JPH0528540A - パターン転写方法 - Google Patents
パターン転写方法Info
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- JPH0528540A JPH0528540A JP33786091A JP33786091A JPH0528540A JP H0528540 A JPH0528540 A JP H0528540A JP 33786091 A JP33786091 A JP 33786091A JP 33786091 A JP33786091 A JP 33786091A JP H0528540 A JPH0528540 A JP H0528540A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 ２Ｐ法により光ディスクを作製したり、ゾル
ゲル転写用のワ−クスタンパを作製する時の微細パタ−
ンの転写工程を簡略化させ、かつ転写性が良好で、転写
物の膜厚分布が低減化されたパタ−ン転写方法を提供す
る。 【構成】 ガラス基板１上に微細パタ−ンを有するＳｉ
Ｏ2層５を形成し、その上に紫外線硬化樹脂３との離型
性をよくするためにＮｉ層、あるいはＳｉＮx等の低表
面エネルギー層、あるいはＳｉＮxＯy等の低応力層２を
設けた構成のものをスタンパとして用い、透光性基板４
との間に紫外線硬化樹脂を充填後、紫外線照射、離型を
する。
ゲル転写用のワ−クスタンパを作製する時の微細パタ−
ンの転写工程を簡略化させ、かつ転写性が良好で、転写
物の膜厚分布が低減化されたパタ−ン転写方法を提供す
る。 【構成】 ガラス基板１上に微細パタ−ンを有するＳｉ
Ｏ2層５を形成し、その上に紫外線硬化樹脂３との離型
性をよくするためにＮｉ層、あるいはＳｉＮx等の低表
面エネルギー層、あるいはＳｉＮxＯy等の低応力層２を
設けた構成のものをスタンパとして用い、透光性基板４
との間に紫外線硬化樹脂を充填後、紫外線照射、離型を
する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は光ディスクにおけるパタ
−ン転写方法に関し、特に微細パタ−ンを転写する方法
に関するものである。
−ン転写方法に関し、特に微細パタ−ンを転写する方法
に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来の光ディスクにおけるパタ−ン転写
方法について説明する。微細なパタ−ンを有するガラス
原盤にＮｉスパッタおよび電鋳処理を施すことにより、
Ｎｉスタンパ（マスタスタンパ）をおこす。このマスタ
スタンパを用いて、２Ｐ成形により光ディスクを作製し
ていた。あるいは先のマスタスタンパを型にして再度電
鋳処理を行い、Ｎｉスタンパ（マザ−スタンパ）を作製
する。このようにして作製したＮｉスタンパ（マザ−ス
タンパ）を用いて２Ｐ成形により樹脂性ワ−クスタンパ
を得る。次にガラス基板上にスピンコ−ト法により金属
アルコレ−ト、ポリエチレングリコ−ル、塩酸を含むア
ルコ−ル溶液（ゾル溶液）を塗布し、ゾルゲル層を形成
する。先程のワ−クスタンパをこのゾルゲル面に押し当
て、微細なパタ−ンを転写する。重ね合わせたまま一次
焼成を行った後、ワ−クスタンパから離型した微細パタ
−ン付きガラス基板を更に二次焼成する。このようなプ
ロセスを経て、光ディスクを作製していた。
方法について説明する。微細なパタ−ンを有するガラス
原盤にＮｉスパッタおよび電鋳処理を施すことにより、
Ｎｉスタンパ（マスタスタンパ）をおこす。このマスタ
スタンパを用いて、２Ｐ成形により光ディスクを作製し
ていた。あるいは先のマスタスタンパを型にして再度電
鋳処理を行い、Ｎｉスタンパ（マザ−スタンパ）を作製
する。このようにして作製したＮｉスタンパ（マザ−ス
タンパ）を用いて２Ｐ成形により樹脂性ワ−クスタンパ
を得る。次にガラス基板上にスピンコ−ト法により金属
アルコレ−ト、ポリエチレングリコ−ル、塩酸を含むア
