JP5218047B2 - 窒化ガリウム結晶を作製する方法および窒化ガリウムウエハ - Google Patents
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Description
本発明は、窒化ガリウム結晶を作製する方法および窒化ガリウムウエハに関する。
特許文献１には、エピタキシャル成長速度が均一であって、きれいな劈開性をもち低転位の単結晶窒化ガリウム結晶を製造する方法が記載されている。この方法では、異種結晶基板の上に多数の孤立した遮蔽部を形成し窒化ガリウムを気相成長させて遮蔽部に続く閉鎖欠陥集合領域Ｈを有する充分に厚い窒化ガリウム結晶を製造する。この後に、裏面の基板を除き研磨するか、あるいは窒化ガリウム結晶を面と平行に切り出して、厚さ１００〜５００μｍの自立した窒化ガリウム骨格基板を得る。この窒化ガリウム骨格基板から、塩化水素ガスによるドライエッチングをして閉鎖欠陥集合領域を除いて、単結晶低転位随伴領域と単結晶低転位余領域だけを含む窒化ガリウム骸骨基板を得る。この窒化ガリウム骸骨基板上に窒化ガリウムを気相成長させて閉鎖欠陥集合領域を含まない窒化ガリウム脱欠
陥集合結晶を製造する。
陥集合結晶を製造する。
特許文献２には、単結晶基板を製造する方法が記載されている。この方法では、極性Ａ、Ｂを持つ部分が混在する結晶において、極性Ｂの部分をエッチングして全部あるいは一部を除去した後に、その上に再び結晶を成長させて極性Ａの結晶によって表面を覆うか全体を極性Ａの単結晶にする。あるいは、極性Ｂの一部を除去しあるいは除去せず極性Ｂの上を異種物質で被覆した後に、さらに同じ結晶の成長を行い極性Ａの結晶によって表面を覆う。この方法による単結晶基板は、その表面において極性Ａの単結晶として、その上に電子デバイスを製造することに適している。
特許文献３には、単結晶窒化ガリウムの結晶成長方法および単結晶窒化ガリウム基板の製造方法が記載されている。この方法では、下地基板上には、規則正しくストライプマスクパターンが設けられている。この上にファセットよりなる直線状のＶ溝（谷）を形成する。Ｖ溝を維持しながら窒化ガリウムをファセット成長させてファセット面よりなるＶ溝（谷）底部に欠陥集合領域Ｈを形成する。これにより、転位が欠陥集合領域Ｈに集まり、この結果、その周囲の低欠陥単結晶領域ＺとＣ面成長領域Ｙの転位が低くなる。欠陥集合領域Ｈは閉じているので、転位を閉じ込め再び解き放つということがない。ファセットを形成し維持しながら窒化ガリウムを成長させるファセット成長法では、ファセット面からなるピット中央部から転位が広がり、面状欠陥が放射状に生成されるという欠点があった。また、どこにピットができるのか制御不可能なのでその上にデバイスを設けることができない。これらは、特許文献３に記載された方法によって改善される。
特許文献４には、単結晶窒化ガリウムの成長方法および単結晶窒化ガリウムの製造方法が記載されている。この方法では、下地基板上に規則正しく種パターンが設けられている。この上にファセットよりなるピットを形成し維持しながら窒化ガリウムをファセット成長させて、ファセット面よりなるピット底部に閉鎖欠陥集合領域Ｈを形成する。この結果、閉鎖欠陥集合領域Ｈへ転位が集まる。一方、その周囲の単結晶低転位随伴領域Ｚと単結晶低転位余領域Ｙの転位密度は低くなる。閉鎖欠陥集合領域Ｈは閉じているので、転位を閉じ込め再び解き放つということがない。
特開２００４−５９３６３号公報
特開２００４−２２１４８０号公報
特開２００３−１８３１００号公報
特開２００３−１６５７９９号公報
窒化ガリウム結晶は、３．４エレクトロンボルト（５．４×１０−１９Ｊ）のバンドギャップエネルギを有すだけでなく、高い熱伝導率を示すので、短波長半導体光デバイスやパワー電子デバイスといった半導体デバイスのための材料として注目されている。半導体デバイスのための材料として重要な品質の一つは、結晶転位が少ないことである。このため、低転位密度の窒化ガリウム結晶やその基板等の開発が進められている。
例えば特許文献３および４には、結晶の一部分に転位を集めるように窒化ガリウム結晶を成長することにより、部分的に低転位な窒化ガリウム結晶が作製されている。特許文献３および４に記載された方法による基板は、転位集中領域や反転領域を含んでいる。一方、特許文献１および２には、特許文献３および４に記載された窒化ガリウム結晶のウエハを種結晶基板として、転位集合領域や反転領域を埋め込んで窒化ガリウム結晶を成長することにより、これらの領域の影響が、成長される窒化ガリウム結晶に伝わらないようにしている。この方法により作製される窒化ガリウム結晶は、１×１０６ｃｍ−２程度の転位密度を持つ。
しかしながら、特許文献１および２に記載された転位集合領域や反転領域を含む結晶からなる種結晶基板上に窒化ガリウム結晶を成長すると、転位集合領域や反転領域を埋め込むことにより、埋め込んだ場所を起点として、転位が新たに発生してしまうことがあった。また、種結晶基板の転非位集合領域や非反転領域の結晶性のばらつきに起因して、成長された窒化ガリウム結晶の結晶性にもばらつきが生じ、このばらつきが無視できないこともある。さらに、成長させた窒化ガリウム結晶をスライスし、研磨して窒化ガリウム基板を作製する際、研磨時に窒化ガリウム結晶の割れが発生し、安定した窒化ガリウム基板の作製が困難になる時がある。
本発明は、このような事情を鑑みてなされたものであり、転位集合領域や反転領域を含む種結晶基板を用いて窒化ガリウム結晶を成長するとき、低転位密度であると共に良好な結晶性を有し、加えてスライス後の研磨にて割れが発生し難い窒化ガリウム結晶を作製する方法を提供することを目的とし、また窒化ガリウムウエハを提供することを目的とする。
本発明の一側面は、窒化ガリウム結晶を作製する方法である。この方法は、（ａ）第１の転位密度より大きな転位密度を有する複数の第１の領域と、該第１の転位密度より小さい転位密度を有する第２の領域と、前記第１の領域が現れた第１のエリアおよび前記第２の領域が現れた第２のエリアを有する主面とを含む窒化ガリウム基板を準備する工程と、（ｂ）前記第１のエリアの各々に凹部を形成して種結晶基板を作製する工程と、（ｃ）前記凹部に対応するボイドが形成されるように、前記種結晶基板上に窒化ガリウム結晶を気相成長法で成長する工程とを備える。
この方法によれば、種結晶基板上に窒化ガリウム結晶を気相成長法で成長して、凹部に対応するボイドが形成されると共に、第２の領域上に成長された窒化ガリウム結晶が一体になるので、窒化ガリウム結晶は、種結晶基板の第１のエリアではなく第２のエリア上に成長される。このため、第１の領域からの転位を引き継ぐ窒化ガリウム結晶が形成されないので、窒化ガリウム結晶の転位密度が低減される。
本発明の一側面は、窒化ガリウム結晶を作製する方法である。この方法は、（ａ）第１の転位密度より大きな転位密度を有する複数の第１の領域と、該第１の転位密度より小さい転位密度を有する第２の領域と、前記第１の領域が現れた第１のエリアおよび前記第２の領域が現れた第２のエリアを有する主面とを含む窒化ガリウム基板を準備する工程と、（ｂ）前記第１のエリアの各々に凹部を形成して種結晶基板を作製する工程と、（ｃ）前記凹部に対応するボイドが形成されるように、前記種結晶基板上に窒化ガリウム結晶を液相成長法で成長する工程とを備える。
この方法によれば、種結晶基板上に窒化ガリウム結晶を液相成長法で成長して、凹部に対応するボイドが形成されると共に、第２の領域上に成長された窒化ガリウム結晶が一体になるので、窒化ガリウム結晶は、種結晶基板の第１のエリアではなく第２のエリア上に成長される。このため、第１の領域からの転位を引き継ぐ窒化ガリウム結晶が形成されないので、窒化ガリウム結晶の転位密度が低減される。
本発明の一側面は、窒化ガリウム結晶を作製する方法である。この方法は、（ａ）第１の転位密度より大きな転位密度を有する複数の第１の領域と、該第１の転位密度より小さい転位密度を有する第２の領域と、前記第１の領域が現れた第１のエリアおよび前記第２の領域が現れた第２のエリアを有する主面とを含む窒化ガリウム基板を準備する工程と、（ｂ）前記第１のエリアの各々に凹部を形成して種結晶基板を作製する工程と、（ｃ）摂氏１１００度より高く摂氏１３００度以下の成長温度で前記種結晶基板上に窒化ガリウム結晶を気相成長法で成長する工程とを備える。
この方法によれば、種結晶基板上に窒化ガリウム結晶を気相成長法で成長して、凹部に対応するボイドが形成されると共に、第２の領域上に成長された窒化ガリウム結晶が一体になるので、窒化ガリウム結晶は、種結晶基板の第１のエリアではなく第２のエリア上に成長される。このため、第１の領域からの転位を引き継ぐ窒化ガリウム結晶が形成されないので、窒化ガリウム結晶の転位密度が低減される。また、摂氏１１００度より高い成長温度で種結晶基板上に窒化ガリウム結晶を成長することにより、第２のエリア上に成長された窒化ガリウム結晶が凹部上で一体になるときに新たに発生する転位を減少させることができ、ＸＲＤ（００４）ロッキングカーブの半値幅を小さくできることに加えて、成長した窒化ガリウム結晶をスライスした後、研磨する時の割れの発生が抑制され、研磨時の歩留が向上する効果も現れる。研磨時の割れの発生が抑制される理由は明確ではないが、摂氏１１００度より高い温度での成長で、窒化ガリウム結晶内の応力集中箇所が減少するものと推定される。また、摂氏１３００度より高い成長温度になると、種結晶基板の分解が顕著なって、種結晶基板が損傷を受けてしまう他、成長する窒化ガリウム結晶の成長速度も著しく低下する現象が現れる。成長温度を高くすることにより、窒化ガリウム結晶の生成速度が向上し、成長速度が向上すると通常考えられるが、成長温度を高くしすぎると、窒化ガリウム結晶の生成速度の向上の度合い以上に、生成した窒化ガリウム結晶の分解する速度が向上してしまい、結果、生成速度と分解速度の差として現れる成長速度が低下するものと推定される。従って、成長温度を高くしすぎるのも良くなく、摂氏１３００度以下の成長温度で成長させるのが良いのである。
本発明に係る方法では、前記成長温度は摂氏１１５０度より高いことが好ましい。また、前記成長温度は摂氏１２５０度以下であることが好ましい。この発明によれば、摂氏１１５０度より高い成長温度で種結晶基板上に窒化ガリウム結晶を成長することにより、ＸＲＤ（００４）ロッキングカーブの半値幅をより小さくできるのに加えて、成長した窒化ガリウム結晶をスライスした後、研磨する時の割れの発生がより抑制され、研磨時の歩留がより向上する効果も現れる。また、摂氏１３００度以下としても摂氏１２５０度より高い成長温度になると、種結晶基板の分解は顕著ではないがある程度進んでしまうので、長時間の長尺成長は出来ず、加えて成長する窒化ガリウム結晶の成長速度もある一定以上は大きく出来ないため、コスト的に不利になってしまう。従って、摂氏１２５０度以下で成長させるのがより良いのである。
本発明に係る方法では、前記種結晶基板の前記第２のエリアの表面粗さが算術平均粗さＲａで、１０μｍ以下であることが好ましい。この発明によれば、成長中の窒化ガリウム結晶の割れが抑制され、安定した窒化ガリウム結晶の成長が可能となる。理由は明確ではないが、種結晶基板の表面の凸凹に起因する局所的な応力の発生を防いでいるものと推定される。
本発明に係る方法では、前記種結晶基板の前記第２のエリアの表面粗さが算術平均粗さＲａで、１μｍ以下であることがより好ましい。この発明によれば、成長中の窒化ガリウム結晶の割れがより抑制され、より安定した窒化ガリウム結晶成長が可能となる。
本発明に係る方法では、前記第１の領域は窒化ガリウム単結晶からなり、前記第２の領域は窒化ガリウム単結晶からなり、前記第１の領域の窒化ガリウム単結晶の結晶軸は前記第２の領域の窒化ガリウム単結晶の結晶軸と反対向きである。
この方法によれば、種結晶基板上には、第２の領域の窒化ガリウム単結晶の結晶軸に対応した窒化ガリウム結晶が成長される。
本発明に係る方法では、前記第１のエリアには窒化ガリウム単結晶のＮ面が現れており、前記第１のエリアの各々に凹部を形成して種結晶基板を作製する前記工程では、前記凹部は、前記窒化ガリウム基板の前記主面をエッチングすることによって形成され、前記エッチングは、ＨＣｌ、Ｃｌ２、ＢＣｌ３、ＣＣｌ４の少なくともいずれかを用いて行われることができる。
この方法によれば、第１の領域の窒化ガリウム単結晶の結晶軸が第２の領域の窒化ガリウム単結晶の結晶軸と反対向きであるので、第１のエリアにおける窒化ガリウム単結晶を選択的にドライエッチングして種結晶基板を作製できる。これにより、ドライエッチングにより窒化ガリウム基板の主面に凹部が形成される。
本発明に係る方法では、前記第１のエリアには窒化ガリウム単結晶のＮ面が現れており、前記第１のエリアの各々に凹部を形成して種結晶基板を作製する前記工程では、前記凹部は、前記窒化ガリウム基板の前記主面をエッチングすることによって形成され、前記エッチングは、リン酸、硝酸および硫酸の少なくともいずれかを含む溶液を用いて行われる。
この方法によれば、第１の領域の窒化ガリウム単結晶の結晶軸が第２の領域の窒化ガリウム単結晶の結晶軸と反対向きであるので、リン酸、硝酸および硫酸の少なくともいずれかを含む溶液を用い第１のエリアにおける窒化ガリウム単結晶を選択的にウエットエッチングして、種結晶基板を作製できる。これにより、ウエットエッチングにより窒化ガリウム基板の主面に凹部が形成される。
本発明に係る方法では、前記第１のエリアには窒化ガリウム単結晶のＮ面が現れており、前記第１のエリアの各々に凹部を形成して種結晶基板を作製する前記工程では、前記凹部は、前記窒化ガリウム基板の前記主面をエッチングすることによって形成され、前記エッチングは、水酸化カリウムを含む溶液を用いて行われる。
この方法によれば、第１の領域の窒化ガリウム単結晶の結晶軸が第２の領域の窒化ガリウム単結晶の結晶軸と反対向きであるので、水酸化カリウムを含む溶液を用い第１のエリアにおける窒化ガリウム単結晶を選択的にウエットエッチングして、種結晶基板を作製できる。これにより、ウエットエッチングにより窒化ガリウム基板の主面に凹部が形成される。
また、本発明に係る方法では、前記エッチングを水酸化ナトリウムを含む溶液を用いて行うことができる。或いは、前記エッチングを水酸化カリウムおよび水酸化ナトリウムの少なくともいずれか一方を含む溶液を用いて行うことができる。これらのエッチャントによれば、第１のエリアにおける窒化ガリウム単結晶を選択的にウエットエッチングして、種結晶基板を作製できる。
さらに、本発明に係る方法では、前記エッチングを水酸化カリウムを含む融液を用いて行うことができる。または、前記エッチングを水酸化ナトリウムを含む融液を用いて行うことができる。或いは、前記エッチングを水酸化カリウムおよび水酸化ナトリウムの少なくともいずれか一方を含む融液を用いて行うことができる。これらの融液を用いることによって、その溶液より短時間で所望のエッチングを行うことができる。
本発明に係る別の側面は、窒化ガリウム結晶を作製する方法である。この方法は、（ａ）第１の転位密度より大きな転位密度を有する複数の第１の領域と、該第１の転位密度より小さい転位密度を有する第２の領域と、前記第１の領域が現れた第１のエリアおよび前記第２の領域が現れた第２のエリアを有する主面とを含む窒化ガリウム基板を準備する工程と、（ｂ）前記第１のエリアの各々を覆うようにマスクを形成して種結晶基板を作製する工程と、（ｃ）前記マスクを埋め込むように、前記種結晶基板の窒化ガリウム上に窒化ガリウムを気相成長法で成長する工程とを備える。
この方法によれば、種結晶基板の第２のエリア上に窒化ガリウム結晶を気相成長法で選択成長によりマスクを埋め込むので、第２の領域上に成長された窒化ガリウム結晶が一体になる。このため、第１の領域からの転位を引き継ぐ窒化ガリウム結晶が形成されないので、窒化ガリウム結晶の転位密度が低減される。
本発明に係る別の側面は、窒化ガリウム結晶を作製する方法である。この方法は、（ａ）第１の転位密度より大きな転位密度を有する複数の第１の領域と、該第１の転位密度より小さい転位密度を有する第２の領域と、前記第１の領域が現れた第１のエリアおよび前記第２の領域が現れた第２のエリアを有する主面とを含む窒化ガリウム基板を準備する工程と、（ｂ）前記第１のエリアの各々を覆うようにマスクを形成して種結晶基板を作製する工程と、（ｃ）前記マスクを埋め込むように、前記種結晶基板の窒化ガリウム上に窒化ガリウムを液相成長法で成長する工程とを備える。
この方法によれば、種結晶基板の第２のエリア上に窒化ガリウム結晶を液相成長法で選択成長によりマスクを埋め込むので、第２の領域上に成長された窒化ガリウム結晶が一体になる。このため、第１の領域からの転位を引き継ぐ窒化ガリウム結晶が形成されないので、窒化ガリウム結晶の転位密度が低減される。
本発明に係る別の側面は、窒化ガリウム結晶を作製する方法である。この方法は、（ａ）第１の転位密度より大きな転位密度を有する複数の第１の領域と、該第１の転位密度より小さい転位密度を有する第２の領域と、前記第１の領域が現れた第１のエリアおよび前記第２の領域が現れた第２のエリアを有する主面とを含む窒化ガリウム基板を準備する工程と、（ｂ）前記第１のエリアの各々を覆うようにマスクを形成して種結晶基板を作製する工程と、（ｃ）摂氏１１００度より高く摂氏１３００度以下の成長温度で前記種結晶基板上に窒化ガリウム結晶を気相成長法で成長して前記マスクの厚さより厚く窒化ガリウム結晶を作製する工程とを備える。
この方法によれば、種結晶基板の第２のエリア上に窒化ガリウム結晶を気相成長法で選択成長によりマスクを埋め込むので、第２の領域上に成長された窒化ガリウム結晶が一体になる。このため、第１の領域からの転位を引き継ぐ窒化ガリウム結晶が形成されないので、窒化ガリウム結晶の転位密度が低減される。また、摂氏１１００度より高い成長温度で種結晶基板上に窒化ガリウム結晶を成長することにより、第２のエリア上に成長された窒化ガリウム結晶がマスク上で一体になるときに新たに発生する転位を減少させることができ、ＸＲＤ（００４）ロッキングカーブの半値幅を小さくできることに加えて、成長した窒化ガリウム結晶をスライスした後、研磨する時の割れの発生が抑制され、研磨時の歩留が向上する効果も現れる。研磨時の割れの発生が抑制される理由は明確ではないが、摂氏１１００度より高い温度での成長で、窒化ガリウム結晶内の応力集中箇所が減少するものと推定される。また、摂氏１３００度より高い成長温度になると、種結晶基板の分解が顕著なって、種結晶基板が損傷を受けてしまう他、成長する窒化ガリウム結晶の成長速度も著しく低下する現象が現れる。成長温度を高くすることにより、窒化ガリウム結晶の生成速度が向上し、成長速度が向上すると通常考えられるが、成長温度を高くしすぎると、窒化ガリウム結晶の生成速度の向上の度合い以上に、生成した窒化ガリウム結晶の分解する速度が向上してしまい、結果、生成速度と分解速度の差として現れる成長速度が低下するものと推定される。従って、成長温度を高くしすぎるのも良くなく、摂氏１３００度以下の成長温度で成長させるのが良いのである。
本発明に係る方法では、前記成長温度は摂氏１１５０度より高く摂氏１２５０度以下であることが好ましい。
この発明によれば、摂氏１１５０度より高い成長温度で種結晶基板上に窒化ガリウム結晶を成長することにより、ＸＲＤ（００４）ロッキングカーブの半値幅をより小さくできるのに加えて、成長した窒化ガリウム結晶をスライスした後、研磨する時の割れの発生がより抑制され、研磨時の歩留がより向上する効果も現れる。また、摂氏１３００度以下としても摂氏１２５０度より高い成長温度になると、種結晶基板の分解は顕著ではないがある程度進んでしまうので、長時間の長尺成長は出来ず、加えて成長する窒化ガリウム結晶の成長速度もある一定以上は大きく出来ないため、コスト的に不利になってしまう。従って、摂氏１２５０度以下で成長させるのがより良いのである。
