因を引き起こしたりして、
製造歩留りの低下となる。そのため、各製造工程でウェ
ハに付着する異物を低減させるクリーン化技術が最近の
半導体関連技術において重要であり、このクリーン化技
術開発の一手段として異物検査装置が多用されている。
アクティブマトリクス基板等の製造工程において、半導
体ウェハに付着した異物は形成される素子パターンの欠
陥発生となって素子特性不良の原因となったり、異物の
拡散による素子特性不良の原因を引き起こしたりして、
製造歩留りの低下となる。そのため、各製造工程でウェ
ハに付着する異物を低減させるクリーン化技術が最近の
半導体関連技術において重要であり、このクリーン化技
術開発の一手段として異物検査装置が多用されている。
【０００３】従来例の異物検査装置１の概略構成は図２
に示す様なもので、以下従来例の異物検査装置１に関
し、図２を参照して説明する。まず、Ｘ−Ｙステージ１
１上には、半導体ウェハ２を載せる回転テーブル１２に
接続したモータ１３が設置させている。半導体ウェハ２
の上方には、Ｈｅ−Ｎｅレーザ１４がレーザ光を半導体
ウェハ２に斜め入射させる位置に設置されており、レー
ザー光が半導体ウェハ２に照射される位置の真上には対
物レンズ１５がある。更に、対物レンズ１５の上方に
は、ハーフミラー１６と検出光学系１７が設置され、ハ
ーフミラー１６の横方向には光源１８が設置されてい
る。また、検出光学系１７からの信号を基にした信号処
理、演算処理、位置記憶およびＸ−Ｙステージ１１やモ
ータ１３の位置情報処理等をおこなう検査制御システム
１９や検査制御システム１９からの信号を基にＸ−Ｙス
テージ１１やモータ１３を駆動させる位置制御装置２０
が設置されている。
に示す様なもので、以下従来例の異物検査装置１に関
し、図２を参照して説明する。まず、Ｘ−Ｙステージ１
１上には、半導体ウェハ２を載せる回転テーブル１２に
接続したモータ１３が設置させている。半導体ウェハ２
の上方には、Ｈｅ−Ｎｅレーザ１４がレーザ光を半導体
ウェハ２に斜め入射させる位置に設置されており、レー
ザー光が半導体ウェハ２に照射される位置の真上には対
物レンズ１５がある。更に、対物レンズ１５の上方に
は、ハーフミラー１６と検出光学系１７が設置され、ハ
ーフミラー１６の横方向には光源１８が設置されてい
る。また、検出光学系１７からの信号を基にした信号処
理、演算処理、位置記憶およびＸ−Ｙステージ１１やモ
ータ１３の位置情報処理等をおこなう検査制御システム
１９や検査制御システム１９からの信号を基にＸ−Ｙス
テージ１１やモータ１３を駆動させる位置制御装置２０
が設置されている。
【０００４】上述した異物検査装置１の動作は、まず、
光源１８より光を出し、回転テーブル１２の載せられた
半導体ウェハ２を回転させながら、Ｘ−Ｙステージ１１
を一方向、例えばＸ方向に一定の速度で移動させる。半
導体ウェハ２の周辺部が、光源１８からの光の対物レン
ズ１５によるホーカス部にくると、回転テーブル１２の
回転中心と半導体ウェハの中心とが一致していない場合
は、光源１８からの光の反射光が回転テーブル１２の回
転角度により大きく変化し、この反射光情報を検出光学
系１７が受光して、この信号を検査制御システム１９で
演算処理し、回転テーブル１２の回転中心と半導体ウェ
ハ２の中心との偏心度や半導体ウェハ２のオリエンテー
ションフラットを含む外周を確定し、半導体ウェハ２の
中心位置、即ち基準位置を設定する。
光源１８より光を出し、回転テーブル１２の載せられた
半導体ウェハ２を回転させながら、Ｘ−Ｙステージ１１
を一方向、例えばＸ方向に一定の速度で移動させる。半
導体ウェハ２の周辺部が、光源１８からの光の対物レン
ズ１５によるホーカス部にくると、回転テーブル１２の
回転中心と半導体ウェハの中心とが一致していない場合
は、光源１８からの光の反射光が回転テーブル１２の回
転角度により大きく変化し、この反射光情報を検出光学
系１７が受光して、この信号を検査制御システム１９で
