JP2002359198A - 化合物半導体の製造方法 - Google Patents
化合物半導体の製造方法Info
- Publication number
- JP2002359198A JP2002359198A JP2001162639A JP2001162639A JP2002359198A JP 2002359198 A JP2002359198 A JP 2002359198A JP 2001162639 A JP2001162639 A JP 2001162639A JP 2001162639 A JP2001162639 A JP 2001162639A JP 2002359198 A JP2002359198 A JP 2002359198A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- compound semiconductor
- gas
- single crystal
- crystal substrate
- heating step
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
- Led Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 ＧａＮ単結晶基板上に良好な窒化物系化合物
半導体層を形成することを目的とする。 【解決手段】 本発明による化合物半導体の製造方法
は、少なくとも水素ガスを含む第１ガス雰囲気下でＧａ
Ｎ単結晶基板２を加熱する第１加熱工程と、少なくとも
アンモニアを含む第２ガス雰囲気下でＧａＮ単結晶基板
２を加熱する第２加熱工程と、ＧａＮ単結晶基板２上に
窒化物系化合物半導体層３を形成するエピタキシャル成
長工程とを含む。
半導体層を形成することを目的とする。 【解決手段】 本発明による化合物半導体の製造方法
は、少なくとも水素ガスを含む第１ガス雰囲気下でＧａ
Ｎ単結晶基板２を加熱する第１加熱工程と、少なくとも
アンモニアを含む第２ガス雰囲気下でＧａＮ単結晶基板
２を加熱する第２加熱工程と、ＧａＮ単結晶基板２上に
窒化物系化合物半導体層３を形成するエピタキシャル成
長工程とを含む。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、化合物半導体の製
造方法に関し、特に、ＧａＮ単結晶基板上に形成された
窒化物系化合物半導体層を有する化合物半導体の製造方
法に関する。
造方法に関し、特に、ＧａＮ単結晶基板上に形成された
窒化物系化合物半導体層を有する化合物半導体の製造方
法に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、窒化物系化合物層を用いた発光ダ
イオードやレーザーダイオード等の発光デバイスが注目
を集めている。これら発光デバイスは、紫外光から青緑
色光の領域における短波長の光を出射可能であることか
ら、照明装置や表示装置として、また、次世代デジタル
ビデオディスク用光源として、実用化、量産化が期待さ
れている。このような発光デバイス用の基板としては、
窒化物系化合物半導体層（主に、ＧａＮ系化合物半導体
層）をエピタキシャル成長させる上で、これと格子定数
が一致するＧａＮ単結晶基板を用いるのが本来好まし
い。
イオードやレーザーダイオード等の発光デバイスが注目
を集めている。これら発光デバイスは、紫外光から青緑
色光の領域における短波長の光を出射可能であることか
ら、照明装置や表示装置として、また、次世代デジタル
ビデオディスク用光源として、実用化、量産化が期待さ
れている。このような発光デバイス用の基板としては、
窒化物系化合物半導体層（主に、ＧａＮ系化合物半導体
層）をエピタキシャル成長させる上で、これと格子定数
が一致するＧａＮ単結晶基板を用いるのが本来好まし
い。
【０００３】ところが、従来、ＧａＮ単結晶基板を製造
すること自体が困難であると考えられていた。このた
め、窒化物系化合物半導体層を形成するに際しては、Ｇ
ａＮに近い格子定数を有し、化学的にも安定なサファイ
ア基板を用いるのが一般的であった。サファイア基板上
にＧａＮ層をエピタキシャル成長させる方法としては、
有機金属化学気相成長法（ＯＭＶＰＥ）が広く知られて
いる。かかるＯＭＶＰＥ法では、まず、水素ガス雰囲気
下で、サファイア基板の温度を１０５０℃程度に保持
し、基板表面にクリーニングを施す。次に、４５０℃か
ら６００℃程度の温度の下で、基板上にＧａＮまたはＡ
ｌＮのバッファ層を成長させる。更に、１０００℃以上
の高温下で、バッファ層の上にＧａＮ層を成長させる。
すること自体が困難であると考えられていた。このた
め、窒化物系化合物半導体層を形成するに際しては、Ｇ
ａＮに近い格子定数を有し、化学的にも安定なサファイ
ア基板を用いるのが一般的であった。サファイア基板上
にＧａＮ層をエピタキシャル成長させる方法としては、
有機金属化学気相成長法（ＯＭＶＰＥ）が広く知られて
いる。かかるＯＭＶＰＥ法では、まず、水素ガス雰囲気
下で、サファイア基板の温度を１０５０℃程度に保持
し、基板表面にクリーニングを施す。次に、４５０℃か
ら６００℃程度の温度の下で、基板上にＧａＮまたはＡ
ｌＮのバッファ層を成長させる。更に、１０００℃以上
の高温下で、バッファ層の上にＧａＮ層を成長させる。
【０００４】しかしながら、上述したようにサファイア
基板を用いると、次のような問題が生じてしまう。すな
わち、サファイア基板とＧａＮ系化合物半導体層とは、
互いに近い格子定数を有するものの、両者の格子定数は
一致していない。このため、サファイア基板とＧａＮ層
の界面に格子不整合による転位等の多数の欠陥が導入さ
れてしまい、ＧａＮ系化合物半導体層の表面に多数の貫
通欠陥が表出する。このような欠陥は、レーザーダイオ
ードといった発光デバイスの特性や寿命を著しく劣化さ
せる要因となる。
基板を用いると、次のような問題が生じてしまう。すな
わち、サファイア基板とＧａＮ系化合物半導体層とは、
互いに近い格子定数を有するものの、両者の格子定数は
一致していない。このため、サファイア基板とＧａＮ層
の界面に格子不整合による転位等の多数の欠陥が導入さ
れてしまい、ＧａＮ系化合物半導体層の表面に多数の貫
通欠陥が表出する。このような欠陥は、レーザーダイオ
ードといった発光デバイスの特性や寿命を著しく劣化さ
せる要因となる。
【０００５】一方、上述したような欠陥を低減させるた
めの方法として、例えば、酒井ら（応用物理 第６８巻
第７号 ７７４〜７７９頁）は、選択横方向成長法
（Selective Epitaxial Lateral Overgrowth; ELO）を
提案している。この方法では、まず、上述した手法によ
りサファイア基板上にＧａＮ層を成長させる。そして、
ＧａＮ層上に、ＳｉＯ2をマスク材料として、リソグラ
フィーによってストライプパターンを形成した後、ＨＶ
ＰＥ法によりＧａＮを選択横方向成長させる。かかる方
法によれば、従来比約２桁のオーダーで欠陥密度を低減
させることが可能となる。しかしながら、ＧａＮ系化合
物半導体層の表面には、依然として、１０ 7〜１０8 /cm
2程度の欠陥が表出してしまう。
めの方法として、例えば、酒井ら（応用物理 第６８巻
第７号 ７７４〜７７９頁）は、選択横方向成長法
（Selective Epitaxial Lateral Overgrowth; ELO）を
提案している。この方法では、まず、上述した手法によ
りサファイア基板上にＧａＮ層を成長させる。そして、
ＧａＮ層上に、ＳｉＯ2をマスク材料として、リソグラ
フィーによってストライプパターンを形成した後、ＨＶ
ＰＥ法によりＧａＮを選択横方向成長させる。かかる方
法によれば、従来比約２桁のオーダーで欠陥密度を低減
させることが可能となる。しかしながら、ＧａＮ系化合
物半導体層の表面には、依然として、１０ 7〜１０8 /cm
2程度の欠陥が表出してしまう。
【０００６】このように、サファイア基板上に窒化物系
化合物半導体層を形成した場合、発光デバイスの特性を
十分に改善し、ロングライフ化を図ることは困難であっ
た。また、サファイア基板とＧａＮ層とでは、熱膨張率
が大きく異なっているため、エピタキシャル成長後のサ
ファイア基板には、大きな反りが発生してしまう。更
に、サファイア基板は劈開性を有してはおらず、劈開面
によって反射面を形成するレーザーダイオードの製造に
は本来適していないともいえる。
化合物半導体層を形成した場合、発光デバイスの特性を
十分に改善し、ロングライフ化を図ることは困難であっ
た。また、サファイア基板とＧａＮ層とでは、熱膨張率
が大きく異なっているため、エピタキシャル成長後のサ
ファイア基板には、大きな反りが発生してしまう。更
に、サファイア基板は劈開性を有してはおらず、劈開面
によって反射面を形成するレーザーダイオードの製造に
は本来適していないともいえる。
【０００７】このような状況のもと、本発明者らは、原
則に立ちかえり、ＧａＮ単結晶基板の量産化を図るべ
く、鋭意研究を進めた。そして、本発明者らは、実験、
解析を繰り返すことにより、窒化物系化合物半導体層の
形成に適したＧａＮ単結晶基板を製造する方法を確立す
るに至った。本発明者らが、国際公開公報ＷＯ９９／２
３６９３（特願２０００−５１９４６２号）において提
案した方法は、次のようなものである。すなわち、第１
の方法では、まず、ＧａＡｓ基板上にストライプ状また
