JP5275208B2 - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
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Description
本発明者は、インプリントリソグラフィに代表される先端リソグラフィ技術を、ReRAM等の3次元積層デバイス(複数の層を基板上に積層してなり、前記複数の層の各々がデバイス回路が含まれたデバイス構造を具備してなるデバイス)へ適用する際には、以下のような問題があることを見出した。
製造するべき3次元積層デバイス中の異なる層内にある同じパターンを抽出する。ここで、同じパターンは、上記の通り、デバイス回路に対応するパターンであり、アライメントパターン等ではない。図8の場合、第1のパターンP1および第2のパターンP2が抽出される。上記の同じパターンの抽出は、例えば、3次元積層デバイスの設計データに基づいて行われる。
リソグラフィ工程を用いて、各層L1−L4内のパターンを形成する。
上述した検査A1、検査A2または検査A3の結果(欠陥情報)に基づいて、同一マスク群内の複数のマスクをソートする。
ソートに使用した欠陥情報(欠陥数、欠陥サイズまたは転写性)に二つのしきい値(N1,N2)を設定する。以下、ソートに使用した欠陥情報が欠陥数の場合について、図15を参照して、具体的に説明する。
二つのしきい値N1,N2を決めることにより、同一マスク群内の複数のマスクを、三つのグループに分類することができる。
第1の本実施形態では、原版として透過型マスクを用いた光リソグラフィ工程の場合について説明したが、本実施形態では、原版としてテンプレートを用いたインプリントリソグラフィ工程の場合について説明する。
製造するべき3次元積層デバイス中の異なる層内にある同じパターンを抽出する。ここで、同じパターンは、上記の通り、デバイス回路に対応するパターンであり、アライメントパターン等ではない。図8の場合、第1のパターンP1および第2のパターンP2が抽出される。上記の同じパターンの抽出は、例えば、3次元積層デバイスの設計データに基づいて行われる。
インプリトリソグラフィ工程を用いて、各層L1−L4内のパターンを形成する。
上述した検査B1、検査B2または検査B3の結果(欠陥情報)に基づいて、同一テンプレート群内の複数のテンプレートをソートする。
ソートに使用した欠陥情報(欠陥数、欠陥サイズまたは転写性)に二つのしきい値(N1’,N2’)を設定する。以下、ソートに使用した欠陥情報が欠陥数の場合について、具体的に説明する。
二つのしきい値N1’,N2’を決めることにより、同一テンプレート群内の複数のテンプレートを、三つのグループに分類することができる。
Claims (7)
- 複数の層を基板上に積層し、前記複数の層の各々がデバイス回路が含まれたPCRAM、ReRAMまたはMRAMを具備してなる半導体装置の製造方法であって、
前記複数の層のインプリトリソグラフィ工程に使用され、前記デバイス回路に対応するパターンが互いに同じであり、欠陥のサイズに基づいた品質が順位付けされた複数のテンプレートのうち、前記サイズに対応した前記デバイス回路の不良確率が一定値以下であるテンプレートを、下層のインプリトリソグラフィ工程に使用し、
前記複数のテンプレートのうち、前記不良確率が一定値以下であるテンプレートを除いたテンプレートを、上層のインプリトリソグラフィ工程に使用することを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 複数の層を基板上に積層してなる3次元積層デバイスであって、前記複数の層の各々がデバイス回路が含まれたデバイス構造を具備してなる半導体装置の製造方法であって、
前記複数の層のリソグラフィ工程に使用され、前記デバイス回路に対応するパターンが互いに同じであり、前記原版の欠陥に基づいた品質、前記原版の前記基板への転写性に基づいた品質、または、前記原版の使用回数に関しての品質が順位付けされた複数の原版のうち、一定以上の品質を有する原版を、下層のリソグラフィ工程に使用し、
前記複数の原版のうち、前記一定以上の品質を有する原版を除いた原版を、上層のリソグラフィ工程に使用することを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 前記原版の欠陥は、欠陥の数または欠陥のサイズであることを特徴とする請求項2に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記サイズに対応した前記デバイス回路の不良確率が一定値以下である原版を、前記下層のリソグラフィ工程に使用することを特徴とする請求項3に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記3次元積層デバイスは、複数のメモリセルを2次元的に配置してなるデバイス構造が含まれる複数の層を基板上に積層してなることを特徴する請求項2ないし4のいずれか1項に記載の半導体装置の製造方法。
- 3次元積層デバイスは、PCRAM、ReRAMまたはMRAMであることを特徴する請求項2ないし5のいずれか1項に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記原版は、インプリトリソグラフィ工程に使用されるテンプレートであることを特徴する請求項2ないし6のいずれか1項に記載の半導体装置の製造方法。
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