JP2012017994A - パターン形成部材の検査方法及び装置、並びにパターン形成部材 - Google Patents
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Abstract
【課題】単一ビームや単針を走査する方法と比べて短時間にパターンを検査することができるパターン形成部材の検査方法及び装置、並びにパターン形成部材を提供する。
【解決手段】被転写材料に転写すべきパターン3とプラズモン共鳴構造体4とを有するパターン形成部材1を準備し、プラズモン共鳴構造体4に光を照射してプラズモン共鳴構造体4のプラズモン共鳴の吸収特性を計測し、吸収特性に基づいてパターン3を検査する。
【選択図】図1
【解決手段】被転写材料に転写すべきパターン3とプラズモン共鳴構造体4とを有するパターン形成部材1を準備し、プラズモン共鳴構造体4に光を照射してプラズモン共鳴構造体4のプラズモン共鳴の吸収特性を計測し、吸収特性に基づいてパターン3を検査する。
【選択図】図1
Description
本発明の実施の形態は、パターン形成部材の検査方法及び装置、並びにパターン形成部材に関する。
半導体デバイスや記録メディアでは、微細化は進んでおり、将来の微細パターン形成方法としてEUV(extreme ultraviolet)露光技術やナノインプリント技術等がある。
EUV露光技術では、所望のパターンを形成するためにフォトマスク(レチクルともいう。)が用いられる。ナノインプリントでは、基板に凹凸が掘り込まれたテンプレートが用いられる。これらの技術を用いてデバイスを作製する場合、レチクルやテンプレートの寸法誤差、汚染等の欠陥検査を行って管理する必要がある。
従来のレチクルの検査方法として、レチクルの中央に形成されたチップパターンとレチクルの周辺に形成された検査用パターンとを比較し、両者間で形状が一致すれば、良品と判定し、一致しなければ、不良品と判定することにより、チップパターンを検査する方法が提案されている。
また、作製したレチクルやテンプレートを検査するため、原子間力顕微鏡(AFM)のように短針を走査する方法、あるいは走査型電子顕微鏡(SEM)等の単一ビームを走査する方法が公知技術として存在している。
しかし、このような公知技術は、点(単一ビーム、短針)による検査方法であるため、パターンの全面を一括で検査することはできず大幅に時間がかかる。また、AFMの短針を複数する設置しアレイ状にして時間を短縮する方法も考えられるが、多数回の計測のうちに短針が壊れてしまうなどの難点がある。
本発明の課題は、単一ビームや単針を走査する方法と比べて短時間にパターンを検査することができるパターン形成部材の検査方法及び装置、並びにパターン形成部材を提供することである。
実施の形態のパターン形成部材の検査方法は、被転写材料に転写すべきパターンとプラズモン共鳴構造体とを有するパターン形成部材を準備し、前記プラズモン共鳴構造体に光を照射して前記プラズモン共鳴構造体のプラズモン共鳴の吸収特性を計測し、前記吸収特性に基づいて前記パターンを検査する。
実施の形態のパターン形成部材の検査装置は、被転写材料に転写すべきパターンとプラズモン共鳴構造体とを有するパターン形成部材の前記プラズモン共鳴構造体に光を照射する光源と、前記光の照射を受けて前記プラズモン共鳴構造体から発生するプラズモン共鳴の吸収特性を計測する計測部と、前記吸収特性に基づいて前記パターンを検査する検査部とを備える。
[第1の実施の形態]
(パターン形成部材の構成)
図1は、第1の実施の形態に係るパターン形成部材の概略の構成例を示し、(a)は平面図、(b)は(a)のA−A線断面図、(c)は(a)のB部拡大図である。
(パターン形成部材の構成)
図1は、第1の実施の形態に係るパターン形成部材の概略の構成例を示し、(a)は平面図、(b)は(a)のA−A線断面図、(c)は(a)のB部拡大図である。
このパターン形成部材1は、基板2の一方の面に、レジスト等の被転写材料に転写すべき複数のパターン3、及びパターン3の寸法誤差や汚染等の検査のためのプラズモン共鳴構造体4Aを凹凸形状により形成したものである。パターン形成部材1は、例えば、レチクルやテンプレートとして用いられる。