ルコ−ル溶液（ゾル溶液）を塗布し、ゾルゲル層を形成
する。先程のワ−クスタンパをこのゾルゲル面に押し当
て、微細なパタ−ンを転写する。重ね合わせたまま一次
焼成を行った後、ワ−クスタンパから離型した微細パタ
−ン付きガラス基板を更に二次焼成する。このようなプ
ロセスを経て、光ディスクを作製していた。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】先述したＮｉスタンパ
（マスタ、マザ−スタンパとも）はそれ自身で平坦性、
強度を充分に保てるほど厚くはなく、裏打ち材等を用い
て補強している。しかし、薄いＮｉスタンパを平坦性よ
く裏打ちするのは難しく、裏打ちを行ったＮｉスタンパ
を用いてパタ−ン転写を行った紫外線硬化樹脂層の膜厚
分布は大きい。この紫外線硬化樹脂層の膜厚分布は裏打
ちされたＮｉスタンパの平坦性と密接に関連しており、
裏打ちされたＮｉスタンパの平坦性が充分に確保されて
いる場合には膜厚分布は小さい。膜厚分布が大きくなる
と、光ディスクとしては劣悪な電気特性を示し、ゾルゲ
ル用のワ−クスタンパとしてはゾルゲル層に微細パタ−
ンを転写できない。さらに、Ｎｉスタンパを使用する場
合、先述したように、工程数が多く、特に、微細なパタ
−ンを比較的大面積に亙って何度も転写するので、歩留
まり、コストの面で問題となる。本発明は紫外線硬化樹
脂層の膜厚分布が良好で、かつ方法が簡略であり、ガラ
ス原盤から直接光ディスク、ゾルゲル用ワ−クスタンパ
を作製するパタ−ン転写方法を提供することを目的とす
る。
（マスタ、マザ−スタンパとも）はそれ自身で平坦性、
強度を充分に保てるほど厚くはなく、裏打ち材等を用い
て補強している。しかし、薄いＮｉスタンパを平坦性よ
く裏打ちするのは難しく、裏打ちを行ったＮｉスタンパ
を用いてパタ−ン転写を行った紫外線硬化樹脂層の膜厚
分布は大きい。この紫外線硬化樹脂層の膜厚分布は裏打
ちされたＮｉスタンパの平坦性と密接に関連しており、
裏打ちされたＮｉスタンパの平坦性が充分に確保されて
いる場合には膜厚分布は小さい。膜厚分布が大きくなる
と、光ディスクとしては劣悪な電気特性を示し、ゾルゲ
ル用のワ−クスタンパとしてはゾルゲル層に微細パタ−
ンを転写できない。さらに、Ｎｉスタンパを使用する場
合、先述したように、工程数が多く、特に、微細なパタ
−ンを比較的大面積に亙って何度も転写するので、歩留
まり、コストの面で問題となる。本発明は紫外線硬化樹
脂層の膜厚分布が良好で、かつ方法が簡略であり、ガラ
ス原盤から直接光ディスク、ゾルゲル用ワ−クスタンパ
を作製するパタ−ン転写方法を提供することを目的とす
る。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明は、ガラス基板上
に微細なパタ−ンを有するＳｉＯ2層を形成する工程
と、該ＳｉＯ2層の微細パタ−ン面の全面に分離層を設
ける工程と、透光性基板を前記ＳｉＯ2層に押し当て、
該透光性基板と前記ＳｉＯ2層との間に紫外線硬化樹脂
を充填・押圧する工程と、前記透光性基板を通して紫外
線を照射する工程と、微細なパタ−ンが転写された紫外
線硬化樹脂を設けた前記透光性基板を前記ＳｉＯ2層か
ら離型し、光ディスクを製造する工程とを備えてなるこ
とを特徴とするパタ−ン転写方法、および、ガラス基板
上に微細なパタ−ンを有するＳｉＯ2層を形成する工程
と、該ＳｉＯ2層の微細パタ−ン面の全面に分離層を設
ける工程と、透光性基板を前記ＳｉＯ2層に押し当て、
該透光性基板と前記ＳｉＯ2層との間に紫外線硬化樹脂
を充填・押圧する工程と、前記透光性基板を通して紫外
線を照射する工程と、微細なパタ−ンが転写された紫外
線硬化樹脂を設けた前記透光性基板を前記ＳｉＯ2層か
ら離型してワ−クスタンパとする工程と、該ワ−クスタ
ンパを用いて光ディスクを製造する工程とを備えてなる
ことを特徴とするパタ−ン転写方法である。本発明にお
いて、分離層は、Ｎｉ、Ｃｒ、ＴａまたはＴｉで形成さ
