JP6466195B2 - Ｉｉｉ族窒化物半導体基板およびｉｉｉ族窒化物半導体基板の製造方法 - Google Patents

Description

本発明は、III族窒化物半導体基板およびIII族窒化物半導体基板の製造方法に関する。

特許文献１に、III族窒化物バルク結晶から切り出した複数の結晶基板を横方向に互いに隣接させて配置することで基板を構成し、当該基板の上にIII族窒化物結晶を成長させるIII族窒化物結晶の製造方法が開示されている。また、特許文献１には、結晶基板間に隙間が存在すると、その上に成長する結晶の結晶性が低下するため、結晶基板を互いに隣接させて配置することが開示されている。

特許第５３３２１６８号

特許文献１に記載の技術の場合、基板を構成する複数の結晶基板は互いに分離している。複数の結晶基板が互いに分離している場合、複数の結晶基板からなる基板を移動させる際に複数の結晶片各々を保持し、それらを移動させる必要がある。また、複数の結晶基板からなる基板を所定位置にセットする際、複数の結晶片各々を所定の位置関係で、所定の位置にセットする必要がある。このように、複数の結晶基板が互いに分離している場合、作業性が悪い。

本発明は、III族窒化物半導体基板を製造する新たな技術を提供することを課題とする。

本発明によれば、
互いの間に隙間を挟んで配置された複数のIII族窒化物半導体の結晶片と、
多結晶のIII族窒化物半導体で構成され、前記隙間に介在し、複数の前記結晶片を保持するバインダーと、
を備える板状の第１の層を有し、
前記隙間は、前記第１の層の第１の主面から第２の主面に向けて幅が広がっているIII族窒化物半導体基板が提供される。

また、本発明によれば、
III族窒化物半導体で構成された板状の結晶片であって、側面の少なくとも一部が、主面とのなす角が９０°と異なっている複数の前記結晶片を準備する準備工程と、
載置台上に、複数の前記結晶片を、互いの間に隙間を挟んで配置する配置工程と、
多結晶のIII族窒化物半導体で構成され、前記隙間に介在し、複数の前記結晶片を保持するバインダーを形成する形成工程と、を有し、
前記配置工程では、前記側面どうしを対向させ、前記載置台と接する接触側から露出側に向かって前記隙間の幅が広がるように前記結晶片を配置するIII族窒化物半導体基板の製造方法が提供される。

本発明によれば、III族窒化物半導体基板を製造する新たな技術が実現される。

本実施形態のIII族窒化物半導体基板の断面模式図の一例である。 本実施形態のIII族窒化物半導体基板の平面模式図の一例である。 本実施形態のIII族窒化物半導体基板の平面模式図の一例である。 本実施形態のIII族窒化物半導体基板の平面模式図の一例である。 本実施形態のIII族窒化物半導体基板の平面模式図の一例である。 本実施形態のIII族窒化物半導体基板の断面模式図の一例である。 本実施形態のIII族窒化物半導体基板の断面模式図の一例である。 本実施形態のIII族窒化物半導体基板の断面模式図の一例である。 本実施形態のIII族窒化物半導体基板の平面模式図の一例である。 本実施形態のIII族窒化物半導体基板の平面模式図の一例である。 本実施形態の結晶片の断面模式図の一例である。 本実施形態のIII族窒化物半導体基板の断面模式図の一例である。 本実施形態のIII族窒化物半導体基板の断面模式図の一例である。 本実施形態のIII族窒化物半導体基板の断面模式図の一例である。 本実施形態のIII族窒化物半導体基板の平面模式図の一例である。 本実施形態のIII族窒化物半導体基板の平面模式図の一例である。 本実施形態のIII族窒化物半導体基板の断面模式図の一例である。 本実施形態のIII族窒化物半導体基板の製造方法の一例を示すフローチャートである。 III族窒化物半導体基板から結晶片を切り出す処理の一例を説明するための模式図である。 III族窒化物半導体基板から結晶片を切り出す処理の一例を説明するための模式図である。 III族窒化物半導体基板から切り出した結晶片を加工する処理の一例を説明するための模式図である。 III族窒化物半導体基板から切り出した結晶片を加工する処理の一例を説明するための模式図である。 III族窒化物半導体基板から結晶片を切り出す処理の一例を説明するための模式図である。 III族窒化物半導体基板から結晶片を切り出す処理の一例を説明するための模式図である。 配置工程で配置された複数の結晶片の側面模式図の一例である。 配置工程で配置された複数の結晶片の平面模式図の一例である。 配置工程で配置された複数の結晶片の平面模式図の一例である。 配置工程で配置された複数の結晶片の平面模式図の一例である。 配置工程で配置された複数の結晶片の側面模式図の一例である。 配置工程で配置された複数の結晶片の平面模式図の一例である。 配置工程で配置された複数の結晶片の平面模式図の一例である。 配置工程で配置された複数の結晶片の側面模式図の一例である。 形成工程の後の状態を示す側面模式図の一例である。 形成工程の後の状態を示す側面模式図の一例である。 本実施形態のIII族窒化物半導体基板の作用効果を説明するための図である。 本実施形態のIII族窒化物半導体基板の製造方法の一例を説明するための模式図である。 本実施形態のIII族窒化物半導体基板の製造方法の一例を説明するための模式図である。 本実施形態のIII族窒化物半導体基板の製造方法の一例を説明するための模式図である。 本実施形態のIII族窒化物半導体基板の製造方法の一例を示すフローチャートである。

以下、本発明のIII族窒化物半導体基板およびIII族窒化物半導体基板の製造方法の実施形態について図面を用いて説明する。なお、図はあくまで発明の構成を説明するための概略図であり、各部材の大きさ、形状、数、異なる部材の大きさの比率などは図示するものに限定されない。

＜＜第１の実施形態＞＞
図１に、本実施形態のIII族窒化物半導体基板１の断面模式図の一例を示す。図２及び図３に、図１のIII族窒化物半導体基板１を第１の主面３側から（図中、上から下方向に）観察した平面模式図の一例を示す。図４及び図５に、図１のIII族窒化物半導体基板１を第２の主面４側から（図中、下から上方向に）観察した平面模式図の一例を示す。図２と図４が対応し、図３と図５が対応する。

図１乃至図５に示すように、本実施形態のIII族窒化物半導体基板１は、複数の結晶片１０と、バインダー２０とを備える第１の層２を有する。複数の結晶片１０は、互いの間に隙間３０を挟んで配置されている。バインダー２０は、隙間３０に介在し、複数の結晶片１０を保持する。隙間３０は、第１の層２の第１の主面３（図１中、上側の面）から第２の主面４（図１中、下側の面）に向けて幅が広がっている。なお、図示する結晶片１０の数は一例であり、これに限定されない。

結晶片１０は、III族窒化物半導体の単結晶で構成されている。バインダー２０を介して互いにくっついた複数の結晶片１０は、同じ種類のIII族窒化物半導体（Ａｌ_ｘＧａ_{１−ｘ−ｙ}Ｉｎ_ｙＮ（０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１、０≦ｘ＋ｙ≦１）、かつ、結晶片１０同士のｘ及びｙが一致）であるのが好ましい。結晶片１０は、III族窒化物半導体の基板や当該基板の破片等から切り出されたものとすることができる。

