JP3329539B2 - アルミディスクのグライド傷検出光学系 - Google Patents
アルミディスクのグライド傷検出光学系Info
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- Manufacturing Of Magnetic Record Carriers (AREA)
- Length Measuring Devices By Optical Means (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、磁気ディスクの素材
のアルミディスクのグライド傷を検出する光学系に関す
る。
のアルミディスクのグライド傷を検出する光学系に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】情報記録媒体として多用されている磁気
ディスクは、素材としてガラスディスクまたはアルミデ
ィスクが使用されている。アルミディスクの場合は、そ
の表面にニッケルメッキを加工してニッケルメッキ層が
形成される。ここではニッケルメッキされたアルミディ
スクを対象とし、これによる磁気ディスクの製造過程
と、その際生ずるグライド傷について簡単に説明する。
図３(a) において、素材のアルミディスク１は、その中
心孔１a と外周１b の間が、図示のように、ディスク１
の半径に比較して小円形の研磨を繰り返しながら、逐次
に全面に移動して均一に研磨される。研磨が終了する
と、研磨面はニッケルメッキ加工されてニッケルメッキ
層（Ｎｉ）が形成され、さらにその上に磁気膜が塗布さ
れて磁気ディスクが完成される。上記の研磨において
は、アルミディスク１の表面は極力平滑化されるが、し
かし多少の研磨跡、すなわちグライド傷Ｇが残存するこ
とがあり、このグライド傷に倣ってニッケルメッキ層に
もグライド傷Ｇが生ずる。グライド傷Ｇの形状は研磨と
同様に円形で、その断面は図(b) のように、皿状の凹面
をなす。グライド傷Ｇの長さと、幅ｗ、深さｄはさまざ
まであり、幅ｗと深さｄがある程度以上のときは、塗布
された磁気膜の性能に影響して有害となるので、グライ
ド傷Ｇはニッケルメッキ層が形成された段階で、グライ
ド傷検査装置により検査される。なお、グライド傷Ｇの
有害の程度は、例えば幅ｗが約２ｍｍ、深さｄが約２０
０μｍ以上とされている。
ディスクは、素材としてガラスディスクまたはアルミデ
ィスクが使用されている。アルミディスクの場合は、そ
の表面にニッケルメッキを加工してニッケルメッキ層が
形成される。ここではニッケルメッキされたアルミディ
スクを対象とし、これによる磁気ディスクの製造過程
と、その際生ずるグライド傷について簡単に説明する。
図３(a) において、素材のアルミディスク１は、その中
心孔１a と外周１b の間が、図示のように、ディスク１
の半径に比較して小円形の研磨を繰り返しながら、逐次
に全面に移動して均一に研磨される。研磨が終了する
と、研磨面はニッケルメッキ加工されてニッケルメッキ
層（Ｎｉ）が形成され、さらにその上に磁気膜が塗布さ
れて磁気ディスクが完成される。上記の研磨において
は、アルミディスク１の表面は極力平滑化されるが、し
かし多少の研磨跡、すなわちグライド傷Ｇが残存するこ
とがあり、このグライド傷に倣ってニッケルメッキ層に
もグライド傷Ｇが生ずる。グライド傷Ｇの形状は研磨と
同様に円形で、その断面は図(b) のように、皿状の凹面
をなす。グライド傷Ｇの長さと、幅ｗ、深さｄはさまざ
まであり、幅ｗと深さｄがある程度以上のときは、塗布
された磁気膜の性能に影響して有害となるので、グライ
ド傷Ｇはニッケルメッキ層が形成された段階で、グライ
ド傷検査装置により検査される。なお、グライド傷Ｇの
有害の程度は、例えば幅ｗが約２ｍｍ、深さｄが約２０
０μｍ以上とされている。
【０００３】一般に、各種のディスクの傷や凹凸、また
は付着異物などの欠陥に対して、光学式の欠陥検査装置
が使用されており、上記のグライド傷Ｇに対してこのよ
うな検査装置を適用することが試みられている。図４
(a) は上記の一般に使用されている欠陥検査装置の概略
構成を示し、被検査のディスク１を装着して回転するス
ピンドル機構２と、投光系31と受光系32よりなる検出光
学系３を有する。投光系31のレーザ光源311 よりのレー