基板2は、例えば、石英ガラス等の光透過性を有する材料から形成されている。
パターン3は、例えば、複数のラインパターン30を幅方向にスペースを介して配置したラインアンドスペースパターンを含む。また、パターン3は、例えば、MoSi2、Cr等の金属から形成される。パターン3は、用途に応じた厚さを有し、例えば、レチクルとして用いる場合は、2〜10nm、テンプレートとして用いる場合は、10〜100nmである。
プラズモン共鳴構造体4Aは、プラズモン共鳴吸収を生じる金属、例えば、MoSi2、Cr等から形成され、厚さは2〜100nmである。プラズモン共鳴構造体4Aは、入射光の波長(例えば30nm)以下のギャップ(間隔)を有し、例えば千鳥状に配列された複数のプラズモン共鳴体40から構成されている。図1(c)に示すように、例えば、プラズモン共鳴体40は、一辺が100nmの正方形を有し、プラズモン共鳴体40間のギャップGは2nmである。
パターン3及びプラズモン共鳴構造体4Aは、同一の装置、例えば、EB(Electron Beam)描画装置や露光装置によって形成される。これにより、プラズモン共鳴構造体4Aの寸法誤差を検査することで、パターン3の寸法誤差を推定することが可能になる。パターン3及びプラズモン共鳴構造体4Aは、生産性の観点からプラズモン共鳴構造体4Aと同一の材料、同一の厚さであることが好ましいが、材料及び厚さは異なってもよい。
(パターン形成部材の製造方法)
パターン形成部材1は、例えば、次のように製造される。まず、基板2の一方の面に、MoSi2、Cr等の金属膜を形成する。次に、金属膜上に電子線用のレジストを塗布し、レジストをEB描画装置により描画して露光し、露光後のレジストを現像してレジストパターンを形成する。次に、レジストパターンをマスクとして金属膜をエッチングすることにより、パターン3及びプラズモン共鳴構造体4Aが形成されたパターン形成部材1が製造される。
パターン形成部材1は、例えば、次のように製造される。まず、基板2の一方の面に、MoSi2、Cr等の金属膜を形成する。次に、金属膜上に電子線用のレジストを塗布し、レジストをEB描画装置により描画して露光し、露光後のレジストを現像してレジストパターンを形成する。次に、レジストパターンをマスクとして金属膜をエッチングすることにより、パターン3及びプラズモン共鳴構造体4Aが形成されたパターン形成部材1が製造される。
(プラズモン共鳴の吸収特性)
図2(a)、(b)は、プラズモン共鳴の吸収特性を説明するための図である。なお、図2の縦軸は、入射光の強度に対する吸収した光の強度の割合(吸収率)で表している。プラズモン共鳴体40間のギャップGが入射光の波長以下の場合、プラズモン共鳴体40中の電子と光が共鳴し、入射光に対して高光出力(例えば102〜105倍)が得られるとともに、特定の波長域に「プラズモン共鳴吸収(Plasmon Resonance Absorption)」という光学応答が発生する。プラズモン共鳴吸収波長は、プラズモン共鳴体40の材質、サイズ、ギャップ等に応じて異なる。
図2(a)、(b)は、プラズモン共鳴の吸収特性を説明するための図である。なお、図2の縦軸は、入射光の強度に対する吸収した光の強度の割合(吸収率)で表している。プラズモン共鳴体40間のギャップGが入射光の波長以下の場合、プラズモン共鳴体40中の電子と光が共鳴し、入射光に対して高光出力(例えば102〜105倍)が得られるとともに、特定の波長域に「プラズモン共鳴吸収(Plasmon Resonance Absorption)」という光学応答が発生する。プラズモン共鳴吸収波長は、プラズモン共鳴体40の材質、サイズ、ギャップ等に応じて異なる。
例えば、図2(a)に示すように、プラズモン共鳴体40のサイズを変えずに、ギャップをG1からG2へと広くすると、プラズモン共鳴吸収波長はλ1からλ2へと短波長側にシフトする。また、図2(b)に示すように、プラズモン共鳴体40間のギャップG1を変えずに、プラズモン共鳴体40の一辺の長さをL1からL2へと長くすると、プラズモン共鳴吸収波長はλ1からλ3へと長波長側にシフトする。