バインダー２０は、多結晶のIII族窒化物半導体で構成される。バインダー２０は、結晶片１０と同じ種類のIII族窒化物半導体であってもよいし、異なる種類であってもよい。

結晶片１０は、２つの主面（第１の主面１１及び第２の主面１２）と、側面１３とを有する板状体である。第１の主面１１と第２の主面１２は表裏の関係にある。第１の主面１１と第２の主面１２は、互いに平行であってもよい。第１の主面１１の形状は、例えば図２及び図３に示すように長方形であり、その大きさは、例えば縦２ｍｍ以上１００ｍｍ以下、横２ｍｍ以上１００ｍｍ以下である。また、第２の主面１２の形状は、例えば図４及び図５に示すように長方形であり、その大きさは、例えば縦２ｍｍ以上１００ｍｍ以下、横２ｍｍ以上１００ｍｍ以下である。なお、第１の主面１１及び第２の主面１２の形状はその他の形状であってもよい。

結晶片１０が備える側面１３の少なくとも一部は、図１に示すように斜め加工される。具体的には、第１の主面１１から第２の主面１２に向かうに従い、側面１３が主面（第１の主面１１及び第２の主面１２に平行な面）の中心に向かうように斜め加工される。換言すれば、第２の主面１２と側面１３とのなす角が９０°より大、第１の主面１１と当該側面１３とのなす角が９０°より小、となるように斜め加工される。側面１３の斜め加工されない部分は、第１の主面１１及び第２の主面１２と垂直になっていてもよい。

第１の主面１１及び第２の主面１２の形状が四角形である場合、結晶片１０は４つの側面１３を持つ。この場合、４つの側面１３のうち、１つが斜め加工されてもよいし、２つ、３つまたは４つすべてが斜め加工されてもよい。

結晶片１０の厚さ（第１の主面１１及び第２の主面１２間の距離）は、例えば５０μｍ以上２０ｍｍ以下である。

複数の結晶片１０の形状及び大きさ、特に第１の主面１１の形状及び大きさは揃っているのが好ましい。「形状及び大きさが揃っている」とは、形状及び大きさが完全に一致する状態、及び、加工誤差によるズレが存在する状態を含む概念である。

第１の主面１１は、所定の面方位の面である。例えば、第１の主面１１は、＋ｃ面、ｍ面又はａ面であってもよい。その他、第１の主面１１は、｛ｈｋ−（ｈ＋ｋ）ｌ｝面（ｈ、ｋ及びｌは整数）、又は、当該｛ｈｋ−（ｈ＋ｋ）ｌ｝面を所定角度傾けた面であって＋ｃ面、ｍ面及びａ面と異なる面であってもよい。

例えば、第１の主面１１は＋ｃ面、＋ｃ面を所定角度（例：±１０°以下）傾けた面、ｍ面、ｍ面を所定角度（例：±１０°以下）傾けた面、ａ面、ａ面を所定角度（例：±１０°以下）傾けた面、｛１１−２２｝面、｛１１−２２｝面を所定角度（例：±１０°以下）傾けた面、｛１１−２４｝面、｛１１−２４｝面を所定角度（例：±１０°以下）傾けた面、｛１０−１２｝面、｛１０−１２｝面を所定角度（例：±１０°以下）傾けた面、｛１０−１１｝面、｛１０−１１｝面を所定角度（例：±１０°以下）傾けた面、｛２０−２１｝面、｛２０−２１｝面を所定角度（例：±１０°以下）傾けた面、｛２０−２３｝面、及び、｛２０−２３｝面を所定角度（例：±１０°以下）傾けた面の中のいずれかの面であってもよい。

複数の結晶片１０の第１の主面１１の面方位は揃っているのが好ましい。「面方位が揃っている」とは、複数の結晶片１０の第１の主面１１の面方位が互いに一致する状態、及び／又は、所望の基準となる面方位と、複数の結晶片１０各々の第１の主面１１の面方位との差が±０．５°以下である状態を含む概念である。

図１乃至図３に示すように、第１の主面１１は露出している。第１の主面１１が、本実施形態のIII族窒化物半導体基板１の成長面（III族窒化物半導体結晶を成長させる面）となる。

複数の結晶片１０は、第１の主面１１の向く方向が揃っているのが好ましい。「第１の主面１１の向く方向が揃っている」とは、複数の結晶片１０の第１の主面１１の法線方向が互いに一致する状態、及び／又は、所望の基準となる方向と、複数の結晶片１０各々の第１の主面１１の法線方向との差が±０．５°以下である状態を含む概念である。

また、複数の結晶片１０は、第１の主面１１に平行な方向における方位精度が±０．５°以下であるのが好ましい。すなわち、複数の結晶片１０は、図２乃至図５における紙面に平行な方向の方位精度、換言すれば、紙面に垂直な回転軸周りに回転して調整される方位精度が±０．５°以下であるのが好ましい。「方位精度が±０．５°以下」とは、所望の基準となる方向からの差が±０．５°以下であることを意味する。

図１に示すように、複数の結晶片１０は、側面１３どうしで互いに対向するように配置される。対向する側面１３の少なくとも一方が、上述した斜め加工された側面１３となる。この場合、図１に示すように、これらの結晶片１０間の隙間３０は、第１の層２の第１の主面３から第２の主面４に向けて幅が広がった構成となる。

図１に示す例の場合、第１の層２の第１の主面３において、隣接する結晶片１０は互いに接している。このため、図２及び図３に示すように、隣接する結晶片１０間の隙間３０は、第１の層２の第１の主面３側で開口していない。一方、第１の層２の第２の主面４において、隣接する結晶片１０は互いに接していない。このため、図４及び図５に示すように、隣接する結晶片１０間の隙間３０は、第１の層２の第２の主面４側で開口している。結果、当該開口においてバインダー２０が露出している。第２の主面４側の開口の幅Ｇ２は、例えば、５０μｍ以上１０ｍｍ以下である。

図１乃至図５に示す例では、バインダー２０は、隙間３０のみならず、複数の結晶片１０の外周沿いに存在し、複数の結晶片１０を内包している。また、バインダー２０は、第１の主面１１及び第２の主面１２上には存在していない。

複数の結晶片１０は、所定の規則性に従い配列されているのが好ましい。例えば図２及び図３に示すように、長方形の第１の主面１１の長手方向が互いに平行になるように複数の結晶片１０が配列されてもよい。また、複数の結晶片１０は、直線的に一列又は複数の列で並ぶように配列されてもよい。

なお、各結晶片１０の外周沿いの少なくとも一部に隙間３０が存在し、当該隙間３０にバインダー２０が介在して、当該結晶片１０と他の結晶片１０とを接合していてもよい。例えば、結晶片１０の外周沿いすべてに隙間３０が存在し、当該結晶片１０の外周沿いに存在するすべての結晶片１０と、バインダー２０を介して接合していてもよい。または、結晶片１０の外周沿いの一部のみに隙間３０が存在し、当該結晶片１０と、当該隙間３０を挟んで当該結晶片１０と対向する結晶片１０のみとを、バインダー２０を介して接合していてもよい。