ザビームＬＴ は、集束レンズ312 により微小な直径Δ
φ、例えば３０μｍφのスポットＳｐ に集束されてデ
ィスク１の表面に投射される。図示しない移動機構によ
り検出光学系３はディスク１の半径Ｒの方向に連続して
移動し、スポットＳｐ が表面をスパイラル状に走査す
る。欠陥のない表面ではスポットＳｐ は正反射し、欠
陥があるとスポットＳｐ は散乱する。正反射光ＬＲｓ
と散乱光ＬＲＲは受光系32の集光レンズ321 により集光
され、ハーフミラー322 により透過光と反射光に分割さ
れる。ハーフミラー322 の透過光は空間フィルタ323 に
入射し、これに含まれる正反射光ＬＲｓは、そのストッ
パＭにより遮断されて散乱光ＬＲＲのみが第１の受光器
324 に受光される。一方、反射光はスリット板325 に入
射し、正反射光ＬＲｓのみがその孔Ｈを透過して第２の
受光器326 に受光される。両受光器の各受光信号は図示
しない信号処理回路に入力されて、両受光信号の差分信
号が作成され、これにより正反射光ＬＲｓが排除されて
Ｓ／Ｎ比が向上し、欠陥が良好に検出されるものであ
る。
は付着異物などの欠陥に対して、光学式の欠陥検査装置
が使用されており、上記のグライド傷Ｇに対してこのよ
うな検査装置を適用することが試みられている。図４
(a) は上記の一般に使用されている欠陥検査装置の概略
構成を示し、被検査のディスク１を装着して回転するス
ピンドル機構２と、投光系31と受光系32よりなる検出光
学系３を有する。投光系31のレーザ光源311 よりのレー
ザビームＬＴ は、集束レンズ312 により微小な直径Δ
φ、例えば３０μｍφのスポットＳｐ に集束されてデ
ィスク１の表面に投射される。図示しない移動機構によ
り検出光学系３はディスク１の半径Ｒの方向に連続して
移動し、スポットＳｐ が表面をスパイラル状に走査す
る。欠陥のない表面ではスポットＳｐ は正反射し、欠
陥があるとスポットＳｐ は散乱する。正反射光ＬＲｓ
と散乱光ＬＲＲは受光系32の集光レンズ321 により集光
され、ハーフミラー322 により透過光と反射光に分割さ
れる。ハーフミラー322 の透過光は空間フィルタ323 に
入射し、これに含まれる正反射光ＬＲｓは、そのストッ
パＭにより遮断されて散乱光ＬＲＲのみが第１の受光器
324 に受光される。一方、反射光はスリット板325 に入
射し、正反射光ＬＲｓのみがその孔Ｈを透過して第２の
受光器326 に受光される。両受光器の各受光信号は図示
しない信号処理回路に入力されて、両受光信号の差分信
号が作成され、これにより正反射光ＬＲｓが排除されて
Ｓ／Ｎ比が向上し、欠陥が良好に検出されるものであ
る。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】いま、上記の欠陥検査
装置によりグライド傷Ｇを検査するとする。この場合
は、図４(b) に示すように、グライド傷Ｇの有害な最小
限の約２ｍｍの幅ｗに対して、スポットＳp の直径Δφ
は３０μｍに過ぎないので、グライド傷Ｇの一部分しか
照射されず、また、深さｄが幅ｗに比較して浅いために
凹面の曲率が非常に小さので、グライド傷Ｇを検出する
に必要かつ十分な散乱光ＬRRがえられない。このような
欠点により、上記の検出光学系３はグライド傷Ｇを良好
に検出できないので、この欠点を改善することが要請さ
れている。この発明は上記の欠点を改善して、アルミデ
ィスクのグライド傷Ｇを良好に検出できる検出光学系を
提供することを目的とする。
装置によりグライド傷Ｇを検査するとする。この場合
は、図４(b) に示すように、グライド傷Ｇの有害な最小
限の約２ｍｍの幅ｗに対して、スポットＳp の直径Δφ
は３０μｍに過ぎないので、グライド傷Ｇの一部分しか
照射されず、また、深さｄが幅ｗに比較して浅いために
凹面の曲率が非常に小さので、グライド傷Ｇを検出する
に必要かつ十分な散乱光ＬRRがえられない。このような
欠点により、上記の検出光学系３はグライド傷Ｇを良好
に検出できないので、この欠点を改善することが要請さ
れている。この発明は上記の欠点を改善して、アルミデ
ィスクのグライド傷Ｇを良好に検出できる検出光学系を
提供することを目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】この発明はアルミディス
