JP6497107B2 - ナノインプリントリソグラフィ用のテンプレートの検査方法、欠陥修正方法および製造方法 - Google Patents

Description

本発明は、ナノインプリントリソグラフィ用のテンプレートの検査および欠陥修正に関する。

ナノインプリントリソグラフィは、表面に予め所望のパターンを有するテンプレートを、被転写体の硬化性樹脂層と密着させ、熱や光等の外部刺激を与えることによって、被転写体の表面にパターンを転写する方法である。ナノインプリントリソグラフィは、単純な方法によってパターンを形成することができ、近年、数十ｎｍ〜数ｎｍの超微細なパターンを転写することが可能であることが示されている。そのため、ナノインプリントリソグラフィは、次世代リソグラフィ技術の候補として期待されている。

ナノインプリントリソグラフィの中でも、光ナノインプリントリソグラフィは、熱ナノインプリントリソグラフィに比べて、スループットが高い、温度による寸法変化が生じない、テンプレートの位置合わせが容易である等の利点を有する。そのため、近年、光ナノインプリントリソグラフィ用のテンプレートの開発が進められている。

ナノインプリントリソグラフィにおいては、原版であるテンプレートの高精度な凹凸パターンを被転写体の硬化性樹脂層に押し付けて転写するため、テンプレートに欠陥があると被転写体のすべてにその欠陥も転写されてしまう。また、テンプレートは、従来のフォトマスクのような４倍体マスクではなく等倍マスクであり、微小な欠陥といえども被転写体に転写されてしまうという特有の課題がある。そのため、テンプレートには無欠陥が求められる。

しかしながら、近年ではパターンの微細化が求められており、これに伴い微小欠陥を検出することが困難になってきている。欠陥の検査方法としては例えば電子ビームや光で検査する方法が知られているが、電子ビーム検査ではビームサイズ以下の欠陥は解像できず、また微小欠陥の場合は欠陥部の二次電子量が少ないため、検出困難である。また、光検査では正常部と欠陥部の階調差が少なく、電子ビーム検査よりも検出感度が低いため、さらに検出困難である。

なお、特許文献１には、テンプレートの欠陥を効率良く検査することを目的として、テンプレートを用いたインプリントによって転写先基板上にレジストパターンを形成し、このレジストパターンの欠陥の有無を検査する方法であって、検査用のインプリントの条件を被処理基板の加工条件とは異なるものにするテンプレートの欠陥検査方法が提案されている。この方法では、インプリントプロセスに起因して欠陥が発生するのを抑制し、テンプレート起因の欠陥を効率良く検査することができる。しかしながら、微小欠陥の検査方法に関する技術ではない。

特開２０１２−２４３７９９号公報

本発明は、上記問題点に鑑みてなされたものであり、微小な黒欠陥および白欠陥を検出可能なナノインプリントリソグラフィ用のテンプレートの検査方法、欠陥修正方法および製造方法を提供することを主目的とする。

上記課題を解決するために、本発明は、表面に凹凸パターンが形成されたナノインプリントリソグラフィ用のテンプレートの検査方法であって、第１テンプレートを準備する第１テンプレート準備工程と、上記第１テンプレートを原版テンプレートとして用いて、転写元テンプレートから転写先テンプレートへのインプリントによる転写を行うインプリント転写工程を少なくとも一回行って、最終的に得られる上記転写先テンプレートを検査用テンプレートとして作製する検査用テンプレート作製工程と、上記検査用テンプレートの黒欠陥部または白欠陥部を検査する検査用テンプレート検査工程とを有し、上記第１テンプレートの黒欠陥部または白欠陥部を、当該黒欠陥部または当該白欠陥部に対応する上記検査用テンプレートの黒欠陥部または白欠陥部によって検査するテンプレートの検査方法であり、上記検査用テンプレート作製工程では、上記インプリント転写工程時に上記転写元テンプレートに含まれる黒欠陥部または白欠陥部を強調させる欠陥強調工程が少なくとも一回行われ、上記欠陥強調工程が、上記転写元テンプレートに黒欠陥部が含まれる場合には、上記転写先テンプレートの凹凸パターンの凸部の幅が、対応する上記転写元テンプレートの凹凸パターンの凹部の幅よりも小さくなるようにし、上記転写元テンプレートに白欠陥部が含まれる場合には、上記転写先テンプレートの凹凸パターンの凸部の幅が、対応する上記転写元テンプレートの凹凸パターンの凹部の幅よりも大きくなるようにする工程であることを特徴とするテンプレートの検査方法を提供する。
なお、以下、ナノインプリントリソグラフィをＮＩＬと称する場合がある。

本発明によれば、上記第１テンプレートの黒欠陥部または白欠陥部を、少なくとも一回強調させた上記検査用テンプレートの黒欠陥部または白欠陥部によって検査することができるので、上記第１テンプレートが検出困難な微小な黒欠陥部または白欠陥部を有する場合であっても、感度良く検出することが可能である。

上記発明においては、上記転写元テンプレートに黒欠陥部が含まれる場合には、上記転写先テンプレートの凹凸パターンの凸部の幅が、対応する上記転写元テンプレートの凹凸パターンの凹部の幅よりも２％〜４０％小さくなるようにし、上記転写元テンプレートに白欠陥部が含まれる場合には、上記転写先テンプレートの凹凸パターンの凸部の幅が、対応する上記転写元テンプレートの凹凸パターンの凹部の幅よりも２％〜４０％大きくなるようにする工程であることが好ましい。欠陥の検出感度を向上させることができるからである。

また、上記発明においては、上記検査用テンプレート作製工程では、上記インプリント転写工程として、上記原版テンプレートを上記転写元テンプレートとして用いる１次転写工程のみを行って、上記１次転写工程で得られる上記転写先テンプレートを上記検査用テンプレートとして作製し、上記欠陥強調工程として、上記１次転写工程時に上記転写元テンプレートに含まれる上記黒欠陥部または上記白欠陥部を強調させる欠陥強調工程のみが行われてもよい。

また、上記発明においては、上記検査用テンプレート作製工程では、上記インプリント転写工程として、上記原版テンプレートを上記転写元テンプレートとして用いる１次転写工程からｎ−１次転写工程で得られる上記転写先テンプレートを上記転写元テンプレートとして用いるｎ次転写工程（ｎは２以上の整数）までのｎ回の転写工程を行って、上記ｎ次転写工程で得られる上記転写先テンプレートを上記検査用テンプレートとして作製し、上記欠陥強調工程として、上記ｎ回の転写工程のうちの少なくとも１回の転写工程時にそれぞれ上記転写元テンプレートに含まれる上記黒欠陥部または上記白欠陥部を強調させる少なくとも１回の欠陥強調工程が行われることが好ましい。欠陥の検出感度を向上させることができるからである。

また、上記発明においては、上記検査用テンプレート作製工程では、上記欠陥強調工程として、上記ｎ回の転写工程時にそれぞれ上記転写元テンプレートに含まれる上記黒欠陥部または上記白欠陥部を強調させるｎ回の欠陥強調工程が行われることが好ましい。欠陥の検出感度をより顕著に向上させることができるからである。

また、上記発明においては、上記検査用テンプレート作製工程では、上記インプリント転写工程として、上記黒欠陥部が含まれる上記転写元テンプレートから上記転写先テンプレートへのインプリントによる転写を行う黒欠陥部含有テンプレート転写工程が少なくとも一回行われ、上記黒欠陥部含有テンプレート転写工程が、転写先基板上にハードマスク層および樹脂層を積層する積層工程と、上記樹脂層に上記転写元テンプレートを密着させ、上記樹脂層を硬化させた後、上記転写元テンプレートを剥離し、表面に凹凸パターンを有する上記樹脂層を形成する密着転写工程と、上記樹脂層の凹凸パターンの凹部を、上記ハードマスク層が露出するまでエッチングする第１エッチング工程と、上記ハードマスク層の露出部分を、上記転写先基板が露出するまでエッチングする第２エッチング工程と、上記転写先基板の露出部分をエッチングする第３エッチング工程とを有し、上記欠陥強調工程として、上記黒欠陥部含有テンプレート転写工程時に上記転写元テンプレートに含まれる上記黒欠陥部を強調させる黒欠陥強調工程が少なくとも一回行われてもよい。

また、上記発明においては、上記黒欠陥強調工程では、上記欠陥強調工程とされていない上記インプリント転写工程のときよりも、上記第１エッチング工程または上記第２エッチング工程でのエッチング時間を長くすることが好ましい。上記転写先基板の露出部分を大きくすることができ、上記転写元テンプレートに含まれる上記黒欠陥部が強調された上記白欠陥部を上記転写先テンプレートに転写することができるからである。

上記の場合、上記黒欠陥強調工程では、上記欠陥強調工程とされていない上記インプリント転写工程のときよりも、上記樹脂層の凹凸パターンの残膜部分の厚さを厚くすることが好ましい。上記樹脂層の凹凸パターンの残膜部分の厚さを厚くすることにより、上記樹脂層のエッチング時間を長くすることができる。これにより、上述のように、上記転写元テンプレートに含まれる上記黒欠陥部が強調された上記白欠陥部を上記転写先テンプレートに転写することができるからである。

また、上記発明においては、上記検査用テンプレート作製工程では、上記インプリント転写工程として、上記白欠陥部が含まれる上記転写元テンプレートから上記転写先テンプレートへのインプリントによる転写を行う白欠陥部含有テンプレート転写工程が少なくとも一回行われ、上記白欠陥部含有テンプレート転写工程が、転写先基板上にハードマスク層および樹脂層を積層する積層工程と、上記樹脂層に上記転写元テンプレートを密着させ、上記樹脂層を硬化させた後、上記転写元テンプレートを剥離し、表面に凹凸パターンを有する上記樹脂層を形成する密着転写工程と、上記樹脂層の凹凸パターンの凹部を、上記ハードマスク層が露出するまでエッチングする第１エッチング工程と、上記ハードマスク層の露出部分を、上記転写先基板が露出するまでエッチングする第２エッチング工程と、上記転写先基板の露出部分をエッチングする第３エッチング工程とを有し、上記欠陥強調工程として、上記白欠陥部含有テンプレート転写工程時に上記転写元テンプレートに含まれる上記白欠陥部を強調させる白欠陥強調工程が少なくとも一回行われてもよい。

また、上記発明においては、上記白欠陥強調工程では、上記欠陥強調工程とされていない上記インプリント転写工程のときよりも、上記第１エッチング工程または上記第２エッチング工程でのエッチング時間を短くすることが好ましい。エッチング後の上記ハードマスク層のパターンの平面視の大きさを大きくすることができ、上記転写元テンプレートに含まれる上記白欠陥部が強調された上記黒欠陥部を上記転写先テンプレートに転写することができるからである。

上記の場合、上記白欠陥強調工程では、上記欠陥強調工程とされていない上記インプリント転写工程のときよりも、上記樹脂層の凹凸パターンの残膜部分の厚さを薄くすることが好ましい。上記樹脂層の凹凸パターンの残膜部分の厚さを薄くすることにより、上記樹脂層のエッチング時間を短くすることができる。これにより、上述のように、上記転写元テンプレートに含まれる上記白欠陥部が強調された上記黒欠陥部を上記転写先テンプレートに転写することができるからである。

さらに、上記発明においては、上記白欠陥強調工程では、上記欠陥強調工程とされていない上記インプリント転写工程のときよりも、上記ハードマスク層の厚さを厚くすることが好ましい。エッチング後の上記ハードマスク層のパターンの平面視の大きさを大きくすることができ、上記転写元テンプレートに含まれる上記白欠陥部が強調された上記黒欠陥部を上記転写先テンプレートに転写することができるからである。

また、本発明は、表面に凹凸パターンが形成されたナノインプリントリソグラフィ用のテンプレートの検査方法であって、第１テンプレートを準備する第１テンプレート準備工程と、上記第１テンプレートを原版テンプレートとして用いて、転写元テンプレートから転写先テンプレートへのインプリントによる転写を行うインプリント転写工程を少なくとも一回行って、最終的に得られる上記転写先テンプレートを検査用テンプレートとして作製する検査用テンプレート作製工程をｎ回（ｎは２以上の整数）行う複数検査用テンプレート作製工程と、上記複数検査用テンプレート作製工程において行われるｎ回の検査用テンプレート作製工程でそれぞれ作製されるｎ個の検査用テンプレートの黒欠陥部および白欠陥部を検査する複数検査用テンプレート検査工程とを有し、上記第１テンプレートの黒欠陥部および白欠陥部を、当該黒欠陥部および当該白欠陥部に対応する上記ｎ個の検査用テンプレートの黒欠陥部および白欠陥部によって検査するテンプレートの検査方法であり、上記検査用テンプレート作製工程では、上記インプリント転写工程として、上記原版テンプレートを上記転写元テンプレートとして用いる１次転写工程を行って、上記ｎ回の検査用テンプレート作製工程のうちの第１検査用テンプレート作製工程では、上記１次転写工程時に上記転写先テンプレートの凹凸パターンの凸部の幅が対応する上記転写元テンプレートの凹凸パターンの凹部の幅よりも小さくなるようにする欠陥強調工程が行われ、上記ｎ回の検査用テンプレート作製工程のうちの第２検査用テンプレート作製工程では、上記１次転写工程時に上記転写先テンプレートの凹凸パターンの凸部の幅が対応する上記転写元テンプレートの凹凸パターンの凹部の幅よりも大きくなるようにする欠陥強調工程が行われることを特徴とするテンプレートの検査方法を提供する。

本発明によれば、上記第１テンプレートが有する検出困難な微小な黒欠陥部および白欠陥部の両方を、感度良く検出することができる精度の高い検査が可能となる。

また、本発明は、表面に凹凸パターンが形成されたナノインプリントリソグラフィ用のテンプレートの欠陥修正方法であって、上述のテンプレートの検査方法を行う検査工程と、上記検査工程で上記検査用テンプレートに上記黒欠陥部または上記白欠陥部が検出された場合に、当該黒欠陥部または当該白欠陥部に対応する上記第１テンプレートの黒欠陥部または白欠陥部を確認する第１テンプレート欠陥確認工程と、上記第１テンプレートに上記黒欠陥部または上記白欠陥部が検出された場合に、黒欠陥部または白欠陥部を修正する欠陥修正工程とを有することを特徴とするテンプレートの欠陥修正方法を提供する。

本発明によれば、上記第１テンプレートの黒欠陥部または白欠陥部を、少なくとも一回強調させた上記検査用テンプレートの黒欠陥部または白欠陥部によって検査することができるので、上記第１テンプレートが検出困難な微小な黒欠陥部または白欠陥部を有する場合であっても、感度良く検出することが可能である。

さらに、本発明は、表面に凹凸パターンが形成されたナノインプリントリソグラフィ用のテンプレートの製造方法であって、上述のテンプレートの欠陥修正方法を行う修正工程を有することを特徴とするテンプレートの製造方法を提供する。
本発明においては、上述のテンプレートの欠陥修正方法を行うことにより、欠陥の無い第１テンプレートを得ることが可能である。

また、本発明は、表面に凹凸パターンが形成されたナノインプリントリソグラフィ用のテンプレートの製造方法であって、上述のテンプレートの欠陥修正方法を行うことにより、上記第１テンプレートの上記黒欠陥部または上記白欠陥部を修正する修正工程と、上記修正工程後の第１テンプレートを用いたインプリントによる転写によって、第２テンプレートを作製する第２テンプレート作製工程とを有することを特徴とするテンプレートの製造方法を提供する。

本発明においては、上述のテンプレートの欠陥修正方法を行うことにより欠陥の無い第１テンプレートを得ることができ、この第１テンプレートを用いて第２テンプレートを作製することにより欠陥の無い第２テンプレートを得ることが可能である。

本発明においては、第１テンプレートの黒欠陥部または白欠陥部を、少なくとも一回強調させた検査用テンプレートの黒欠陥部または白欠陥部によって検査することができるので、第１テンプレートが検出困難な微小な黒欠陥部または白欠陥部を有する場合であっても、感度良く検出することが可能であるという効果を奏する。

第１実施態様のテンプレートの検査方法の一例を示すフローチャートである。 第１実施態様のテンプレートの検査方法における検査用テンプレート作製工程の一例を示すフローチャートである。 第１実施態様における検査用テンプレート作製工程の一例を示す工程図である。 第１実施態様における検査用テンプレート作製工程の一例を示す工程図である。 第１実施態様における検査用テンプレート作製工程の一例を示す工程図である。 第１実施態様における検査用テンプレート作製工程の一例を示す工程図である。 第１実施態様における検査用テンプレート作製工程の一例を示す工程図である。 第１実施態様における検査用テンプレート作製工程の一例を示す工程図である。 第１実施態様における検査用テンプレート作製工程の一例を示す工程図である。 第１実施態様における検査用テンプレート作製工程の一例を示す工程図である。 第１実施態様における検査用テンプレート作製工程の一例を示す工程図である。 第１実施態様における検査用テンプレート作製工程の他の例を示す工程図である。 第１実施態様における検査用テンプレート作製工程の他の例を示す工程図である。 第１実施態様における検査用テンプレート作製工程の他の例を示す工程図である。 第２実施態様のテンプレートの検査方法の一例を示すフローチャートである。 第２実施態様のテンプレートの検査方法における複数検査用テンプレート作製工程の一例を示すフローチャートである。 第２実施態様のテンプレートの検査方法における検査用テンプレート作製工程の一例を示すフローチャートである。 本発明のテンプレートの欠陥修正方法の一例を示すフローチャートである。 本発明のテンプレートの欠陥修正方法の他の例を示すフローチャートである。 本発明のテンプレートの欠陥修正方法における検査用テンプレート作製工程の他の例を示すフローチャートである。 第２実施態様のテンプレートの製造方法の一例を示すフローチャートである。 実施例１の第１テンプレート、１次転写先テンプレート、および検査用テンプレートのＳＥＭ写真である。 実施例２の第１テンプレート、１次転写先テンプレート、および検査用テンプレートのＳＥＭ写真である。 実施例３の第１テンプレート、１次転写先テンプレート、および検査用テンプレートのＳＥＭ写真である。 比較例１の第１テンプレートおよび検査用テンプレートのＳＥＭ写真である。 比較例２の第１テンプレートおよび検査用テンプレートのＳＥＭ写真である。 比較例３の第１テンプレートおよび検査用テンプレートのＳＥＭ写真である。 実施例４の第１テンプレート、１次転写先テンプレート、および検査用テンプレートのＳＥＭ写真である。 実施例５の第１テンプレート、１次転写先テンプレート、および検査用テンプレートのＳＥＭ写真である。 実施例６の第１テンプレート、１次転写先テンプレート、および検査用テンプレートのＳＥＭ写真である。

以下、本発明のＮＩＬ用のテンプレートの検査方法、欠陥修正方法および製造方法について詳細に説明する。

Ａ．テンプレートの検査方法
まず、本発明のテンプレートの検査方法について説明する。本発明のテンプレートの検査方法は、一つの検査用テンプレートを作製する第１実施態様と、複数の検査用テンプレートを作製する第２実施態様とに大別することができる。
以下、各実施態様についてそれぞれ説明する。

Ａ−１．第１実施態様のテンプレートの検査方法
本実施態様のテンプレートの検査方法は、表面に凹凸パターンが形成されたＮＩＬ用のテンプレートの検査方法であって、第１テンプレートを準備する第１テンプレート準備工程と、上記第１テンプレートを原版テンプレートとして用いて、転写元テンプレートから転写先テンプレートへのインプリントによる転写を行うインプリント転写工程を少なくとも一回行って、最終的に得られる上記転写先テンプレートを検査用テンプレートとして作製する検査用テンプレート作製工程と、上記検査用テンプレートの黒欠陥部または白欠陥部を検査する検査用テンプレート検査工程とを有し、上記第１テンプレートの黒欠陥部または白欠陥部を、当該黒欠陥部または当該白欠陥部に対応する上記検査用テンプレートの黒欠陥部または白欠陥部によって検査するテンプレートの検査方法であり、上記検査用テンプレート作製工程では、上記インプリント転写工程時に上記転写元テンプレートに含まれる黒欠陥部または白欠陥部を強調させる欠陥強調工程が少なくとも一回行われ、上記欠陥強調工程が、上記転写元テンプレートに黒欠陥部が含まれる場合には、上記転写先テンプレートの凹凸パターンの凸部の幅が、対応する上記転写元テンプレートの凹凸パターンの凹部の幅よりも小さくなるようにし、上記転写元テンプレートに白欠陥部が含まれる場合には、上記転写先テンプレートの凹凸パターンの凸部の幅が、対応する上記転写元テンプレートの凹凸パターンの凹部の幅よりも大きくなるようにする工程であることを特徴としている。

本実施態様のテンプレートの検査方法の一例について図面を参照しながら説明する。
図１は第１実施態様のテンプレートの検査方法の一例を示すフローチャートである。図２は第１実施態様のテンプレートの検査方法における検査用テンプレート作製工程の一例を示すフローチャートである。図３（ａ）〜（ｃ）、図４（ａ）〜（ｅ）、図５（ａ）〜（ｄ）、図６（ａ）〜（ｅ）、および図７（ａ）〜（ｄ）、ならびに図８（ａ）〜（ｅ）、図９（ａ）〜（ｄ）、図１０（ａ）〜（ｅ）、および図１１（ａ）〜（ｄ）は、第１実施態様における検査用テンプレート作製工程の一例を示す工程図である。図４（ａ）は図３（ａ）のＡ−Ａ線断面図、図５（ｄ）および図８（ａ）は図３（ｂ）のＡ−Ａ線断面図、図９（ｄ）は図３（ｃ）のＡ−Ａ線断面図、図６（ａ）は図３（ａ）のＢ−Ｂ線断面図、図７（ｄ）および図１０（ａ）は図３（ｂ）のＢ−Ｂ線断面図、図１１（ｄ）は図３（ｃ）のＢ−Ｂ線断面図である。