本発明に係る方法では、前記種結晶基板の前記第２のエリアの表面粗さが算術平均粗さＲａで、１０μｍ以下であることが好ましい。この発明によれば、成長中の窒化ガリウム結晶の割れが発生しなくなる。理由は明確ではないが、種結晶基板の表面の凸凹に起因する局所的な応力の発生を防いでいるものと推定される。
本発明に係る方法では、前記種結晶基板の前記第２のエリアの表面粗さが算術平均粗さＲａで、１μｍ以下であることがより好ましい。この発明によれば、成長中の窒化ガリウム結晶の割れがより抑制され、より安定した窒化ガリウム結晶成長が可能となる。
本発明に係る方法では、前記マスクの材料は、酸化ケイ素および窒化ケイ素の少なくともいずれかからなることが好ましい。これらの材料からなるマスクの上には窒化ガリウムが成長されることなく、第２の領域上に成長された良質の窒化ガリウムが横方向に伸びて、最終的に一体の窒化ガリウムになる。
これらの材料からなるマスクの上には窒化ガリウムが成長されることなく、第２の領域上に成長された良質の窒化ガリウムが横方向に伸びて、最終的に一体の窒化ガリウムになる。
本発明に係る方法では、前記第１の領域の各々はストライプ形状を成し、前記第２の領域は、前記第１の領域によって分離されている。或いは、本発明に係る方法では、前記第１の領域はアレイ状に配列されており、前記第１の領域の各々は、前記第２の領域によって他の第１の領域から分離されている。
本発明に係る更なる別の側面は、窒化ガリウム結晶を作製する方法である。この方法は、（ａ）第１の転位密度より大きな転位密度を有する複数の第１の領域と、該第１の転位密度より小さい転位密度を有する第２の領域と、前記第１の領域が現れた第１のエリアおよび前記第２の領域が現れた第２のエリアを有する主面とを含む窒化ガリウム基板を準備する工程と、（ｂ）前記第１のエリアの各々に凹部を形成し、さらに前記第１のエリアの凹部の各々を覆うようにマスクを形成して種結晶基板を作製する工程と、（ｃ）前記凹部に対応するボイドが形成されるように、前記種結晶基板上に窒化ガリウム結晶を液相成長法もしくは気相成長法で成長する工程とを備える。
この方法によれば、種結晶基板の第１のエリアにおいて凹部にマスクを形成して、ボイドを形成するように種結晶基板上に窒化ガリウム結晶を成長するので、第２の領域上に成長された窒化ガリウム結晶が一体になる。このため、第１の領域からの転位を引き継ぐ窒化ガリウム結晶が形成されないので、窒化ガリウム結晶の転位密度が低減される。
本発明に係る更なる別の側面は、窒化ガリウム結晶を作製する方法である。この方法は、（ａ）第１の転位密度より大きな転位密度を有する複数の第１の領域と、該第１の転位密度より小さい転位密度を有する第２の領域と、前記第１の領域が現れた第１のエリアおよび前記第２の領域が現れた第２のエリアを有する主面とを含む窒化ガリウム基板を準備する工程と、（ｂ）前記第１のエリアの各々に凹部を形成し、さらに前記第１のエリアの凹部の各々を覆うようにマスクを形成して種結晶基板を作製する工程と、（ｃ）摂氏１１００度より高く摂氏１３００度以下の成長温度で前記種結晶基板上に窒化ガリウム結晶を気相成長法で成長する工程とを備える。
この方法によれば、種結晶基板の第１のエリアにおいて凹部にマスクを形成して、ボイドを形成するように種結晶基板上に窒化ガリウム結晶を成長するので、第２の領域上に成長された窒化ガリウム結晶が一体になる。このため、第１の領域からの転位を引き継ぐ窒化ガリウム結晶が形成されないので、窒化ガリウム結晶の転位密度が低減される。また、摂氏１１００度より高い成長温度で種結晶基板上に窒化ガリウム結晶を成長することにより、第２のエリア上に成長された窒化ガリウム結晶がマスク上で一体になるときに新たに発生する転位を減少させることができ、ＸＲＤ（００４）ロッキングカーブの半値幅を小さくできることに加えて、成長した窒化ガリウム結晶をスライスした後、研磨する時の割れの発生が抑制され、研磨時の歩留が向上する効果も現れる。研磨時の割れの発生が抑制される理由は明確ではないが、摂氏１１００度より高い温度での成長で、窒化ガリウム結晶内の応力集中箇所が減少するものと推定される。また、摂氏１３００度より高い成長温度になると、種結晶基板の分解が顕著なって、種結晶基板が損傷を受けてしまう他、成長する窒化ガリウム結晶の成長速度も著しく低下する現象が現れる。成長温度を高くすることにより、窒化ガリウム結晶の生成速度が向上し、成長速度が向上すると通常考えられるが、成長温度を高くしすぎると、窒化ガリウム結晶の生成速度の向上の度合い以上に、生成した窒化ガリウム結晶の分解する速度が向上してしまい、結果、生成速度と分解速度の差として現れる成長速度が低下するものと推定される。従って、成長温度を高くしすぎるのも良くなく、摂氏１３００度以下の成長温度で成長させるのが良いのである。
第１のエリアに凹部およびマスクの両方を形成して作製された種結晶基板では、２００μｍ／ｈ以上の成長速度の成長条件でも第１のエリアを引き継ぐ窒化ガリウム結晶成長がない。一方、第１のエリアに凹部を形成して作製された種結晶基板、第１のエリアにマスクを形成して作製された種結晶基板、並びに第１のエリアに凹部およびマスクのいずれも形成せずに作製された種結晶基板上に窒化ガリウム結晶を２００μｍ／ｈ以上の成長速度の成長条件で成長するとき、第１のエリアからの影響が結晶成長に生じ得る。このため、これらの種結晶基板への窒化ガリウム結晶成長と比較して、凹部およびマスクの両方を有する種結晶基板を用いる成長は、コスト的に有利である。
本発明に係る方法では、前記成長温度は摂氏１１５０度より高く摂氏１２５０度以下であることが好ましい。この発明によれば、摂氏１１５０度より高い成長温度で種結晶基板上に窒化ガリウム結晶を成長することにより、ＸＲＤ（００４）ロッキングカーブの半値幅をより小さくできるのに加えて、成長した窒化ガリウム結晶をスライスした後、研磨する時の割れの発生がより抑制され、研磨時の歩留がより向上する効果も現れる。また、摂氏１３００度以下としても摂氏１２５０度より高い成長温度になると、種結晶基板の分解は顕著ではないがある程度進んでしまうので、長時間の長尺成長は出来ず、加えて成長する窒化ガリウム結晶の成長速度もある一定以上は大きく出来ないため、コスト的に不利になってしまう。従って、摂氏１２５０度以下で成長させるのがより良いのである。
本発明に係る方法では、前記種結晶基板の前記第２のエリアの表面粗さが算術平均粗さＲａで、１０μｍ以下であることが好ましい。この発明によれば、成長中の窒化ガリウム結晶の割れが発生しなくなる。理由は明確ではないが、種結晶基板の表面の凸凹に起因する局所的な応力の発生を防いでいるものと推定される。
また、本発明に係る方法では、前記種結晶基板の前記第２のエリアの表面粗さが算術平均粗さＲａで、１μｍ以下であることが好ましい。この発明によれば、成長中の窒化ガリウム結晶の割れがより抑制され、より安定した窒化ガリウム結晶成長が可能となる。
また、本発明に係る方法では、前記種結晶基板の前記第２のエリアの表面粗さが算術平均粗さＲａで、１μｍ以下であることが好ましい。この発明によれば、成長中の窒化ガリウム結晶の割れがより抑制され、より安定した窒化ガリウム結晶成長が可能となる。
本発明に係る方法では、前記第１の領域は窒化ガリウム単結晶からなり、前記第２の領域は窒化ガリウム単結晶からなり、前記第１の領域の窒化ガリウム単結晶の結晶軸は、前記第２の領域の窒化ガリウム単結晶の結晶軸と反対向きであることができる。
本発明に係る方法では、前記第１のエリアには窒化ガリウム単結晶のＮ面が現れており、前記第１のエリアの各々に凹部を形成し、さらに前記第１のエリアの凹部の各々を覆うようにマスクを形成して種結晶基板を作製する工程では、前記凹部は、前記窒化ガリウム基板の前記主面をエッチングすることによって形成され、前記エッチングは、ＨＣｌ、Ｃｌ２、ＢＣｌ３、ＣＣｌ４の少なくともいずれかを用いて行われることが好ましい。また、本発明に係る方法では、前記第１のエリアには窒化ガリウム単結晶のＮ面が現れており、前記第１のエリアの各々に凹部を形成し、さらに前記第１のエリアの凹部の各々を覆うようにマスクを形成して種結晶基板を作製する工程では、前記凹部は、前記窒化ガリウム基板の前記主面をエッチングすることによって形成され、前記エッチングは、リン酸、硝酸および硫酸の少なくともいずれかを含む溶液を用いて行われることが好ましい。さらに、本発明に係る方法では、前記第１のエリアには窒化ガリウム単結晶のＮ面が現れており、前記第１のエリアの各々に凹部を形成し、さらに前記第１のエリアの凹部の各々を覆うようにマスクを形成して種結晶基板を作製する工程では、前記凹部は、前記窒化ガリウム基板の前記主面をエッチングすることによって形成され、前記エッチングは、水酸化カリウムおよび水酸化ナトリウムの少なくとも一方を含む溶液を用いて行われることが好ましい。加えて、本発明に係る方法では、前記第１のエリアには窒化ガリウム単結晶のＮ面が現れており、前記第１のエリアの各々に凹部を形成し、さらに前記第１のエリアの凹部の各々を覆うようにマスクを形成して種結晶基板を作製する工程では、前記凹部は、前記窒化ガリウム基板の前記主面をエッチングすることによって形成され、前記エッチングは、水酸化カリウムおよび水酸化ナトリウムの少なくとも一方を含む融液を用いて行われる。これらの溶液および融液によれば、Ｎ面を選択的にエッチングできる。
本発明に係る方法では、前記マスクの材料は、酸化ケイ素および窒化ケイ素の少なくともいずれかからなることが好ましい。これらの材料からなるマスクの上には窒化ガリウムが成長されることなく、第２の領域上に成長された良質の窒化ガリウムが横方向に伸びて、最終的に一体の窒化ガリウムになる。
本発明に係る別の側面は、窒化ガリウム結晶を作製する方法である。この方法は、（ａ）第１の転位密度より大きな転位密度を有する複数の第１の領域と、該第１の転位密度より小さい転位密度を有する第２の領域と、前記第１の領域が現れた第１のエリアおよび前記第２の領域が現れた第２のエリアを有する主面とを含む窒化ガリウム基板を準備する工程と、（ｂ）前記窒化ガリウム基板を種結晶基板として、前記第１のエリアに凹部またはマスクを形成することなしに摂氏１１００度より高く摂氏１３００度以下の成長温度で前記種結晶基板上に窒化ガリウム結晶を気相成長法で成長する工程とを備える。
この方法によれば、摂氏１１００度より高い成長温度で種結晶基板上に窒化ガリウム結晶を成長することにより、横方向の成長が促進されて、第１の領域から転位を引き継ぐ割合を小さくでき、横方向成長した窒化ガリウム結晶が一体になるときの新たな転位の発生も抑制できる。また、種結晶基板に凹部またはマスクの形成を施す必要がないことから、これらの表面加工工程を省くことができることに加えて、これらの種結晶基板の表面凸凹に起因する新たな転位の発生を防ぐことができる。従って、成長する窒化ガリウム結晶の転位密度をより低減することができる。さらに、ＸＲＤ（００４）ロッキングカーブの半値幅を小さくできることに加えて、成長した窒化ガリウム結晶をスライスした後、研磨する時の割れの発生が抑制され、研磨時の歩留が向上する効果も現れる。研磨時の割れの発生が抑制される理由は明確ではないが、摂氏１１００度より高い温度での成長で、窒化ガリウム結晶内の応力集中箇所が減少するものと推定される。摂氏１３００度より高い成長温度になると、種結晶基板の分解が顕著なって、種結晶基板が損傷を受けてしまう他、成長する窒化ガリウム結晶の成長速度も著しく低下する現象が現れる。成長温度を高くすることにより、窒化ガリウム結晶の生成速度が向上し、成長速度が向上すると通常考えられるが、成長温度を高くしすぎると、窒化ガリウム結晶の生成速度の向上の度合い以上に、生成した窒化ガリウム結晶の分解する速度が向上してしまい、結果、生成速度と分解速度の差として現れる成長速度が低下するものと推定される。従って、成長温度を高くしすぎるのも良くなく、摂氏１３００度以下の成長温度で成長させるのが良いのである。
本発明に係る方法では、前記成長温度は摂氏１１５０度より高いことが好ましい。また、前記成長温度は摂氏１２５０度以下であることが好ましい。この発明によれば、摂氏１１５０度より高い成長温度で種結晶基板上に窒化ガリウム結晶を成長することにより、ＸＲＤ（００４）ロッキングカーブの半値幅をより小さくできるのに加えて、成長した窒化ガリウム結晶をスライスした後、研磨する時の割れの発生がより抑制され、研磨時の歩留がより向上する効果も現れる。また、摂氏１３００度以下としても摂氏１２５０度より高い成長温度になると、種結晶基板の分解は顕著ではないがある程度進んでしまうので、長時間の長尺成長は出来ず、加えて成長する窒化ガリウム結晶の成長速度もある一定以上は大きく出来ないため、コスト的に不利になってしまう。従って、摂氏１２５０度以下で成長させるのがより良いのである。
本発明に係る方法では、前記種結晶基板の表面粗さが算術平均粗さＲａで、１０μｍ以下であることが好ましい。この発明によれば、成長中の窒化ガリウム結晶の割れが発生しなくなる。理由は明確ではないが、種結晶基板の表面の凸凹に起因する局所的な応力の発生を防いでいるものと推定される。
本発明に係る方法では、前記種結晶基板の表面粗さが算術平均粗さＲａで、１μｍ以下であることがより好ましい。この発明によれば、成長中の窒化ガリウム結晶の割れがより抑制され、より安定した窒化ガリウム結晶成長が可能となる。
本発明に係る方法では、前記第１の領域は窒化ガリウム単結晶からなり、前記第２の領域は窒化ガリウム単結晶からなり、前記第１の領域の窒化ガリウム単結晶の結晶軸は前記第２の領域の窒化ガリウム単結晶の結晶軸と同じ向きである。
この方法によれば、種結晶基板上には、第１の領域および第２の領域の窒化ガリウム単結晶の結晶軸に対応した窒化ガリウム結晶が成長される。
本発明に係る方法では、結晶成長時において、成長表面が平面状態でなく、三次元的なファセット面からなる成長ピットおよびその複合体を持つようにし、成長ピットおよびその複合体を埋め込まないでファセット成長させることにより、成長ピットおよびその複合体に転位を集中させて、前記第１の領域を形成した窒化ガリウム基板が前記種結晶基板である。
本発明に係る方法では、結晶成長時において、規則正しいストライプマスクパターンが設けられた下地基板上に、ファセット面よりなる直線状のＶ溝を形成し維持しながらファセット成長させることにより、ファセット面よりなるＶ溝の底部に転位を集合させて、前記第１の領域を形成した窒化ガリウム基板が前記結晶基板である。
本発明が係る方法では、結晶成長時において、規則正しい種パターンが設けられた下地基板上に、ファセット面よりなるピットを形成し維持しながらファセット成長させることにより、ファセット面よりなるピットの底部に転位を集合させて、前記第１の領域を形成した窒化ガリウム基板が前記結晶基板である。
本発明に係る方法では、前記種結晶基板の厚みが１００μｍ以上の自立した窒化ガリウム基板である。
本発明に係る方法では、前記種結晶基板の表面が（０００１）面となっている窒化ガリウム基板である。
本発明に係る方法では、前記種結晶基板上に成長された前記窒化ガリウム結晶の厚さは２００μｍ以上である。この方法によれば、種結晶基板上に成長された窒化ガリウム結晶は、自立可能な窒化ガリウム基板を作製するために利用される。
本発明に係る方法は、（ｄ）前記窒化ガリウム結晶および前記種結晶基板の一体物から、分離された窒化ガリウム結晶を形成する工程と、（ｅ）前記分離された窒化ガリウム結晶から窒化ガリウムウエハを作製する工程とを更に備えることができる。
この方法によれば、分離された窒化ガリウム結晶から、自立可能な窒化ガリウム基板が得られる。
本発明に係る方法では、前記第１の領域は１０μｍ角のエリアで転位の個数が１０００個以上であることが好ましい。また、本発明に係る方法では前記第１の転位密度は１×１０８ｃｍ−２以上である。
本発明の更なる別の側面は、上記の方法によって作製された単結晶窒化ガリウムウエハであって、前記窒化ガリウムウエハの主面において転位密度値は、１×１０６ｃｍ−２以下である。また、上記の方法によって作製された単結晶窒化ガリウムウエハでは、前記窒化ガリウムウエハの主面におけるいずれの領域においても、１０μｍ角のエリアでの転位の個数が前記第１の領域より少ない。さらに、該窒化ガリウムウエハのサイズは１ｃｍ２以上である。さらにまた、上記の方法によって作製された単結晶窒化ガリウムウエハであって、前記窒化ガリウムウエハの主面における転位密度の最大値は、前記第１の転位密度より小さい。
本発明は上記の側面に限定されることなく、以下のような様々な側面を有する。これらの側面における技術的な寄与は上記の記述から理解される。本発明のまた更なる別の側面は、窒化ガリウム結晶を作製する方法である。この方法は、（ａ）窒化ガリウム単結晶からなる第１の領域と、前記第１の領域の窒化ガリウム単結晶の結晶軸と反対向きの結晶軸をもつ窒化ガリウム単結晶からなる第２の領域と、前記第１の領域が現れた第１のエリアおよび前記第２の領域が現れた第２のエリアを有する主面とを含む窒化ガリウム基板を準備する工程と、（ｂ）前記第１のエリアの各々に凹部を形成して種結晶基板を作製する工程と、（ｃ）前記凹部に対応するボイドが形成されるように、前記種結晶基板上に窒化ガリウム結晶を液相成長法もしくは気相成長法で成長する工程とを備える。
この方法によれば、種結晶基板の第１のエリアに凹部を形成して、ボイドを形成するように種結晶基板上に窒化ガリウム結晶を成長するので、第２の領域上に成長された窒化ガリウム結晶が一体になる。このため、反対向きの結晶軸を有する第１の領域を引き継がない窒化ガリウム結晶が形成されない。
本発明のまた更なる別の側面は、窒化ガリウム結晶を作製する方法である。この方法は、（ａ）窒化ガリウム単結晶からなる第１の領域と、前記第１の領域の窒化ガリウム単結晶の結晶軸と反対向きの結晶軸をもつ窒化ガリウム単結晶からなる第２の領域と、前記第１の領域が現れた第１のエリアおよび前記第２の領域が現れた第２のエリアを有する主面とを含む窒化ガリウム基板を準備する工程と、（ｂ）前記第１のエリアの各々に凹部を形成して種結晶基板を作製する工程と、（ｃ）摂氏１１００度より高く摂氏１３００度以下の成長温度で前記種結晶基板上に窒化ガリウム結晶を気相成長法で成長する工程とを備える。
この方法によれば、種結晶基板上に窒化ガリウム結晶を気相成長法で成長して、凹部に対応するボイドが形成されると共に、第２の領域上に成長された窒化ガリウム結晶が一体になるので、窒化ガリウム結晶は、種結晶基板の第１のエリアではなく第２のエリア上に成長される。このため、第１の領域からの反対向きの結晶軸を引き継ぐ窒化ガリウム結晶が形成されない。また、摂氏１１００度より高い成長温度で種結晶基板上に窒化ガリウム結晶を成長することにより、第２のエリア上に成長された窒化ガリウム結晶が凹部上で一体になるときに新たに発生する転位を減少させることができ、ＸＲＤ（００４）ロッキングカーブの半値幅を小さくできることに加えて、成長した窒化ガリウム結晶をスライスした後、研磨する時の割れの発生が抑制され、研磨時の歩留が向上する効果も現れる。研磨時の割れの発生が抑制される理由は明確ではないが、摂氏１１００度より高い温度での成長で、窒化ガリウム結晶内の応力集中箇所が減少するものと推定される。また、摂氏１３００度より高い成長温度になると、種結晶基板の分解が顕著なって、種結晶基板が損傷を受けてしまう他、成長する窒化ガリウム結晶の成長速度も著しく低下する現象が現れる。成長温度を高くすることにより、窒化ガリウム結晶の生成速度が向上し、成長速度が向上すると通常考えられるが、成長温度を高くしすぎると、窒化ガリウム結晶の生成速度の向上の度合い以上に、生成した窒化ガリウム結晶の分解する速度が向上してしまい、結果、生成速度と分解速度の差として現れる成長速度が低下するものと推定される。従って、成長温度を高くしすぎるのも良くなく、摂氏１３００度以下の成長温度で成長させるのが良いのである。