ここで、III族窒化物半導体基板１の変形例を示す。なお、ここで示す複数の変形例を組み合わせた変形例とすることもできる。

＜第１の変形例＞
図６に示すように、バインダー２０は結晶片１０の第２の主面１２上まで延在していてもよい。そして、バインダー２０は、第２の主面１２の一部または全部を覆ってもよい。第１の層２の第２の主面４上に、バインダー２０により第２の層５が形成されてもよい。第２の主面１２上のバインダー２０の厚さ（第２の層５の厚さ）Ｍは、例えば０μｍより大２０ｍｍ以下であり、好ましくは０μｍより大１ｍｍ以下である。なお、図１に示す例の場合、上記Ｍの値は０となる。

＜第２の変形例＞
図７に示すように、斜め加工された側面１３どうしが対向するように、複数の結晶片１０を配置してもよい。

＜第３の変形例＞
図８に示すように、複数の結晶片１０の外周沿いには、バインダー２０が存在しなくてもよい。図９及び図１０に、図８のIII族窒化物半導体基板１を第１の主面３側から（図中、上から下方向に）観察した平面模式図を示す。

＜第４の変形例＞
図１１に示すように、結晶片１０の側面１３の少なくとも一部は、第１の主面１１に対して垂直になった第１の部分１３−１と、斜め加工された第２の部分１３−２と、を有し、第１の主面１１から第２の主面１２に向かってこれら２つの部分がこの順に現れるように加工されてもよい。図１２に、このような結晶片１０を有するIII族窒化物半導体基板１の断面模式図の一例を示す。

＜第５の変形例＞
図１３に示すように、隙間３０はバインダー２０で完全に埋め込まれず、隙間３０の一部が、残存隙間３１として残っていてもよい。この場合、隙間３０に介在するバインダー２０の高さ（第２の主面４における隙間３０の開口面からの高さ）は、隙間３０の深さの３分の１以上、好ましくは２分の１以上、さらに好ましくは３分の２以上である。

＜第６の変形例＞
図１４に示すように、第１の層２の第１の主面３において、隣接する結晶片１０は互いに接していなくてもよい。すなわち、隣接する結晶片１０間の隙間３０は、第１の層２の第２の主面４、及び、第１の主面３の両方において開口していてもよい。第１の層２の第１の主面３における開口の幅Ｇ１は、第１の層２の第２の主面４における開口の幅Ｇ２よりも小さい。第１の層２の第１の主面３における開口の幅Ｇ１は、例えば、０μｍ以上１０ｍｍ以下である。

図１４に示す例の場合、バインダー２０は隙間３０を埋め尽くし、第１の層２の第１の主面３において、結晶片１０の第１の主面１１とバインダー２０とが面一となっている。

図１５及び図１６に、図１４のIII族窒化物半導体基板１を第１の主面３側から（図中、上から下方向に）観察した平面模式図を示す。

＜第７の変形例＞
図１７に示すように、第６の変形例を採用する場合、隙間３０はバインダー２０で完全に埋め込まれなくてもよい。この場合、隙間３０に介在するバインダー２０の高さ（第２の主面４における隙間３０の開口面からの高さ）は、隙間３０の深さの３分の１以上、好ましくは２分の１以上、さらに好ましくは３分の２以上である。

当該例の場合、第１の主面３において、結晶片１０とバインダー２０とが露出し、結晶片１０が凸部に、バインダー２０が凹部になっている。隣接する結晶片１０とバインダー２０との段差Ｄの上限は、基板厚（III族窒化物半導体基板１の厚さ）に応じた所定の値にすることができる。例えば、段差Ｄは１μｍ以上、（基板厚−１００）μｍ以下とすることができる。すなわち、基板厚が４００μｍの場合、段差Ｄは１μｍ以上３００μｍ以下とし、基板厚が６００μｍの場合、段差Ｄは１μｍ以上５００μｍ以下とし、基板厚が８００μｍの場合、段差Ｄは１μｍ以上７００μｍ以下とすることができる。このようにすれば、バインダー２０の厚さを、１００μｍ以上とすることができる。結果、バインダー２０による複数の結晶片１０の保持力を、十分に強くすることができる。

次に、図１８のフローチャートを用いて、本実施形態のIII族窒化物半導体基板１の製造方法の一例を説明する。図示するように、本実施形態のIII族窒化物半導体基板１の製造方法は、準備工程Ｓ１０と、配置工程Ｓ２０と、形成工程Ｓ３０とを有する。

準備工程Ｓ１０では、III族窒化物半導体で構成された板状の結晶片１０であって、側面１３の少なくとも一部が、主面とのなす角が９０°と異なっている複数の結晶片１０を準備する。「主面とのなす角が９０°と異なっている部分」が、上述した斜め加工された側面１３に相当する。当該工程では、側面１３の中に、第１の主面１１とのなす角が９０°より小さく、第２の主面１２とのなす角が９０°より大きい部分（斜め加工された側面１３）を有する結晶片１０を準備する。以下、当該工程の一例を説明する。

例えば、III族窒化物半導体基板や、当該基板の破片などから、所定形状の結晶片１０を切り出すことで、複数の結晶片１０を準備する。

切り出す手段は特段制限されず、バンドソー、内周刃、外周刃などを用いて結晶片１０を切り出してもよいし、劈開面で劈開することで結晶片１０を切出してもよい。また、切り出した結晶片１０に対して研磨等の加工を施すことで、結晶片１０の形状及び大きさを調整してもよい。

図１９及び図２０を用いて、III族窒化物半導体基板から結晶片１０を切り出す処理の一例を説明する。図１９はIII族窒化物半導体基板４０の側面模式図、図２０はIII族窒化物半導体基板４０の平面模式図である。III族窒化物半導体基板４０は、図示するように＋ｃ面成長して得られた基板であってもよいし、その他であってもよい。

例えば、図１９及び図２０に示すように、ｍ軸方向に平行な第１の切断面４１、及び、ｍ軸方向に垂直な第２の切断面４２により、III族窒化物半導体基板４０から複数の結晶片１０を切り出してもよい。第１の切断面４１、及び、第２の切断面４２各々の間隔を調整することで、第１の切断面４１、又は、第２の切断面４２を、結晶片１０の第１の主面１１とすることができる。第２の切断面４２はｍ面となる。第１の切断面４１の＋ｃ軸方向に対する傾きを調整することで、第１の主面１１の面方位を、ａ面又は所望の半極性面とすることができる。

この場合、＋ｃ面及び−ｃ面が側面１３となる。また、第１の切断面４１及び第２の切断面４２の一方が、側面１３となる。

次に、側面１３を斜め加工する処理について説明する。図２１は、図１９に示すように切り出した結晶片１０を、ｍ軸方向に観察した側面図である。例えば、図２１に示すように、図中左側の側面１３はそのまま残し、図中右側の側面１３を、（１）又は（２）の点線で示すように加工してもよい。なお、（２）の傾きは適宜調整可能である。

