JPH11126948A - 半導体素子およびその製造方法ならびに半導体発光素子 - Google Patents
半導体素子およびその製造方法ならびに半導体発光素子Info
- Publication number
- JPH11126948A JPH11126948A JP29303697A JP29303697A JPH11126948A JP H11126948 A JPH11126948 A JP H11126948A JP 29303697 A JP29303697 A JP 29303697A JP 29303697 A JP29303697 A JP 29303697A JP H11126948 A JPH11126948 A JP H11126948A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- semiconductor
- mask
- substrate
- mask layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 127
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 33
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 52
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 35
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 14
- -1 nitride compound Chemical class 0.000 claims abstract description 13
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 claims abstract description 13
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 claims abstract description 13
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 claims abstract description 7
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 claims abstract description 7
- 238000005253 cladding Methods 0.000 claims description 37
- JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N Gallium nitride Chemical compound [Ga]#N JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 27
- 229910002601 GaN Inorganic materials 0.000 claims description 25
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 16
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims description 12
- 238000010030 laminating Methods 0.000 claims description 11
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 7
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 7
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 17
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 10
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 10
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 9
- 150000004820 halides Chemical class 0.000 description 8
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 7
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 7
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 7
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N Methanol Chemical compound OC OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 6
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 6
- 238000002488 metal-organic chemical vapour deposition Methods 0.000 description 6