本発明に係る方法では、前記成長温度は摂氏１１５０度より高く摂氏１２５０度以下であることが好ましい。この発明によれば、摂氏１１５０度より高い成長温度で種結晶基板上に窒化ガリウム結晶を成長することにより、ＸＲＤ（００４）ロッキングカーブの半値幅をより小さくできるのに加えて、成長した窒化ガリウム結晶をスライスした後、研磨する時の割れの発生がより抑制され、研磨時の歩留がより向上する効果も現れる。また、摂氏１３００度以下としても摂氏１２５０度より高い成長温度になると、種結晶基板の分解は顕著ではないがある程度進んでしまうので、長時間の長尺成長は出来ず、加えて成長する窒化ガリウム結晶の成長速度もある一定以上は大きく出来ないため、コスト的に不利になってしまう。従って、摂氏１２５０度以下で成長させるのがより良いのである。
本発明に係る方法では、前記種結晶基板の前記第２のエリアの表面粗さが算術平均粗さＲａで、１０μｍ以下であることが好ましい。この発明によれば、成長中の窒化ガリウム結晶の割れが発生しなくなる。理由は明確ではないが、種結晶基板の表面の凸凹に起因する局所的な応力の発生を防いでいるものと推定される。また、本発明に係る方法では、前記種結晶基板の前記第２のエリアの表面粗さが算術平均粗さＲａで、１μｍ以下であることが好ましい。この発明によれば、成長中の窒化ガリウム結晶の割れがより抑制され、より安定した窒化ガリウム結晶成長が可能となる。
本発明に係る方法では、前記第１のエリアには窒化ガリウム単結晶のＮ面が現れており、前記第１のエリアの各々に凹部を形成して種結晶基板を作製する前記工程では、前記凹部は、前記窒化ガリウム基板の前記主面をエッチングすることによって形成され、前記エッチングは、ＨＣｌ、Ｃｌ２、ＢＣｌ３、ＣＣｌ４の少なくともいずれかを用いて行われることが好ましい。また、本発明に係る方法では、前記第１のエリアには窒化ガリウム単結晶のＮ面が現れており、前記第１のエリアの各々に凹部を形成して種結晶基板を作製する前記工程では、前記凹部は、前記窒化ガリウム基板の前記主面をエッチングすることによって形成され、前記エッチングは、リン酸、硝酸および硫酸の少なくともいずれかを含む溶液を用いて行われることが好ましい。さらに、本発明に係る方法では、前記第１のエリアには窒化ガリウム単結晶のＮ面が現れており、前記第１のエリアの各々に凹部を形成して種結晶基板を作製する前記工程では、前記凹部は、前記窒化ガリウム基板の前記主面をエッチングすることによって形成され、前記エッチングは、水酸化カリウムおよび水酸化ナトリウムの少なくとも一方を含む溶液を用いて行われることが好ましい。さらに、本発明に係る方法では、前記第１のエリアには窒化ガリウム単結晶のＮ面が現れており、前記第１のエリアの各々に凹部を形成して種結晶基板を作製する前記工程では、前記凹部は、前記窒化ガリウム基板の前記主面をエッチングすることによって形成され、前記エッチングは、水酸化カリウムおよび水酸化ナトリウムの少なくとも一方を含む融液を用いて行われることが好ましい。これらの溶液および融液によれば、Ｎ面を選択的にエッチングできる。
本発明に係る方法は、窒化ガリウム結晶を作製する方法である。この方法は、（ａ）窒化ガリウム単結晶からなる第１の領域と、前記第１の領域の窒化ガリウム単結晶の結晶軸と反対向きの結晶軸をもつ窒化ガリウム単結晶からなる第２の領域と、前記第１の領域が現れた第１のエリアおよび前記第２の領域が現れた第２のエリアを有する主面とを含む窒化ガリウム基板を準備する工程と、（ｂ）前記第１のエリアの各々を覆うようにマスクを形成して種結晶基板を作製する工程と、（ｃ）前記マスクを埋め込むように、前記種結晶基板上に窒化ガリウムを液相成長法もしくは気相成長法で成長する工程とを備える。
この方法によれば、、マスクを埋め込むように窒化ガリウム結晶を種結晶基板上に成長する。第２の領域上に成長された窒化ガリウム結晶が一体になるので、窒化ガリウム結晶は、種結晶基板の第１のエリアではなく第２のエリア上に成長される。このため、第１の領域からの反対向きの結晶軸を引き継ぐ窒化ガリウム結晶が形成されない。
本発明に係る方法は、窒化ガリウム結晶を作製する方法である。この方法は、（ａ）窒化ガリウム単結晶からなる第１の領域と、前記第１の領域の窒化ガリウム単結晶の結晶軸と反対向きの結晶軸をもつ窒化ガリウム単結晶からなる第２の領域と、前記第１の領域が現れた第１のエリアおよび前記第２の領域が現れた第２のエリアを有する主面とを含む窒化ガリウム基板を準備する工程と、（ｂ）前記第１のエリアの各々を覆うようにマスクを形成して種結晶基板を作製する工程と、（ｃ）摂氏１１００度より高く摂氏１３００度以下の成長温度で前記種結晶基板上に窒化ガリウム結晶を気相成長法で成長して前記マスクの厚さより厚く窒化ガリウム結晶を作製する工程とを備える。
本発明に係る方法は、前記成長温度は摂氏１１５０度より高く摂氏１２５０度以下であることが好ましい。この発明によれば、摂氏１１５０度より高い成長温度で種結晶基板上に窒化ガリウム結晶を成長することにより、ＸＲＤ（００４）ロッキングカーブの半値幅をより小さくできるのに加えて、成長した窒化ガリウム結晶をスライスした後、研磨する時の割れの発生がより抑制され、研磨時の歩留がより向上する効果も現れる。また、摂氏１３００度以下としても摂氏１２５０度より高い成長温度になると、種結晶基板の分解は顕著ではないがある程度進んでしまうので、長時間の長尺成長は出来ず、加えて成長する窒化ガリウム結晶の成長速度もある一定以上は大きく出来ないため、コスト的に不利になってしまう。従って、摂氏１２５０度以下で成長させるのがより良いのである。
本発明に係る方法では、前記種結晶基板の前記第２のエリアの表面粗さが算術平均粗さＲａで、１０μｍ以下であることが好ましい。この発明によれば、成長中の窒化ガリウム結晶の割れが発生しなくなる。理由は明確ではないが、種結晶基板の表面の凸凹に起因する局所的な応力の発生を防いでいるものと推定される。また、本発明に係る方法では、前記種結晶基板の前記第２のエリアの表面粗さが算術平均粗さＲａで、１μｍ以下であることが好ましい。この発明によれば、成長中の窒化ガリウム結晶の割れがより抑制され、より安定した窒化ガリウム結晶成長が可能となる。さらに、本発明に係る方法では、前記マスクの材料は、酸化ケイ素および窒化ケイ素の少なくともいずれかからなることが好ましい。これらの材料からなるマスクの上には窒化ガリウムが成長されることなく、第２の領域上に成長された良質の窒化ガリウムが横方向に伸びて、最終的に一体の窒化ガリウムになる。さらにまた、本発明に係る方法では、前記第１の領域の各々はストライプ形状を成し、前記第２の領域は前記第１の領域によって分離されていることが好ましい。加えて、本発明に係る方法では、前記第１の領域はアレイ状に配列されており、前記第１の領域の各々は、前記第２の領域によって他の第１の領域から分離されていることが好ましい。
本発明に係る方法は、窒化ガリウム結晶を作製する方法である。この方法は、（ａ）窒化ガリウム単結晶からなる第１の領域と、前記第１の領域の窒化ガリウム単結晶の結晶軸と反対向きの結晶軸をもつ窒化ガリウム単結晶からなる第２の領域と、前記第１の領域が現れた第１のエリアおよび前記第２の領域が現れた第２のエリアを有する主面とを含む窒化ガリウム基板を準備する工程と、前記第１のエリアの各々に凹部を形成し、さらに前記第１のエリアの凹部の各々を覆うようにマスクを形成して種結晶基板を作製する工程と、（ｂ）前記凹部に対応するボイドが形成されるように、前記種結晶基板上に窒化ガリウム結晶を液相成長法もしくは気相成長法で成長する工程とを備える。
この方法によれば、種結晶基板上に窒化ガリウム結晶を成長して、凹部に対応するボイドが形成されると共に、第２の領域上に成長された窒化ガリウム結晶が一体になるので、窒化ガリウム結晶は、種結晶基板の第１のエリアではなく第２のエリア上に成長される。このため、第１の領域からの反対向きの結晶軸を引き継ぐ窒化ガリウム結晶が形成されないので、窒化ガリウム結晶の転位密度が低減される。
本発明に係る方法は、窒化ガリウム結晶を作製する方法である。この方法は、（ａ）窒化ガリウム単結晶からなる第１の領域と、前記第１の領域の窒化ガリウム単結晶の結晶軸と反対向きの結晶軸をもつ窒化ガリウム単結晶からなる第２の領域と、前記第１の領域が現れた第１のエリアおよび前記第２の領域が現れた第２のエリアを有する主面とを含む窒化ガリウム基板を準備する工程と、（ｂ）前記第１のエリアの各々に凹部を形成し、さらに前記第１のエリアの凹部の各々を覆うようにマスクを形成して種結晶基板を作製する工程と、（ｃ）摂氏１１００度より高く摂氏１３００度以下の成長温度で前記種結晶基板上に窒化ガリウム結晶を気相成長法で成長する工程とを備える。
この方法によれば、種結晶基板上に窒化ガリウム結晶を気相成長法で成長して、凹部に対応するボイドが形成されると共に、第２の領域上に成長された窒化ガリウム結晶が一体になるので、窒化ガリウム結晶は、種結晶基板の第１のエリアではなく第２のエリア上に成長される。このため、第１の領域からの反対向きの結晶軸を引き継ぐ窒化ガリウム結晶が形成されないので、窒化ガリウム結晶の転位密度が低減される。また、摂氏１１００度より高い成長温度で種結晶基板上に窒化ガリウム結晶を成長することにより、第２のエリア上に成長された窒化ガリウム結晶が凹部上で一体になるときに新たに発生する転位を減少させることができ、ＸＲＤ（００４）ロッキングカーブの半値幅を小さくできることに加えて、成長した窒化ガリウム結晶をスライスした後、研磨する時の割れの発生が抑制され、研磨時の歩留が向上する効果も現れる。研磨時の割れの発生が抑制される理由は明確ではないが、摂氏１１００度より高い温度での成長で、窒化ガリウム結晶内の応力集中箇所が減少するものと推定される。また、摂氏１３００度より高い成長温度になると、種結晶基板の分解が顕著なって、種結晶基板が損傷を受けてしまう他、成長する窒化ガリウム結晶の成長速度も著しく低下する現象が現れる。成長温度を高くすることにより、窒化ガリウム結晶の生成速度が向上し、成長速度が向上すると通常考えられるが、成長温度を高くしすぎると、窒化ガリウム結晶の生成速度の向上の度合い以上に、生成した窒化ガリウム結晶の分解する速度が向上してしまい、結果、生成速度と分解速度の差として現れる成長速度が低下するものと推定される。従って、成長温度を高くしすぎるのも良くなく、摂氏１３００度以下の成長温度で成長させるのが良いのである。
本発明に係る方法では、前記成長温度は摂氏１１５０度より高く摂氏１２５０度以下であることが好ましい。この発明によれば、摂氏１１５０度より高い成長温度で種結晶基板上に窒化ガリウム結晶を成長することにより、ＸＲＤ（００４）ロッキングカーブの半値幅をより小さくできるのに加えて、成長した窒化ガリウム結晶をスライスした後、研磨する時の割れの発生がより抑制され、研磨時の歩留がより向上する効果も現れる。また、摂氏１３００度以下としても摂氏１２５０度より高い成長温度になると、種結晶基板の分解は顕著ではないがある程度進んでしまうので、長時間の長尺成長は出来ず、加えて成長する窒化ガリウム結晶の成長速度もある一定以上は大きく出来ないため、コスト的に不利になってしまう。従って、摂氏１２５０度以下で成長させるのがより良いのである。
本発明に係る方法では、前記種結晶基板の前記第２のエリアの表面粗さが算術平均粗さＲａで、１０μｍ以下であることが好ましい。この発明によれば、成長中の窒化ガリウム結晶の割れが発生しなくなる。理由は明確ではないが、種結晶基板の表面の凸凹に起因する局所的な応力の発生を防いでいるものと推定される。
また、本発明に係る方法では、前記種結晶基板の前記第２のエリアの表面粗さが算術平均粗さＲａで、１μｍ以下であることが好ましい。この発明によれば、成長中の窒化ガリウム結晶の割れがより抑制され、より安定した窒化ガリウム結晶成長が可能となる。
また、本発明に係る方法では、前記種結晶基板の前記第２のエリアの表面粗さが算術平均粗さＲａで、１μｍ以下であることが好ましい。この発明によれば、成長中の窒化ガリウム結晶の割れがより抑制され、より安定した窒化ガリウム結晶成長が可能となる。
本発明に係る方法では、前記第１のエリアには窒化ガリウム単結晶のＮ面が現れており、前記第１のエリアの各々に凹部を形成し、さらに前記第１のエリアの凹部の各々を覆うようにマスクを形成して種結晶基板を作製する工程では、前記凹部は、前記窒化ガリウム基板の前記主面をエッチングすることによって形成され、前記エッチングは、ＨＣｌ、Ｃｌ２、ＢＣｌ３、ＣＣｌ４の少なくともいずれかを用いて行われることが好ましい。また、本発明に係る方法では、前記第１のエリアには窒化ガリウム単結晶のＮ面が現れており、前記第１のエリアの各々に凹部を形成し、さらに前記第１のエリアの凹部の各々を覆うようにマスクを形成して種結晶基板を作製する工程では、前記凹部は、前記窒化ガリウム基板の前記主面をエッチングすることによって形成され、前記エッチングは、リン酸、硝酸および硫酸の少なくともいずれかを含む溶液を用いて行われることが好ましい。また、本発明に係る方法では、前記第１のエリアには窒化ガリウム単結晶のＮ面が現れており、前記第１のエリアの各々に凹部を形成し、さらに前記第１のエリアの凹部の各々を覆うようにマスクを形成して種結晶基板を作製する工程では、前記凹部は、前記窒化ガリウム基板の前記主面をエッチングすることによって形成され、前記エッチングは、水酸化カリウムおよび水酸化ナトリウムの少なくとも一方を含む溶液を用いて行われることが好ましい。さらに、本発明に係る方法では、前記第１のエリアには窒化ガリウム単結晶のＮ面が現れており、前記第１のエリアの各々に凹部を形成し、さらに前記第１のエリアの凹部の各々を覆うようにマスクを形成して種結晶基板を作製する工程では、前記凹部は、前記窒化ガリウム基板の前記主面をエッチングすることによって形成され、前記エッチングは、水酸化カリウムおよび水酸化ナトリウムの少なくとも一方を含む融液を用いて行われることが好ましい。これらの溶液および融液によれば、Ｎ面を選択的にエッチングできる。
本発明に係る方法では、前記マスクの材料は、酸化ケイ素および窒化ケイ素の少なくともいずれかからなることが好ましい。これらの材料からなるマスクの上には窒化ガリウムが成長されることなく、第２の領域上に成長された良質の窒化ガリウムが横方向に伸びて、最終的に一体の窒化ガリウムになる。
本発明に係る方法では、前項種結晶基板の厚みが１００μｍ以上の自立した窒化ガリウム基板であることが好ましい。また、本発明に係る方法では、前記種結晶基板の表面が（０００１）面であることが好ましい。またさらに、本発明に係る方法では、前記種結晶基板上に成長された前記窒化ガリウム結晶の厚さは２００μｍ以上であることが好ましい。また、本発明に係る方法は、前記窒化ガリウム結晶および前記種結晶基板の一体物から前記窒化ガリウム結晶を分離する工程と、前記分離された窒化ガリウム結晶から、窒化ガリウム単結晶ウエハを形成する工程とを更に備えることができる。
本発明に係る窒化ガリウムウェハは、上記の方法によって作製された単結晶窒化ガリウムウエハであって、前記窒化ガリウムウエハのいずれの領域においても、窒化ガリウム単結晶の結晶軸が同じ方向となっている。また、本発明に係る窒化ガリウムウェハは、前記窒化ガリウムウエハのサイズは１ｃｍ２以上である。
本発明の上記の目的および他の目的、特徴、並びに利点は、添付図面を参照して進められる本発明の好適な実施の形態の以下の詳細な記述から、より容易に明らかになる。
以上説明したように、本発明によれば、転位集合領域や反転領域を含む種結晶基板を用いて窒化ガリウム結晶を成長するとき、低転位密度であると共に良好な結晶性を有し、加えてスライス後の研磨にて割れが発生し難い窒化ガリウム結晶を作製する方法が提供され、また窒化ガリウムウエハが提供される。
１００ａ、１００ｂ、１００ｃ…工程フロー、１１…窒化ガリウム基板、１３…窒化ガリウム基板主面、１５…窒化ガリウム基板裏面、１１ａ…窒化ガリウム基板、１７ａ…第１の領域、１９ａ…第２の領域、１５ａ…窒化ガリウム基板裏面、１３ａ…窒化ガリウム基板主面、２１ａ…第１のエリア、２３ａ…第２のエリア、１１ｂ…窒化ガリウム基板、１３ｂ…窒化ガリウム基板主面、１５ｂ…窒化ガリウム基板裏面、１７ｂ…第１の領域、１９ｂ…第２の領域、２１ｂ…第１のエリア、２３ｂ…第２のエリア、２５…凹部、２７…種結晶基板、２５ａ…凹部底面、２５ｂ、２５ｃ…凹部側面、Ｗ１…凹部開口幅、Ｄ１…凹部深さ、Ｄ１／Ｗ１…凹部アスペクト比、２９…窒化ガリウム結晶、３１…ボイド、Ｈ１…窒化ガリウム結晶厚、ＴＧ…成長温度、Ｓ１０１〜Ｓ１０８…工程、Ｗａｆｅｒ…窒化ガリウムウエハ、４１…成長炉、４３…成長室、４５…反応管、４７…支持台、４９ａ…第１のライン、４９ｂ…第２のライン、５３…ガスユニット、５１…ボート、５５…加熱装置、５７…種結晶基板、５８…マスク、Ｗ２…第１のエリア幅、Ｗ３…マスク幅、Ｄ２…マスク厚、Ｈ２…窒化ガリウム結晶厚、５９…窒化ガリウム結晶、６３…分離された窒化ガリウム結晶、７７…種結晶基板、７９…窒化ガリウム結晶、８３…分離された窒化ガリウム結晶
本発明の知見は、例示として示された添付図面を参照して以下の詳細な記述を考慮することによって容易に理解できる。引き続いて、添付図面を参照しながら、本発明の窒化ガリウム結晶を作製する方法および窒化ガリウムウエハに係る実施の形態を説明する。可能な場合には、同一の部分には同一の符号を付する。
（第１の実施の形態）
図１を参照しながら、本実施の形態に係る窒化ガリウム結晶を作製する方法を説明する。図１には、工程フロー１００ａが示されている。図２の（Ａ）部は窒化ガリウム基板を示す図面である。工程Ｓ１０１では、窒化ガリウム基板１１を準備する。図２の（Ａ）部に示されるように、窒化ガリウム基板１１は、主面１３および裏面１５を有する。図２の（Ｂ）部は、図２の（Ａ）部に示されたＢＯＸによって指定された窒化ガリウム基板の構造の一例を示す断面図である。図２の（Ｃ）部は、図２の（Ａ）部に示されたＢＯＸによって指定された窒化ガリウム基板の構造の別の例を示す断面図である。図２の（Ｂ）部および図２の（Ｃ）部には直交座標系Ｓが示されている。
図１を参照しながら、本実施の形態に係る窒化ガリウム結晶を作製する方法を説明する。図１には、工程フロー１００ａが示されている。図２の（Ａ）部は窒化ガリウム基板を示す図面である。工程Ｓ１０１では、窒化ガリウム基板１１を準備する。図２の（Ａ）部に示されるように、窒化ガリウム基板１１は、主面１３および裏面１５を有する。図２の（Ｂ）部は、図２の（Ａ）部に示されたＢＯＸによって指定された窒化ガリウム基板の構造の一例を示す断面図である。図２の（Ｃ）部は、図２の（Ａ）部に示されたＢＯＸによって指定された窒化ガリウム基板の構造の別の例を示す断面図である。図２の（Ｂ）部および図２の（Ｃ）部には直交座標系Ｓが示されている。