まず、図１に示すように、第１テンプレート準備工程Ｓ１を行う。例えば、図３（ａ）、図４（ａ）、および図６（ａ）に示すように、表面に凸部２および凹部３からなる凹凸パターン４としてラインアンドスペースパターンが形成され、透明基板から構成される第１テンプレート１を準備する。この例において、第１テンプレート１はショート欠陥の黒欠陥部５を有している。なお、本発明において、黒欠陥部とは、余剰パターンや異物等の欠陥をいう。

次に、図１に示すように、検査用テンプレート作製工程Ｓ２を行う。検査用テンプレート作製工程Ｓ２においては、例えば、図２に示すように、第１テンプレート１を原版テンプレートとして用いて、転写元テンプレートから転写先テンプレートへのインプリントによる転写を行うインプリント転写工程として、１次転写工程Ｓ２１および２次転写工程Ｓ２２の２回の転写工程を行う。なお、この例では、上記インプリント転写工程として、２回の転写工程を行うが、本実施態様においては、上記インプリント転写工程として、１回の転写工程のみを行っても、ｎ回の転写工程（ｎは２以上の整数）を行ってもよい。

１次転写工程Ｓ２１においては、図３（ａ）〜図３（ｂ）に示すように、第１テンプレート１を１次転写元テンプレート１Ａとして用いて、１次転写元テンプレート１Ａから１次転写先テンプレート１Ｂへのインプリントによる転写を行って、黒欠陥部５が転写されたオープン欠陥の白欠陥部１５を有する転写先テンプレート１Ｂを作製する。２次転写工程Ｓ２２においては、図３（ｂ）〜図３（ｃ）に示すように、１次転写工程Ｓ２１で得られる１次転写先テンプレート１Ｂを２次転写元テンプレート２Ａとして用いて、２次転写元テンプレート２Ａから２次転写先テンプレート２Ｂへのインプリントによる転写を行って、白欠陥部１５が転写されたショート欠陥の黒欠陥部２５を有する２次転写先テンプレート２Ｂを作製する。そして、この２次転写工程Ｓ２２で得られる２次転写先テンプレート２Ｂを検査用テンプレート１０として用いる。

具体的には、図４（ａ）〜（ｅ）および図５（ａ）〜（ｄ）に示される１次転写工程Ｓ２１が行われる。まず、図３（ａ）および図４（ａ）に示すように、第１テンプレート１を１次転写元テンプレート１Ａとして準備する。次いで、図４（ｂ）に示すように、転写先基板１０Ａ上にハードマスク層１６および樹脂層１７が積層された積層体を準備する。次いで、図４（ｃ）〜（ｄ）に示すように、樹脂層１７に１次転写元テンプレート１Ａを密着させ、樹脂層１７を硬化させ、１次転写元テンプレート１Ａを剥離して、樹脂層１７に凸部３２および凹部３３からなる凹凸パターン３４を転写する。次いで、図４（ｄ）〜（ｅ）に示すように、樹脂層１７の凹凸パターン３４の凹部３３を、ハードマスク層１６が露出するまでエッチングする。次いで、図４（ｅ）〜図５（ａ）に示すように、樹脂層１７をマスクとして、ハードマスク層１６の露出部分を、転写先基板１０Ａが露出するまでエッチングする。続いて、図５（ｂ）に示すように樹脂層１７を除去した後、図５（ｂ）〜（ｃ）に示すように、ハードマスク層１６をマスクとして、転写先基板１０Ａの露出部分をエッチングする。その後、図５（ｄ）に示すように、ハードマスク層１６を除去する。これにより、図３（ｂ）および図５（ｄ）に示すように、表面に凸部１２および凹部１３からなる凹凸パターン１４としてラインアンドスペースパターンが形成され、透明基板から構成される１次転写先テンプレート１Ｂが得られる。

そして、１次転写工程Ｓ２１においては、上記欠陥強調工程として、１次転写元テンプレート１Ａに含まれる黒欠陥部５を強調させる１次欠陥強調工程（黒欠陥強調工程）が行われる。図６（ａ）〜（ｅ）および図７（ａ）〜（ｄ）は、１次転写工程Ｓ２１において、１次転写元テンプレート１Ａの黒欠陥部５が１次転写先テンプレート１Ｂへ強調されて転写される様子を示す説明図であって、それぞれ、図４（ａ）〜（ｅ）および図５（ａ）〜（ｄ）に示される工程と同一の工程を示すものである。
１次欠陥強調工程では、例えば、図４（ｄ）〜（ｅ）に示すように樹脂層１７の凹凸パターン３４の凹部３３をハードマスク層１６が露出するまでエッチングする時間を長くする。これにより、図４（ｄ）〜（ｅ）に示されるように、樹脂層１７の凹凸パターン３４の凸部３２において、上方向のみならず横方向からのエッチングが進むため、凹凸パターン３４の凸部３２において凹部３３に隣接する側面がエッチングされてテーパー形状を有するようになる。同時に、図６（ｄ）〜（ｅ）に示されるように、樹脂層１７において黒欠陥部５が密着して形成された凹部に隣接する側面もエッチングされてテーパー形状を有するようになる。

これにより、図４（ｅ）〜図５（ａ）および図６（ｅ）〜図７（ａ）に示すようにハードマスク層１６をエッチングする時にハードマスク層１６がオーバーエッチングされ、１次転写元テンプレート１Ａのスペースパターンの短手方向の幅ｓ１（図中の破線）に対応するエッチング後のハードマスク層１６のパターンの平面視の幅を当該スペースパターンの短手方向の幅ｓ１よりも小さくすることができると同時に、ラインパターンの長手方向における１次転写元テンプレート１Ａの黒欠陥部５の長さｄ１（図中の破線）に対応するエッチング後のハードマスク層１６の開口部の平面視の長さを黒欠陥部５の長さｄ１よりも大きくすることができる。

その結果、図５（ｄ）および図７（ｄ）に示すように、１次転写先テンプレート１Ｂのラインアンドスペースパターンのラインパターンの短手方向の幅ｌ２（凹凸パターン１４の凸部１２の幅）を１次転写元テンプレート１Ａのラインアンドスペースパターンのスペースパターンの短手方向の幅ｓ１（凹凸パターン４の凹部３の幅）（図中の破線）よりも小さくすることができると同時に、ラインパターンの長手方向における１次転写先テンプレート１Ｂの白欠陥部１５の長さｄ２をラインパターンの長手方向における１次転写元テンプレート１Ａの黒欠陥部５の長さｄ１（図中の破線）よりも大きくすることができる。これにより、１次転写元テンプレート１Ａの黒欠陥部５を強調させる。

また、具体的には、図８（ａ）〜（ｅ）および図９（ａ）〜（ｄ）に示される２次転写工程Ｓ２２が行われる。まず、図３（ｂ）および図８（ａ）に示すように、１次転写工程Ｓ２１で得られる１次転写先テンプレート１Ｂを２次転写元テンプレート２Ａとして準備する。次いで、図８（ｂ）に示すように、転写先基板１０Ａ上にハードマスク層１６および樹脂層１７を積層した積層体を準備する。次いで、図８（ｃ）〜（ｄ）に示すように、樹脂層１７に２次転写元テンプレート２Ａを密着させ、樹脂層１７を硬化させ、２次転写元テンプレート２Ａを剥離して、樹脂層１７に凸部３２および凹部３３からなる凹凸パターン３４を転写する。次いで、図８（ｄ）〜（ｅ）に示すように、樹脂層１７の凹凸パターン３４の凹部３３を、ハードマスク層１６が露出するまでエッチングする。次いで、図８（ｅ）〜図９（ａ）に示すように、樹脂層１７をマスクとして、ハードマスク層１６の露出部分を、転写先基板１０Ａが露出するまでエッチングする。続いて、図９（ｂ）に示すように樹脂層１７を除去した後、図９（ｂ）〜（ｃ）に示すように、ハードマスク層１６をマスクとして、転写先基板１０Ａの露出部分をエッチングする。その後、図９（ｄ）に示すように、ハードマスク層１６を除去する。これにより、図３（ｃ）および図９（ｄ）に示すように、表面に凸部２２および凹部２３からなる凹凸パターン２４としてラインアンドスペースパターンが形成され、透明基板から構成される２次転写先テンプレート２Ｂが得られる。

そして、２次転写工程Ｓ２２においては、上記欠陥強調工程として、２次転写元テンプレート２Ａに含まれる白欠陥部１５を強調させる２次欠陥強調工程（白欠陥強調工程）が行われる。図１０（ａ）〜（ｅ）および図１１（ａ）〜（ｄ）は、２次転写工程Ｓ２２において、２次転写元テンプレート２Ａの白欠陥部１５が２次転写先テンプレート２Ｂへ強調されて転写される様子を示す説明図であって、それぞれ、図８（ａ）〜（ｅ）および図９（ａ）〜（ｄ）に示される工程と同一の工程を示すものである。
２次欠陥強調工程では、例えば、具体的には、例えば、図８（ｄ）〜（ｅ）に示すように樹脂層１７の凹凸パターン３４の凹部３３をハードマスク層１６が露出するまでエッチングする時間を短くする。これにより、図８（ｄ）〜（ｅ）に示されるように、樹脂層１７の凹凸パターン３４の凸部３２において、上方向および横方向からのエッチングが抑制されるため、凹凸パターン３４の凹部３３に隣接する側面のエッチングが抑制される。同時に、図１０（ｄ）〜（ｅ）に示されるように、樹脂層１７において白欠陥部１５が密着して形成された凸部においても、上方向および横方向からのエッチングが抑制されるため、凹凸パターン３４の凹部３３に隣接する側面のエッチングが抑制される。

これにより、図８（ｅ）〜図９（ａ）および図１０（ｅ）〜図１１（ａ）に示すようにハードマスク層１６をエッチングする時にオーバーエッチングが抑制され、２次転写元テンプレート２Ａのスペースパターンの短手方向の幅ｓ２（図中の破線）に対応するエッチング後のハードマスク層１６のパターンの平面視の幅を当該スペースパターンの短手方向の幅ｓ２よりも大きくすることができると同時に、ラインパターンの長手方向における２次転写元テンプレート２Ａの白欠陥部１５の長さｄ２（図中の破線）に対応するエッチング後のハードマスク層１６のパターンの平面視の長さを白欠陥部１５の長さｄ２よりも大きくすることができる。

その結果、図９（ｄ）および図１１（ｄ）に示すように、２次転写先テンプレート２Ｂのラインパターンの短手方向の幅ｌ３を２次転写元テンプレート２Ａのスペースパターンの短手方向の幅ｓ２（図中の破線）よりも大きくすることができると同時に、ラインパターンの長手方向における２次転写先テンプレート２Ｂの黒欠陥部２５の長さｄ３をラインパターンの長手方向における２次転写元テンプレート２Ａの白欠陥部１５の長さｄ２（図中の破線）よりも大きくすることができる。これにより、２次転写元テンプレート２Ａの白欠陥部１５をさらに強調させる。

次に、図１に示すように、検査用テンプレート検査工程Ｓ３を行う。例えば、検査用テンプレートを電子ビームや光を利用して検査する。これにより、図３（ａ）に示される第１テンプレート１の黒欠陥部５を、図３（ｃ）に示される２回強調させた検査用テンプレート１０の黒欠陥部２５によって検査することができる。

上記の例においては、図３（ａ）に示される第１テンプレート１のショート欠陥の黒欠陥部５を、図３（ｃ）に示される検査用テンプレート１０のショート欠陥の黒欠陥部２５によって検査する場合を説明したが、本実施態様はこれに限定されるものではない。例えば、凹凸パターン４としてラインアンドスペースパターンが形成された図１２（ａ）に示される第１テンプレート１（１次転写元テンプレート１Ａ）のエッジ欠陥の黒欠陥部５を、図１２（ｃ）に示される検査用テンプレート１０（２次転写先テンプレート２Ｂ）のエッジ欠陥の黒欠陥部２５によって検査することもできる。この場合も同様に、まず、１次転写工程Ｓ２１において、１次欠陥強調工程が行われる。具体的には、図１２（ｂ）に示されるように、１次転写先テンプレート１Ｂのラインアンドスペースパターンのラインパターンの短手方向の幅ｌ２が、対応する１次転写元テンプレート１Ａのラインアンドスペースパターンのスペースパターンの短手方向の幅ｓ１（図中の破線）よりも小さくなるようにすることによって、ラインパターンの長手方向における１次転写先テンプレート１Ｂのエッジ欠陥の白欠陥部１５の長さｄ２を、ラインパターンの長手方向における１次転写元テンプレート１Ａの黒欠陥部５の長さｄ１（図中の破線）よりも大きくする。これにより、１次転写元テンプレート１Ａの黒欠陥部５を強調させる。

次に、２次転写工程Ｓ２２において、２次欠陥強調工程が行われる。具体的には、図１２（ｃ）に示されように、２次転写先テンプレート２Ｂのラインアンドスペースパターンのラインパターンの短手方向の幅ｌ３が、対応する２次転写元テンプレート２Ａ（１次転写先テンプレート１Ｂ）のラインアンドスペースパターンのスペースパターンの短手方向の幅ｓ２（図中の破線）よりも大きくなるようにすることによって、ラインパターンの長手方向における２次転写先テンプレート２Ｂの黒欠陥部２５の長さｄ３を、ラインパターンの長手方向における２次転写元テンプレート２Ａの白欠陥部１５の長さｄ２（図中の破線）よりも大きくする。これにより、２次転写元テンプレート２Ａの白欠陥部１５をさらに強調させる。

本実施態様において、上記検査用テンプレート作製工程では、上述した１次転写工程Ｓ２１および２次転写工程Ｓ２２のような上記インプリント転写工程が少なくとも一回行われ、上述した１次欠陥強調工程および２次欠陥強調工程のような上記欠陥強調工程が少なくとも一回行われる。これにより、上記第１テンプレートの黒欠陥部または白欠陥部を、少なくとも一回強調させた上記検査用テンプレートの黒欠陥部または白欠陥部によって検査することができるので、欠陥部を高感度で検出することができる。そのため、上記第１テンプレートが微小な黒欠陥部または白欠陥部を有する場合、特に既存の欠陥検査装置では検出困難な微小な黒欠陥部または白欠陥部を有する場合であっても、欠陥部を感度良く検出することが可能である。

また、ナノインプリントリソグラフィでは、テンプレートの凹凸パターンを被転写体に押し付けて転写するため、テンプレートが欠陥部を有すると、その欠陥部がそのまま転写される。フォトマスクやＥＵＶマスクでは、例えばパターンを１／４倍で縮小露光するため、欠陥部の影響が軽減されるのに対し、ＮＩＬ用のテンプレートでは、原理上、凹凸パターンを原寸で転写するため、欠陥部の影響が直接的に現れるという特有の課題がある。そのため、欠陥部の検査が特に重要になるが、本実施態様においては上述のように検出困難な微小な黒欠陥部または白欠陥部であっても感度良く検出することができる。

また、欠陥部の検査には光検査や電子ビーム検査があり、光検査は電子ビーム検査と比較して検査時間が極めて短いという利点を有するものの、感度が低いという不具合がある。一方、本実施態様においては、上記第１テンプレートの黒欠陥部または白欠陥部を、少なくとも一回強調させた上記検査用テンプレートの黒欠陥部または白欠陥部によって検査することにより、上記第１テンプレートが光検査では検出困難な微小な黒欠陥部または白欠陥部を有する場合であっても、光検査によって欠陥部を感度良く検出することができ、また電子ビーム検査と同程度の高感度で検出することができる。これにより、高速かつ高感度の検査を実現することができ、生産性を大幅に向上させることが可能になる。そのため、本実施態様は光検査に特に有用である。

以下、本実施態様のテンプレートの検査方法における各工程について説明する。

１．第１テンプレート準備工程
上記第１テンプレートは、通常、透明基板から構成されるものである。上記透明基板を構成する材料としては、例えば、合成石英、ソーダガラス、蛍石、フッ化カルシウム等が挙げられる。中でも、フォトマスク用基板としての使用実績が高く品質が安定しており、凹凸パターンを形成することにより一体化した構造とすることができ、高精度の微細な凹凸パターンを形成できるため、合成石英が好適に用いられる。
上記透明基板の光透過性としては、波長３００ｎｍ〜４５０ｎｍの範囲内における光線の透過率が８５％以上であることが好ましい。
また、上記透明基板の厚さは、材料や用途等に応じて異なるものであるが、例えば０．５ｍｍ〜１０ｍｍ程度である。

上記第１テンプレートは、表面に凹凸パターンが形成されている。上記凹凸パターンの形状としては特に限定されるものではなく、例えばラインアンドスペース、ドット、ホール、アイソレートスペース、アイソレートライン、ピラー、レンズ、段差等を挙げることができる。また、上記凹凸パターンの寸法としては、特に限定されるものではなく、一般的なＮＩＬ用のテンプレートと同様とすることができる。上記凹凸パターンの形状がラインアンドスペースである場合には、ハーフピッチ（ｈｐ）は、５０ｎｍ以下が好ましく、中でも３０ｎｍ以下が好ましく、特に２０ｎｍ以下が好ましい。欠陥検査では微細なパターンほど検出が困難で、本発明で所望の欠陥の検出が容易になるからである。

上記第１テンプレートが黒欠陥部を有する場合、上記黒欠陥部としては、例えば図３（ａ）に示すようなショート欠陥、図１２（ａ）に示すようなエッジ黒欠陥、図示しないがピンドット欠陥等が挙げられる。なお、黒欠陥の種類はパターンのどの場所に発生したかによって異なり、ラインパターン間が繋がった黒欠陥をショート欠陥、パターンエッジに発生した黒欠陥をエッジ黒欠陥、スペース上に孤立にある黒欠陥をピンドット欠陥（ＢＳ：ブラックスポットとも呼ぶ）と称する。また、上記第１テンプレートが白欠陥部を有する場合、上記白欠陥部としては、例えば図３（ｂ）に示すようなオープン欠陥、図１２（ｂ）に示すようなエッジ白欠陥、図示しないがピンホール欠陥等が挙げられる。なお、白欠陥の種類は、パターンのどの場所に発生したかによって異なり、ラインパターンが断線した白欠陥をオープン欠陥、パターンエッジに発生した白欠陥をエッジ白欠陥、ラインパターン上に孤立にある白欠陥をピンホール欠陥と称する。本実施態様においては、いずれの黒欠陥部または白欠陥部であっても、上記第１テンプレートの黒欠陥部または白欠陥部を、当該黒欠陥部または当該白欠陥部に対応する上記検査用テンプレートの黒欠陥部または白欠陥部で検査することにより、感度良く検出することができる。

また、上記第１テンプレートの作製方法としては、一般的なＮＩＬ用のテンプレートの作製方法と同様とすることができ、例えば、透明基板上にハードマスク層およびレジスト層が順に積層されたブランクスを準備し、レジスト層をパターニングし、パターニングされたレジスト層をマスクとしてハードマスク層をエッチングしてレジスト層を除去し、エッチングされたハードマスク層をマスクとして透明基板をエッチングしてハードマスク層を除去する方法が挙げられる。

本実施態様において、上記第１テンプレートは、ブランクスを加工して得られたテンプレート（マスターテンプレート）であってもよく、マスターテンプレートを用いたインプリントによる転写によって得られたテンプレート（レプリカテンプレート）であってもよく、レプリカテンプレートをさらに任意の回数転写して得られたテンプレートであってもよい。中でも、上記第１テンプレートはマスターテンプレートであることが好ましい。本実施態様のテンプレートの検査方法により、欠陥の無いマスターテンプレートを得ることができ、この欠陥の無いマスターテンプレートを用いて欠陥の無いレプリカテンプレートを得ることができるからである。

２．検査用テンプレート作製工程
本実施態様における検査用テンプレートの作製工程では、上記第１テンプレートを原版テンプレートとして用いて、転写元テンプレートから転写先テンプレートへのインプリントによる転写を行うインプリント転写工程を少なくとも一回行って、最終的に得られる上記転写先テンプレートを検査用テンプレートとして作製し、上記インプリント転写工程時に上記転写元テンプレートに含まれる黒欠陥部または白欠陥部を強調させる欠陥強調工程が少なくとも一回行われ、上記欠陥強調工程が、上記転写元テンプレートに黒欠陥部が含まれる場合には、上記転写先テンプレートの凹凸パターンの凸部の幅が、対応する上記転写元テンプレートの凹凸パターンの凹部の幅よりも小さくなるようにし、上記転写元テンプレートに白欠陥部が含まれる場合には、上記転写先テンプレートの凹凸パターンの凸部の幅が、対応する上記転写元テンプレートの凹凸パターンの凹部の幅よりも大きくなるようにする工程である。

以下、上記検査用テンプレート作製工程における各工程を説明した上で、上記検査用テンプレート作製工程について説明する。

（１）インプリント転写工程
上記インプリント転写工程では、転写元テンプレートから転写先テンプレートへのインプリントによる転写を行う。上記検査用テンプレート作製工程では、上記第１テンプレートを原版テンプレートとして用いて、上記インプリント転写工程を少なくとも一回行う。

具体的には、上記検査用テンプレート作製工程では、上記インプリント転写工程として、上記原版テンプレートを上記転写元テンプレートとして用いる１次転写工程のみを行う場合と、上記インプリント転写工程として、上記１次転写工程からｎ−１次転写工程で得られる上記転写先テンプレートを上記転写元テンプレートとして用いるｎ次転写工程（ｎは２以上の整数）までのｎ回の転写工程を行う場合とがある。

上記インプリント転写工程としては、一般的なインプリント転写工程と同様とすることができる。例えば、上記インプリント転写工程は、転写先基板上にハードマスク層および樹脂層を積層する積層工程と、上記樹脂層に上記転写元テンプレートを密着させ、上記樹脂層を硬化させた後、上記転写元テンプレートを剥離し、表面に凹凸パターンを有する上記樹脂層を形成する密着転写工程と、上記樹脂層の凹凸パターンの凹部を、上記ハードマスク層が露出するまでエッチングする第１エッチング工程と、上記ハードマスク層の露出部分を、上記転写先基板が露出するまでエッチングする第２エッチング工程と、上記転写先基板の露出部分をエッチングする第３エッチング工程とを有することができる。
以下、上記インプリント転写工程における各工程を説明した上で、上記インプリント転写工程について説明する。