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 5
- 238000000927 vapour-phase epitaxy Methods 0.000 description 5
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 4
- XCZXGTMEAKBVPV-UHFFFAOYSA-N trimethylgallium Chemical compound C[Ga](C)C XCZXGTMEAKBVPV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910002704 AlGaN Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 3
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 3
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 2
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- 238000003776 cleavage reaction Methods 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 230000005669 field effect Effects 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 2
- 230000002265 prevention Effects 0.000 description 2
- 230000007017 scission Effects 0.000 description 2
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000001947 vapour-phase growth Methods 0.000 description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 1
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 1
- XOYLJNJLGBYDTH-UHFFFAOYSA-M chlorogallium Chemical compound [Ga]Cl XOYLJNJLGBYDTH-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 230000000994 depressogenic effect Effects 0.000 description 1
- 238000000407 epitaxy Methods 0.000 description 1
- UPWPDUACHOATKO-UHFFFAOYSA-K gallium trichloride Chemical compound Cl[Ga](Cl)Cl UPWPDUACHOATKO-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- 230000014509 gene expression Effects 0.000 description 1
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 description 1
- 238000002248 hydride vapour-phase epitaxy Methods 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- 238000003475 lamination Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000001451 molecular beam epitaxy Methods 0.000 description 1
- QPJSUIGXIBEQAC-UHFFFAOYSA-N n-(2,4-dichloro-5-propan-2-yloxyphenyl)acetamide Chemical compound CC(C)OC1=CC(NC(C)=O)=C(Cl)C=C1Cl QPJSUIGXIBEQAC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 1
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 1
- 230000002250 progressing effect Effects 0.000 description 1
- 230000002035 prolonged effect Effects 0.000 description 1
- 230000000644 propagated effect Effects 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 1
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 1