図２の（Ｂ）部を参照すると、窒化ガリウム基板１１ａが示されている。窒化ガリウム基板１１ａは、所定の転位密度より大きな転位密度を有する複数の第１の領域１７ａと、該所定の転位密度より小さい転位密度を有する第２の領域１９ａとを含む。この所定の転位密度は例えば８×１０７ｃｍ−２である。第１の領域１７ａは転位集中領域とも呼ばれる。第１の領域１７ａの各々は、窒化ガリウム基板１１ａの裏面１５ａから主面１３ａの一方から他方に向かう方向に伸びており、例えばＸＹ面に沿って伸びている。第１の領域１７ａの各々は、Ｙ方向にストライプ状に伸びている。第２の領域１９ａの各々は、第１の領域１７ａによって隔てられている。第１の領域１７ａおよび第２の領域１９ａはＺ軸の方向に交互に配列されている。また、窒化ガリウム基板１１ａの主面１３ａは、第１の領域１７ａが現れた第１のエリア２１ａおよび第２の領域１９ａが現れた第２のエリア２３ａを有する。第１のエリア２１ａおよび第２のエリア２３ａはＺ軸の方向に交互に配列されている。好ましくは、第１のエリア２１ａおよび第２のエリア２３ａは周期的に配置されている。
図２の（Ｃ）部を参照すると、窒化ガリウム基板１１ｂが示されている。窒化ガリウム基板１１ｂは、所定の転位密度より大きな転位密度を有する複数の第１の領域１７ｂと、該所定の転位密度より小さい転位密度を有する第２の領域１９ｂとを含む。この所定の転位密度は例えば８×１０７ｃｍ−２である。第１の領域１７ｂの各々は、窒化ガリウム基板１１ｂの裏面１５ｂから主面１３ｂの一方から他方に向かう方向に伸びており、例えばＸ軸の方向に伸びている。第１の領域１７ｂは、Ｙ軸の方向に、例えば周期的に配列されている。また、第１の領域１７ｂは、Ｚ軸の方向に、例えば周期的に配列されている。第１の領域１７ｂは、単一の第２の領域１９ｂによって囲まれている。また、窒化ガリウム基板１１ｂの主面１３ｂは、第１の領域１７ｂが現れた第１のエリア２１ｂおよび第２の領域１９ｂが現れた第２のエリア２３ｂを有する。第１のエリア２１ｂはＺ軸の方向に交互に配列されている。
図２の（Ｂ）部および（Ｃ）部は、窒化ガリウム基板の構造を例示的に示すものであり、本実施の形態に適用される窒化ガリウム基板の構造はこれらの図面に示された特定の構成に限定されるものではない。
また、一例の窒化ガリウム基板では、第１の領域１７ａ（１７ｂ）は窒化ガリウム単結晶からなり、第２の領域１９ａ（１９ｂ）は窒化ガリウム単結晶からなることができる。第１の領域１７ａ（１７ｂ）の窒化ガリウム単結晶の結晶軸は第２の領域１９ａ（１９ｂ）の窒化ガリウム単結晶の結晶軸と反対向きである。
図３の（Ａ）部は、図２の（Ｂ）部に示されたI−I線に沿ってとられた断面を示す図面である。図２の（Ｃ）部に示されたII−II線に沿ってとられた断面は、図２の（Ｂ）部に示されたI−I線に沿ってとられた断面に対応している。引き続く説明では、図２の（Ｂ）部に示された窒化ガリウム基板を用いて進められる。図１に示される工程Ｓ１０２では、図３の（Ｂ）部に示されるように、第１のエリア２１ａの各々に凹部２５を形成して種結晶基板２７を作製する。図３の（Ｂ）部では、凹部２５は、Ｙ軸の方向に伸びており、また底面２５ａおよび側面２５ｂ、２５ｃを有する。底面２５ａは、第１の領域１７ａが露出している。側面２５ｂ、２５ｃは、第２の領域１９ａが露出している。なお、図２の（Ｃ）部に示される窒化ガリウム基板１１ｂを用いる場合には、凹部２５は、窒化ガリウム基板１１ｂの主面１３ｂにアレイ状に配列されたへこみである。これらのへこみは第１の領域１７ｂが露出した底面と、第２の領域１９ａが露出した側面とを有する。
次いで、凹部２５を形成するための例を説明する。好適な例では、窒化ガリウム基板１１ａの第１のエリア２１ａには窒化ガリウム単結晶の窒素面（Ｎ面）が現れており、また第２のエリア２３ａには窒化ガリウム単結晶のガリウム面（Ｇａ面）が現れている。第１の領域は反転領域とも呼ばれる。
第１の形成方法では、凹部２５は、窒化ガリウム基板１１ａの主面１３ａをドライエッチングすることによって形成される。エッチングは、ＨＣｌ、Ｃｌ２、ＢＣｌ３、ＣＣｌ４の少なくともいずれかのガスを用いて行われる。窒化ガリウム基板１１ａの主面１３ａをエッチングガスに晒すと、エッチングガスに対するエッチング速度が第１のエリア２１ａと第２のエリア２３ａとの間で違い、この結果、凹部が形成される。この方法によれば、第１の領域１７ａの窒化ガリウム単結晶の結晶軸が第２の領域１９ａの窒化ガリウム単結晶の結晶軸と反対向きであるので、第１のエリア２１ａにおける窒化ガリウム単結晶を選択的にドライエッチングすることができる。このドライエッチングにより窒化ガリウム基板１１ａの主面１３ａに凹部２５が形成されて、種結晶基板２７が提供される。また、ドライエッチングにおける基板温度は摂氏２０度以上であることが好ましく、理由として、凹部を形成するために必要な第１のエリア２１ａでのエッチング速度を確保できるためである。また、この基板温度は摂氏９００度以下であることが好ましく、理由として摂氏９００度を越えるとエッチングによる表面へのダメージが顕著になってしまい成長させる結晶の品質に悪影響を及ぼすためである。
第２の形成方法では、凹部２５は、窒化ガリウム基板１１ａの主面１３ａを酸を用いてウエットエッチングすることによって形成される。エッチングは、リン酸、硝酸および硫酸の少なくともいずれかを含む溶液を用いて行われる。この方法によれば、第１の領域１７ａの窒化ガリウム単結晶の結晶軸が第２の領域１９ａの窒化ガリウム単結晶の結晶軸と反対向きであるので、リン酸、硝酸および硫酸の少なくともいずれかを含む溶液を用い第１のエリア２１ａにおける窒化ガリウム単結晶を選択的にウエットエッチングして、種結晶基板２７を作製できる。このウエットエッチングにより窒化ガリウム基板１１ａの主面１３ａに凹部２５が形成される。
第３の形成方法では、凹部２５は、窒化ガリウム基板１１ａの主面１３ａをアルカリを用いてウエットエッチングすることによって形成される。エッチングは、水酸化カリウムを含む溶液を用いて行われる。この方法によれば、第１の領域１７ａの窒化ガリウム単結晶の結晶軸が第２の領域１９ａの窒化ガリウム単結晶の結晶軸と反対向きであるので、水酸化カリウムを含む溶液を用い第１のエリア２１ａにおける窒化ガリウム単結晶を選択的にウエットエッチングして、種結晶基板２７を作製できる。このウエットエッチングにより窒化ガリウム基板１１ａの主面１３ａに凹部２５が形成される。
また、エッチングを水酸化ナトリウムを含む溶液を用いて行うことができる。或いは、エッチングを水酸化カリウムおよび水酸化ナトリウムの少なくともいずれか一方を含む溶液を用いて行うことができる。これらのエッチャントによれば、第１のエリア２１ａにおける窒化ガリウム単結晶を選択的にウエットエッチングして、種結晶基板２７を作製できる。
これらのエッチャントを用いたウエットエッチングによっても、窒化ガリウム基板１１ａの主面１３ａに凹部２５が形成される。
さらに、エッチングを水酸化カリウムを含む融液を用いて行うことができる。または、エッチングを水酸化ナトリウムを含む融液を用いて行うことができる。或いは、エッチングを水酸化カリウムおよび水酸化ナトリウムの少なくともいずれか一方を含む融液を用いて行うことができる。これらの融液を用いることによって、その溶液より短時間で所望のエッチングを行うことができる。
また、エッチングを水酸化ナトリウムを含む溶液を用いて行うことができる。或いは、エッチングを水酸化カリウムおよび水酸化ナトリウムの少なくともいずれか一方を含む溶液を用いて行うことができる。これらのエッチャントによれば、第１のエリア２１ａにおける窒化ガリウム単結晶を選択的にウエットエッチングして、種結晶基板２７を作製できる。
これらのエッチャントを用いたウエットエッチングによっても、窒化ガリウム基板１１ａの主面１３ａに凹部２５が形成される。
さらに、エッチングを水酸化カリウムを含む融液を用いて行うことができる。または、エッチングを水酸化ナトリウムを含む融液を用いて行うことができる。或いは、エッチングを水酸化カリウムおよび水酸化ナトリウムの少なくともいずれか一方を含む融液を用いて行うことができる。これらの融液を用いることによって、その溶液より短時間で所望のエッチングを行うことができる。
好適な実施例では、凹部２５の開口幅Ｗ１は例えば５μｍ以上２００μｍ以下である。また、凹部２５の深さＤ１は例えば１０μｍ以上である。さらに、凹部２５のアスペクト比（Ｄ１／Ｗ１）は２以上である。
図１に示された工程Ｓ１０３では、窒化ガリウム基板１１ａに凹部２５を形成した後に、図４の（Ａ）部に示されるように種結晶基板２７上に窒化ガリウム結晶２９を液相成長法もしくは気相成長法で成長する。この成長は、凹部２５に対応するボイド３１が形成されるように窒化ガリウム結晶２９を種結晶基板２７上に成長する。窒化ガリウム結晶２９は厚膜であり、窒化ガリウム結晶２９の厚さＨ１は、例えば２００μｍ以上である。この方法によれば、種結晶基板２７上に成長された窒化ガリウム結晶２９は、自立可能な窒化ガリウム基板を作製するために利用される。
この方法によれば、種結晶基板２７上に液相成長法もしくは気相成長法で窒化ガリウム結晶２９を成長すると、凹部２５に対応するボイド３１が形成されると共に、第２の領域１９ａ上に成長された窒化ガリウム結晶が一体になって窒化ガリウム結晶２９が形成される。窒化ガリウム結晶２９は、種結晶基板２７の第１のエリア２１ａではなく第２のエリア２３ａ上に成長される。このため、窒化ガリウム結晶２９は、第１の領域１７ａからの転位を引き継がないので、窒化ガリウム結晶２９の転位密度が低減される。
また、図３の（Ｂ）部の凹部２５を形成している種結晶基板２７上に気相成長法で窒化ガリウム結晶２９を成長する場合では、成長温度ＴＧが摂氏１１００度より高いことが好ましい。第２の領域１７ａ上に成長された窒化ガリウム結晶が凹部２５上で一体になるときに新たに発生する転位を減少させることができるのに加えて、第２の領域１７ａの結晶品質のばらつきの影響も小さくなり、摂氏１１００度以下ではせいぜい１００秒程度であるＸ線ロッキングカーブＸＲＤ（００４）の半値幅が、１００秒未満になる。さらに、成長した窒化ガリウム結晶２９をスライスした後、研磨する時の割れの発生が抑制され、研磨時の歩留が向上する効果も現れる。研磨時の割れの発生が抑制される理由は明確ではないが、摂氏１１００度より高い温度での成長で、窒化ガリウム結晶内の応力集中箇所が減少するものと推定される。摂氏１１００度以下では８０％程度である研磨時の歩留が、９０％以上になる。
また、図３の（Ｂ）部の凹部２５を形成している種結晶基板２７上に気相成長法で窒化ガリウム結晶２９を成長する場合では、成長温度ＴＧが摂氏１３００度以下であることが好ましい。基板温度ＴＧを高くすると、種結晶基板２７の分解が顕著となり、種結晶基板２７が損傷を受けることに加えて、成長する窒化ガリウム結晶２９の成長速度も著しく低下する現象が現れる。成長温度を高くすることにより、窒化ガリウム結晶の生成速度が向上し、成長速度が向上すると通常考えられるが、成長温度を高くしすぎると、窒化ガリウム結晶の生成速度の向上の度合い以上に、生成した窒化ガリウム結晶の分解する速度が向上してしまい、結果、生成速度と分解速度の差として現れる成長速度が低下するものと推定される。摂氏１３００度より高い場合、成長速度が１０μｍ／ｈ以下になる。従って、成長温度ＴＧが摂氏１３００度以下であれば種結晶基板２７の損傷を抑えつつ、実用的な時間で厚膜の窒化ガリウム結晶２９を得ることができる。
また、別の例では、成長温度ＴＧは摂氏１１５０度より高いことが好ましい。Ｘ線ロッキングカーブＸＲＤ（００４）の半値幅が５０秒程度まで小さくできるのに加えて、研磨時の歩留が９５％以上まで向上する。成長温度ＴＧは摂氏１２５０度以下であることが好ましい。摂氏１３００度以下としても摂氏１２５０度より高い成長温度になると、種結晶基板の分解は顕著ではないがある程度進んでしまうので、長時間の長尺成長は出来ず、加えて成長する窒化ガリウム結晶の成長速度もある一定以上は大きく出来ないため、コスト的に不利になってしまう。従って、摂氏１２５０度以下で成長させるのが好ましい。摂氏１２５０度以下であれば長時間成長が可能で、成長速度を３０μｍ／ｈ以上とできるため、より実用的な時間でより厚膜の窒化ガリウム結晶２９を得ることができる。
本実施の形態では、高温成長により転位の新たな発生を抑制し、結晶性も良好となるので、得られる窒化ガリウム結晶の結晶品質が向上される。また、同時にスライス後の研磨にて割れが発生し難い窒化ガリウム結晶が得られる。
また、第２のエリア２３ａ（２３ｂ）の表面粗さが算術平均粗さＲａで１０μｍ以下であることが好ましい。これにより種結晶基板２７の表面粗さが原因と推定される窒化ガリウム結晶２９の割れを抑制し、安定した窒化ガリウム結晶２９の成長が可能となる。
また、第２のエリア２３ａ（２３ｂ）の表面粗さが算術平均粗さＲａで１μｍ以下であることがより好ましい。これにより種結晶基板２７の表面粗さが原因と推定される窒化ガリウム結晶２９の割れをより抑制し、より安定した窒化ガリウム結晶２９の成長が可能となる。
結晶成長のために、例えばハイドライド気相エピタキシャル成長法を適用できる成長炉を用いる。図５は、以下に説明される実施例において用いられる成長炉を示す図面である。成長炉４１は、成長室４３にガスを提供する反応管４５を含む。反応管４５内には、種結晶基板を載せる支持台４７が設けられている。支持台４７には、基板を加熱するためのヒータが設けられている。基板の加熱方法としては、この支持台４７にヒータを設ける方法の他、反応管４５の外部に高周波コイルを設置し、この高周波コイルにより高周波誘導加熱にて支持台４７の温度を上昇させて基板を加熱する方法もあり、いずれでもかまわない。反応管４５内には、第１のライン４９ａおよび第２のライン４９ｂがガスユニット５３から引き込まれている。第１のライン４９ａは、塩化水素源および水素ガス源に接続されている。第１のライン４９ａは、ガリウム原料をためのボート５１に接続されている。ボート５１には、金属ガリウムが載置されている。第２のライン４９ｂは、塩化水素源、アンモニア源および水素ガス源に接続されている。反応管４５の周囲には、加熱装置５５が設けられている。
窒化ガリウム結晶を成長するとき、第１のライン４９ａからは、塩化水素および水素ガスの混合ガスが供給される。塩化水素はガリウムと反応して塩化ガリウムが生成される。反応管４５には、塩化ガリウムおよび水素の混合ガスＧ１が供給される。第２のライン４９ｂからは、アンモニアおよび水素ガスの混合ガスＧ２が供給される。反応管４５内において、これらの混合ガスから窒化ガリウム結晶が基板上に成長する。
好適な例では、この炉を用いて、凹部を形成するためのエッチングを行うことができる。このとき、第１のライン４９ａからは、水素ガスが供給される。第２のライン４９ｂからは、塩化水素および水素ガスの混合ガスが供給される。反応管４５内において、これらの混合ガスによって窒化ガリウム基板の第１の領域が選択的にエッチングされる。このエッチングに引き続いて窒化ガリウム結晶を成長する。
次いで、図１に示される工程Ｓ１０４では、窒化ガリウム結晶２９および種結晶基板２７の一体物から、分離された窒化ガリウム結晶３３を形成する。分離のためには、スライス（切断）や研削を用いることができる。この後に、図１に示される工程Ｓ１０５では、分離された窒化ガリウム結晶３３から窒化ガリウムウエハを作製する。分離された窒化ガリウム結晶３３を所定の厚さにスライスした後に、その表面を鏡面研磨する。そして、研磨によるダメージ層を除去するための処理されて、窒化ガリウムウエハが完成する。この方法によれば、分離された窒化ガリウム結晶から、自立可能な窒化ガリウムウエハが得られる。図１の（Ｂ）部は、完成された窒化ガリウムウエハを示す図面である。窒化ガリウムウエハＷａｆｅｒは、単結晶窒化ガリウムウエハであって、転位集中領域や反転領域を含まない。窒化ガリウムウエハＷａｆｅｒの主面における転位密度の最大値は、第１の転位密度より小さい。また、窒化ガリウムウエハＷａｆｅｒの主面において転位密度は、１×１０６ｃｍ−２以下である。さらに、該窒化ガリウムウエハの面積は１ｃｍ２以上である。Ｘ線ロッキングカーブ（ＸＲＤ）の半値幅が１００秒未満である。
なお、第１の領域１７ａの転位密度と第２の領域１９ａの転位密度との差が無い或いは小さい窒化ガリウム基板、例えば転位集中はしていないが反転している領域を有する窒化ガリウム基板においても、上記の実施の形態の説明における窒化ガリウム基板１１ａと同様な方法を用いることができる。これによって、反転領域を引継がなく、反転領域上での転位の発生を抑制して低転位密度の窒化ガリウム結晶および窒化ガリウム基板を作製でき、加えてスライス歩留りも良い結晶が作製可能である。
このような窒化ガリウムウエハを用いてエピタキシャル基板が作製される。エピタキシャル基板は、窒化ガリウムウエハ上に設けられた一又は複数の窒化ガリウム系半導体膜を含む。また、このような窒化ガリウムウエハは、光デバイス（発光ダイオード、レーザダイオードなど）、電子デバイス（整流器、バイポーラトランジスタ、電界効果トランジスタ、ＨＥＭＴなど）、半導体センサ（温度センサ、圧力センサ、放射線センサ、可視−紫外光検出器など）といった半導体デバイス、ＳＡＷデバイス、振動子、共振子、発振器、ＭＥＭＳ部品、圧電アクチュエータなどの基板として用いることができる。
（実施例１）
図５に示されるような、窒化ガリウム基板を局所的に加熱できる成長炉を用いて、ＨＶＰＥ法で窒化ガリウム結晶を成長する。窒化ガリウム基板は、結晶成長時において、ファセット面よりなる直線状のＶ溝を形成し維持しながらファセット成長させることにより、ファセット面よりなるＶ溝の底部に転位を集合させて形成した、周期的に配列しているストライプ状の転位集中領域と、転位集中領域によって区画された非転位集中領域とを含み、図２の（Ｂ）部示された構造を有している。転位集中領域は反転領域、非転位集中領域は非反転領域となっている。窒化ガリウム基板のサイズは２インチ、厚みは４００μｍ、主面は（０００１）面である。反応管内の支持台上に窒化ガリウム基板を載置する。基板温度を摂氏８００度にした後に、ＨＣｌガスを導入すると、窒化ガリウム基板の反転領域が選択的にエッチングされる。このエッチングの結果、種結晶基板が作製される。種結晶基板は、反転領域の配置に対応した溝を有する。その後に、基板温度を摂氏１２００度に設定する。基板温度の設定は、表面に熱電対を貼り付けた厚み１ｍｍ、サイズ２インチのアルミナ基板を支持台上に設置して、事前に温度測定を行なった結果を基に決定するもので、アルミナ基板の熱電対指示値が摂氏１２００度となったときの基板ヒータの温度条件に調整することで、基板温度摂氏１２００度設定としている。ガリウムが充填されているＧａボートを摂氏８００度に加熱すると共に、ＨＣｌガスおよびＨ２ガスを供給して塩化ガリウムを生成する。塩化ガリウムガスおよびアンモニアガスを供給して種結晶基板上に４００μｍ厚の窒化ガリウム結晶を成長する。多結晶が発生せず且つ成長速度が毎時５０μｍ以上になるように、ＨＣｌの分圧およびＮＨ３の分圧を調整する。このように作製された窒化ガリウム結晶のＸＲＤ（Ｘ線回折法）による結晶品質の分析を行うと、（００４）面のロッキングカーブの半値幅が５０秒であり、この半値幅は良好な値である。また、作製された窒化ガリウム結晶の表面を、摂氏３５０度のＫＯＨ−ＮａＯＨ混合融液でエッチングする。エッチングされた表面には転位に対応する位置にエッチピットが現れる。このエッチピットの数をカウントして転位密度を評価した。転位密度の値は５×１０５ｃｍ−２であり、低転位密度の窒化ガリウム結晶が成長されている。窒化ガリウム結晶を、水酸化カリウムを含む融液に浸漬しても、反転領域に対応する凹部が形成されることなく、反転相がない結晶が成長されている。