演算処理し、回転テーブル１２の回転中心と半導体ウェ
ハ２の中心との偏心度や半導体ウェハ２のオリエンテー
ションフラットを含む外周を確定し、半導体ウェハ２の
中心位置、即ち基準位置を設定する。
【０００５】次に、光源１８をＯＦＦし、半導体ウェハ
２にＨｅ−Ｎｅレーザ１４を斜めより照射させ、回転テ
ーブル１２を回転しながら、Ｘ−Ｙステージ１１を一方
向、例えばＸ方向に一定の速度で移動させる。半導体ウ
ェハ２上に異物があると、レーザ光は乱反射し、レンズ
１５に入る乱反射光は検出光学系１７で受光され、検出
光学系１７からの信号は検査制御システム１９で信号処
理や演算処理が行われ、基準位置に対する異物の位置デ
ータや大きさを算出し、記録する。
２にＨｅ−Ｎｅレーザ１４を斜めより照射させ、回転テ
ーブル１２を回転しながら、Ｘ−Ｙステージ１１を一方
向、例えばＸ方向に一定の速度で移動させる。半導体ウ
ェハ２上に異物があると、レーザ光は乱反射し、レンズ
１５に入る乱反射光は検出光学系１７で受光され、検出
光学系１７からの信号は検査制御システム１９で信号処
理や演算処理が行われ、基準位置に対する異物の位置デ
ータや大きさを算出し、記録する。
【０００６】この様な異物検査装置１を用いた異物検査
により、各製造工程におけるウェハに付着した異物の大
きさ、異物の数や分布が判り、更に異物成分分析装置を
用いて、これらの異物成分分析等を行えば、異物発生工
程だけでなく異物発生箇所等を特定でき、この異物の発
生防止対策をとることで、製造工程のクリーン化改善が
でき、半導体集積回路や液晶表示装置用のＴＦＴアクテ
ィブマトリクス基板等の製造歩留が向上する。
により、各製造工程におけるウェハに付着した異物の大
きさ、異物の数や分布が判り、更に異物成分分析装置を
用いて、これらの異物成分分析等を行えば、異物発生工
程だけでなく異物発生箇所等を特定でき、この異物の発
生防止対策をとることで、製造工程のクリーン化改善が
でき、半導体集積回路や液晶表示装置用のＴＦＴアクテ
ィブマトリクス基板等の製造歩留が向上する。
【０００７】しかしながら、上述した異物検査装置１で
は半導体ウェーハ３の上面に付着した異物のみの情報し
か判らないため、ウェハの裏面に付着した異物が次工程
でウェハの上面に再付着するような場合は、次工程での
異物検査を基にした次工程における異物発生箇所の特定
が難しくなり、異物発生防止対策をとることができなく
なる。従って半導体集積回路や液晶表示装置用のＴＦＴ
アクティブマトリクス基板等の製造歩留の改善が出来な
い虞がある。
は半導体ウェーハ３の上面に付着した異物のみの情報し
か判らないため、ウェハの裏面に付着した異物が次工程
でウェハの上面に再付着するような場合は、次工程での
異物検査を基にした次工程における異物発生箇所の特定
が難しくなり、異物発生防止対策をとることができなく
なる。従って半導体集積回路や液晶表示装置用のＴＦＴ
アクティブマトリクス基板等の製造歩留の改善が出来な
い虞がある。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、上述した異
物検査装置における問題点を解決することをその目的と
する。即ち本発明の課題は、被検査基板の両面に付着し
た異物を検査できる異物検査装置を提供することをその
目的とする。
物検査装置における問題点を解決することをその目的と
する。即ち本発明の課題は、被検査基板の両面に付着し
た異物を検査できる異物検査装置を提供することをその
目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明の異物検査装置
は、上述の課題を解決するために提案するものであり、
レーザ光源と検出光学系と被検査基板を載置する回転テ
ーブルを有する異物検査装置であって、被検査基板の上
面の異物によるレーザ光源のレーザ光の乱反射光を検査
する第１の光学手段と、レーザ光源のレーザ光を異物検