- JLTRXTDYQLMHGR-UHFFFAOYSA-N trimethylaluminium Chemical compound C[Al](C)C JLTRXTDYQLMHGR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
- H01L33/025—Physical imperfections, e.g. particular concentration or distribution of impurities
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/005—Processes
- H01L33/0062—Processes for devices with an active region comprising only III-V compounds
- H01L33/0066—Processes for devices with an active region comprising only III-V compounds with a substrate not being a III-V compound
- H01L33/007—Processes for devices with an active region comprising only III-V compounds with a substrate not being a III-V compound comprising nitride compounds
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/005—Processes
- H01L33/0062—Processes for devices with an active region comprising only III-V compounds
- H01L33/0075—Processes for devices with an active region comprising only III-V compounds comprising nitride compounds
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/20—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers
- H01S5/2054—Methods of obtaining the confinement
- H01S5/2077—Methods of obtaining the confinement using lateral bandgap control during growth, e.g. selective growth, mask induced
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Geometry (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Led Devices (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 貫通転位の密度を全面において低減すると共
に、膜厚を薄くすることができる半導体素子およびその
製造方法ならびに半導体発光素子を提供する。 【解決手段】 サファイアよりなる基板１の上にバッフ
ァ層２を介して下地層３を形成したのち、複数の開口部
４ｃが設けられたＳｉＯ2 よりなる第１のマスク層４ａ
を介してＧａＮよりなる第１の選択成長層５ａを選択的
に成長させ、その上に同様に第２のマスク層４ｂを介し
て第２の選択成長層５ｂを成長させる。この時、第１の
マスク層４ａの開口部４ｃの上方には第２のマスク層４
ｂのマスク部４ｄを形成する。その後、ＩＩＩ族ナイト
ライド化合物半導体よりなる半導体層を積層する。下地
層３における貫通転位は第１のマスク層４ａおよび第１
のマスク層４ｂにより遮断され半導体層には伝わらな
い。
に、膜厚を薄くすることができる半導体素子およびその
製造方法ならびに半導体発光素子を提供する。 【解決手段】 サファイアよりなる基板１の上にバッフ
ァ層２を介して下地層３を形成したのち、複数の開口部
４ｃが設けられたＳｉＯ2 よりなる第１のマスク層４ａ
を介してＧａＮよりなる第１の選択成長層５ａを選択的
に成長させ、その上に同様に第２のマスク層４ｂを介し
て第２の選択成長層５ｂを成長させる。この時、第１の
マスク層４ａの開口部４ｃの上方には第２のマスク層４
ｂのマスク部４ｄを形成する。その後、ＩＩＩ族ナイト
ライド化合物半導体よりなる半導体層を積層する。下地
層３における貫通転位は第１のマスク層４ａおよび第１
のマスク層４ｂにより遮断され半導体層には伝わらな
い。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ＩＩＩ族ナイトラ
イド化合物半導体などよりなる半導体素子およびその製
造方法ならびに半導体発光素子に関する。
イド化合物半導体などよりなる半導体素子およびその製
造方法ならびに半導体発光素子に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、ＡｌＧａＩｎＮなどのＩＩＩ族ナ
イトライド化合物半導体を用い、可視領域から紫外領域
までの発光を得ることができる半導体レーザや発光ダイ
