JP4036820B2 - サブ波長構造体の製造 - Google Patents
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Description
a)導波路構造体(16)をもち、用いられるフォトレジスト(12、24)より屈折率が大きい材料からなる親水性スタンプ(10)を形作るステップ;
b)前記スタンプ(10)と前記基板(14)を接触させることにより、前記の変形しうるフォトレジスト(12、24)に前記導波路構造体(16)を押印するステップ;
c)導波路構造体(16)に光を受容することにより、エバネッセント波を生成させて前記フォトレジスト(12、24)を露光させるステップ;および
d)前記フォトレジスト(12、24)を現像するステップ;
により特徴づけられる、前記基板(14)上にサブ波長構造体(22、26)を製造する方法。
(2)ポジ型フォトレジストが用いられる上記(1)に記載の方法。
(3)ネガ型フォトレジストが用いられる上記(1)に記載の方法。
(4)前記導波路構造体が、直接マスク製造法を用いることにより、あるいはプリカーサからレプリカ法を用いることにより形作られる上記(1)ないし(3)のいずれか一項に記載の方法。
(5)前記スタンプ(10)がポリ(ジメチル)シロキサンからなる上記(1)ないし(4)のいずれか一項に記載の方法。
(6)前記の光の受容が格子状またはプリズム状構造体により、あるいは光ファイバ・コネクタによりなされる上記(1)ないし(5)のいずれか一項に記載の方法。
(7)前記スタンプ(10)の水平表面の全体が金属層(18)により被覆されている上記(1)ないし(6)のいずれか一項に記載の方法。
(8)前記金属がクロムである上記(7)に記載の方法。
(9)前記スタンプ(10)もしくは前記フォトレジストもしくはその両方の材料、または前記フォトレジスト(12、24)を露光させるために用いる光の波長あるいはその両方を変えることにより、前記サブ波長構造体(22、26)の寸法を任意に変更しうる上記(1)ないし(8)のいずれか一項に記載の方法。
(10)前記サブ波長構造体(22、26)の限界寸法が前記エバネッセント波の浸透深さに依存する上記(1)ないし(9)のいずれか一項に記載の方法。
12 ポジ型フォトレジスト材料
14 基板
16 導波路構造体
18 スタンプ被覆金属層
20 露光部分
22 レジスト・ライン
24 ネガ型フォトレジスト材料
26 ライン
28 導波路16の間に形成され隣り合うライン
30 限界寸法
Claims (7)
- 変形しうるフォトレジスト(12、24)が基板(14)の上部に配置されており、
a)導波路構造体(16)をもち、用いられるフォトレジスト(12、24)より屈折率が大きい材料からなり、かつ水平表面の全体のみが金属層(18)により被覆されている親水性スタンプ(10)を形作るステップ;
b)前記スタンプ(10)と前記基板(14)を接触させることにより、前記の変形しうるフォトレジスト(12、24)に前記導波路構造体(16)を押印するステップ;
c)導波路構造体(16)に光を受容することにより、エバネッセント波を生成させて前記フォトレジスト(12、24)を露光させるステップ;および
d)前記フォトレジスト(12、24)を現像するステップ;
により特徴づけられる、前記基板(14)上にサブ波長構造体(22、26)を製造する方法。 - ポジ型フォトレジストが用いられる請求項1に記載の方法。
- ネガ型フォトレジストが用いられる請求項1に記載の方法。
- 前記導波路構造体が、直接マスク製造法を用いることにより、あるいはプリカーサからレプリカ法を用いることにより形作られる請求項1ないし3のいずれか一項に記載の方法。
- 前記スタンプ(10)がポリ(ジメチル)シロキサンからなる請求項1ないし4のいずれか一項に記載の方法。
- 前記の光の受容が格子状またはプリズム状構造体により、あるいは光ファイバ・コネクタによりなされる請求項1ないし5のいずれか一項に記載の方法。
- 前記サブ波長構造体(22、26)の限界寸法が前記エバネッセント波の浸透深さに依存する請求項1ないし6のいずれか一項に記載の方法。
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