ｉ．積層工程
上記積層工程では、転写先基板上にハードマスク層および樹脂層を積層する。

上記転写先基板としては、例えば透明基板が挙げられる。なお、透明基板については、第１テンプレートと同様であるので、ここでの説明は省略する。

上記ハードマスク層に用いられる材料としては、例えばＣｒ、Ｔａ、Ｍｏ、Ｔｉ等の金属、これらの金属を含む合金、およびこれらの金属を含む酸化物や窒化物等を挙げることができる。
上記ハードマスク層の厚みは、例えば３ｎｍ〜１００ｎｍの範囲内であることが好ましく、５ｎｍ〜３０ｎｍの範囲内であることがより好ましい。
上記ハードマスク層の形成方法としては、例えば蒸着法が挙げられる。

上記樹脂層に用いられる材料としては、後述の転写工程にて硬化可能な硬化性樹脂であればよく、例えば光硬化性樹脂が挙げられる。光硬化性樹脂としては、具体的には、ＰＡＫ−０１（東亞合成製）、ＮＩＰ−Ｋ（Zen Photonics製）、およびＴＳＲ−８２０（帝人製機製）等を挙げることができる。ＰＡＫ−０１（東亞合成製）は硬化収縮しやすいことから好ましく用いられる。
上記樹脂層の厚みは、例えば１０ｎｍ〜数百ｎｍ程度で設定することができる。
上記樹脂層の形成方法としては、上記転写先基板上に硬化性樹脂組成物を塗布する方法を挙げることができ、塗布方法としては、例えばインクジェット法、滴下法、スピンコート法等を挙げることができる。

ii．密着転写工程
上記密着転写工程では、上記樹脂層に上記転写元テンプレートを密着させ、上記樹脂層を硬化させた後、上記転写元テンプレートを剥離し、表面に凹凸パターンを有する上記樹脂層を形成する。

上記樹脂層の硬化方法としては、通常、光を照射する方法が用いられる。光の種類としては、例えば紫外線、可視光線、赤外線、Ｘ線等を挙げることができる。一般に使用される紫外線の波長帯としては、例えば３００ｎｍ〜４００ｎｍの範囲内である。また、光の照射量としては、硬化性樹脂が十分に硬化する量であれば特に限定されるものではない。

上記樹脂層の凹凸パターンは、上記第１テンプレートの凹凸パターンが転写されたものであり、上記樹脂層の凹凸パターンの形状および寸法については、上記第１テンプレートの凹凸パターンと同様である。

上記転写先テンプレートが白欠陥部を有する場合、上記白欠陥部としては、例えば図３（ｂ）に示すようなオープン欠陥、図１２（ｂ）に示すようなエッジ白欠陥、図示しないがピンホール欠陥等が挙げられる。なお、白欠陥の種類は、パターンのどの場所に発生したかによって異なり、ラインパターンが断線した白欠陥をオープン欠陥、パターンエッジに発生した白欠陥をエッジ白欠陥、ラインパターン上に孤立にある白欠陥をピンホール欠陥と称する。

上記転写元テンプレートを剥離する方法としては、特に限定されるものではなく、一般的なインプリントで用いられる方法と同様である。

iii．第１エッチング工程
上記第１エッチング工程では、上記樹脂層の凹凸パターンの凹部を、上記ハードマスク層が露出するまでエッチングする。上記樹脂層の凹凸パターンを全体的にエッチングして厚みを薄くすることで、凹部の樹脂層が除去され、下地のハードマスク層が露出する。このとき、凸部の樹脂層は残存している。
上記樹脂層のエッチング方法としては、例えばドライエッチングが挙げられる。また、上記樹脂層のエッチング方法は、上記樹脂層および上記ハードマスク層のうち、上記樹脂層を選択的にエッチングできる方法であることが好ましい。ドライエッチングに使用されるガスの種類としては、上記樹脂層および上記ハードマスク層の材料や厚み等に応じて適宜選択される。例えば、酸素、窒素、塩素、フッ素系等のガスで上記樹脂層をエッチングすることができる。

iv．第２エッチング工程
上記第２エッチング工程では、上記ハードマスク層の露出部分を、上記転写先基板が露出するまでエッチングする。
上記ハードマスク層のエッチング方法としては、例えばドライエッチングが挙げられる。また、上記ハードマスク層のエッチング方法は、上記樹脂層および上記ハードマスク層のうち、上記ハードマスク層を選択的にエッチングできる方法であることが好ましい。ドライエッチングに使用されるガスの種類としては、上記樹脂層および上記ハードマスク層の材料や厚み等に応じて適宜選択される。例えば、塩素および酸素の混合ガスを用いることができる。

上記ハードマスク層のエッチング後には、通常、上記樹脂層を除去する。上記樹脂層の除去は、後述の第３エッチング工程前に行うことが好ましい。後述の第３エッチング工程にて転写先基板の露出部分をエッチングする際に上記樹脂層がある場合は、上記樹脂層のスカム（残渣）や残膜等により安定的にエッチングができない可能性がある。また、上記ハードマスク層のエッチングから上記転写先基板のエッチングに進む際、一般的にはドライエッチングチャンバーを変更するが、このチャンバーを変更する際に上記転写先基板上に異物が付着するおそれがある。上記転写先基板のエッチングの前に上記樹脂層を除去することで、その異物も同時に除去することができる。
上記樹脂層の除去方法としては、例えばウェットエッチングまたはドライエッチングが挙げられる。ウェットエッチングでは、上記樹脂層のみを容易に除去することができる。

v．第３エッチング工程
上記第３エッチング工程では、上記転写先基板の露出部分をエッチングする。
上記転写先基板のエッチング方法としては、例えばドライエッチングが挙げられる。また、上記転写先基板のエッチング方法は、上記転写先基板および上記ハードマスク層のうち、上記転写先基板を選択的にエッチングできる方法であることが好ましい。ドライエッチングに使用されるガスの種類としては、上記転写先基板および上記ハードマスク層の材料や厚み等に応じて適宜選択される。例えば、ＣＦ₄、ＳＦ₆、ＣＨＦ₃、Ｃ₄Ｆ₈を用いることができ、酸素、ヘリウムガスをさらに混合してもよい。

vi．ハードマスク層除去工程
上記インプリント転写工程としては、特に限定されるものではないが、上記第３エッチング工程後に上記ハードマスク層を除去するハードマスク層除去工程をさらに有してもよい。
上記ハードマスク層の除去方法としては、例えばウェットエッチングまたはドライエッチングが挙げられる。ウェットエッチングでは、上記ハードマスク層のみを容易に除去することができる。ウェットエッチングにおいて、例えば上記ハードマスク層がクロムを含む場合には、硝酸第二セリウムアンモニウムおよび過塩素酸を含む水溶液を用いることができる。また、ドライエッチングにおいて、例えば上記ハードマスク層がクロムを含む場合には、塩素および酸素の混合ガスを用いることができる。

vii．インプリント転写工程
上記インプリント転写工程としては、特に限定されるものではないが、例えば、上記黒欠陥部が含まれる上記転写元テンプレートから上記転写先テンプレートへのインプリントによる転写を行う黒欠陥部含有テンプレート転写工程と、上記白欠陥部が含まれる上記転写元テンプレートから上記転写先テンプレートへのインプリントによる転写を行う白欠陥部含有テンプレート転写工程とが挙げられる。

（２）欠陥強調工程
上記欠陥強調工程では、上記インプリント転写工程時に上記転写元テンプレートに含まれる黒欠陥部または白欠陥部を強調させる。上記欠陥強調工程では、上記転写元テンプレートに黒欠陥部が含まれる場合には、上記転写先テンプレートの凹凸パターンの凸部の幅が、対応する上記転写元テンプレートの凹凸パターンの凹部の幅よりも小さくなるようにし、上記転写元テンプレートに白欠陥部が含まれる場合には、上記転写先テンプレートの凹凸パターンの凸部の幅が、対応する上記転写元テンプレートの凹凸パターンの凹部の幅よりも大きくなるようにする。上記検査用テンプレート作製工程では、上記欠陥強調工程が少なくとも一回行われる。

ここで、本発明において、「上記転写元テンプレートに含まれる黒欠陥部を強調させる」とは、上記転写元テンプレートの黒欠陥部の平面視の大きさに対して、その黒欠陥部が転写された上記転写先テンプレートの白欠陥部の平面視の大きさを大きくすることをいう。また、本発明において、「上記転写元テンプレートに含まれる白欠陥部を強調させる」とは、上記転写元テンプレートの白欠陥部の平面視の大きさに対して、その白欠陥部が転写された上記転写先テンプレートの黒欠陥部の平面視の大きさを大きくすることをいう。比較対象の黒欠陥部および白欠陥部の平面視の大きさとしては、例えば、長さであってもよく幅であってもよい。具体的には、上記凹凸パターンがラインアンドスペースパターンである場合には、ラインパターンの長手方向における黒欠陥部および白欠陥部の長さを挙げることができる。

また、ここで、本発明において、「上記転写先テンプレートの凹凸パターンの凸部の幅が、対応する上記転写元テンプレートの凹凸パターンの凹部の幅よりも小さくなるようにする」とは、上記転写元テンプレートの凹凸パターンの凸部の平面視の幅に対して、その凹凸パターンが転写された上記転写先テンプレートの凹凸パターンの凹部の平面視の幅を小さくなるようにすることをいう。さらに、本発明において、「上記転写先テンプレートの凹凸パターンの凸部の幅が、対応する上記転写元テンプレートの凹凸パターンの凹部の幅よりも大きくなるようにする」とは、上記転写元テンプレートの凹凸パターンの凸部の平面視の幅に対して、その凹凸パターンが転写された上記転写先テンプレートの凹凸パターンの凹部の平面視の幅を大きくなるようにすることをいう。比較対象の凸部および凹部の平面視の幅としては、凸部パターンまたは凹部パターンの短手方向における平面視の幅であっても、その長手方向における平面視の幅であってもよい。例えば、上記凹凸パターンがラインアンドスペースパターンである場合には、ラインパターンの短手方向の幅およびスペースパターンの短手方向の幅を挙げることができる。

上記欠陥強調工程としては、例えば、図３（ａ）に示される第１テンプレート１（１次転写元テンプレート１Ａ）のショート欠陥の黒欠陥部５を、図３（ｃ）に示される検査用テンプレート１０（２次転写先テンプレート２Ｂ）のショート欠陥の黒欠陥部２５によって検査する場合には、上述したように、１次転写工程Ｓ２１および２次転写工程Ｓ２２においてそれぞれ１次欠陥強調工程および２次欠陥強調工程が行われる。また、図１２（ａ）に示される第１テンプレート１（１次転写元テンプレート１Ａ）のエッジ欠陥の黒欠陥部５を、図１２（ｃ）に示される検査用テンプレート１０（２次転写先テンプレート２Ｂ）のエッジ欠陥の黒欠陥部２５によって検査する場合にも、上述したように、１次転写工程Ｓ２１および２次転写工程Ｓ２２においてそれぞれ１次欠陥強調工程および２次欠陥強調工程が行われる。

i．転写元テンプレートに黒欠陥部が含まれる場合
上記転写元テンプレートに黒欠陥部が含まれる場合には、上記欠陥強調工程として、上記黒欠陥部含有テンプレート転写工程時に上記転写元テンプレートに含まれる上記黒欠陥部を強調させる黒欠陥強調工程が行われる。上記黒欠陥強調工程では、上記転写先テンプレートの凹凸パターンの凸部の幅が、対応する上記転写元テンプレートの凹凸パターンの凹部の幅よりも小さくなるようにする。これにより、上記転写元テンプレートに含まれる上記黒欠陥部を強調させる。

上記黒欠陥強調工程は、特に限定されるものではないが、上記転写先テンプレートの凹凸パターンの凸部の幅が、対応する上記転写元テンプレートの凹凸パターンの凹部の幅よりも４０％〜２％小さくなるようにすることが好ましく、中でも２０％〜１０％小さくなるようにすることが好ましい。また、上記凹凸パターンの形状がラインアンドスペースである場合において、ハーフピッチ（ｈｐ）が、３０ｎｍ〜２０ｎｍである場合には、上記転写先テンプレートの凹凸パターンの凸部の幅が、対応する上記転写元テンプレートの凹凸パターンの凹部の幅よりも８ｎｍ〜１ｎｍ小さくなるようにすることが好ましく、中でも５ｎｍ〜２ｎｍ小さくなるようにすることが好ましい。上記転写先テンプレートの凹凸パターンの凸部の幅が小さくなり過ぎると、パターンのエッジラフネスの影響により凸部が倒れたり、消失するからであり、上記転写先テンプレートの凹凸パターンの凸部の幅が大き過ぎると、上記転写元テンプレートに含まれる黒欠陥部を強調させることができないからである。

ここで、「上記転写先テンプレートの凹凸パターンの凹部の幅および凸部の幅」ならびに「上記転写元テンプレートの凹凸パターンの凹部の幅および凸部の幅」は、上記第１テンプレートの表面に形成された凹凸パターンの凹部の幅および凸部の幅を測定する方法と同一の方法によって測定することができる。具体的には、上記第１テンプレートの表面に形成された凹凸パターンの凹部の幅および凸部の幅を、走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）等の電子顕微鏡によって直接測定できる場合には、それらも同様に走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）等の電子顕微鏡によって直接測定される。そして、上記第１テンプレートの表面に形成された凹凸パターンの凹部の幅および凸部の幅が、走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）等の電子顕微鏡によって直接測定できないほど細線化し、他の方法によって測定される場合には、それらも同様にその他の方法によって測定される。

本発明において、上記転写先テンプレートの凹凸パターンの凸部の幅が、対応する上記転写元テンプレートの凹凸パターンの凹部の幅よりも小さくなるようにする方法は、特に限定されるものではないが、例えば、上記第１エッチング工程または上記第２エッチング工程でのエッチング時間を長くする方法および上記密着転写工程中または上記密着転写工程後に上記樹脂層に電子線や紫外線を照射する方法が挙げられる。以下、これらの方法をそれぞれ説明する。

ａ．エッチング時間
上記第１エッチング工程での樹脂層のエッチング時間を長くする方法では、上述した１次転写工程Ｓ２１における１次欠陥強調工程の例のように、例えば、図４（ｄ）〜（ｅ）に示すように樹脂層１７の凹凸パターン３４の凹部３３をハードマスク層１６が露出するまでエッチングする時間を長くすることにより、１次転写元テンプレート１Ａの黒欠陥部５を強調させる。

また、上記第２エッチング工程でのハードマスク層のエッチング時間を長くする方法では、例えば、図４（ｅ）〜図５（ａ）に示すように樹脂層１７をマスクとして、ハードマスク層１６の露出部分を転写先基板１０Ａが露出するまでエッチングする時間を長くする。これにより、図４（ｅ）〜図５（ａ）および図６（ｅ）〜図７（ａ）に示すように、ハードマスク層１６がオーバーエッチングされ、１次転写元テンプレート１Ａのスペースパターンの短手方向の幅ｓ１（図中の破線）に対応するエッチング後のハードマスク層１６のパターンの平面視の幅を当該スペースパターンの短手方向の幅ｓ１よりも小さくすることができると同時に、ラインパターンの長手方向における１次転写元テンプレート１Ａの黒欠陥部５の長さｄ１（図中の破線）に対応するエッチング後のハードマスク層１６の開口部の平面視の長さを黒欠陥部５の長さｄ１よりも大きくすることができる。

その結果、図５（ｄ）および図７（ｄ）に示すように、１次転写先テンプレート１Ｂのラインパターンの短手方向の幅ｌ２を１次転写元テンプレート１Ａのスペースパターンの短手方向の幅さｓ１（図中の破線）よりも小さくすることができると同時に、ラインパターンの長手方向における１次転写先テンプレート１Ｂの白欠陥部１５の長さｄ２をラインパターンの長手方向における１次転写元テンプレート１Ａの黒欠陥部５の長さｄ１（図中の破線）よりも大きくすることができる。

上記第１エッチング工程でのエッチング時間を長くする方法においては、具体的に、上記欠陥強調工程とされていない上記インプリント転写工程のときよりも、上記第１エッチング工程でのエッチング時間を長くすることが好ましい。ここで、本発明において、「上記欠陥強調工程とされていない上記インプリント転写工程」とは、上記インプリント転写工程のうち、上記インプリント転写工程時に上記欠陥強調工程によって上記転写元テンプレートに含まれる黒欠陥部または白欠陥部を強調させない工程を意味する。そして、「上記欠陥強調工程とされていない上記インプリント転写工程」とは、具体的には、上記第１テンプレートから出荷用の第２テンプレートへのインプリントによる転写を行う通常のインプリント転写工程のように、上記転写先テンプレートの凹凸パターンの凸部の幅が、対応する上記転写元テンプレートの凹凸パターンの凹部の幅と同一になるようにする工程を意味する。
なお、一般的な出荷用の第２テンプレートへのインプリントによる転写を行うインプリント転写工程は、上記欠陥強調工程とされていない上記インプリント転写工程に相当するものであるが、顧客の要求又はインプリントの品質改善の為、転写先テンプレートである第２テンプレートの凹凸パターンの凸部の幅を、転写元テンプレートである第１テンプレートの凹凸パターンの凹の幅より小さくしたり、大きくしたりする場合がある。
ここで、本発明において、「上記転写先テンプレートの凹凸パターンの凸部の幅が、対応する上記転写元テンプレートの凹凸パターンの凹部の幅と同一になるようにする」とは、上記転写先テンプレートの凹凸パターンの凸部の幅が、対応する上記転写元テンプレートの凹凸パターンの凹部の幅の±５％以内であることを意味する。中でも、±３％以内であることが好ましい。

このような上記第１エッチング工程でのエッチング時間を長くする方法としては、例えば、上記樹脂層の凹凸パターンの残膜部分の厚さを厚くする方法を挙げることができ、具体的には、上記欠陥強調工程とされていない上記インプリント転写工程のときよりも、上記樹脂層の凹凸パターンの残膜部分の厚さを厚くすることが好ましい。上記樹脂層の凹凸パターンの残膜部分の厚さが厚いことにより、上記樹脂層のエッチング時間を長くすることができる。上記樹脂層の凹凸パターンの残膜部分の厚さが厚いほど、例えば、図４（ｄ）〜（ｅ）に示すように樹脂層１７の凹凸パターン３４の凹部３３をハードマスク層１６が露出するまでエッチングする時間が長くなる。これにより、図４（ｄ）〜（ｅ）に示されるように、樹脂層１７の凹凸パターン３４の凸部３２において、上方向のみならず横方向からのエッチングが進むため、凹凸パターン３４の凸部３２において凹部３３に隣接する側面がエッチングされてテーパー形状を有するようになる。同時に、図６（ｄ）〜（ｅ）に示されるように、樹脂層１７において黒欠陥部５が密着して形成された凹部に隣接する側面がエッチングされてテーパー形状を有するようになる。

ここで、ナノインプリントリソグラフィにおいて、転写された凹凸パターンの残膜部分の厚さは、ＲＬＴ（Ｒｅｓｉｄｕａｌ Ｌａｙｅｒ Ｔｈｉｃｋｎｅｓｓ）と呼ばれる。なお、本発明において、ＲＬＴである「上記樹脂層の凹凸パターンの残膜部分の厚さ」とは、図４（ｄ）に例示する樹脂層１７の凹凸パターン３４の凹部３３の厚さＴのような厚さをいう。
通常、上記欠陥強調工程とされていない上記インプリント転写工程の場合、ＲＬＴはなるべく薄いほうが望ましいとされており、凹凸パターンの寸法や材料等にもよるが、例えば上記樹脂層の高さが１００ｎｍ程度の場合、ＲＬＴは１０ｎｍ程度である。
これに対し、本実施態様においては、上記欠陥強調工程とされていない上記インプリント転写工程のときよりも、上記樹脂層の凹凸パターンの残膜部分の厚さを厚くすることが好ましい。具体的に、上記樹脂層の凹凸パターンの残膜部分の厚さは、上記樹脂層の凹凸パターンの凸部の高さを１としたとき、０．１５〜０．７の範囲内であることが好ましい。より具体的には、上記樹脂層の凹凸パターンの残膜部分の厚さは、上記樹脂層の凹凸パターンの凸部の高さが４５ｎｍ〜１００ｎｍの範囲内である場合、６．８ｎｍ〜７０ｎｍの範囲内で設定することができる。

上記樹脂層の凹凸パターンの残膜部分の厚さが薄すぎると、上記樹脂層のエッチング時間を長くすることができず、例えば、図７（ｄ）に示すように、ラインパターンの長手方向における１次転写先テンプレート１Ｂの白欠陥部１５の長さｄ２をラインパターンの長手方向における１次転写元テンプレート１Ａの黒欠陥部５の長さｄ１（図中の破線）よりも大きくすることができない。つまり、上記転写元テンプレートに含まれる黒欠陥部を強調させることができない。

一方、上記樹脂層の凹凸パターンの残膜部分の厚さが厚すぎると、上記第１エッチング工程のエッチング時間が過剰に長くなる。これにより、図４（ｄ）および図６（ｄ）に例示する樹脂層１７の凹凸パターン３４の凸部３２のような上記樹脂層の凹凸パターンの凸部において、上方向のみならず横方向からのエッチングが過剰に進むことによって、当該凹凸パターンの凹部に隣接する側面および上記転写元テンプレートの黒欠陥部が密着して形成された凹部に隣接する側面が過剰にエッチングされてしまう。これにより、上記第１エッチング工程後の上記樹脂層が、上記第２エッチング工程にて上記ハードマスク層の露出部分をエッチングする際にマスクとして機能しなくなるおそれがある。また、上記第２エッチング工程において、上記ハードマスク層が過剰にオーバーエッチングされ、例えば、図５（ａ）に例示する１次転写元テンプレート１Ａのスペースパターンの短手方向の幅ｓ１（図中の破線）に対応するエッチング後のハードマスク層１６のパターンの平面視の幅が、当該スペースパターンの短手方向の幅ｓ１よりも過剰に小さくなってしまう結果、上記転写先基板に凹凸パターンを形成することが困難になるおそれがある。さらに、上記第１エッチング工程のエッチング時間が過剰に長くなり、製造効率が悪くなる場合がある。
なお、本発明において、上記樹脂層の凹凸パターンの凸部の高さとは、図４（ｄ）に例示するような高さＨで示される。

