JP4123482B2 - 窒化物系iii−v族化合物層およびそれを用いた基板 - Google Patents
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Jpn.J.Appl.Phys.,30(1991),L1998
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- III族元素としてガリウム(Ga),アルミニウム(Al),ホウ素(B)およびインジウム(In)からなる群のうちの少なくとも1種を含み、V族元素として少なくとも窒素(N)を含む窒化物系III−V族化合物層であって、
表面に複数の山形状の突起を有し、前記突起部分に伝播した転位を含む第1の成長層と、
前記複数の突起間の領域を埋めると共に、前記突起から伝播した転位を横方向に屈曲した状態で含む第2の成長層と
を備え、前記第1の成長層は、成長面に対して垂直な方向の成長速度が10μm/hよりも大きな速度で成長され、前記第2の成長層は、成長面に対して垂直な方向の成長速度が10μm/h以下の速度で成長したものである
ことを特徴とする窒化物系III−V族化合物層。 - 前記第1の成長層は、水素化物を原料ガスとして用いた気相エピタキシー法により形成され、前記第2の成長層は、水素化物を原料ガスとして用いた気相エピタキシー法、有機金属化学気相成長法または分子線エピタキシー法のいずれかの方法により形成されたものである
ことを特徴とする請求項1記載の窒化物系III−V族化合物層。 - 前記第1の成長層は、サファイア(Al2 O3 )を含む成長用基体の上に形成されている
ことを特徴とする請求項1記載の窒化物系III−V族化合物層。 - 前記第1の成長層は、炭化ケイ素(SiC)を含む成長用基体の上に形成されている
ことを特徴とする請求項1記載の窒化物系III−V族化合物層。 - 前記第1の成長層は、スピネル(MgAlO4 )を含む成長用基体の上に形成されている
ことを特徴とする請求項1記載の窒化物系III−V族化合物層。 - 前記第1の成長層および第2の成長層の少なくとも一方は、窒化ガリウム(GaN)により形成されている
ことを特徴とする請求項1記載の窒化物系III−V族化合物層。 - 前記第1の成長層および第2の成長層の少なくとも一方には不純物が添加されている
ことを特徴とする請求項1記載の窒化物系III−V族化合物層。 - 前記第1の成長層および第2の成長層が、この順にそれぞれ二回以上繰り返して積層されてなる
ことを特徴とする請求項1記載の窒化物系III−V族化合物層。 - III族元素としてガリウム(Ga),アルミニウム(Al),ホウ素(B)およびインジウム(In)からなる群のうちの少なくとも1種を含み、V族元素として少なくとも窒素(N)を含む窒化物系III−V族化合物よりなる基板であって、
表面に複数の山形状の突起を有し、前記突起部分に伝播した転位を含む第1の成長層と、
前記複数の突起間の領域を埋めると共に、前記突起から伝播した転位を横方向に屈曲した状態で含む第2の成長層と
を備え、前記第1の成長層は、成長面に対して垂直な方向の成長速度が10μm/hよりも大きな速度で成長され、前記第2の成長層は、成長面に対して垂直な方向の成長速度が10μm/h以下の速度で成長したものである
ことを特徴とする基板。 - 成長用基体の上に、前記第1の成長層および前記第2の成長層を成長し、その後、前記成長用基体を除去して製造されてなる
ことを特徴とする請求項9記載の基板。 - 前記成長用基体は、エッチングまたはラッピングにより除去されたものである
ことを特徴とする請求項10記載の基板。 - 前記成長用基体は、加熱処理を行うことにより除去されてなる
ことを特徴とする請求項11記載の基板。 - 前記第2の成長層の表面は平坦面を有する
ことを特徴とする請求項9記載の基板。 - 前記第1の成長層および第2の成長層の少なくとも一方は窒化ガリウム(GaN)により形成されている
ことを特徴とする請求項9記載の基板。 - 前記第1の成長層および第2の成長層の少なくとも一方には不純物が添加されている
ことを特徴とする請求項9記載の基板。 - 前記不純物は、炭素(C),ケイ素(Si),ゲルマニウム(Ge),スズ(Sn),硫黄(S),セレン(Se),テルル(Te),ベリリウム(Be),マグネシウム(Mg),カルシウム(Ca),亜鉛(Zn)およびカドミウム(Cd)からなる群のうちの少なくとも1種である
ことを特徴とする請求項15記載の基板。 - 前記第1の成長層および第2の成長層が、この順にそれぞれ二回以上繰り返して積層されてなる
ことを特徴とする請求項9記載の基板。
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