オード（light emitting diode；ＬＥＤ）などの半導体
発光デバイスの開発が活発に行われている。その中でも
特に、光記録の分野では、光ディスクなどの記録密度を
向上させるために、短波長域の光が得られる半導体レー
ザの実用化が求められている。
イトライド化合物半導体を用い、可視領域から紫外領域
までの発光を得ることができる半導体レーザや発光ダイ
オード（light emitting diode；ＬＥＤ）などの半導体
発光デバイスの開発が活発に行われている。その中でも
特に、光記録の分野では、光ディスクなどの記録密度を
向上させるために、短波長域の光が得られる半導体レー
ザの実用化が求められている。
【０００３】最近では、ＡｌＧａＩｎＮ系半導体レーザ
において、サファイアよりなる基板の上にガリウムナイ
トライド（ＧａＮ）よりなるバッファ層を介してＩＩＩ
族ナイトライド化合物半導体よりなる層を有機金属気相
成長（Metal Organic Chemical Vapor Deposition ；Ｍ
ＯＣＶＤ）法により成長させることにより、室温におけ
る３００時間の連続発振が達成されている（Jpn. J. Ap
pl. Phys. 35 L74 (1996) ；同誌36 L1059 (1997) ）。
しかし、使用による動作電圧の経過曲線を見てみると、
通電の初期から緩やかな上昇が見られ、徐々に劣化が進
行していることが分かる。この劣化の原因としては、基
板の上に形成したＩＩＩ族ナイトライド化合物半導体よ
りなる層が、１×１０8 〜１×１０9 個／ｃｍ2 程度の
貫通転位（転位欠陥が伝ぱんされて結晶中を突きぬける
転位）を有していることが考えられる。従って、１万時
間以上の実用的寿命を実現するためにはこの貫通転位の
密度を低減することが必要であり、種々の検討がなされ
ている。
において、サファイアよりなる基板の上にガリウムナイ
トライド（ＧａＮ）よりなるバッファ層を介してＩＩＩ
族ナイトライド化合物半導体よりなる層を有機金属気相
成長（Metal Organic Chemical Vapor Deposition ；Ｍ
ＯＣＶＤ）法により成長させることにより、室温におけ
る３００時間の連続発振が達成されている（Jpn. J. Ap
pl. Phys. 35 L74 (1996) ；同誌36 L1059 (1997) ）。
しかし、使用による動作電圧の経過曲線を見てみると、
通電の初期から緩やかな上昇が見られ、徐々に劣化が進
行していることが分かる。この劣化の原因としては、基
板の上に形成したＩＩＩ族ナイトライド化合物半導体よ
りなる層が、１×１０8 〜１×１０9 個／ｃｍ2 程度の
貫通転位（転位欠陥が伝ぱんされて結晶中を突きぬける
転位）を有していることが考えられる。従って、１万時
間以上の実用的寿命を実現するためにはこの貫通転位の
密度を低減することが必要であり、種々の検討がなされ
ている。
【０００４】例えば、その一つには、サファイア基板の
上にバッファ層を介してＧａＮ層を形成し、その上に１
〜４μｍ幅の帯状の二酸化ケイ素（ＳｉＯ2 ）よりなる
マスク部を７μｍのピッチで形成したマスク層を積層す
ると共に、このマスク層の上にハライド気相成長法によ
りＧａＮ層を横方向に選択的に成長させ方法がある（Jp
n. J. Appl. Phys. 36 L899 (1997)）。この方法によれ
ば、マスク層の上に形成したＧａＮ層における貫通転位
の密度を、１×１０7 個／ｃｍ2 程度にまで低減するこ
とができる。
上にバッファ層を介してＧａＮ層を形成し、その上に１
〜４μｍ幅の帯状の二酸化ケイ素（ＳｉＯ2 ）よりなる
マスク部を７μｍのピッチで形成したマスク層を積層す
ると共に、このマスク層の上にハライド気相成長法によ
りＧａＮ層を横方向に選択的に成長させ方法がある（Jp
n. J. Appl. Phys. 36 L899 (1997)）。この方法によれ
ば、マスク層の上に形成したＧａＮ層における貫通転位
の密度を、１×１０7 個／ｃｍ2 程度にまで低減するこ
とができる。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、この方
法では、マスク層の上に形成させるＧａＮ層の表面に凹
凸が生じやすく、平坦面となりにくい。これは、このＧ
ａＮ層の成長が、まず、マスク層の開口部（すなわち各
マスク部の間）で進行して山形の突起ができ、それから
マスク部の上（すなわち横方向）に進むからである。よ
って、表面を平坦面とするには、このＧａＮ層の厚さを
少なくとも１０μｍ以上と厚くする必要があった。従っ
て、成長に長時間を要すると共に、サファイアよりなる
基板との格子定数の不一致により欠陥や反りが発生する
など種々の問題があった。
法では、マスク層の上に形成させるＧａＮ層の表面に凹
凸が生じやすく、平坦面となりにくい。これは、このＧ
ａＮ層の成長が、まず、マスク層の開口部（すなわち各
マスク部の間）で進行して山形の突起ができ、それから
マスク部の上（すなわち横方向）に進むからである。よ
って、表面を平坦面とするには、このＧａＮ層の厚さを
少なくとも１０μｍ以上と厚くする必要があった。従っ
て、成長に長時間を要すると共に、サファイアよりなる
基板との格子定数の不一致により欠陥や反りが発生する
など種々の問題があった。
【０００６】また、この方法では、マスク部の上方にお
いては横方向の選択成長により貫通転位が伝わることを
抑制できるが、開口部においてはマスク層の下のＧａＮ
層からの貫通転位をそのまま引き継ぐことになる。よっ