(検査装置の構成)
図3は、第1の実施の形態に係る検査装置の概略の構成例を示す図である。この検査装置10は、パターン形成部材1のプラズモン共鳴構造体4Aに光を照射する光源11と、光源11による光の照射によりプラズモン共鳴構造体4Aから発生する光を検出する光検出器12と、CPU等から構成されたコンピュータ13と、半導体メモリ、ハードディスク等の記憶部14と、検査結果を表示する液晶ディスプレイ等の表示部15とを備える。
図3は、第1の実施の形態に係る検査装置の概略の構成例を示す図である。この検査装置10は、パターン形成部材1のプラズモン共鳴構造体4Aに光を照射する光源11と、光源11による光の照射によりプラズモン共鳴構造体4Aから発生する光を検出する光検出器12と、CPU等から構成されたコンピュータ13と、半導体メモリ、ハードディスク等の記憶部14と、検査結果を表示する液晶ディスプレイ等の表示部15とを備える。
光源11は、プラズモン共鳴が起きる波長域の光を含むものであれば良く、例えば、CO2レーザ等の波長可変型光源を用いることができる。
光検出器12は、プラズモン共鳴構造体4Aから発生する光を検出し、検出した光の強度に応じた信号を出力する。
記憶部14には、後述する図4に示すような検査プログラム140A等の各種のプログラムと、Δλ−ΔCDテーブル141等の各種のデータが格納されている。Δλ−ΔCDテーブル141は、シフト量Δλと寸法誤差ΔCDとの関係情報を含む。
コンピュータ13のCPUは、検査プログラム140Aに従って動作することにより、光源制御部130、吸収ピーク波長抽出部131、シフト量算出部132、寸法誤差算出部(検査部)133、表示制御部134等として機能する。なお、光検出器12、吸収ピーク波長抽出部131及びシフト量算出部132は、プラズモン共鳴構造体4Aについてプラズモン共鳴の吸収特性を計測する計測部を構成する。
光源制御部130は、光源11に波長制御信号を出力し、光源11の発光波長を短波長側から長波長側へとスキャンする。
吸収ピーク波長抽出部131は、光源制御部130からの波長制御信号と光検出器12によって検出された光の強度に応じた信号に基づいて、プラズモン共鳴吸収スペクトルを取得し、プラズモン共鳴吸収スペクトルから吸収ピーク波長を抽出する。
シフト量算出部132は、基準となる吸収ピーク波長と吸収ピーク波長抽出部131によって算出された吸収ピーク波長との差(シフト量)Δλを算出する。基準となる吸収ピーク波長は、例えばギャップGが既知のプラズモン共鳴構造体4Aについて予め測定した吸収ピーク波長を用いる。
寸法誤差算出部133は、シフト量算出部132によって算出されたシフト量Δλを基にΔλ−ΔCDテーブル141を参照して寸法誤差ΔCDを算出するとともに、寸法誤差ΔCDが許容範囲内であるか否か判定する。
表示制御部134は、寸法誤差算出部133によって判定された結果と寸法誤差ΔCDを表示部15に表示する。
(パターン形成部材の検査方法)
次に、パターン形成部材1の検査方法の一例を図4のフローチャートに従って説明する。
次に、パターン形成部材1の検査方法の一例を図4のフローチャートに従って説明する。
光源11は、光源制御部130からの波長制御信号に基づいて波長が制御された光をパターン形成部材1のプラズモン共鳴構造体4Aに照射する。光の照射によりプラズモン共鳴構造体4Aにプラズモン共鳴吸収が発生する。光検出器12は、プラズモン共鳴構造体4Aから発生した光を検出し、検出した光の強度に応じた信号を出力する(S1)。
吸収ピーク波長抽出部131は、光源制御部130からの波長制御信号と光検出器12によって検出された光の強度に応じた信号に基づいて、プラズモン共鳴吸収スペクトルを取得し、プラズモン共鳴吸収スペクトルから吸収ピーク波長を抽出する(S2)。
図5は、プラズモン共鳴吸収スペクトルの一例を示す図である。λrは基準となる吸収ピーク波長、λdは吸収ピーク波長抽出部131によって算出された吸収ピーク波長である。シフト量算出部132は、図5に示すように、基準となる吸収ピーク波長λrと吸収ピーク波長抽出部131によって算出された吸収ピーク波長λdとの差(シフト量)Δλを算出する(S3)。