また、例えば上記第１エッチング工程にて上記樹脂層および上記ハードマスク層のエッチング選択比が高い場合には、単純に上記樹脂層のエッチング時間を長くしてもよい。

一方、上記第２エッチング工程でのエッチング時間を長くする方法においては、具体的に、上記欠陥強調工程とされていない上記インプリント転写工程のときよりも、上記第２エッチング工程でのエッチング時間を長くすることが好ましい。

このような方法としては、例えば上記第２エッチング工程にて上記樹脂層および上記ハードマスク層のエッチング選択比が高い場合には、単純に上記ハードマスク層のエッチング時間を長くする方法を挙げることができる。

上述のエッチング時間を長くする方法は、単独で適用してもよく、複数を組み合わせて適用してもよい。

ｂ．電子線または紫外線の照射
上記密着転写工程中または上記密着転写工程後に電子線または紫外線を照射する方法について図面を参照しながら説明する。図１３（ａ）〜図１３（ｇ）は、上述した電子線または紫外線を照射する方法を示す工程図であって、それぞれ、上述の図４（ｃ）〜図４（ｅ）および図５（ａ）〜図５（ｄ）に示される工程図に対応する。また、図１４（ａ）〜図１４（ｇ）は、上述した電子線または紫外線を照射する方法を示す工程図であって、それぞれ、上述の図６（ｃ）〜図６（ｅ）および図７（ａ）〜図７（ｄ）に示される工程図に対応する。上記密着転写工程中または上記密着転写工程後に上記樹脂層に電子線または紫外線を照射する方法では、例えば、図１３（ａ）〜図１３（ｂ）および図１４（ａ）〜図１４（ｂ）に示すように樹脂層１７に電子線または紫外線（図示なし）を照射することにより、樹脂層１７の凹凸パターン３４の凸部３２を収縮させることができる同時に、１次転写元テンプレート１Ａの黒欠陥部５が密着して形成された樹脂層１７の凹部を拡大することができる。

これにより、図１３（ｂ）〜（ｃ）および図１４（ｂ）〜（ｃ）に示すように樹脂層１７の凹凸パターン３４の凹部３３をハードマスク層１６が露出するまでエッチングする時に、１次転写元テンプレート１Ａのスペースパターンの短手方向の幅ｓ１（図中の破線）に対応するエッチング後の樹脂層１７のパターンの平面視の幅を当該スペースパターンの短手方向の幅ｓ１よりも小さくすることができると同時に、ラインパターンの長手方向における１次転写元テンプレート１Ａの黒欠陥部５の長さｄ１（図中の破線）に対応するエッチング後の樹脂層１７の開口部の平面視の長さを黒欠陥部５の長さｄ１よりも大きくすることができる。

これにより、図１３（ｃ）〜（ｄ）および図１４（ｃ）〜（ｄ）に示すようにハードマスク層１６をエッチングする時にハードマスク層１６がオーバーエッチングされ、１次転写元テンプレート１Ａのスペースパターンの短手方向の幅ｓ１（図中の破線）に対応するエッチング後のハードマスク層１６のパターンの平面視の幅を当該スペースパターンの短手方向の幅ｓ１よりも小さくすることができると同時に、ラインパターンの長手方向における１次転写元テンプレート１Ａの黒欠陥部５の長さｄ１（図中の破線）に対応するエッチング後のハードマスク層１６の開口部の平面視の長さを黒欠陥部５の長さｄ１よりも大きくすることができる。

その結果、図１３（ｇ）および図１４（ｇ）に示すように、１次転写先テンプレート１Ｂのラインパターンの短手方向の幅ｌ２を１次転写元テンプレート１Ａのスペースパターンの短手方向の幅さｓ１（図中の破線）よりも小さくすることができると同時に、ラインパターンの長手方向における１次転写先テンプレート１Ｂの白欠陥部１５の長さｄ２をラインパターンの長手方向における１次転写元テンプレート１Ａの黒欠陥部５の長さｄ１（図中の破線）よりも大きくすることができる。

上記樹脂層に電子線を照射する場合には、例えば図１３（ｂ）および図１４（ｂ）に示すように樹脂層１７から第１テンプレート１を剥離した後に、すなわち上記密着転写工程後に電子線を照射することができる。上記密着転写工程にて硬化した上記樹脂層に電子線を照射することで、上記樹脂層を収縮させることができる。

一方、上記樹脂層に紫外線を照射する場合、例えば図１３（ａ）および図１４（ａ）に示すように樹脂層１７に１次転写元テンプレート１Ａを密着させ、樹脂層１７を硬化させる際に、すなわち上記密着転写工程中に紫外線を照射してもよく、図１３（ｂ）および図１４（ｂ）に示すように樹脂層１７から１次転写元テンプレート１Ａを剥離した後に、すなわち上記密着転写工程後に紫外線を照射してもよい。上記樹脂層に紫外線硬化性樹脂を用いる場合には、上記樹脂層に上記転写元テンプレートを密着させ、上記樹脂層を紫外線により硬化させる際に同時に収縮させることができる。また、上記密着転写工程にて硬化した上記樹脂層に紫外線を照射することで、上記樹脂層を収縮させることもできる。

一般に使用される紫外線の波長帯としては、例えば３００ｎｍ〜４００ｎｍの範囲内である。
紫外線または電子線の照射量としては、硬化性樹脂を収縮させることができる量であれば特に限定されるものではない。

上記密着転写工程中または上記密着転写工程後に上記樹脂層に電子線または紫外線を照射する方法においては、具体的に、上記欠陥強調工程とされていない上記インプリント転写工程のときよりも、上記樹脂層に電子線または紫外線を照射する照射量を多くすることが好ましい。

ｃ．その他
上上記転写先テンプレートの凹凸パターンの凸部の幅が、対応する上記転写元テンプレートの凹凸パターンの凹部の幅よりも小さくなるようにする方法は、単独で適用してもよく、複数を組み合わせて適用してもよい。

ii．転写元テンプレートに白欠陥部が含まれる場合
上記転写元テンプレートに白欠陥部が含まれる場合には、上記欠陥強調工程として、上記白欠陥部含有テンプレート転写工程時に上記転写元テンプレートに含まれる上記白欠陥部を強調させる白欠陥強調工程が行われる。上記黒欠陥強調工程では、上記転写先テンプレートの凹凸パターンの凸部の幅が、対応する上記転写元テンプレートの凹凸パターンの凹部の幅よりも大きくなるようにする。これにより、上記転写元テンプレートに含まれる上記白欠陥部を強調させる。

上記白欠陥強調工程は、特に限定されるものではないが、上記転写先テンプレートの凹凸パターンの凸部の幅が、対応する上記転写元テンプレートの凹凸パターンの凹部の幅よりも４０％〜２％大きくなるようにすることが好ましく、中でも２０％〜１０％大きくなるようにすることが好ましい。また、上記凹凸パターンの形状がラインアンドスペースである場合において、ハーフピッチ（ｈｐ）が、３０ｎｍ〜２０ｎｍである場合には、上記転写先テンプレートの凹凸パターンの凸部の幅が、対応する上記転写元テンプレートの凹凸パターンの凹部の幅よりも８ｎｍ〜１ｎｍ大きくなるようにすることが好ましく、中でも５ｎｍ〜２ｎｍ大きくなるようにすることが好ましい。上記転写先テンプレートの凹凸パターンの凸部の幅が大き過ぎるとパターンのエッジラフネスの影響により、凹部にショート欠陥が発生したり、凹部が消失し欠陥を作り込むこととなる場合があり、小さ過ぎると、上記転写元テンプレートに含まれる白欠陥部を強調させることができないからである。

本発明において、上記転写先テンプレートの凹凸パターンの凸部の幅が、対応する上記転写元テンプレートの凹凸パターンの凹部の幅よりも大きくなるようにする方法は、特に限定されるものではないが、例えば、上記第１エッチング工程または上記第２エッチング工程でのエッチング時間を短くする方法、上記ハードマスク層の厚さを厚くする方法、および上記第３エッチング工程での上記転写先基板の露出部分をエッチングする深さを浅くする方法が挙げられる。以下、これらの方法をそれぞれ説明する。

ａ．エッチング時間
上記第１エッチング工程での樹脂層のエッチング時間を短くする方法では、上述した２次転写工程Ｓ２２における２次欠陥強調工程の例のように、例えば、図８（ｄ）〜（ｅ）に示すように樹脂層１７の凹凸パターン３４の凹部３３をハードマスク層１６が露出するまでエッチングする時間を短くすることにより、２次転写元テンプレート２Ａの白欠陥部１５を強調させる。

また、上記第２エッチング工程でのハードマスク層のエッチング時間を短くする方法では、例えば、図８（ｅ）〜図９（ａ）に示すように樹脂層１７をマスクとして、ハードマスク層１６の露出部分を転写先基板１０Ａが露出するまでエッチングする時間を短くする。これにより、図８（ｅ）〜図９（ａ）および図１０（ｅ）〜図１１（ａ）に示すように、ハードマスク層１６のオーバーエッチングを抑制し、２次転写元テンプレート２Ａのスペースパターンの短手方向の幅ｓ２（図中の破線）に対応するエッチング後のハードマスク層１６のパターンの平面視の幅を当該スペースパターンの短手方向の幅ｓ２よりも大きくすることができると同時に、ラインパターンの長手方向における２次転写元テンプレート２Ａの白欠陥部１５の長さｄ２（図中の破線）に対応するエッチング後のハードマスク層１６のパターンの平面視の長さを白欠陥部１５の長さｄ２よりも大きくすることができる。

その結果、図９（ｄ）および図１１（ｄ）に示すように、２次転写先テンプレート２Ｂのラインパターンの短手方向の幅ｌ３を２次転写元テンプレート２Ａのスペースパターンの短手方向の幅ｓ２（図中の破線）よりも大きくすることができると同時に、ラインパターンの長手方向における２次転写先テンプレート２Ｂの黒欠陥部２５の長さｄ３をラインパターンの長手方向における２次転写元テンプレート２Ａの白欠陥部１５の長さｄ２（図中の破線）よりも大きくすることができる。

上記第１エッチング工程でのエッチング時間を短くする方法においては、具体的には、上記欠陥強調工程とされていない上記インプリント転写工程のときよりも、上記第１エッチング工程でのエッチング時間を短くすることが好ましい。
このような方法としては、例えば、上記樹脂層の凹凸パターンの残膜部分の厚さを薄くする方法を挙げることができ、具体的には、上記欠陥強調工程とされていない上記インプリント転写工程のときよりも、上記樹脂層の凹凸パターンの残膜部分の厚さを薄くすることが好ましい。上記樹脂層の凹凸パターンの残膜部分の厚さが薄いことにより、上記樹脂層のエッチング時間を短くすることができる。上記樹脂層の凹凸パターンの残膜部分の厚さが薄いほど、例えば、図８（ｄ）〜（ｅ）に示すように樹脂層１７の凹凸パターン３４の凹部３３をハードマスク層１６が露出するまでエッチングする時間が短くなる。これにより、図８（ｄ）〜（ｅ）に示されるように、樹脂層１７の凹凸パターン３４の凸部３２において、上方向および横方向からのエッチングが抑制されるため、凹凸パターン３４の凹部３３に隣接する側面のエッチングが抑制される。同時に、図１０（ｄ）〜（ｅ）に示されるように、樹脂層１７において白欠陥部１５が密着して形成された凸部においても、上方向および横方向からのエッチングが抑制されるため、凹凸パターン３４の凹部３３に隣接する側面のエッチングが抑制される。

具体的に、上記樹脂層の凹凸パターンの残膜部分の厚さは、上記樹脂層の凹凸パターンの凸部の高さを１としたとき、０．１〜０．５の範囲内であることが好ましい。より具体的には、上記樹脂層の凹凸パターンの残膜部分の厚さは、上記樹脂層の凹凸パターンの凸部の高さが４５ｎｍ〜１００ｎｍの範囲内である場合、４．５ｎｍ〜５０ｎｍの範囲内で設定することができる。上記樹脂層の凹凸パターンの残膜部分の厚さが薄すぎると、上記積層工程時に樹脂層を積層する際の樹脂層の厚みのばらつきにより、上記密着転写工程時に、上記樹脂層が上記転写元テンプレートにおける凹凸パターンの凹部に全て充填されない場合が発生する。これにより、上記樹脂層に形成される凹凸パターンの凸部を正しく形成できず、上記樹脂層が有するべき上記ハードマスク層のマスクの機能が損なわれ、上記転写先基板に凸凹パターンを形成することが困難になるおそれがある。

一方、上記樹脂層の凹凸パターンの残膜部分の厚さが厚すぎると、上記樹脂層のエッチング時間を短くすることができず、例えば、図１１（ｄ）に示すように、ラインパターンの長手方向における２次転写先テンプレート２Ｂの黒欠陥部２５の長さｄ３をラインパターンの長手方向における２次転写元テンプレート２Ａの白欠陥部１５の長さｄ２（図中の破線）よりも大きくすることができない。つまり、上記転写元テンプレートに含まれる白欠陥部を強調させることができない。

また、例えば上記第１エッチング工程にて上記樹脂層および上記ハードマスク層のエッチング選択比が高い場合には、単純に上記樹脂層のエッチング時間を短くしてもよい。

一方、上記第２エッチング工程でのエッチング時間を短くする方法においては、具体的には、上記欠陥強調工程とされていない上記インプリント転写工程のときよりも、上記第２エッチング工程でのエッチング時間を短くすることが好ましい。

このような方法としては、例えば上記第２エッチング工程にて上記樹脂層および上記ハードマスク層のエッチング選択比が高い場合には、単純に上記ハードマスク層のエッチング時間を短くする方法を挙げることができる。

上述のエッチング時間を短くする方法は、単独で適用してもよく、複数を組み合わせて適用してもよい。

ｂ．ハードマスク層の厚さ
例えば、図８（ｅ）〜図９（ａ）および図１０（ｅ）〜図１１（ａ）に示すように、樹脂層１７をマスクとしてハードマスク層１６の露出部分を転写先基板１０Ａが露出するまでエッチングする時に、ハードマスク層１６の側面はエッチングされてテーパー形状を有するようになる。このため、上記ハードマスク層の厚さを厚くする方法では、例えば、図８（ｂ）および図１０（ｂ）に示すように、転写先基板１０Ａ上にハードマスク層１６および樹脂層１７を積層した積層体を準備する時に、ハードマスク層１６の厚さを厚くすることによって、２次転写元テンプレート２Ａのスペースパターン（凹凸パターン１４の凹部１３）に対応する図９（ａ）に例示されるエッチング後のハードマスク層１６のパターンの裾の幅および２次転写元テンプレート２Ａの白欠陥部１５に対応する図１１（ａ）に例示されるエッチング後のハードマスク層１６パターンの裾の幅を大きくすることができる。

その結果、図９（ｄ）に例示される２次転写先テンプレート２Ｂのラインパターンの短手方向の幅ｌ３を２次転写元テンプレート２Ａのスペースパターンの短手方向の幅ｓ２（図中の破線）よりも大きくすることができると同時に、図１１（ｄ）に例示されるラインパターンの長手方向における２次転写先テンプレート２Ｂの黒欠陥部２５の長さｄ３をラインパターンの長手方向における２次転写元テンプレート２Ａの白欠陥部１５の長さｄ２（図中の破線）よりも大きくすることができる。

上記ハードマスク層の厚さを厚くする方法では、具体的には、上記欠陥強調工程とされていない上記インプリント転写工程のときよりも、上記ハードマスク層の厚さを厚くすることが好ましい。

具体的に、上記ハードマスク層の厚さは、５ｎｍ〜３０ｎｍの範囲内で設定することが好ましく、中でも、７ｎｍ〜２０ｎｍの範囲内で設定することが好ましい。上記ハードマスク層の厚さが薄すぎると、上記ハードマスク層のエッチング時間を短くしても上記ハードマスク層のオーバーエッチングを抑制することができず、転写元テンプレートに含まれる白欠陥部を強調させることができないからであり、一方、上記ハードマスク層の厚さが厚すぎると、上記ハードマスク層のエッチング時間が長くなり過ぎ、マスクである樹脂層が無くなり、ハードマスク層の凸部が正常に形成できなくなるからである。

ｃ．転写先基板のエッチングする深さ
上記転写先基板の露出部分をエッチングする深さを浅くする方法では、例えば、図９（ｂ）〜（ｃ）および図１１（ｂ）〜（ｃ）に示すように、エッチング後のハードマスク層１６をマスクとして、転写先基板１０Ａの露出部分をエッチングする時に、転写先基板１０Ａの露出部分をエッチングする深さを浅くする。これにより、例えば、転写先基板１０Ａの露出部分をエッチングする時に、２次転写元テンプレート２Ａのスペースパターンに対応する図９（ｂ）に例示されるエッチング後のハードマスク層１６のパターンの側面および２次転写元テンプレート２Ａの白欠陥部１５に対応する図１１（ｂ）に例示されるエッチング後のハードマスク層１６のパターンの側面がさらにエッチングされ、それらのパターンの裾の幅がさらに小さくなることを抑制することができる。

その結果、図９（ｄ）に例示される２次転写先テンプレート２Ｂのラインパターンの短手方向の幅ｌ３を２次転写元テンプレート２Ａのスペースパターンの短手方向の幅ｓ２（図中の破線）よりも大きくすることができると同時に、図１１（ｄ）に例示されるラインパターンの長手方向における２次転写先テンプレート２Ｂの黒欠陥部２５の長さｄ３をラインパターンの長手方向における２次転写元テンプレート２Ａの白欠陥部１５の長さｄ２（図中の破線）よりも大きくすることができる。

上記転写先基板の露出部分をエッチングする深さを浅くする方法では、具体的には、上記欠陥強調工程とされていない上記インプリント転写工程のときよりも、上記転写先基板の露出部分をエッチングする深さを浅くすることが好ましい。

具体的に、上記凸凹パターンの形状がラインアンドスペースである場合において、ハープピッチ（ｈｐ）が、３０ｎｍ〜２０ｎｍである場合は、上記転写先テンプレートの露出部分をエッチングする深さは、２０ｎｍ〜６０ｎｍの範囲内で設定することが好ましく、中でも２０ｎｍ〜４０ｎｍの範囲で設定することが好ましい。当該エッチングする深さが浅すぎると、光検査が使用できなくなるからであり、一方、当該エッチングする深さが深すぎると、上記転写元テンプレートに含まれる白欠陥部を強調させることができないからである。

ｄ．その他
上述の白欠陥部を強調させる方法は、単独で適用してもよく、複数を組み合わせて適用してもよい。

（３）検査用テンプレート作製工程
上記検査用テンプレート作製工程としては、特に限定されるものではないが、例えば、上記インプリント転写工程として、上記１次転写工程のみを行って、上記検査用テンプレートとして、上記１次転写工程で得られる上記転写先テンプレートを作製し、上記欠陥強調工程として、上記１次転写工程時に上記転写元テンプレートに含まれる上記黒欠陥部または上記白欠陥部を強調させる欠陥強調工程のみが行われる工程と、上記インプリント転写工程として、上記１次転写工程から上記ｎ次転写工程までのｎ回の転写工程を行って、上記検査用テンプレートとして、上記ｎ次転写工程で得られる上記転写先テンプレートを作製し、上記欠陥強調工程として、上記ｎ回の転写工程のうちの少なくとも１回の転写工程時にそれぞれ上記転写元テンプレートに含まれる上記黒欠陥部または上記白欠陥部を強調させる少なくとも１回の欠陥強調工程が行われる工程とが挙げられる。

上記検査用テンプレート作製工程としては、中でも、図３（ａ）〜（ｃ）に例示される１次転写工程および２次転写工程を行う工程のように、上記ｎ回の転写工程を行う工程が好ましい。上記第１テンプレートに含まれる黒欠陥部または白欠陥部を、ｎ回強調させた上記検査用テンプレートの黒欠陥部または白欠陥部によって検査することができるからである。これにより、欠陥の検出感度を向上させることができるからである。

このような上記ｎ回の転写工程を行う上記検査用テンプレート作製工程としては、特に限定されるものではないが、例えば、上記２回の転写工程を行う上記検査用テンプレート作製工程であって、上記１次転写工程として上記黒欠陥部含有テンプレート転写工程が行われ、上記２次転写工程として上記白欠陥部含有テンプレート転写工程が行われ、上記欠陥強調工程として、上記１次転写工程時の上記黒欠陥強調工程および上記２次転写工程時の上記白欠陥強調工程のどちらか一方のみ、またはそれらの両方が行われる上記検査用テンプレート作製工程が挙げられる。図３（ａ）〜（ｃ）に例示される検査用テンプレート作製工程は、上記１次転写工程として上記黒欠陥部含有テンプレート転写工程が行われ、上記２次転写工程として上記白欠陥部含有テンプレート転写工程が行われ、上記欠陥強調工程として、上記１次転写工程時の上記黒欠陥強調工程および上記２次転写工程時の上記白欠陥強調工程の両方が行われる工程である。

また、例えば、上記２回の転写工程を行う上記検査用テンプレート作製工程であって、上記１次転写工程として上記白欠陥部含有テンプレート転写工程が行われ、上記２次転写工程として上記黒欠陥部含有テンプレート転写工程が行われ、上記欠陥強調工程として、上記１次転写工程時の上記黒欠陥強調工程および上記２次転写工程時の上記白欠陥強調工程のどちらか一方のみ、またはそれらの両方が行われる上記検査用テンプレート作製工程が挙げられる。