て、マスク部の上の領域では貫通転位の密度が低減され
るが、開口部の上の領域では貫通転位の密度が高くな
り、全面的において密度を低減することができなかっ
た。従って、従来の方法では、マスク部の上の領域に正
確に発光領域を形成しなければならず、製造における自
由度が小さいと共に、製造工程が煩雑となり、製造が困
難であるという問題があった。
いては横方向の選択成長により貫通転位が伝わることを
抑制できるが、開口部においてはマスク層の下のＧａＮ
層からの貫通転位をそのまま引き継ぐことになる。よっ
て、マスク部の上の領域では貫通転位の密度が低減され
るが、開口部の上の領域では貫通転位の密度が高くな
り、全面的において密度を低減することができなかっ
た。従って、従来の方法では、マスク部の上の領域に正
確に発光領域を形成しなければならず、製造における自
由度が小さいと共に、製造工程が煩雑となり、製造が困
難であるという問題があった。
【０００７】なお、マスク層の上にＧａＮ層を選択成長
させる技術は、ハライド気相成長法以外でもＭＯＣＶＤ
法による報告がある（J. Crtst. Growth 144 133 (199
4) ）。しかし、これはマスク層の上の選択成長に焦点
があてられた報告ではない。また、最近では、マスク層
の上にＭＯＣＶＤ法により選択成長させる際の異方性を
調べた報告もなされている。これによれば、サファイア
よりなる基板の上にバッファ層を介してＧａＮ層を形成
し、その上に、＜１１−２０＞方向に帯状のマスク部を
複数形成したマスク層を介してＧａＮ層を形成する場
合、ある条件において横方向の成長が助長され、開口部
における山形の突起成長が抑制されてＣ面に近い比較的
平坦な成長表面が得られることが報告されている（App
l. Phys. Lett. 71 1204 (1997)）。しかし、この報告
は転位密度などへの言及はなされておらず、横方向への
良好な結晶成長が可能であることを示したにすぎない。
させる技術は、ハライド気相成長法以外でもＭＯＣＶＤ
法による報告がある（J. Crtst. Growth 144 133 (199
4) ）。しかし、これはマスク層の上の選択成長に焦点
があてられた報告ではない。また、最近では、マスク層
の上にＭＯＣＶＤ法により選択成長させる際の異方性を
調べた報告もなされている。これによれば、サファイア
よりなる基板の上にバッファ層を介してＧａＮ層を形成
し、その上に、＜１１−２０＞方向に帯状のマスク部を
複数形成したマスク層を介してＧａＮ層を形成する場
合、ある条件において横方向の成長が助長され、開口部
における山形の突起成長が抑制されてＣ面に近い比較的
平坦な成長表面が得られることが報告されている（App
l. Phys. Lett. 71 1204 (1997)）。しかし、この報告
は転位密度などへの言及はなされておらず、横方向への
良好な結晶成長が可能であることを示したにすぎない。
【０００８】なお、ここで、＜１１−２０＞というの
は、本来外１に示したように数字の上にオーバーライン
を引いて表すものであるが、ここでは便宜上、数字の前
に“−”を付けて表す（以下、同様の表現を用いる場合
は同様に表示する）。
は、本来外１に示したように数字の上にオーバーライン
を引いて表すものであるが、ここでは便宜上、数字の前
に“−”を付けて表す（以下、同様の表現を用いる場合
は同様に表示する）。
【０００９】
【外１】
【００１０】本発明はかかる問題点に鑑みてなされたも
ので、その目的は、貫通転位の密度を全面において低減
することができると共に、膜厚を薄くすることができる
半導体素子およびその製造方法ならびに半導体発光素子
を提供することにある。
ので、その目的は、貫通転位の密度を全面において低減
することができると共に、膜厚を薄くすることができる
半導体素子およびその製造方法ならびに半導体発光素子
を提供することにある。
【００１１】
【課題を解決するための手段】本発明による半導体素子
は、開口部が形成されたマスク層と、このマスク層を介
して選択的に成長された半導体よりなる選択成長層と
を、それぞれ２層以上交互に備えたものである。
は、開口部が形成されたマスク層と、このマスク層を介
して選択的に成長された半導体よりなる選択成長層と
を、それぞれ２層以上交互に備えたものである。
【００１２】本発明による半導体素子の製造方法は、基
板の上に、開口部を有するマスク層と、このマスク層を
介して選択的に成長させた半導体よりなる選択成長層と
を、それぞれ２層以上交互に積層する工程と、マスク層
と選択成長層とをそれぞれ２層以上積層したのち、その
上に半導体層を積層する工程とを含むものである。
板の上に、開口部を有するマスク層と、このマスク層を
介して選択的に成長させた半導体よりなる選択成長層と
を、それぞれ２層以上交互に積層する工程と、マスク層
と選択成長層とをそれぞれ２層以上積層したのち、その
上に半導体層を積層する工程とを含むものである。
【００１３】本発明による半導体発光素子は、基板の上
に、半導体よりそれぞれなる第１導電型クラッド層，活
性層および第２導電型クラッド層が少なくとも順次積層
されたものであって、基板と第１導電型クラッド層との
間に、開口部が形成されたマスク層と、このマスク層を
介して選択的に成長された半導体よりなる選択成長層と
を、それぞれ２層以上交互に備えたものである。
に、半導体よりそれぞれなる第１導電型クラッド層，活
性層および第２導電型クラッド層が少なくとも順次積層
されたものであって、基板と第１導電型クラッド層との