査をする被検査基板の下面に迂回させる光学手段と、被
検査基板下面上の異物によるＨｅ−Ｎｅレーザのレーザ
光の乱反射光を検出光学系に導入する光学手段と、回転
テーブルをリング状の回転テーブルとし、リング状の回
転テーブル周辺部に接触してリング状の回転テーブルを
回転させる回転手段とを有することを特徴とするもので
ある。
は、上述の課題を解決するために提案するものであり、
レーザ光源と検出光学系と被検査基板を載置する回転テ
ーブルを有する異物検査装置であって、被検査基板の上
面の異物によるレーザ光源のレーザ光の乱反射光を検査
する第１の光学手段と、レーザ光源のレーザ光を異物検
査をする被検査基板の下面に迂回させる光学手段と、被
検査基板下面上の異物によるＨｅ−Ｎｅレーザのレーザ
光の乱反射光を検出光学系に導入する光学手段と、回転
テーブルをリング状の回転テーブルとし、リング状の回
転テーブル周辺部に接触してリング状の回転テーブルを
回転させる回転手段とを有することを特徴とするもので
ある。
【００１０】また、本発明の異物検査装置は、被検査基
板の下面に迂回させる第２の光学手段がミラーで構成さ
れ、検出光学系に導入する第３の光学手段が対物レンズ
とミラーとで構成されていることを特徴とするものであ
る。
板の下面に迂回させる第２の光学手段がミラーで構成さ
れ、検出光学系に導入する第３の光学手段が対物レンズ
とミラーとで構成されていることを特徴とするものであ
る。
【００１１】更に、本発明の異物検査装置は、リング状
の回転テーブルを回転させる回転手段がリング状の回転
テーブルの回転テーブルホルダと、リング状の回転テー
ブルに圧接され、モータに接続された圧接ローラとで構
成されていることを特徴とするものである。
の回転テーブルを回転させる回転手段がリング状の回転
テーブルの回転テーブルホルダと、リング状の回転テー
ブルに圧接され、モータに接続された圧接ローラとで構
成されていることを特徴とするものである。
【００１２】更にまた、本発明の異物検査装置は、レー
ザ光源と検出光学系とを被検査基板両面の異物検査時に
共用するための共用手段を有することを特徴とするもの
である。
ザ光源と検出光学系とを被検査基板両面の異物検査時に
共用するための共用手段を有することを特徴とするもの
である。
【００１３】本発明の骨子は、従来の異物検査装置に、
レーザ光源のレーザ光を異物検査をする被検査基板の下
面に迂回させる光学手段と、被検査基板下面上の異物に
よるレーザ光源のレーザ光の乱反射光を検出光学系に導
入する光学手段と、回転テーブルをリング状の回転テー
ブルとし、リング状の回転テーブル周辺部に接触してリ
ング状の回転テーブルを回転させる回転手段とを設け
て、被検査基板の両面の異物検査を可能にしたことであ
る。
レーザ光源のレーザ光を異物検査をする被検査基板の下
面に迂回させる光学手段と、被検査基板下面上の異物に
よるレーザ光源のレーザ光の乱反射光を検出光学系に導
入する光学手段と、回転テーブルをリング状の回転テー
ブルとし、リング状の回転テーブル周辺部に接触してリ
ング状の回転テーブルを回転させる回転手段とを設け
て、被検査基板の両面の異物検査を可能にしたことであ
る。
【００１４】
【発明の実施の形態】以下、本発明の具体的実施の形態
例につき、添付図面を参照して説明する。なお従来技術
の説明で参照した図２中の構成部分と同様の構成部分に
は、同一の参照符号を付すものとする。
例につき、添付図面を参照して説明する。なお従来技術
の説明で参照した図２中の構成部分と同様の構成部分に
は、同一の参照符号を付すものとする。
【００１５】本実施の形態例は異物検査装置に本発明を
適用した例であり、これを図１を参照して説明する。ま
ず、本発明の異物検査装置のリング状の回転テーブルを
回転させる回転手段について説明する。図１に示すよう
に、両面ミラー仕上げの半導体ウェハ３１を載せる回転
テーブル３２を支持するリング状の回転テーブルホルダ