は円形状の開口部をもったマスク層を形成し、その上に
ＧａＮ層をエピタキシャル成長させる。そして、エピタ
キシャル成長の完了後、ＧａＡｓ基板を除去することに
よりＧａＮ基板を得る。また、第２の方法では、また、
ＧａＮ基板上に更にＧａＮ層を成長させてインゴットを
作製する。そして、得られたインゴットから複数のＧａ
Ｎ基板を切り出す。これらの新たな製法を採用すること
により、ＧａＮ単結晶基板の商業ベースでの量産化が可
能となる。
則に立ちかえり、ＧａＮ単結晶基板の量産化を図るべ
く、鋭意研究を進めた。そして、本発明者らは、実験、
解析を繰り返すことにより、窒化物系化合物半導体層の
形成に適したＧａＮ単結晶基板を製造する方法を確立す
るに至った。本発明者らが、国際公開公報ＷＯ９９／２
３６９３（特願２０００−５１９４６２号）において提
案した方法は、次のようなものである。すなわち、第１
の方法では、まず、ＧａＡｓ基板上にストライプ状また
は円形状の開口部をもったマスク層を形成し、その上に
ＧａＮ層をエピタキシャル成長させる。そして、エピタ
キシャル成長の完了後、ＧａＡｓ基板を除去することに
よりＧａＮ基板を得る。また、第２の方法では、また、
ＧａＮ基板上に更にＧａＮ層を成長させてインゴットを
作製する。そして、得られたインゴットから複数のＧａ
Ｎ基板を切り出す。これらの新たな製法を採用すること
により、ＧａＮ単結晶基板の商業ベースでの量産化が可
能となる。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】さて、ＧａＮ単結晶基
板上に窒化物系化合物半導体層を形成するに際しては、
作成したＧａＮ単結晶基板の表面を平坦にしておく必要
がある。しかしながら、ＧａＮは化学的に非常に安定な
ため、Ｓｉ，ＧａＡｓ等からなる他の半導体用基板に適
用されている化学的機械研磨法（ＣＭＰ）を採用して
も、十分な平坦性をＧａＮ単結晶基板の表面に付与する
ことは困難である。このため、ＧａＮ単結晶基板に対し
ては、研磨材を用いた機械的研磨が施される。
板上に窒化物系化合物半導体層を形成するに際しては、
作成したＧａＮ単結晶基板の表面を平坦にしておく必要
がある。しかしながら、ＧａＮは化学的に非常に安定な
ため、Ｓｉ，ＧａＡｓ等からなる他の半導体用基板に適
用されている化学的機械研磨法（ＣＭＰ）を採用して
も、十分な平坦性をＧａＮ単結晶基板の表面に付与する
ことは困難である。このため、ＧａＮ単結晶基板に対し
ては、研磨材を用いた機械的研磨が施される。
【０００９】この場合、機械研磨を施した基板の表面粗
さは、典型的にはＲａ＝１．０ｎｍ程度となり、基板表
面はエピタキシャル成長に適するほど平坦化されない。
このように表面粗さが改善されていない基板上にＧａＮ
等をエピタキシャル成長させた場合、ランダムな核発生
と粒成長による３次元成長が起こり易くなり、エピタキ
シャル成長後に平坦な表面を得ることが困難となる。ま
た、このような成長モードでは、生成した成長核同士が
合体する際に、核間に存在する微少な結晶方位のずれに
起因する転位等の結晶欠陥が発生し易くなり、窒化物系
化合物半導体層の結晶性も劣化してしまう。
さは、典型的にはＲａ＝１．０ｎｍ程度となり、基板表
面はエピタキシャル成長に適するほど平坦化されない。
このように表面粗さが改善されていない基板上にＧａＮ
等をエピタキシャル成長させた場合、ランダムな核発生
と粒成長による３次元成長が起こり易くなり、エピタキ
シャル成長後に平坦な表面を得ることが困難となる。ま
た、このような成長モードでは、生成した成長核同士が
合体する際に、核間に存在する微少な結晶方位のずれに
起因する転位等の結晶欠陥が発生し易くなり、窒化物系
化合物半導体層の結晶性も劣化してしまう。
【００１０】このような状況に鑑み、本発明は、ＧａＮ
単結晶基板上に良好な窒化物系化合物半導体層を形成可
能とする化合物半導体の製造方法の提供を目的とする。
単結晶基板上に良好な窒化物系化合物半導体層を形成可
能とする化合物半導体の製造方法の提供を目的とする。
【００１１】
【課題を解決するための手段】請求項１に記載の本発明
による化合物半導体の製造方法は、ＧａＮ単結晶基板上
に形成された窒化物系化合物半導体層を有する化合物半
導体の製造方法において、少なくとも水素ガスを含む第
１ガス雰囲気下でＧａＮ単結晶基板を加熱する第１加熱
工程と、少なくともアンモニアを含む第２ガス雰囲気下
でＧａＮ単結晶基板を加熱する第２加熱工程と、ＧａＮ
単結晶基板上に窒化物系化合物半導体層を形成するエピ
タキシャル成長工程とを含むものである。
による化合物半導体の製造方法は、ＧａＮ単結晶基板上
に形成された窒化物系化合物半導体層を有する化合物半
導体の製造方法において、少なくとも水素ガスを含む第
１ガス雰囲気下でＧａＮ単結晶基板を加熱する第１加熱
工程と、少なくともアンモニアを含む第２ガス雰囲気下
でＧａＮ単結晶基板を加熱する第２加熱工程と、ＧａＮ
単結晶基板上に窒化物系化合物半導体層を形成するエピ
タキシャル成長工程とを含むものである。
【００１２】本発明者らは、表面研磨ではＧａＮ単結晶
基板の表面に十分な平坦性を付与することが困難である
ことを踏まえた上で、ＧａＮ単結晶基板上に良好な窒化
物系化合物半導体層を形成すべく、鋭意研究を進めた。
その結果、ＧａＮ単結晶基板上に窒化物系化合物半導体
層をエピタキシャル成長させる前に、ＧａＮ単結晶基板
に対して２段階の加熱処理を施すことにより、ＧａＮ単
結晶基板上に極めて良好な窒化物系化合物半導体層を形
成可能となることを見出した。
基板の表面に十分な平坦性を付与することが困難である
ことを踏まえた上で、ＧａＮ単結晶基板上に良好な窒化
物系化合物半導体層を形成すべく、鋭意研究を進めた。
その結果、ＧａＮ単結晶基板上に窒化物系化合物半導体
層をエピタキシャル成長させる前に、ＧａＮ単結晶基板
に対して２段階の加熱処理を施すことにより、ＧａＮ単
結晶基板上に極めて良好な窒化物系化合物半導体層を形
成可能となることを見出した。
【００１３】すなわち、第１加熱工程において、少なく
とも水素ガスを含む第１ガス雰囲気下でＧａＮ単結晶基
板を加熱することにより、基板表面においてＧａＮが還
元されて分解し、Ｎ原子は、ＮＨx（１≦ｘ≦３）とな
って脱離する。ここで、ＧａＮ単結晶基板の表面がエッ
チングされる際、基板表面に吸着または結合している有
機分子や酸素等の分子も同時にエッチングされる。従っ
て、基板表面の汚染物質を大幅に低減させることが可能
となる。このようにして汚染物質を低減させておくこと
は、窒化物系化合物半導体層の結晶状態の改善に顕著な
効果を与える。
とも水素ガスを含む第１ガス雰囲気下でＧａＮ単結晶基
板を加熱することにより、基板表面においてＧａＮが還
元されて分解し、Ｎ原子は、ＮＨx（１≦ｘ≦３）とな
って脱離する。ここで、ＧａＮ単結晶基板の表面がエッ
チングされる際、基板表面に吸着または結合している有
機分子や酸素等の分子も同時にエッチングされる。従っ
て、基板表面の汚染物質を大幅に低減させることが可能
となる。このようにして汚染物質を低減させておくこと
は、窒化物系化合物半導体層の結晶状態の改善に顕著な
効果を与える。
【００１４】また、第１加熱工程を実施することによ
り、基板表面のＮ原子が脱離するので、ＧａＮ単結晶基
板の表面のストイキオメトリーは、Ｇａリッチの状態と
なる。この場合、過剰Ｇａ原子は、表面エネルギを低下
させるようにマイグレーションし、表面の凹部に集ま
る。従って、第１加熱工程が施されたＧａＮ単結晶基板
を、少なくともアンモニアが含まれている第２ガス雰囲
気下で加熱することにより（第２加熱工程）、表面の凹
部内のＧａ原子は、第２ガス中のアンモニア（窒素）に
よって窒化される。これにより、基板表面の凹部に再度
ＧａＮが形成され、ＧａＮ単結晶基板の表面は良好に平
坦化されることになる。そして、これら第１加熱工程お
よび第２加熱工程を経て、良好に平坦化されたＧａＮ単
結晶基板上に窒化物系化合物半導体層を形成することに
より、窒化物系化合物半導体層の結晶状態および表面モ
フォロジーを大幅に改善することが可能となる。
り、基板表面のＮ原子が脱離するので、ＧａＮ単結晶基
板の表面のストイキオメトリーは、Ｇａリッチの状態と
なる。この場合、過剰Ｇａ原子は、表面エネルギを低下
させるようにマイグレーションし、表面の凹部に集ま
る。従って、第１加熱工程が施されたＧａＮ単結晶基板
を、少なくともアンモニアが含まれている第２ガス雰囲
気下で加熱することにより（第２加熱工程）、表面の凹
部内のＧａ原子は、第２ガス中のアンモニア（窒素）に
よって窒化される。これにより、基板表面の凹部に再度
ＧａＮが形成され、ＧａＮ単結晶基板の表面は良好に平
坦化されることになる。そして、これら第１加熱工程お
よび第２加熱工程を経て、良好に平坦化されたＧａＮ単
結晶基板上に窒化物系化合物半導体層を形成することに
より、窒化物系化合物半導体層の結晶状態および表面モ
フォロジーを大幅に改善することが可能となる。
【００１５】そして、窒化物系化合物半導体層の原材料
として、ＡｌxＧａyＩｎ1-x-yＮ（０≦ｘ≦１，０≦ｙ
≦１，０≦ｘ＋ｙ≦１）を用いると好ましい。
として、ＡｌxＧａyＩｎ1-x-yＮ（０≦ｘ≦１，０≦ｙ
≦１，０≦ｘ＋ｙ≦１）を用いると好ましい。
【００１６】また、第１加熱工程および第２加熱工程に
おける基板温度をそれぞれ８００℃以上とすると好まし
