JPH0414282B2 - - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の利用分野〕 本発明は、磁気デイスクの表面欠陥検査方法お
よび装置に係り、特に梨地状微小凹凸を有する磁
気デイスクの表面に存在する欠陥を、自動的に検
出することができる、磁気デイスクの表面欠陥検
査方法および装置に関するものである。

〔発明の背景〕

磁気デイスクは、研磨仕上したアルミ面板上に
磁性材である酸化鉄砥粒を塗布したものである。
この塗布工程は、溶剤と酸化鉄砥粒との混合液
を、高速回転中のアルミ面板上に滴して、その後
前記溶剤に蒸発させるものである。しかしこの塗
布工程によつて形成される塗布膜には、クレータ
状欠陥、すじ状欠陥が発生する。

以下、このことを図面を使用して説明する。

第１１図は、磁気デイスクを示す平面図、第１
２図は、第１１図における部近傍を示す拡大斜
視断面図、第１３図は、第１１図における部近
傍を示す拡大斜視断面図、第１４図は、磁気デイ
スクに発生する欠陥の典型例を示す拡大断面図で
ある。

各図において、１は、アルミ面板４上に塗布膜
５を形成した磁気デイスク、２，３は、それぞれ
塗布膜５に発生したクレータ状欠陥、すじ状欠陥
である。クレータ状欠陥２は、前記混合液とアル
ミ面板４との接触部に汚れが存在すると、溶剤蒸
発後に塗布膜５の表面に発生する。また、すじ状
欠陥３は、砥粒不均一部があると、回転遠心力に
よりアルミ面板４の半径方向外側に発生する。

これらのクレータ状欠陥２、すじ状欠陥３は、
磁気デイスク１の書き込みエラーの原因となるの
で、前記塗装工程終了後に検査を行なう必要があ
る。

ところで、アルミ面板４は厚さ２mmであり、こ
の上の塗布膜５は、厚さ1μｍ、表面粗さ0.01μｍ
Raの梨地状微小凹凸を呈している。そしてクレ
ータ状欠陥２の大きさ、すじ状欠陥３の幅（以
下、大きさ、幅をまとめて大きさｄという）は、
第４図に示すように、0.5〜２mmが典型的である。
欠陥の深さｈは0.2μｍ以上のものが書き込みエラ
ー原因となるので、0.2μｍ以上の欠陥の深さｈを
検出する必要がある。したがつて、検出すべき欠
陥の深さｈは、大きさｄに比べ、ｈ／ｄ＝１：
2500（＝10000）と著しく小さい。

このように小さい欠陥は、表面が滑らかなもの
については、たとえばニユートンリングによる干
渉縞によつて検出できるものの、磁気デイスクの
ように表面が梨地状微小凹凸をなしたものでは前
記ニユートンリングを適用できず、従来、目視に
よつて欠陥を検査しており、したがつて磁気デイ
スクの信頼性が低いという課題があつた。

〔発明の目的〕

本発明の目的は、上記従来技術の課題を解決す
べく、円板上に、梨地状微小凹凸をなした表面を
有する磁性膜を形成した磁気デイスクの磁性膜表
面上の大きさに比べて深さが著しく浅い欠陥、例
えばクレータ状欠陥、すじ状欠陥等を光学的に、
且つ自動的に検出することができるようにした磁
気デイスクの表面欠陥検査方法および装置を提供
することにある。