寸法誤差算出部133は、シフト量算出部132によって算出されたシフト量Δλを基にΔλ−ΔCDテーブル141を参照して寸法誤差ΔCDを算出する(S4)。
寸法誤差算出部133は、寸法誤差ΔCDが許容範囲内であるか否か判定する(S5)。
表示制御部134は、寸法誤差算出部133によって判定された結果と寸法誤差ΔCDを表示部15に表示する(S6)。使用者は、寸法誤差ΔCDが許容範囲内と判定されたパターン形成部材1をパターンの形成に使用する。
(半導体装置の製造方法)
寸法誤差ΔCDが許容範囲内と判定されたパターン形成部材1をレチクルとして用いる場合、半導体製造装置により半導体装置が次のように製造される。まず、基板、半導体膜、絶縁膜等の被加工部材上にレジスト(被転写材料)を塗布する。次に、パターン形成部材1を介してレジストを露光し、露光後のレジストを現像してレジストパターン(被転写材料パターン)を形成する。次に、レジストパターンをマスクとして被加工部材をエッチングし、例えば、ラインアンドスペースパターンの配線を含む半導体装置が製造される。
寸法誤差ΔCDが許容範囲内と判定されたパターン形成部材1をレチクルとして用いる場合、半導体製造装置により半導体装置が次のように製造される。まず、基板、半導体膜、絶縁膜等の被加工部材上にレジスト(被転写材料)を塗布する。次に、パターン形成部材1を介してレジストを露光し、露光後のレジストを現像してレジストパターン(被転写材料パターン)を形成する。次に、レジストパターンをマスクとして被加工部材をエッチングし、例えば、ラインアンドスペースパターンの配線を含む半導体装置が製造される。
寸法誤差ΔCDが許容範囲内と判定されたパターン形成部材1をテンプレートとして用いる場合、半導体製造装置により半導体装置が次のように製造される。まず、基板、半導体膜、絶縁膜等の被加工部材上に光硬化性のレジスト(被転写材料)を塗布する。次に、レジストにパターン3の部分を接触させ、基板2の背面側からレジストに紫外線を照射してレジストを硬化させる。次に、テンプレートをレジストから離型してレジストパターン(被転写材料パターン)を形成する。次に、レジストパターンをマスクとして用いて被加工部材をエッチングし、例えば、ラインアンドスペースパターンの配線を含む半導体装置が製造される。
(第1の実施の形態の効果)
第1の実施の形態によれば、プラズモン共鳴構造体4Aを検査してパターン3の寸法誤差を推定しているので、単一ビームや単針を走査する方法と比べて短時間にパターン形成部材の検査を行うことができる。また、SEM検査では難しい数nmの寸法誤差を検出することができる。
第1の実施の形態によれば、プラズモン共鳴構造体4Aを検査してパターン3の寸法誤差を推定しているので、単一ビームや単針を走査する方法と比べて短時間にパターン形成部材の検査を行うことができる。また、SEM検査では難しい数nmの寸法誤差を検出することができる。
[第2の実施の形態]
図5は、第2の実施の形態に係る検査装置の概略の構成例を示す図である。
図5は、第2の実施の形態に係る検査装置の概略の構成例を示す図である。
この検査装置10は、第1の実施の形態と同様に、光源11、光検出器12、コンピュータ13、記憶部14及び表示部15を備える。第1の実施の形態との相違点を中心に説明する。
記憶部14には、検査プログラム140B等の各種のプログラムと、Δλ−汚染量テーブル142等の各種のデータが格納されている。Δλ−汚染量テーブル142は、シフト量Δλと汚染量(例えば汚染粒子の数、大きさ等)との関係情報を含む。
コンピュータ13のCPUは、後述する図7に示すような検査プログラム140Bに従って動作することにより、光源制御部130、吸収ピーク波長抽出部131、シフト量算出部132、汚染量算出部(検査部)135、表示制御部134等として機能する。
汚染量算出部135は、シフト量算出部132によって算出されたシフト量Δλを基にΔλ−汚染量テーブル142を参照し汚染量を算出するとともに、汚染量が許容範囲内であるか否か判定する。