い。
おける基板温度をそれぞれ８００℃以上とすると好まし
い。
【００１７】更に、第２加熱工程における基板温度を１
０００℃以上とすると好ましい。
０００℃以上とすると好ましい。
【００１８】また、第１加熱工程と第２加熱工程とを、
それぞれ２回以上繰り返すと好ましい。
それぞれ２回以上繰り返すと好ましい。
【００１９】更に、第１ガスには、窒素ガスおよび希ガ
スのうちの少なくとも何れか１種を含ませると好まし
い。
スのうちの少なくとも何れか１種を含ませると好まし
い。
【００２０】また、第１ガス中の水素含有率を、１０％
以上１００％以下とすること好ましい。
以上１００％以下とすること好ましい。
【００２１】更に、第２ガスには、水素ガスおよび窒素
ガスのうちの少なくとも何れか１種を含ませると好まし
い。
ガスのうちの少なくとも何れか１種を含ませると好まし
い。
【００２２】また、第１加熱工程における加熱時間を、
１０秒以上１０分以下とすると好ましい。
１０秒以上１０分以下とすると好ましい。
【００２３】更に、第２加熱工程における加熱時間を、
１分以上とすると好ましい。
１分以上とすると好ましい。
【００２４】そして、エピタキシャル成長工程では、有
機金属化学気相成長法（ＯＭＶＰＥ）、ハイドライド気
相成長法（ＨＶＰＥ）、有機金属塩化物気相成長法（Ｍ
ＯＣＶＰＥ）及び、分子線エピタキシー法（ＭＢＥ）の
うち、何れか一の手法により、窒化物系化合物半導体層
を形成するとよい。
機金属化学気相成長法（ＯＭＶＰＥ）、ハイドライド気
相成長法（ＨＶＰＥ）、有機金属塩化物気相成長法（Ｍ
ＯＣＶＰＥ）及び、分子線エピタキシー法（ＭＢＥ）の
うち、何れか一の手法により、窒化物系化合物半導体層
を形成するとよい。
【００２５】
【発明の実施の形態】以下、図面と共に本発明による化
合物半導体の製造方法の好適な実施形態について詳細に
説明する。
合物半導体の製造方法の好適な実施形態について詳細に
説明する。
【００２６】図１は、本発明による化合物半導体の製造
方法によって製造した化合物半導体を示す断面図であ
る。同図に示す化合物半導体１は、ＧａＮ単結晶基板２
と、このＧａＮ単結晶基板２上に形成された窒化物系化
合物半導体層３とを備える。化合物半導体１は、発光ダ
イオードやレーザーダイオード等の発光デバイスの製造
中間体となるものである。すなわち、この化合物半導体
１上に適当なｐｎ接合、好ましくはダブルへテロ接合、
より好ましくは量子井戸構造を形成し、給電用の電極を
取り付ければ、所望の発光デバイスが完成する。
方法によって製造した化合物半導体を示す断面図であ
る。同図に示す化合物半導体１は、ＧａＮ単結晶基板２
と、このＧａＮ単結晶基板２上に形成された窒化物系化
合物半導体層３とを備える。化合物半導体１は、発光ダ
イオードやレーザーダイオード等の発光デバイスの製造
中間体となるものである。すなわち、この化合物半導体
１上に適当なｐｎ接合、好ましくはダブルへテロ接合、
より好ましくは量子井戸構造を形成し、給電用の電極を
取り付ければ、所望の発光デバイスが完成する。
【００２７】窒化物系化合物半導体層３の原材料として
は、ＧａＮ単結晶基板２上に直接ホモエピタキシャル成
長させることができるＧａＮが最も好ましい。もちろ
ん、これに限られるものではなく、窒化物系化合物半導
体層３の原材料として、 ＡｌxＧａyＩｎ1-x-yＮ（０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１、０
≦ｘ＋ｙ≦１） で表される２、３ないしは４元系の化合物半導体から任
意のものを選択してもよい。
は、ＧａＮ単結晶基板２上に直接ホモエピタキシャル成
長させることができるＧａＮが最も好ましい。もちろ
ん、これに限られるものではなく、窒化物系化合物半導
体層３の原材料として、 ＡｌxＧａyＩｎ1-x-yＮ（０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１、０
≦ｘ＋ｙ≦１） で表される２、３ないしは４元系の化合物半導体から任
意のものを選択してもよい。
【００２８】かかる化合物半導体１を製造するための本
発明による化合物半導体の製造方法は、（ａ）基板製造
工程、（ｂ）第１加熱工程、（ｃ）第２加熱工程、
（ｄ）エピタキシャル成長工程に大別される。 （ａ）基板製造工程では、ＧａＮ単結晶基板２を製造す
る。製造されたＧａＮ単結晶基板２は、表面研磨された
後、液体洗浄される。更に、基板に存在する加工変質層
は、所定の表面処理方法により除去される。 （ｂ）第１加熱工程では、少なくとも水素ガスを含む第
１ガスＧ１の雰囲気下でＧａＮ単結晶基板２を加熱す
る。この第１加熱工程における基板温度をＴ１とし、加
熱時間をＰ１とする。 （ｃ）第２加熱工程では、少なくともアンモニアを含む
第２ガスＧ２の雰囲気下でＧａＮ単結晶基板を加熱す
る。この第２加熱工程における基板温度をＴ２とし、加
熱時間をＰ２とする。 （ｄ）エピタキシャル成長工程では、第１加熱工程およ
び第２加熱工程を施したＧａＮ単結晶基板２の表面に、
加熱状態の下、窒化物系化合物半導体層３の原材料ガス
Ｇ３を供給し、ＧａＮ単結晶基板２上に窒化物系化合物
半導体層３をエピタキシャル成長させる。このエピタキ
シャル成長工程における基板温度をＴ３とする。 以下、上記（ａ）〜（ｄ）の各工程について詳説する。
発明による化合物半導体の製造方法は、（ａ）基板製造
工程、（ｂ）第１加熱工程、（ｃ）第２加熱工程、
（ｄ）エピタキシャル成長工程に大別される。 （ａ）基板製造工程では、ＧａＮ単結晶基板２を製造す
る。製造されたＧａＮ単結晶基板２は、表面研磨された
後、液体洗浄される。更に、基板に存在する加工変質層
は、所定の表面処理方法により除去される。 （ｂ）第１加熱工程では、少なくとも水素ガスを含む第
１ガスＧ１の雰囲気下でＧａＮ単結晶基板２を加熱す
る。この第１加熱工程における基板温度をＴ１とし、加
熱時間をＰ１とする。 （ｃ）第２加熱工程では、少なくともアンモニアを含む
第２ガスＧ２の雰囲気下でＧａＮ単結晶基板を加熱す
る。この第２加熱工程における基板温度をＴ２とし、加
熱時間をＰ２とする。 （ｄ）エピタキシャル成長工程では、第１加熱工程およ
び第２加熱工程を施したＧａＮ単結晶基板２の表面に、
加熱状態の下、窒化物系化合物半導体層３の原材料ガス
Ｇ３を供給し、ＧａＮ単結晶基板２上に窒化物系化合物
半導体層３をエピタキシャル成長させる。このエピタキ
シャル成長工程における基板温度をＴ３とする。 以下、上記（ａ）〜（ｄ）の各工程について詳説する。
【００２９】（ａ）基板製造工程 ＧａＮ単結晶基板２を製造するに際しては、本発明者ら
が国際公開公報ＷＯ９９／２３６９３（特願２０００−
５１９４６２号）において提案した方法を採用すること
ができる。これらの各方法について簡単に説明する。第
１の方法では、まず、ＧａＡｓ基板上にストライプ状ま
たは円形状の開口部をもったマスク層を形成する。そし
て、マスク層の上にＧａＮ層を気相成長法等によりエピ
タキシャル成長させる。この際、マスク層の各開口部内
にＧａＮ核が形成される。ＧａＮ核は、開口部からマス
ク層の非開口部（マスク部）に向かって自由にラテラル
成長する。このようにＧａＮ核がラテラル成長する際、
ＧａＮ内の欠陥が広がることはない。従って、このよう
な方法によれば、エピタキシャル成長の完了後、ＧａＡ
ｓ基板を除去すれば、結晶欠陥が大幅に低減されたＧａ
Ｎ単結晶基板２を得ることができる。
が国際公開公報ＷＯ９９／２３６９３（特願２０００−
５１９４６２号）において提案した方法を採用すること
ができる。これらの各方法について簡単に説明する。第
１の方法では、まず、ＧａＡｓ基板上にストライプ状ま
たは円形状の開口部をもったマスク層を形成する。そし
て、マスク層の上にＧａＮ層を気相成長法等によりエピ
タキシャル成長させる。この際、マスク層の各開口部内
にＧａＮ核が形成される。ＧａＮ核は、開口部からマス
ク層の非開口部（マスク部）に向かって自由にラテラル
成長する。このようにＧａＮ核がラテラル成長する際、
ＧａＮ内の欠陥が広がることはない。従って、このよう
な方法によれば、エピタキシャル成長の完了後、ＧａＡ
ｓ基板を除去すれば、結晶欠陥が大幅に低減されたＧａ
Ｎ単結晶基板２を得ることができる。
【００３０】また、第２の方法では、まず、ＧａＮ単結
晶の表面を研磨して種結晶基板を作製する。次に、加熱
状態の下で、種結晶基板の表面に、ＧａおよびＮを含む
原材料ガスを供給する。これにより、種結晶基板上にＧ
ａＮ層がエピタキシャル成長し、インゴットが作製され
る。そして、得られたインゴットから複数のＧａＮ基板
を切り出す。これら各方法によって製造されたＧａＮ単
結晶基板２の表面には、研磨材を用いた機械研磨が施さ
れる。表面研磨が施されたＧａＮ単結晶基板２は、純水
等を用いて液体洗浄される。液体洗浄に際しては、適当
な有機溶剤、酸、アルカリ溶液等を用いてもよい。な
お、機械研磨が施されたＧａＮ単結晶基板２の表面に
は、研磨時のダメージによる加工変質層が表出するが、
これは、公知の適切な表面処理方法を適用することによ
り除去可能である。
晶の表面を研磨して種結晶基板を作製する。次に、加熱
状態の下で、種結晶基板の表面に、ＧａおよびＮを含む
原材料ガスを供給する。これにより、種結晶基板上にＧ
ａＮ層がエピタキシャル成長し、インゴットが作製され
る。そして、得られたインゴットから複数のＧａＮ基板