れているか、あるいはＳｉＮx、ＡｌＮxまたはＴｉＮx
で形成されているか、あるいはＳｉＮxＯy、ＡｌＮxＯy
またはＴｉＮxＯyで形成されていることが望ましい。
に微細なパタ−ンを有するＳｉＯ2層を形成する工程
と、該ＳｉＯ2層の微細パタ−ン面の全面に分離層を設
ける工程と、透光性基板を前記ＳｉＯ2層に押し当て、
該透光性基板と前記ＳｉＯ2層との間に紫外線硬化樹脂
を充填・押圧する工程と、前記透光性基板を通して紫外
線を照射する工程と、微細なパタ−ンが転写された紫外
線硬化樹脂を設けた前記透光性基板を前記ＳｉＯ2層か
ら離型し、光ディスクを製造する工程とを備えてなるこ
とを特徴とするパタ−ン転写方法、および、ガラス基板
上に微細なパタ−ンを有するＳｉＯ2層を形成する工程
と、該ＳｉＯ2層の微細パタ−ン面の全面に分離層を設
ける工程と、透光性基板を前記ＳｉＯ2層に押し当て、
該透光性基板と前記ＳｉＯ2層との間に紫外線硬化樹脂
を充填・押圧する工程と、前記透光性基板を通して紫外
線を照射する工程と、微細なパタ−ンが転写された紫外
線硬化樹脂を設けた前記透光性基板を前記ＳｉＯ2層か
ら離型してワ−クスタンパとする工程と、該ワ−クスタ
ンパを用いて光ディスクを製造する工程とを備えてなる
ことを特徴とするパタ−ン転写方法である。本発明にお
いて、分離層は、Ｎｉ、Ｃｒ、ＴａまたはＴｉで形成さ
れているか、あるいはＳｉＮx、ＡｌＮxまたはＴｉＮx
で形成されているか、あるいはＳｉＮxＯy、ＡｌＮxＯy
またはＴｉＮxＯyで形成されていることが望ましい。
【０００５】
【作用】このような手段を用いた本発明では、ガラス基
板上にＳｉＯ2で形成した微細パタ−ンを直接紫外線硬
化樹脂に転写する。ＳｉＯ2の表面には紫外線硬化樹脂
との離型性の良い分離層が設けられているので、紫外線
硬化樹脂は容易に離型する。また、スタンパとして平坦
性のよいガラス原盤それ自身を使用するので、これを用
いてパタ−ン転写を行った紫外線硬化樹脂層の膜厚分布
は均一であり、良好なディスク、ワ−クスタンパが作製
できる。また、従来のような煩雑なプロセスを経ること
がなく、工程数がより少ないため、コスト、歩留まり等
の面で本発明はより有利である。分離層としては、Ｎ
ｉ、Ｃｒ、Ｔａ、Ｔｉ等の表面平坦性に優れた材料が挙
げられる。また、ＳｉＮx、ＡｌＮx、ＴｉＮx等の表面
エネルギーの小さい分離層や、ＳｉＮxＯy、ＡｌＮ
xＯy、ＴｉＮxＯy等の低応力の分離層を設けても所期の
目的を達成できる。
板上にＳｉＯ2で形成した微細パタ−ンを直接紫外線硬
化樹脂に転写する。ＳｉＯ2の表面には紫外線硬化樹脂
との離型性の良い分離層が設けられているので、紫外線
硬化樹脂は容易に離型する。また、スタンパとして平坦
性のよいガラス原盤それ自身を使用するので、これを用
いてパタ−ン転写を行った紫外線硬化樹脂層の膜厚分布
は均一であり、良好なディスク、ワ−クスタンパが作製
できる。また、従来のような煩雑なプロセスを経ること
がなく、工程数がより少ないため、コスト、歩留まり等
の面で本発明はより有利である。分離層としては、Ｎ
ｉ、Ｃｒ、Ｔａ、Ｔｉ等の表面平坦性に優れた材料が挙
げられる。また、ＳｉＮx、ＡｌＮx、ＴｉＮx等の表面
エネルギーの小さい分離層や、ＳｉＮxＯy、ＡｌＮ
xＯy、ＴｉＮxＯy等の低応力の分離層を設けても所期の
目的を達成できる。
【０００６】
【実施例】次に本発明の実施例について説明する。
実施例１
図１は本発明の一実施例を工程順に示したものである。
まず、図１（ａ）に示すように、平坦なガラス基板１の
上に蒸着法、スパッタ法等によりＳｉＯ2層５を１００
０〜３０００オングストロ―ム形成する。ＳｉＯ2層５
の上にフォトレジストをスピンコ−ト法により１０００
〜３０００オングストロ―ム形成する。次にマスタライ
タ−によりレ−ザビ−ム露光を行い、現像する。このよ
うにして微細な凹凸パタ−ンを有するレジスト層ができ
る。次にこのレジストをマスクとしてＣＦ4ガスを用い
