JP4214859B2 - 窒化ガリウム(GaN)基板の製造方法 - Google Patents
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第2の発明は、第1の発明において、塩化水素のガスエッチングにより、ハイドライド気相成長法により形成された第2の窒化ガリウム(GaN)のうち、初期段階の10μm乃至100μmをも除去することを特徴とする。
図3は、比較のために製造された、III族窒化物系化合物半導体発光素子900の構造を示す断面図である。図3のIII族窒化物系化合物半導体発光素子900は、図2のIII族窒化物系化合物半導体発光素子100と比較して、GaN基板10を用いるかわりにサファイア基板91とAlNから成るバッファ層92を用いることと、n電極99をSiを4×1018/cm3でドープした厚さ4μmのGaN層93に設けるほかは同様の構成である。即ち、サファイア基板91上にバッファ層92を設け、Siを4×1018/cm3でドープした厚さ4μmのGaN層93、ノンドープのAl0.15Ga0.85Nから成る膜厚100Åのn型クラッド層94、膜厚約100ÅのGaNから成るバリア層951と膜厚約30ÅのIn0.10Ga0.90Nから成る井戸層952とが交互に合計7層積層されたMQW構造の活性層95、Mgを5×1019/cm3でドープしたp型Al0.2Ga0.8Nから成る膜厚約200Åのp型クラッド層96、Mgを1×1020/cm3でドープしたp型GaNから成る膜厚約500Åのp型コンタクト層97が形成されている。ここで、図3のIII族窒化物系化合物半導体発光素子900の活性層95の面積は、図2のIII族窒化物系化合物半導体発光素子100の活性層15の面積と等しくした。
2:Al0.2Ga0.8N層
3:GaN層
10:GaN基板10
Claims (3)
- III族窒化物系化合物半導体発光素子を形成するための窒化ガリウム(GaN)基板の製造方法であって、
シリコン(Si)基板上に、有機金属気相成長法(MOVPE)により、少なくとも(Al)を含むIII族窒化物系化合物半導体層と、第1の窒化ガリウム(GaN)層とを順に積層し、
当該少なくとも(Al)を含むIII族窒化物系化合物半導体層と第1の窒化ガリウム(GaN)層とを有するシリコン(Si)基板の、第1の窒化ガリウム(GaN)層上に、ハイドライド気相成長法(HVPE)により第2の窒化ガリウム(GaN)を成長させて、ハイドライド気相成長法により成長させた第2の窒化ガリウム(GaN)層を基板として得るものであり、
前記ハイドライド気相成長法による第2の窒化ガリウム(GaN)の成長の間に、塩化水素のガスエッチングによりシリコン(Si)基板の全部並びに前記有機金属気相成長法(MOVPE)により形成された、少なくとも(Al)を含むIII族窒化物系化合物半導体層及び第1の窒化ガリウム(GaN)層を除去することを特徴とする窒化ガリウム(GaN)基板の製造方法。 - 前記塩化水素のガスエッチングにより、前記ハイドライド気相成長法により形成された第2の窒化ガリウム(GaN)のうち、初期段階の10μm乃至100μmをも除去することを特徴とする請求項1に記載の窒化ガリウム(GaN)基板の製造方法。
- 前記ハイドライド気相成長法により第2の窒化ガリウム(GaN)を成長させる際、石英管中で成長させることを特徴とする請求項1又は請求項2に記載の窒化ガリウム(GaN)基板の製造方法。
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