を切り出す。これら各方法によって製造されたＧａＮ単
結晶基板２の表面には、研磨材を用いた機械研磨が施さ
れる。表面研磨が施されたＧａＮ単結晶基板２は、純水
等を用いて液体洗浄される。液体洗浄に際しては、適当
な有機溶剤、酸、アルカリ溶液等を用いてもよい。な
お、機械研磨が施されたＧａＮ単結晶基板２の表面に
は、研磨時のダメージによる加工変質層が表出するが、
これは、公知の適切な表面処理方法を適用することによ
り除去可能である。
【００３１】（ｂ）第１加熱工程 以下に説明する第１加熱工程、第２加熱工程、および、
エピタキシャル成長工程は、図２に例示する気相成長装
置１０や、図３に例示する気相成長装置２０等を用い
て、連続的に実施すると好ましい。
エピタキシャル成長工程は、図２に例示する気相成長装
置１０や、図３に例示する気相成長装置２０等を用い
て、連続的に実施すると好ましい。
【００３２】ここでは、まず、図２に示す気相成長装置
１０について説明する。同図に示す気相成長装置１０
は、横型ＯＭＶＰＥ装置として構成されており、本体１
１と、本体１１の上部に設けられ、横方向（略水平）に
延びる石英製のフローチャネル１２とを有する。本体１
１の内部には、ＧａＮ単結晶基板２を載置するサセプタ
ー１４が配されている。このサセプター１４の下部に
は、ヒータ１５が装着されている。これらサセプター１
４およびヒータ１５は、図示しない駆動装置によって、
フローチャネル１２の延在方向と直交する方向（鉛直方
向）に延びる軸周りに回転駆動される。また、フローチ
ャネル１２の一端側には、本体１１側に原材料ガス等を
導入するための導入ノズル１６が設けられている。導入
ノズル１６は、複数（３層）の流路１６ａ，１６ｂ，１
６ｃを有する。導入ノズル１６の各流路１６ａ，１６
ｂ，１６ｃから導入された流体は、サセプター１４の上
方付近で混ざり合う。本体１１内で反応したガスは排気
口１７から外部に排出される。
１０について説明する。同図に示す気相成長装置１０
は、横型ＯＭＶＰＥ装置として構成されており、本体１
１と、本体１１の上部に設けられ、横方向（略水平）に
延びる石英製のフローチャネル１２とを有する。本体１
１の内部には、ＧａＮ単結晶基板２を載置するサセプタ
ー１４が配されている。このサセプター１４の下部に
は、ヒータ１５が装着されている。これらサセプター１
４およびヒータ１５は、図示しない駆動装置によって、
フローチャネル１２の延在方向と直交する方向（鉛直方
向）に延びる軸周りに回転駆動される。また、フローチ
ャネル１２の一端側には、本体１１側に原材料ガス等を
導入するための導入ノズル１６が設けられている。導入
ノズル１６は、複数（３層）の流路１６ａ，１６ｂ，１
６ｃを有する。導入ノズル１６の各流路１６ａ，１６
ｂ，１６ｃから導入された流体は、サセプター１４の上
方付近で混ざり合う。本体１１内で反応したガスは排気
口１７から外部に排出される。
【００３３】一方、図３に示す気相成長装置２０は、Ｈ
ＶＰＥ装置として構成されており、チャンバ２１を有す
る。チャンバ２１の内部には、ＧａＮ単結晶基板２を載
置するための試料台２２、および、Ｇａ等の金属原材料
を加熱するためのボート２３が配置されている。また、
チャンバ２１の上部には、ガス導入ポート２４，２５が
設けられている。ガス導入ポート２５は、ボート２３の
ほぼ真上に配置されている。チャンバ２１の内部で反応
したガスは排気口２６から外部に排出される。そして、
チャンバ２１の周囲には、試料台２２上に載置されたＧ
ａＮ単結晶基板２を加熱するためのヒータ２７が配置さ
れている。
ＶＰＥ装置として構成されており、チャンバ２１を有す
る。チャンバ２１の内部には、ＧａＮ単結晶基板２を載
置するための試料台２２、および、Ｇａ等の金属原材料
を加熱するためのボート２３が配置されている。また、
チャンバ２１の上部には、ガス導入ポート２４，２５が
設けられている。ガス導入ポート２５は、ボート２３の
ほぼ真上に配置されている。チャンバ２１の内部で反応
したガスは排気口２６から外部に排出される。そして、
チャンバ２１の周囲には、試料台２２上に載置されたＧ
ａＮ単結晶基板２を加熱するためのヒータ２７が配置さ
れている。
【００３４】例えば、気相成長装置１０を用いて第１加
熱工程を行なう場合は、まず、サセプター１４上に、基
板製造工程で製造したＧａＮ単結晶基板２を載置する。
そして、導入ノズル１６から、少なくとも水素ガスを含
む第１ガスＧ１をフローチャネル１２内に導入すると共
に、ヒータ１５を作動させて基板温度Ｔ１を所定温度以
上に保つ。また、気相成長装置２０を用いて第１加熱工
程を行なう場合は、まず、試料台２２上に、基板製造工
程で製造したＧａＮ単結晶基板２を載置する。そして、
ガス導入ポート２４から、少なくとも水素ガスを含む第
１ガスＧ１をチャンバ２１内に導入すると共に、ヒータ
２７を作動させて基板温度Ｔ１を所定温度以上に保つ。
このようなＧａＮ単結晶基板２の加熱は、所定時間Ｐ１
にわたって行なわれる。
熱工程を行なう場合は、まず、サセプター１４上に、基
板製造工程で製造したＧａＮ単結晶基板２を載置する。
そして、導入ノズル１６から、少なくとも水素ガスを含
む第１ガスＧ１をフローチャネル１２内に導入すると共
に、ヒータ１５を作動させて基板温度Ｔ１を所定温度以
上に保つ。また、気相成長装置２０を用いて第１加熱工
程を行なう場合は、まず、試料台２２上に、基板製造工
程で製造したＧａＮ単結晶基板２を載置する。そして、
ガス導入ポート２４から、少なくとも水素ガスを含む第
１ガスＧ１をチャンバ２１内に導入すると共に、ヒータ
２７を作動させて基板温度Ｔ１を所定温度以上に保つ。
このようなＧａＮ単結晶基板２の加熱は、所定時間Ｐ１
にわたって行なわれる。
【００３５】この場合、第１加熱工程における基板温度
Ｔ１は、８００℃以上であることが好ましい。つまり、
基板温度Ｔ１を８００℃以上とし、水素ガスを含む第１
ガス雰囲気下でＧａＮ単結晶基板２を加熱すれば、Ｇａ
Ｎ単結晶基板２の表面においてＧａＮが還元されて分解
し、Ｎ原子は、ＮＨx（１≦ｘ≦３）となって脱離す
る。そして、ＧａＮ単結晶基板２の表面がエッチングさ
れる際に、ＧａＮ単結晶基板２の表面に吸着または結合
している有機分子や酸素といった分子も同時にエッチン
グされる。この結果、ＧａＮ単結晶基板２の表面に存在
する汚染物質を大幅に低減させることが可能となる。こ
のようにして汚染物質を低減させておくことは、窒化物
系化合物半導体層３の結晶状態の改善に顕著な効果を与
える。
Ｔ１は、８００℃以上であることが好ましい。つまり、
基板温度Ｔ１を８００℃以上とし、水素ガスを含む第１
ガス雰囲気下でＧａＮ単結晶基板２を加熱すれば、Ｇａ
Ｎ単結晶基板２の表面においてＧａＮが還元されて分解
し、Ｎ原子は、ＮＨx（１≦ｘ≦３）となって脱離す
る。そして、ＧａＮ単結晶基板２の表面がエッチングさ
れる際に、ＧａＮ単結晶基板２の表面に吸着または結合
している有機分子や酸素といった分子も同時にエッチン
グされる。この結果、ＧａＮ単結晶基板２の表面に存在
する汚染物質を大幅に低減させることが可能となる。こ
のようにして汚染物質を低減させておくことは、窒化物
系化合物半導体層３の結晶状態の改善に顕著な効果を与
える。
【００３６】また、第１加熱工程における加熱時間Ｐ１
は、１０秒以上１０分以下であることが好ましい。本
来、加熱時間Ｐ１は、ＧａＮ単結晶基板２の表面におけ
る汚染の度合いや、ＧａＮ分解の活性化エネルギ等によ
って調節されるべきであり、また、加熱時の基板温度Ｔ
１によっても変更されるべきである。しかしながら、加
熱時間Ｐ１を１０秒以下とすると、表面吸着分子の脱離
や、ＧａＮの分解が不十分となってしまう。この場合、
加熱処理後にＧａＮ単結晶基板２上に成長させる窒化物
系化合物半導体層３の結晶状態の改善に十分な効果が認
められない。一方、加熱時間Ｐ１を１０分以上とする
と、ＧａＮの分解が進行し過ぎて、ＧａＮ単結晶基板２
の表面上に液体Ｇａが凝集したＧａドロップレットが形
成されてしまう。この場合、窒化物系化合物半導体層３
の結晶状態を逆に劣化させてしまうおそれがある。これ
らを踏まえれば、加熱時間Ｐ１を１０秒以上１０分以下
とすることが好ましい。
は、１０秒以上１０分以下であることが好ましい。本
来、加熱時間Ｐ１は、ＧａＮ単結晶基板２の表面におけ
る汚染の度合いや、ＧａＮ分解の活性化エネルギ等によ
って調節されるべきであり、また、加熱時の基板温度Ｔ
１によっても変更されるべきである。しかしながら、加
熱時間Ｐ１を１０秒以下とすると、表面吸着分子の脱離
や、ＧａＮの分解が不十分となってしまう。この場合、
加熱処理後にＧａＮ単結晶基板２上に成長させる窒化物
系化合物半導体層３の結晶状態の改善に十分な効果が認
められない。一方、加熱時間Ｐ１を１０分以上とする
と、ＧａＮの分解が進行し過ぎて、ＧａＮ単結晶基板２
の表面上に液体Ｇａが凝集したＧａドロップレットが形
成されてしまう。この場合、窒化物系化合物半導体層３
の結晶状態を逆に劣化させてしまうおそれがある。これ
らを踏まえれば、加熱時間Ｐ１を１０秒以上１０分以下
とすることが好ましい。
【００３７】更に、第１ガスＧ１としては、純水な水素
ガスを用いるとよい。また、水素と、窒素ガスやヘリウ
ム、アルゴン等の希ガスといった不活性ガスとの混合ガ
スを用いてもよい。第１ガスＧ１を水素と不活性ガスと