プラズモン共鳴体40のピッチをp、プラズモン共鳴体40の誘電率をεm、周囲の誘電率をεoとすると、プラズモン共鳴の吸収波長λは次の式で表すことができる。
通常、周囲の誘電率εoは、空気であるため1.0であるが、汚染物質が付着すると、εoは1.0を超える値となり、λは汚染量に応じて長波長側にシフトする。従って、吸収波長のシフト量と汚染量との関係情報をΔλ−汚染量テーブルとして保持しておくことにより、シフト量から汚染量を把握することができる。
表示制御部134は、汚染量算出部135によって判定された結果と汚染量を表示部15に表示する。
(パターン形成部材の検査方法)
次に、パターン形成部材1の検査方法の一例を図7のフローチャートに従って説明する。
次に、パターン形成部材1の検査方法の一例を図7のフローチャートに従って説明する。
光源11は、光源制御部130からの波長制御信号に基づいて波長が制御された光をパターン形成部材1のプラズモン共鳴構造体4Aに照射する。光の照射によりプラズモン共鳴構造体4Aにプラズモン共鳴吸収が発生する。光検出器12は、プラズモン共鳴構造体4Aから発生した光を検出し、検出した光の強度に応じた信号を出力する(S11)。
吸収ピーク波長抽出部131は、光源制御部130からの波長制御信号と光検出器12によって検出された光の強度に応じた信号に基づいて、プラズモン共鳴吸収スペクトルを取得し、プラズモン共鳴吸収スペクトルから吸収ピーク波長を抽出する(S12)。
シフト量算出部132は、基準となる吸収ピーク波長と吸収ピーク波長抽出部131によって算出された吸収ピーク波長との差(シフト量)Δλを算出する(S13)。
汚染量算出部135は、シフト量算出部132によって算出されたシフト量Δλを基にΔλ−汚染量テーブル142を参照し汚染量を算出する(S14)。
汚染量算出部135は、汚染量が許容範囲内であるか否か判定する(S15)。
表示制御部134は、汚染量算出部135によって判定された結果と汚染量を表示部15に表示する(S16)。使用者は、汚染量が許容範囲内と判定されたパターン形成部材1をパターンの形成に使用し、許容範囲外と判定されたパターン形成部材1は、洗浄処理し、再び汚染の有無を検査し、汚染量が許容範囲内と判定されたとき、パターンの形成に使用する。
(第2の実施の形態の効果)
第2の実施の形態によれば、プラズモン共鳴構造体4Aを検査してパターン3の汚染量を推定しているので、単一ビームや単針を走査する方法と比べて短時間に検査を行うことができる。また、SEM検査では難しい数nmのサイズの異物を検出することができる。
第2の実施の形態によれば、プラズモン共鳴構造体4Aを検査してパターン3の汚染量を推定しているので、単一ビームや単針を走査する方法と比べて短時間に検査を行うことができる。また、SEM検査では難しい数nmのサイズの異物を検出することができる。
また、上記各実施の形態によれば、単一ビームや単針を走査する方法と比べて短時間にパターンを検査することができる。
(変形例)
図8は、プラズモン共鳴構造体の変形例を示す図である。同図は、斜線を施した部分が金属部分又は凸部であり、斜線を施していない部分が空間部又は凹部である。
図8は、プラズモン共鳴構造体の変形例を示す図である。同図は、斜線を施した部分が金属部分又は凸部であり、斜線を施していない部分が空間部又は凹部である。
図8(a)に示すプラズモン共鳴構造体4Bは、長方形のプラズモン共鳴体40を千鳥状に配置したものである。図8(b)に示すプラズモン共鳴構造体4Cは、円形のプラズモン共鳴体40を千鳥状に配置したものである。図8(c)に示すプラズモン共鳴構造体4Dは、千鳥状に配置された複数の開口41を有するものである。図8(d)に示すプラズモン共鳴構造体4Eは、複数のプラズモン共鳴体40を一列に配置したものである。なお、プラズモン共鳴構造体は、これらに限定されない。
本発明は、上記実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を変更しない範囲内で種々に変形実施が可能である。