３３が、円形支柱３４（例えば、リング状の回転テーブ
ルホルダ３３に等間隔に設けられた４本の円形支柱）に
よって、Ｘ−Ｙステージ１１上に設けられている。ま
た、Ｘ−Ｙステージ１１上には、回転テーブル３２を回
転させるためのモータ３５が設置されている。このモー
タ３５には圧接ローラ３６が取り付けられており、リン
グ状の回転テーブルホルダ３３の外壁が一部削除された
部分において、圧接ローラ３６が回転テーブル３２に圧
接している。この機構により、モータ３５を回転させる
ことで、回転テーブル３２を回転させるようになってい
る。
適用した例であり、これを図１を参照して説明する。ま
ず、本発明の異物検査装置のリング状の回転テーブルを
回転させる回転手段について説明する。図１に示すよう
に、両面ミラー仕上げの半導体ウェハ３１を載せる回転
テーブル３２を支持するリング状の回転テーブルホルダ
３３が、円形支柱３４（例えば、リング状の回転テーブ
ルホルダ３３に等間隔に設けられた４本の円形支柱）に
よって、Ｘ−Ｙステージ１１上に設けられている。ま
た、Ｘ−Ｙステージ１１上には、回転テーブル３２を回
転させるためのモータ３５が設置されている。このモー
タ３５には圧接ローラ３６が取り付けられており、リン
グ状の回転テーブルホルダ３３の外壁が一部削除された
部分において、圧接ローラ３６が回転テーブル３２に圧
接している。この機構により、モータ３５を回転させる
ことで、回転テーブル３２を回転させるようになってい
る。
【００１６】次に、本発明の異物検査装置の光学系につ
いて説明する。図１に示すように、両面ミラー仕上げの
半導体ウェハ２の上方には、レーザ光源、例えばＨｅ−
Ｎｅレーザ１４が支持筐体（図示省略）に設置されてお
り、Ｈｅ−Ｎｅレーザ１４からのレーザ光は両面ミラー
仕上げの半導体ウェハ３１上面に斜め入射する位置で設
置されている。レーザー光が半導体ウェハに照射される
位置の真上には対物レンズ１５が設置され、対物レンズ
１５の上方には、ハーフミラー１６と検出光学系１７が
設置され、ハーフミラー１６の横方向には光源１８が設
置されている。上記の対物レンズ１５、ハーフミラー１
６および光源１８の第１の光学手段と、検出光学系１７
とで一つの光学系として、支持筐体（図示省略）に固定
されている。上記のような光学系のより両面ミラー仕上
げの半導体ウェハ２上面の異物検査を行う光学系を構成
する。
いて説明する。図１に示すように、両面ミラー仕上げの
半導体ウェハ２の上方には、レーザ光源、例えばＨｅ−
Ｎｅレーザ１４が支持筐体（図示省略）に設置されてお
り、Ｈｅ−Ｎｅレーザ１４からのレーザ光は両面ミラー
仕上げの半導体ウェハ３１上面に斜め入射する位置で設
置されている。レーザー光が半導体ウェハに照射される
位置の真上には対物レンズ１５が設置され、対物レンズ
１５の上方には、ハーフミラー１６と検出光学系１７が
設置され、ハーフミラー１６の横方向には光源１８が設
置されている。上記の対物レンズ１５、ハーフミラー１
６および光源１８の第１の光学手段と、検出光学系１７
とで一つの光学系として、支持筐体（図示省略）に固定
されている。上記のような光学系のより両面ミラー仕上
げの半導体ウェハ２上面の異物検査を行う光学系を構成
する。
【００１７】一方、Ｈｅ−Ｎｅレーザ１４からのレーザ
光を両面ミラー仕上げの半導体ウェハ３１下面に迂回さ
せる第２の光学手段として、Ｈｅ−Ｎｅレーザ１４から
のレーザ光の経路部で、リング状の回転テーブルホルダ
３３の移動範囲外の位置に、矢印Ａで示すような回転が
可能な可動ミラー３７とミラー３８を支持筐体（図示省
略）に設置する。更に、レーザ光の乱反射光を検出光学
系に導入する第３の光学手段として、レーザー光が両面
ミラー仕上げの半導体ウェハ３１下面に照射される位置
の真下には、対物レンズ３９が設置され、対物レンズ３
９の下方には、ミラー４０を設置し、リング状の回転テ
ーブルホルダ３３の移動範囲外の位置に、ミラー４１と
