JP2015224143A5 - - Google Patents
Download PDFInfo
- Publication number
- JP2015224143A5 JP2015224143A5 JP2014108255A JP2014108255A JP2015224143A5 JP 2015224143 A5 JP2015224143 A5 JP 2015224143A5 JP 2014108255 A JP2014108255 A JP 2014108255A JP 2014108255 A JP2014108255 A JP 2014108255A JP 2015224143 A5 JP2015224143 A5 JP 2015224143A5
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- seed crystal
- crystal substrates
- group iii
- iii nitride
- onto
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims 13
- TWXTWZIUMCFMSG-UHFFFAOYSA-N nitride(3-) Chemical compound [N-3] TWXTWZIUMCFMSG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 5
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims 4
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 claims 3
- 230000001070 adhesive Effects 0.000 claims 3
- 239000000463 material Substances 0.000 claims 3
- 238000001035 drying Methods 0.000 claims 1
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 claims 1
Claims (4)
- 側面同士を対向させて並べられるような形状に成形された複数の種結晶基板を用意する工程と、
隣り合う前記種結晶基板の前記側面同士が対向して並んだ配置となるように、前記複数の種結晶基板を、基材上に加熱硬化型の接着剤で接着する工程と、
前記複数の種結晶基板の主面上方に、各々の主面上方に成長した結晶同士が結合して一体化するように、III族窒化物結晶を成長させる工程と、
を有するIII族窒化物基板の製造方法。 - 前記複数の種結晶基板を前記基材上に接着する工程は、前記加熱硬化型の接着剤を乾燥させる工程を含む請求項1に記載のIII族窒化物基板の製造方法。
- 前記複数の種結晶基板を前記基材上に接着する工程では、隣接して配置される前記種結晶基板同士の間に凹部が形成された前記基材上に、前記複数の種結晶基板を接着する請求項1または2に記載のIII族窒化物基板の製造方法。
- 前記凹部は、余分な前記接着剤を流し込ませるための凹部である請求項3に記載のIII族窒化物基板の製造方法。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2014108255A JP6129784B2 (ja) | 2014-05-26 | 2014-05-26 | Iii族窒化物基板の製造方法 |
PCT/JP2015/064771 WO2015182520A1 (ja) | 2014-05-26 | 2015-05-22 | Iii族窒化物基板の製造方法 |
US15/313,764 US10053796B2 (en) | 2014-05-26 | 2015-05-22 | Method for manufacturing group III nitride substrate formed of a group III nitride crystal |
TW104116799A TW201607662A (zh) | 2014-05-26 | 2015-05-26 | Iii族氮化物基板之製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2014108255A JP6129784B2 (ja) | 2014-05-26 | 2014-05-26 | Iii族窒化物基板の製造方法 |
Related Child Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2016182170A Division JP6130039B2 (ja) | 2016-09-16 | 2016-09-16 | Iii族窒化物基板の製造方法 |
JP2016182169A Division JP2017024984A (ja) | 2016-09-16 | 2016-09-16 | Iii族窒化物基板の製造方法 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2015224143A JP2015224143A (ja) | 2015-12-14 |
JP2015224143A5 true JP2015224143A5 (ja) | 2016-11-10 |
JP6129784B2 JP6129784B2 (ja) | 2017-05-17 |
Family
ID=54698852
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2014108255A Active JP6129784B2 (ja) | 2014-05-26 | 2014-05-26 | Iii族窒化物基板の製造方法 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US10053796B2 (ja) |
JP (1) | JP6129784B2 (ja) |
TW (1) | TW201607662A (ja) |
WO (1) | WO2015182520A1 (ja) |
Families Citing this family (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6466195B2 (ja) * | 2015-02-17 | 2019-02-06 | 古河機械金属株式会社 | Iii族窒化物半導体基板およびiii族窒化物半導体基板の製造方法 |
US10364510B2 (en) | 2015-11-25 | 2019-07-30 | Sciocs Company Limited | Substrate for crystal growth having a plurality of group III nitride seed crystals arranged in a disc shape |
JP6203460B1 (ja) | 2016-03-08 | 2017-09-27 | 株式会社サイオクス | 窒化物結晶基板 |
JP6731590B2 (ja) * | 2016-05-02 | 2020-07-29 | 国立大学法人大阪大学 | 窒化物結晶基板の製造方法 |
DE102016117912A1 (de) * | 2016-09-22 | 2018-03-22 | Nexwafe Gmbh | Verfahren zum Anordnen mehrerer Saatsubstrate an einem Trägerelement und Trägerelement mit Saatsubstraten |
JP6735647B2 (ja) | 2016-09-29 | 2020-08-05 | 株式会社サイオクス | 窒化物結晶基板の製造方法 |
JP6901844B2 (ja) * | 2016-12-02 | 2021-07-14 | 株式会社サイオクス | 窒化物結晶基板の製造方法および結晶成長用基板 |