〔発明の概要〕

本発明は、上記目的を達成するために、円板上
に、梨地状微小凹凸をなした表面を有する磁性膜
を形成した磁気デイスクの表面に、垂直方向に対
して傾けた方向からほぼ平行なる照明光を照射
し、上記磁気デイスクの磁性膜表面に存在する大
きさに比べて深さが著しく浅い欠陥による該欠陥
表面からの反射光の凹面鏡効果と上記欠陥による
磁性膜の膜厚減少によつて磁性膜を通して円板表
面で反射してくる反射光の減衰量の減少効果との
相乗効果に基づいて生じる反射光照度分布の局部
増加変動から、上記磁性膜表面の梨地状微小凹凸
をなした表面からの散乱光を遮光光学系で遮光し
て光電変換手段で受光し、該光電変換手段から得
られる信号に基づいて、梨地状微小凹凸をなした
磁性膜表面に存在する大きさに比べて深さが著し
く浅い欠陥を検出することを特徴とする磁気デイ
スクの表面欠陥検査方法である。また本発明は、
円板上に、梨地状微小凹凸をなした表面を有する
磁性膜を形成した磁気デイスクの表面に、垂直方
向に対して傾けた方向からほぼ平行なる照明光を
照射する照明光照射光学系と、該照明光照射光学
系で照射され、上記磁気デイスクの磁性膜表面に
存在する大きさに比べて深さが著しく浅い欠陥に
よる該欠陥表面からの反射光の凹面鏡効果と上記
欠陥による磁性膜の膜厚減少によつて磁性膜を通
して円板表面で反射してくる反射光の減衰量の減
少効果との相乗効果に基づいて生じる反射光照度
分布の局部増加変動から、上記磁性膜表面の梨地
状態小凹凸をなした表面からの散乱光を遮光光学
系で遮光して光電変換手段で受光する検出光学系
とを備え、該検出光学系の光電変換手段でから得
られる信号に基づいて、梨地状微小凹凸をなした
磁性膜表面に存在する大きさに比べて深さが著し
く浅い欠陥を検出するように構成したことを特徴
とする磁気デイスクの表面欠陥検査装置である。

〔発明の実施例〕 実施例の説明に入るまえに、本発明に係る基本
的事項を説明する。

磁気デイスクの表面に傾斜平行照明光を照射
し、その表面からの反射光の照度分布を測定する
ことにより、表面にある欠陥を検出するようにし
たものである。

本発明者は、表面に欠陥があると、(a)欠陥によ
る凹面鏡効果、および(b)アルミ面板の表面からの
反射光の減衰効果が生じ、これら(a)，(b)の相乗効
果に起因して照度分布に変動が生ずるという現象
を発見し、この現象を本発明に利用するものであ
る。この場合、反射光の照度分布を測定するにあ
たつては、遮光光学系によつて磁気デイスク表面
からの散乱光を遮光することにより、前記照度変
動コントラストを大きくし、安定な検出ができる
ようにした。

さらに、すじ状欠陥の検出に際しては、シリン
ドリカルレンズを使用し、その欠陥の像を、当該
すじ状欠陥の長手方向に圧縮して照度変動のコン
トラストを大きくするようにした。

以下、図面を使用して説明する。

第１図〜第５図は、本発明に係る基本的事項を
説明するためのものであり、第１図は、欠陥によ
る各種効果による磁気デイスク表面からの反射光
照度分布図、第２図は、傾斜平行照明光の傾斜角
度の、反射光照度分布のコントラストへの影響を
示す、磁気デイスク表面近傍の詳細断面および反
射光照度分布図、第３図は、散乱光の影響を除く
手段を説明するための、遮光光学系を具備した光
電変換装置およびこの光電変換装置によつて測定
した、クレータ状欠陥に対応する反射光照度分布
図、第４図は、すじ状欠陥を検出する手段を説明
するための、シリンドリカルレンズを配設した光
電変換装置、配設しない光電変換装置およびこれ
らの光電変換装置によつて測定した、すじ状欠陥
に対応する反射光照度分布図、第５図は、第４図
ａに係るシリンドリカルレンズを配設した光電変
換装置とこれによつてすじ状欠陥を検出している
状態を示す平面図である。