の混合ガスとする場合、第１ガスＧ１中の水素含有率は
１０％以上１００％未満であると好ましい。すなわち、
第１ガスＧ１中の水素以外の成分が、ＧａＮの分解には
寄与しない不活性ガスであれば、ＧａＮの分解速度は、
第１ガスＧ１中の水素ガスの含有率に比例する。従っ
て、ＧａＮの分解速度を容易に制御することが可能とな
る。
ガスを用いるとよい。また、水素と、窒素ガスやヘリウ
ム、アルゴン等の希ガスといった不活性ガスとの混合ガ
スを用いてもよい。第１ガスＧ１を水素と不活性ガスと
の混合ガスとする場合、第１ガスＧ１中の水素含有率は
１０％以上１００％未満であると好ましい。すなわち、
第１ガスＧ１中の水素以外の成分が、ＧａＮの分解には
寄与しない不活性ガスであれば、ＧａＮの分解速度は、
第１ガスＧ１中の水素ガスの含有率に比例する。従っ
て、ＧａＮの分解速度を容易に制御することが可能とな
る。
【００３８】さて、このような第１加熱工程を実施する
ことにより、ＧａＮ単結晶基板２の表面のＮ原子が脱離
するので、ＧａＮ単結晶基板の表面のストイキオメトリ
ーは、Ｇａリッチの状態となる。この結果、過剰Ｇａ原
子は、表面エネルギを低下させるようにマイグレーショ
ンし、ＧａＮ単結晶基板２の表面の凹部に集まる。第１
加熱工程を行ない、ＧａＮ単結晶基板２の表面をこのよ
うな状態にしておいた上で、次の第２加熱工程を実施す
ることにより、ＧａＮ単結晶基板２上に成長させる窒化
物系化合物半導体層３の表面の平坦化を図ることが可能
となる。
ことにより、ＧａＮ単結晶基板２の表面のＮ原子が脱離
するので、ＧａＮ単結晶基板の表面のストイキオメトリ
ーは、Ｇａリッチの状態となる。この結果、過剰Ｇａ原
子は、表面エネルギを低下させるようにマイグレーショ
ンし、ＧａＮ単結晶基板２の表面の凹部に集まる。第１
加熱工程を行ない、ＧａＮ単結晶基板２の表面をこのよ
うな状態にしておいた上で、次の第２加熱工程を実施す
ることにより、ＧａＮ単結晶基板２上に成長させる窒化
物系化合物半導体層３の表面の平坦化を図ることが可能
となる。
【００３９】（ｃ）第２加熱工程 第１加熱工程の終了後、気相成長装置１０を用いて第２
加熱工程を行なう場合は、導入ノズル１６から、少なく
ともアンモニアを含む第２ガスＧ２をフローチャネル１
２内に導入すると共に、ヒータ１５を作動させて基板温
度Ｔ２を所定温度以上に保つ。また、気相成長装置２０
を用いる場合は、ガス導入ポート２４から、少なくとも
アンモニアを含む第２ガスＧ２をチャンバ２１内に導入
すると共に、ヒータ２７を作動させて基板温度Ｔ２を所
定温度以上に保つ。このようなＧａＮ単結晶基板２の加
熱は、所定時間Ｐ２にわたって行なわれる。
加熱工程を行なう場合は、導入ノズル１６から、少なく
ともアンモニアを含む第２ガスＧ２をフローチャネル１
２内に導入すると共に、ヒータ１５を作動させて基板温
度Ｔ２を所定温度以上に保つ。また、気相成長装置２０
を用いる場合は、ガス導入ポート２４から、少なくとも
アンモニアを含む第２ガスＧ２をチャンバ２１内に導入
すると共に、ヒータ２７を作動させて基板温度Ｔ２を所
定温度以上に保つ。このようなＧａＮ単結晶基板２の加
熱は、所定時間Ｐ２にわたって行なわれる。
【００４０】第２加熱工程において用いると好適な第２
ガスＧ２としては、（１）アンモニアガス（ＮＨ3）、
窒素ガス（Ｎ2）、及び、水素ガス（Ｈ2）の混合ガス、
（２）アンモニアガスおよび窒素ガスの混合ガス、
（３）アンモニアガスおよび水素ガスの混合ガスが挙げ
られる。これらの場合、窒素ガスおよび水素ガスはキャ
リアガスとなる。また、ヘリウム（Ｈｅ）やアルゴン
（Ａｒ）などの不活性ガスをキャリアガスとして用いて
もよい。
ガスＧ２としては、（１）アンモニアガス（ＮＨ3）、
窒素ガス（Ｎ2）、及び、水素ガス（Ｈ2）の混合ガス、
（２）アンモニアガスおよび窒素ガスの混合ガス、
（３）アンモニアガスおよび水素ガスの混合ガスが挙げ
られる。これらの場合、窒素ガスおよび水素ガスはキャ
リアガスとなる。また、ヘリウム（Ｈｅ）やアルゴン
（Ａｒ）などの不活性ガスをキャリアガスとして用いて
もよい。
【００４１】ここで、本発明による化合物半導体の製造
方法では、第２加熱工程に先立って第１加熱工程が行な
われることから、ＧａＮ単結晶基板２の表面からは、上
述したように、水素を含む第１ガスＧ１によってエッチ
ングされて窒素が脱離している。従って、ＧａＮ単結晶
基板２の表面はＧａリッチの組成となっており、過剰Ｇ
ａ原子はマイグレーションして、研磨傷等の基板表面の
凹部に集まっている。従って、このようなＧａＮ単結晶
基板２を少なくともアンモニアが含まれている第２ガス
Ｇ２の雰囲気下で加熱すれば、表面の凹部内のＧａ原子
は、第２ガスＧ２中のアンモニア（窒素）によって窒化
される。
方法では、第２加熱工程に先立って第１加熱工程が行な
われることから、ＧａＮ単結晶基板２の表面からは、上
述したように、水素を含む第１ガスＧ１によってエッチ
ングされて窒素が脱離している。従って、ＧａＮ単結晶
基板２の表面はＧａリッチの組成となっており、過剰Ｇ
ａ原子はマイグレーションして、研磨傷等の基板表面の
凹部に集まっている。従って、このようなＧａＮ単結晶
基板２を少なくともアンモニアが含まれている第２ガス
Ｇ２の雰囲気下で加熱すれば、表面の凹部内のＧａ原子
は、第２ガスＧ２中のアンモニア（窒素）によって窒化
される。
【００４２】これにより、ＧａＮ単結晶基板２の表面の
凹部に再度ＧａＮが形成され、ＧａＮ単結晶基板２の表
面は良好に平坦化されることになる。そして、これら第
１加熱工程および第２加熱工程を経て、良好に平坦化さ
れたＧａＮ単結晶基板２上に窒化物系化合物半導体層３
を形成することにより、窒化物系化合物半導体層３の結
晶状態および表面モフォロジーを大幅に改善することが
可能となる。
凹部に再度ＧａＮが形成され、ＧａＮ単結晶基板２の表
面は良好に平坦化されることになる。そして、これら第
１加熱工程および第２加熱工程を経て、良好に平坦化さ
れたＧａＮ単結晶基板２上に窒化物系化合物半導体層３
を形成することにより、窒化物系化合物半導体層３の結
晶状態および表面モフォロジーを大幅に改善することが
可能となる。
【００４３】この場合、第２加熱工程における基板温度
Ｔ２は、８００℃以上であるとよく、１０００℃以上で
あればより好ましい。基板温度Ｔ２をこのような範囲に
設定すれば、窒化物系化合物半導体層３の結晶状態を良
好にすることができる。つまり、第２加熱工程における
基板温度Ｔ２を８００℃以上とすれば、ＧａＮ単結晶基
板２の表面における窒化反応を促進させることができ
る。そして、基板温度Ｔ２を更に１０００℃以上とすれ
ば、窒化反応によって再形成されたＧａＮ内に新たな欠
陥等が導入され難くすることが可能となり、ＧａＮ単結
晶基板２の表面の結晶状態を極めて良好に保つことがで
きる。
Ｔ２は、８００℃以上であるとよく、１０００℃以上で
あればより好ましい。基板温度Ｔ２をこのような範囲に
設定すれば、窒化物系化合物半導体層３の結晶状態を良
好にすることができる。つまり、第２加熱工程における
基板温度Ｔ２を８００℃以上とすれば、ＧａＮ単結晶基
板２の表面における窒化反応を促進させることができ
る。そして、基板温度Ｔ２を更に１０００℃以上とすれ
ば、窒化反応によって再形成されたＧａＮ内に新たな欠
陥等が導入され難くすることが可能となり、ＧａＮ単結
晶基板２の表面の結晶状態を極めて良好に保つことがで
きる。
【００４４】また、第２加熱工程における加熱時間Ｐ２
は、１分以上であることが好ましい。本来、加熱時間Ｐ
２は、第１加熱工程におけるＧａＮの分解の度合い、す
なわち、ＧａＮ単結晶基板２の表面におけるストイキオ
メトリーや、ＧａＮ生成の速度等によって調節されるべ
きであり、また、加熱時の基板温度Ｔ２によっても変更
されるべきである。しかしながら、加熱時間Ｐ２を１分
未満とすると、ＧａＮの生成が不十分となってしまう。
この場合、第２加熱工程において十分にＧａＮの生成が
行なわれないと、加熱処理後、ＧａＮ単結晶基板２上に
成長させる窒化物系化合物半導体層３の結晶中に新たな
欠陥が導入される等、結晶状態の改善を十分に図ること
が困難となる。これらを踏まえれば、加熱時間Ｐ２を１
分以上とすることが好ましい。
は、１分以上であることが好ましい。本来、加熱時間Ｐ
２は、第１加熱工程におけるＧａＮの分解の度合い、す
なわち、ＧａＮ単結晶基板２の表面におけるストイキオ
メトリーや、ＧａＮ生成の速度等によって調節されるべ
きであり、また、加熱時の基板温度Ｔ２によっても変更
されるべきである。しかしながら、加熱時間Ｐ２を１分
未満とすると、ＧａＮの生成が不十分となってしまう。
この場合、第２加熱工程において十分にＧａＮの生成が
行なわれないと、加熱処理後、ＧａＮ単結晶基板２上に
成長させる窒化物系化合物半導体層３の結晶中に新たな
欠陥が導入される等、結晶状態の改善を十分に図ること
が困難となる。これらを踏まえれば、加熱時間Ｐ２を１
分以上とすることが好ましい。
【００４５】更に、上述した第１加熱工程と第２加熱工
程とを、それぞれ２回以上繰り返すと好ましい。このよ
うな手法を採用した場合、ＧａＮ単結晶基板２の表面に
おいて、還元性エッチングと、再窒化反応とが繰り返し
行なわれることになる。これにより、表面平坦性の改善
効果が増幅されると共に、結晶状態および表面モフォロ
ジーについてもより良好な結果を得ることができる。
程とを、それぞれ２回以上繰り返すと好ましい。このよ