図５に示されるような、窒化ガリウム基板を局所的に加熱できる成長炉を用いて、ＨＶＰＥ法で窒化ガリウム結晶を成長する。窒化ガリウム基板は、結晶成長時において、ファセット面よりなる直線状のＶ溝を形成し維持しながらファセット成長させることにより、ファセット面よりなるＶ溝の底部に転位を集合させて形成した、周期的に配列しているストライプ状の転位集中領域と、転位集中領域によって区画された非転位集中領域とを含み、図２の（Ｂ）部示された構造を有している。転位集中領域は反転領域、非転位集中領域は非反転領域となっている。窒化ガリウム基板のサイズは２インチ、厚みは４００μｍ、主面は（０００１）面である。反応管内の支持台上に窒化ガリウム基板を載置する。基板温度を摂氏８００度にした後に、ＨＣｌガスを導入すると、窒化ガリウム基板の反転領域が選択的にエッチングされる。このエッチングの結果、種結晶基板が作製される。種結晶基板は、反転領域の配置に対応した溝を有する。その後に、基板温度を摂氏１２００度に設定する。基板温度の設定は、表面に熱電対を貼り付けた厚み１ｍｍ、サイズ２インチのアルミナ基板を支持台上に設置して、事前に温度測定を行なった結果を基に決定するもので、アルミナ基板の熱電対指示値が摂氏１２００度となったときの基板ヒータの温度条件に調整することで、基板温度摂氏１２００度設定としている。ガリウムが充填されているＧａボートを摂氏８００度に加熱すると共に、ＨＣｌガスおよびＨ２ガスを供給して塩化ガリウムを生成する。塩化ガリウムガスおよびアンモニアガスを供給して種結晶基板上に４００μｍ厚の窒化ガリウム結晶を成長する。多結晶が発生せず且つ成長速度が毎時５０μｍ以上になるように、ＨＣｌの分圧およびＮＨ３の分圧を調整する。このように作製された窒化ガリウム結晶のＸＲＤ（Ｘ線回折法）による結晶品質の分析を行うと、（００４）面のロッキングカーブの半値幅が５０秒であり、この半値幅は良好な値である。また、作製された窒化ガリウム結晶の表面を、摂氏３５０度のＫＯＨ−ＮａＯＨ混合融液でエッチングする。エッチングされた表面には転位に対応する位置にエッチピットが現れる。このエッチピットの数をカウントして転位密度を評価した。転位密度の値は５×１０５ｃｍ−２であり、低転位密度の窒化ガリウム結晶が成長されている。窒化ガリウム結晶を、水酸化カリウムを含む融液に浸漬しても、反転領域に対応する凹部が形成されることなく、反転相がない結晶が成長されている。
（実施例２）
成長厚みを１０ｍｍとした他は、実施例１と同様の条件で窒化ガリウム結晶を成長する。得られた窒化ガリウム結晶を、種結晶基板の表面に対して平行な方向にスライスして、鏡面研磨することにより、４００μｍ厚さの１０枚の窒化ガリウム結晶基板を作製したところ、この研磨時に１０枚いずれも割れが発生せず、研磨歩留は１００％であった。このうちの１枚を抜き取り、摂氏３５０度のＫＯＨ−ＮａＯＨ混合融液でエッチングする。エッチングされた表面には、転位に対応する位置にエッチピットが現れる。このエッチピットの数をカウントして、転位密度を評価した。転位密度の値は５×１０５ｃｍ−２であり、低転位密度の窒化ガリウム結晶が成長されている。また、窒化ガリウム結晶のＸＲＤ（Ｘ線回折法）による結晶品質の分析を行うと、（００４）面のロッキングカーブの半値幅が５０秒であり、この半値幅は良好な値である。窒化ガリウム結晶を、水酸化カリウムを含む融液に浸漬しても、反転領域に対応する凹部が形成されることなく、反転相がない結晶が成長されている。
成長厚みを１０ｍｍとした他は、実施例１と同様の条件で窒化ガリウム結晶を成長する。得られた窒化ガリウム結晶を、種結晶基板の表面に対して平行な方向にスライスして、鏡面研磨することにより、４００μｍ厚さの１０枚の窒化ガリウム結晶基板を作製したところ、この研磨時に１０枚いずれも割れが発生せず、研磨歩留は１００％であった。このうちの１枚を抜き取り、摂氏３５０度のＫＯＨ−ＮａＯＨ混合融液でエッチングする。エッチングされた表面には、転位に対応する位置にエッチピットが現れる。このエッチピットの数をカウントして、転位密度を評価した。転位密度の値は５×１０５ｃｍ−２であり、低転位密度の窒化ガリウム結晶が成長されている。また、窒化ガリウム結晶のＸＲＤ（Ｘ線回折法）による結晶品質の分析を行うと、（００４）面のロッキングカーブの半値幅が５０秒であり、この半値幅は良好な値である。窒化ガリウム結晶を、水酸化カリウムを含む融液に浸漬しても、反転領域に対応する凹部が形成されることなく、反転相がない結晶が成長されている。
（実施例３）
実施例１の同種の窒化ガリウム基板を準備する。反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）装置にＢＣｌ３ガスを供給すると、プラズマにより窒化ガリウム基板の反転領域が選択的にエッチングされる。このエッチングの結果、種結晶基板が作製される。種結晶基板は、反転領域の配置に対応した溝を有する。その後に、実施例１と同様の条件で、窒化ガリウム結晶を成長する。得られた窒化ガリウム結晶の表面を、摂氏３５０度のＫＯＨ−ＮａＯＨ混合融液でエッチングする。エッチングされた表面には、転位に対応する位置にエッチピットが現れる。このエッチピットの数をカウントして、転位密度を評価した。転位密度の値は５×１０５ｃｍ−２であり、低転位密度の窒化ガリウム結晶が成長されている。また、窒化ガリウム結晶のＸＲＤ（Ｘ線回折法）による結晶品質の分析を行うと、（００４）面のロッキングカーブの半値幅が５０秒であり、この半値幅は良好な値である。窒化ガリウム結晶を、水酸化カリウムを含む融液に浸漬しても、反転領域に対応する凹部が形成されることなく、反転相がない結晶が成長されている。
実施例１の同種の窒化ガリウム基板を準備する。反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）装置にＢＣｌ３ガスを供給すると、プラズマにより窒化ガリウム基板の反転領域が選択的にエッチングされる。このエッチングの結果、種結晶基板が作製される。種結晶基板は、反転領域の配置に対応した溝を有する。その後に、実施例１と同様の条件で、窒化ガリウム結晶を成長する。得られた窒化ガリウム結晶の表面を、摂氏３５０度のＫＯＨ−ＮａＯＨ混合融液でエッチングする。エッチングされた表面には、転位に対応する位置にエッチピットが現れる。このエッチピットの数をカウントして、転位密度を評価した。転位密度の値は５×１０５ｃｍ−２であり、低転位密度の窒化ガリウム結晶が成長されている。また、窒化ガリウム結晶のＸＲＤ（Ｘ線回折法）による結晶品質の分析を行うと、（００４）面のロッキングカーブの半値幅が５０秒であり、この半値幅は良好な値である。窒化ガリウム結晶を、水酸化カリウムを含む融液に浸漬しても、反転領域に対応する凹部が形成されることなく、反転相がない結晶が成長されている。
（実施例４）
実施例１の同種の窒化ガリウム基板を準備する。リン酸および硫酸の混酸（リン酸：塩酸＝１：１）でエッチングすると、窒化ガリウム基板の反転領域が選択的にエッチングされる。このエッチングの結果、種結晶基板が作製される。種結晶基板は、反転領域の配置に対応した溝を有する。その後に、実施例１と同様の条件で、窒化ガリウム結晶を成長する。得られた窒化ガリウム結晶の表面を、摂氏３５０度のＫＯＨ−ＮａＯＨ混合融液でエッチングする。エッチングされた表面には、転位に対応する位置にエッチピットが現れる。このエッチピットの数をカウントして、転位密度を評価した。転位密度の値は５×１０５ｃｍ−２であり、低転位密度の窒化ガリウム結晶が成長されている。また、窒化ガリウム結晶のＸＲＤ（Ｘ線回折法）による結晶品質の分析を行うと、（００４）面のロッキングカーブの半値幅が５０秒であり、この半値幅は良好な値である。窒化ガリウム結晶を、水酸化カリウムを含む融液に浸漬しても、反転領域に対応する凹部が形成されることなく、反転相がない結晶が成長されている。
実施例１の同種の窒化ガリウム基板を準備する。リン酸および硫酸の混酸（リン酸：塩酸＝１：１）でエッチングすると、窒化ガリウム基板の反転領域が選択的にエッチングされる。このエッチングの結果、種結晶基板が作製される。種結晶基板は、反転領域の配置に対応した溝を有する。その後に、実施例１と同様の条件で、窒化ガリウム結晶を成長する。得られた窒化ガリウム結晶の表面を、摂氏３５０度のＫＯＨ−ＮａＯＨ混合融液でエッチングする。エッチングされた表面には、転位に対応する位置にエッチピットが現れる。このエッチピットの数をカウントして、転位密度を評価した。転位密度の値は５×１０５ｃｍ−２であり、低転位密度の窒化ガリウム結晶が成長されている。また、窒化ガリウム結晶のＸＲＤ（Ｘ線回折法）による結晶品質の分析を行うと、（００４）面のロッキングカーブの半値幅が５０秒であり、この半値幅は良好な値である。窒化ガリウム結晶を、水酸化カリウムを含む融液に浸漬しても、反転領域に対応する凹部が形成されることなく、反転相がない結晶が成長されている。
（比較例）
実施例１の同種の窒化ガリウム基板を準備すると共に、種結晶基板を作製する。その後に、摂氏１０００度の基板温度（温度以外の成長条件は実施例１と同様の条件）で種結晶基板上に窒化ガリウム結晶を成長する。得られた窒化ガリウム結晶の表面を、摂氏３５０度のＫＯＨ−ＮａＯＨ混合融液でエッチングする。エッチングされた表面には、転位に対応する位置にエッチピットが現れる。このエッチピットの数をカウントして、転位密度を評価した。転位密度の値は１×１０６ｃｍ−２であり、低転位密度の窒化ガリウム結晶が成長された。また、窒化ガリウム結晶のＸＲＤ（Ｘ線回折法）による結晶品質の分析を行うと、（００４）面のロッキングカーブの半値幅が１２０秒である。
実施例１の同種の窒化ガリウム基板を準備すると共に、種結晶基板を作製する。その後に、摂氏１０００度の基板温度（温度以外の成長条件は実施例１と同様の条件）で種結晶基板上に窒化ガリウム結晶を成長する。得られた窒化ガリウム結晶の表面を、摂氏３５０度のＫＯＨ−ＮａＯＨ混合融液でエッチングする。エッチングされた表面には、転位に対応する位置にエッチピットが現れる。このエッチピットの数をカウントして、転位密度を評価した。転位密度の値は１×１０６ｃｍ−２であり、低転位密度の窒化ガリウム結晶が成長された。また、窒化ガリウム結晶のＸＲＤ（Ｘ線回折法）による結晶品質の分析を行うと、（００４）面のロッキングカーブの半値幅が１２０秒である。
したがって、本実施の形態では窒化ガリウム結晶を成長する温度が高いので、転位密度が低く、結晶性が良好で、加えてスライス後の研磨にて割れが発生し難い窒化ガリウム結晶が得られる。
（第２の実施の形態）
図６を参照しながら、本実施の形態に係る窒化ガリウム結晶を作製する方法を説明する。図６には、工程フロー１００ｂが示されている。図２の（Ａ）部は、窒化ガリウム基板を示す図面である。工程Ｓ１０１では、窒化ガリウム基板１１を準備する。第１の実施の形態と同様に、窒化ガリウム基板１１として、図２の（Ｂ）部および（Ｃ）部に示される形態を用いることができる。本実施の形態においても、図２の（Ｂ）部および（Ｃ）部は、窒化ガリウム基板の構造を例示的に示すものであり、本実施の形態に適用される窒化ガリウム基板の構造はこれらの図面に示された特定の構成に限定されるものではない。
図６を参照しながら、本実施の形態に係る窒化ガリウム結晶を作製する方法を説明する。図６には、工程フロー１００ｂが示されている。図２の（Ａ）部は、窒化ガリウム基板を示す図面である。工程Ｓ１０１では、窒化ガリウム基板１１を準備する。第１の実施の形態と同様に、窒化ガリウム基板１１として、図２の（Ｂ）部および（Ｃ）部に示される形態を用いることができる。本実施の形態においても、図２の（Ｂ）部および（Ｃ）部は、窒化ガリウム基板の構造を例示的に示すものであり、本実施の形態に適用される窒化ガリウム基板の構造はこれらの図面に示された特定の構成に限定されるものではない。
図７の（Ａ）部は、図２の（Ｂ）部に示されたI−I線に沿ってとられた断面を示す図面である。図２の（Ｃ）部に示されたII−II線に沿ってとられた断面は、図２の（Ｂ）部に示されたI−I線に沿ってとられた断面に対応している。引き続く説明では、図２の（Ｂ）部に示された窒化ガリウム基板を用いて進められる。図６に示される工程Ｓ１０６では、図７の（Ｂ）部に示されるように、種結晶基板５７を作製するために、第１のエリア２１ａの各々を覆うようにマスク５８を形成する。マスク５８の具体的な形状は、第１のエリアの形状に応じて決定される。図７の（Ｂ）部では、マスク５８は、Ｙ軸の方向に伸びており、また第１のエリア２１ａと該第１のエリア２１ａに沿って伸びる第２のエリア２３ａの部分とを覆う。このマスク５８により、第１の領域１７ａが露出しなくなる。種結晶基板５７の主面は、窒化ガリウムから成る第２のエリア２３ａおよび窒化ガリウムと異なる材料から成るマスク５８が交互に現れる。マスク５８の材料は、酸化ケイ素および窒化ケイ素の少なくともいずれかからなることが好ましい。これらの材料からなるマスク５８の上には窒化ガリウム結晶が成長されることなく、第２の領域１９ａ上に成長された良質の窒化ガリウム結晶が横方向に成長して最終的に一体の窒化ガリウム結晶になる。
好適な実施例では、第１のエリア２１ａの幅Ｗ２は例えば５μｍ以上２００μｍ以下である。また、マスク５８の幅Ｗ３は例えば１０μｍ以上２５０μｍ以下である。さらに、マスク５８の厚みＤ２は例えば５μｍ以上２０μｍ以下である。
図６に示された工程Ｓ１０７では、図８の（Ａ）部に示されるように、窒化ガリウム基板１１ａにマスク５８を形成した後に、種結晶基板５７上に窒化ガリウム結晶５９を液相成長法もしくは気相成長法で成長する。この成長は、マスク５８を覆うように窒化ガリウム結晶５９を種結晶基板５７上に成長する。窒化ガリウム結晶５９は厚膜であり、窒化ガリウム結晶５９の厚さＨ２は、例えば窒化ガリウム結晶２９の厚さＨ１と同程度である。この方法によれば、種結晶基板５７上に成長された窒化ガリウム結晶５９は、自立可能な窒化ガリウム基板を作製するために利用される。
この方法によれば、種結晶基板５７の第２のエリア２３ａ上に窒化ガリウム結晶５９を液相成長法もしくは気相成長法で選択成長することによりマスク５８を埋め込むので、第２の領域１９ａ上に成長された窒化ガリウム結晶が一体になる。このため、第１の領域１７ａからの転位を引き継ぐ窒化ガリウム結晶が形成されないので、窒化ガリウム結晶５９の転位密度が低減される。
また、図７の（Ｂ）部のマスクを形成している種結晶基板５７上に気相成長法で窒化ガリウム結晶５９を成長する場合では、成長温度ＴＧが摂氏１１００度より高いことが好ましい。第２の領域１９ａ上に成長された窒化ガリウム結晶がマスク５８上で一体になるときに新たに発生する転位を減少させることができるのに加えて、第２の領域１９ａの結晶品質のばらつきの影響も小さくなり、摂氏１１００度以下ではせいぜい１００秒程度であるＸ線ロッキングカーブＸＲＤ（００４）の半値幅が、１００秒未満になる。さらに、成長した窒化ガリウム結晶５９をスライスした後、研磨する時の割れの発生が抑制され、研磨時の歩留が向上する効果も現れる。研磨時の割れの発生が抑制される理由は明確ではないが、摂氏１１００度より高い温度での成長で、窒化ガリウム結晶内の応力集中箇所が減少するものと推定される。摂氏１１００度以下では８０％程度である研磨時の歩留が、９０％以上になる。
また、図７の（Ｂ）部のマスクを形成している種結晶基板５７上に気相成長法で窒化ガリウム結晶５９を成長する場合では、基板温度を高くすると、種結晶基板５７の窒化ガリウム結晶の分解が顕著となり、種結晶基板５７が損傷を受けることに加えて、成長する窒化ガリウム結晶５９の成長速度も著しく低下する現象が現れる。成長温度を高くすることにより、窒化ガリウム結晶の生成速度が向上し、成長速度が向上すると通常考えられるが、成長温度を高くしすぎると、窒化ガリウム結晶の生成速度の向上の度合い以上に、生成した窒化ガリウム結晶の分解する速度が向上してしまい、結果、生成速度と分解速度の差として現れる成長速度が低下するものと推定される。摂氏１３００度より高い場合、成長速度が１０μｍ／ｈ以下になる。従って、成長温度ＴＧが摂氏１３００度以下であれば種結晶基板５７の損傷を抑えつつ、実用的な時間で厚膜の窒化ガリウム結晶５９を得ることができる。
また、別の例では、成長温度ＴＧは摂氏１１５０度より高いことが好ましい。Ｘ線ロッキングカーブＸＲＤ（００４）の半値幅が５０秒程度まで小さくできるのに加えて、研磨時の歩留が９５％以上まで向上する。成長温度ＴＧは摂氏１２５０度以下であることが好ましい。摂氏１３００度以下としても摂氏１２５０度より高い成長温度になると、種結晶基板の分解は顕著ではないがある程度進んでしまうので、長時間の長尺成長は出来ず、加えて成長する窒化ガリウム結晶の成長速度もある一定以上は大きく出来ないため、コスト的に不利になってしまう。従って、摂氏１２５０度以下で成長させるのが好ましい。摂氏１２５０度以下であれば長時間成長が可能で、成長速度を３０μｍ／ｈ以上とできるため、より実用的な時間でより厚膜の窒化ガリウム結晶５９を得ることができる。一方、本願
に係る成長温度より低い温度で窒化ガリウム結晶５９を成長すると、結晶成長へのマスクによる影響が大きくなり、マスクは異種材料から成るので、その上に成長する窒化ガリウム結晶の結晶性が劣化する。
に係る成長温度より低い温度で窒化ガリウム結晶５９を成長すると、結晶成長へのマスクによる影響が大きくなり、マスクは異種材料から成るので、その上に成長する窒化ガリウム結晶の結晶性が劣化する。
本実施の形態では、高温成長により転位の新たな発生を抑制し、結晶性も良好となるので、得られる窒化ガリウム結晶の結晶品質が向上される。また、同時にスライス後の研磨にて割れが発生し難い窒化ガリウム結晶が得られる。
また、第２のエリア２３ａ表面粗さが算術平均粗さＲａで１０μｍ以下であることが好ましい。これにより種結晶基板５７の表面粗さが原因と推定される窒化ガリウム結晶５９の割れを抑制し、安定した窒化ガリウム結晶５９の成長が可能となる。
また、第２のエリア２３ａの表面粗さが算術平均粗さＲａで１μｍ以下であることがより好ましい。これにより種結晶基板５７の表面粗さが原因と推定される窒化ガリウム結晶５９の割れをより抑制し、より安定した窒化ガリウム結晶５９の成長が可能となる。
結晶成長のために、第１の実施の形態と同様、例えば図５に示しているハイドライド気相エピタキシャル成長法を適用できる成長炉を用いる。
次いで、図６に示される工程Ｓ１０４では、図８の（Ｂ）部に示されるように、窒化ガリウム結晶５９および種結晶基板５７の一体物から、分離された窒化ガリウム結晶６３を形成する。分離のためには、第１の実施の形態と同じ手法を用いることができる。この後に、図６に示される工程Ｓ１０５では、分離された窒化ガリウム結晶６３から窒化ガリウムウエハを作製する。分離された窒化ガリウム結晶６３を所定の厚さにスライスした後に、その表面を鏡面研磨する。そして、研磨によるダメージ層を除去するための処理されて、窒化ガリウムウエハが完成する。
この方法によれば、分離された窒化ガリウム結晶から、自立可能な窒化ガリウムウエハが得られる。このようにして、図１の（Ｂ）部に示されるような窒化ガリウムウエハが完成される。本実施の形態に係る窒化ガリウムウエハＷａｆｅｒは、単結晶窒化ガリウムウエハであって、転位集中領域や反転領域を含まない。窒化ガリウムウエハＷａｆｅｒの主面における転位密度の最大値は、第１の転位密度より小さい。窒化ガリウムウエハＷａｆｅｒの主面における転位密度の最大値は、第１の転位密度より小さい。また、窒化ガリウムウエハＷａｆｅｒの主面において転位密度は、１×１０６ｃｍ−２以下である。さらに、該窒化ガリウムウエハの面積は１ｃｍ２以上である。Ｘ線ロッキングカーブ（ＸＲＤ）の半値幅が１００秒未満である。
