JP2012256038A5 - - Google Patents

Description

上記目的を達成するため、本発明のマスクブランク用基板は、２つの主表面と、４つの側面と、隣接する側面間に形成されるＲ面と、前記主表面および側面の間に形成される面取り面とを備えた薄板状の基板であり、前記主表面または面取り面と、前記Ｒ面とにかかって形成された斜断面形状の基板マークを有し、前記基板マークは、前記主表面の中央部を含む仮想平面上の距離であり、前記基板マークと前記主表面または面取り面との境界線における任意の点から、前記境界線に対して直交する方向における前記基板マークと前記Ｒ面との境界までの前記距離の最大値が１．５ｍｍ未満である構成としてある。
更に望ましくは、前記基板マークは、主表面に対する傾斜角が４５度よりも大きく、９０度よりも小さいことを特徴とする構成としてある。

上記目的を達成するため、本発明のマスクブランク用基板の製造方法は、２つの主表面と、４つの側面と、隣接する側面間に形成されるＲ面と、前記主表面および側面の間に形成される面取り面とを備えた薄板状の基板に対し、前記主表面または面取り面と、前記Ｒ面とにかかって斜断面形状の基板マークを形成する基板マーク形成工程と、前記基板の両主表面を、研磨砥粒を含む研磨液を用いて研磨する研磨工程とを有し、前記基板マークは、前記主表面の中央部を含む仮想平面上の距離であり、前記基板マークと前記主表面または面取り面との境界線における任意の点から、前記境界線に対して直交する方向における前記基板マークと前記Ｒ面との境界までの前記距離の最大値が１．５ｍｍ未満に形成されている方法としてある。
更に望ましくは、前記基板マークは、主表面に対する傾斜角が４５度よりも大きく、９０度よりも小さく形成されることを特徴とする方法としてある。

Claims (16)

1. ２つの主表面と、４つの側面と、隣接する側面間に形成されるＲ面と、前記主表面および側面の間に形成される面取り面とを備えた薄板状の基板であり、
   前記主表面または面取り面と、前記Ｒ面とにかかって形成された斜断面形状の基板マークを有し、
   前記基板マークは、前記主表面の中央部を含む仮想平面上の距離であり、前記基板マークと前記主表面または面取り面との境界線における任意の点から、前記境界線に対して直交する方向における前記基板マークと前記Ｒ面との境界までの前記距離の最大値が１．５ｍｍ未満であることを特徴とするマスクブランク用基板。
2. 前記基板マークは、前記主表面に対する傾斜角が４５度よりも大きく、９０度よりも小さいことを特徴とする請求項１記載のマスクブランク用基板。
3. ２つの主表面と、４つの側面と、隣接する側面間に形成されるＲ面と、前記主表面および側面の間に形成される面取り面とを備えた薄板状の基板であり、
   前記主表面または面取り面と、前記Ｒ面とにかかって形成された斜断面形状の基板マークを有し、
   前記基板マークは、該基板マークと前記主表面または面取り面との境界が、前記主表面と面取り面との境界上または、前記主表面と面取り面との境界よりも外周側に位置し、前記主表面に対する傾斜角が４５度よりも大きく、９０度よりも小さいことを特徴とするマスクブランク用基板。
4. 前記基板マークは、転写パターンを有する薄膜が形成される主表面側とは反対の主表面側に形成されていることを特徴とする請求項１から３のいずれかに記載のマスクブランク用基板。
5. 請求項１から４のいずれかに記載のマスクブランク用基板の主表面上に、転写パターンを形成するための薄膜を備えることを特徴とするマスクブランク。
6. 請求項１から４のいずれかに記載のマスクブランク用基板の主表面上に、多層反射膜と、転写パターンを形成するための薄膜である吸収体膜を備えることを特徴とする反射型マスクブランク。
7. 請求項５に記載のマスクブランクの薄膜に転写パターンが形成されていることを特徴とする転写マスク。
8. 請求項６に記載の反射型マスクブランクの吸収体膜に転写パターンが形成されていることを特徴とする反射型マスク。
9. ２つの主表面と、４つの側面と、隣接する側面間に形成されるＲ面と、前記主表面および側面の間に形成される面取り面とを備えた薄板状の基板に対し、前記主表面または面取り面と、前記Ｒ面とにかかって斜断面形状の基板マークを形成する基板マーク形成工程と、
   前記基板の両主表面を、研磨砥粒を含む研磨液を用いて研磨する研磨工程とを有し、
   前記基板マークは、前記主表面の中央部を含む仮想平面上の距離であり、前記基板マークと前記主表面または面取り面との境界線における任意の点から、前記境界線に対して直交する方向における前記基板マークと前記Ｒ面との境界までの前記距離の最大値が１．５ｍｍ未満に形成されていることを特徴とするマスクブランク用基板の製造方法。
10. 前記基板マークは、主表面に対する傾斜角が４５度よりも大きく、９０度よりも小さく形成されていることを特徴とする請求項９記載のマスクブランク用基板の製造方法。
11. ２つの主表面と、４つの側面と、隣接する側面間に形成されるＲ面と、前記主表面および側面の間に形成される面取り面とを備えた薄板状の基板に対し、前記面取り面と、前記Ｒ面とにかかって斜断面形状の基板マークを形成する基板マーク形成工程と、
    前記基板の両主表面を、研磨砥粒を含む研磨液を用いて研磨する研磨工程とを有し、
    前記基板マークは、該基板マークと前記主表面または面取り面との境界が、前記主表面と面取り面との境界上または、前記主表面と面取り面との境界よりも外周側に位置し、前記主表面に対する傾斜角が４５度よりも大きく、９０度よりも小さく形成されていることを特徴とするマスクブランク用基板の製造方法。
12. 前記基板マークは、転写パターンを有する薄膜が形成される主表面側とは反対の主表面側に形成されていることを特徴とする請求項９から１１のいずれかに記載のマスクブランク用基板の製造方法。
13. 請求項９から１２のいずれかに記載のマスクブランク用基板の製造方法によって得られたマスクブランク用基板の主表面上に、転写パターンを形成するための薄膜を設けることを特徴とするマスクブランクの製造方法。
14. 請求項９から１２のいずれかに記載のマスクブランク用基板の製造方法によって得られたマスクブランク用基板の主表面上に、多層反射膜と、転写パターンを形成するための薄膜である吸収体膜を設けることを特徴とする反射型マスクブランクの製造方法。
15. 請求項１３に記載のマスクブランクの製造方法によって得られたマスクブランクの薄膜に転写パターンを形成することを特徴とする転写マスクの製造方法。
16. 請求項１４に記載の反射型マスクブランクの製造方法によって得られた反射型マスクブランクの吸収体膜に転写パターンを形成することを特徴とする反射型マスクの製造方法。