うな手法を採用した場合、ＧａＮ単結晶基板２の表面に
おいて、還元性エッチングと、再窒化反応とが繰り返し
行なわれることになる。これにより、表面平坦性の改善
効果が増幅されると共に、結晶状態および表面モフォロ
ジーについてもより良好な結果を得ることができる。
【００４６】なお、第１加熱工程と第２加熱工程とを２
回以上繰り返す場合には、最初にＧａＮ単結晶基板２を
昇温させる時、および、各工程間の温度を変更する時
に、ＧａＮ単結晶基板２にアンモニアを含む混合ガスを
供給するとよい。これは、アンモニアを含む混合ガス雰
囲気下では、基板表面におけるＧａＮの分解が還元反応
によって抑制されるからである。これにより、不必要に
表面のモフォロジーを悪化させてしまうことを防止する
ことができる。
回以上繰り返す場合には、最初にＧａＮ単結晶基板２を
昇温させる時、および、各工程間の温度を変更する時
に、ＧａＮ単結晶基板２にアンモニアを含む混合ガスを
供給するとよい。これは、アンモニアを含む混合ガス雰
囲気下では、基板表面におけるＧａＮの分解が還元反応
によって抑制されるからである。これにより、不必要に
表面のモフォロジーを悪化させてしまうことを防止する
ことができる。
【００４７】（ｄ）エピタキシャル成長工程 このエピタキシャル成長工程は、上述した第１加熱工程
と第２加熱工程とを行なった後、更に連続的に行なうこ
とが好ましい。図２に示す気相成長装置１０を用いたＯ
ＭＶＰＥ法により、ＧａＮ単結晶基板２上にＧａＮから
なる窒化物系化合物半導体層３を形成する場合、原材料
ガスＧ３としては、ＴＭＧ（トリメチルガリウム）およ
びアンモニアガスを用いる。原材料ガスＧ３は、水素や
窒素といったキャリアガスとともに供給される。原料ガ
スを供給するに際しては、導入ノズル１６の最上層の流
路１６ａに水素と窒素の混合ガス（Ｈ2＋Ｎ2）を、中央
層の流路１６ｂにＴＭＧおよびキャリアガスを、最下層
の流路１６ｃにアンモニアおよびキャリアガスを導入す
るのが一般的である。もちろん、これに限られるもので
はなく、最上層の流路１６ａに対する水素と窒素の混合
ガスの導入は、場合によって適宜省略可能である。かか
るＯＭＶＰＥ法では、ＧａＮからなる窒化物系化合物半
導体層３を形成する場合、成長時の基板温度Ｔ３は、ヒ
ータ１５によって１０３０℃程度に保持される。
と第２加熱工程とを行なった後、更に連続的に行なうこ
とが好ましい。図２に示す気相成長装置１０を用いたＯ
ＭＶＰＥ法により、ＧａＮ単結晶基板２上にＧａＮから
なる窒化物系化合物半導体層３を形成する場合、原材料
ガスＧ３としては、ＴＭＧ（トリメチルガリウム）およ
びアンモニアガスを用いる。原材料ガスＧ３は、水素や
窒素といったキャリアガスとともに供給される。原料ガ
スを供給するに際しては、導入ノズル１６の最上層の流
路１６ａに水素と窒素の混合ガス（Ｈ2＋Ｎ2）を、中央
層の流路１６ｂにＴＭＧおよびキャリアガスを、最下層
の流路１６ｃにアンモニアおよびキャリアガスを導入す
るのが一般的である。もちろん、これに限られるもので
はなく、最上層の流路１６ａに対する水素と窒素の混合
ガスの導入は、場合によって適宜省略可能である。かか
るＯＭＶＰＥ法では、ＧａＮからなる窒化物系化合物半
導体層３を形成する場合、成長時の基板温度Ｔ３は、ヒ
ータ１５によって１０３０℃程度に保持される。
【００４８】図３に示す気相成長装置２０を用いたＨＶ
ＰＥ法により、ＧａＮ単結晶基板２上にＧａＮからなる
窒化物系化合物半導体層３を形成する場合、図３におい
て二点鎖線にて示すように金属Ｇａをボート２３内に収
容する。そして、ボート２３内で金属Ｇａを加熱すると
共に、金属Ｇａに対して、ガス導入ポート２５から塩化
水素ガス（ＨＣｌ）をキャリアガス（Ｈ2）と共に供給
する。また、チャンバ２１内に、ガス導入ポート２４か
ら、アンモニア、水素、及び、窒素の混合ガスを導入す
る。これにより、試料台２２上のＧａＮ単結晶基板２の
表面には、Ｇａと塩化水素とが反応して生成される塩化
ガリウムと、アンモニアとが原材料ガスＧ３としてキャ
リアガス（水素、窒素）と共に供給される。そして、Ｇ
ａＮ単結晶基板２上で原材料ガスＧ３が反応することに
より、ＧａＮ単結晶基板２上にＧａＮからなる窒化物系
化合物半導体層３が形成される。かかるＨＶＰＥ法で
は、成長時の基板温度Ｔ３は、ヒータ２７によって１０
００℃程度に保持される。
ＰＥ法により、ＧａＮ単結晶基板２上にＧａＮからなる
窒化物系化合物半導体層３を形成する場合、図３におい
て二点鎖線にて示すように金属Ｇａをボート２３内に収
容する。そして、ボート２３内で金属Ｇａを加熱すると
共に、金属Ｇａに対して、ガス導入ポート２５から塩化
水素ガス（ＨＣｌ）をキャリアガス（Ｈ2）と共に供給
する。また、チャンバ２１内に、ガス導入ポート２４か
ら、アンモニア、水素、及び、窒素の混合ガスを導入す
る。これにより、試料台２２上のＧａＮ単結晶基板２の
表面には、Ｇａと塩化水素とが反応して生成される塩化
ガリウムと、アンモニアとが原材料ガスＧ３としてキャ
リアガス（水素、窒素）と共に供給される。そして、Ｇ
ａＮ単結晶基板２上で原材料ガスＧ３が反応することに
より、ＧａＮ単結晶基板２上にＧａＮからなる窒化物系
化合物半導体層３が形成される。かかるＨＶＰＥ法で
は、成長時の基板温度Ｔ３は、ヒータ２７によって１０
００℃程度に保持される。
【００４９】なお、ＧａＮ等からなる窒化物系化合物半
導体層３を形成可能な他の方法としては、有機金属塩化
物気相成長法（ＭＯＣＶＰＥ）や、分子線エピタキシー
法（ＭＢＥ）が挙げられる。これらの方法を採用する場
合も、所定の原材料をＧａＮ単結晶基板２の表面に供給
することにより、窒化物系化合物半導体層３を成長させ
る。
導体層３を形成可能な他の方法としては、有機金属塩化
物気相成長法（ＭＯＣＶＰＥ）や、分子線エピタキシー
法（ＭＢＥ）が挙げられる。これらの方法を採用する場
合も、所定の原材料をＧａＮ単結晶基板２の表面に供給
することにより、窒化物系化合物半導体層３を成長させ
る。
【００５０】また、上述した第１加熱工程、第２加熱工
程、及び、エピタキシャル成長工程を連続的に行なう場
合には、次のような処理を行なうと好ましい。すなわ
ち、第１加熱工程では、基板温度を室温からＴ１まで上
昇させる間、ＧａＮ単結晶基板２の表面にアンモニアを
含む混合ガスを流し続けながら、温度Ｔ１にて水素を含
む第１ガスＧ１の雰囲気下で加熱処理を時間Ｐ１だけ行
う。そして、ＧａＮ単結晶基板２の表面に、再びアンモ
ニアを含む混合ガスを流しながら、基板温度をＴ２に変
更し、温度Ｔ２にてアンモニアを含む第２ガスＧ２の雰
囲気下で加熱処理を時間Ｐ２だけ行う。その後、更に基
板温度をＴ３に変更し、温度Ｔ３のもとでエピタキシャ
ル成長工程を行う。
程、及び、エピタキシャル成長工程を連続的に行なう場
合には、次のような処理を行なうと好ましい。すなわ
ち、第１加熱工程では、基板温度を室温からＴ１まで上
昇させる間、ＧａＮ単結晶基板２の表面にアンモニアを
含む混合ガスを流し続けながら、温度Ｔ１にて水素を含
む第１ガスＧ１の雰囲気下で加熱処理を時間Ｐ１だけ行
う。そして、ＧａＮ単結晶基板２の表面に、再びアンモ
ニアを含む混合ガスを流しながら、基板温度をＴ２に変
更し、温度Ｔ２にてアンモニアを含む第２ガスＧ２の雰
囲気下で加熱処理を時間Ｐ２だけ行う。その後、更に基
板温度をＴ３に変更し、温度Ｔ３のもとでエピタキシャ
ル成長工程を行う。
【００５１】
【発明の効果】以上説明したように、本発明による化合
物半導体の製造方法では、少なくとも水素ガスを含む第
１ガス雰囲気下でＧａＮ単結晶基板を加熱すると共に、
少なくともアンモニアを含む第２ガス雰囲気下でＧａＮ
単結晶基板を加熱した後、ＧａＮ単結晶基板上に窒化物
系化合物半導体層を形成するものである。このような方
法を採用することにより、ＧａＮ単結晶基板上に良好な
窒化物系化合物半導体層を形成することが可能となる。
物半導体の製造方法では、少なくとも水素ガスを含む第
１ガス雰囲気下でＧａＮ単結晶基板を加熱すると共に、
少なくともアンモニアを含む第２ガス雰囲気下でＧａＮ
単結晶基板を加熱した後、ＧａＮ単結晶基板上に窒化物
系化合物半導体層を形成するものである。このような方
法を採用することにより、ＧａＮ単結晶基板上に良好な
窒化物系化合物半導体層を形成することが可能となる。
【図１】本発明による化合物半導体の製造方法によって
製造した化合物半導体を示す断面図である。
製造した化合物半導体を示す断面図である。
【図２】本発明による化合物半導体の製造方法を実施す
る際に使用可能な気相成長装置を示す概略構成図であ
る。
る際に使用可能な気相成長装置を示す概略構成図であ
る。
【図３】本発明による化合物半導体の製造方法を実施す
る際に使用可能な気相成長装置を示す概略構成図であ
る。
る際に使用可能な気相成長装置を示す概略構成図であ
る。
１…化合物半導体、２…ＧａＮ単結晶基板、３…窒化物
系化合物半導体層、１０…気相成長装置、１１…本体、
１２…フローチャネル、１４…サセプター、１５…ヒー
タ、１６…導入ノズル、１６ａ，１６ｂ，１６ｃ…流
路、１７…排気口、２０…気相成長装置、２１…チャン
バ、２２…試料台、２３…ボート、２４，２５…ガス導
入ポート、２６…排気口、２７…ヒータ。
系化合物半導体層、１０…気相成長装置、１１…本体、
１２…フローチャネル、１４…サセプター、１５…ヒー