なお、第１の領域１７ａの転位密度と第２の領域１９ａの転位密度との差が無い或いは小さい窒化ガリウム基板、例えば転位集中はしていないが反転している領域を有する窒化ガリウム基板においても、上記の実施の形態の説明における窒化ガリウム基板１１ａと同様な方法を用いることができる。これによって、反転領域を引継がなく、反転領域上での転位の発生を抑制して低転位密度の窒化ガリウム結晶および窒化ガリウム基板を作製でき、加えてスライス歩留りも良い結晶が作製可能である。
このような窒化ガリウムウエハを用いてエピタキシャル基板が作製される。エピタキシャル基板は、窒化ガリウムウエハ上に設けられた一又は複数の窒化ガリウム系半導体膜を含む。また、このような窒化ガリウムウエハは、光デバイス（発光ダイオード、レーザダイオードなど）、電子デバイス（整流器、バイポーラトランジスタ、電界効果トランジスタ、ＨＥＭＴなど）、半導体センサ（温度センサ、圧力センサ、放射線センサ、可視−紫外光検出器など）といった半導体デバイス、ＳＡＷデバイス、振動子、共振子、発振器、ＭＥＭＳ部品、圧電アクチュエータなどの基板として用いることができる。
（実施例５）
実施例１と同様な窒化ガリウム基板を準備する。フォトリソグラフィおよびエッチングを用いて窒化ケイ素から成るマスクを形成する。このマスクは、窒化ガリウム基板の転位集中領域を覆っている。その後に、実施例１と同様の条件で、窒化ガリウム結晶を成長する。得られた窒化ガリウム結晶の表面を、摂氏３５０度のＫＯＨ−ＮａＯＨ混合融液でエッチングする。エッチングされた表面には、転位に対応する位置にエッチピットが現れる。このエッチピットの数をカウントして、転位密度を評価した。転位密度の値は５×１０５ｃｍ−２であり、低転位密度の窒化ガリウム結晶が成長されている。また、窒化ガリウム結晶のＸＲＤ（Ｘ線回折法）による結晶品質の分析を行うと、（００４）面のロッキングカーブの半値幅が５０秒であり、この半値幅は良好な値である。窒化ガリウム結晶を、水酸化カリウムを含む融液に浸漬しても、反転領域に対応する凹部が形成されることなく、反転相がない結晶が成長されている。
実施例１と同様な窒化ガリウム基板を準備する。フォトリソグラフィおよびエッチングを用いて窒化ケイ素から成るマスクを形成する。このマスクは、窒化ガリウム基板の転位集中領域を覆っている。その後に、実施例１と同様の条件で、窒化ガリウム結晶を成長する。得られた窒化ガリウム結晶の表面を、摂氏３５０度のＫＯＨ−ＮａＯＨ混合融液でエッチングする。エッチングされた表面には、転位に対応する位置にエッチピットが現れる。このエッチピットの数をカウントして、転位密度を評価した。転位密度の値は５×１０５ｃｍ−２であり、低転位密度の窒化ガリウム結晶が成長されている。また、窒化ガリウム結晶のＸＲＤ（Ｘ線回折法）による結晶品質の分析を行うと、（００４）面のロッキングカーブの半値幅が５０秒であり、この半値幅は良好な値である。窒化ガリウム結晶を、水酸化カリウムを含む融液に浸漬しても、反転領域に対応する凹部が形成されることなく、反転相がない結晶が成長されている。
（実施例６）
成長厚みを１０ｍｍとした他は、実施例５と同様の条件で窒化ガリウム結晶を成長する。得られた窒化ガリウム結晶を、種結晶基板の表面に対して平行な方向にスライスして、鏡面研磨することにより、４００μｍ厚さの１０枚の窒化ガリウム結晶基板を作製したところ、この研磨時に１０枚いずれも割れが発生せず、研磨歩留は１００％であった。このうちの１枚を抜き取り、摂氏３５０度のＫＯＨ−ＮａＯＨ混合融液でエッチングする。エッチングされた表面には、転位に対応する位置にエッチピットが現れる。このエッチピットの数をカウントして、転位密度を評価した。転位密度の値は５×１０５ｃｍ−２であり、低転位密度の窒化ガリウム結晶が成長されている。また、窒化ガリウム結晶のＸＲＤ（Ｘ線回折法）による結晶品質の分析を行うと、（００４）面のロッキングカーブの半値幅が５０秒であり、この半値幅は良好な値である。窒化ガリウム結晶を、水酸化カリウムを含む融液に浸漬しても、反転領域に対応する凹部が形成されることなく、反転相がない結晶が成長されている。
成長厚みを１０ｍｍとした他は、実施例５と同様の条件で窒化ガリウム結晶を成長する。得られた窒化ガリウム結晶を、種結晶基板の表面に対して平行な方向にスライスして、鏡面研磨することにより、４００μｍ厚さの１０枚の窒化ガリウム結晶基板を作製したところ、この研磨時に１０枚いずれも割れが発生せず、研磨歩留は１００％であった。このうちの１枚を抜き取り、摂氏３５０度のＫＯＨ−ＮａＯＨ混合融液でエッチングする。エッチングされた表面には、転位に対応する位置にエッチピットが現れる。このエッチピットの数をカウントして、転位密度を評価した。転位密度の値は５×１０５ｃｍ−２であり、低転位密度の窒化ガリウム結晶が成長されている。また、窒化ガリウム結晶のＸＲＤ（Ｘ線回折法）による結晶品質の分析を行うと、（００４）面のロッキングカーブの半値幅が５０秒であり、この半値幅は良好な値である。窒化ガリウム結晶を、水酸化カリウムを含む融液に浸漬しても、反転領域に対応する凹部が形成されることなく、反転相がない結晶が成長されている。
したがって、本実施の形態では窒化ガリウム結晶を成長する温度が高いので、転位密度が低く、結晶性が良好で、加えてスライス後の研磨にて割れが発生し難い窒化ガリウム結晶が得られる。
（第３の実施の形態）
図９を参照しながら、本実施の形態に係る窒化ガリウム結晶を作製する方法を説明する。図９には、工程フロー１００ｂが示されている。図２の（Ａ）部は、窒化ガリウム基板を示す図面である。工程Ｓ１０１では、窒化ガリウム基板１１を準備する。第１の実施の形態と同様に、窒化ガリウム基板１１として、図２の（Ｂ）部および（Ｃ）部に示される形態を用いることができる。本実施の形態においても、図２の（Ｂ）部および（Ｃ）部は、窒化ガリウム基板の構造を例示的に示すものであり、本実施の形態に適用される窒化ガリウム基板の構造はこれらの図面に示された特定の構成に限定されるものではない。
図９を参照しながら、本実施の形態に係る窒化ガリウム結晶を作製する方法を説明する。図９には、工程フロー１００ｂが示されている。図２の（Ａ）部は、窒化ガリウム基板を示す図面である。工程Ｓ１０１では、窒化ガリウム基板１１を準備する。第１の実施の形態と同様に、窒化ガリウム基板１１として、図２の（Ｂ）部および（Ｃ）部に示される形態を用いることができる。本実施の形態においても、図２の（Ｂ）部および（Ｃ）部は、窒化ガリウム基板の構造を例示的に示すものであり、本実施の形態に適用される窒化ガリウム基板の構造はこれらの図面に示された特定の構成に限定されるものではない。
図１０は、図２の（Ｂ）部に示されたI−I線に沿ってとられた断面を示す図面である。図２の（Ｃ）部に示されたII−II線に沿ってとられた断面は、図２の（Ｂ）部に示されたI−I線に沿ってとられた断面に対応している。引き続く説明では、図２の（Ｂ）部に示された窒化ガリウム基板を用いて進められる。
図９に示された工程Ｓ１０８では、図１１の（Ａ）部に示されるように、窒化ガリウム基板１１ａに凹部やマスクを形成することなく、種結晶基板７７上に窒化ガリウム結晶７９を気相成長法で成長する。窒化ガリウム結晶７９は厚膜であり、窒化ガリウム結晶７９の厚さＨ３は、例えば窒化ガリウム結晶２９の厚さＨ１と同程度である。この方法によれば、種結晶基板７７上に成長された窒化ガリウム結晶７９は、自立可能な窒化ガリウム基板を作製するために利用される。
図１０の凹部やマスクが形成されていない種結晶基板７７上に気相成長法で窒化ガリウム結晶７９を成長する場合、成長温度ＴＧを摂氏１１００度より高くする。摂氏１１００度より高い温度であれば、種結晶基板７７の第２の領域上での窒化ガリウム結晶の横方向成長が促進されるため、種結晶基板７７の第１の領域の影響が小さくなり、第１の領域の転位を引き継ぐ割合が減少し、転位密度が低減される。また、横方向成長した窒化ガリウム結晶が一体になるときに新たに発生する転位減少させることができるのに加えて、第２の領域の結晶品質のばらつきの影響も小さくなり、摂氏１１００度以下ではせいぜい１００秒程度であるＸ線ロッキングカーブＸＲＤ（００４）の半値幅が、１００秒未満になる。さらに、成長した窒化ガリウム結晶７９をスライスした後、研磨する時の割れの発生が
抑制され、研磨時の歩留が向上する効果も現れる。研磨時の割れの発生が抑制される理由は明確ではないが、摂氏１１００度より高い温度での成長で、窒化ガリウム結晶内の応力集中箇所が減少するものと推定される。摂氏１１００度以下では８０％程度である研磨時の歩留が、９０％以上になる。
抑制され、研磨時の歩留が向上する効果も現れる。研磨時の割れの発生が抑制される理由は明確ではないが、摂氏１１００度より高い温度での成長で、窒化ガリウム結晶内の応力集中箇所が減少するものと推定される。摂氏１１００度以下では８０％程度である研磨時の歩留が、９０％以上になる。
図１０の凹部やマスクが形成されていない種結晶基板７７上に気相成長法で窒化ガリウム結晶７９を成長する場合、成長温度ＴＧが摂氏１３００度以下であることが好ましい。基板温度を高くすると、種結晶基板７７の分解が顕著となり損傷を受けることに加えて成長する窒化ガリウム結晶７９の成長速度も著しく低下する現象が現れる。成長温度を高くすることにより、窒化ガリウム結晶の生成速度が向上し、成長速度が向上すると通常考えられるが、成長温度を高くしすぎると、窒化ガリウム結晶の生成速度の向上の度合い以上に、生成した窒化ガリウム結晶の分解する速度が向上してしまい、結果、生成速度と分解速度の差として現れる成長速度が低下するものと推定される。摂氏１３００度より高い場合、成長速度が１０μｍ／ｈ以下になる。従って、成長温度ＴＧが摂氏１３００度以下であれば種結晶基板７７の損傷を抑えつつ、実用的な時間で厚膜の窒化ガリウム結晶７９を得ることができる。
一例では、成長温度ＴＧは摂氏１１５０度より高いことが好ましい。Ｘ線ロッキングカーブＸＲＤ（００４）の半値幅が５０秒程度まで小さくできるのに加えて、研磨時の歩留が９５％以上まで向上する。成長温度ＴＧは摂氏１２５０度以下であることが好ましい。摂氏１３００度以下としても摂氏１２５０度より高い成長温度になると、種結晶基板の分解は顕著ではないがある程度進んでしまうので、長時間の長尺成長は出来ず、加えて成長する窒化ガリウム結晶の成長速度もある一定以上は大きく出来ないため、コスト的に不利になってしまう。従って、摂氏１２５０度以下で成長させるのが好ましい。摂氏１２５０度以下であれば長時間成長が可能で、成長速度を３０μｍ／ｈ以上とできるため、より実用的な時間でより厚膜の窒化ガリウム結晶７９を得ることができる。
この方法によれば、種結晶基板に凹部形成またはマスク形成を施す必要がないことから、これらの表面加工工程を省くことができることに加えて、これらの種結晶基板の表面凸凹に起因する新たな転位の発生を防ぐことができ、第１の実施の形態および第２の実施の形態の方法と比較して、より好ましい。また、同時にスライス後の研磨にて割れが発生し難い窒化ガリウム結晶が得られる。
また、種結晶基板７７の表面粗さが算術平均粗さＲａで１０μｍ／ｈ以下であることが好ましい。これにより種結晶基板７７の表面粗さが原因と推定される窒化ガリウム結晶７９の割れを抑制し、安定した窒化ガリウム結晶７９の成長が可能となる。
また、種結晶基板７７の表面粗さが算術平均粗さＲａで１μｍ以下であることがより好ましい。これにより種結晶基板７７の表面粗さが原因と推定される窒化ガリウム結晶７９の割れをより抑制し、より安定した窒化ガリウム結晶７９の成長が可能となる。
結晶成長のために、第１の実施の形態と同様、例えば図５に示しているハイドライド気相エピタキシャル成長法を適用できる成長炉を用いる。
次いで、図９に示される工程Ｓ１０４では、図１１（B）に示されるように、窒化ガリウム結晶７９および種結晶基板７７の一体物から、分離された窒化ガリウム結晶８３を形成する。分離のためには、第１の実施の形態と同じ手法を用いることができる。この後に、図９に示される工程Ｓ１０５では、分離された窒化ガリウム結晶８３から窒化ガリウムウエハを作製する。分離された窒化ガリウム結晶８３を所定の厚さにスライスした後に、その表面を鏡面研磨する。そして、研磨によるダメージ層を除去するための処理されて、窒化ガリウムウエハが完成する。
この方法によれば、分離された窒化ガリウム結晶から、自立可能な窒化ガリウムウエハが得られる。このようにして、図１の（Ｂ）部に示されるような窒化ガリウムウエハが完成される。本実施の形態に係る窒化ガリウムウエハＷａｆｅｒは、単結晶窒化ガリウムウエハであって、転位集中領域や反転領域を含まない。窒化ガリウムウエハＷａｆｅｒの主面における転位密度の最大値は、第１の転位密度より小さい。窒化ガリウムウエハＷａｆｅｒの主面における転位密度の最大値は、第１の転位密度より小さい。また、窒化ガリウムウエハＷａｆｅｒの主面において転位密度は、１×１０６ｃｍ−２以下である。さらに、該窒化ガリウムウエハの面積は１ｃｍ２以上である。Ｘ線ロッキングカーブ（ＸＲＤ）の半値幅が１００秒未満である。
このような窒化ガリウムウエハを用いてエピタキシャル基板が作製される。エピタキシャル基板は、窒化ガリウムウエハ上に設けられた一又は複数の窒化ガリウム系半導体膜を含む。また、このような窒化ガリウムウエハは、光デバイス（発光ダイオード、レーザダイオードなど）、電子デバイス（整流器、バイポーラトランジスタ、電界効果トランジスタ、ＨＥＭＴなど）、半導体センサ（温度センサ、圧力センサ、放射線センサ、可視−紫外光検出器など）といった半導体デバイス、ＳＡＷデバイス、振動子、共振子、発振器、ＭＥＭＳ部品、圧電アクチュエータなどの基板として用いることができる。
（実施例７）
図５に示されるような、窒化ガリウム基板を局所的に加熱できる成長炉を用いて、ＨＶＰＥ法で窒化ガリウムを成長する。窒化ガリウム基板は、結晶成長時において、成長表面が平面状態でなく、三次元的なファセット面からなる成長ピットおよびその複合体を持つようにし、成長ピットおよびその複合体を埋め込まないでファセット成長させることにより、成長ピットおよびその複合体に転位を集中させて、転位集中領域を形成させた、窒化ガリウム基板である。窒化ガリウム基板のサイズは２インチ、厚みは４００μｍ、主面は（０００１）面である。反応管内の支持台上のステージ上に窒化ガリウム基板を載置し、これを種結晶基板とする。基板温度を摂氏１２００度に設定する。ガリウムが充填されているＧａボートを摂氏８００度に加熱すると共に、ＨＣｌガスおよびＨ２ガスを供給して塩化ガリウムを生成する。塩化ガリウムガスおよびアンモニアガスを供給して種結晶基板上に４００μｍ厚の窒化ガリウム結晶を成長する。多結晶が発生せず且つ成長速度が毎時５０μｍ以上になるように、ＨＣｌの分圧およびＮＨ３の分圧を調整する。このように作製された窒化ガリウム結晶のＸＲＤ（Ｘ線回折法）による結晶品質の分析を行うと、（００４）面のロッキングカーブの半値幅が３０秒であり、この半値幅は良好な値である。また、作製された窒化ガリウム結晶の表面を、摂氏３５０度のＫＯＨ−ＮａＯＨ混合融液でエッチングする。エッチングされた表面には転位に対応する位置にエッチピットが現れる。このエッチピットの数をカウントして転位密度を評価した。転位密度の値は１×１０５ｃｍ−２であり、低転位密度の窒化ガリウム結晶が成長されている。
図５に示されるような、窒化ガリウム基板を局所的に加熱できる成長炉を用いて、ＨＶＰＥ法で窒化ガリウムを成長する。窒化ガリウム基板は、結晶成長時において、成長表面が平面状態でなく、三次元的なファセット面からなる成長ピットおよびその複合体を持つようにし、成長ピットおよびその複合体を埋め込まないでファセット成長させることにより、成長ピットおよびその複合体に転位を集中させて、転位集中領域を形成させた、窒化ガリウム基板である。窒化ガリウム基板のサイズは２インチ、厚みは４００μｍ、主面は（０００１）面である。反応管内の支持台上のステージ上に窒化ガリウム基板を載置し、これを種結晶基板とする。基板温度を摂氏１２００度に設定する。ガリウムが充填されているＧａボートを摂氏８００度に加熱すると共に、ＨＣｌガスおよびＨ２ガスを供給して塩化ガリウムを生成する。塩化ガリウムガスおよびアンモニアガスを供給して種結晶基板上に４００μｍ厚の窒化ガリウム結晶を成長する。多結晶が発生せず且つ成長速度が毎時５０μｍ以上になるように、ＨＣｌの分圧およびＮＨ３の分圧を調整する。このように作製された窒化ガリウム結晶のＸＲＤ（Ｘ線回折法）による結晶品質の分析を行うと、（００４）面のロッキングカーブの半値幅が３０秒であり、この半値幅は良好な値である。また、作製された窒化ガリウム結晶の表面を、摂氏３５０度のＫＯＨ−ＮａＯＨ混合融液でエッチングする。エッチングされた表面には転位に対応する位置にエッチピットが現れる。このエッチピットの数をカウントして転位密度を評価した。転位密度の値は１×１０５ｃｍ−２であり、低転位密度の窒化ガリウム結晶が成長されている。
（実施例８）
成長厚みを１０ｍｍとした他は、実施例７と同様の条件で窒化ガリウム結晶を成長する。得られた窒化ガリウム結晶を、種結晶基板の表面に対して平行な方向にスライスして、鏡面研磨することにより、４００μｍ厚さの１０枚の窒化ガリウム結晶基板を作製したところ、この研磨時に１０枚いずれも割れが発生せず、研磨歩留は１００％であった。このうちの１枚を抜き取り、摂氏３５０度のＫＯＨ−ＮａＯＨ混合融液でエッチングする。エッチングされた表面には、転位に対応する位置にエッチピットが現れる。このエッチピットの数をカウントして、転位密度を評価した。転位密度の値は１×１０５ｃｍ−２であり、低転位密度の窒化ガリウム結晶が成長された。また、窒化ガリウム結晶のＸＲＤ（Ｘ線回折法）による結晶品質の分析を行うと、（００４）面のロッキングカーブの半値幅が３０秒であり、この半値幅はより良好な値である。
成長厚みを１０ｍｍとした他は、実施例７と同様の条件で窒化ガリウム結晶を成長する。得られた窒化ガリウム結晶を、種結晶基板の表面に対して平行な方向にスライスして、鏡面研磨することにより、４００μｍ厚さの１０枚の窒化ガリウム結晶基板を作製したところ、この研磨時に１０枚いずれも割れが発生せず、研磨歩留は１００％であった。このうちの１枚を抜き取り、摂氏３５０度のＫＯＨ−ＮａＯＨ混合融液でエッチングする。エッチングされた表面には、転位に対応する位置にエッチピットが現れる。このエッチピットの数をカウントして、転位密度を評価した。転位密度の値は１×１０５ｃｍ−２であり、低転位密度の窒化ガリウム結晶が成長された。また、窒化ガリウム結晶のＸＲＤ（Ｘ線回折法）による結晶品質の分析を行うと、（００４）面のロッキングカーブの半値幅が３０秒であり、この半値幅はより良好な値である。
したがって、本実施の形態では種結晶基板に凹部およびマスクを形成せずに、窒化ガリウム結晶を高い温度で成長するので、転位密度がより低く、結晶性が良好で、加えてスライス後の研磨にて割れが発生し難い窒化ガリウム結晶が得られる。