JP6781054B2 (ja) * | 2017-01-20 | 2020-11-04 | 株式会社サイオクス | 窒化物結晶基板および窒化物結晶基板の製造方法 |
JP6827330B2 (ja) * | 2017-01-20 | 2021-02-10 | 株式会社サイオクス | Iii族窒化物基板の製造方法 |
CN113634900A (zh) * | 2021-07-21 | 2021-11-12 | 上海理工大学 | 一种使用增材制造技术制备镍基合金定向双晶的方法 |
Family Cites Families (17)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0967199A (ja) | 1995-08-30 | 1997-03-11 | Sumitomo Electric Ind Ltd | Ii−vi族化合物半導体単結晶バルクの作製方法 |
JP4061700B2 (ja) | 1998-03-19 | 2008-03-19 | 株式会社デンソー | 単結晶の製造方法 |
JP4117156B2 (ja) * | 2002-07-02 | 2008-07-16 | 日本電気株式会社 | Iii族窒化物半導体基板の製造方法 |
FR2852974A1 (fr) * | 2003-03-31 | 2004-10-01 | Soitec Silicon On Insulator | Procede de fabrication de cristaux monocristallins |
JP4915128B2 (ja) * | 2005-04-11 | 2012-04-11 | 日亜化学工業株式会社 | 窒化物半導体ウエハ及びその製造方法 |
JP5332168B2 (ja) * | 2006-11-17 | 2013-11-06 | 住友電気工業株式会社 | Iii族窒化物結晶の製造方法 |
JP2008133151A (ja) | 2006-11-28 | 2008-06-12 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 結晶成長方法、結晶基板、および半導体デバイス |
JP4844470B2 (ja) * | 2007-05-09 | 2011-12-28 | パナソニック株式会社 | 種結晶の固定方法 |
US20120000415A1 (en) * | 2010-06-18 | 2012-01-05 | Soraa, Inc. | Large Area Nitride Crystal and Method for Making It |
KR20120036816A (ko) * | 2009-06-01 | 2012-04-18 | 미쓰비시 가가꾸 가부시키가이샤 | 질화물 반도체 결정 및 그 제조 방법 |
JP5447289B2 (ja) * | 2009-08-19 | 2014-03-19 | 三菱化学株式会社 | 窒化物半導体結晶およびその製造方法 |
JP5757068B2 (ja) * | 2010-08-02 | 2015-07-29 | 住友電気工業株式会社 | GaN結晶の成長方法 |
JP2012041206A (ja) * | 2010-08-13 | 2012-03-01 | Furukawa Co Ltd | サセプタおよび種結晶の成長方法 |
JP5620762B2 (ja) * | 2010-09-09 | 2014-11-05 | 古河機械金属株式会社 | Iii族窒化物半導体基板およびiii族窒化物半導体基板の製造方法 |
JP5732288B2 (ja) * | 2011-03-18 | 2015-06-10 | 学校法人 名城大学 | 自立基板の製造方法 |
JP2014047097A (ja) | 2012-08-30 | 2014-03-17 | Mitsubishi Chemicals Corp | 窒化物半導体結晶の製造方法 |
JP2013230971A (ja) | 2013-05-22 | 2013-11-14 | Hitachi Cable Ltd | Ld用iii族窒化物半導体基板及びそれを用いたld用iii族窒化物半導体エピタキシャル基板 |
-
2014
- 2014-05-26 JP JP2014108255A patent/JP6129784B2/ja active Active
-
2015
- 2015-05-22 US US15/313,764 patent/US10053796B2/en active Active
- 2015-05-22 WO PCT/JP2015/064771 patent/WO2015182520A1/ja active Application Filing
- 2015-05-26 TW TW104116799A patent/TW201607662A/zh unknown
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP2015224143A5 (ja) | ||
USD756668S1 (en) | Film with surface pattern | |
JP2019528225A5 (ja) | ||
JP2016098166A5 (ja) | ||
MX2016013040A (es) | Particula adhesiva selectivamente aplicada en sustratos no metalicos. | |
JP2011216780A5 (ja) | ||
JP2013160994A5 (ja) | ||
JP2017505998A5 (ja) | ||
JP2013522662A5 (ja) | ||
WO2013040423A3 (en) | Abrasive article and method of forming | |
WO2011122882A3 (ko) | 반도체 템플릿 기판, 반도체 템플릿 기판을 이용하는 발광 소자 및 이의 제조 방법 | |
JP2014110333A5 (ja) | Led装置の製造方法 | |
MX354168B (es) | Método para la manufactura de micro características de producto impreso y disposición para la producción continua de tal producto. | |
JP2015079946A5 (ja) | ||
JP2014235279A5 (ja) | ||
JP2008270771A5 (ja) | ||
JP2013023736A5 (ja) | ||
WO2015156891A3 (en) | Method of providing a flexible semiconductor device and flexible semiconductor device thereof | |
JP2016066597A5 (ja) | 表示装置の作製方法 | |
JP2008211250A5 (ja) | ||
WO2015047888A3 (en) | Heat detachable adhesive constructions, articles made therefrom and method of use thereof | |
IN2014CN02652A (ja) | ||
EP3040322A3 (en) | Process and formulation to join ceramic foams while maintaining structural and physical characteristics across the bond surface | |
MX2017014614A (es) | Particulado adhesivo aplicado en forma selectiva en substratos no metalicos. | |
JP2019527477A5 (ja) |