各図において、２はクレータ状欠陥、３はすじ
状欠陥、４はアルミ面板、５は塗布膜であり、ま
た同一番号を付したものは同一部分である。

第１図ａは、欠陥による凹面鏡効果を説明する
ものであり、塗布膜５に対して傾斜平行照明光６
を照射すると、塗布膜表面からの反射光７ａの照
度分布は、欠陥２，３の凹面鏡効果により、図示
のように局部的に変動する。これが、(a)欠陥によ
る凹面鏡効果である。一方、第１図ｂは、アルミ
面板の表面減衰効果を説明するものであり、厚さ
1μｍの塗布膜５は半透明であるので、傾斜平行
照明光６はアルミ面板４の表面で反射して、アル
ミ表面からの７ｂとなる。この際、欠陥２，３部
を透過、反射した傾斜平行照明光６、反射光７ｂ
は、いずれも欠陥のない正常部に比べ、塗布膜５
内での減衰が少ないため、アルミ表面からの反射
光７ｂの照度分布に局部的変動を生じる。これ
が、(b)アルミ面板の表面からの反射光の減衰効果
である。

以上の(a)，(b)の相重効果を利用した、欠陥に起
因する照度分布の変動を、本発明に利用するよう
にしたものである。

次に、第２図を使用して、傾斜平行照明光６の
傾斜角度θの影響について説明する。

第２図ａは、欠陥近傍○イ〜○ロ領域を示し、第２
図ｂは、この第２図ａにおける部に傾斜角度θ
＝40゜の傾斜平行照明光６を照射している状態を
示す拡大断面図で、また第２図ｃは、傾斜角度θ
＝40゜のときの欠陥近傍○イ〜○ロ領域の、反射光照
度分布を示している。そして、第２図ｄは、第２
図ａにおける部に傾斜角度θ＝20゜の傾斜平行
照明光６を照射している状態を示す拡大断面図
で、また第２図ｅは、傾斜角度θ＝20゜のときの
欠陥近傍○イ〜○ロ領域の、反射光照度分布を示して
いる。

塗布膜５の表面は梨地状微小凹凸を呈している
ので、傾斜平行照明光６により反射光７ａと散乱
光８が発生する。反射光７ａは、梨地状微小凹凸
の平坦部から、また散乱光８は梨地状微小凹凸の
エツジ部から各々発生する。そこで、傾斜角度θ
を小さくすると平坦部の見かけの割合が多くなる
ので、反射光７ａの照度が高くなる。本発明者の
実験では、θ＝20゜、40゜の場合について、反射光
照度分布をピンホール１５、光電変換素子１６を
用い、試料に係る磁気デイスクをＸ方向に移動さ
せて、○イ○ロ間の反射光照度分布を測定した。その
結果、第２図ｃ，ｅに示すように、傾斜角度θ＝
20゜の場合の方がθ＝40゜の場合に比べ、反射光照
度が約５倍高くなり、欠陥２に対応した照度変動
（コントラスト）も大きくなることがわかつた。
したがつて、傾斜平行照明光６の傾斜角度θは小
さい方が望ましい。

次に、第３図を使用して、散乱光の影響を除く
方法を説明する。

第３図ａは、傾斜平行照明装置２０と、散乱光
８を除くための遮光光学系１８を具備した光電変
換装置２１とを略示的に示したものであり、第３
図ｂは、第３図ａにおける光電変換装置２１を使
用して測定した、クレータ状欠陥を対応する反射
光照度分布を、第３図ｃは、この光電変換装置を
使用しないで測定したときの、クレータ状欠陥に
対応する反射光照度分布を、それぞれ示してい
る。

前記した傾斜平行照明装置２０は、光源９、ピ
ンホール１０、凸レンズ１１の組合せからなるも
のである。また、光電変換装置２１は、２枚のピ
ンホール１８ａ，１８ｂからなる遮光光学系１８
と光電変換素子１６との組合せを配設してなるも
のである。したがつて、反射光７ａのうちその中
心部の平行光のみ２枚のピンホール１８ａ，１８
ｂを通過して光電変換素子１６に入り反射光分布
が測定される。