ミラー４２を設置されている。両面ミラー仕上げの半導
体ウェハ３１の上方の対物レンズ１５とハーフミラー１
６の途中には、矢印Ｂで示すような回転が可能な可動ミ
ラー４３が上記の第１の光学手段に組み込まれて設置さ
れている。上述した対物レンズ３９、ミラー４０、ミラ
ー４１およびミラー４２と第１の光学手段に組み込まれ
た可動ミラー４３とで構成される第３の光学手段が上記
の一つの光学系に接続されている。ここで、被検査基板
上面の異物検査と回転テーブル下面の異物検査する際
に、Ｈｅ−Ｎｅレーザと検出光学系とを、両面の異物検
査時に共用するために、Ｈｅ−Ｎｅレーザ光の経路と、
Ｈｅ−Ｎｅレーザ光が異物に当たって反射する乱反射光
の経路を変更する手段である可動させる共用手段が可動
ミラー３７と可動ミラー４３である。
光を両面ミラー仕上げの半導体ウェハ３１下面に迂回さ
せる第２の光学手段として、Ｈｅ−Ｎｅレーザ１４から
のレーザ光の経路部で、リング状の回転テーブルホルダ
３３の移動範囲外の位置に、矢印Ａで示すような回転が
可能な可動ミラー３７とミラー３８を支持筐体（図示省
略）に設置する。更に、レーザ光の乱反射光を検出光学
系に導入する第３の光学手段として、レーザー光が両面
ミラー仕上げの半導体ウェハ３１下面に照射される位置
の真下には、対物レンズ３９が設置され、対物レンズ３
９の下方には、ミラー４０を設置し、リング状の回転テ
ーブルホルダ３３の移動範囲外の位置に、ミラー４１と
ミラー４２を設置されている。両面ミラー仕上げの半導
体ウェハ３１の上方の対物レンズ１５とハーフミラー１
６の途中には、矢印Ｂで示すような回転が可能な可動ミ
ラー４３が上記の第１の光学手段に組み込まれて設置さ
れている。上述した対物レンズ３９、ミラー４０、ミラ
ー４１およびミラー４２と第１の光学手段に組み込まれ
た可動ミラー４３とで構成される第３の光学手段が上記
の一つの光学系に接続されている。ここで、被検査基板
上面の異物検査と回転テーブル下面の異物検査する際
に、Ｈｅ−Ｎｅレーザと検出光学系とを、両面の異物検
査時に共用するために、Ｈｅ−Ｎｅレーザ光の経路と、
Ｈｅ−Ｎｅレーザ光が異物に当たって反射する乱反射光
の経路を変更する手段である可動させる共用手段が可動
ミラー３７と可動ミラー４３である。
【００１８】また、従来の異物検査装置と同様に、検出
光学系１７からの信号の信号処理、演算処理、位置記憶
およびＸ−Ｙステージ１１やモータ３５の位置情報処理
等をおこなう検査制御システム１９や検査制御システム
１９からの信号を基にＸ−Ｙステージ１１やモータ３５
を駆動させる位置制御装置２０が設けられている。
光学系１７からの信号の信号処理、演算処理、位置記憶
およびＸ−Ｙステージ１１やモータ３５の位置情報処理
等をおこなう検査制御システム１９や検査制御システム
１９からの信号を基にＸ−Ｙステージ１１やモータ３５
を駆動させる位置制御装置２０が設けられている。
【００１９】上述した異物検査装置１の動作は、まず可
動ミラー３７と可動ミラー４３を破線の位置に移動さ
せ、回転テーブル３２を回転しながら、Ｘ−Ｙステージ
１１を一方向、例えばＸ方向にに一定の速度で移動さ
せ、従来と同様にして、回転テーブル３２の回転中心と
半導体ウェハ３１の中心との偏心度や半導体ウェハ３１
のオリエンテーションフラットを含む外周を確定し、半
導体ウェハ３１の中心位置、即ち基準位置を設定する。
動ミラー３７と可動ミラー４３を破線の位置に移動さ
せ、回転テーブル３２を回転しながら、Ｘ−Ｙステージ
１１を一方向、例えばＸ方向にに一定の速度で移動さ
せ、従来と同様にして、回転テーブル３２の回転中心と
半導体ウェハ３１の中心との偏心度や半導体ウェハ３１
のオリエンテーションフラットを含む外周を確定し、半
導体ウェハ３１の中心位置、即ち基準位置を設定する。
【００２０】次に、再びＸ−Ｙステージ１１を一方向、
例えばＸ方向にに一定の速度で移動させ、両面ミラー仕
上げの半導体ウェハ３１上面の異物によるレーザ光の乱