（１）の点線で加工した場合、図中左側の側面１３が、斜め加工された側面１３となる。そして、図中右側の側面１３は、第１の主面１１に対して垂直な側面１３となる。一方、（２）の点線で加工した場合、図中左側の側面１３及び右側の側面１３の両方が、斜め加工された側面１３となる。

図２２は、図２１の結晶片１０を、図中左右方向に観察した側面図である。当該２つの側面１３は、図示するように第１の主面１１に対して垂直な状態を維持してもよい。または、（１）の点線での斜め加工、及び（２）の点線での斜め加工の少なくとも一方を行ってもよい。当該加工により、図中左側の側面１３及び右側の側面１３の少なくとも一方を、斜め加工された側面１３とすることができる。なお、（１）及び（２）の傾きは適宜調整可能である。

図２３及び図２４を用いて、III族窒化物半導体基板から結晶片１０を切り出す処理の他の一例を説明する。図２３はIII族窒化物半導体基板４０の側面模式図、図２４はIII族窒化物半導体基板４０の平面模式図である。III族窒化物半導体基板４０は、図示するように＋ｃ面成長して得られた基板であってもよいし、その他であってもよい。

例えば、図２３及び図２４に示すように、ｍ軸方向に平行な第１の切断面４１、及び、ｍ軸方向に垂直な第２の切断面４２により、III族窒化物半導体基板４０から複数の結晶片１０を切り出してもよい。第１の切断面４１、及び、第２の切断面４２各々の間隔を調整することで、III族窒化物半導体基板４０の露出面４３を、結晶片１０の第１の主面１１とすることができる。図２３及び図２４に示す例の場合、第１の主面１１は＋ｃ面となる。そして、ｍ面及びａ面が側面１３となる。

当該例の場合、いずれの側面１３も、図２２に示すような形状となる。少なくとも１つの側面１３に対して、（１）又は（２）の点線で示すような加工を行うことで、上述したような斜め加工された側面１３を得ることができる。

図１８に戻り、配置工程Ｓ２０では、載置台上に、複数の結晶片１０を、互いの間に隙間３０を挟んで配置する。具体的には、第１の主面１１を載置台の載置面と当接させ、第２の主面１２を露出させ、側面１３が他の結晶片１０の側面１３と対向するように、載置台上に並べて配置する。対向する側面１３の少なくとも一方は、斜め加工された側面１３とする。これにより、載置台と接する接触側から露出側に向かって、隣接する結晶片１０間の隙間３０の幅が広がることとなる。

例えば、図２５に示すように、載置台５０上に複数の結晶片１０を並べて配置する。載置台５０は、複数の結晶片１０が載置される載置面５１を有する。複数の結晶片１０は、例えば所定の規則性に従い、当該載置面５１上に配列される。隣接する結晶片１０は、第１の主面１１において、互いに接している。

図２６乃至図２８に、第１の主面１１において隣接する結晶片１０が互いに接するように複数の結晶片１０を並べた場合の平面模式図（図２５を、図中上から下方向に観察したものに相当）の一例を示す。これらの図においては、結晶片１０の平面図及び側面図をさらに表示している。図２６は、３つの側面１３が斜め加工された結晶片１０を並べた例である。図２７は、４つの側面１３が斜め加工された結晶片１０を並べた例である。図２８は、２つの側面１３が斜め加工された結晶片１０を並べた例である。

図２９に、載置台５０上に複数の結晶片１０を並べて配置した他の例を示す。当該例では、隣接する結晶片１０は、第１の主面１１において、互いに接していない。

図３０に、図２９を図中上から下方向に観察した平面模式図の一例を示す。載置台５０上には、結晶片１０の第１の主面１１に平行な方向の向きを合わせるための調整部材５３が存在する。調整部材５３は、結晶片１０の所定の側面１３が面接触又は辺接触する方位調整面を有する。図３０に示すように、すべての結晶片１０が、「所定の側面１３が調整部材５３の方位調整面と面接触又は辺接触する状態」で配置される。結晶片１０は、当該状態で配置された場合、第１の主面１１に平行な方向の向きが所望の状態となるように加工されている。

調整部材５３を用いた当該配置方法によれば、容易に、複数の結晶片１０各々の第１の主面１１に平行な方向の向きを所望の状態とするころができる。図３０に示すように、調整部材５３に平行な方向に隣接する結晶片１０どうしは、第１の主面１１において接していなくてもよい。

図３１を用いて、調整部材５３を用いた配置方法における変形例を示す。図３１に示すように、調整部材５３に平行な方向に隣接する結晶片１０どうしの少なくとも一部は、第１の主面１１において、互いに接する状態となっていてもよい。ただし、調整部材５３を用いた配置方法の場合、「調整部材５３に平行な方向に隣接する結晶片１０間の接触」よりも、「所定の側面１３が調整部材５３の方位調整面と面接触又は辺接触した状態」の方が優先される。「所定の側面１３が調整部材５３の方位調整面と面接触又は辺接触した状態」を確保しつつ、調整部材５３に平行な方向に隣接する結晶片１０どうしを接触させることができる場合、これらの結晶片１０どうしを接触させてもよい。しかし、例えば対向する側面１３の加工精度が悪く、「所定の側面１３が調整部材５３の方位調整面と面接触又は辺接触した状態」を確保した状態では、調整部材５３に平行な方向に隣接する結晶片１０どうしを接触させることができない場合、図３１に示すように、これらの間には隙間３１が形成される。

調整部材５３は載置台５０から取り外し可能であってもよい。そして、結晶片１０が所望の状態で配置され、その位置に固定されると、形成工程Ｓ３０の前に、調整部材５３は載置台５０から取り外されてもよい。この場合、調整部材５３が取り外された後、調整部材５３が存在した場所は隙間３０となる。調整部材５３の幅は、例えば、５０μｍ以上１０ｍｍ以下である。

なお、調整部材５３は、形成工程Ｓ３０の間も載置台５０上に位置してもよい。この場合、図３２に示すように、調整部材５３の高さは、結晶片１０の厚さよりも小さく構成される。図３２は、図３０及び図３１を図中、左から右方向に見た側面図の一例である。この場合、図３２に示すように、結晶片１０の間であって、調整部材５３の上方に、例えば幅が５０μｍ以上１０ｍｍ以下である隙間３０が形成される。

載置台５０に結晶片１０を保持させる手段は特段制限されないが、例えば、不純物汚染を起こさず、バインダー２０の形成に悪影響を与えにくい接着剤を用いて複数の結晶片１０を接着保持させてもよい。載置台５０は例えばセラミック等で構成されてもよい。

図１８に戻り、形成工程Ｓ３０では、複数の結晶片１０の上に、隙間３０に介在するように、多結晶のIII族窒化物半導体からなるバインダー２０を形成する（図３３及び図３４参照）。図３３及び図３４に示すように、バインダー２０は、隙間３０に介在するとともに、第２の主面１２上に形成される。バインダー２０を形成する手法としては、気相エピタキシャル成長法（例えばＨＶＰＥ法、ＭＯＶＰＥ法）、ナトリウムフラックス液相成長法、アモノサーマル成長法、スパッタ法、分子線エピタキシャル成長法、焼結法などが考えられる。