また、上記ｎ回の転写工程を行う工程としては、特に、図３（ａ）〜（ｃ）に例示される１次欠陥強調工程および２次欠陥強調工程を行う工程のように、上記欠陥強調工程として、上記ｎ回の転写工程時にそれぞれ上記転写元テンプレートに含まれる上記黒欠陥部または上記白欠陥部を強調させるｎ回の欠陥強調工程が行われる工程が好ましい。上記第１テンプレートに含まれる黒欠陥部または白欠陥部を、上記ｎ回の欠陥強調工程によってｎ回強調させた上記検査用テンプレートの黒欠陥部または白欠陥部によって検査することができるからである。

上記インプリント転写工程として、上記黒欠陥部含有テンプレート転写工程が少なくとも一回行われる場合には、上記欠陥強調工程として、上記黒欠陥強調工程が少なくとも一回行われることが好ましい。また、上記インプリント転写工程として、上記白欠陥部含有テンプレート転写工程が少なくとも一回行われる場合には、上記欠陥強調工程として、上記白欠陥強調工程が少なくとも一回行われることが好ましい。

３．検査用テンプレート検査工程
本実施態様における検査用テンプレート検査工程では、上記検査用テンプレートの黒欠陥部または白欠陥部を検査する。

上記検査用テンプレートの黒欠陥部または白欠陥部の検査方法としては、例えば荷電ビームまたは光を照射して黒欠陥部または白欠陥部を検査する方法を挙げることができる。
荷電ビームとしては、黒欠陥部または白欠陥部を検査可能であれば特に限定されるものではなく、例えば電子ビームおよびイオンビームが挙げられる。電子ビームは、ビームを数ｎｍに細く絞ることができ感度が高く、またイオンビームよりも荷電粒子の質量が小さいため上記検査用テンプレートへのダメージが少ないという利点を有する。電子ビームの場合、走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）等の電子顕微鏡により検査することができる。
一方、光としては、黒欠陥部または白欠陥部を検査可能であれば特に限定されるものではなく、例えば樹脂層の硬化に使用される光を挙げることができ、具体的には紫外線、可視光線、赤外線、Ｘ線等を挙げることができる。より具体的には、高感度であることから、短波長の光、例えば１９３ｎｍの光を用いることができる。
中でも、光検査が好ましい。電子ビーム検査は、感度は高いものの、検査速度が非常に遅く検査に甚大な時間を費やすため効率が悪い。これに対し、光検査では、感度は低いものの、検査速度が早くスループットを向上させることができる。本実施態様においては、感度良く黒欠陥部または白欠陥部を検出することができるため、光検査も使用可能であり、高速かつ高感度の検査を実現することができる。

また、上記検査用テンプレートの黒欠陥部または白欠陥部の検査は、上記検査用テンプレートとして上記転写先テンプレートが得られる最後の上記インプリント転写工程において、上記ハードマスク層除去工程後に行ってもよく、上記第３エッチング工程後に行ってもよく、上記第２エッチング工程後に行ってもよく、検査方法に応じて適宜選択される。例えば、光検査の場合、階調差が大きくなることから、上記第３エッチング工程後にハードマスク層が残っている状態で光検査を行うことが好ましい。また、光検査の場合には、ハードマスク層の厚みが比較的厚い場合には、上記第２エッチング工程後に光検査を行うこともできる。一方、電子ビーム検査の場合、電子ビーム検査をハードマスク層が残っている状態で行ってもよく、ハードマスク層が除去された状態で行ってもよい。

上記検査用テンプレートの黒欠陥部または白欠陥部を検査する際には、通常、検査用テンプレート全体を検査する。

Ａ−２．第２実施態様のテンプレートの検査方法
本実施態様のテンプレートの検査方法は、表面に凹凸パターンが形成されたナノインプリントリソグラフィ用のテンプレートの検査方法であって、第１テンプレートを準備する第１テンプレート準備工程と、上記第１テンプレートを原版テンプレートとして用いて、転写元テンプレートから転写先テンプレートへのインプリントによる転写を行うインプリント転写工程を少なくとも一回行って、最終的に得られる上記転写先テンプレートを検査用テンプレートとして作製する検査用テンプレート作製工程をｎ回（ｎは２以上の整数）行う複数検査用テンプレート作製工程と、上記複数検査用テンプレート作製工程において行われるｎ回の検査用テンプレート作製工程でそれぞれ作製されるｎ個の検査用テンプレートの黒欠陥部および白欠陥部を検査する複数検査用テンプレート検査工程とを有し、上記第１テンプレートの黒欠陥部および白欠陥部を、当該黒欠陥部および当該白欠陥部に対応する上記ｎ個の検査用テンプレートの黒欠陥部および白欠陥部によって検査するテンプレートの検査方法であり、上記検査用テンプレート作製工程では、上記インプリント転写工程として、上記原版テンプレートを上記転写元テンプレートとして用いる１次転写工程を行って、上記ｎ回の検査用テンプレート作製工程のうちの第１検査用テンプレート作製工程では、上記１次転写工程時に上記転写先テンプレートの凹凸パターンの凸部の幅が対応する上記転写元テンプレートの凹凸パターンの凹部の幅よりも小さくなるようにする欠陥強調工程が行われ、上記ｎ回の検査用テンプレート作製工程のうちの第２検査用テンプレート作製工程では、上記１次転写工程時に上記転写先テンプレートの凹凸パターンの凸部の幅が対応する上記転写元テンプレートの凹凸パターンの凹部の幅よりも大きくなるようにする欠陥強調工程が行われることを特徴としている。

本実施態様のテンプレートの検査方法の一例について図面を参照しながら説明する。
図１５は第２実施態様のテンプレートの検査方法の一例を示すフローチャートである。図１６は第２実施態様のテンプレートの検査方法における複数検査用テンプレート作製工程の一例を示すフローチャートである。図１７は第２実施態様のテンプレートの検査方法における検査用テンプレート作製工程の一例を示すフローチャートである。

まず、図１５に示すように、第１テンプレートを準備する第１テンプレート準備工程Ｓ１００を行う。次に、図１５に示すように、複数検査用テンプレート作製工程Ｓ２００を行う。複数検査用テンプレート作製工程Ｓ２００においては、例えば、図１６に示すように、第１検査用テンプレート作製工程Ｓ２１０および第２検査用テンプレート作製工程Ｓ２２０の２回の検査用テンプレート作製工程を行う。

第１検査用テンプレート作製工程Ｓ２１０においては、例えば、図１７に示すように、上記インプリント転写工程として、１次転写工程Ｓ２０１および２次転写工程Ｓ２０２の２回の転写工程を行う。

そして、第１検査用テンプレート作製工程Ｓ２１０の１次転写工程Ｓ２０１においては、原版テンプレートを１次転写元テンプレートとして用いて、１次転写元テンプレートから１次転写先テンプレートへのインプリントによる転写を行い、１次転写先テンプレートの凹凸パターンの凸部の幅が対応する１次転写元テンプレートの凹凸パターンの凹部の幅よりも小さくなるようにする１次欠陥強調工程が行われる。また、第１検査用テンプレート作製工程Ｓ２１０の２次転写工程Ｓ２０２においては、１次転写工程Ｓ２０１で得られる１次転写先テンプレートを２次転写元テンプレートとして用いて、２次転写元テンプレートから２次転写先テンプレートへのインプリントによる転写を行い、２次転写先テンプレートの凹凸パターンの凸部の幅が対応する２次転写元テンプレートの凹凸パターンの凹部の幅よりも大きくなるようにする２次欠陥強調工程が行われる。これにより、２次転写先テンプレートを、第１テンプレートの黒欠陥部を２回強調させた第１検査用テンプレートとして作製することができる。

また、第２検査用テンプレート作製工程Ｓ２２０においても、例えば、図１７に示すように、上記インプリント転写工程として、１次転写工程Ｓ２０１および２次転写工程Ｓ２０２の２回の転写工程を行う。

そして、第２検査用テンプレート作製工程Ｓ２２０の１次転写工程Ｓ２０１においては、原版テンプレートを１次転写元テンプレートとして用いて、１次転写元テンプレートから１次転写先テンプレートへのインプリントによる転写を行い、１次転写先テンプレートの凹凸パターンの凸部の幅が対応する１次転写元テンプレートの凹凸パターンの凹部の幅よりも大きくなるようにする１次欠陥強調工程が行われる。また、第２検査用テンプレート作製工程Ｓ２２０の２次転写工程Ｓ２０２においては、１次転写工程Ｓ２０１で得られる１次転写先テンプレートを２次転写元テンプレートとして用いて、２次転写元テンプレートから２次転写先テンプレートへのインプリントによる転写を行い、２次転写先テンプレートの凹凸パターンの凸部の幅が対応する２次転写元テンプレートの凹凸パターンの凹部の幅よりも小さくなるようにする２次欠陥強調工程が行われる。これにより、２次転写先テンプレートを、第１テンプレートの白欠陥部を２回強調させた第２検査用テンプレートとして作製することができる。

次に、図１５に示すように、複数検査用テンプレート検査工程Ｓ３００を行う。例えば、第１検査用テンプレートおよび第２検査用テンプレートの黒欠陥部および白欠陥部を電子ビームや光を利用して検査する。

本実施態様において、上記複数検査用テンプレート作製工程における上記ｎ回の検査用テンプレート作製工程によって、上記ｎ個の検査用テンプレートをそれぞれ作製する。そして、上記ｎ回の検査用テンプレート作製工程のうちの第１検査用テンプレート作製工程では、上記欠陥強調工程によって、上記第１テンプレートの黒欠陥部を強調させた第１検査用テンプレートを作製し、上記ｎ回の検査用テンプレート作製工程のうちの第２検査用テンプレート作製工程では、上記欠陥強調工程によって、上記第１テンプレートの白欠陥部を強調させた第２検査用テンプレートを作製することができる。
このため、上記複数検査用テンプレート検査工程では、上記第１テンプレートの黒欠陥部および白欠陥部の両方を、当該黒欠陥部を強調させた上記第１検査用テンプレートおよび当該白欠陥部を強調させた上記第２検査用テンプレートを含む上記ｎ個の検査用テンプレートによって検査することができる。これにより、上記第１テンプレートが有する検出困難な微小な黒欠陥部および白欠陥部の両方を、感度良く検出することができる精度の高い検査が可能となる。

以下、本実施態様のテンプレートの検査方法における各工程について説明する。

１．第１テンプレート準備工程
本実施態様における第１テンプレート準備工程は、上記「Ａ−１．第１実施態様のテンプレートの検査方法 １．第１テンプレート準備工程」の項に記載の上記第１テンプレート準備工程と同様であるので、ここでの説明は省略する。

２．複数検査用テンプレート作製工程
本実施態様における複数検査用テンプレート作製工程では、上記検査用テンプレート作製工程をｎ回（ｎは２以上の整数）行う。上記ｎ回の検査用テンプレート作製工程で、ｎ個の検査用テンプレートがそれぞれ作製される。

以下、上記複数検査用テンプレート作製工程における各工程を説明した上で、上記複数検査用テンプレート作製工程について説明する。

（１）検査用テンプレート作製工程
上記検査用テンプレート作製工程では、上記第１テンプレートを原版テンプレートとして用いて、転写元テンプレートから転写先テンプレートへのインプリントによる転写を行うインプリント転写工程を少なくとも一回行って、最終的に得られる上記転写先テンプレートを検査用テンプレートとして作製し、上記インプリント転写工程として、上記原版テンプレートを上記転写元テンプレートとして用いる１次転写工程を行う。

上記検査用テンプレート作製工程では、上記インプリント転写工程時に上記転写元テンプレートに含まれる黒欠陥部または白欠陥部を強調させる欠陥強調工程が少なくとも一回行われる。しかしながら、上記欠陥強調工程は、上記転写元テンプレートに黒欠陥部が含まれる場合と上記転写元テンプレートに白欠陥部が含まれる場合とを区別して、異なる処理を行うものではなく、上記「Ａ−１．第１実施態様のテンプレートの検査方法 ２．検査用テンプレート作製工程 （２）欠陥強調工程」の項に記載の欠陥強調工程とは異なるものである。

上記検査用テンプレート作製工程は、以上に記載した点以外は、上記「Ａ−１．第１実施態様のテンプレートの検査方法 ２．検査用テンプレート作製工程」の項に記載の上記検査用テンプレート作製工程と同様であるので、ここでの説明は省略する。

（２）複数検査用テンプレート作製工程
上記複数検査用テンプレート作製工程において、上記ｎ回の検査用テンプレート作製工程のうちの第１検査用テンプレート作製工程では、上記欠陥強調工程として、上記１次転写工程時に上記転写先テンプレートの凹凸パターンの凸部の幅が対応する上記転写元テンプレートの凹凸パターンの凹部の幅よりも小さくなるようにする欠陥強調工程が行われ、上記ｎ回の検査用テンプレート作製工程のうちの第２検査用テンプレート作製工程では、上記欠陥強調工程として、上記１次転写工程時に上記転写先テンプレートの凹凸パターンの凸部の幅が対応する上記転写元テンプレートの凹凸パターンの凹部の幅よりも大きくなるようにする欠陥強調工程が行われる。

上記１次転写工程時に上記転写先テンプレートの凹凸パターンの凸部の幅が対応する上記転写元テンプレートの凹凸パターンの凹部の幅よりも小さくなるようにする欠陥強調工程は、特に限定されるものではないが、上記転写先テンプレートの凹凸パターンの凸部の幅が、対応する上記転写元テンプレートの凹凸パターンの凹部の幅よりも４０％〜２％小さくなるようにすることが好ましく、中でも２０％〜１０％小さくなるようにすることが好ましい。また、上記凹凸パターンの形状がラインアンドスペースである場合において、ハーフピッチ（ｈｐ）が、３０ｎｍ〜２０ｎｍである場合には、上記転写先テンプレートの凹凸パターンの凸部の幅が、対応する上記転写元テンプレートの凹凸パターンの凹部の幅よりも８ｎｍ〜１ｎｍ小さくなるようにすることが好ましく、中でも５ｎｍ〜２ｎｍ小さくなるようにすることが好ましい。上記転写先テンプレートの凹凸パターンの凸部の幅が小さくなり過ぎると、パターンのエッジラフネスの影響により凸部が倒れたり、消失するからであり、上記転写先テンプレートの凹凸パターンの凸部の幅が大き過ぎると、上記転写元テンプレートに含まれる黒欠陥部を強調させることができないからである。

また、上記１次転写工程時に上記転写先テンプレートの凹凸パターンの凸部の幅が対応する上記転写元テンプレートの凹凸パターンの凹部の幅よりも大きくなるようにする欠陥強調工程は、特に限定されるものではないが、記転写先テンプレートの凹凸パターンの凸部の幅が、対応する上記転写元テンプレートの凹凸パターンの凹部の幅よりも４０％〜２％大きくなるようにすることが好ましく、中でも２０％〜１０％大きくなるようにすることが好ましい。また、上記凹凸パターンの形状がラインアンドスペースである場合において、ハーフピッチ（ｈｐ）が、３０ｎｍ〜２０ｎｍである場合には、上記転写先テンプレートの凹凸パターンの凸部の幅が、対応する上記転写元テンプレートの凹凸パターンの凹部の幅よりも８ｎｍ〜１ｎｍ大きくなるようにすることが好ましく、中でも５ｎｍ〜２ｎｍ大きくなるようにすることが好ましい。上記転写先テンプレートの凹凸パターンの凸部の幅が大き過ぎるとパターンのエッジラフネスの影響により、凹部にショート欠陥が発生したり、凹部が消失し欠陥を作り込むこととなる場合があり、小さ過ぎると、上記転写元テンプレートに含まれる白欠陥部を強調させることができないからである。

３．複数検査用テンプレート検査工程
本実施態様における複数検査用テンプレート検査工程では、上記複数検査用テンプレート作製工程において行われるｎ回の検査用テンプレート作製工程でそれぞれ作製されるｎ個の検査用テンプレートの黒欠陥部および白欠陥部を検査する。

上記複数検査用テンプレート検査工程は、１個の検査用テンプレートの黒欠陥部または白欠陥部を検査するのではなく、ｎ個の検査用テンプレートの黒欠陥部および白欠陥部を検査する点を除いて、上記「Ａ−１．第１実施態様のテンプレートの検査方法 ３．検査用テンプレート検査工程」の項に記載の上記検査用テンプレート検査工程と同様であるので、ここでの説明は省略する。

Ｂ．テンプレートの欠陥修正方法
本発明のテンプレートの欠陥修正方法は、表面に凹凸パターンが形成されたナノインプリントリソグラフィ用のテンプレートの欠陥修正方法であって、上記「Ａ．テンプレートの検査方法 Ａ−１．第１実施態様のテンプレートの検査方法」の項に記載の上述のテンプレートの検査方法を行う検査工程と、上記検査工程で上記検査用テンプレートに上記黒欠陥部または上記白欠陥部が検出された場合に、当該黒欠陥部または当該白欠陥部に対応する上記第１テンプレートの黒欠陥部または白欠陥部を確認する第１テンプレート欠陥確認工程と、上記第１テンプレートに上記黒欠陥部または上記白欠陥部が検出された場合に、黒欠陥部または白欠陥部を修正する欠陥修正工程とを有することを特徴とする。

図１８は本発明のテンプレートの欠陥修正方法の一例を示すフローチャートである。図３（ａ）〜（ｃ）、図４（ａ）〜（ｅ）、図５（ａ）〜（ｄ）、図６（ａ）〜（ｅ）、および図７（ａ）〜（ｄ）、ならびに図８（ａ）〜（ｅ）、図９（ａ）〜（ｄ）、図１０（ａ）〜（ｅ）、および図１１（ａ）〜（ｄ）は本発明における検査用テンプレート作製工程の一例を示す工程図である。なお、図３（ａ）〜（ｃ）、図４（ａ）〜（ｅ）、図５（ａ）〜（ｄ）、図６（ａ）〜（ｅ）、および図７（ａ）〜（ｄ）、ならびに図８（ａ）〜（ｅ）、図９（ａ）〜（ｄ）、図１０（ａ）〜（ｅ）、および図１１（ａ）〜（ｄ）については、上記「Ａ．テンプレートの検査方法 Ａ−１．第１実施態様のテンプレートの検査方法」の項に記載したので、ここでの説明は省略する。
本発明のテンプレートの欠陥修正方法においては、まず、図１に示される上述のテンプレートの検査方法を行う検査工程を行う。具体的には、図１８に示すように、上記「Ａ．テンプレートの検査方法 Ａ−１．第１実施態様のテンプレートの検査方法」の項に記載の通り、第１テンプレート準備工程Ｓ１、検査用テンプレート作製工程Ｓ２、および検査用テンプレート検査工程Ｓ３をこの順に行う。これにより、図３（ａ）に示される第１テンプレート１の黒欠陥部５を、図３（ｃ）に示される２回強調させた検査用テンプレート１０の黒欠陥部２５によって検査することができる。

次に、図１８に示すように、第１テンプレート欠陥確認工程Ｓ４を行う。具体的には、図３（ｃ）および図１１（ｄ）に示される検査用テンプレート１０の黒欠陥部２５に対応する図３（ａ）および図６（ａ）に示される第１テンプレート１の黒欠陥部５を電子ビームや光を利用して確認する。
次に、図１８に示すように、欠陥修正工程Ｓ５を行う。具体的には、第１テンプレート１の黒欠陥部５をエッチングして修正する。

本発明において、検査用テンプレート作製工程Ｓ２では、上記インプリント転写工程時に上記転写元テンプレートに含まれる黒欠陥部または白欠陥部を強調させる欠陥強調工程が少なくとも一回行われ、上記「Ａ．テンプレートの検査方法 Ａ−１．第１実施態様のテンプレートの検査方法」の項で説明したように、上記第１テンプレートの黒欠陥部または白欠陥部の平面視の大きさに対して、当該黒欠陥部または当該白欠陥部に対応する上記検査用テンプレートの黒欠陥部または白欠陥部の平面視の大きさを大きくすることができる。これにより、上記「Ａ．テンプレートの検査方法 Ａ−１．第１実施態様のテンプレートの検査方法」の項で説明したように、上記第１テンプレートの黒欠陥部または白欠陥部を、少なくとも一回強調させた上記検査用テンプレートの黒欠陥部または白欠陥部によって検査することができるので、上記第１テンプレートが検出困難な微小な黒欠陥部または白欠陥部を有する場合であっても、感度良く検出することが可能である。

以下、本発明のテンプレートの欠陥修正方法における各工程について説明する。

１．検査工程
本発明における検査工程では、上述のテンプレートの検査方法を行う。具体的には、本発明における検査工程では、上記「Ａ．テンプレートの検査方法 Ａ−１．第１実施態様のテンプレートの検査方法」の項に記載の上述のテンプレートの検査方法における各工程が行われる。上述のテンプレートの検査方法における各工程については、ここでの説明は省略する。

２．第１テンプレート欠陥確認工程
本発明における第１テンプレート欠陥確認工程では、上記検査工程で上記検査用テンプレートに上記黒欠陥部または上記白欠陥部が検出された場合に、当該黒欠陥部または当該白欠陥部に対応する上記第１テンプレートの黒欠陥部または白欠陥部を確認する。

上記第１テンプレートの黒欠陥部または白欠陥部の確認方法としては、上記「Ａ．テンプレートの検査方法 Ａ−１．第１実施態様のテンプレートの検査方法 ３．検査用テンプレート検査工程」の項に記載の上記検査用テンプレートの黒欠陥部または白欠陥部の検査方法と同様であるので、ここでの説明は省略する。