反射を対物レンズ１５を通して検出光学系１７で受光
し、検出光学系１７からの信号は検査制御システム１９
で信号処理や演算処理が行われ、基準位置に対する異物
の位置データや大きさを算出し、記録する。
例えばＸ方向にに一定の速度で移動させ、両面ミラー仕
上げの半導体ウェハ３１上面の異物によるレーザ光の乱
反射を対物レンズ１５を通して検出光学系１７で受光
し、検出光学系１７からの信号は検査制御システム１９
で信号処理や演算処理が行われ、基準位置に対する異物
の位置データや大きさを算出し、記録する。
【００２１】次に、可動ミラー３７と可動ミラー４３を
実線の位置に移動させ、Ｘ−Ｙステージ１１を一方向、
例えばＸ方向に一定の速度で移動させ、両面ミラー仕上
げの半導体ウェハ３１下面の異物によるレーザ光の乱反
射を対物レンズ３９を通し、ミラー４０、ミラー４１、
ミラー４２および可動ミラー４３で反射させて、検出光
学系１７で受光し、検出光学系１７からの信号は、検査
制御システム１９で信号処理や演算処理が行われ、基準
位置に対する異物の位置データや大きさを算出し、記録
する。
実線の位置に移動させ、Ｘ−Ｙステージ１１を一方向、
例えばＸ方向に一定の速度で移動させ、両面ミラー仕上
げの半導体ウェハ３１下面の異物によるレーザ光の乱反
射を対物レンズ３９を通し、ミラー４０、ミラー４１、
ミラー４２および可動ミラー４３で反射させて、検出光
学系１７で受光し、検出光学系１７からの信号は、検査
制御システム１９で信号処理や演算処理が行われ、基準
位置に対する異物の位置データや大きさを算出し、記録
する。
【００２２】上述のような異物検査装置の構造と動作に
よって、両面ミラー仕上げの半導体ウェハ３１両面の異
物検査が可能になり、より確実に異物発生工程を特定で
き、この異物の発生防止対策をとることで、半導体集積
回路等の製造歩留を向上させることができる。なお、上
述した実施の形態例の説明においては、両面ミラー仕上
げの半導体ウェハを用いた場合の半導体ウェハの両面の
異物検査に関して述べたが、半導体ウェハの下面が通常
のほぼ平坦な半導体ウェハの場合で、比較的大きな異物
のみを検査する場合には、通常の半導体ウェハを用いて
も両面の異物検査が可能である。更に、ガラス基板等が
用いられる通常の液晶表示装置のＴＦＴアクティブマト
リクス基板においては、両面ミラー仕上げの半導体ウェ
ハの場合と同様に両面の異物検査ができる。
よって、両面ミラー仕上げの半導体ウェハ３１両面の異
物検査が可能になり、より確実に異物発生工程を特定で
き、この異物の発生防止対策をとることで、半導体集積
回路等の製造歩留を向上させることができる。なお、上
述した実施の形態例の説明においては、両面ミラー仕上
げの半導体ウェハを用いた場合の半導体ウェハの両面の
異物検査に関して述べたが、半導体ウェハの下面が通常
のほぼ平坦な半導体ウェハの場合で、比較的大きな異物
のみを検査する場合には、通常の半導体ウェハを用いて
も両面の異物検査が可能である。更に、ガラス基板等が
用いられる通常の液晶表示装置のＴＦＴアクティブマト
リクス基板においては、両面ミラー仕上げの半導体ウェ
ハの場合と同様に両面の異物検査ができる。
【００２３】
【発明の効果】以上の説明から明らかなように、本発明
の異物検査装置は、Ｈｅ−Ｎｅレーザと検出光学系とを
共用して、ウェハの両面の異物検査が可能となり、より
確実に異物発生工程を特定でき、この異物の発生防止対
策をとることで、半導体集積回路等の製造歩留を向上さ
せることができる。
の異物検査装置は、Ｈｅ−Ｎｅレーザと検出光学系とを
共用して、ウェハの両面の異物検査が可能となり、より
確実に異物発生工程を特定でき、この異物の発生防止対
策をとることで、半導体集積回路等の製造歩留を向上さ
せることができる。
【図１】本発明を適用した実施の形態例の異物検査装置
の概略図である。
の概略図である。
【図２】従来例の異物検査装置の概略図である。
１ 異物検査装置 ２ 半導体ウェハ １１ Ｘ−Ｙステージ １２ 回転テーブル １３ モータ １４ Ｈｅ−Ｎｅレーザ １５ 対物レンズ １６ ハーフミラー１６ １７ 検出光学系 １８ 光源 １９ 検査制御システム ２０ 位置制御装置 ３１ 半導体ウェハ ３２ 回転テーブル ３３ 回転テーブルホルダ ３４ 円形支柱 ３５ モータ ３６ 圧接ローラ ３７ 可動ミラー ３８ ミラー ３９ 対物レンズ ４０〜４２ ミラー ４３ 可動ミラー
Claims (4)
- 【請求項１】 レーザ光源と検出光学系と被検査基板を
載置する回転テーブルを有する異物検査装置において、 前記被検査基板の上面の異物によるレーザ光源のレーザ
光の乱反射光を検査する第１の光学手段と、 前記レーザ光源のレーザ光を異物検査をする前記被検査
基板の下面に迂回させる第２の光学手段と、 前記被検査基板下面上の異物による前記レーザ光源のレ
ーザ光の乱反射光を前記検出光学系に導入する第３の光
学手段と、 前記回転テーブルをリング状の回転テーブルとし、前記
リング状の回転テーブル周辺部に接触して前記リング状
の回転テーブルを回転させる回転手段とを有することを
特徴とする異物検査装置。 - 【請求項２】 前記被検査基板の下面に迂回させる第２
の光学手段がミラーで構成され、前記検出光学系に導入
する第３の光学手段が対物レンズとミラーとで構成され
ていることを特徴とする請求項１記載の異物検査装置。 - 【請求項３】 前記リング状の回転テーブルを回転させ
る回転手段が前記リング状の回転テーブルの回転テーブ
ルホルダと、前記リング状の回転テーブルに圧接され、
モータに接続された圧接ローラとで構成されていること
を特徴とする請求項１記載の異物検査装置。 - 【請求項４】 前記レーザ光源と前記検出光学系とを被
検査基板両面の異物検査時に共用するための共用手段を
有することを特徴とする請求項１記載の異物検査装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32074795A JPH09159617A (ja) | 1995-12-08 | 1995-12-08 | 異物検査装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32074795A JPH09159617A (ja) | 1995-12-08 | 1995-12-08 | 異物検査装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09159617A true JPH09159617A (ja) | 1997-06-20 |
Family
ID=18124841
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP32074795A Pending JPH09159617A (ja) | 1995-12-08 | 1995-12-08 | 異物検査装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09159617A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0898300A2 (en) * | 1997-08-18 | 1999-02-24 | Motorola, Inc. | Method and apparatus for processing a semiconductor wafer on a robotic track having access to in situ wafer backside particle detection |
| JP2003529743A (ja) * | 1999-06-18 | 2003-10-07 | ケーエルエー−テンカー テクノロジィース コーポレイション | スキャン、繋ぎ合わせ、および防振を含む両面計測検査具での測定 |