例えば、光源制御部130、吸収ピーク波長抽出部131、シフト量算出部132、寸法誤差算出部133、表示制御部134、汚染量算出部135の一部又は全部をASIC(Application Specific IC)等のハードウエアによって実現してもよい。
また、検査プログラム140A、140Bは、CD−ROM等の記録媒体から記憶部14内に取り込んでもよく、サーバ装置等からネットワークを介して記憶部14内に取り込んでもよい。
また、プラズモン共鳴構造体は、被転写材料に対するパターン形成部材を位置決めする際の位置決めマークを兼ねてもよい。
また、パターン形成部材に、複数種類のプラズモン共鳴構造体を設けてもよい。これにより、複数のプラズモン共鳴構造体からそれぞれシフト量を算出し、各シフト量の平均値に基づいてパターン形成部材を検査することができる。
また、上記各実施の形態では、プラズモン共鳴構造体を透過した光を検出したが、プラズモン共鳴構造体側から光を照射し、その透過光又は反射光を検出してもよい。
1…パターン形成部材、2…基板、3…パターン、4A〜4E…プラズモン共鳴構造体、10…検査装置、11…光源、12…光検出器、13…コンピュータ、14…記憶部、15…表示部、30…ラインパターン、40…プラズモン共鳴体、41…開口、130…光源制御部、131…吸収ピーク波長抽出部、132…シフト量算出部、133…寸法誤差算出部、134…表示制御部、135…汚染量算出部、140A…検査プログラム、140B…検査プログラム、141…Δλ−ΔCDテーブル、142…Δλ−汚染量テーブル
Claims (5)
- 被転写材料に転写すべきパターンとプラズモン共鳴構造体とを有するパターン形成部材を準備し、
前記プラズモン共鳴構造体に光を照射して前記プラズモン共鳴構造体のプラズモン共鳴の吸収特性を計測し、
前記吸収特性に基づいて前記パターンを検査するパターン形成部材の検査方法。 - 前記パターンの検査は、寸法誤差又は汚染量を検査する請求項1に記載のパターン形成部材の検査方法。
- 前記プラズモン共鳴構造体は、照射される光の波長以下の間隔を有して配置された複数のプラズモン共鳴体を有する請求項1に記載のターン形成部材の検査方法。
- 被転写材料に転写すべきパターンとプラズモン共鳴構造体とを有するパターン形成部材の前記プラズモン共鳴構造体に光を照射する光源と、
前記光の照射を受けて前記プラズモン共鳴構造体から発生するプラズモン共鳴の吸収特性を計測する計測部と、
前記吸収特性に基づいて前記パターンを検査する検査部とを備えたパターン形成部材の検査装置。 - 被転写材料に転写すべきパターンとプラズモン共鳴構造体とを有するパターン形成部材。
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JP2016138977A (ja) * | 2015-01-27 | 2016-08-04 | 大日本印刷株式会社 | 光学素子 |
JP2018505413A (ja) * | 2015-02-02 | 2018-02-22 | ノキア テクノロジーズ オサケユイチア | プラズモニック・ナノ粒子に基づく機械的変形センサー |
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Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE102013001782A1 (de) | 2012-01-31 | 2013-08-01 | Suzuki Motor Corporation | Motor-neustart-steuervorrichtung |
JP2016138977A (ja) * | 2015-01-27 | 2016-08-04 | 大日本印刷株式会社 | 光学素子 |
JP2018505413A (ja) * | 2015-02-02 | 2018-02-22 | ノキア テクノロジーズ オサケユイチア | プラズモニック・ナノ粒子に基づく機械的変形センサー |
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