タ、１６…導入ノズル、１６ａ，１６ｂ，１６ｃ…流
路、１７…排気口、２０…気相成長装置、２１…チャン
バ、２２…試料台、２３…ボート、２４，２５…ガス導
入ポート、２６…排気口、２７…ヒータ。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 4G077 AA03 BE11 DA05 DB05 DB08 ED06 EE01 EE02 TK04 TK10 5F041 AA40 CA40 CA65 CA66 CA73 CA77 5F045 AA04 AB14 AB18 AC08 AC12 AC13 AD14 AF04 DP04 DP05 DP28 DQ06 DQ08 EB15 EE14 EF02 EF08 HA06 HA22 5F073 CA02 CB02 DA05 DA06 DA16 DA35 EA29
Claims (11)
- 【請求項１】 ＧａＮ単結晶基板上に形成された窒化物
系化合物半導体層を有する化合物半導体の製造方法にお
いて、 少なくとも水素ガスを含む第１ガス雰囲気下で前記Ｇａ
Ｎ単結晶基板を加熱する第１加熱工程と、 少なくともアンモニアを含む第２ガス雰囲気下で前記Ｇ
ａＮ単結晶基板を加熱する第２加熱工程と、 前記ＧａＮ単結晶基板上に前記窒化物系化合物半導体層
を形成するエピタキシャル成長工程とを含む化合物半導
体の製造方法。 - 【請求項２】 前記窒化物系化合物半導体層の原材料と
して、 ＡｌxＧａyＩｎ1-x-yＮ（０≦ｘ≦１，０≦ｙ≦１，０
≦ｘ＋ｙ≦１） を用いることを特徴とする請求項１に記載の化合物半導
体の製造方法。 - 【請求項３】 前記第１加熱工程および前記第２加熱工
程における基板温度をそれぞれ８００℃以上とすること
を特徴とする請求項１又は２に記載の化合物半導体の製
造方法。 - 【請求項４】 前記第２加熱工程における基板温度を１
０００℃以上とすることを特徴とする請求項３に記載の
化合物半導体の製造方法。 - 【請求項５】 前記第１加熱工程と前記第２加熱工程と
を、それぞれ２回以上繰り返すことを特徴とする請求項
１〜４の何れかに記載の化合物半導体の製造方法。 - 【請求項６】 前記第１ガスに、窒素ガスおよび希ガス
のうちの少なくとも何れか１種を含ませることを特徴と
する請求項１〜５の何れかに記載の化合物半導体の製造
方法。 - 【請求項７】 前記第１ガス中の水素含有率を、１０％
以上１００％以下とすることを特徴とする請求項１〜６
の何れかに記載の化合物半導体の製造方法。 - 【請求項８】 前記第２ガスに、水素ガスおよび窒素ガ
スのうちの少なくとも何れか１種を含ませることを特徴
とする請求項１〜７の何れかに記載の化合物半導体の製
造方法。 - 【請求項９】 前記第１加熱工程における加熱時間を、
１０秒以上１０分以下とすることを特徴とする請求項１
〜８の何れかに記載の化合物半導体の製造方法。 - 【請求項１０】 前記第２加熱工程における加熱時間
を、１分以上とすることを特徴とする請求項１〜９の何
れかに記載の化合物半導体の製造方法。 - 【請求項１１】 前記エピタキシャル成長工程では、有
機金属化学気相成長法（ＯＭＶＰＥ）、ハイドライド気
相成長法（ＨＶＰＥ）、有機金属塩化物気相成長法（Ｍ
ＯＣＶＰＥ）、及び、分子線エピタキシー法（ＭＢＥ）
のうち、何れか一の手法により、前記窒化物系化合物半
導体層を形成することを特徴とする請求項１〜１０の何
れかに記載の化合物半導体の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001162639A JP4852795B2 (ja) | 2001-05-30 | 2001-05-30 | 化合物半導体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001162639A JP4852795B2 (ja) | 2001-05-30 | 2001-05-30 | 化合物半導体の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002359198A true JP2002359198A (ja) | 2002-12-13 |
| JP4852795B2 JP4852795B2 (ja) | 2012-01-11 |
Family
ID=19005734
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001162639A Expired - Fee Related JP4852795B2 (ja) | 2001-05-30 | 2001-05-30 | 化合物半導体の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP4852795B2 (ja) |
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2004079803A1 (ja) | 2003-03-05 | 2004-09-16 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | 窒化物系半導体装置およびその製造方法 |
| JP2007123871A (ja) * | 2005-10-25 | 2007-05-17 | Samsung Corning Co Ltd | 窒化ガリウム基板の製造方法 |
| JP2007528587A (ja) * | 2003-07-08 | 2007-10-11 | ソウル ナショナル ユニバーシティー インダストリー ファウンデーション | 窒化物半導体エピタキシャル層を成長させる方法 |
| JP2008252124A (ja) * | 2008-06-27 | 2008-10-16 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 窒化物系半導体装置 |
| JP2010027913A (ja) * | 2008-07-22 | 2010-02-04 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | 発光素子の製造方法及び発光素子 |
| JP2010034314A (ja) * | 2008-07-29 | 2010-02-12 | Sumitomo Electric Ind Ltd | マクロステップを有する基板生産物を作製する方法、エピタキシャルウエハを作製する方法、及び窒化物系半導体発光素子を作製する方法 |
| WO2011007472A1 (ja) * | 2009-07-14 | 2011-01-20 | パナソニック株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
| US8147612B2 (en) | 2006-04-28 | 2012-04-03 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Method for manufacturing gallium nitride crystal and gallium nitride wafer |
| JP2017085056A (ja) * | 2015-10-30 | 2017-05-18 | 富士通株式会社 | 化合物半導体エピタキシャル基板及び化合物半導体装置 |
| JP2019026526A (ja) * | 2017-08-01 | 2019-02-21 | 株式会社サイオクス | 半導体積層物の製造方法、窒化物半導体自立基板の製造方法、半導体積層物および半導体装置 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000101140A (ja) * | 1998-09-22 | 2000-04-07 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子の製造方法 |
| JP2000252217A (ja) * | 1999-03-01 | 2000-09-14 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 化合物半導体の製造方法 |
-
2001
- 2001-05-30 JP JP2001162639A patent/JP4852795B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000101140A (ja) * | 1998-09-22 | 2000-04-07 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子の製造方法 |
| JP2000252217A (ja) * | 1999-03-01 | 2000-09-14 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 化合物半導体の製造方法 |
Cited By (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2004079803A1 (ja) | 2003-03-05 | 2004-09-16 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | 窒化物系半導体装置およびその製造方法 |