形成条件は一般的なものと同様とすることができる。本実施形態の場合、結晶片１０間の隙間３０の開口の幅Ｇ２が５０μｍ以上である。このため、例えばＨＶＰＥ法の一般的な成長条件でIII族窒化物半導体結晶を形成すると、隙間３０に原料ガスが侵入し、例えば隙間３０に介在したバインダー２０が形成される。

形成工程Ｓ３０の後、載置台５０からIII族窒化物半導体基板１を取り外し、その後、ＣＭＰ等の研磨、及び／又は、薬液によるエッチング等による表面加工を行ってもよい。同様に、III族窒化物半導体基板１の側面を加工してもよい。

以上により、上述した例のIII族窒化物半導体基板１が得られる。なお、隙間３０へのバインダー２０の埋め込みが不十分になると、図１３に示すような状態が得られる。

本実施形態のIII族窒化物半導体基板１は、その上に電子デバイスや光デバイスを形成される自立基板、また、その上にIII族窒化物半導体層を形成して自立基板を得るための下地基板として用いることができる。

次に、本実施形態の作用効果について説明する。

本実施形態のIII族窒化物半導体基板１は、図１乃至図１７に示すように、複数の結晶片１０で構成される。複数の結晶片１０の間には、隙間３０が存在する。そして、当該隙間３０にバインダー２０が存在し、結晶片１０を保持している。このように、本実施形態のIII族窒化物半導体基板１は複数の結晶片１０で構成されるが、それらが互いの間に存在するバインダー２０により保持されている。すなわち、複数の結晶片１０が一塊になっている。

複数の結晶片１０が互いに分離している場合、複数の結晶片１０からなる基板を移動させる際、複数の結晶片１０各々を保持し、それらを移動させる必要がある。また、複数の結晶片１０からなる基板を所定位置にセットする際、複数の結晶片１０各々を所定の位置関係で、所定の位置にセットする必要がある。このように、複数の結晶片１０が互いに分離している場合、作業性が悪い。本実施形態のIII族窒化物半導体基板１は、上述の通り、バインダー２０により複数の結晶片１０が一塊となっている。このため、III族窒化物半導体基板１を移動させたり、所定の位置にセットしたりする際の作業性が良好である。

また、複数の結晶片１０が互いに分離しているままであると、複数の結晶片１０からなる基板の作製工程や、後工程での当該基板のハンドリング時に割れる恐れがある。また、分離している複数の結晶片１０部分を加工除去するとした場合にも、分離部分への応力集中により割れる恐れがある。本実施形態のIII族窒化物半導体基板１は、このような不都合を軽減できる。

また、本実施形態のIII族窒化物半導体基板１は、図１乃至図１７に示すように、隣接する結晶片１０間において対向する側面１３の少なくとも一方を、斜め加工した側面１３とすることができる。すなわち、結晶片１０間の隙間３０の幅が、一方の主面（第１の主面３）から他方の主面（第２の主面４）に向けて広がっていく構成とすることができる。この場合、側面１３が第１の主面１１に対して垂直な場合に比べて、結晶片１０間の隙間３０における内側面の面積が大きくなる。結果、結晶片１０の側面１３と、バインダー２０との接触面積が大きくなり、結晶片１０とバインダー２０との接合力が大きくなる。

また、本実施形態のIII族窒化物半導体基板１は、図１乃至図１７に示すように、結晶片１０間の隙間３０の幅が、第１の層２の第１の主面３から第２の主面４に向けて広がる構成とすることができる。本実施形態のIII族窒化物半導体基板１は、第１の層２の第１の主面３が成長面となる。第１の主面３上に形成するIII族窒化物半導体の結晶性を良好なものにする観点から、第１の主面３におけるバインダー２０の露出面積は小さいのが好ましい。すなわち、第１の主面３における隙間３０の開口は小さいのが好ましい。一方で、隙間３０の間にバインダー２０の原料を侵入させ、隙間３０に介在したバインダー２０を形成する観点から、第２の主面４における隙間３０の開口は大きいのが好ましい。

隙間３０の幅が第１の層２の第１の主面３から第２の主面４に向けてほとんど変わらない構成とした場合、これら両方の要求を満たすのは困難である。本実施形態の場合、上述の通り、結晶片１０間の隙間３０の幅が、第１の層２の第１の主面３から第２の主面４に向けて広がる構成とすることができる。このため、上記相反する２つの要求を満たすことができる。すなわち、第１の主面３における隙間３０の開口を小さくし、第１の主面３におけるバインダー２０の露出面積を小さくすることができる。また、第２の主面４における隙間３０の開口を大きくし、隙間３０の間に効率的にバインダー２０の原料を侵入させ、隙間３０に介在したバインダー２０を形成することができる。

なお、本実施形態のIII族窒化物半導体基板１は、第２の変形例として図７を用いて説明したように、斜め加工された側面１３どうしが対向するように、複数の結晶片１０を配置することができる。このようにすれば、上述した効果が顕著となる。

また、本実施形態のIII族窒化物半導体基板１は、結晶片１０の大きさを所定の大きさに制御することができる。例えば、結晶片１０の主面（第１の主面１１及び第２の主面１２）は、縦２ｍｍ以上１００ｍｍ以下、横２ｍｍ以上１００ｍｍ以下の四角形とすることができる。主面の大きさの上限をこのように設定した場合、結晶片１０が大きくなりすぎる不都合を抑制できる。結果、結晶片１０が剥がれ落ちにくくなる。また、主面の大きさの下限をこのように設定した場合、主面の大きさを、デバイスを形成するために十分な大きさとすることができる。

また、III族窒化物半導体基板１０の厚さを、５０μｍ以上２０ｍｍ以下とすることができる。厚さの下限をこのように設定した場合、結晶片１０間の隙間３０に存在するバインダー２０と、結晶片１０の側面１３との接触面積を十分に大きくすることができる。結果、バインダー２０により結晶片１０を十分な強度で保持することができる。また、厚さの上限をこのように設定した場合、III族窒化物半導体基板１の厚さが不要に厚くなる不都合を回避できる。結果、III族窒化物半導体基板１の軽量化及び薄型化が実現され、III族窒化物半導体基板１の持ち運び時の作業性が良好になったり、保管時に場所を取らなくなったりする効果が期待される。

なお、本実施形態のIII族窒化物半導体基板１は、第１の主面３を成長面とする。図１乃至図１３に示す構成の場合、第１の主面３においてバインダー２０が露出する不都合を抑制することができる。結果、当該成長面上に結晶性の良好なIII族窒化物半導体の単結晶を成長させることができる。なお、結晶片１０間の界面の上方は、他の部分に比べて多少結晶性が劣ることを、本発明者らは確認している。

一方、図１４乃至図１７に示す構成の場合、第１の主面３（成長面）においてバインダー２０が露出する。本発明者らは、このような成長面上にIII族窒化物半導体の単結晶を成長させた場合、バインダー２０の上方には多くの転位が発生するが、第１の主面１１の上方の結晶性は良好であることを確認した。すなわち、本実施形態のIII族窒化物半導体基板１によれば、III族窒化物半導体基板１上の適切なエリア（結晶性が良好な第１の主面１１の上方のエリア）を選択することで、所定のデバイスを形成することができる。

また、本実施形態のIII族窒化物半導体基板１は、複数の結晶片１０の形状及び大きさ、特に第１の主面１１の形状及び大きさを揃えることができる。上述の通り、図１乃至図１３に示すIII族窒化物半導体基板１、及び、図１４乃至図１７に示すIII族窒化物半導体基板１いずれの上にデバイスを形成する場合も、結晶片１０間の界面上やバインダー２０上を避けて、デバイスを形成するのが好ましい。本実施形態のように、第１の主面１１の形状及び大きさが揃い、複数の結晶片１０が規則的に配列されている場合、当該規則性に基づいて、III族窒化物半導体基板１の成長面上における第１の主面１１が露出する位置を容易に特定することが可能となる。結果、デバイス作成時の作業性が良好となる。

また、本実施形態のIII族窒化物半導体基板１は、第２の主面４における結晶片１０間の隙間３０の幅Ｇ２を、５０μｍ以上とすることができる。隙間３０の下限をこのように設定すると、バインダー２０を形成する処理時に、バインダー２０の原料となるガスが隙間３０に十分に入り込むことができる。結果、隙間３０内にバインダー２０を形成することができる。

また、本実施形態のIII族窒化物半導体基板１は、図１乃至図５に示すように、バインダー２０が複数の結晶片１０の外周沿いに、複数の結晶片１０を内包するように存在する構成とすることもできる。当該構成によれば、結晶片１０とバインダー２０との接触面積が大きくなる。結果、バインダー２０による結晶片１０の保持力が大きくなり好ましい。

なお、本実施形態のIII族窒化物半導体基板１は、第３の変形例として図８乃至図１０を用いて説明したように、バインダー２０が複数の結晶片１０の外周沿いに存在せず、結晶片１０間の隙間３０のみに存在する構成とすることもできる。当該構成によれば、III族窒化物半導体基板１の軽量化及び小型化（表面の面積の小型化）が実現される。また、デバイスの歩留向上や、III族窒化物半導体基板１の側面を利用したオリフラ方位の測定が可能となる。

また、本実施形態のIII族窒化物半導体基板１は、第１の変形例として図６を用いて説明したように、バインダー２０が隙間３０から第２の主面１２側に延在した構成とすることができる。そして、側面１３及び第２の主面１２において結晶片１０と接し、密着したバインダー２０により、複数の結晶片１０を保持することができる。当該構成によれば、結晶片１０とバインダー２０との接触面積が大きくなる。結果、バインダー２０による結晶片１０の保持力が大きくなり好ましい。

この場合、バインダー２０の第２の主面１２からの厚さＭ（第２の層５の厚さ）を１ｍｍ以上２０ｍｍ以下とすることができる。このようにすると、裏打ち層としてのバインダー２０の強度が十分になる。結果、III族窒化物半導体基板１全体としての折れ曲がりに対する強度が大きくなり、III族窒化物半導体基板１が折れ曲がったり割れたりする不都合や、結晶片１０がバインダー２０から剥がれ落ちる不都合等を抑制できる。

なお、本実施形態のIII族窒化物半導体基板１は、図１乃至図５に示すように、バインダー２０が第１の主面１１及び第２の主面１２には延在せず、隙間３０のみに存在する構成とすることができる。当該構成によれば、III族窒化物半導体基板１の軽量化及び薄型化が実現される。また、裏面電極を必要とするデバイス作製時には、裏面側の結晶片１０と電極とのコンタクトが必要となるが、当該構成の場合、バインダー２０を落とす必要が無くなったり、基板厚みを落とすとしても設計自由度が高くなる。

また、本実施形態のIII族窒化物半導体基板１は、隙間３０に介在するバインダー２０の高さ（第２の主面４における隙間３０の開口面からの高さ）が、隙間３０の深さの３分の１以上、好ましくは２分の１以上、さらに好ましくは３分の２以上、さらに好ましくはバインダー２０の露出面と結晶片１０の第１の主面１１とが面一となる状態とすることができる。このように、隙間３０に十分にバインダー２０を介在させることができるので、結晶片１０とバインダー２０との接触面積を大きくすることができる。結果、結晶片１０とバインダー２０との接着力をより強くすることができる。

また、第５の変形例として図１３を用いて説明したように、隙間３０はバインダー２０で完全に埋め込まれず、隙間３０の一部が、残存隙間３１として残っていてもよい。

このような場合であっても、側面１３の少なくとも一部とバインダー２０とが接するため、バインダー２０により結晶片１０を保持することができる。

また、隙間３０の一部を残存隙間３１として残してもよいため、バインダー２０の原料となるガスを隙間３０の奥で侵入させる工夫が不要となる。結果、隙間３０の奥まで完全にバインダー２０を介在させる場合に比べて、バインダー２０を形成する処理の設計の自由度が広がる。

さらに、第１の主面３におけるバインダー２０の露出が小さくなるほか、第１の主面からバインダー２０までの距離が大きくなる効果も得られる。このため、III族窒化物半導体基板１の第１の主面３上にIII族窒化物半導体の単結晶を形成する際、バインダー２０の影響で当該単結晶の結晶性が悪くなる不都合を軽減できる。

また、第４の変形例として図１１及び図１２を用いて説明したように、結晶片１０の側面１３の少なくとも一部は、第１の主面１１に対して垂直になった第１の部分１３−１と、斜め加工された第２の部分１３−２と、を有し、第１の主面１１から第２の主面１２に向かってこれら２つの部分がこの順に現れるように加工されてもよい。当該例の場合、III族窒化物半導体基板１の第１の主面３におけるバインダー２０の露出が小さくなり、さらに、第１の主面からバインダー２０までの距離が大きくなる。このため、III族窒化物半導体基板１の第１の主面３上にIII族窒化物半導体の単結晶を形成する際、バインダー２０の影響で当該単結晶の結晶性が悪くなる不都合を軽減できる。

また、本実施形態のIII族窒化物半導体基板１の製造方法では、図３０乃至図３２を用いて説明した例のように、すべての結晶片１０が、「所定の面方位の側面１３が調整部材５３と面接触又は辺接触する状態」となるように配置することができる。これにより、複数の結晶片１０各々の第１の主面１１に平行な方向の向きが所望の状態となる。このような製造方法で製造された本実施形態のIII族窒化物半導体基板１は、複数の結晶片１０が他の結晶片１０と接触していない面（調整部材５３と面接触又は辺接触していた側面１３）を有する構成となる。

ところで、複数の結晶片１０を並べて配置する手法として、隣接する結晶片１０どうしを互いに接触させて配置する方法が考えられる。結晶片１０間の隙間を小さくすることを優先して配置する場合、当該配置方法が好ましい。しかし、この方法の場合、ある結晶片１０の第１の主面１１に平行な方向における向きは、他の結晶片１０の状態（他の結晶片１０の向き、他の結晶片１０の側面の精度等）の影響を受けてしまう。このため、結晶片１０の側面１３における加工精度を十分に高める必要がある。上記影響について、図３５を用いて説明する。