クのグライド傷検出光学系であって、前記のグライド傷
検査装置において、レーザ光源のレーザビームを、グラ
イド傷の有害な最小限の幅に対応した直径を有する平行
ビームに変換してアルミディスクに投射する投光系と、
最小限の幅を有するグライド傷からの散乱光を、一括し
て集光する集光レンズおよびアルミディスク上に投射さ
れたレーザビームの正反射光に対する排除機能を有する
受光系と、により構成される。さらに他の発明は、上記
において、グライド傷の有害な最小限の幅ｗｍｉを約２
ｍｍとし、レーザ光源として、約１ｍｍの直径φ１ の
平行ビームを発振するヘリウムネオンのガスレーザ管を
使用し、投光系にこの平行ビームの直径φ１を２倍のφ
２ に変換する変換レンズ系を設けたものである。
クのグライド傷検出光学系であって、前記のグライド傷
検査装置において、レーザ光源のレーザビームを、グラ
イド傷の有害な最小限の幅に対応した直径を有する平行
ビームに変換してアルミディスクに投射する投光系と、
最小限の幅を有するグライド傷からの散乱光を、一括し
て集光する集光レンズおよびアルミディスク上に投射さ
れたレーザビームの正反射光に対する排除機能を有する
受光系と、により構成される。さらに他の発明は、上記
において、グライド傷の有害な最小限の幅ｗｍｉを約２
ｍｍとし、レーザ光源として、約１ｍｍの直径φ１ の
平行ビームを発振するヘリウムネオンのガスレーザ管を
使用し、投光系にこの平行ビームの直径φ１を２倍のφ
２ に変換する変換レンズ系を設けたものである。
【０００６】
【作用】上記の検出光学系においては、投光系のレーザ
光源のレーザビームは、グライド傷の有害な最小限の幅
に対応する直径の平行ビームに変換されて、ニッケルメ
ッキ層の表面に投射されるので、最小限の幅を有するグ
ライド傷は、その幅の範囲が同時にレーザビームに照射
されて、検出に必要な散乱光が散乱される。この散乱光
は受光系の集光レンズにより一括して集光され、さらに
その排除機能により正反射光が排除されてＳ／Ｎ比が向
上する結果、グライド傷を良好に検出することができ
る。上記において、グライド傷の有害な最小限の幅ｗmi
は約２ｍｍとされ、レーザ光源には、約１ｍｍの直径φ
1 の平行ビームを発振するヘリウムネオンのガスレーザ
管が使用され、ガスレーザ管の発振した平行ビームは、
投光系に設けた変換レンズ系により、グライド傷の最小
限の幅に対応する約２ｍｍの直径φ2 を有する平行ビー
ムに変換されて、ニッケルメッキ層に投射されるので、
上記した検出に必要な散乱光がえられる。なお、集光レ
ンズとしては、なるべく集光角度が広いものを使用す
る。なお上記においては、投射される平行ビームの直径
φ2 は、従来の検出光学系のレーザスポットの直径Δφ
に比較して、約７０倍に拡大されるので、検査時間は約
７０分の１の大幅に短縮されて、検査効率が格段に向上
する。
光源のレーザビームは、グライド傷の有害な最小限の幅
に対応する直径の平行ビームに変換されて、ニッケルメ
ッキ層の表面に投射されるので、最小限の幅を有するグ
ライド傷は、その幅の範囲が同時にレーザビームに照射
されて、検出に必要な散乱光が散乱される。この散乱光
は受光系の集光レンズにより一括して集光され、さらに
その排除機能により正反射光が排除されてＳ／Ｎ比が向
上する結果、グライド傷を良好に検出することができ
る。上記において、グライド傷の有害な最小限の幅ｗmi
は約２ｍｍとされ、レーザ光源には、約１ｍｍの直径φ
1 の平行ビームを発振するヘリウムネオンのガスレーザ
管が使用され、ガスレーザ管の発振した平行ビームは、
投光系に設けた変換レンズ系により、グライド傷の最小
限の幅に対応する約２ｍｍの直径φ2 を有する平行ビー
ムに変換されて、ニッケルメッキ層に投射されるので、
上記した検出に必要な散乱光がえられる。なお、集光レ
ンズとしては、なるべく集光角度が広いものを使用す
る。なお上記においては、投射される平行ビームの直径
φ2 は、従来の検出光学系のレーザスポットの直径Δφ
に比較して、約７０倍に拡大されるので、検査時間は約
７０分の１の大幅に短縮されて、検査効率が格段に向上
する。
【０００７】
【実施例】図１は、この発明の一実施例における、検出
光学系３’の概略の構成図を示し、図２は図１に対する