上記第１テンプレート欠陥確認工程では、上記検査用テンプレートに上記黒欠陥部が検出された場合に、上記検査用テンプレート検査工程にて検出された上記黒欠陥部に対応する白欠陥部を確認し、上記検査用テンプレートに上記白欠陥部が検出された場合に、上記検査用テンプレート検査工程にて検出された上記白欠陥部に対応する黒欠陥部を確認する。
上記第１テンプレートの黒欠陥部または白欠陥部を確認する際には、黒欠陥部または白欠陥部の近傍のみを検査してもよく、第１テンプレート全体を検査してもよいが、通常は黒欠陥部または白欠陥部の近傍のみを検査すればよい。

なお、上記検査用テンプレートの黒欠陥部または白欠陥部は、上記検査用テンプレート作製工程時に発生したものである場合がある。そのため、上記検査用テンプレートの黒欠陥部または白欠陥部に対応する黒欠陥部または白欠陥部が上記第１テンプレートに存在しない場合もある。その場合には、上記検査用テンプレート検査工程にて黒欠陥部または白欠陥部が検出されたとしても、後述の欠陥修正工程にて上記第１テンプレートの上記黒欠陥部または上記白欠陥部を修正する場合には特に処置する必要はない。

３．欠陥修正工程
本発明における欠陥修正工程では、上記第１テンプレートに上記黒欠陥部または上記白欠陥部が検出された場合に、黒欠陥部または白欠陥部を修正する。

上記欠陥修正工程としては、特に限定されるものではないが、例えば、上記第１テンプレートに上記黒欠陥部または上記白欠陥部が検出された場合に、上記第１テンプレートの上記黒欠陥部または上記白欠陥部を修正する第１テンプレート欠陥修正工程と、上記第１テンプレートに上記黒欠陥部または上記白欠陥部が検出された場合に、上記第１テンプレートの上記黒欠陥部または上記白欠陥部に対応する上記検査用テンプレートの上記黒欠陥部または上記白欠陥部を修正する検査用テンプレート欠陥修正工程とが挙げられる。

上記第１テンプレート欠陥修正工程が行われる場合には、修正後の上記第１テンプレートを第２テンプレートとし、または修正後の上記第１テンプレートを用いたインプリントによる転写によって、第２テンプレートを作製することができる。これにより、欠陥の無い第２テンプレートを得ることが可能である。
また、上記検査用テンプレート欠陥修正工程が行われる場合には、修正後の上記検査用テンプレートを第２テンプレートとし、または修正後の上記検査用テンプレートを用いたインプリントによる転写によって、第２テンプレートを作製することができる。これにより、欠陥の無い第２テンプレートを得ることが可能である。そして、一般的に、ＮＩＬ用のテンプレートにおいて、黒欠陥部と比較して白欠陥部の修正は困難である。このため、上記第１テンプレートに上記白欠陥部が検出されたときに、上記検査用テンプレート欠陥修正工程が行われる場合には、上記第１テンプレートの修正が困難な白欠陥部を修正する代わりに、当該白欠陥部に対応する上記検査用テンプレートの上記黒欠陥部を修正することができるので、上記第１テンプレート欠陥修正工程よりも容易に欠陥の無い第２テンプレートを得ることが可能である。

上記黒欠陥部の修正方法としては、上記黒欠陥部にアシストガスを供給しながら荷電ビームを照射し、上記黒欠陥部をエッチングする方法が挙げられる。

荷電ビームとしては、上記黒欠陥部のみを局所的にエッチングできるものであれば特に限定されるものではなく、例えば、電子ビームおよびイオンビームが挙げられる。中でも、電子ビームが好ましい。電子ビームは、ビームを数ｎｍに細く絞ることができ修正精度が高く、またイオンビームよりも荷電粒子の質量が小さいため上記第１テンプレートへのダメージが少ないからである。

アシストガスとしては、上記黒欠陥部をエッチングできるガスであれば特に限定されるものではない。アシストガスは、単一成分のガスであってもよく、複数種のガスを含む混合ガスであってもよい。例えば、電子ビームを用いる場合、アシストガスとしては、フッ化キセノン（ＸｅＦ_２）等が挙げられる。一方、イオンビームを用いる場合、アシストガスとしては、フッ化キセノン（ＸｅＦ_２）、ヨウ素（Ｉ_２）等が挙げられる。

また、アシストガスの供給方法としては、例えば、上記黒欠陥部にアシストガスを局所的に吹き付ける方法、上記第１テンプレートをアシストガスの雰囲気中に配置する方法等が挙げられる。

上記白欠陥部の修正方法としては、上記白欠陥部にデポジション用ガスを供給しながら荷電ビームを照射し、修正膜を堆積する方法が挙げられる。
荷電ビームとしては、上記白欠陥部のみに局所的に修正膜を堆積できるものであれば特に限定されるものではなく、上記黒欠陥部の修正に用いられるものと同様とすることができる。

デポジション用ガスとしては、例えば荷電ビームを用いたＣＶＤ法を適用する場合に一般的に用いられるガスを使用することができる。また、デポジション用ガスには、上記第１テンプレートを被転写体に押し付けても変形しない硬さを有する修正膜を堆積可能であること、被転写体と反応しないことも求められる。例えば、電子ビームを用いる場合、デポジション用ガスとしては、フェナントレン、タングステンカルボニル（Ｗ（ＣＯ）_６）、フッ化タングステン（ＷＦ_６）、テトラエトキシシラン（ＴＥＯＳ）等が挙げられる。一方、イオンビームを用いる場合、デポジション用ガスとしては、フェナントレン、タングステンカルボニル（Ｗ（ＣＯ）_６）、テトラエトキシシラン（ＴＥＯＳ）等が挙げられる。

また、デポジション用ガスの供給方法としては、例えば、上記白欠陥部にデポジション用ガスを局所的に吹き付ける方法、上記第１テンプレートをデポジション用ガスの雰囲気中に配置する方法等が挙げられる。

４．その他の工程
本発明のテンプレートの欠陥修正方法のその他の工程について図面を参照しながら説明する。図１９は本発明のテンプレートの欠陥修正方法の他の例を示すフローチャートである。図２０は本発明のテンプレートの欠陥修正方法における検査用テンプレート作製工程の他の例を示すフローチャートである。

本発明においては、図１９に例示するように、上記検査用テンプレート作製工程Ｓ２前に、上記第１テンプレートの欠陥部を検査する第１テンプレート検査工程Ｓ１１を行ってもよく、また上記第１テンプレート検査工程Ｓ１１後に、上記第１テンプレートの欠陥部を修正する検査用テンプレート作製前の第１テンプレート欠陥修正工程Ｓ１２を行ってもよい。上記第１テンプレート検査工程Ｓ１１および上記検査用テンプレート作製前の第１テンプレート欠陥修正工程Ｓ１２を行う場合には、上記検査用テンプレートを用いなくても検出可能な上記第１テンプレートの欠陥部に対して検査および修正を行うことができる。一方、上記第１テンプレート検査工程Ｓ１１および上記検査用テンプレート作製前の第１テンプレート欠陥修正工程Ｓ１２を行わない場合には、上記検査用テンプレート検査工程Ｓ３、上記第１テンプレート欠陥確認工程Ｓ４および上記欠陥修正工程Ｓ５により、上記第１テンプレートの欠陥部を検査および修正することができる。また、図示しないが、上記第１テンプレート検査工程Ｓ１１を行う場合、上記検査用テンプレート作製前の第１テンプレート欠陥修正工程Ｓ１２を行わずに、上記第１テンプレート検査工程Ｓ１１にて検出された欠陥部を、上記第１テンプレート欠陥確認工程Ｓ４後の上記欠陥修正工程Ｓ５にて修正してもよい。

また、本発明においては、図２０に例示するように、上記１次転写工程Ｓ２１後上記２次転写工程Ｓ２２前に、上記１次転写先テンプレートの欠陥部を検査する１次転写先テンプレート検査工程Ｓ２１１を行ってもよく、また上記１次転写先テンプレート検査工程Ｓ２１１後に、上記１次転写先テンプレートに検出された欠陥部に対応する上記第１テンプレートの欠陥部を修正する２次転写工程前の第１テンプレート欠陥修正工程Ｓ２１２を行ってもよい。上記１次転写先テンプレート検査工程Ｓ２１１および上記２次転写工程前の第１テンプレート欠陥修正工程Ｓ２１２を行う場合には、上記検査用テンプレートを用いなくても検出可能な上記第１テンプレートの欠陥部に対して検査および修正を行うことができる。

（１）第１テンプレート検査工程
上記第１テンプレート検査工程では、上記第１テンプレートの欠陥部を検査する。
上記第１テンプレートの欠陥部を検査する方法としては、例えば荷電ビームまたは光を照射して欠陥部を検査する方法を挙げることができる。なお、荷電ビームおよび光による検査については、上記「Ａ．テンプレートの検査方法 Ａ−１．第１実施態様のテンプレートの検査方法 ３．検査用テンプレート検査工程」の項に記載の検査と同様であるので、ここでの説明は省略する。
上記第１テンプレートの欠陥部を検査する際には、通常、上記第１テンプレート全体を検査する。

（２）検査用テンプレート作製前の第１テンプレート欠陥修正工程
上記検査用テンプレート作製前の第１テンプレート欠陥修正工程では、黒欠陥部を修正してもよく、白欠陥部を修正してもよい。
なお、上記黒欠陥部および上記白欠陥部の修正方法については、上記欠陥修正工程と同様であるので、ここでの説明は省略する。

Ｃ．テンプレートの製造方法
本発明のテンプレートの製造方法は、２つの実施態様を有する。以下、各実施態様に分けて説明する。

Ｃ−１．第１実施態様のテンプレートの製造方法
本実施態様のテンプレートの製造方法は、表面に凹凸パターンが形成されたＮＩＬ用のテンプレートの製造方法であって、上述のテンプレートの欠陥修正方法を行う修正工程を有することを特徴としている。すなわち、本実施態様のテンプレートの製造方法は、上述のテンプレートの欠陥修正方法を利用して第１テンプレートを製造する方法である。

本実施態様においては、上記「Ａ．テンプレートの検査方法 Ａ−１．第１実施態様のテンプレートの検査方法」の項で説明したように、上記第１テンプレートの黒欠陥部または白欠陥部を、少なくとも一回強調させた上記検査用テンプレートの黒欠陥部または白欠陥部によって検査することができるので、上記第１テンプレートが検出困難な微小な黒欠陥部または白欠陥部を有する場合であっても、感度良く検出することが可能である。したがって、欠陥の無い第１テンプレートを得ることが可能である。

修正工程は、上述のテンプレートの欠陥修正方法を行う工程である。なお、上述のテンプレートの欠陥修正方法については、上記「Ｂ．テンプレートの欠陥修正方法」の項に詳しく記載したので、ここでの説明は省略する。
また、修正工程前に第１テンプレートを作製するが、第１テンプレートの作製方法については、上記「Ａ．テンプレートの検査方法 Ａ−１．第１実施態様のテンプレートの検査方法」の項に記載したので、ここでの説明は省略する。

Ｃ−２．第２実施態様のテンプレートの製造方法
本実施態様のテンプレートの製造方法は、表面に凹凸パターンが形成されたＮＩＬ用のテンプレートの製造方法であって、上述のテンプレートの欠陥修正方法を行うことにより、上記第１テンプレートの上記黒欠陥部または上記白欠陥部を修正する修正工程と、上記修正工程後の第１テンプレートを用いたインプリントによる転写によって、第２テンプレートを作製する第２テンプレート作製工程とを有することを特徴としている。すなわち、本実施態様のテンプレートの製造方法は、上述のテンプレートの欠陥修正方法を利用して第１テンプレートを製造し、その第１テンプレートを用いて第２テンプレートを製造する方法である。

図２１は第２実施態様のテンプレートの製造方法の一例を示すフローチャートである。なお、第１テンプレート準備工程Ｓ１から欠陥修正工程Ｓ５までは、上記「Ａ．テンプレートの検査方法 Ａ−１．第１実施態様のテンプレートの検査方法」または上記「Ｂ．テンプレートの欠陥修正方法」と同様である。
欠陥修正工程Ｓ５後は、第２テンプレート作製工程Ｓ６および第２テンプレート検査工程Ｓ７を順に行う。

本実施態様においては、上記「Ａ．テンプレートの検査方法 Ａ−１．第１実施態様のテンプレートの検査方法」の項で説明したように、上記第１テンプレートの黒欠陥部または白欠陥部を、少なくとも一回強調させた上記検査用テンプレートの黒欠陥部または白欠陥部によって検査することができるので、上記第１テンプレートが検出困難な微小な黒欠陥部または白欠陥部を有する場合であっても、感度良く検出することが可能である。したがって、欠陥の無い第１テンプレートを得ることができる。これにより、欠陥の無い第２テンプレートを得ることが可能である。

以下、テンプレートの製造方法における各工程について説明する。

（１）修正工程
本実施態様における修正工程は、上述のテンプレートの欠陥修正方法を行うことにより、上記第１テンプレートの上記黒欠陥部または上記白欠陥部を修正する工程である。なお、上述のテンプレートの欠陥修正方法については、上記「Ｂ．テンプレートの欠陥修正方法」の項に詳しく記載したので、ここでの説明は省略する。
また、修正工程前に第１テンプレートを作製するが、第１テンプレートの作製方法については、上記「Ａ．テンプレートの検査方法 Ａ−１．第１実施態様のテンプレートの検査方法」の項に記載したので、ここでの説明は省略する。

（２）第２テンプレート作製工程
第２テンプレート作製工程では、上記修正工程後の第１テンプレートを用いたインプリントによる転写によって、第２テンプレートを作製する。
第２テンプレートの作製方法としては、第１テンプレートを用いたインプリント法であればよく、一般的なＮＩＬ用のテンプレートの作製方法と同様とすることができる。例えば、第２テンプレートの作製方法は、透明基板上にハードマスク層および樹脂層を積層する工程と、上記樹脂層に上記第１テンプレートを密着させ、上記樹脂層を硬化させた後、上記第１テンプレートを剥離し、表面に凹凸パターンを有する上記樹脂層を形成する工程と、上記樹脂層の凹凸パターンの凹部を、上記ハードマスク層が露出するまでエッチングする工程と、上記ハードマスク層の露出部分を、上記透明基板が露出するまでエッチングする工程と、上記透明基板の露出部分をエッチングする工程と、上記ハードマスク層を除去する工程とを有する方法とすることができる。

（３）第２テンプレート検査工程
上記第２テンプレート作製工程後には、通常、第２テンプレートを検査する第２テンプレート検査工程が行われる。
第２テンプレートを検査する方法としては、例えば荷電ビームまたは光を照射して検査する方法を挙げることができる。なお、荷電ビームおよび光による検査については、上記検査用テンプレート検査工程と同様であるので、ここでの説明は省略する。
第２テンプレートを検査する際には、通常、第２テンプレート全体を検査する。

なお、本発明は、上記実施形態に限定されるものではない。上記実施形態は、例示であり、本発明の特許請求の範囲に記載された技術的思想と実質的に同一な構成を有し、同様な作用効果を奏するものは、いかなるものであっても本発明の技術的範囲に包含される。

以下に実施例を示し、本発明をさらに詳細に説明する。

［実施例１］
（第１テンプレートの作製）
まず、１５２ｍｍ×１５２ｍｍ、厚さ０．２５インチの石英基板上に、ハードマスク層として厚さ５ｎｍのＣｒ酸化膜が形成されたブランクスを準備した。次に、ハードマスク層上に電子線レジスト膜を形成し、電子線描画および現像を行った。これにより、凹凸パターンに対応するレジストパターンを形成した。次に、塩素および酸素の混合ガスでＣｒ酸化膜の露出部分のドライエッチングを行って石英基板を露出させた。その後、レジストパターンを除去した。次に、フッ素ガスで石英基板の露出部分のドライエッチングを行った。その後、ウェットエッチングでハードマスク層を除去し、第１テンプレートを作製した。
図２２（ａ）に第１テンプレートのＳＥＭ写真（１０万倍）を示す。第１テンプレートの凹凸パターンはラインアンドスペースであり、ラインパターンの短手方向の幅ｌ１（凹凸パターンの凸部の幅）が２７ｎｍ、スペースパターンの短手方向の幅ｓ１（凹凸パターンの凹部の幅）が３３ｎｍ、凹部の深さが６０ｎｍであった。また、第１テンプレートはショート欠陥の黒欠陥部５を有しており、ラインパターンの長手方向における黒欠陥部５の長さｄ１は１０ｎｍであった。なお、ＳＥＭ写真において、白い部分は凸部であり、黒い部分は凹部である。

（検査用テンプレートの作製）
上記第１テンプレートを用いて検査用テンプレートを作製した。まず、１次転写工程Ｓ２１において、第１テンプレート１を１次転写元テンプレート１Ａとして用いて、１次転写元テンプレート１Ａから１次転写先テンプレート１Ｂへのインプリントによる転写を行って、黒欠陥部５が転写されたオープン欠陥の白欠陥部１５を有する転写先テンプレート１Ｂを作製した。このとき、欠陥強調工程とされていないインプリント転写工程のときよりも、樹脂層の凹凸パターンの残膜部分の厚さ（ＲＬＴ）を厚くした。次に、２次転写工程Ｓ２２において、１次転写工程Ｓ２１で得られる１次転写先テンプレート１Ｂを２次転写元テンプレート２Ａとして用いて、２次転写元テンプレート２Ａから２次転写先テンプレート２Ｂへのインプリントによる転写を行って、白欠陥部１５が転写されたショート欠陥の黒欠陥部２５を有する２次転写先テンプレート２Ｂを作製した。このとき、欠陥強調工程とされていないインプリント転写工程のときよりも、樹脂層の凹凸パターンの残膜部分の厚さ（ＲＬＴ）を薄くした。そして、２次転写工程Ｓ２２で得られる２次転写先テンプレート２Ｂは、検査用テンプレート１０として用いられる。

具体的には、１次転写工程Ｓ２１においては、まず、１５２ｍｍ×１５２ｍｍ、厚さ０．２５インチの石英基板上に、ハードマスク層として厚さ５ｎｍのＣｒ酸化膜が形成されたブランクスを準備した。次に、ハードマスク層上に厚さ７０ｎｍの光硬化性樹脂膜である樹脂層を形成し、樹脂層に上記１次転写元テンプレート１Ａを密着させた。樹脂層に上記１次転写元テンプレート１Ａを密着させた際の樹脂層の凹凸パターンの凸部の高さは５０ｎｍで、凹凸パターンの残膜部分の厚さ（ＲＬＴ）は３０ｎｍであった。続いて、樹脂層にＵＶ光を照射し硬化させた後、上記１次転写元テンプレート１Ａを剥離し、表面に凹凸パターンを有する樹脂層を形成した。１次転写元テンプレート剥離後の樹脂層の凹凸パターンの凸部の高さは４５ｎｍで、凹凸パターンの残膜部分の厚さ（ＲＬＴ）は３０ｎｍであった。
次に、Ｏ₂ガスにより、上記樹脂層の凹凸パターンの凹部を、上記ハードマスク層が露出するまでエッチングした。樹脂層の凹部のエッチング後の樹脂層の凸部の高さは４５ｎｍであった。
次いで、Ｃｌ₂とＯ₂の混合ガスにより、上記ハードマスク層の露出部分を、上記石英基板が露出するまでエッチングした。ハードマスク層のエッチング後の樹脂層の凸部の高さは２５ｎｍであった。その後、硫酸過水とアンモニア過水により樹脂層を除去した。
次に、ＣＦ₄、Ｏ₂、Ｈｅの混合ガスにより、石英基板の露出部分をエッチングした。石英基板のエッチング後のＣｒ酸化膜の厚さは３ｎｍであった。また、石英基板の掘り込み量は５０ｎｍであった。その後、硝酸第二セリウムアンモニウム液によりハードマスク層を除去した。これにより上記１次転写先テンプレート１Ｂが作製できた。

図２２（ｂ）に１次転写先テンプレートのＳＥＭ写真（１０万倍）を示す。上記１次転写先テンプレート１Ｂは、ラインパターンの短手方向の幅ｌ２（凹凸パターンの凸部の幅）が３０ｎｍ、スペースパターンの短手方向の幅ｓ２（凹凸パターンの凹部の幅）が３０ｎｍであった。また、上記１次転写先テンプレート１Ｂはオープン欠陥の白欠陥部１５を有しており、ラインパターンの長手方向における白欠陥部１５の長さｄ２は２０ｎｍであった。

また、具体的には、２次転写工程Ｓ２２においては、まず、１５２ｍｍ×１５２ｍｍ、厚さ０．２５インチの石英基板上に、ハードマスク層として厚さ５ｎｍのＣｒ酸化膜が形成されたブランクスを準備した。次に、ハードマスク層上に厚さ４５ｎｍの光硬化性樹脂膜である樹脂層を形成し、樹脂層に上記２次転写元テンプレート２Ａを密着させた。樹脂層に上記２次転写元テンプレート２Ａを密着させた際の樹脂層の凹凸パターンの凸部の高さは５０ｎｍで、凹凸パターンの残膜部分の厚さ（ＲＬＴ）は５ｎｍであった。続いて、樹脂層にＵＶ光を照射し硬化させた後、上記２次転写元テンプレート２Ａを剥離し、表面に凹凸パターンを有する樹脂層を形成した。２次転写元テンプレート剥離後の樹脂層の凹凸パターンの凸部の高さは４５ｎｍで、凹凸パターンの残膜部分の厚さ（ＲＬＴ）は５ｎｍであった。
次に、Ｏ₂ガスにより、上記樹脂層の凹凸パターンの凹部を、上記ハードマスク層が露出するまでエッチングした。樹脂層の凹部のエッチング後の樹脂層の凸部の高さは４５ｎｍであった。
次いで、Ｃｌ₂とＯ₂の混合ガスにより、上記ハードマスク層の露出部分を、上記石英基板が露出するまでエッチングした。ハードマスク層のエッチング後の樹脂層の凸部の高さは２５ｎｍであった。その後、硫酸過水とアンモニア過水により樹脂層を除去した。
次に、ＣＦ₄、Ｏ₂、Ｈｅの混合ガスにより、石英基板の露出部分をエッチングした。石英基板のエッチング後のＣｒ酸化膜の厚さは３ｎｍであった。また、石英基板の掘り込み量は５０ｎｍであった。その後、硝酸第二セリウムアンモニウム液によりハードマスク層を除去した。これにより上記２次転写先テンプレート２Ｂが作製できた。そして、２次転写工程Ｓ２２で得られる上記２次転写先テンプレート２Ｂは、検査用テンプレート１０として用いられる。