本発明に係る実施の形態は、既に説明された具体例に限定されるものではない。既に説明された実施の形態に加えて、本発明に係る追加の実施の形態が、引き続き説明される。追加の実施の形態でも同様に、第１および第２の領域を含む窒化ガリウム基板を用い、またこの窒化ガリウム基板の主面は、第１および第２のエリアを有する。窒化ガリウム基板の第１のエリアに凹部を形成すると共にこの凹部にマスクを形成して種結晶基板を準備する。この種結晶基板上に窒化ガリウムを成長することもできる。この方法によれば、第１のエリアを引き継がない成長条件（原料ガス）条件で結晶成長が可能となる。例えば、成長速度が２００μｍ／ｈ以上となるような原料ガス条件で結晶成長するとき、第１のエリアを引き継ぐことなく結晶成長が可能となる。そのため、この方法は、凹部またはマスクのいずれかを用いる方法、また凹部およびマスクのいずれも形成しない方法と比較して、スループットを向上できコスト的な利点を有する。
また、既に説明された実施の形態において摂氏１２５０度より高く摂氏１３００度以下の基板温度で種結晶基板上に結晶成長を行うとき、種結晶基板の損傷により長時間の結晶成長が容易ではないこともあり、また分解速度の増大により成長速度が低下することもある。一方、本追加の実施の形態に係る方法によれば、分解速度の増大に対しては、生成速度も増加するように原料ガスの分圧を増加させても、第１のエリアを引き継がない成長が可能となるので、上記の温度域でも成長速度の低下を生じない。
（実施例９）
図１２は、追加の実施の形態に係る種結晶基板の作製の主要な工程を示す図面である。図１２の（Ａ）部に示されるように、実施例１と同種の窒化ガリウム基板８５を準備する。窒化ガリウム基板８５は、交互に配置された第１の領域８５ａおよび第２の領域８５ｂを含む。水酸化カリウムを含む融液でエッチングすると、図１２の（Ｂ）部に示されるように、窒化ガリウム基板８５の反転領域８５ａ（反転領域８５ａの表面は第１のエリアに対応する）が選択的にエッチングされ、反転相領域８５ａに対応した凹部（例えば、溝）８７が形成される。次に、図１２の（Ｃ）部に示されるように、窒化ガリウム基板８５の主面全面にマスク膜８９を成膜する。マスク膜８９としては、ＳｉＯ２膜といった絶縁膜を用いることができる。マスク膜８９は、非反転領域８５ｂの表面に対応する第２のエリア上に形成された第１の部分８９ａと、凹部８７の側面８７ａ上に形成された第２の部分８９ｂと、凹部８７の底面８７ｂに形成された第３の部分８９ｃとを含む。マスク膜８９を成長した後に、図１２の（Ｄ）部に示されるように、窒化ガリウム基板８５およびマスク膜８９を研磨して、凹部以外のマスク膜８９ａを除去すると、マスク膜８９の第１の部分８９ａが消失すると共に、凹部８７の側面８７ａおよび底面８７ｂ上にそれぞれ形成された第２および第３の部分８９ｂ、８９ｃが残される。研磨の後に、窒化ガリウム基板表面のダメージ層を除去して、種結晶基板９１が作製された。種結晶基板９１は、図１２の（Ｅ）部に示されるように、反転相領域に対応しておりマスク膜８７で覆われた凹部９３と、研磨された第２のエリア９１ａを含む。
また、反転領域８５ａは主面にＮ面を提供し、非反転領域８５ｂは主面にＧａ面を提供することができる。或いは、反転領域８５ａの転位密度は非反転領域８５ｂの転位密度より大きくてもよい。
図１２は、追加の実施の形態に係る種結晶基板の作製の主要な工程を示す図面である。図１２の（Ａ）部に示されるように、実施例１と同種の窒化ガリウム基板８５を準備する。窒化ガリウム基板８５は、交互に配置された第１の領域８５ａおよび第２の領域８５ｂを含む。水酸化カリウムを含む融液でエッチングすると、図１２の（Ｂ）部に示されるように、窒化ガリウム基板８５の反転領域８５ａ（反転領域８５ａの表面は第１のエリアに対応する）が選択的にエッチングされ、反転相領域８５ａに対応した凹部（例えば、溝）８７が形成される。次に、図１２の（Ｃ）部に示されるように、窒化ガリウム基板８５の主面全面にマスク膜８９を成膜する。マスク膜８９としては、ＳｉＯ２膜といった絶縁膜を用いることができる。マスク膜８９は、非反転領域８５ｂの表面に対応する第２のエリア上に形成された第１の部分８９ａと、凹部８７の側面８７ａ上に形成された第２の部分８９ｂと、凹部８７の底面８７ｂに形成された第３の部分８９ｃとを含む。マスク膜８９を成長した後に、図１２の（Ｄ）部に示されるように、窒化ガリウム基板８５およびマスク膜８９を研磨して、凹部以外のマスク膜８９ａを除去すると、マスク膜８９の第１の部分８９ａが消失すると共に、凹部８７の側面８７ａおよび底面８７ｂ上にそれぞれ形成された第２および第３の部分８９ｂ、８９ｃが残される。研磨の後に、窒化ガリウム基板表面のダメージ層を除去して、種結晶基板９１が作製された。種結晶基板９１は、図１２の（Ｅ）部に示されるように、反転相領域に対応しておりマスク膜８７で覆われた凹部９３と、研磨された第２のエリア９１ａを含む。
また、反転領域８５ａは主面にＮ面を提供し、非反転領域８５ｂは主面にＧａ面を提供することができる。或いは、反転領域８５ａの転位密度は非反転領域８５ｂの転位密度より大きくてもよい。
その後に、窒化ガリウム結晶を成長する。この成長条件として、多結晶が発生せず且つ成長速度が毎時２００μｍ以上になるように、ＨＣｌの分圧およびＮＨ３の分圧を調整する以外は、実施例１と同様の条件が使用される。得られた窒化ガリウム結晶の表面を、摂氏３５０度のＫＯＨ−ＮａＯＨ混合融液でエッチングする。エッチングされた表面には、転位に対応する位置にエッチピットが現れる。このエッチピットの数をカウントして、転位密度を評価した。転位密度の値は５×１０５ｃｍ−２であり、低転位密度の窒化ガリウム結晶が成長されていることが示された。また、窒化ガリウム結晶のＸＲＤ（Ｘ線回折法）による結晶品質の分析を行うと、（００４）面のロッキングカーブの半値幅が５０秒であり、この半値幅は良好な値である。さらに、成長した窒化ガリウム結晶を、水酸化カリウムを含む融液に浸漬しても、反転領域に対応する凹部が形成されることなく、反転相がない結晶が成長されている。
好適な実施の形態において本発明の原理を図示し説明してきたが、本発明は、そのような原理から逸脱することなく配置および詳細において変更され得ることは、当業者によって認識される。本発明は、本実施の形態に開示された特定の構成に限定されるものではない。したがって、特許請求の範囲およびその精神の範囲から来る全ての修正および変更に権利を請求する。
本発明は、転位集合領域や反転領域を含む窒化ガリウム基板を種結晶基板として用いて、窒化ガリウム結晶を成長するとき、低転位密度であると共に良好な結晶性を有し、加えてスライス後の研磨にて割れが発生し難い窒化ガリウム結晶を作製する方法を提供できる。
Claims (24)
- 窒化ガリウム結晶を作製する方法であって、
第１の転位密度より大きな転位密度を有する複数の第１の領域と、該第１の転位密度より小さい転位密度を有する第２の領域と、前記第１の領域が現れた第１のエリアおよび前記第２の領域が現れた第２のエリアを有する主面とを含む窒化ガリウム基板を準備する工程と、
前記第１のエリアの各々に凹部を形成して種結晶基板を作製する工程と、
前記凹部に対応するボイドが形成されるように、前記種結晶基板上に窒化ガリウム結晶を液相成長法もしくは気相成長法で成長する工程と、
を備え、
前記第１の領域は窒化ガリウム単結晶からなり、
前記第２の領域は窒化ガリウム単結晶からなり、
前記第１の領域の窒化ガリウム単結晶の結晶軸は、前記第２の領域の窒化ガリウム単結晶の結晶軸と反対向きであり、
前記第１のエリアには窒化ガリウム単結晶のＮ面が現れており、
前記第１のエリアの各々に凹部を形成して種結晶基板を作製する前記工程では、前記凹部は、前記窒化ガリウム基板の前記主面をエッチングすることによって形成され、
前記エッチングは、ＨＣｌ、Ｃｌ２、ＢＣｌ３、ＣＣｌ４の少なくともいずれかを用いて行われる、ことを特徴とする方法。 - 窒化ガリウム結晶を作製する方法であって、
第１の転位密度より大きな転位密度を有する複数の第１の領域と、該第１の転位密度より小さい転位密度を有する第２の領域と、前記第１の領域が現れた第１のエリアおよび前記第２の領域が現れた第２のエリアを有する主面とを含む窒化ガリウム基板を準備する工程と、
前記第１のエリアの各々に凹部を形成して種結晶基板を作製する工程と、
前記凹部に対応するボイドが形成されるように、前記種結晶基板上に窒化ガリウム結晶を液相成長法もしくは気相成長法で成長する工程と、
を備え、
前記第１の領域は窒化ガリウム単結晶からなり、
前記第２の領域は窒化ガリウム単結晶からなり、
前記第１の領域の窒化ガリウム単結晶の結晶軸は、前記第２の領域の窒化ガリウム単結晶の結晶軸と反対向きであり、
前記第１のエリアには窒化ガリウム単結晶のＮ面が現れており、
前記第１のエリアの各々に凹部を形成して種結晶基板を作製する前記工程では、前記凹部は、前記窒化ガリウム基板の前記主面をエッチングすることによって形成され、
前記エッチングは、リン酸、硝酸および硫酸の少なくともいずれかを含む溶液を用いて行われる、ことを特徴とする方法。 - 窒化ガリウム結晶を作製する方法であって、
第１の転位密度より大きな転位密度を有する複数の第１の領域と、該第１の転位密度より小さい転位密度を有する第２の領域と、前記第１の領域が現れた第１のエリアおよび前記第２の領域が現れた第２のエリアを有する主面とを含む窒化ガリウム基板を準備する工程と、
前記第１のエリアの各々に凹部を形成して種結晶基板を作製する工程と、
前記凹部に対応するボイドが形成されるように、前記種結晶基板上に窒化ガリウム結晶を液相成長法もしくは気相成長法で成長する工程と、
を備え、
前記第１の領域は窒化ガリウム単結晶からなり、
前記第２の領域は窒化ガリウム単結晶からなり、
前記第１の領域の窒化ガリウム単結晶の結晶軸は、前記第２の領域の窒化ガリウム単結晶の結晶軸と反対向きであり、
前記第１のエリアには窒化ガリウム単結晶のＮ面が現れており、
前記第１のエリアの各々に凹部を形成して種結晶基板を作製する前記工程では、前記凹部は、前記窒化ガリウム基板の前記主面をエッチングすることによって形成され、
前記エッチングは、水酸化カリウムおよび水酸化ナトリウムの少なくとも一方を含む溶液を用いて行われる、ことを特徴とする方法。 - 窒化ガリウム結晶を作製する方法であって、
第１の転位密度より大きな転位密度を有する複数の第１の領域と、該第１の転位密度より小さい転位密度を有する第２の領域と、前記第１の領域が現れた第１のエリアおよび前記第２の領域が現れた第２のエリアを有する主面とを含む窒化ガリウム基板を準備する工程と、
前記第１のエリアの各々に凹部を形成して種結晶基板を作製する工程と、
前記凹部に対応するボイドが形成されるように、前記種結晶基板上に窒化ガリウム結晶を液相成長法もしくは気相成長法で成長する工程と、
を備え、
前記第１の領域は窒化ガリウム単結晶からなり、
前記第２の領域は窒化ガリウム単結晶からなり、
前記第１の領域の窒化ガリウム単結晶の結晶軸は、前記第２の領域の窒化ガリウム単結晶の結晶軸と反対向きであり、
前記第１のエリアには窒化ガリウム単結晶のＮ面が現れており、
前記第１のエリアの各々に凹部を形成して種結晶基板を作製する前記工程では、前記凹部は、前記窒化ガリウム基板の前記主面をエッチングすることによって形成され、
前記エッチングは、水酸化カリウムおよび水酸化ナトリウムの少なくとも一方を含む融液を用いて行われる、ことを特徴とする方法。 - 窒化ガリウム結晶を作製する方法であって、
第１の転位密度より大きな転位密度を有する複数の第１の領域と、該第１の転位密度より小さい転位密度を有する第２の領域と、前記第１の領域が現れた第１のエリアおよび前記第２の領域が現れた第２のエリアを有する主面とを含む窒化ガリウム基板を準備する工程と、
前記第１のエリアの各々に凹部を形成し、さらに前記第１のエリアの凹部の各々を覆うようにマスクを形成して種結晶基板を作製する工程と、
前記凹部に対応するボイドが形成されるように、前記種結晶基板上に窒化ガリウム結晶を液相成長法もしくは気相成長法で成長する工程と、
を備え、
前記第１の領域は窒化ガリウム単結晶からなり、
前記第２の領域は窒化ガリウム単結晶からなり、
前記第１の領域の窒化ガリウム単結晶の結晶軸は、前記第２の領域の窒化ガリウム単結晶の結晶軸と反対向きであり、
前記第１のエリアには窒化ガリウム単結晶のＮ面が現れており、
前記第１のエリアの各々に凹部を形成し、さらに前記第１のエリアの凹部の各々を覆うようにマスクを形成して種結晶基板を作製する工程では、前記凹部は、前記窒化ガリウム基板の前記主面をエッチングすることによって形成され、
前記エッチングは、ＨＣｌ、Ｃｌ２、ＢＣｌ３、ＣＣｌ４の少なくともいずれかを用いて行われる、ことを特徴とする方法。 - 窒化ガリウム結晶を作製する方法であって、
第１の転位密度より大きな転位密度を有する複数の第１の領域と、該第１の転位密度より小さい転位密度を有する第２の領域と、前記第１の領域が現れた第１のエリアおよび前記第２の領域が現れた第２のエリアを有する主面とを含む窒化ガリウム基板を準備する工程と、
前記第１のエリアの各々に凹部を形成し、さらに前記第１のエリアの凹部の各々を覆うようにマスクを形成して種結晶基板を作製する工程と、
前記凹部に対応するボイドが形成されるように、前記種結晶基板上に窒化ガリウム結晶を液相成長法もしくは気相成長法で成長する工程と、
を備え、
前記第１の領域は窒化ガリウム単結晶からなり、
前記第２の領域は窒化ガリウム単結晶からなり、
前記第１の領域の窒化ガリウム単結晶の結晶軸は、前記第２の領域の窒化ガリウム単結晶の結晶軸と反対向きであり、
前記第１のエリアには窒化ガリウム単結晶のＮ面が現れており、
前記第１のエリアの各々に凹部を形成し、さらに前記第１のエリアの凹部の各々を覆うようにマスクを形成して種結晶基板を作製する工程では、前記凹部は、前記窒化ガリウム基板の前記主面をエッチングすることによって形成され、前記エッチングは、リン酸、硝酸および硫酸の少なくともいずれかを含む溶液を用いて行われる、ことを特徴とする方法。 - 窒化ガリウム結晶を作製する方法であって、
第１の転位密度より大きな転位密度を有する複数の第１の領域と、該第１の転位密度より小さい転位密度を有する第２の領域と、前記第１の領域が現れた第１のエリアおよび前記第２の領域が現れた第２のエリアを有する主面とを含む窒化ガリウム基板を準備する工程と、
前記第１のエリアの各々に凹部を形成し、さらに前記第１のエリアの凹部の各々を覆うようにマスクを形成して種結晶基板を作製する工程と、
前記凹部に対応するボイドが形成されるように、前記種結晶基板上に窒化ガリウム結晶を液相成長法もしくは気相成長法で成長する工程と、
を備え、
前記第１の領域は窒化ガリウム単結晶からなり、
前記第２の領域は窒化ガリウム単結晶からなり、
前記第１の領域の窒化ガリウム単結晶の結晶軸は、前記第２の領域の窒化ガリウム単結晶の結晶軸と反対向きであり、
前記第１のエリアには窒化ガリウム単結晶のＮ面が現れており、
前記第１のエリアの各々に凹部を形成し、さらに前記第１のエリアの凹部の各々を覆うようにマスクを形成して種結晶基板を作製する工程では、前記凹部は、前記窒化ガリウム基板の前記主面をエッチングすることによって形成され、
前記エッチングは、水酸化カリウムおよび水酸化ナトリウムの少なくとも一方を含む溶液を用いて行われる、ことを特徴とする方法。 - 窒化ガリウム結晶を作製する方法であって、
第１の転位密度より大きな転位密度を有する複数の第１の領域と、該第１の転位密度より小さい転位密度を有する第２の領域と、前記第１の領域が現れた第１のエリアおよび前記第２の領域が現れた第２のエリアを有する主面とを含む窒化ガリウム基板を準備する工程と、
前記第１のエリアの各々に凹部を形成し、さらに前記第１のエリアの凹部の各々を覆うようにマスクを形成して種結晶基板を作製する工程と、
前記凹部に対応するボイドが形成されるように、前記種結晶基板上に窒化ガリウム結晶を液相成長法もしくは気相成長法で成長する工程と、
を備え、
前記第１の領域は窒化ガリウム単結晶からなり、
前記第２の領域は窒化ガリウム単結晶からなり、
前記第１の領域の窒化ガリウム単結晶の結晶軸は、前記第２の領域の窒化ガリウム単結晶の結晶軸と反対向きであり、
前記第１のエリアには窒化ガリウム単結晶のＮ面が現れており、
前記第１のエリアの各々に凹部を形成し、さらに前記第１のエリアの凹部の各々を覆うようにマスクを形成して種結晶基板を作製する工程では、前記凹部は、前記窒化ガリウム基板の前記主面をエッチングすることによって形成され、
前記エッチングは、水酸化カリウムおよび水酸化ナトリウムの少なくとも一方を含む融液を用いて行われる、ことを特徴とする方法。 - 窒化ガリウム結晶を作製する方法であって、
第１の転位密度より大きな転位密度を有する複数の第１の領域と、該第１の転位密度より小さい転位密度を有する第２の領域と、前記第１の領域が現れた第１のエリアおよび前記第２の領域が現れた第２のエリアを有する主面とを含む窒化ガリウム基板を準備する工程と、
前記第１のエリアの各々に凹部を形成し、さらに前記第１のエリアの凹部の各々を覆うようにマスクを形成して種結晶基板を作製する工程と、
摂氏１１００度より高く摂氏１３００度以下の成長温度で前記種結晶基板上に窒化ガリウム結晶を気相成長法で成長する工程と、
を備え、
前記第１の領域は窒化ガリウム単結晶からなり、
前記第２の領域は窒化ガリウム単結晶からなり、
前記第１の領域の窒化ガリウム単結晶の結晶軸は、前記第２の領域の窒化ガリウム単結晶の結晶軸と反対向きであり、
前記第１のエリアには窒化ガリウム単結晶のＮ面が現れており、
前記第１のエリアの各々に凹部を形成し、さらに前記第１のエリアの凹部の各々を覆うようにマスクを形成して種結晶基板を作製する工程では、前記凹部は、前記窒化ガリウム基板の前記主面をエッチングすることによって形成され、
前記エッチングは、ＨＣｌ、Ｃｌ２、ＢＣｌ３、ＣＣｌ４の少なくともいずれかを用いて行われる、ことを特徴とする方法。 - 窒化ガリウム結晶を作製する方法であって、
第１の転位密度より大きな転位密度を有する複数の第１の領域と、該第１の転位密度より小さい転位密度を有する第２の領域と、前記第１の領域が現れた第１のエリアおよび前記第２の領域が現れた第２のエリアを有する主面とを含む窒化ガリウム基板を準備する工程と、
前記第１のエリアの各々に凹部を形成し、さらに前記第１のエリアの凹部の各々を覆うようにマスクを形成して種結晶基板を作製する工程と、
摂氏１１００度より高く摂氏１３００度以下の成長温度で前記種結晶基板上に窒化ガリウム結晶を気相成長法で成長する工程と、
を備え、
前記第１の領域は窒化ガリウム単結晶からなり、
前記第２の領域は窒化ガリウム単結晶からなり、
前記第１の領域の窒化ガリウム単結晶の結晶軸は、前記第２の領域の窒化ガリウム単結晶の結晶軸と反対向きであり、
前記第１のエリアには窒化ガリウム単結晶のＮ面が現れており、
前記第１のエリアの各々に凹部を形成し、さらに前記第１のエリアの凹部の各々を覆うようにマスクを形成して種結晶基板を作製する工程では、前記凹部は、前記窒化ガリウム基板の前記主面をエッチングすることによって形成され、前記エッチングは、リン酸、硝酸および硫酸の少なくともいずれかを含む溶液を用いて行われる、ことを特徴とする方法。 - 窒化ガリウム結晶を作製する方法であって、
第１の転位密度より大きな転位密度を有する複数の第１の領域と、該第１の転位密度より小さい転位密度を有する第２の領域と、前記第１の領域が現れた第１のエリアおよび前記第２の領域が現れた第２のエリアを有する主面とを含む窒化ガリウム基板を準備する工程と、
前記第１のエリアの各々に凹部を形成し、さらに前記第１のエリアの凹部の各々を覆うようにマスクを形成して種結晶基板を作製する工程と、