間に、開口部が形成されたマスク層と、このマスク層を
介して選択的に成長された半導体よりなる選択成長層と
を、それぞれ２層以上交互に備えたものである。
【００１４】本発明による半導体素子では、マスク層と
選択成長層とをそれぞれ２層以上交互に備えているの
で、積層方向に貫通転位が伝わるのが遮断され、貫通転
位の密度が低減される。
選択成長層とをそれぞれ２層以上交互に備えているの
で、積層方向に貫通転位が伝わるのが遮断され、貫通転
位の密度が低減される。
【００１５】本発明による半導体素子の製造方法では、
基板の上に、マスク層と選択成長層がそれぞれ２層以上
交互に積層され、これにより、積層方向に貫通転位が伝
わるのが遮断される。そののち、その上に半導体層が積
層される。
基板の上に、マスク層と選択成長層がそれぞれ２層以上
交互に積層され、これにより、積層方向に貫通転位が伝
わるのが遮断される。そののち、その上に半導体層が積
層される。
【００１６】本発明による半導体発光素子では、第１導
電型クラッド層と第２導電型クラッド層との間に電圧が
印加されると、活性層に電流が注入され発光が起こる。
ここでは、基板と第１導電型クラッド層との間に、マス
ク層と選択成長層とをそれぞれ２層以上交互に備えてい
るので、積層方向に貫通転位が伝わるのが遮断され、第
１導電型クラッド層や活性層や第２導電型クラッド層に
おける貫通転位の密度が低減される。
電型クラッド層と第２導電型クラッド層との間に電圧が
印加されると、活性層に電流が注入され発光が起こる。
ここでは、基板と第１導電型クラッド層との間に、マス
ク層と選択成長層とをそれぞれ２層以上交互に備えてい
るので、積層方向に貫通転位が伝わるのが遮断され、第
１導電型クラッド層や活性層や第２導電型クラッド層に
おける貫通転位の密度が低減される。
【００１７】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て図面を参照して詳細に説明する。
て図面を参照して詳細に説明する。
【００１８】図１は本発明の第１の実施の形態に係る半
導体発光素子の構成を表すものである。図２は図１に示
した半導体発光素子の一部を拡大して表している。この
半導体発光素子は、例えば、サファイアよりなる基板１
のＣ面上に、積層方向における厚さ（以下、単に厚さと
いう）３０ｎｍのＧａＮよりなるバッファ層２を介し
て、厚さ２μｍのＧａＮよりなる下地層３が積層されて
いる。ここで、バッファ層２は低温で成長させた非晶質
に近い結晶層よりなり、下地層３を成長させる際の核と
なるものである。下地層３は結晶よりなり、図２におい
て細線で示したように積層方向に延びる貫通転位Ｍを１
×１０8 〜１×１０9 個／ｃｍ2 程度有している。ま
た、下地層３の表面はほぼ平坦となっている。
導体発光素子の構成を表すものである。図２は図１に示
した半導体発光素子の一部を拡大して表している。この
半導体発光素子は、例えば、サファイアよりなる基板１
のＣ面上に、積層方向における厚さ（以下、単に厚さと
いう）３０ｎｍのＧａＮよりなるバッファ層２を介し
て、厚さ２μｍのＧａＮよりなる下地層３が積層されて
いる。ここで、バッファ層２は低温で成長させた非晶質
に近い結晶層よりなり、下地層３を成長させる際の核と
なるものである。下地層３は結晶よりなり、図２におい
て細線で示したように積層方向に延びる貫通転位Ｍを１
×１０8 〜１×１０9 個／ｃｍ2 程度有している。ま
た、下地層３の表面はほぼ平坦となっている。
【００１９】この下地層３の上には、複数の開口部４ｃ
がそれぞれ設けられた２層以上のマスク層（ここでは第
１のマスク層４ａと第２のマスク層４ｂ）と、これら各
マスク層４ａ，４ｂを介してそれぞれ選択的に成長され
た２層以上の選択成長層（ここでは第１の選択成長層５
ａと第２の選択成長層５ｂ）とが、交互に積層されてい
る。これは、各マスク層４ａ，４ｂの上において各選択
成長層５ａ，５ｂをそれぞれ横方向（積層方向と垂直な
方向）に選択的に成長させることにより、下地層３から
積層方向に貫通転位Ｍが伝わるのを遮断するためである
（図２参照）。これにより、最上層の選択成長層（ここ
では第２の選択成長層５ｂ）における貫通転位Ｍの密度
は下地層３に比べて低く、１×１０3 個／ｃｍ2 程度以
下となっている。なお、以下、２層のマスク層（第１の
マスク層４ａおよび第２のマスク層４ｂ）が形成された
場合について具体的に説明する。
がそれぞれ設けられた２層以上のマスク層（ここでは第
１のマスク層４ａと第２のマスク層４ｂ）と、これら各
マスク層４ａ，４ｂを介してそれぞれ選択的に成長され
た２層以上の選択成長層（ここでは第１の選択成長層５
ａと第２の選択成長層５ｂ）とが、交互に積層されてい
る。これは、各マスク層４ａ，４ｂの上において各選択
成長層５ａ，５ｂをそれぞれ横方向（積層方向と垂直な
方向）に選択的に成長させることにより、下地層３から
積層方向に貫通転位Ｍが伝わるのを遮断するためである
（図２参照）。これにより、最上層の選択成長層（ここ
では第２の選択成長層５ｂ）における貫通転位Ｍの密度
は下地層３に比べて低く、１×１０3 個／ｃｍ2 程度以
下となっている。なお、以下、２層のマスク層（第１の
マスク層４ａおよび第２のマスク層４ｂ）が形成された
場合について具体的に説明する。
【００２０】第１のマスク層４ａおよび第２のマスク層
４ｂは、例えば、厚さが１００〜２００ｎｍであり、二
酸化ケイ素や窒化ケイ素（Ｓ3 Ｎ4 ）や酸化アルミニウ
ム（Ａｌ2 Ｏ3 ）などの誘電体によりそれぞれ構成され