遮光光学系１８を具備した光電変換装置２１で
測定した反射光照明分布のコントラストは第３図
ｂのようになり、遮光光学系を具備しない光電変
換装置（光電変換装置２１から遮光光学系１８を
除いたもの）で測定したものは第３図ｃのように
なり、遮光光学系がない場合には照度変動が少な
く安定な検出ができないが、遮光光学系１８を具
備せしめたものでは、クレータ状欠陥２に対応し
た照度変動（コントラスト）が著しく大きくなる
ことがわかる。同様の効果を有する遮光光学系１
８０で用いられる凸レンズ１２，１４を使用した
場合には、光の１部がレンズ表面で反射、散乱し
て本来観測したい対象物の像に重なつて拡がるい
わゆるフレア現象が発生して安定な検出ができな
い。

最後に、第４，５図を使用して、すじ状欠陥３
を検出する方法を説明する。

第４図ａは、すじ状欠陥３を検出するための、
シリンドリカルレンズ１９を配設した光電変換装
置２１Ａを略示的に示し、第４図ｂは、この光電
変換装置２１Ａによつて測定した、すじ状欠陥３
に対応する反射光照度分布を示している。一方、
第４図ｃは、第３図ｄのレンズによる遮光光学系
を含む光電変換装置２１１を略示的に示し、第４
図ｄは、この光電変換装置２１１によつて測定し
た、すじ状欠陥３に対応する反射光照度分布を示
しているがレンズによるフレアが生じておりｂに
比べ信号が劣化している。前述の光電変換装置２
１Ａは、上記塗布膜５のｙ方向に長いスリツト穴
１８c′，１８d′を夫々有する２枚のスリツト１８
ｃ，１８ｄからなる遮光光学系１８′の後にシリ
ンドリカルレンズ１９、スリツト１７および光電
変換素子１６との組合せを配設したものである。

上記シリンドリカルレンズ１９は、すじ状欠陥
３の長手方向にのみ光学的に圧縮する効果を有し
ており、このシリンドリカルレンズ１９の後に、
前記圧縮方向と直角方向に細い幅を有するスリツ
ト１７が配設されている。このシリンドリカルレ
ンズ１９とスリツト１７とを用いた光電変換装置
２１Ａによる走査の方が（第４図ｂが、この場合
の反射照度分布）、ピンホール１５を用いた光電
変換装置２１０によるよりも、欠陥３に対応した
照度変動が大きくなる。

すじ状欠陥３の長手方向は磁気デイスク１の半
径方向と一致するので、第５図に示すように、磁
気デイスク１をφ方向へ回転することにより、す
じ状欠陥３ａ，３ｃ，３ｄが光電変換装置２１Ａ
により検出される。また、磁気デイスク１の内径
側のすじ状欠陥３ｂ，３ｄに対しては、磁気デイ
スク１をｙ方向に適当な距離だけ並進させた後、
その磁気デイスク１を回転させれば、傾斜平行照
度部６ａがデイスク内側に移り、すじ状欠陥３
ｂ，３ｄが同様に検出されるものである。

本発明は、上記した解明に基づいてなされたも
のである。以下、この発明を実施例によつて説明
する。

第６図は、本発明の一実施例に係る磁気デイス
クの表面欠陥検査方法の実施に供せられる表面欠
陥検査装置の一例を示す平面図、第７図は、第６
図における−断面図、第８図は、クレー
タ状欠陥を検査する場合の走査方法を説明するた
めの平面図、第９図は、すじ状欠陥を検査する場
合の走査方法を説明するための平面図、第１０図
は、第６図に係る磁気デイスクの表面欠陥検査装
置の動作を説明するための検査ブロツク図であ
る。

第６，７図において、試料に係る磁気デイスク
１は、ホルダ２７に載置されるようになつてお
り、このホルダ２７の回転軸２７ａは、ベアリン
グ２８で支持されている。回転軸２７ａの端部
は、カツプリング２３によりDCモータ２４に連
結されており、このDCモータ２４の他の軸はエ
ンコーダ２５に接続される。以上の部品は、ハウ
ジング２２，２６に装着されており、試料搬送部
２９を構成している。そして、この試料搬送部２
９は、ベアリング３５を介してベース３４上にＰ
方向へ移動可能に支持されている。また、ベース
３４上のパルスモータ３０は、カツプリング３
１、おねじ３２、ハウジング２６に取付けられた
めねじ３３を介して、ベアリング３５上の試料搬
送部２９を並進移動（Ｐ方向）させることができ
る。