図３５に示す矢印Ａは、結晶片１０の所定の軸方向（例：ｍ軸方向）である。所望の配置状態は、結晶片１０の所定の軸方向（例：ｍ軸方向）が第１の方向と平行になる状態である。

図３５に示す左側の結晶片１０は、矢印Ａで示される所定の軸方向が第１の方向と平行になっている。しかし、右側の結晶片１０は、矢印Ａで示される所定の軸方向が第１の方向と平行になっていない。これは、左側の結晶片１０の右側側面の加工精度が悪く、やや斜めに切り出されていること、及び、当該側面に、右側の結晶片１０の側面を接触させて配置したことに起因する。

このように、複数の結晶片１０を互いの側面どうしで接する状態で配列する場合は、ある箇所で結晶片１０の配置の向きがずれてしまった場合や、結晶片１０の個々に平行度・垂直度等の加工精度が存在することにより、他の結晶片１０の状態の影響を受けてしまう。さらに、結晶片１０の数が多くなるほど接触する箇所が多くなり、結晶片１０の状態の影響が蓄積されて、方位ずれが増大する可能性が高くなる。結果、第１の主面１１に平行な方向における向きが所望の状態からずれた結晶片１０が多く存在することとなってしまう。

本実施形態の場合、すべての結晶片１０が、「所定の面方位の側面１３が調整部材５３の方位調整面と面接触又は辺接触する状態」で配置することができる。このため、上述のような不都合を回避できる。結果、複数の結晶片１０の第１の主面１１に平行な方向における方位精度を、±０．５°以下を容易に実現することができる。このような方位精度を持ったIII族窒化物半導体基板１によれば、III族窒化物半導体基板１の上に成長するIII族窒化物半導体の結晶性が良好となる。

また、本実施形態の場合、バインダー２０を多結晶のIII族窒化物半導体で構成することができる。この場合、単結晶のIII族窒化物半導体でバインダー２０を構成する場合に比べて、短時間で、所望の厚さのバインダー２０を形成することができる。

また、本実施形態の場合、単結晶のIII族窒化物半導体の破片などから結晶片１０を切り出して、利用することができる。このような破片は、従来、破棄等されていた。本実施形態によれば、従来破棄等されていた破片を利用することができるので、コスト面において有益である。

また、本実施形態のIII族窒化物半導体基板１は、第７の変形例として図１７を用いて説明したように、III族窒化物半導体基板１の第１の主面３（成長面）において、結晶片１０が凸部となり、バインダー２０が凹部となっていてもよい。この場合、III族窒化物半導体基板１の第１の主面３（成長面）においてバインダー２０が露出しているが、バインダー２０による悪影響を軽減できる。すなわち、当該成長面の上に単結晶のIII族窒化物半導体をエピタキシャル成長させた場合に、結晶片１０とバインダー２０との界面部分で異常成長等の不都合が発生することを軽減できる。例えば、成長の過程で凹部内に多結晶が形成されたとしても、多結晶が凸部よりも上方に突出することが抑制される。結果、デバイス作製時のリソグラフィー工程などへの影響が軽減される。また、凹部を挟んで互いに隣接する２つの凸部各々から成長した結晶どうしが、互いの間の凹部から成長した結晶に覆い被さる状態で互いに接合する。結果、凸部から成長した結晶が凹部から成長した結晶に覆い被さる状態となる。このため、凹部から成長した結晶が成長面に現れる不都合を軽減できる。すなわち、多結晶のIII族窒化物半導体（バインダー２０）から成長した結晶が成長面に現れる不都合を軽減できる。

また、第７の変形例の場合、本実施形態のIII族窒化物半導体基板１は、隣接する結晶片１０とバインダー２０との段差Ｄが１μｍ以上（基板厚（μｍ）−１００（μｍ））μｍ以下とすることができる。段差Ｄを１μｍ以上とすることで、上述した、凹部上の多結晶が凸部よりも突出することが抑制されたり、凸部から成長した結晶が凹部から成長した結晶に覆い被さる状態が得られやすくなる。また、段差Ｄを（基板厚−１００）μｍ以下とすることで、バインダー２０の厚さを１００μｍ以上とすることができる。結果、ハンドリング時の基板割れを防止し、デバイス作製時の基板厚みを落とす際に結晶片が分割されるのを抑制する等の効果が得られる。

＜＜第２の実施形態＞＞
図３９は、本実施形態のIII族窒化物半導体基板１の製造方法の処理の流れを示すフローチャートである。図示するように、準備工程Ｓ１０と、配置工程Ｓ２０と、形成工程Ｓ３０と、露出工程Ｓ４０とを有する。

準備工程Ｓ１０は第１の実施形態で説明した準備工程Ｓ１０と同様である。

例えば、図２３及び図２４に示すように、＋ｃ面成長したIII族窒化物半導体基板４０から、ｍ軸方向に平行かつ＋ｃ軸方向に平行な第１の切断面４１、及び、ｍ軸方向に垂直な第２の切断面４２により、III族窒化物半導体基板４０から複数の結晶片１０を切り出してもよい。第１の切断面４１及び第２の切断面４２の間隔を適切に調整することで、III族窒化物半導体基板４０の露出面４３を結晶片１０の第１の主面１１とすることができる。

配置工程Ｓ２０では、図３６に示すように、保持部材６０上に、複数の結晶片１０を横方向（図中、左右方向、及び、紙面に対して垂直な方向）に並べて配置する。この時、複数の結晶片１０各々の所定の軸方向が、当該横方向に対して垂直になるように、複数の結晶片１０を並べる。

所定の軸方向は、III族窒化物半導体基板１の成長面とする所望の面方位に応じて定まる。III族窒化物半導体基板１の成長面を＋ｃ面とする場合、所定の軸方向は＋ｃ軸方向である。III族窒化物半導体基板１の成長面をｍ面とする場合、所定の軸方向はｍ軸方向である。III族窒化物半導体基板１の成長面をａ面とする場合、所定の軸方向はａ軸方向である。III族窒化物半導体基板１の成長面を所定の半極性面とする場合、所定の軸方向は当該所定の半極性面と垂直な軸方向である

例えば、図３６に示すように結晶片１０を並べることができる。図３６における上下方向が、III族窒化物半導体基板１の厚さ方向となる。複数の結晶片１０は、上述した所定の軸方向が結晶片層の厚さ方向と平行になるように並べられている。このような配列は、例えば、図３６に示すように、複数の結晶片１０を所定角度傾けて並べて配置可能とする保持部材５０を利用することで実現してもよい。図示する保持部材５０は、結晶片１０が載置される載置面において波状の凹凸を有する。そして、この凹部に嵌まり込むように結晶片１０が配置される。凹部の側面の角度、深さ等を適切に調整することで、複数の結晶片１０を所定角度傾けて並べて配置することが可能となる。なお、図３６では隣接する結晶片１０が接していないが、隣接する結晶片１０が接していてもよい。

形成工程Ｓ３０では、複数の結晶片１０の上に、結晶片１０間の隙間に介在するようにバインダー２０を形成する。形成工程Ｓ３０の構成は、第１の実施形態と同様である。図３６に示す状態の複数の結晶片１０の上にバインダー２０を形成すると、例えば、図３７に示すような状態となる。