| JP2012169593A (ja) * | 2011-01-26 | 2012-09-06 | Canon Inc | インプリント装置、検出方法、物品の製造方法及び異物検出装置 |
| CN105438813A (zh) * | 2015-12-28 | 2016-03-30 | 江苏创基新能源有限公司 | 叠层件检查装置 |
| US9784487B2 (en) | 2011-03-28 | 2017-10-10 | Denso Corporation | Decompression device having flow control valves and refrigeration cycle with said decompression device |
| CN110763144A (zh) * | 2019-11-06 | 2020-02-07 | 中铁隧道局集团有限公司 | 一种快速测量盾构管片隧道内径尺寸偏差的测量装置及方法 |
-
1995
- 1995-12-08 JP JP32074795A patent/JPH09159617A/ja active Pending
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0898300A2 (en) * | 1997-08-18 | 1999-02-24 | Motorola, Inc. | Method and apparatus for processing a semiconductor wafer on a robotic track having access to in situ wafer backside particle detection |
| EP0898300A3 (en) * | 1997-08-18 | 2001-08-22 | Motorola, Inc. | Method and apparatus for processing a semiconductor wafer on a robotic track having access to in situ wafer backside particle detection |
| KR100381316B1 (ko) * | 1997-08-18 | 2003-08-02 | 모토로라 인코포레이티드 | 반도체웨이퍼처리방법 |
| JP2003529743A (ja) * | 1999-06-18 | 2003-10-07 | ケーエルエー−テンカー テクノロジィース コーポレイション | スキャン、繋ぎ合わせ、および防振を含む両面計測検査具での測定 |
| JP2012169593A (ja) * | 2011-01-26 | 2012-09-06 | Canon Inc | インプリント装置、検出方法、物品の製造方法及び異物検出装置 |
| US9784487B2 (en) | 2011-03-28 | 2017-10-10 | Denso Corporation | Decompression device having flow control valves and refrigeration cycle with said decompression device |
| CN105438813A (zh) * | 2015-12-28 | 2016-03-30 | 江苏创基新能源有限公司 | 叠层件检查装置 |
| CN105438813B (zh) * | 2015-12-28 | 2017-09-19 | 江苏创基新能源有限公司 | 叠层件检查装置 |
| CN110763144A (zh) * | 2019-11-06 | 2020-02-07 | 中铁隧道局集团有限公司 | 一种快速测量盾构管片隧道内径尺寸偏差的测量装置及方法 |
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