図２２（ｃ）に検査用テンプレートのＳＥＭ写真（１０万倍）を示す。上記検査用テンプレート１０は、ラインパターンの短手方向の幅ｌ３（凹凸パターンの凸部の幅）が３５ｎｍ、スペースパターンの短手方向の幅ｓ３（凹凸パターンの凹部の幅）が２５ｎｍであった。また、上記検査用テンプレート１０はショート欠陥の黒欠陥部２５を有しており、ラインパターンの長手方向における黒欠陥部２５の長さｄ３は３６ｎｍであった。

［実施例２］
（第１テンプレートの作製）
実施例１と同様にして第１テンプレートを作製した。
図２３（ａ）に第１テンプレートのＳＥＭ写真（１０万倍）を示す。第１テンプレートの凹凸パターンはラインアンドスペースであり、ラインパターンの短手方向の幅ｌ１（凹凸パターンの凸部の幅）が２７ｎｍ、スペースパターンの短手方向の幅ｓ１（凹凸パターンの凹部の幅）が３３ｎｍ、凹部の深さが６０ｎｍであった。また、第１テンプレートはショートに近いエッジ欠陥の黒欠陥部５を有しており、ラインパターンの長手方向における黒欠陥部５の長さｄ１は８ｎｍであった。

（検査用テンプレートの作製）
実施例１と同様にして上記第１テンプレートを用いて検査用テンプレートを作製した。
まず、実施例１と同様にして、１次転写工程Ｓ２１において、第１テンプレート１を１次転写元テンプレート１Ａとして用いて、黒欠陥部５が転写されたエッジ欠陥の白欠陥部１５を有する転写先テンプレート１Ｂを作製した。図２３（ｂ）に１次転写先テンプレートのＳＥＭ写真（１０万倍）を示す。上記１次転写先テンプレート１Ｂは、ラインパターンの短手方向の幅ｌ２（凹凸パターンの凸部の幅）が３０ｎｍ、スペースパターンの短手方向の幅ｓ２（凹凸パターンの凹部の幅）が３０ｎｍであった。また、上記１次転写先テンプレート１Ｂはエッジ欠陥の白欠陥部１５を有しており、ラインパターンの長手方向における白欠陥部１５の長さｄ２は１０ｎｍであった。

次に、実施例１と同様にして、２次転写工程Ｓ２２において、１次転写工程Ｓ２１で得られる１次転写先テンプレート１Ｂを２次転写元テンプレート２Ａとして用いて、２次転写元テンプレート２Ａから２次転写先テンプレート２Ｂへのインプリントによる転写を行って、白欠陥部１５が転写されたエッジ欠陥の黒欠陥部２５を有する２次転写先テンプレート２Ｂを作製した。そして、２次転写工程Ｓ２２で得られる２次転写先テンプレート２Ｂは、検査用テンプレート１０として用いられる。図２３（ｃ）に検査用テンプレートのＳＥＭ写真（１０万倍）を示す。上記検査用テンプレート１０は、ラインパターンの短手方向の幅ｌ３（凹凸パターンの凸部の幅）が３５ｎｍ、スペースパターンの短手方向の幅ｓ３（凹凸パターンの凹部の幅）が２５ｎｍであった。また、上記検査用テンプレート１０はエッジ欠陥の黒欠陥部２５を有しており、ラインパターンの長手方向における黒欠陥部２５の長さｄ３は２１ｎｍであった。

［実施例３］
（第１テンプレートの作製）
実施例１と同様にして第１テンプレートを作製した。
図２４（ａ）に第１テンプレートのＳＥＭ写真（１０万倍）を示す。第１テンプレートの凹凸パターンはラインアンドスペースであり、ラインパターンの短手方向の幅ｌ１（凹凸パターンの凸部の幅）が２７ｎｍ、スペースパターンの短手方向の幅ｓ１（凹凸パターンの凹部の幅）が３３ｎｍ、凹部の深さが６０ｎｍであった。また、第１テンプレートはスペース半分のエッジ欠陥の黒欠陥部５を有しており、ラインパターンの長手方向における黒欠陥部５の長さｄ１は７ｎｍであった。

（検査用テンプレートの作製）
実施例１と同様にして上記第１テンプレートを用いて検査用テンプレートを作製した。
まず、実施例１と同様にして、１次転写工程Ｓ２１において、第１テンプレート１を１次転写元テンプレート１Ａとして用いて、黒欠陥部５が転写されたエッジ欠陥の白欠陥部１５を有する転写先テンプレート１Ｂを作製した。図２４（ｂ）に１次転写先テンプレートのＳＥＭ写真（１０万倍）を示す。上記１次転写先テンプレート１Ｂは、ラインパターンの短手方向の幅ｌ２（凹凸パターンの凸部の幅）が３０ｎｍ、スペースパターンの短手方向の幅ｓ２（凹凸パターンの凹部の幅）が３０ｎｍであった。また、上記１次転写先テンプレート１Ｂはエッジ欠陥の白欠陥部１５を有しており、ラインパターンの長手方向における白欠陥部１５の長さｄ２は８ｎｍであった。

次に、実施例１と同様にして、２次転写工程Ｓ２２において、１次転写工程Ｓ２１で得られる１次転写先テンプレート１Ｂを２次転写元テンプレート２Ａとして用いて、２次転写元テンプレート２Ａから２次転写先テンプレート２Ｂへのインプリントによる転写を行って、白欠陥部１５が転写されたエッジ欠陥の黒欠陥部２５を有する２次転写先テンプレート２Ｂを作製した。そして、２次転写工程Ｓ２２で得られる２次転写先テンプレート２Ｂは、検査用テンプレート１０として用いられる。図２４（ｃ）に検査用テンプレートのＳＥＭ写真（１０万倍）を示す。上記検査用テンプレート１０は、ラインパターンの短手方向の幅ｌ３（凹凸パターンの凸部の幅）が３５ｎｍ、スペースパターンの短手方向の幅ｓ３（凹凸パターンの凹部の幅）が２５ｎｍであった。また、上記検査用テンプレート１０はエッジ欠陥の黒欠陥部２５を有しており、ラインパターンの長手方向における黒欠陥部２５の長さｄ３は１９ｎｍであった。

［比較例１］
（第１テンプレートの作製）
実施例１と同様にして第１テンプレートを作製した。
図２５（ａ）に第１テンプレートのＳＥＭ写真（１０万倍）を示す。第１テンプレートの凹凸パターンはラインアンドスペースであり、ラインパターンの短手方向の幅ｌ１（凹凸パターンの凸部の幅）が２７ｎｍ、スペースパターンの短手方向の幅ｓ１（凹凸パターンの凹部の幅）が３３ｎｍ、凹部の深さが６０ｎｍであった。また、第１テンプレートはショート欠陥の黒欠陥部５を有しており、ラインパターンの長手方向における黒欠陥部５の長さｄ１は１０ｎｍであった。

（検査用テンプレートの作製）
上記第１テンプレートを用いて検査用テンプレートを作製した。１次転写工程Ｓ２１において、第１テンプレート１を１次転写元テンプレート１Ａとして用いて、１次転写元テンプレート１Ａから１次転写先テンプレート１Ｂへのインプリントによる転写を行って、黒欠陥部５が転写されたオープン欠陥の白欠陥部１５を有する転写先テンプレート１Ｂを作製した。このとき、樹脂層の凹凸パターンの残膜部分の厚さ（ＲＬＴ）を欠陥強調工程とされていないインプリント転写工程の厚さにした。

具体的には、１次転写工程Ｓ２１において、まず、１５２ｍｍ×１５２ｍｍ、厚さ０．２５インチの石英基板上に、ハードマスク層として厚さ５ｎｍのＣｒ酸化膜が形成されたブランクスを準備した。次に、ハードマスク層上に厚さ５０ｎｍの光硬化性樹脂膜である樹脂層を形成し、樹脂層に上記１次転写元テンプレート１Ａを密着させた。樹脂層に上記１次転写元テンプレート１Ａを密着させた際の樹脂層の凹凸パターンの凸部の高さは５０ｎｍで、凹凸パターンの残膜部分の厚さ（ＲＬＴ）は１０ｎｍであった。続いて、樹脂層にＵＶ光を照射し硬化させた後、上記１次転写元テンプレート１Ａを剥離し、表面に凹凸パターンを有する樹脂層を形成した。１次転写元テンプレート剥離後の樹脂層の凹凸パターンの凸部の高さは４５ｎｍで、凹凸パターンの残膜部分の厚さ（ＲＬＴ）は１０ｎｍであった。
次に、Ｏ₂ガスにより、上記樹脂層の凹凸パターンの凹部を、上記ハードマスク層が露出するまでエッチングした。樹脂層の凹部のエッチング後の樹脂層の凸部の高さは４５ｎｍであった。
次いで、Ｃｌ₂とＯ₂の混合ガスにより、上記ハードマスク層の露出部分を、上記石英基板が露出するまでエッチングした。ハードマスク層のエッチング後の樹脂層の凸部の高さは２５ｎｍであった。その後、硫酸過水とアンモニア過水により樹脂層を除去した。
次に、ＣＦ₄、Ｏ₂、Ｈｅの混合ガスにより、石英基板の露出部分をエッチングした。石英基板のエッチング後のＣｒ酸化膜の厚さは３ｎｍであった。また、石英基板の掘り込み量は５０ｎｍであった。その後、硝酸第二セリウムアンモニウム液によりハードマスク層を除去した。これにより上記１次転写先テンプレート１Ｂが作製できた。そして、１次転写工程Ｓ２１で得られる上記１次転写先テンプレート１Ｂは、検査用テンプレート１０として用いられる。

図２５（ｂ）に検査用テンプレートのＳＥＭ写真（１０万倍）を示す。上記検査用テンプレート１０は、ラインパターンの短手方向の幅ｌ２（凹凸パターンの凸部の幅）が３３ｎｍ、スペースパターンの短手方向の幅ｓ２（凹凸パターンの凹部の幅）が２７ｎｍであった。また、上記検査用テンプレート１０はオープン欠陥の白欠陥部１５を有しており、ラインパターンの長手方向における白欠陥部１５の長さｄ２は１２ｎｍであった。

［比較例２］
（第１テンプレートの作製）
実施例１と同様にして第１テンプレートを作製した。
図２６（ａ）に第１テンプレートのＳＥＭ写真（１０万倍）を示す。第１テンプレートの凹凸パターンはラインアンドスペースであり、ラインパターンの短手方向の幅ｌ１（凹凸パターンの凸部の幅）が２７ｎｍ、スペースパターンの短手方向の幅ｓ１（凹凸パターンの凹部の幅）が３３ｎｍ、凹部の深さが６０ｎｍであった。また、第１テンプレートはショートに近いエッジ欠陥の黒欠陥部５を有しており、ラインパターンの長手方向における黒欠陥部５の長さｄ１は８ｎｍであった。

（検査用テンプレートの作製）
比較例１と同様にして上記第１テンプレートを用いて検査用テンプレートを作製した。比較例１と同様にして、１次転写工程Ｓ２１において、第１テンプレート１を１次転写元テンプレート１Ａとして用いて、黒欠陥部５が転写されたエッジ欠陥の白欠陥部１５を有する転写先テンプレート１Ｂを作製した。そして、１次転写工程Ｓ２１で得られる上記１次転写先テンプレート１Ｂは、検査用テンプレート１０として用いられる。図２６（ｂ）に検査用テンプレートのＳＥＭ写真（１０万倍）を示す。上記検査用テンプレート１０は、ラインパターンの短手方向の幅ｌ２（凹凸パターンの凸部の幅）が３３ｎｍ、スペースパターンの短手方向の幅ｓ２（凹凸パターンの凹部の幅）が２７ｎｍであった。また、上記検査用テンプレート１０はエッジ欠陥の白欠陥部１５を有しており、ラインパターンの長手方向における白欠陥部１５の長さｄ２は８ｎｍであった。

［比較例３］
（第１テンプレートの作製）
実施例１と同様にして第１テンプレートを作製した。
図２７（ａ）に第１テンプレートのＳＥＭ写真（１０万倍）を示す。第１テンプレートの凹凸パターンはラインアンドスペースであり、ラインパターンの短手方向の幅ｌ１（凹凸パターンの凸部の幅）が２７ｎｍ、スペースパターンの短手方向の幅ｓ１（凹凸パターンの凹部の幅）が３３ｎｍ、凹部の深さが６０ｎｍであった。また、第１テンプレートはスペース半分のエッジ欠陥の黒欠陥部５を有しており、ラインパターンの長手方向における黒欠陥部５の長さｄ１は７ｎｍであった。

（検査用テンプレートの作製）
比較例１と同様にして上記第１テンプレートを用いて検査用テンプレートを作製した。比較例１と同様にして、１次転写工程Ｓ２１において、第１テンプレート１を１次転写元テンプレート１Ａとして用いて、黒欠陥部５が転写されたエッジ欠陥の白欠陥部１５を有する転写先テンプレート１Ｂを作製した。そして、１次転写工程Ｓ２１で得られる上記１次転写先テンプレート１Ｂは、検査用テンプレート１０として用いられる。図２７（ｂ）に検査用テンプレートのＳＥＭ写真（１０万倍）を示す。上記検査用テンプレート１０は、ラインパターンの短手方向の幅ｌ２（凹凸パターンの凸部の幅）が３３ｎｍ、スペースパターンの短手方向の幅ｓ２（凹凸パターンの凹部の幅）が２７ｎｍであった。また、上記検査用テンプレート１０はエッジ欠陥の白欠陥部１５を有しており、ラインパターンの長手方向における白欠陥部１５の長さｄ２は６ｎｍであった。

［実施例４］
（第１テンプレートの作製）
実施例１と同様にして第１テンプレートを作製した。
図２８（ａ）に第１テンプレートのＳＥＭ写真（１０万倍）を示す。第１テンプレートの凹凸パターンはラインアンドスペースであり、ラインパターンの短手方向の幅ｌ１（凹凸パターンの凸部の幅）が２７ｎｍ、スペースパターンの短手方向の幅ｓ１（凹凸パターンの凹部の幅）が３３ｎｍ、凹部の深さが６０ｎｍであった。また、第１テンプレートはショート欠陥の黒欠陥部５を有しており、ラインパターンの長手方向における黒欠陥部５の長さｄ１は１０ｎｍであった。

（検査用テンプレートの作製）
上記第１テンプレートを用いて検査用テンプレートを作製した。
まず、欠陥強調工程とされていないインプリント転写工程のときよりも、樹脂層の凹凸パターンの残膜部分の厚さ（ＲＬＴ）を厚くする点を含め実施例１と同様にして、１次転写工程Ｓ２１において、第１テンプレート１を１次転写元テンプレート１Ａとして用いて、黒欠陥部５が転写されたショート欠陥の白欠陥部１５を有する転写先テンプレート１Ｂを作製した。図２８（ｂ）に１次転写先テンプレートのＳＥＭ写真（１０万倍）を示す。上記１次転写先テンプレート１Ｂは、ラインパターンの短手方向の幅ｌ２（凹凸パターンの凸部の幅）が３０ｎｍ、スペースパターンの短手方向の幅ｓ２（凹凸パターンの凹部の幅）が３０ｎｍであった。また、上記１次転写先テンプレート１Ｂはオープン欠陥の白欠陥部１５を有しており、ラインパターンの長手方向における白欠陥部１５の長さｄ２は２０ｎｍであった。

次に、２次転写工程Ｓ２２において、１次転写工程Ｓ２１で得られる１次転写先テンプレート１Ｂを２次転写元テンプレート２Ａとして用いて、２次転写元テンプレート２Ａから２次転写先テンプレート２Ｂへのインプリントによる転写を行って、白欠陥部１５が転写されたショート欠陥の黒欠陥部２５を有する２次転写先テンプレート２Ｂを作製した。このとき、樹脂層の凹凸パターンの残膜部分の厚さ（ＲＬＴ）を欠陥強調工程とされていないインプリント転写工程の厚さにした。

２次転写工程Ｓ２２においては、具体的には、まず、１５２ｍｍ×１５２ｍｍ、厚さ０．２５インチの石英基板上に、ハードマスク層として厚さ５ｎｍのＣｒ酸化膜が形成されたブランクスを準備した。次に、ハードマスク層上に厚さ５０ｎｍの光硬化性樹脂膜である樹脂層を形成し、樹脂層に上記２次転写元テンプレート２Ａを密着させた。樹脂層に上記２次転写元テンプレート２Ａを密着させた際の樹脂層の凹凸パターンの凸部の高さは５０ｎｍで、凹凸パターンの残膜部分の厚さ（ＲＬＴ）は１０ｎｍであった。続いて、樹脂層にＵＶ光を照射し硬化させた後、上記２次転写元テンプレート２Ａを剥離し、表面に凹凸パターンを有する樹脂層を形成した。１次転写元テンプレート剥離後の樹脂層の凹凸パターンの凸部の高さは４５ｎｍで、凹凸パターンの残膜部分の厚さ（ＲＬＴ）は１０ｎｍであった。
次に、Ｏ₂ガスにより、上記樹脂層の凹凸パターンの凹部を、上記ハードマスク層が露出するまでエッチングした。樹脂層の凹部のエッチング後の樹脂層の凸部の高さは４５ｎｍであった。
次いで、Ｃｌ₂とＯ₂の混合ガスにより、上記ハードマスク層の露出部分を、上記石英基板が露出するまでエッチングした。ハードマスク層のエッチング後の樹脂層の凸部の高さは２５ｎｍであった。その後、硫酸過水とアンモニア過水により樹脂層を除去した。
次に、ＣＦ₄、Ｏ₂、Ｈｅの混合ガスにより、石英基板の露出部分をエッチングした。石英基板のエッチング後のＣｒ酸化膜の厚さは３ｎｍであった。また、石英基板の掘り込み量は５０ｎｍであった。その後、硝酸第二セリウムアンモニウム液によりハードマスク層を除去した。これにより上記２次転写先テンプレート２Ｂが作製できた。そして、２次転写工程Ｓ２２で得られる上記２次転写先テンプレート２Ｂは、検査用テンプレート１０として用いられる。

図２８（ｃ）に検査用テンプレートのＳＥＭ写真（１０万倍）を示す。上記検査用テンプレート１０は、ラインパターンの短手方向の幅ｌ３（凹凸パターンの凸部の幅）が３２ｎｍ、スペースパターンの短手方向の幅ｓ３（凹凸パターンの凹部の幅）が２８ｎｍであった。また、上記検査用テンプレート１０はショート欠陥の黒欠陥部２５を有しており、ラインパターンの長手方向における黒欠陥部２５の長さｄ３は２７ｎｍであった。

［実施例５］
（第１テンプレートの作製）
実施例１と同様にして第１テンプレートを作製した。
図２９（ａ）に第１テンプレートのＳＥＭ写真（１０万倍）を示す。第１テンプレートの凹凸パターンはラインアンドスペースであり、ラインパターンの短手方向の幅ｌ１（凹凸パターンの凸部の幅）が２７ｎｍ、スペースパターンの短手方向の幅ｓ１（凹凸パターンの凹部の幅）が３３ｎｍ、凹部の深さが６０ｎｍであった。また、第１テンプレートはショートに近いエッジ欠陥の黒欠陥部５を有しており、ラインパターンの長手方向における黒欠陥部５の長さｄ１は８ｎｍであった。

（検査用テンプレートの作製）
実施例４と同様にして上記第１テンプレートを用いて検査用テンプレートを作製した。
まず、実施例４と同様にして、１次転写工程Ｓ２１において、第１テンプレート１を１次転写元テンプレート１Ａとして用いて、黒欠陥部５が転写されたエッジ欠陥の白欠陥部１５を有する転写先テンプレート１Ｂを作製した。図２９（ｂ）に１次転写先テンプレートのＳＥＭ写真（１０万倍）を示す。上記１次転写先テンプレート１Ｂは、ラインパターンの短手方向の幅ｌ２（凹凸パターンの凸部の幅）が３０ｎｍ、スペースパターンの短手方向の幅ｓ２（凹凸パターンの凹部の幅）が３０ｎｍであった。また、上記１次転写先テンプレート１Ｂはエッジ欠陥の白欠陥部１５を有しており、ラインパターンの長手方向における白欠陥部１５の長さｄ２は１０ｎｍであった。

次に、実施例４と同様にして、２次転写工程Ｓ２２において、１次転写工程Ｓ２１で得られる１次転写先テンプレート１Ｂを２次転写元テンプレート２Ａとして用いて、２次転写元テンプレート２Ａから２次転写先テンプレート２Ｂへのインプリントによる転写を行って、白欠陥部１５が転写されたエッジ欠陥の黒欠陥部２５を有する２次転写先テンプレート２Ｂを作製した。そして、２次転写工程Ｓ２２で得られる２次転写先テンプレート２Ｂは、検査用テンプレート１０として用いられる。図２９（ｃ）に検査用テンプレートのＳＥＭ写真（１０万倍）を示す。上記検査用テンプレート１０は、ラインパターンの短手方向の幅ｌ３（凹凸パターンの凸部の幅）が３２ｎｍ、スペースパターンの短手方向の幅ｓ３（凹凸パターンの凹部の幅）が２８ｎｍであった。また、上記検査用テンプレート１０はエッジ欠陥の黒欠陥部２５を有しており、ラインパターンの長手方向における黒欠陥部２５の長さｄ３は１５ｎｍであった。