２０は、磁気デイスク１の表面にその表面に対
して傾斜角度を有する傾斜平行照明光６を照射す
る、光源９、ピンホール１０、凸レンズ１１の組
合せからなる（第３図ａ参照）傾斜平行照明装置
であり、この傾斜平行照明装置２０は、ベース３
４に立てられた支柱３６上に装着されている。２
１は、２枚の凸レンズ１２，１４と、これらの間
に介挿したピンホール１３との組合せからなる遮
光光学系１８を具備し、この遮光光学系１８の後
に、ピンホール１５と光電変換素子１６との組合
せを配設してなる（第３図ａ参照）光電変換装置
であり、この光電変換装置２１は、前記傾斜平行
照明光６による前記表面からの反射光７（７ａと
７ｂとを含む）の照度を測定することができるよ
うに、ベース３４に立てられた支柱３７上に装着
されている。

このように構成した磁気デイスクの表面欠陥検
査装置によつて、クレータ状欠陥を検出する動作
を説明する。

試料に係る磁気デイスク１をホルダ２７上に載
置固定する。ここで表面欠陥検査装置をONにす
ると、傾斜平行照明装置２０から磁気デイスク１
の表面上に傾斜平行照明光６が照射される。パル
スモータ３０、DCモータ２４が駆動され、ピン
ホール１５の開口の磁気デイスク１上に対応する
部分１５ａの大きさと同じ距離でピツチＰの並進
移動Ｐと、回転運動φとを組合せて、磁気デイス
ク１上のクレータ状欠陥が光電変換装置２１によ
つて検出される。そして、その欠陥の位置が表示
回路４４に表示される。

これを検査ブロツク線図（第１０図）を使用し
て説明すると、光電変換装置２１からの検出信号
は増幅器３８を経て、二値化回路３９で比較電圧
Ｖにより二値化信号となり制御回路４０に至る。
制御回路４０は、DCモータ駆動回路４２、パル
スモータ駆動回路４３を作動させて、DCモータ
２４、パルスモータ３０を駆動させる。エンコー
ダ２５で得られる磁気デイスク１の回転方向位置
は増幅器４１を経て、制御回路４０に至る。そし
て、前記したように、表示回路４４には磁気デイ
スクの欠陥位置が表示される。このようにして、
磁気デイスク１の全面のピンホール走査が終了し
たとき、磁気デイスクの表面欠陥検査装置が
OFFになる。

次に、すじ状欠陥を検出する動作を説明する。

この場合には、光電変換装置２１の代りに、シ
リンドリカルレンズ１９を配設した光電変換装置
２１Ａ（第４図ａ）を、支柱３７に装着する。走
査方法は、第９図に示すように、傾斜平行照明部
６ａを幅とする環状部３８ａ，３８ｂ，３８ｃを
順次走査すればよい。

以上説明した実施例によれば、磁気デイスク１
の塗布膜５上のクレータ状欠陥２、すじ状欠陥３
を自動的に且つ正確に検査することが可能とな
り、磁気デイスク１の信頼性を著しく向上させる
ことができるという効果がある。

なお、上記実施例においては、クレータ状欠陥
を検査する場合と、すじ状欠陥を検査する場合と
では、異なる光電変換装置２１，２１Ａを使用す
る必要があるが、遮光光学系１８の後に半透過鏡
を配設して反射光の光路を分岐し、一方の光路に
ピンホール１５と光電変換素子１６を、他方の光
路にシリンドリカルレンズ１９、スリツト１７お
よび光電変換素子１６を、それぞれ配設した光電
変換装置を使用するようにすれば、クレータ状欠
陥と、すじ状欠陥とを同時に検査することができ
るという利点がある。

以上に述べた表面欠陥検査方法および装置は、
磁気デイスク１の表面欠陥を検出するために適用
することができるのみならず、その他の梨地状微
小凹凸を有する平板表面の欠陥を検出するために
も適用できるものである。

