JP6197283B2 - ナノインプリントリソグラフィ用マスクおよびその製造方法 - Google Patents
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Description
本発明のNIL用マスクは、意図的に形成された設計欠陥部を有することを特徴とするものである。
以下、本発明のNIL用マスクについて詳細に説明する。
本発明のNIL用マスクの製造方法は、意図的に形成された設計欠陥部を有する検査前マスクを形成する検査前マスク形成工程と、上記設計欠陥部を基準として電子ビーム検査機の感度を調整し、上記検査前マスクの欠陥検査を行う検査工程と、を有することを特徴とするものである。
以下、本発明のNIL用マスクの製造方法について、工程ごとに説明する。
本発明における検査前マスク形成工程は、意図的に形成された設計欠陥部を有する検査前マスクを形成する工程である。なお、検査前マスクの形成方法は特に限定されるものではなく、一般的な方法を用いることができる。
本発明における検査工程は、上記設計欠陥部を基準として電子ビーム検査機の感度を調整し、上記検査前マスクの欠陥検査を行う工程である。
本発明のNIL用マスクの製造方法は、上記検査工程において不良と判断された不良マスクを修正する修正工程を有することが好ましい。NIL用マスクの歩留まりを向上できるからである。
まず、石英基板である透明基板21上に、Cr酸化膜であるハードマスク22が形成されたブランクを準備した(図8(a))。次に、ハードマスク22上に電子線レジスト膜23aを形成して、電子線描画および現像を行った(図8(b))。これにより、メインパターンを有するメインパターン領域と、意図的に形成された設計欠陥部を有する設計欠陥パターン領域とに対応するレジストパターン23bを形成した(図8(c))。次に、塩素と酸素の混合ガスでドライエッチングして透明基板21を露出させ、さらに、フッ素ガスでドライエッチングして透明基板21をエッチングした(図8(d))。その後、ウェットエッチングでハードマスク22を除去することにより、検査前マスク30を得た(図8(e))。得られた検査前マスク30のメインパターンはL&Sであり、図2(a)におけるW1〜W3は、それぞれ20nmであった。また、得られた検査前マスクの設計欠陥部は、ショート欠陥部であり、図2(b)におけるYは10nmであった。また、得られた検査前マスクでは、目的とする設計欠陥部であるショート欠陥部が形成され、エッジ欠陥部は形成されなかった。
設計欠陥部を設けないこと以外は、実施例1と同様にして、検査前マスク30を得た。得られた検査前マスクに対して、電子ビーム検査機を用いて感度調整を行ったが、NIL用マスクのパターンが微細であるため、鮮明な欠陥画像を得ることができなかった。
設計欠陥部の設計データとして、凸部Aおよび凹部Bを有しないデータを用いたこと以外は、実施例1と同様にして、検査前マスク30を得た。得られた検査前マスクでは、エッジ欠陥部が主として形成され、目的とする設計欠陥部であるショート欠陥部は安定的に形成されなかった。忠実にショート欠陥部が形成された割合は20%であった。
まず、図11(a)に示す基本マスクを作製した。具体的には、石英基板である透明基板21上に、Cr酸化膜であるハードマスク22が形成されたブランクを準備した(図8(a))。次に、ハードマスク22上に電子線レジスト膜23aを形成して、電子線描画および現像を行った(図8(b))。これにより、メインパターンを有するメインパターン領域と、意図的に形成された設計欠陥部を有する設計欠陥パターン領域とに対応するレジストパターン23bを形成した(図8(c))。次に、塩素と酸素の混合ガスでドライエッチングして透明基板21を露出させ、さらに、フッ素ガスでドライエッチングして透明基板21をエッチングした(図8(d))。その後、ウェットエッチングでハードマスク22を除去することにより、基本マスクを得た(図8(e))。得られた基本マスクのメインパターンはL&Sであり、図2(a)におけるW1〜W3は、それぞれ10nmであった。
Claims (3)
- 意図的に形成された設計欠陥部を有する検査前マスクを形成する検査前マスク形成工程と、
メインパターンによる電子ビーム検査機のフォーカス調整およびスティグマ調整の後に、前記設計欠陥部を基準として前記電子ビーム検査機のフォーカスおよびスティグマを調整し、前記検査前マスクの欠陥検査を行う検査工程と、
を有することを特徴とするナノインプリントリソグラフィ用マスクの製造方法。 - 前記検査前マスク形成工程において、前記設計欠陥部の設計データとして、レジストの解像力限界または描画機のビームの広がりを考慮した、凸部、凹部または島状部を有するデータを用いることを特徴とする請求項1に記載のナノインプリントリソグラフィ用マスクの製造方法。
- 前記検査前マスク形成工程が、
基本パターンを有する基本マスクを準備し、前記基本パターンの凸部を、修正装置を用いてエッチングすることで白欠陥部を形成し、当該白欠陥部を有する第一マスクを形成する第一マスク形成工程と、
前記第一マスクを用いたインプリントによる転写によって、前記白欠陥部が転写された黒欠陥部を有する第二マスクを形成する第二マスク形成工程と、を有し、
前記黒欠陥部が前記設計欠陥部であることを特徴とする請求項1に記載のナノインプリントリソグラフィ用マスクの製造方法。
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