ている。第１のマスク層４ａおよび第２のマスク層４ｂ
は、また、例えば＜１１−２０＞方向（図１においては
図面に対して垂直な方向）に延長された複数の帯状のマ
スク部４ｄをそれぞれ有している（すなわち、各マスク
部４ｄの間に＜１１−２０＞方向に延長された複数の帯
状の開口部４ｃをそれぞれ有している）。第１のマスク
層４ａおよび第２のマスク層４ｂにおけるマスク部４ｄ
の幅（マスク幅）Ｌ１は例えば１．５〜４μｍであり、
ピッチ幅Ｌ２は例えば３〜６μｍである。なお、マスク
幅Ｌ１およびピッチ幅Ｌ２は図２において矢印で示した
とおりである。また、第１のマスク層４ａと第２のマス
ク層４ｂのマスク幅Ｌ１とピッチ幅Ｌ２はそれぞれ同一
となっている。
４ｂは、例えば、厚さが１００〜２００ｎｍであり、二
酸化ケイ素や窒化ケイ素（Ｓ3 Ｎ4 ）や酸化アルミニウ
ム（Ａｌ2 Ｏ3 ）などの誘電体によりそれぞれ構成され
ている。第１のマスク層４ａおよび第２のマスク層４ｂ
は、また、例えば＜１１−２０＞方向（図１においては
図面に対して垂直な方向）に延長された複数の帯状のマ
スク部４ｄをそれぞれ有している（すなわち、各マスク
部４ｄの間に＜１１−２０＞方向に延長された複数の帯
状の開口部４ｃをそれぞれ有している）。第１のマスク
層４ａおよび第２のマスク層４ｂにおけるマスク部４ｄ
の幅（マスク幅）Ｌ１は例えば１．５〜４μｍであり、
ピッチ幅Ｌ２は例えば３〜６μｍである。なお、マスク
幅Ｌ１およびピッチ幅Ｌ２は図２において矢印で示した
とおりである。また、第１のマスク層４ａと第２のマス
ク層４ｂのマスク幅Ｌ１とピッチ幅Ｌ２はそれぞれ同一
となっている。
【００２１】但し、第１のマスク層４ａと第２のマスク
層４ｂは開口部４ｃの形成位置が異なっており、第１の
マスク層４ａの開口部４ｃは積層方向から見て第２のマ
スク層４ｂのマスク部４ｄにより完全に覆われるように
なっている。これは、第１のマスク層４ａの開口部４ｃ
を介して下地層３から引き続く貫通転位Ｍを、第２のマ
スク層４ｂのマスク部４ｄにより遮断するためである
（図２参照）。従って、第１のマスク層４ａおよび第２
のマスク層４ｂにおけるマスク幅Ｌ１は開口部４ｃの幅
（開口幅）Ｌ３よりも広い方が好ましい。貫通転位Ｍを
有効に遮断するためである。なお、開口幅Ｌ３は図２に
おいて矢印で示したとおりである。
層４ｂは開口部４ｃの形成位置が異なっており、第１の
マスク層４ａの開口部４ｃは積層方向から見て第２のマ
スク層４ｂのマスク部４ｄにより完全に覆われるように
なっている。これは、第１のマスク層４ａの開口部４ｃ
を介して下地層３から引き続く貫通転位Ｍを、第２のマ
スク層４ｂのマスク部４ｄにより遮断するためである
（図２参照）。従って、第１のマスク層４ａおよび第２
のマスク層４ｂにおけるマスク幅Ｌ１は開口部４ｃの幅
（開口幅）Ｌ３よりも広い方が好ましい。貫通転位Ｍを
有効に遮断するためである。なお、開口幅Ｌ３は図２に
おいて矢印で示したとおりである。
【００２２】第１の選択成長層５ａおよび第１の選択成
長層５ｂは、例えば、ＧａＮによりそれぞれ構成されて
おり、それらを合わせた厚さが１０ｎｍ以下（例えば７
〜８μｍ程度）と比較的薄くなっている。これは、開口
部４ｃの形成位置が異なる第１のマスク層４ａと第２の
マスク層４ｂとを積層することにより、選択成長により
生ずる第１の選択成長層５ａの窪みの部分を第２の選択
成長層５ｂにより優先的に成長させることができるの
で、厚く積層しなくても表面を平坦化することができる
からである。
長層５ｂは、例えば、ＧａＮによりそれぞれ構成されて
おり、それらを合わせた厚さが１０ｎｍ以下（例えば７
〜８μｍ程度）と比較的薄くなっている。これは、開口
部４ｃの形成位置が異なる第１のマスク層４ａと第２の
マスク層４ｂとを積層することにより、選択成長により
生ずる第１の選択成長層５ａの窪みの部分を第２の選択
成長層５ｂにより優先的に成長させることができるの
で、厚く積層しなくても表面を平坦化することができる
からである。
【００２３】なお、第１の選択成長層５の厚さはできる
だけ薄い方が好ましく、横方向の選択成長により第１の
マスク層４ａのマスク部４ｄが完全に覆われていれば十
分である。すなわち、表面が平坦でなく、開口部４ｃの
上方に位置する領域が突起し、マスク部４ｄの上方に位
置する領域が窪んでいる状態でもよい。厚さが厚くなる
と、成長に時間を要すると共に、サファイアよりなる基
板１との格子不整合による欠陥の発生や反りなどの問題
が発生するからである。また、第２の選択成長層５ｂの
厚さは、表面が平坦となるのに十分な厚さであることが
好ましい。その上に良好な半導体層を成長させることが
できるようにするためである。
だけ薄い方が好ましく、横方向の選択成長により第１の
マスク層４ａのマスク部４ｄが完全に覆われていれば十
分である。すなわち、表面が平坦でなく、開口部４ｃの
上方に位置する領域が突起し、マスク部４ｄの上方に位
置する領域が窪んでいる状態でもよい。厚さが厚くなる
と、成長に時間を要すると共に、サファイアよりなる基
板１との格子不整合による欠陥の発生や反りなどの問題
が発生するからである。また、第２の選択成長層５ｂの
厚さは、表面が平坦となるのに十分な厚さであることが
好ましい。その上に良好な半導体層を成長させることが
できるようにするためである。
【００２４】第２の選択成長層５ｂの上には、半導体層
としてｎ側コンタクト層６，第１導電型クラッド層とし
てのｎ型クラッド層７，第１のガイド層８，活性層９，