〔発明の効果〕

以上詳細に説明したように本発明によれば、円
板上に、梨地状微小凹凸をなした表面を有する磁
性膜を形成した磁気デイスクの磁性膜表面上の大
きさに比べて深さが著しく浅い欠陥、例えばクレ
ータ状欠陥、すじ状欠陥等を光学的に、且つ自動
的に検出することができる効果を奏する。

【図面の簡単な説明】

第１図〜第５図は、本発明に係る基本的事項を
説明するためのものであり、第１図は、欠陥によ
る各種効果による磁気デイスク表面からの反射光
照度分布図、第２図は、傾斜平行照明光の傾斜角
度の、反射光照度分布のコントラストへの影響を
示す、磁気デイスク表面近傍の詳細断面および反
射光照度分布図、第３図は、散乱光の影響を除く
手段を説明するための、遮光光学系を具備した光
電変換装置およびこの光電変換装置によつて測定
した、クレータ状欠陥に対応する反射光照度分布
図、第４図は、すじ状欠陥を検出する手段を説明
するための、シリンドリカルレンズを配設した光
電変換装置、配設しない光電変換装置およびこれ
らの光電変換装置によつて測定した、すじ状欠陥
に対応する反射光照度分布図、第５図は、第８図
ａに係るシリンドリカルレンズを配設した光電変
換装置とこれによつてすじ状欠陥を検出している
状態を示す平面図、第６図は、本発明の一実施例
に係る磁気デイスクの表面欠陥検査方法の実施例
に供せられる表面欠陥検査装置の一例を示す平面
図、第７図は、第６図における−断面
図、第８図は、クレータ状欠陥を検査する場合の
走査方法を説明するための平面図、第９図は、す
じ状欠陥を検査する場合の走査方法を説明するた
めの平面図、第１０図は、第９図に係る磁気デイ
スクの表面欠陥検査装置の動作を説明するための
走査ブロツク線図、第１１図は、磁気デイスクを
示す平面図、第１２図は、第１１図における部
近傍を示す拡大斜視断面図、第１３図は、第１１
図における部近傍を示す拡大斜視断面図、第１
４図は、磁気デイスクに発生する欠陥の典型を示
す拡大断面図である。 １……磁気デイスク、２……クレータ状欠陥、
３……すじ状欠陥、５……塗布膜、６……傾斜平
行照明光、７，７ａ，７ｂ……反射光、８……散
乱光、１２……凸レンズ、１３……ピンホール、
１４……凸レンズ、１５……ピンホール、１６…
…光電変換素子、１７……スリツト、１８，１
８′……遮光光学系、１８ａ，１８ｂ……ピンホ
ール、１８ｃ，１８ｄ……スリツト、１８c′，１
８d′……スリツト穴、１９……シリンドリカルレ
ンズ、２０……傾斜平行照明装置、２１，２１Ａ
……光電変換装置、２９……試料搬送部、４４…
…表示回路、θ……傾斜角度。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １ 円板上に、梨地状微小凹凸をなした表面を有
   する磁性膜を形成した磁気デイスクの表面に、垂
   直方向に対して傾けた方向からほぼ平行なる照明
   光を照射し、上記磁気デイスクの磁性膜表面に存
   在する大きさに比べて深さが著しく浅い欠陥によ
   る該欠陥表面からの反射光の凹面鏡効果と上記欠
   陥による磁性膜の膜厚減少によつて磁性膜を通し
   て円板表面で反射してくる反射光の減衰量の減少
   効果との相乗効果に基づいて生じる反射光照度分
   布の局部増加変動から、上記磁性膜表面の梨地状
   微小凹凸をなした表面からの散乱光を遮光光学系
   で遮光して光電変換手段で受光し、該光電変換手
   段から得られる信号に基づいて、梨地状微小凹凸
   をなした磁性膜表面に存在する大きさに比べて深
   さが著しく浅い欠陥を検出することを特徴とする
   磁気デイスクの表面欠陥検査方法。 ２ 上記遮光光学系を複数で構成し、該複数の遮