| KR101036223B1 (ko) * | 2003-03-05 | 2011-05-20 | 스미토모덴키고교가부시키가이샤 | 질화물계 반도체 장치 및 그 제조 방법 |
| JP2007528587A (ja) * | 2003-07-08 | 2007-10-11 | ソウル ナショナル ユニバーシティー インダストリー ファウンデーション | 窒化物半導体エピタキシャル層を成長させる方法 |
| JP2007123871A (ja) * | 2005-10-25 | 2007-05-17 | Samsung Corning Co Ltd | 窒化ガリウム基板の製造方法 |
| US8147612B2 (en) | 2006-04-28 | 2012-04-03 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Method for manufacturing gallium nitride crystal and gallium nitride wafer |
| JP5218047B2 (ja) * | 2006-04-28 | 2013-06-26 | 住友電気工業株式会社 | 窒化ガリウム結晶を作製する方法および窒化ガリウムウエハ |
| JP2008252124A (ja) * | 2008-06-27 | 2008-10-16 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 窒化物系半導体装置 |
| JP2010027913A (ja) * | 2008-07-22 | 2010-02-04 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | 発光素子の製造方法及び発光素子 |
| JP2010034314A (ja) * | 2008-07-29 | 2010-02-12 | Sumitomo Electric Ind Ltd | マクロステップを有する基板生産物を作製する方法、エピタキシャルウエハを作製する方法、及び窒化物系半導体発光素子を作製する方法 |
| WO2011007472A1 (ja) * | 2009-07-14 | 2011-01-20 | パナソニック株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
| JP2017085056A (ja) * | 2015-10-30 | 2017-05-18 | 富士通株式会社 | 化合物半導体エピタキシャル基板及び化合物半導体装置 |
| JP2019026526A (ja) * | 2017-08-01 | 2019-02-21 | 株式会社サイオクス | 半導体積層物の製造方法、窒化物半導体自立基板の製造方法、半導体積層物および半導体装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP4852795B2 (ja) | 2012-01-11 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP4486506B2 (ja) | ハイドライド気相成長方法による転位密度の低い無極性窒化ガリウムの成長 | |
| JP4901145B2 (ja) | 化合物半導体装置及びその製造方法 | |
| US6841274B2 (en) | GaN single-crystal substrate, nitride type semiconductor epitaxial substrate, nitride type semiconductor device, and methods of making the same | |
| JP3591710B2 (ja) | 窒化物系ｉｉｉ−ｖ族化合物層の成長方法およびそれを用いた基板の製造方法 | |
| US6852161B2 (en) | Method of fabricating group-iii nitride semiconductor crystal, method of fabricating gallium nitride-based compound semiconductor, gallium nitride-based compound semiconductor, gallium nitride-based compound semiconductor light-emitting device, and light source using the semiconductor light-emitting device | |
| US6420283B1 (en) | methods for producing compound semiconductor substrates and light emitting elements | |
| JPH10312971A (ja) | ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体膜とその成長方法、ＧａＮ系半導体膜とその形成方法、ＧａＮ系半導体積層構造とその形成方法、ＧａＮ系半導体素子とその製造方法 | |
| JP4452252B2 (ja) | 窒化ガリウム系半導体の製造方法 | |
| JP3940673B2 (ja) | Ｉｉｉ族窒化物半導体結晶の製造方法、および窒化ガリウム系化合物半導体の製造方法 | |
| JP4852795B2 (ja) | 化合物半導体の製造方法 | |
| JP4811376B2 (ja) | 窒化物系ｉｉｉ−ｖ族化合物層およびそれを用いた基板 | |
| US6730611B2 (en) | Nitride semiconductor growing process | |
| JP4424497B2 (ja) | 窒化物半導体結晶の製造方法 | |
| TW546850B (en) | Manufacturing method for crystallization of group III nitride semiconductor, manufacturing method for gallium nitride compound semiconductor, gallium nitride compound semiconductor, gallium nitride compound semiconductor light emitting elements and light | |
| JP2003332234A (ja) | 窒化層を有するサファイア基板およびその製造方法 | |
| JP2001148348A (ja) | ＧａＮ系半導体素子とその製造方法 | |
| JP3975700B2 (ja) | 化合物半導体の製造方法 | |
| JP4123482B2 (ja) | 窒化物系ｉｉｉ−ｖ族化合物層およびそれを用いた基板 | |
| JP2004307253A (ja) | 半導体基板の製造方法 | |
| JPH08264455A (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
| JP2004035360A (ja) | ＧａＮ単結晶基板、窒化物系半導体エピタキシャル基板及びその製造方法 | |
| JP2677221B2 (ja) | 窒化物系ｉｉｉ−ｖ族化合物半導体結晶の成長方法 | |
| JP2003068660A (ja) | 窒化物系半導体の製造方法 | |
| JP3577880B2 (ja) | ３−５族化合物半導体の製造方法 | |
| KR20060072693A (ko) | 질화갈륨(ＧａＮ)기판 및 그의 제조 방법 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20071121 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20100128 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20100413 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20100614 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20110705 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20110905 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20110927 |
|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20111010 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20141104 Year of fee payment: 3 |
|
| R150 | Certificate of patent (=grant) or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |