JP2011245816A5 - - Google Patents
Download PDFInfo
- Publication number
- JP2011245816A5 JP2011245816A5 JP2010123771A JP2010123771A JP2011245816A5 JP 2011245816 A5 JP2011245816 A5 JP 2011245816A5 JP 2010123771 A JP2010123771 A JP 2010123771A JP 2010123771 A JP2010123771 A JP 2010123771A JP 2011245816 A5 JP2011245816 A5 JP 2011245816A5
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- mask blank
- substrate
- manufacturing
- etching
- main surface
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Description
具体的には、例えば、研削による凹部加工で、第2の主表面の平坦度悪化に影響を与えるだけの残留応力が残るような、第1の主表面側の凹部底面から第2の主表面までの間における基板内部の領域を、凹部底面から基板内部に向かう方向の厚さ(深さ)の所定量で予め求めておく。次に、研削工程で行う第1の主表面に対する凹部形成の掘り込みを、所定深さから予め求めていた所定量を少なくとも差し引いた深さで行う。その後、エッチング工程で、凹部底面から予め求めていた所定量の深さをエッチングで除去し、残留応力が残っている基板内部の領域を除去する。これによって、基板内部の残留応力を確実に排除し、第2の主表面の平坦度を維持することができ、かつ所定深さの凹部を形成することができる。
ここで、第1の発明の特徴において、エッチング工程は、ドライエッチング、ウェットエッチング、ガス・クラスター・イオン・ビームによるエッチングおよびプラズマエッチングのうちの少なくともいずれかのエッチングにより、前記第2の主表面の方向に所定量のエッチングを行うことが好ましい。あるいは、エッチング工程は、ウェットエッチングにより、前記第2の主表面の方向に所定量のエッチングを行うか、若しくは、前記凹部のパターンが形成された薄膜をマスクとしたドライエッチングにより、前記第2の主表面の方向に所定量のエッチングを行うことが望ましい。
ここで、第1の発明の特徴において、エッチング工程は、ドライエッチング、ウェットエッチング、ガス・クラスター・イオン・ビームによるエッチングおよびプラズマエッチングのうちの少なくともいずれかのエッチングにより、前記第2の主表面の方向に所定量のエッチングを行うことが好ましい。あるいは、エッチング工程は、ウェットエッチングにより、前記第2の主表面の方向に所定量のエッチングを行うか、若しくは、前記凹部のパターンが形成された薄膜をマスクとしたドライエッチングにより、前記第2の主表面の方向に所定量のエッチングを行うことが望ましい。
また、凹部は、第2の主表面のモールドパターンが形成される領域を含む大きさの領域に形成されていることが望ましい。これにより、モールドパターンの総ての部分を変形させることができる。また、光硬化樹脂に対してパターン転写を行う場合、凹部と第1の主表面との境界部分がモールドパターン形成領域に掛からないため、第2の主表面のモールドパターン形成領域の全体に光が入射して、光硬化樹脂の全体を硬化させることができる。
さらに、第1の発明の特徴において、基板を準備する工程は、第1の主表面および第2の主表面がともに、基板の中心を基準とした132mm角内の領域での平坦度が0.3μm以下であり、かつ二乗平均平方根粗さRqで0.25nm以下である基板を準備することが好ましい。この場合、基板は、石英ガラスまたはSiO 2 −TiO 2 系低熱膨張ガラスからなることを特徴とする請求項1から9のいずれか一項に記載のマスクブランク用基板の製造方法。
さらに、第1の発明の特徴において、基板を準備する工程は、第1の主表面および第2の主表面がともに、基板の中心を基準とした132mm角内の領域での平坦度が0.3μm以下であり、かつ二乗平均平方根粗さRqで0.25nm以下である基板を準備することが好ましい。この場合、基板は、石英ガラスまたはSiO 2 −TiO 2 系低熱膨張ガラスからなることを特徴とする請求項1から9のいずれか一項に記載のマスクブランク用基板の製造方法。
本発明の第2の特徴は、第1の特徴に係わるマスクブランク用基板の製造方法によって製造されたマスクブランク用基板の第2の主表面に、パターン形成用の薄膜を形成する成膜工程を備えるインプリントモールド用マスクブランクの製造方法であることを要旨とする。ここで、前記パターン形成用の薄膜は、クロムを含有する材料で形成されていることが好ましい。あるいは、前記パターン形成用の薄膜は、クロム単体、クロム窒化物、クロム炭化物、クロム炭化窒化物およびクロム酸化炭化窒化物のうちのいずれかの材料で形成されていることが望ましい。
Claims (14)
- インプリントモールドを作製するためのマスクブランクに用いられるマスクブランク用基板の製造方法であって、
対向する第1の主表面及び第2の主表面を備える基板を準備する工程と、
前記基板の第1の主表面における所定の領域を前記第2の主表面の方向に研削して、凹部を形成する研削工程と、
前記凹部の底面に対し、前記第2の主表面の方向に所定量のエッチングをさらに行い、所定深さの凹部を形成するエッチング工程と、
を備えることを特徴とするマスクブランク用基板の製造方法。 - 前記エッチング工程は、ドライエッチング、ウェットエッチング、ガス・クラスター・イオン・ビームによるエッチングおよびプラズマエッチングのうちの少なくともいずれかのエッチングにより、前記第2の主表面の方向に所定量のエッチングを行うことを特徴とする請求項1に記載のマスクブランク用基板の製造方法。
- 前記エッチング工程は、ウェットエッチングにより、前記第2の主表面の方向に所定量のエッチングを行うことを特徴とする請求項1に記載のマスクブランク用基板の製造方法。
- 前記エッチング工程は、前記凹部のパターンが形成された薄膜をマスクとしたドライエッチングにより、前記第2の主表面の方向に所定量のエッチングを行うことを特徴とする請求項1に記載のマスクブランク用基板の製造方法。
- 前記所定量は、1μm以上1mm以下であることを特徴とする請求項1から4のいずれか一項に記載のマスクブランク用基板の製造方法。
- 前記所定深さは、前記凹部の底面と前記第2の主表面との間の距離が0.5mm以上2.0mm以下となる深さであることを特徴とする請求項1から5のいずれか一項に記載のマスクブランク用基板の製造方法。
- 前記エッチング工程の後に、前記凹部の底面の表面粗さを算術平均粗さRaで0.3nm以下にまで平坦化する平坦化工程を更に備えることを特徴とする請求項1から6のいずれか一項に記載のマスクブランク用基板の製造方法。
- 前記凹部は、前記第2の主表面のモールドパターンが形成される領域を含む大きさの領域に形成されていることを特徴とする請求項1から7のいずれか一項に記載のマスクブランク用基板の製造方法。
- 前記基板を準備する工程は、第1の主表面および第2の主表面がともに、基板の中心を基準とした132mm角内の領域での平坦度が0.3μm以下であり、かつ二乗平均平方根粗さRqで0.25nm以下である基板を準備することを特徴とする請求項1から8のいずれか一項に記載のマスクブランク用基板の製造方法。
- 前記基板は、石英ガラスまたはSiO 2 −TiO 2 系低熱膨張ガラスからなることを特徴とする請求項1から9のいずれか一項に記載のマスクブランク用基板の製造方法。
- 請求項1から10のいずれか一項に記載のマスクブランク用基板の製造方法によって製造されたマスクブランク用基板の第2の主表面に、パターン形成用の薄膜を形成する成膜工程を備えることを特徴とするインプリントモールド用マスクブランクの製造方法。
- 前記パターン形成用の薄膜は、クロムを含有する材料で形成されていることを特徴とする請求項11に記載のインプリントモールド用マスクブランクの製造方法。
- 前記パターン形成用の薄膜は、クロム単体、クロム窒化物、クロム炭化物、クロム炭化窒化物およびクロム酸化炭化窒化物のうちのいずれかの材料で形成されていることを特徴とする請求項11に記載のインプリントモールド用マスクブランクの製造方法。
- 請求項11から13のいずれか一項に記載のインプリントモールド用マスクブランクの製造方法によって製造されたインプリントモールド用マスクブランクにおける前記薄膜及びマスクブランク用基板をエッチング加工するエッチング工程を備えることを特徴とするインプリントモールドの製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010123771A JP5587672B2 (ja) | 2010-05-31 | 2010-05-31 | マスクブランク用基板の製造方法、インプリントモールド用マスクブランクの製造方法、及びインプリントモールドの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010123771A JP5587672B2 (ja) | 2010-05-31 | 2010-05-31 | マスクブランク用基板の製造方法、インプリントモールド用マスクブランクの製造方法、及びインプリントモールドの製造方法 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2011245816A JP2011245816A (ja) | 2011-12-08 |
JP2011245816A5 true JP2011245816A5 (ja) | 2013-05-30 |
JP5587672B2 JP5587672B2 (ja) | 2014-09-10 |
Family
ID=45411673
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2010123771A Active JP5587672B2 (ja) | 2010-05-31 | 2010-05-31 | マスクブランク用基板の製造方法、インプリントモールド用マスクブランクの製造方法、及びインプリントモールドの製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5587672B2 (ja) |
Families Citing this family (22)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5935385B2 (ja) * | 2012-02-27 | 2016-06-15 | 大日本印刷株式会社 | ナノインプリント用レプリカテンプレートの製造方法及びレプリカテンプレート |
JP5942551B2 (ja) * | 2012-04-03 | 2016-06-29 | 大日本印刷株式会社 | ナノインプリント用マスターテンプレート及びレプリカテンプレートの製造方法 |
JP6019685B2 (ja) * | 2012-04-10 | 2016-11-02 | 大日本印刷株式会社 | ナノインプリント方法及びナノインプリント装置 |
JP6028413B2 (ja) * | 2012-06-27 | 2016-11-16 | 大日本印刷株式会社 | ナノインプリント用テンプレートの製造方法及びテンプレート |
JP5823937B2 (ja) * | 2012-09-07 | 2015-11-25 | 株式会社東芝 | モールド、モールド用ブランク基板及びモールドの製造方法 |
JP5983218B2 (ja) * | 2012-09-11 | 2016-08-31 | 大日本印刷株式会社 | ナノインプリントリソグラフィ用テンプレートの製造方法 |
JP6206632B2 (ja) * | 2012-10-02 | 2017-10-04 | 大日本印刷株式会社 | ナノインプリント用ブランクスおよびナノインプリント用テンプレートの製造方法 |
JP6252098B2 (ja) * | 2012-11-01 | 2017-12-27 | 信越化学工業株式会社 | 角形金型用基板 |
JP6209903B2 (ja) * | 2013-08-28 | 2017-10-11 | 大日本印刷株式会社 | 検査方法、ナノインプリント用モールド製造方法、ナノインプリント方法、および、検査装置 |
JP6277663B2 (ja) * | 2013-10-18 | 2018-02-14 | 大日本印刷株式会社 | インプリント用基板の製造方法 |
JP6569189B2 (ja) * | 2014-04-01 | 2019-09-04 | 大日本印刷株式会社 | インプリントモールド用基板及びその製造方法、インプリント方法、インプリントモールド及びその再生方法 |
JP6361970B2 (ja) * | 2014-09-19 | 2018-07-25 | 大日本印刷株式会社 | ナノインプリント用構造体の検査方法およびその製造方法 |
JP6377480B2 (ja) * | 2014-09-30 | 2018-08-22 | Hoya株式会社 | 基板の製造方法、マスクブランクの製造方法及びインプリントモールドの製造方法 |
JP6420137B2 (ja) * | 2014-12-25 | 2018-11-07 | Hoya株式会社 | 基板の製造方法、マスクブランクの製造方法及びインプリントモールドの製造方法 |
JP6281592B2 (ja) * | 2016-04-06 | 2018-02-21 | 大日本印刷株式会社 | レプリカテンプレートの製造方法 |
JP2016149578A (ja) * | 2016-05-11 | 2016-08-18 | 大日本印刷株式会社 | ナノインプリント用レプリカテンプレートの製造方法 |
JP6226031B2 (ja) * | 2016-06-13 | 2017-11-08 | 大日本印刷株式会社 | ナノインプリントリソグラフィ用テンプレートの製造方法 |
JP6183519B2 (ja) * | 2016-08-26 | 2017-08-23 | 大日本印刷株式会社 | ナノインプリント用テンプレートの製造方法 |
JP6384537B2 (ja) * | 2016-10-18 | 2018-09-05 | 大日本印刷株式会社 | ナノインプリント用テンプレート |
JP6528994B2 (ja) * | 2018-07-02 | 2019-06-12 | 大日本印刷株式会社 | ナノインプリント用構造体の検査方法およびその製造方法 |
JP7192409B2 (ja) * | 2018-11-06 | 2022-12-20 | 大日本印刷株式会社 | インプリントモールド用基板及びインプリントモールド、並びにそれらの製造方法 |
JP2019201224A (ja) * | 2019-08-19 | 2019-11-21 | 大日本印刷株式会社 | インプリントモールド用基材及びインプリントモールド |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3627907B2 (ja) * | 1999-05-21 | 2005-03-09 | 信越化学工業株式会社 | フォトマスク用合成石英ガラス基板の製造方法 |
JP5092262B2 (ja) * | 2006-03-30 | 2012-12-05 | ぺんてる株式会社 | 金型キャビティーの形成方法 |
JP2009170773A (ja) * | 2008-01-18 | 2009-07-30 | Toppan Printing Co Ltd | インプリントモールドおよびインプリント装置 |
JP5515516B2 (ja) * | 2009-08-27 | 2014-06-11 | 大日本印刷株式会社 | ナノインプリント方法、パターン形成体、及びナノインプリント装置 |
JP2011224925A (ja) * | 2010-04-22 | 2011-11-10 | Disco Corp | 凹凸構造を形成するための治具 |
-
2010
- 2010-05-31 JP JP2010123771A patent/JP5587672B2/ja active Active
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP2011245816A5 (ja) | ||
JP5587672B2 (ja) | マスクブランク用基板の製造方法、インプリントモールド用マスクブランクの製造方法、及びインプリントモールドの製造方法 | |
JP2011245787A5 (ja) | ||
JP2013082612A5 (ja) | ||
JP2013053064A5 (ja) | ||
JP5597444B2 (ja) | マスクブランク用基板の製造方法、インプリントモールド用マスクブランクの製造方法、及びインプリントモールドの製造方法 | |
JP2011148227A5 (ja) | マスクブランク用基板とその製造方法、インプリントモールド用マスクブランクとその製造方法、及びインプリントモールドとその製造方法 | |
JP6273860B2 (ja) | インプリントモールド及び半導体デバイスの製造方法 | |
WO2013145850A1 (ja) | 回折格子およびその製造方法 | |
TW201018570A (en) | Inner cavity system for nano-imprint lithography | |
TW201934297A (zh) | 覆板及其使用方法 | |
JP2009206339A5 (ja) | ||
JP2012256038A5 (ja) | ||
TWI665078B (zh) | 製造圖案化印模以圖案化輪廓表面之方法、供在壓印微影製程中使用之圖案化印模、壓印微影方法、包括圖案化輪廓表面之物件及圖案化印模用於壓印微影之用法 | |
JP2011108920A (ja) | テンプレート、テンプレートの製造方法及びパターン形成方法 | |
CN107144912A (zh) | 成型模具、玻璃导光板及其制造方法 | |
JP2007101799A (ja) | 透過型光学素子 | |
JP2017135264A (ja) | インプリントモールド用ガラス板の製造方法、インプリントモールド用積層板の製造方法、およびインプリントモールドの製造方法 | |
JP5838777B2 (ja) | 成形用型の製造方法 | |
TW201315676A (zh) | 三維奈米結構陣列的製備方法 | |
JP6805834B2 (ja) | インプリントモールド | |
JP5906963B2 (ja) | パターン構造体の製造方法およびパターン形成用基材 | |
JP2021160352A5 (ja) | ||
JP4646705B2 (ja) | 金型の製造方法及び成型品の製造方法 | |
JP2016002665A (ja) | モールド製造用構造体の製造方法、およびモールドの製造方法 |