   光光学系を光電変換手段が検出する光軸方向に並
   設し、上記光電変換手段から得られる信号に基づ
   いて、梨地状微小凹凸をなした磁性膜表面に存在
   するクレータ状の欠陥を検出することを特徴とす
   る特許請求の範囲第１項記載の磁気デイスクの表
   面欠陥検査方法。 ３ 上記遮光光学系を通過した光を、一次元集光
   光学系で一次元方向に集光し、この一次元方向に
   集光された光を上記光電変換手段で受光し、該光
   電変換手段から得られる信号に基づいて、梨地状
   微小凹凸をなした磁性膜表面に存在するすじ状の
   欠陥を検出することを特徴とする特許請求の範囲
   第１項記載の磁気デイスクの表面欠陥検査方法。 ４ 円板上に、梨地状微小凹凸をなした表面を有
   する磁性膜を形成した磁気デイスクの表面に、垂
   直方向に対して傾けた方向からほぼ平行なる照明
   光を照射する照明光照射光学系と、該照明光照射
   光学系で照射され、上記磁気デイスクの磁性膜表
   面に存在する大きさに比べて深さが著しく浅い欠
   陥による該欠陥表面からの反射光の凹面鏡効果と
   上記欠陥による磁性膜の膜厚減少によつて磁性膜
   を通して円板表面で反射してくる反射光の減衰量
   の減少効果との相乗効果に基づいて生じる反射光
   照度分布の局部増加変動から、上記磁性膜表面の
   梨地状微小凹凸をなした表面からの散乱光を遮光
   光学系で遮光して光電変換手段で受光する検出光
   学系とを備え、該検出光学系の光電変換手段でか
   ら得られる信号に基づいて、梨地状微小凹凸をな
   した磁性膜表面に存在する大きさに比べて深さが
   著しく浅い欠陥を検出するように構成したことを
   特徴とする磁気デイスクの表面欠陥検査装置。 ５ 上記検出光学系は、上記遮光光学系を複数で
   構成し、該複数の遮光光学系を光電変換手段が検
   出する光軸方向に並設し、上記検出光学系の光電
   変換手段から得られる信号に基づいて、梨地状微
   小凹凸をなした磁性膜表面に存在するクレータ状
   の欠陥を検出するように構成したことを特徴とす
   る特許請求の範囲第４項記載の磁気デイスクの表
   面欠陥検査装置。 ６ 上記検出光学系は、上記遮光光学系を通過し
   た光を一次元方向に集光する一次元集光光学系を
   有し、該一次元集光光学系で一次元方向に集光さ
   れた光を上記光電変換手段で受光するように構成
   し、該検出光学系の光電変換手段から得られる信
   号に基づいて、梨地状微小凹凸をなした磁性膜表
   面に存在するすじ状の欠陥を検出するように構成
   したことを特徴とする特許請求の範囲第４項記載
   の磁気デイスクの表面欠陥検査装置。 ７ 上記検出光学系は、集光する第１の集光レン
   ズを有し、該第１の集光レンズで集光される個所
   にピンホールで形成された第１の遮光光学系を設
   置し、該遮光光学系を通過して拡がつた光を集光
   する第２の集光レンズを有し、該第２の集光レン
   ズで集光された光の一部を通す第２の遮光光学系
   を有し、該第２の遮光光学系を通過した光を上記
   光電変換手段で受光するように構成し、該検出光
   学系の光電変換手段から得られる信号に基づい
   て、梨地状微小凹凸をなした磁性膜表面に存在す
   るクレータ状の欠陥とすじ状の欠陥とを検出する
   ように構成したことを特徴とする特許請求の範囲
   第４項記載の磁気デイスクの表面欠陥検査装置。 ８ 上記検出光学系の第２の集光レンズと第２の
   遮光光学系との間に、一次元方向に集光する一次
   元方向集光光学系を配置したことを特徴とする特
   許請求の範囲第７項記載の磁気デイスクの表面欠
   陥検査装置。