摂氏１１００度より高く摂氏１３００度以下の成長温度で前記種結晶基板上に窒化ガリウム結晶を気相成長法で成長する工程と、
を備え、
前記第１の領域は窒化ガリウム単結晶からなり、
前記第２の領域は窒化ガリウム単結晶からなり、
前記第１の領域の窒化ガリウム単結晶の結晶軸は、前記第２の領域の窒化ガリウム単結晶の結晶軸と反対向きであり、
前記第１のエリアには窒化ガリウム単結晶のＮ面が現れており、
前記第１のエリアの各々に凹部を形成し、さらに前記第１のエリアの凹部の各々を覆うようにマスクを形成して種結晶基板を作製する工程では、前記凹部は、前記窒化ガリウム基板の前記主面をエッチングすることによって形成され、
前記エッチングは、水酸化カリウムおよび水酸化ナトリウムの少なくとも一方を含む溶液を用いて行われる、ことを特徴とする方法。 - 窒化ガリウム結晶を作製する方法であって、
第１の転位密度より大きな転位密度を有する複数の第１の領域と、該第１の転位密度より小さい転位密度を有する第２の領域と、前記第１の領域が現れた第１のエリアおよび前記第２の領域が現れた第２のエリアを有する主面とを含む窒化ガリウム基板を準備する工程と、
前記第１のエリアの各々に凹部を形成し、さらに前記第１のエリアの凹部の各々を覆うようにマスクを形成して種結晶基板を作製する工程と、
摂氏１１００度より高く摂氏１３００度以下の成長温度で前記種結晶基板上に窒化ガリウム結晶を気相成長法で成長する工程と、
を備え、
前記第１の領域は窒化ガリウム単結晶からなり、
前記第２の領域は窒化ガリウム単結晶からなり、
前記第１の領域の窒化ガリウム単結晶の結晶軸は、前記第２の領域の窒化ガリウム単結晶の結晶軸と反対向きであり、
前記第１のエリアには窒化ガリウム単結晶のＮ面が現れており、
前記第１のエリアの各々に凹部を形成し、さらに前記第１のエリアの凹部の各々を覆うようにマスクを形成して種結晶基板を作製する工程では、前記凹部は、前記窒化ガリウム基板の前記主面をエッチングすることによって形成され、
前記エッチングは、水酸化カリウムおよび水酸化ナトリウムの少なくとも一方を含む融液を用いて行われる、ことを特徴とする方法。 - 窒化ガリウム結晶を作製する方法であって、
窒化ガリウム単結晶からなる第１の領域と、前記第１の領域の窒化ガリウム単結晶の結晶軸と反対向きの結晶軸をもつ窒化ガリウム単結晶からなる第２の領域と、前記第１の領域が現れた第１のエリアおよび前記第２の領域が現れた第２のエリアを有する主面とを含む窒化ガリウム基板を準備する工程と、
前記第１のエリアの各々に凹部を形成して種結晶基板を作製する工程と、
前記凹部に対応するボイドが形成されるように、前記種結晶基板上に窒化ガリウム結晶を液相成長法もしくは気相成長法で成長する工程と、
を備え、
前記第１のエリアには窒化ガリウム単結晶のＮ面が現れており、
前記第１のエリアの各々に凹部を形成して種結晶基板を作製する前記工程では、前記凹部は、前記窒化ガリウム基板の前記主面をエッチングすることによって形成され、
前記エッチングは、ＨＣｌ、Ｃｌ２、ＢＣｌ３、ＣＣｌ４の少なくともいずれかを用いて行われる、ことを特徴とする方法。 - 窒化ガリウム結晶を作製する方法であって、
窒化ガリウム単結晶からなる第１の領域と、前記第１の領域の窒化ガリウム単結晶の結晶軸と反対向きの結晶軸をもつ窒化ガリウム単結晶からなる第２の領域と、前記第１の領域が現れた第１のエリアおよび前記第２の領域が現れた第２のエリアを有する主面とを含む窒化ガリウム基板を準備する工程と、
前記第１のエリアの各々に凹部を形成して種結晶基板を作製する工程と、
前記凹部に対応するボイドが形成されるように、前記種結晶基板上に窒化ガリウム結晶を液相成長法もしくは気相成長法で成長する工程と、
を備え、
前記第１のエリアには窒化ガリウム単結晶のＮ面が現れており、
前記第１のエリアの各々に凹部を形成して種結晶基板を作製する前記工程では、前記凹部は、前記窒化ガリウム基板の前記主面をエッチングすることによって形成され、
前記エッチングは、リン酸、硝酸および硫酸の少なくともいずれかを含む溶液を用いて行われる、ことを特徴とする方法。 - 窒化ガリウム結晶を作製する方法であって、
窒化ガリウム単結晶からなる第１の領域と、前記第１の領域の窒化ガリウム単結晶の結晶軸と反対向きの結晶軸をもつ窒化ガリウム単結晶からなる第２の領域と、前記第１の領域が現れた第１のエリアおよび前記第２の領域が現れた第２のエリアを有する主面とを含む窒化ガリウム基板を準備する工程と、
前記第１のエリアの各々に凹部を形成して種結晶基板を作製する工程と、
前記凹部に対応するボイドが形成されるように、前記種結晶基板上に窒化ガリウム結晶を液相成長法もしくは気相成長法で成長する工程と、
を備え、
前記第１のエリアには窒化ガリウム単結晶のＮ面が現れており、
前記第１のエリアの各々に凹部を形成して種結晶基板を作製する前記工程では、前記凹部は、前記窒化ガリウム基板の前記主面をエッチングすることによって形成され、
前記エッチングは、水酸化カリウムおよび水酸化ナトリウムの少なくとも一方を含む溶液を用いて行われる、ことを特徴とする方法。 - 窒化ガリウム結晶を作製する方法であって、
窒化ガリウム単結晶からなる第１の領域と、前記第１の領域の窒化ガリウム単結晶の結晶軸と反対向きの結晶軸をもつ窒化ガリウム単結晶からなる第２の領域と、前記第１の領域が現れた第１のエリアおよび前記第２の領域が現れた第２のエリアを有する主面とを含む窒化ガリウム基板を準備する工程と、
前記第１のエリアの各々に凹部を形成して種結晶基板を作製する工程と、
前記凹部に対応するボイドが形成されるように、前記種結晶基板上に窒化ガリウム結晶を液相成長法もしくは気相成長法で成長する工程と、
を備え、
前記第１のエリアには窒化ガリウム単結晶のＮ面が現れており、
前記第１のエリアの各々に凹部を形成して種結晶基板を作製する前記工程では、前記凹部は、前記窒化ガリウム基板の前記主面をエッチングすることによって形成され、
前記エッチングは、水酸化カリウムおよび水酸化ナトリウムの少なくとも一方を含む融液を用いて行われる、ことを特徴とする方法。 - 窒化ガリウム結晶を作製する方法であって、
窒化ガリウム単結晶からなる第１の領域と、前記第１の領域の窒化ガリウム単結晶の結晶軸と反対向きの結晶軸をもつ窒化ガリウム単結晶からなる第２の領域と、前記第１の領域が現れた第１のエリアおよび前記第２の領域が現れた第２のエリアを有する主面とを含む窒化ガリウム基板を準備する工程と、
前記第１のエリアの各々に凹部を形成し、さらに前記第１のエリアの凹部の各々を覆うようにマスクを形成して種結晶基板を作製する工程と、
前記凹部に対応するボイドが形成されるように、前記種結晶基板上に窒化ガリウム結晶を液相成長法もしくは気相成長法で成長する工程と、
を備え、
前記第１のエリアには窒化ガリウム単結晶のＮ面が現れており、
前記第１のエリアの各々に凹部を形成し、さらに前記第１のエリアの凹部の各々を覆うようにマスクを形成して種結晶基板を作製する工程では、前記凹部は、前記窒化ガリウム基板の前記主面をエッチングすることによって形成され、
前記エッチングは、ＨＣｌ、Ｃｌ２、ＢＣｌ３、ＣＣｌ４の少なくともいずれかを用いて行われる、ことを特徴とする方法。 - 窒化ガリウム結晶を作製する方法であって、
窒化ガリウム単結晶からなる第１の領域と、前記第１の領域の窒化ガリウム単結晶の結晶軸と反対向きの結晶軸をもつ窒化ガリウム単結晶からなる第２の領域と、前記第１の領域が現れた第１のエリアおよび前記第２の領域が現れた第２のエリアを有する主面とを含む窒化ガリウム基板を準備する工程と、
前記第１のエリアの各々に凹部を形成し、さらに前記第１のエリアの凹部の各々を覆うようにマスクを形成して種結晶基板を作製する工程と、
前記凹部に対応するボイドが形成されるように、前記種結晶基板上に窒化ガリウム結晶を液相成長法もしくは気相成長法で成長する工程と、
を備え、
前記第１のエリアには窒化ガリウム単結晶のＮ面が現れており、
前記第１のエリアの各々に凹部を形成し、さらに前記第１のエリアの凹部の各々を覆うようにマスクを形成して種結晶基板を作製する工程では、前記凹部は、前記窒化ガリウム基板の前記主面をエッチングすることによって形成され、
前記エッチングは、リン酸、硝酸および硫酸の少なくともいずれかを含む溶液を用いて行われる、ことを特徴とする方法。 - 窒化ガリウム結晶を作製する方法であって、
窒化ガリウム単結晶からなる第１の領域と、前記第１の領域の窒化ガリウム単結晶の結晶軸と反対向きの結晶軸をもつ窒化ガリウム単結晶からなる第２の領域と、前記第１の領域が現れた第１のエリアおよび前記第２の領域が現れた第２のエリアを有する主面とを含む窒化ガリウム基板を準備する工程と、
前記第１のエリアの各々に凹部を形成し、さらに前記第１のエリアの凹部の各々を覆うようにマスクを形成して種結晶基板を作製する工程と、
前記凹部に対応するボイドが形成されるように、前記種結晶基板上に窒化ガリウム結晶を液相成長法もしくは気相成長法で成長する工程と、
を備え、
前記第１のエリアには窒化ガリウム単結晶のＮ面が現れており、
前記第１のエリアの各々に凹部を形成し、さらに前記第１のエリアの凹部の各々を覆うようにマスクを形成して種結晶基板を作製する工程では、前記凹部は、前記窒化ガリウム基板の前記主面をエッチングすることによって形成され、
前記エッチングは、水酸化カリウムおよび水酸化ナトリウムの少なくとも一方を含む溶液を用いて行われる、ことを特徴とする方法。 - 窒化ガリウム結晶を作製する方法であって、
窒化ガリウム単結晶からなる第１の領域と、前記第１の領域の窒化ガリウム単結晶の結晶軸と反対向きの結晶軸をもつ窒化ガリウム単結晶からなる第２の領域と、前記第１の領域が現れた第１のエリアおよび前記第２の領域が現れた第２のエリアを有する主面とを含む窒化ガリウム基板を準備する工程と、
前記第１のエリアの各々に凹部を形成し、さらに前記第１のエリアの凹部の各々を覆うようにマスクを形成して種結晶基板を作製する工程と、
前記凹部に対応するボイドが形成されるように、前記種結晶基板上に窒化ガリウム結晶を液相成長法もしくは気相成長法で成長する工程と、
を備え、
前記第１のエリアには窒化ガリウム単結晶のＮ面が現れており、
前記第１のエリアの各々に凹部を形成し、さらに前記第１のエリアの凹部の各々を覆うようにマスクを形成して種結晶基板を作製する工程では、前記凹部は、前記窒化ガリウム基板の前記主面をエッチングすることによって形成され、
前記エッチングは、水酸化カリウムおよび水酸化ナトリウムの少なくとも一方を含む融液を用いて行われる、ことを特徴とする方法。 - 窒化ガリウム結晶を作製する方法であって、
窒化ガリウム単結晶からなる第１の領域と、前記第１の領域の窒化ガリウム単結晶の結晶軸と反対向きの結晶軸をもつ窒化ガリウム単結晶からなる第２の領域と、前記第１の領域が現れた第１のエリアおよび前記第２の領域が現れた第２のエリアを有する主面とを含む窒化ガリウム基板を準備する工程と、
前記第１のエリアの各々に凹部を形成し、さらに前記第１のエリアの凹部の各々を覆うようにマスクを形成して種結晶基板を作製する工程と、
摂氏１１００度より高く摂氏１３００度以下の成長温度で前記種結晶基板上に窒化ガリウム結晶を気相成長法で成長する工程と、
を備え、
前記第１のエリアには窒化ガリウム単結晶のＮ面が現れており、
前記第１のエリアの各々に凹部を形成し、さらに前記第１のエリアの凹部の各々を覆うようにマスクを形成して種結晶基板を作製する工程では、前記凹部は、前記窒化ガリウム基板の前記主面をエッチングすることによって形成され、
前記エッチングは、ＨＣｌ、Ｃｌ２、ＢＣｌ３、ＣＣｌ４の少なくともいずれかを用いて行われる、ことを特徴とする方法。 - 窒化ガリウム結晶を作製する方法であって、
窒化ガリウム単結晶からなる第１の領域と、前記第１の領域の窒化ガリウム単結晶の結晶軸と反対向きの結晶軸をもつ窒化ガリウム単結晶からなる第２の領域と、前記第１の領域が現れた第１のエリアおよび前記第２の領域が現れた第２のエリアを有する主面とを含む窒化ガリウム基板を準備する工程と、
前記第１のエリアの各々に凹部を形成し、さらに前記第１のエリアの凹部の各々を覆うようにマスクを形成して種結晶基板を作製する工程と、
摂氏１１００度より高く摂氏１３００度以下の成長温度で前記種結晶基板上に窒化ガリウム結晶を気相成長法で成長する工程と、
を備え、
前記第１のエリアには窒化ガリウム単結晶のＮ面が現れており、
前記第１のエリアの各々に凹部を形成し、さらに前記第１のエリアの凹部の各々を覆うようにマスクを形成して種結晶基板を作製する工程では、前記凹部は、前記窒化ガリウム基板の前記主面をエッチングすることによって形成され、
前記エッチングは、リン酸、硝酸および硫酸の少なくともいずれかを含む溶液を用いて行われる、ことを特徴とする方法。 - 窒化ガリウム結晶を作製する方法であって、
窒化ガリウム単結晶からなる第１の領域と、前記第１の領域の窒化ガリウム単結晶の結晶軸と反対向きの結晶軸をもつ窒化ガリウム単結晶からなる第２の領域と、前記第１の領域が現れた第１のエリアおよび前記第２の領域が現れた第２のエリアを有する主面とを含む窒化ガリウム基板を準備する工程と、
前記第１のエリアの各々に凹部を形成し、さらに前記第１のエリアの凹部の各々を覆うようにマスクを形成して種結晶基板を作製する工程と、
摂氏１１００度より高く摂氏１３００度以下の成長温度で前記種結晶基板上に窒化ガリウム結晶を気相成長法で成長する工程と、
を備え、
前記第１のエリアには窒化ガリウム単結晶のＮ面が現れており、
前記第１のエリアの各々に凹部を形成し、さらに前記第１のエリアの凹部の各々を覆うようにマスクを形成して種結晶基板を作製する工程では、前記凹部は、前記窒化ガリウム基板の前記主面をエッチングすることによって形成され、
前記エッチングは、水酸化カリウムおよび水酸化ナトリウムの少なくとも一方を含む溶液を用いて行われる、ことを特徴とする方法。 - 窒化ガリウム結晶を作製する方法であって、
窒化ガリウム単結晶からなる第１の領域と、前記第１の領域の窒化ガリウム単結晶の結晶軸と反対向きの結晶軸をもつ窒化ガリウム単結晶からなる第２の領域と、前記第１の領域が現れた第１のエリアおよび前記第２の領域が現れた第２のエリアを有する主面とを含む窒化ガリウム基板を準備する工程と、
前記第１のエリアの各々に凹部を形成し、さらに前記第１のエリアの凹部の各々を覆うようにマスクを形成して種結晶基板を作製する工程と、
摂氏１１００度より高く摂氏１３００度以下の成長温度で前記種結晶基板上に窒化ガリウム結晶を気相成長法で成長する工程と、
を備え、
前記第１のエリアには窒化ガリウム単結晶のＮ面が現れており、
前記第１のエリアの各々に凹部を形成し、さらに前記第１のエリアの凹部の各々を覆うようにマスクを形成して種結晶基板を作製する工程では、前記凹部は、前記窒化ガリウム基板の前記主面をエッチングすることによって形成され、
前記エッチングは、水酸化カリウムおよび水酸化ナトリウムの少なくとも一方を含む融液を用いて行われる、ことを特徴とする方法。
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| CN109148268A (zh) * | 2018-09-21 | 2019-01-04 | 张海涛 | 氮化镓基板的制造方法 |
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Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH11126948A (ja) * | 1997-10-24 | 1999-05-11 | Sony Corp | 半導体素子およびその製造方法ならびに半導体発光素子 |
| JP2001160539A (ja) * | 1999-09-24 | 2001-06-12 | Sanyo Electric Co Ltd | 窒化物系半導体素子および窒化物系半導体の形成方法 |
| JP2002033282A (ja) * | 2000-07-13 | 2002-01-31 | Nichia Chem Ind Ltd | 窒化物半導体基板及びその製造方法 |
| JP2002359198A (ja) * | 2001-05-30 | 2002-12-13 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 化合物半導体の製造方法 |
| JP2003183100A (ja) * | 2001-10-09 | 2003-07-03 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 単結晶窒化ガリウム基板と単結晶窒化ガリウムの結晶成長方法および単結晶窒化ガリウム基板の製造方法 |
| JP2004262755A (ja) * | 2000-08-24 | 2004-09-24 | Nichia Chem Ind Ltd | 窒化物半導体の成長方法と窒化物半導体基板 |
Family Cites Families (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| US7354477B2 (en) * | 2001-10-09 | 2008-04-08 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Method of growing GaN crystal, method of producing single crystal GaN substrate, and single crystal GaN substrate |
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Patent Citations (6)
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|---|---|---|---|---|
| JPH11126948A (ja) * | 1997-10-24 | 1999-05-11 | Sony Corp | 半導体素子およびその製造方法ならびに半導体発光素子 |
| JP2001160539A (ja) * | 1999-09-24 | 2001-06-12 | Sanyo Electric Co Ltd | 窒化物系半導体素子および窒化物系半導体の形成方法 |
| JP2002033282A (ja) * | 2000-07-13 | 2002-01-31 | Nichia Chem Ind Ltd | 窒化物半導体基板及びその製造方法 |
| JP2004262755A (ja) * | 2000-08-24 | 2004-09-24 | Nichia Chem Ind Ltd | 窒化物半導体の成長方法と窒化物半導体基板 |
| JP2002359198A (ja) * | 2001-05-30 | 2002-12-13 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 化合物半導体の製造方法 |
| JP2003183100A (ja) * | 2001-10-09 | 2003-07-03 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 単結晶窒化ガリウム基板と単結晶窒化ガリウムの結晶成長方法および単結晶窒化ガリウム基板の製造方法 |
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