露出工程Ｓ４０では、結晶片層の露出面側（バインダー２０が形成された面と反対側の面）を研磨し、複数の結晶片１０から所望の面を露出させる。所望の面は、III族窒化物半導体基板１の成長面とする面である。上述の通り、複数の結晶片１０は横方向（図３７中、左右方向、及び、紙面に対して垂直な方向）に並べて配置され、上記所望の面に応じて決定される所定の軸方向が、当該横方向（複数の結晶片１０が延在する方向）に対して垂直になっている。このため、当該横方向に平行な研磨面で複数の結晶片１０を研磨すると、所望の面が露出することとなる。

例えば、図３７に示す状態が得られたのち、複数の結晶片１０、及び、バインダー２０を有する積層体を保持部材６０から取り外す。そして、結晶片１０が露出する面（図３７の下側の露出面）側から、積層体の厚さ方向に垂直な研磨面で研磨（ＣＭＰ等）していく。これにより、結晶片１０が露出する面（図３７の下側の露出面）側において、所望の面を露出させることができる。結果、図３８に示すようなIII族窒化物半導体基板１が得られる。図３６は、III族窒化物半導体基板１の断面模式図である。

なお、当該積層体の反対側の露出面（図３７の上側の面）、及び、側面をさらに研磨してもよい。

以上説明した本実施形態によれば、第１の実施形態と同様の作用効果を実現できる。すなわち、第１の実施形態と異なる製造方法により、第１の実施形態と同様な作用効果を実現したIII族窒化物半導体基板１を実現することができる。結果、製造方法のバリエーションが増える。

以下、参考形態の例を付記する。
１． 互いの間に隙間を挟んで配置された複数のIII族窒化物半導体の結晶片と、
前記隙間に介在し、複数の前記結晶片を保持するバインダーと、
を備える板状の第１の層を有し、
前記隙間は、前記第１の層の第１の主面から第２の主面に向けて幅が広がっているIII族窒化物半導体基板。
２． １に記載のIII族窒化物半導体基板において、
隣接する前記結晶片は、前記第１の主面において互いに接し、前記第２の主面において互いに接しないIII族窒化物半導体基板。
３． １に記載のIII族窒化物半導体基板において、
複数の前記結晶片は、他の前記結晶片と接しないIII族窒化物半導体基板。
４． ３に記載のIII族窒化物半導体基板において、
複数の前記結晶片は、前記第１の主面に平行な方向における方位精度が±０．５°以下であるIII族窒化物半導体基板。
５． ３又は４に記載のIII族窒化物半導体基板において、
前記第１の主面において、前記結晶片と前記バインダーとが露出し、前記結晶片が凸部に、前記バインダーが凹部になっているIII族窒化物半導体基板。
６． ５に記載のIII族窒化物半導体基板において、
隣接する前記結晶片と前記バインダーとの段差は、１μｍ以上（III族窒化物半導体基板の厚さ（μｍ）−１００（μｍ））μｍ以下であるIII族窒化物半導体基板。
７． １から６のいずれかに記載のIII族窒化物半導体基板において、
前記バインダーは、前記隙間から前記第２の主面に延在しているIII族窒化物半導体基板。
８． １から７のいずれかに記載のIII族窒化物半導体基板において、
前記第１の主面が、III族窒化物半導体結晶を成長させる成長面となるIII族窒化物半導体基板。
９． １から８のいずれかに記載のIII族窒化物半導体基板において、
前記バインダーは、多結晶のIII族窒化物半導体で構成されるIII族窒化物半導体基板。
１０． III族窒化物半導体で構成された板状の結晶片であって、側面の少なくとも一部が、主面とのなす角が９０°と異なっている複数の前記結晶片を準備する準備工程と、
載置台上に、複数の前記結晶片を、互いの間に隙間を挟んで配置する配置工程と、
前記隙間に介在し、複数の前記結晶片を保持するバインダーを形成する形成工程と、
を有し、
前記配置工程では、前記側面どうしを対向させ、前記載置台と接する接触側から露出側に向かって前記隙間の幅が広がるように前記結晶片を配置するIII族窒化物半導体基板の製造方法。

１ III族窒化物半導体基板
２ 第１の層
３ 第１の主面
４ 第２の主面
５ 第２の層
１０ 結晶片
１１ 第１の主面
１２ 第２の主面
１３ 側面
１３−１ 第１の部分
１３−２ 第２の部分
２０ バインダー
３０ 隙間
３１ 隙間
４０ III族窒化物半導体基板
４１ 第１の切断面
４２ 第２の切断面
４３ 露出面
５０ 保持部材
５１ 載置面
５２ 穴
５３ 調整部材
６０ 保持部材

Claims (9)

1. 互いの間に隙間を挟んで配置された複数のIII族窒化物半導体の結晶片と、
   多結晶のIII族窒化物半導体で構成され、前記隙間に介在し、複数の前記結晶片を保持するバインダーと、
   を備える板状の第１の層を有し、
   前記隙間は、前記第１の層の第１の主面から第２の主面に向けて幅が広がっているIII族窒化物半導体基板。
2. 請求項１に記載のIII族窒化物半導体基板において、
   隣接する前記結晶片は、前記第１の主面において互いに接し、前記第２の主面において互いに接しないIII族窒化物半導体基板。
3. 請求項１に記載のIII族窒化物半導体基板において、
   複数の前記結晶片は、他の前記結晶片と接しないIII族窒化物半導体基板。
4. 請求項３に記載のIII族窒化物半導体基板において、
   複数の前記結晶片は、前記第１の主面に平行な方向における方位精度が±０．５°以下であるIII族窒化物半導体基板。
5. 請求項３又は４に記載のIII族窒化物半導体基板において、
   前記第１の主面において、前記結晶片と前記バインダーとが露出し、前記結晶片が凸部に、前記バインダーが凹部になっているIII族窒化物半導体基板。
6. 請求項５に記載のIII族窒化物半導体基板において、
   隣接する前記結晶片と前記バインダーとの段差は、１μｍ以上（III族窒化物半導体基板の厚さ（μｍ）−１００（μｍ））μｍ以下であるIII族窒化物半導体基板。
7. 請求項１から６のいずれか１項に記載のIII族窒化物半導体基板において、
   前記バインダーは、前記隙間から前記第２の主面に延在しているIII族窒化物半導体基板。
8. 請求項１から７のいずれか１項に記載のIII族窒化物半導体基板において、
   前記第１の主面が、III族窒化物半導体結晶を成長させる成長面となるIII族窒化物半導体基板。
9. III族窒化物半導体で構成された板状の結晶片であって、側面の少なくとも一部が、主面とのなす角が９０°と異なっている複数の前記結晶片を準備する準備工程と、
   載置台上に、複数の前記結晶片を、互いの間に隙間を挟んで配置する配置工程と、
   多結晶のIII族窒化物半導体で構成され、前記隙間に介在し、複数の前記結晶片を保持するバインダーを形成する形成工程と、を有し、
   前記配置工程では、前記側面どうしを対向させ、前記載置台と接する接触側から露出側に向かって前記隙間の幅が広がるように前記結晶片を配置するIII族窒化物半導体基板の製造方法。

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