グライド傷Ｇの検出作用の説明図である。図１に示す検
出光学系３’は、前記した図４(a) の検出光学系３と同
一の受光系32を有し、スピンドル機構２も同一である。
ただし投光系31は、図４(a) の場合と異なり、レーザ光
源として、約１ｍｍの直径φ1 の平行ビームＬT ’を発
振するヘリウムネオンのガスレーザ管313 を使用し、図
示の位置に平行ビームＬT’の直径φ1 を２倍のφ2 に
変換する変換レンズ系314 を設けて構成される。変換レ
ンズ系314 としては、いわゆるエキスパンダを使用すれ
ばよい。これに入射した平行ビームＬT ’は、最小限の
幅ｗmiに対応した直径φ2 が約２ｍｍの平行ビームＬ
T ”に変換され、そのスポットＳp ’がスピンドル機構
２に装着されて回転するディスク１に投射される。ディ
スク１のニッケルメッキ層（Ｎｉ）に存在するグライド
傷ＧにスポットＳp ’が投射されると、これが散乱光Ｌ
RRを散乱するとともに、正反射光ＬRsも反射する。この
散乱と反射の状態を図２によりやや詳しく説明する。
光学系３’の概略の構成図を示し、図２は図１に対する
グライド傷Ｇの検出作用の説明図である。図１に示す検
出光学系３’は、前記した図４(a) の検出光学系３と同
一の受光系32を有し、スピンドル機構２も同一である。
ただし投光系31は、図４(a) の場合と異なり、レーザ光
源として、約１ｍｍの直径φ1 の平行ビームＬT ’を発
振するヘリウムネオンのガスレーザ管313 を使用し、図
示の位置に平行ビームＬT’の直径φ1 を２倍のφ2 に
変換する変換レンズ系314 を設けて構成される。変換レ
ンズ系314 としては、いわゆるエキスパンダを使用すれ
ばよい。これに入射した平行ビームＬT ’は、最小限の
幅ｗmiに対応した直径φ2 が約２ｍｍの平行ビームＬ
T ”に変換され、そのスポットＳp ’がスピンドル機構
２に装着されて回転するディスク１に投射される。ディ
スク１のニッケルメッキ層（Ｎｉ）に存在するグライド
傷ＧにスポットＳp ’が投射されると、これが散乱光Ｌ
RRを散乱するとともに、正反射光ＬRsも反射する。この
散乱と反射の状態を図２によりやや詳しく説明する。
【０００８】図２において、グライド傷Ｇは最小限の幅
ｗｍｉを有するものとし、その曲面は正しい円弧である
と仮定する。幅ｗｍｉに対応した直径φ２ のスポット
Ｓｐ’は走査移動して、例えばグライド傷Ｇの左側の点
ｐ１ 〜ｐ９ の間をカバーして投射される。この状態で
は、点ｐ１ と点ｐ６ （グライド傷Ｇの左右の中心点）
では正反射光ＬＲｓが反射され、これ以外の各点では反
射方向が変化して散乱光ＬＲＲが散乱される。スポット
Ｓｐ ’が右方向に走査移動すると、カバー範囲は逐次
に点ｐ２ 〜ｐ１０、点ｐ３ 〜ｐ１１、………に移行
し、点ｐ１１では正反射する。要するに、グライド傷Ｇ
の前後と中心点では正反射し、これ以外の各点では散乱
する。上記の反射状態をみると、正反射光ＬＲｓに比較
して散乱光ＬＲＲの占める割合が大きく、これを集光レ
ンズ321 により一括して集光し、さらに受光系32の前記
した正反射光ＬＲｓの排除作用により、グライド傷Ｇを
良好に検出することができるわけである。また前記した
ように、検査時間は従来の検査光学系に比較して約７０
分の１の大幅に短縮されるものである。また、その検出
については、従来技術の図４の説明において記述したよ
うに、第１の受光器324と第２の受光器326の両受光器の
各受光信号が図示しない信号処理回路に入力されて、例
えば、両受光信号の差分信号が作成され、これにより正
反射光Ｌ Ｒｓ が排除されてＳ／Ｎ比が向上し、欠陥が良
好に検出されるものである。
ｗｍｉを有するものとし、その曲面は正しい円弧である
と仮定する。幅ｗｍｉに対応した直径φ２ のスポット
Ｓｐ’は走査移動して、例えばグライド傷Ｇの左側の点
ｐ１ 〜ｐ９ の間をカバーして投射される。この状態で
は、点ｐ１ と点ｐ６ （グライド傷Ｇの左右の中心点）
では正反射光ＬＲｓが反射され、これ以外の各点では反
射方向が変化して散乱光ＬＲＲが散乱される。スポット
Ｓｐ ’が右方向に走査移動すると、カバー範囲は逐次
に点ｐ２ 〜ｐ１０、点ｐ３ 〜ｐ１１、………に移行
し、点ｐ１１では正反射する。要するに、グライド傷Ｇ
の前後と中心点では正反射し、これ以外の各点では散乱
する。上記の反射状態をみると、正反射光ＬＲｓに比較
して散乱光ＬＲＲの占める割合が大きく、これを集光レ
ンズ321 により一括して集光し、さらに受光系32の前記
した正反射光ＬＲｓの排除作用により、グライド傷Ｇを
良好に検出することができるわけである。また前記した
ように、検査時間は従来の検査光学系に比較して約７０
分の１の大幅に短縮されるものである。また、その検出
については、従来技術の図４の説明において記述したよ
うに、第１の受光器324と第２の受光器326の両受光器の
各受光信号が図示しない信号処理回路に入力されて、例
えば、両受光信号の差分信号が作成され、これにより正
反射光Ｌ Ｒｓ が排除されてＳ／Ｎ比が向上し、欠陥が良
好に検出されるものである。
【０００９】
【発明の効果】以上の説明のとおり、この発明によるグ
ライド傷検出光学系においては、レーザビームを、ディ
スクに対してグライド傷の有害な最小限の幅に対応した
直径の平行ビームとして投射し、グライド傷の散乱光を
正反射光に比較して多くし、これを一括して集光レンズ
により集光し、さらに受光系の排除作用により正反射光
を排除してグライド傷を良好に検出するもので、グライ
ド傷検査装置の検査の信頼性の向上と検査時間の短縮に
寄与するところには大きいものがある。
ライド傷検出光学系においては、レーザビームを、ディ
スクに対してグライド傷の有害な最小限の幅に対応した
直径の平行ビームとして投射し、グライド傷の散乱光を
正反射光に比較して多くし、これを一括して集光レンズ
により集光し、さらに受光系の排除作用により正反射光
を排除してグライド傷を良好に検出するもので、グライ
ド傷検査装置の検査の信頼性の向上と検査時間の短縮に
寄与するところには大きいものがある。
【図１】 この発明の一実施例における、検出光学系
３’の概略の構成図である。
３’の概略の構成図である。
【図２】 図１に対するグライド傷Ｇの検出作用の説明
図である。
図である。
【図３】 (a) は磁気ディスクの製造工程の説明図、
(b) は製造の際に生ずるグライド傷Ｇの説明図である。
(b) は製造の際に生ずるグライド傷Ｇの説明図である。
【図４】 (a) は一般に使用されている欠陥検査装置の
概略構成図、(b) は(a) の欠陥検査装置によりグライド
傷を検査する場合の問題点の説明図である。
概略構成図、(b) は(a) の欠陥検査装置によりグライド
傷を検査する場合の問題点の説明図である。
１…アルミディスク、１a …中心孔、１b …外周、２…
スピンドル機構、３…従来の検出光学系、３’…この発
明の検出光学系、31…投光系、311 …レーザ光源、312
…集束レンズ、313 …ヘリウムネオンのガスレーザ管に
よるレーザ光源、314 …変換レンズ系（エキスパン
ダ）、32…受光系、321 …集光レンズ、322 …ハーフミ
ラー、323 …空間フィルタ、324 …第１の受光器、325
…スリット板、326 …第２の受光器、Ｎｉ…ニッケルメ
ッキ層、Ｒ…ディスクの半径、Ｇ…グライド傷、ｗ…グ
ライド傷の幅、ｗmi…有害な最小限の幅、ｄ…グライド
傷の深さ、ＬT ’, ＬT ”…平行ビーム、φ1,φ2 …平
行ビームの直径、Ｓp ，Ｓp ’…スポット、ＬRs…正反
射光、ＬRR…散乱光。
スピンドル機構、３…従来の検出光学系、３’…この発
明の検出光学系、31…投光系、311 …レーザ光源、312
…集束レンズ、313 …ヘリウムネオンのガスレーザ管に
よるレーザ光源、314 …変換レンズ系（エキスパン
ダ）、32…受光系、321 …集光レンズ、322 …ハーフミ
ラー、323 …空間フィルタ、324 …第１の受光器、325
…スリット板、326 …第２の受光器、Ｎｉ…ニッケルメ
ッキ層、Ｒ…ディスクの半径、Ｇ…グライド傷、ｗ…グ
ライド傷の幅、ｗmi…有害な最小限の幅、ｄ…グライド
傷の深さ、ＬT ’, ＬT ”…平行ビーム、φ1,φ2 …平
行ビームの直径、Ｓp ，Ｓp ’…スポット、ＬRs…正反