［実施例６］
（第１テンプレートの作製）
実施例１と同様にして第１テンプレートを作製した。
図３０（ａ）に第１テンプレートのＳＥＭ写真（１０万倍）を示す。第１テンプレートの凹凸パターンはラインアンドスペースであり、ラインパターンの短手方向の幅ｌ１（凹凸パターンの凸部の幅）が２７ｎｍ、スペースパターンの短手方向の幅ｓ１（凹凸パターンの凹部の幅）が３３ｎｍ、凹部の深さが６０ｎｍであった。また、第１テンプレートはスペース半分のエッジ欠陥の黒欠陥部５を有しており、ラインパターンの長手方向における黒欠陥部５の長さｄ１は７ｎｍであった。

（検査用テンプレートの作製）
実施例４と同様にして上記第１テンプレートを用いて検査用テンプレートを作製した。
まず、実施例４と同様にして、１次転写工程Ｓ２１において、第１テンプレート１を１次転写元テンプレート１Ａとして用いて、黒欠陥部５が転写されたエッジ欠陥の白欠陥部１５を有する転写先テンプレート１Ｂを作製した。図３０（ｂ）に１次転写先テンプレートのＳＥＭ写真（１０万倍）を示す。上記１次転写先テンプレート１Ｂは、ラインパターンの短手方向の幅ｌ２（凹凸パターンの凸部の幅）が３０ｎｍ、スペースパターンの短手方向の幅ｓ２（凹凸パターンの凹部の幅）が３０ｎｍであった。また、上記１次転写先テンプレート１Ｂはエッジ欠陥の白欠陥部１５を有しており、ラインパターンの長手方向における白欠陥部１５の長さｄ２は８ｎｍであった。

次に、実施例４と同様にして、２次転写工程Ｓ２２において、１次転写工程Ｓ２１で得られる１次転写先テンプレート１Ｂを２次転写元テンプレート２Ａとして用いて、２次転写元テンプレート２Ａから２次転写先テンプレート２Ｂへのインプリントによる転写を行って、白欠陥部１５が転写されたエッジ欠陥の黒欠陥部２５を有する２次転写先テンプレート２Ｂを作製した。そして、２次転写工程Ｓ２２で得られる２次転写先テンプレート２Ｂは、検査用テンプレート１０として用いられる。図３０（ｃ）に検査用テンプレートのＳＥＭ写真（１０万倍）を示す。上記検査用テンプレート１０は、ラインパターンの短手方向の幅ｌ３（凹凸パターンの凸部の幅）が３２ｎｍ、スペースパターンの短手方向の幅ｓ３（凹凸パターンの凹部の幅）が２８ｎｍであった。また、上記検査用テンプレート１０はエッジ欠陥の黒欠陥部２５を有しており、ラインパターンの長手方向における黒欠陥部２５の長さｄ３は１３ｎｍであった。

［評価］
実施例１〜３においては、１次転写工程Ｓ２１によって、１次転写元テンプレート１Ａ（第１テンプレート１）に含まれる黒欠陥部５が強調された白欠陥部１５が１次転写先テンプレート１Ｂに転写され、２次転写工程Ｓ２２によって、２次転写元テンプレート２Ａ（１次転写先テンプレート１Ｂ）に含まれる白欠陥部１５が強調された黒欠陥部２５が２次転写先テンプレート２Ｂ（検査用テンプレート１０）に転写されることが確認された。このため、第１テンプレート１の黒欠陥部５を、二回強調させた検査用テンプレート１０の黒欠陥部２５によって検査することができる。

これに対して、比較例１〜３においては、１次転写工程Ｓ２１によって、１次転写元テンプレート１Ａ（第１テンプレート１）に含まれる黒欠陥部５と平面視の大きさが同一であり、強調されない白欠陥部１５が１次転写先テンプレート１Ｂ（検査用テンプレート１０）に転写されることが確認された。このため、第１テンプレート１の黒欠陥部５を、強調させた検査用テンプレート１０の白欠陥部１５によって検査することはできない。

また、実施例４〜６においては、１次転写工程Ｓ２１によって、１次転写元テンプレート１Ａ（第１テンプレート１）に含まれる黒欠陥部５が強調された白欠陥部１５が１次転写先テンプレート１Ｂに転写され、２次転写工程Ｓ２２によって、２次転写元テンプレート２Ａ（１次転写先テンプレート１Ｂ）に含まれる白欠陥部１５と平面視の大きさが同一であり、強調されない黒欠陥部２５が２次転写先テンプレート２Ｂ（検査用テンプレート１０）に転写されることが確認された。このため、第１テンプレート１の黒欠陥部５を、一回強調させた検査用テンプレート１０の黒欠陥部２５によって検査することができる。

１…第１テンプレート、 １Ａ…１次転写元テンプレート、 １Ｂ…１次転写先テンプレート、 ２Ａ…２次転写元テンプレート、 ２Ｂ…２次転写先テンプレート、 １０…検査用テンプレート、 ２，１２，２２…凸部、 ３，１３，２３…凹部、 ４，１４，２４…凹凸パターン、 ５，２５…黒欠陥部、 １５…白欠陥部， １０Ａ…転写先基板、 １６…ハードマスク層、 １７…樹脂層

Claims (17)

1. 表面に凹凸パターンが形成されたナノインプリントリソグラフィ用のテンプレートの検査方法であって、
   第１テンプレートを準備する第１テンプレート準備工程と、
   前記第１テンプレートを原版テンプレートとして用いて、転写元テンプレートから転写先テンプレートへのインプリントによる転写を行うインプリント転写工程を少なくとも一回行って、最終的に得られる前記転写先テンプレートを検査用テンプレートとして作製する検査用テンプレート作製工程と、
   前記検査用テンプレートの黒欠陥部または白欠陥部を検査する検査用テンプレート検査工程と
   を有し、前記第１テンプレートの黒欠陥部または白欠陥部を、当該黒欠陥部または当該白欠陥部に対応する前記検査用テンプレートの黒欠陥部または白欠陥部によって検査するテンプレートの検査方法であり、
   前記検査用テンプレート作製工程では、前記インプリント転写工程時に前記転写元テンプレートに含まれる黒欠陥部または白欠陥部を強調させる欠陥強調工程が少なくとも一回行われ、
   前記欠陥強調工程が、前記転写元テンプレートに黒欠陥部が含まれる場合には、前記転写先テンプレートの凹凸パターンの凸部の幅が、対応する前記転写元テンプレートの凹凸パターンの凹部の幅よりも小さくなるようにし、前記転写元テンプレートに白欠陥部が含まれる場合には、前記転写先テンプレートの凹凸パターンの凸部の幅が、対応する前記転写元テンプレートの凹凸パターンの凹部の幅よりも大きくなるようにする工程であり、
   前記検査用テンプレートが、合成石英、ソーダガラス、蛍石、およびフッ化カルシウムからなる群から選択させる少なくとも１種類の材料で構成されていることを特徴とするテンプレートの検査方法。
2. 表面に凹凸パターンが形成されたナノインプリントリソグラフィ用のテンプレートの検査方法であって、
   第１テンプレートを準備する第１テンプレート準備工程と、
   前記第１テンプレートを原版テンプレートとして用いて、転写元テンプレートから転写先テンプレートへのインプリントによる転写を行うインプリント転写工程を少なくとも一回行って、最終的に得られる前記転写先テンプレートを検査用テンプレートとして作製する検査用テンプレート作製工程と、
   前記検査用テンプレートの黒欠陥部または白欠陥部を検査する検査用テンプレート検査工程と
   を有し、前記第１テンプレートの黒欠陥部または白欠陥部を、当該黒欠陥部または当該白欠陥部に対応する前記検査用テンプレートの黒欠陥部または白欠陥部によって検査するテンプレートの検査方法であり、
   前記検査用テンプレート作製工程では、前記インプリント転写工程時に前記転写元テンプレートに含まれる黒欠陥部または白欠陥部を強調させる欠陥強調工程が少なくとも一回行われ、
   前記欠陥強調工程が、前記転写元テンプレートに黒欠陥部が含まれる場合には、前記転写先テンプレートの凹凸パターンの凸部の幅が、対応する前記転写元テンプレートの凹凸パターンの凹部の幅よりも小さくなるようにし、前記転写元テンプレートに白欠陥部が含まれる場合には、前記転写先テンプレートの凹凸パターンの凸部の幅が、対応する前記転写元テンプレートの凹凸パターンの凹部の幅よりも大きくなるようにする工程であり、
   前記欠陥強調工程には、エッチング工程が含まれることを特徴とするテンプレートの検査方法。
3. 前記欠陥強調工程が、前記転写元テンプレートに黒欠陥部が含まれる場合には、前記転写先テンプレートの凹凸パターンの凸部の幅が、対応する前記転写元テンプレートの凹凸パターンの凹部の幅よりも２％〜４０％小さくなるようにし、前記転写元テンプレートに白欠陥部が含まれる場合には、前記転写先テンプレートの凹凸パターンの凸部の幅が、対応する前記転写元テンプレートの凹凸パターンの凹部の幅よりも２％〜４０％大きくなるようにする工程であることを特徴とする請求項１または請求項２に記載のテンプレートの検査方法。
4. 前記検査用テンプレート作製工程では、前記インプリント転写工程として、前記原版テンプレートを前記転写元テンプレートとして用いる１次転写工程のみを行って、前記１次転写工程で得られる前記転写先テンプレートを前記検査用テンプレートとして作製し、前記欠陥強調工程として、前記１次転写工程時に前記転写元テンプレートに含まれる前記黒欠陥部または前記白欠陥部を強調させる欠陥強調工程のみが行われることを特徴とする請求項１から請求項３までのいずれかの請求項に記載のテンプレートの検査方法。
5. 表面に凹凸パターンが形成されたナノインプリントリソグラフィ用のテンプレートの検査方法であって、
   第１テンプレートを準備する第１テンプレート準備工程と、
   前記第１テンプレートを原版テンプレートとして用いて、転写元テンプレートから転写先テンプレートへのインプリントによる転写を行うインプリント転写工程を少なくとも一回行って、最終的に得られる前記転写先テンプレートを検査用テンプレートとして作製する検査用テンプレート作製工程と、
   前記検査用テンプレートの黒欠陥部または白欠陥部を検査する検査用テンプレート検査工程と
   を有し、前記第１テンプレートの黒欠陥部または白欠陥部を、当該黒欠陥部または当該白欠陥部に対応する前記検査用テンプレートの黒欠陥部または白欠陥部によって検査するテンプレートの検査方法であり、
   前記検査用テンプレート作製工程では、前記インプリント転写工程時に前記転写元テンプレートに含まれる黒欠陥部または白欠陥部を強調させる欠陥強調工程が少なくとも一回行われ、
   前記欠陥強調工程が、前記転写元テンプレートに黒欠陥部が含まれる場合には、前記転写先テンプレートの凹凸パターンの凸部の幅が、対応する前記転写元テンプレートの凹凸パターンの凹部の幅よりも小さくなるようにし、前記転写元テンプレートに白欠陥部が含まれる場合には、前記転写先テンプレートの凹凸パターンの凸部の幅が、対応する前記転写元テンプレートの凹凸パターンの凹部の幅よりも大きくなるようにする工程であり、
   前記検査用テンプレート作製工程では、前記インプリント転写工程として、前記原版テンプレートを前記転写元テンプレートとして用いる１次転写工程からｎ−１次転写工程で得られる前記転写先テンプレートを前記転写元テンプレートとして用いるｎ次転写工程（ｎは２以上の整数）までのｎ回の転写工程を行って、前記ｎ次転写工程で得られる前記転写先テンプレートを前記検査用テンプレートとして作製し、前記欠陥強調工程として、前記ｎ回の転写工程のうちの少なくとも１回の転写工程時にそれぞれ前記転写元テンプレートに含まれる前記黒欠陥部または前記白欠陥部を強調させる少なくとも１回の欠陥強調工程が行われることを特徴とするテンプレートの検査方法。
6. 前記検査用テンプレート作製工程では、前記欠陥強調工程として、前記ｎ回の転写工程時にそれぞれ前記転写元テンプレートに含まれる前記黒欠陥部または前記白欠陥部を強調させるｎ回の欠陥強調工程が行われることを特徴とする請求項５に記載のテンプレートの検査方法。
7. 表面に凹凸パターンが形成されたナノインプリントリソグラフィ用のテンプレートの検査方法であって、
   第１テンプレートを準備する第１テンプレート準備工程と、
   前記第１テンプレートを原版テンプレートとして用いて、転写元テンプレートから転写先テンプレートへのインプリントによる転写を行うインプリント転写工程を少なくとも一回行って、最終的に得られる前記転写先テンプレートを検査用テンプレートとして作製する検査用テンプレート作製工程と、
   前記検査用テンプレートの黒欠陥部または白欠陥部を検査する検査用テンプレート検査工程と
   を有し、前記第１テンプレートの黒欠陥部または白欠陥部を、当該黒欠陥部または当該白欠陥部に対応する前記検査用テンプレートの黒欠陥部または白欠陥部によって検査するテンプレートの検査方法であり、
   前記検査用テンプレート作製工程では、前記インプリント転写工程時に前記転写元テンプレートに含まれる黒欠陥部または白欠陥部を強調させる欠陥強調工程が少なくとも一回行われ、
   前記欠陥強調工程が、前記転写元テンプレートに黒欠陥部が含まれる場合には、前記転写先テンプレートの凹凸パターンの凸部の幅が、対応する前記転写元テンプレートの凹凸パターンの凹部の幅よりも小さくなるようにし、前記転写元テンプレートに白欠陥部が含まれる場合には、前記転写先テンプレートの凹凸パターンの凸部の幅が、対応する前記転写元テンプレートの凹凸パターンの凹部の幅よりも大きくなるようにする工程であり、
   前記検査用テンプレート作製工程では、前記インプリント転写工程として、前記黒欠陥部が含まれる前記転写元テンプレートから前記転写先テンプレートへのインプリントによる転写を行う黒欠陥部含有テンプレート転写工程が少なくとも一回行われ、
   前記黒欠陥部含有テンプレート転写工程が、
   転写先基板上にハードマスク層および樹脂層を積層する積層工程と、
   前記樹脂層に前記転写元テンプレートを密着させ、前記樹脂層を硬化させた後、前記転写元テンプレートを剥離し、表面に凹凸パターンを有する前記樹脂層を形成する密着転写工程と、
   前記樹脂層の凹凸パターンの凹部を、前記ハードマスク層が露出するまでエッチングする第１エッチング工程と、
   前記ハードマスク層の露出部分を、前記転写先基板が露出するまでエッチングする第２エッチング工程と、
   前記転写先基板の露出部分をエッチングする第３エッチング工程と
   を有し、
   前記欠陥強調工程として、前記黒欠陥部含有テンプレート転写工程時に前記転写元テンプレートに含まれる前記黒欠陥部を強調させる黒欠陥強調工程が少なくとも一回行われることを特徴とするテンプレートの検査方法。
8. 前記黒欠陥強調工程では、前記欠陥強調工程とされていない前記インプリント転写工程のときよりも、前記第１エッチング工程または前記第２エッチング工程でのエッチング時間を長くすることを特徴とする請求項７に記載のテンプレートの検査方法。
9. 前記黒欠陥強調工程では、前記欠陥強調工程とされていない前記インプリント転写工程のときよりも、前記樹脂層の凹凸パターンの残膜部分の厚さを厚くすることを特徴とする請求項７または請求項８に記載のテンプレートの検査方法。
10. 表面に凹凸パターンが形成されたナノインプリントリソグラフィ用のテンプレートの検査方法であって、
    第１テンプレートを準備する第１テンプレート準備工程と、
    前記第１テンプレートを原版テンプレートとして用いて、転写元テンプレートから転写先テンプレートへのインプリントによる転写を行うインプリント転写工程を少なくとも一回行って、最終的に得られる前記転写先テンプレートを検査用テンプレートとして作製する検査用テンプレート作製工程と、
    前記検査用テンプレートの黒欠陥部または白欠陥部を検査する検査用テンプレート検査工程と
    を有し、前記第１テンプレートの黒欠陥部または白欠陥部を、当該黒欠陥部または当該白欠陥部に対応する前記検査用テンプレートの黒欠陥部または白欠陥部によって検査するテンプレートの検査方法であり、
    前記検査用テンプレート作製工程では、前記インプリント転写工程時に前記転写元テンプレートに含まれる黒欠陥部または白欠陥部を強調させる欠陥強調工程が少なくとも一回行われ、
    前記欠陥強調工程が、前記転写元テンプレートに黒欠陥部が含まれる場合には、前記転写先テンプレートの凹凸パターンの凸部の幅が、対応する前記転写元テンプレートの凹凸パターンの凹部の幅よりも小さくなるようにし、前記転写元テンプレートに白欠陥部が含まれる場合には、前記転写先テンプレートの凹凸パターンの凸部の幅が、対応する前記転写元テンプレートの凹凸パターンの凹部の幅よりも大きくなるようにする工程であり、
    前記検査用テンプレート作製工程では、前記インプリント転写工程として、前記白欠陥部が含まれる前記転写元テンプレートから前記転写先テンプレートへのインプリントによる転写を行う白欠陥部含有テンプレート転写工程が少なくとも一回行われ、
    前記白欠陥部含有テンプレート転写工程が、
    転写先基板上にハードマスク層および樹脂層を積層する積層工程と、
    前記樹脂層に前記転写元テンプレートを密着させ、前記樹脂層を硬化させた後、前記転写元テンプレートを剥離し、表面に凹凸パターンを有する前記樹脂層を形成する密着転写工程と、
    前記樹脂層の凹凸パターンの凹部を、前記ハードマスク層が露出するまでエッチングする第１エッチング工程と、
    前記ハードマスク層の露出部分を、前記転写先基板が露出するまでエッチングする第２エッチング工程と、
    前記転写先基板の露出部分をエッチングする第３エッチング工程と
    を有し、
    前記欠陥強調工程として、前記白欠陥部含有テンプレート転写工程時に前記転写元テンプレートに含まれる前記白欠陥部を強調させる白欠陥強調工程が少なくとも一回行われることを特徴とするテンプレートの検査方法。
11. 前記白欠陥強調工程では、前記欠陥強調工程とされていない前記インプリント転写工程のときよりも、前記第１エッチング工程または前記第２エッチング工程でのエッチング時間を短くすることを特徴とする請求項１０に記載のテンプレートの検査方法。
12. 前記白欠陥強調工程では、前記欠陥強調工程とされていない前記インプリント転写工程のときよりも、前記樹脂層の凹凸パターンの残膜部分の厚さを薄くすることを特徴とする請求項１０または請求項１１に記載のテンプレートの検査方法。
13. 前記白欠陥強調工程では、前記欠陥強調工程とされていない前記インプリント転写工程のときよりも、前記ハードマスク層の厚さを厚くすることを特徴とする請求項１０から請求項１２までのいずれかに記載のテンプレートの検査方法。
14. 表面に凹凸パターンが形成されたナノインプリントリソグラフィ用のテンプレートの検査方法であって、
    第１テンプレートを準備する第１テンプレート準備工程と、
    前記第１テンプレートを原版テンプレートとして用いて、転写元テンプレートから転写先テンプレートへのインプリントによる転写を行うインプリント転写工程を少なくとも一回行って、最終的に得られる前記転写先テンプレートを検査用テンプレートとして作製する検査用テンプレート作製工程をｎ回（ｎは２以上の整数）行う複数検査用テンプレート作製工程と、
    前記複数検査用テンプレート作製工程において行われるｎ回の検査用テンプレート作製工程でそれぞれ作製されるｎ個の検査用テンプレートの黒欠陥部および白欠陥部を検査する複数検査用テンプレート検査工程と
    を有し、前記第１テンプレートの黒欠陥部および白欠陥部を、当該黒欠陥部および当該白欠陥部に対応する前記ｎ個の検査用テンプレートの黒欠陥部および白欠陥部によって検査するテンプレートの検査方法であり、
    前記検査用テンプレート作製工程では、前記インプリント転写工程として、前記原版テンプレートを前記転写元テンプレートとして用いる１次転写工程を行って、
    前記ｎ回の検査用テンプレート作製工程のうちの第１検査用テンプレート作製工程では、前記１次転写工程時に前記転写先テンプレートの凹凸パターンの凸部の幅が対応する前記転写元テンプレートの凹凸パターンの凹部の幅よりも小さくなるようにする欠陥強調工程が行われ、
    前記ｎ回の検査用テンプレート作製工程のうちの第２検査用テンプレート作製工程では、前記１次転写工程時に前記転写先テンプレートの凹凸パターンの凸部の幅が対応する前記転写元テンプレートの凹凸パターンの凹部の幅よりも大きくなるようにする欠陥強調工程が行われることを特徴とするテンプレートの検査方法。
15. 表面に凹凸パターンが形成されたナノインプリントリソグラフィ用のテンプレートの欠陥修正方法であって、
    請求項１から請求項１３までのいずれかに記載のテンプレートの検査方法を行う検査工程と、
    前記検査工程で前記検査用テンプレートに前記黒欠陥部または前記白欠陥部が検出された場合に、当該黒欠陥部または当該白欠陥部に対応する前記第１テンプレートの黒欠陥部または白欠陥部を確認する第１テンプレート欠陥確認工程と、
    前記第１テンプレートに前記黒欠陥部または前記白欠陥部が検出された場合に、黒欠陥部または白欠陥部を修正する欠陥修正工程と
    を有することを特徴とするテンプレートの欠陥修正方法。
16. 表面に凹凸パターンが形成されたナノインプリントリソグラフィ用のテンプレートの製造方法であって、
    請求項１５に記載のテンプレートの欠陥修正方法を行う修正工程を有することを特徴とするテンプレートの製造方法。
17. 表面に凹凸パターンが形成されたナノインプリントリソグラフィ用のテンプレートの製造方法であって、
    請求項１５に記載のテンプレートの欠陥修正方法を行うことにより、前記第１テンプレートの前記黒欠陥部または前記白欠陥部を修正する修正工程と、
    前記修正工程後の第１テンプレートを用いたインプリントによる転写によって、第２テンプレートを作製する第２テンプレート作製工程と
    を有することを特徴とするテンプレートの製造方法。