た反応性イオンエッチング法（ＲＩＥ）によりＳｉＯ2
層をエッチングし、微細な凹凸パタ−ンをＳｉＯ2層に
形成する。このようにして図１（ａ）に示すような微細
パタ−ンを有するガラス原盤を得ることができる。この
ガラス原盤上にスパッタ法等により、Ｎｉを２００〜３
００オングストロ―ム形成して分離層２とする。このＮ
ｉ膜付きガラス原盤と、透光性基板４に紫外線硬化樹脂
３を塗布し、紫外線硬化樹脂３が透光性基板４とＮｉ膜
付きガラス原盤との間に充分展開するように透光性基板
４をＮｉ膜付きガラス原盤に押し当てる。その後、透光
性基板４側から紫外線照射を行い、紫外線硬化樹脂３を
硬化させる。硬化した紫外線硬化樹脂３付き透光性基板
４をガラス原盤から離型することにより、透光性基板４
上に微細な凹凸パタ−ンを有する紫外線硬化樹脂３が形
成された光ディスクを作製した。
まず、図１（ａ）に示すように、平坦なガラス基板１の
上に蒸着法、スパッタ法等によりＳｉＯ2層５を１００
０〜３０００オングストロ―ム形成する。ＳｉＯ2層５
の上にフォトレジストをスピンコ−ト法により１０００
〜３０００オングストロ―ム形成する。次にマスタライ
タ−によりレ−ザビ−ム露光を行い、現像する。このよ
うにして微細な凹凸パタ−ンを有するレジスト層ができ
る。次にこのレジストをマスクとしてＣＦ4ガスを用い
た反応性イオンエッチング法（ＲＩＥ）によりＳｉＯ2
層をエッチングし、微細な凹凸パタ−ンをＳｉＯ2層に
形成する。このようにして図１（ａ）に示すような微細
パタ−ンを有するガラス原盤を得ることができる。この
ガラス原盤上にスパッタ法等により、Ｎｉを２００〜３
００オングストロ―ム形成して分離層２とする。このＮ
ｉ膜付きガラス原盤と、透光性基板４に紫外線硬化樹脂
３を塗布し、紫外線硬化樹脂３が透光性基板４とＮｉ膜
付きガラス原盤との間に充分展開するように透光性基板
４をＮｉ膜付きガラス原盤に押し当てる。その後、透光
性基板４側から紫外線照射を行い、紫外線硬化樹脂３を
硬化させる。硬化した紫外線硬化樹脂３付き透光性基板
４をガラス原盤から離型することにより、透光性基板４
上に微細な凹凸パタ−ンを有する紫外線硬化樹脂３が形
成された光ディスクを作製した。
【０００７】ここでＮｉよりなる分離層２は、硬化した
紫外線硬化樹脂３がＳｉＯ2層５上に残らないようにし
た層である。表１に接触角測定法により求めた臨界表面
張力値を示す。臨界表面張力値は付着性を反映し、基板
上の臨界表面張力値が大きくなると付着力は大きくな
る。測定試料は (1)ガラス基板上蒸着ＳｉＯ2を１６０
０オングストロ―ム形成したもの、(2) (1)から作製し
た所望の微細パタ−ンを有するガラス原盤、(3) (2)の
上にスパッタ法によりＮｉ膜を形成した基板である。こ
の結果から、(1)の臨界表面張力値が一番小さく、付着
力が小さいと想定され、(2)の臨界表面張力値が一番大
きく、付着力が大きいと想定される。(3)に示すように
Ｎｉ膜を形成すると、(1)の臨界表面張力値に近くな
り、付着力も小さくなると想定される。実際に、(1)か
ら図１（ｂ）に示す透光性基板４と紫外線硬化樹脂３を
離型できたが、(2)からは離型できず、(3)のようにＮｉ
膜を形成することにより、良好に離型できた。本発明の
実施例においては、分離層としてＮｉ膜を使用したが、
ガラス原盤と紫外線硬化樹脂との付着力を低下できる膜
であれば他の膜、例えばＣｒ、Ｔａ、Ｔｉ膜等でも使用
できる。
紫外線硬化樹脂３がＳｉＯ2層５上に残らないようにし
た層である。表１に接触角測定法により求めた臨界表面
張力値を示す。臨界表面張力値は付着性を反映し、基板
上の臨界表面張力値が大きくなると付着力は大きくな
る。測定試料は (1)ガラス基板上蒸着ＳｉＯ2を１６０
０オングストロ―ム形成したもの、(2) (1)から作製し
た所望の微細パタ−ンを有するガラス原盤、(3) (2)の
上にスパッタ法によりＮｉ膜を形成した基板である。こ
の結果から、(1)の臨界表面張力値が一番小さく、付着
力が小さいと想定され、(2)の臨界表面張力値が一番大
きく、付着力が大きいと想定される。(3)に示すように
Ｎｉ膜を形成すると、(1)の臨界表面張力値に近くな
り、付着力も小さくなると想定される。実際に、(1)か
ら図１（ｂ）に示す透光性基板４と紫外線硬化樹脂３を
離型できたが、(2)からは離型できず、(3)のようにＮｉ
膜を形成することにより、良好に離型できた。本発明の
実施例においては、分離層としてＮｉ膜を使用したが、
ガラス原盤と紫外線硬化樹脂との付着力を低下できる膜
であれば他の膜、例えばＣｒ、Ｔａ、Ｔｉ膜等でも使用
できる。
【０００８】
【表１】
臨界表面張力測定結果
──────────────────────────────
試料 臨界表面張力値（dyn/cm）
──────────────────────────────
(1)平板 42
（蒸着ＳｉＯ2付きガラス基板）
(2)ガラス原盤 46
(3)Ｎｉ膜付きガラス原盤 43
──────────────────────────────
【０００９】実施例２
実施例２は本発明をゾルゲル法に使用するワ−クスタン
パに適用した場合である。図１に示したようにして作製
された紫外線硬化樹脂付きの透光性基板をワ−クスタン
パとして、ゾルゲル法を用いた光ディスクの作製方法を
次に示す。ガラス基板上にテトラエトキシシラン、ポリ
エチレングリコ−ル、塩酸を含むエチルアルコ−ル溶液
をスピンコ−ト法により塗布し、ゾルゲル層を２０００
〜３０００オングストロ―ム形成した。次に実施例１で
得られた紫外線硬化樹脂付きの透光性基板をワ−クスタ
ンパとして、それを減圧下でゾルゲル層付きガラス基板
と重ね合わせて押圧する。そのままの状態で１００℃、
１０分の一次焼成を行う。その後、ガラス基板をワ−ク
スタンパより離型し、３５０℃、１０分の二次焼成を行
い、所望の微細パタ−ンを有するガラス基板を得た。従
来の裏打ちを行ったマザ−タイプのＮｉスタンパを用い
て作製したワ−クスタンパを使用した場合には、ワ−ク
スタンパを構成している紫外線硬化樹脂層の膜厚分布に
大きい箇所があり（Ｎｉスタンパの平坦性の悪いことに
起因する。）、ガラス基板全面に微細なパタ−ンを有す
るゾルゲル層を得ることができなかった。本発明を採用
したワ−クスタンパにおいてはこのようなことはなく、
ガラス基板全面に微細なパタ−ンを有するゾルゲル層を
得ることができた。
パに適用した場合である。図１に示したようにして作製
された紫外線硬化樹脂付きの透光性基板をワ−クスタン
パとして、ゾルゲル法を用いた光ディスクの作製方法を
次に示す。ガラス基板上にテトラエトキシシラン、ポリ
エチレングリコ−ル、塩酸を含むエチルアルコ−ル溶液
をスピンコ−ト法により塗布し、ゾルゲル層を２０００
〜３０００オングストロ―ム形成した。次に実施例１で
得られた紫外線硬化樹脂付きの透光性基板をワ−クスタ
ンパとして、それを減圧下でゾルゲル層付きガラス基板
と重ね合わせて押圧する。そのままの状態で１００℃、
１０分の一次焼成を行う。その後、ガラス基板をワ−ク
スタンパより離型し、３５０℃、１０分の二次焼成を行
い、所望の微細パタ−ンを有するガラス基板を得た。従
来の裏打ちを行ったマザ−タイプのＮｉスタンパを用い
て作製したワ−クスタンパを使用した場合には、ワ−ク
スタンパを構成している紫外線硬化樹脂層の膜厚分布に
大きい箇所があり（Ｎｉスタンパの平坦性の悪いことに
起因する。）、ガラス基板全面に微細なパタ−ンを有す
るゾルゲル層を得ることができなかった。本発明を採用
したワ−クスタンパにおいてはこのようなことはなく、
ガラス基板全面に微細なパタ−ンを有するゾルゲル層を
得ることができた。
【００１０】実施例３
実施例３は分離層として表面エネルギーの小さい層、例
えばＳｉＮxを採用した例である。ガラス原盤（ダイレ
クトカットガラス）作製法は実施例１と同様である。作
製したガラス原盤上に図１の分離層２としてＳｉＮxを
既知の薄膜形成法、たとえばスパッタ法などにより２０
０〜３００オングストローム形成する。このＳｉＮx膜
付きガラス原盤および透光性基板面４に図１（ｂ）に示
すように紫外線硬化樹脂３を塗布し、紫外線硬化樹脂３
が透光性基板４と低表面エネルギー膜付きガラス原盤と
の間に充分展開するように透光性基板４を低表面エネル
ギー膜付きガラス原盤に押し当てる。その後透光性基板
４側からあるいはガラス基板１側から紫外線照射を行
い、紫外線硬化樹脂３を硬化させる。硬化した紫外線硬
化樹脂３付き透光性基板４をガラス原盤から離型するこ
とにより、透光性基板４上に微細な凹凸パターンを有す
る紫外線硬化樹脂３が形成された光ディスクを作製し
た。
えばＳｉＮxを採用した例である。ガラス原盤（ダイレ
クトカットガラス）作製法は実施例１と同様である。作
製したガラス原盤上に図１の分離層２としてＳｉＮxを
既知の薄膜形成法、たとえばスパッタ法などにより２０
０〜３００オングストローム形成する。このＳｉＮx膜
付きガラス原盤および透光性基板面４に図１（ｂ）に示
すように紫外線硬化樹脂３を塗布し、紫外線硬化樹脂３
が透光性基板４と低表面エネルギー膜付きガラス原盤と
の間に充分展開するように透光性基板４を低表面エネル
ギー膜付きガラス原盤に押し当てる。その後透光性基板
４側からあるいはガラス基板１側から紫外線照射を行
い、紫外線硬化樹脂３を硬化させる。硬化した紫外線硬
化樹脂３付き透光性基板４をガラス原盤から離型するこ
とにより、透光性基板４上に微細な凹凸パターンを有す
る紫外線硬化樹脂３が形成された光ディスクを作製し
た。
【００１１】ここで分離層２である低表面エネルギー膜
は、硬化した紫外線硬化樹脂３がＳｉＯ2層５上に残ら
ないようにした層である。図２に接触角測定法により求
めた表面張力特性を示す。ｃｏｓθ＝１となる表面張力
値（臨界表面張力値）は基板の付着性を反映することが
知られている。基板上の臨界表面張力値が大きくなると
付着力は大きくなる。測定試料は (1)ガラス基板上に蒸
着ＳｉＯ2１６００オングストロームを形成したもの
（平板）（図面では○印で示した。）、(2) (1)から作
製した所望の微細パターを有するガラス原盤（図面では
△印で示した。）、および (3) (2)の上にスパッタ法に
よりＳｉＮx膜を形成した基板（図面では▲で示し
た。）である。この結果から、(2)のＲＩＥ後のダイレ
クトカットガラス基板の臨界表面張力値は平板に比較し
て大きく、付着力が大きいと想定される。(3)に示すよ
うにＳｉＮx膜を形成すると臨界表面張力値は低くな
り、各標準液も基板表面を自由に広がり、表面状態も良
好であることがわかる。実際に(1)から図１（ｂ）に示
す透光性基板４と紫外線硬化樹脂３を離型できたが、
(2)からは離型できず、(3)のようにＳｉＮx膜を形成す
ることにより、良好に離型できた。本発明の実施例にお
いてはＳｉＮx膜を使用したが、表面エネルギーの小さ
い膜であれば他の窒化膜、例えばＡｌＮx、ＴｉＮx等で
も使用できる。
は、硬化した紫外線硬化樹脂３がＳｉＯ2層５上に残ら
ないようにした層である。図２に接触角測定法により求
めた表面張力特性を示す。ｃｏｓθ＝１となる表面張力
値（臨界表面張力値）は基板の付着性を反映することが
知られている。基板上の臨界表面張力値が大きくなると
付着力は大きくなる。測定試料は (1)ガラス基板上に蒸
着ＳｉＯ2１６００オングストロームを形成したもの
（平板）（図面では○印で示した。）、(2) (1)から作
製した所望の微細パターを有するガラス原盤（図面では
△印で示した。）、および (3) (2)の上にスパッタ法に
よりＳｉＮx膜を形成した基板（図面では▲で示し
た。）である。この結果から、(2)のＲＩＥ後のダイレ
クトカットガラス基板の臨界表面張力値は平板に比較し
て大きく、付着力が大きいと想定される。(3)に示すよ
うにＳｉＮx膜を形成すると臨界表面張力値は低くな
り、各標準液も基板表面を自由に広がり、表面状態も良
好であることがわかる。実際に(1)から図１（ｂ）に示
す透光性基板４と紫外線硬化樹脂３を離型できたが、
(2)からは離型できず、(3)のようにＳｉＮx膜を形成す
ることにより、良好に離型できた。本発明の実施例にお
いてはＳｉＮx膜を使用したが、表面エネルギーの小さ
い膜であれば他の窒化膜、例えばＡｌＮx、ＴｉＮx等で
も使用できる。
【００１２】実施例４
実施例４は分離層として低応力層たとえばＳｉＮxＯyを
採用した場合である。ガラス原盤（ダイレクトカットガ
ラス）作製法は実施例１と同様である。作製したガラス
原盤上に図１の分離層２としてＳｉＮxＯyを既知の薄膜
形成法、たとえばスパッタ法などにより２００〜３００
オングストローム形成する。このＳｉＮxＯy膜付きガラ
ス原盤および透光性基板面４に図１（ｂ）に示すように
紫外線硬化樹脂３を塗布し、紫外線硬化樹脂３が透光性
基板４と低応力膜付きガラス原盤との間に充分展開する
ように透光性基板４を低応力膜付きガラス原盤に押し当
てる。その後透光性基板４側からあるいはガラス基板１
側から紫外線照射を行い、紫外線硬化樹脂３を硬化させ
る。硬化した紫外線硬化樹脂３付き透光性基板４をガラ
ス原盤から離型することにより、透光性基板４上に微細
な凹凸パターンを有する紫外線硬化樹脂３が形成された
光ディスクを作製した。このように低応力層の採用によ
り、離型性が良好となるとともに光ディスク基板の作製
回数を向上させることができた。本発明の実施例におい
てはＳｉＮxＯy膜を使用したが、低応力の膜であれば他
の膜、例えばＡｌＮxＯy、ＴｉＮxＯy等でも使用でき
る。
採用した場合である。ガラス原盤（ダイレクトカットガ
ラス）作製法は実施例１と同様である。作製したガラス
原盤上に図１の分離層２としてＳｉＮxＯyを既知の薄膜
形成法、たとえばスパッタ法などにより２００〜３００
オングストローム形成する。このＳｉＮxＯy膜付きガラ
ス原盤および透光性基板面４に図１（ｂ）に示すように
紫外線硬化樹脂３を塗布し、紫外線硬化樹脂３が透光性
基板４と低応力膜付きガラス原盤との間に充分展開する
ように透光性基板４を低応力膜付きガラス原盤に押し当
てる。その後透光性基板４側からあるいはガラス基板１
側から紫外線照射を行い、紫外線硬化樹脂３を硬化させ
る。硬化した紫外線硬化樹脂３付き透光性基板４をガラ
ス原盤から離型することにより、透光性基板４上に微細
な凹凸パターンを有する紫外線硬化樹脂３が形成された
光ディスクを作製した。このように低応力層の採用によ
り、離型性が良好となるとともに光ディスク基板の作製
回数を向上させることができた。本発明の実施例におい
てはＳｉＮxＯy膜を使用したが、低応力の膜であれば他
の膜、例えばＡｌＮxＯy、ＴｉＮxＯy等でも使用でき
る。
【００１３】
【発明の効果】以上述べてきたように、本発明によるパ
タ−ンの転写方法は従来の方法に比べ、良好な微細パタ
−ンを有する光ディスク、ワ−クスタンパが作製でき
る。さらに本発明によるパタ−ン転写方法は従来の方法
に比べ短い工程で済み、歩留まり、あるいはコストの面
で有利であり、その工業上の意義は大きい。
タ−ンの転写方法は従来の方法に比べ、良好な微細パタ
−ンを有する光ディスク、ワ−クスタンパが作製でき
る。さらに本発明によるパタ−ン転写方法は従来の方法
に比べ短い工程で済み、歩留まり、あるいはコストの面
で有利であり、その工業上の意義は大きい。
【図１】本発明によるパタ−ン転写方法の一例を工程順
に示した工程断面図である。
に示した工程断面図である。
【図２】表面張力特性の測定結果を示す図である。
１ ガラス基板 ２ 分離層
３ 紫外線硬化樹脂 ４ 透光性基板
５ ＳｉＯ2層
Claims (5)
- 【請求項１】 ガラス基板上に微細なパタ−ンを有する
ＳｉＯ2層を形成する工程と、該ＳｉＯ2層の微細パタ−
ン面の全面に分離層を設ける工程と、透光性基板を前記
ＳｉＯ2層に押し当て、該透光性基板と前記ＳｉＯ2層と
の間に紫外線硬化樹脂を充填・押圧する工程と、前記透
光性基板を通して紫外線を照射する工程と、微細なパタ