射光、ＬRR…散乱光。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 加藤 啓仁 東京都千代田区大手町二丁目６番２号 日立電子エンジニアリング株式会社内 審査官 藤原 伸二 (56)参考文献 特開 平３−115844（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−176143（ＪＰ，Ａ) 特開 平５−149887（ＪＰ，Ａ) 特開 昭63−29238（ＪＰ，Ａ) 特開 昭64−57154（ＪＰ，Ａ) 実開 昭56−35048（ＪＰ，Ｕ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) G01N 21/88 - 21/95 G01B 11/30
Claims (2)
- 【請求項１】 表面にニッケルメッキ層が形成された、
磁気ディスクの素材のアルミディスクを検査対象とし、
レーザ光源よりレーザビームを投射する投光系と、該ニ
ッケルメッキ層の散乱光に対する受光系とを具備し、前
記アルミディスクの研磨により生じ、前記ニッケルメッ
キ層に残存するグライド傷を検査するグライド傷検査装
置において、 前記レーザ光源のレーザビームを、前記グライド傷の有
害な最小限の幅に対応する直径を有する平行ビームに変
換して前記アルミディスクに投射する前記投光系と、 該最小限の幅を有する前記グライド傷からの散乱光を、
一括して集光する集光レンズおよび前記アルミディスク
上に投射されたレーザビームの正反射光に対する排除機
能を有する受光系と、により構成されたことを特徴とす
る、アルミディスクのグライド傷検出光学系。 - 【請求項２】 前記グライド傷の有害な最小限の幅ｗ
ｍｉを約２ｍｍとし、前記レーザ光源として、約１ｍｍ
の直径φ１ の平行ビームを発振するヘリウムネオンの
ガスレーザ管を使用し、前記投光系に該平行ビームの直
径φ１ を２倍のφ２ に変換する変換レンズ系を設けた
ことを特徴とする、請求項１記載のアルミディスクのグ
ライド傷検出光学系。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29608193A JP3329539B2 (ja) | 1993-11-01 | 1993-11-01 | アルミディスクのグライド傷検出光学系 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29608193A JP3329539B2 (ja) | 1993-11-01 | 1993-11-01 | アルミディスクのグライド傷検出光学系 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07128253A JPH07128253A (ja) | 1995-05-19 |
| JP3329539B2 true JP3329539B2 (ja) | 2002-09-30 |
Family
ID=17828877
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP29608193A Expired - Lifetime JP3329539B2 (ja) | 1993-11-01 | 1993-11-01 | アルミディスクのグライド傷検出光学系 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3329539B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP5400548B2 (ja) * | 2009-09-30 | 2014-01-29 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | レジスト膜面ムラ検査装置及び検査方法並びにｄｔｍ製造ライン |
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| CN110595398B (zh) * | 2019-09-06 | 2021-05-25 | 广东兴发铝业（江西）有限公司 | 一种铝型材成品质量检测装置 |
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1993
- 1993-11-01 JP JP29608193A patent/JP3329539B2/ja not_active Expired - Lifetime
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