−ンが転写された紫外線硬化樹脂を設けた前記透光性基
板を前記ＳｉＯ2層から離型し、光ディスクを製造する
工程とを備えてなることを特徴とするパタ−ン転写方
法。 - 【請求項２】 ガラス基板上に微細なパタ−ンを有する
ＳｉＯ2層を形成する工程と、該ＳｉＯ2層の微細パタ−
ン面の全面に分離層を設ける工程と、透光性基板を前記
ＳｉＯ2層に押し当て、該透光性基板と前記ＳｉＯ2層と
の間に紫外線硬化樹脂を充填・押圧する工程と、前記透
光性基板を通して紫外線を照射する工程と、微細なパタ
−ンが転写された紫外線硬化樹脂を設けた前記透光性基
板を前記ＳｉＯ2層から離型してワ−クスタンパとする
工程と、該ワ−クスタンパを用いて光ディスクを製造す
る工程とを備えてなることを特徴とするパタ−ン転写方
法。 - 【請求項３】 分離層がＮｉ、Ｃｒ、ＴａまたはＴｉで
形成されている請求項１または２に記載のパターン転写
方法。 - 【請求項４】 分離層がＳｉＮx、ＡｌＮxまたはＴｉＮ
xで形成されている請求項１または２に記載のパターン
転写方法。 - 【請求項５】 分離層がＳｉＮxＯy、ＡｌＮxＯyまたは
ＴｉＮxＯyで形成されている請求項１または２に記載の
パターン転写方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3-29030 | 1991-01-31 | ||
| JP2903091 | 1991-01-31 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0528540A true JPH0528540A (ja) | 1993-02-05 |
| JP2513386B2 JP2513386B2 (ja) | 1996-07-03 |
Family
ID=12265013
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP33786091A Expired - Lifetime JP2513386B2 (ja) | 1991-01-31 | 1991-11-28 | パタ―ン転写方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2513386B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004287396A (ja) * | 2003-03-03 | 2004-10-14 | Hitachi Chem Co Ltd | 光導波路フィルム |
| US7955786B2 (en) * | 2007-04-23 | 2011-06-07 | Canon Kabushiki Kaisha | Production of a multilayer optical recording medium using a stamper |
-
1991
- 1991-11-28 JP JP33786091A patent/JP2513386B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004287396A (ja) * | 2003-03-03 | 2004-10-14 | Hitachi Chem Co Ltd | 光導波路フィルム |
| US7955786B2 (en) * | 2007-04-23 | 2011-06-07 | Canon Kabushiki Kaisha | Production of a multilayer optical recording medium using a stamper |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2513386B2 (ja) | 1996-07-03 |
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