劣化防止層１０，第２のガイド層１１，第２導電型クラ
ッド層としてのｐ型クラッド層１２およびｐ側コンタク
ト層１３が順次積層されている。
としてｎ側コンタクト層６，第１導電型クラッド層とし
てのｎ型クラッド層７，第１のガイド層８，活性層９，
劣化防止層１０，第２のガイド層１１，第２導電型クラ
ッド層としてのｐ型クラッド層１２およびｐ側コンタク
ト層１３が順次積層されている。
【００２５】ｎ側コンタクト層６は、例えば、厚さが２
μｍであり、ｎ型不純物としてケイ素（Ｓｉ）を添加し
たｎ型ＧａＮにより構成されている。ｎ型クラッド層７
は、例えば、厚さが０．５μｍであり、ｎ型不純物とし
てケイ素を添加したｎ型ＡｌＧａＮ混晶により構成され
ている。第１のガイド層８は、例えば、厚さが０．１μ
ｍであり、ｎ型不純物としてケイ素を添加したｎ型Ｇａ
Ｎにより構成されている。活性層９は、例えば、井戸の
厚さが３ｎｍでありバリア層の厚さが４ｎｍの多重量子
井戸構造を有するＧａＩｎＮ混晶により構成されてい
る。
μｍであり、ｎ型不純物としてケイ素（Ｓｉ）を添加し
たｎ型ＧａＮにより構成されている。ｎ型クラッド層７
は、例えば、厚さが０．５μｍであり、ｎ型不純物とし
てケイ素を添加したｎ型ＡｌＧａＮ混晶により構成され
ている。第１のガイド層８は、例えば、厚さが０．１μ
ｍであり、ｎ型不純物としてケイ素を添加したｎ型Ｇａ
Ｎにより構成されている。活性層９は、例えば、井戸の
厚さが３ｎｍでありバリア層の厚さが４ｎｍの多重量子
井戸構造を有するＧａＩｎＮ混晶により構成されてい
る。
【００２６】劣化防止層１０は、例えば、厚さが２０ｎ
ｍのＡｌＧａＮにより構成されている。第２のガイド層
１１は、例えば、厚さが０．１ｎｍであり、ｐ型不純物
としてマグネシウム（Ｍｇ）を添加したｐ型ＧａＮによ
り構成されている。ｐ型クラッド層１２は、例えば、厚
さが０．５ｎｍであり、ｐ型不純物としてマグネシウム
を添加したｐ型ＡｌＧａＮ混晶により構成されている。
ｐ側コンタクト層１３は、例えば、厚さが０．５ｎｍで
あり、ｐ型不純物としてマグネシウムを添加したｐ型Ｇ
ａＮ混晶により構成されている。
ｍのＡｌＧａＮにより構成されている。第２のガイド層
１１は、例えば、厚さが０．１ｎｍであり、ｐ型不純物
としてマグネシウム（Ｍｇ）を添加したｐ型ＧａＮによ
り構成されている。ｐ型クラッド層１２は、例えば、厚
さが０．５ｎｍであり、ｐ型不純物としてマグネシウム
を添加したｐ型ＡｌＧａＮ混晶により構成されている。
ｐ側コンタクト層１３は、例えば、厚さが０．５ｎｍで
あり、ｐ型不純物としてマグネシウムを添加したｐ型Ｇ
ａＮ混晶により構成されている。
【００２７】ｐ側コンタクト層１３の上には、二酸化ケ
イ素などの絶縁材料よりなる絶縁層１４と共に、この絶
縁層１４に設けられた開口１４ａを介してｐ側電極１５
が形成されている。ｐ側電極１５は、ｐ側コンタクト層
１３の側からニッケル（Ｎｉ）と金（Ａｕ）が順次積層
された構成となっている。なお、このｐ側電極１５は、
電流狭窄をするために細い帯状（図１においては図面に
対して垂直方向に延長された帯状）に形成されている。
また、ｎ側コンタクト層６の上には、ｎ側コンタクト層
６の側からチタン（Ｔｉ），アルミニウム（Ａｌ）およ
び金（Ａｕ）が順次積層されたｎ側電極１６が設けられ
ている。
イ素などの絶縁材料よりなる絶縁層１４と共に、この絶
縁層１４に設けられた開口１４ａを介してｐ側電極１５
が形成されている。ｐ側電極１５は、ｐ側コンタクト層
１３の側からニッケル（Ｎｉ）と金（Ａｕ）が順次積層
された構成となっている。なお、このｐ側電極１５は、
電流狭窄をするために細い帯状（図１においては図面に
対して垂直方向に延長された帯状）に形成されている。
また、ｎ側コンタクト層６の上には、ｎ側コンタクト層
６の側からチタン（Ｔｉ），アルミニウム（Ａｌ）およ
び金（Ａｕ）が順次積層されたｎ側電極１６が設けられ
ている。
【００２８】この半導体発光素子は、また、図示はしな
いが、ｐ側電極１５の長さ方向（すなわち共振器長方
向）と垂直な一対の側面に、反射鏡層がそれぞれ設けら
れている。
いが、ｐ側電極１５の長さ方向（すなわち共振器長方
向）と垂直な一対の側面に、反射鏡層がそれぞれ設けら
れている。
【００２９】このような構成を有する半導体発光素子
は、次のようにして製造することができる。図３はその
一製造方法における工程の一部を表すものである。
は、次のようにして製造することができる。図３はその
一製造方法における工程の一部を表すものである。
【００３０】この製造方法では、まず、基板１を用意
し、例えばＭＯＣＶＤ法により、Ｃ面上にＧａＮよりな
るバッファ層２を形成する。その際、例えば、基板１の
温度は５２０℃とし、原料ガスにはトリメチルガリウム
ガス（（ＣＨ3 ）3 Ｇａ）とアンモニアガス（ＮＨ3 ）
を用いる。次いで、バッファ層２の上に、例えばＭＯＣ
ＶＤ法により、同様にしてＧａＮよりなる下地層３を形
成する。但し、基板１の温度は１０２０℃とする。な
お、この下地層３には図３（ａ）において細線で示した
ように高濃度の貫通転位Ｍが存在している。
し、例えばＭＯＣＶＤ法により、Ｃ面上にＧａＮよりな
るバッファ層２を形成する。その際、例えば、基板１の
温度は５２０℃とし、原料ガスにはトリメチルガリウム
ガス（（ＣＨ3 ）3 Ｇａ）とアンモニアガス（ＮＨ3 ）
を用いる。次いで、バッファ層２の上に、例えばＭＯＣ
ＶＤ法により、同様にしてＧａＮよりなる下地層３を形
成する。但し、基板１の温度は１０２０℃とする。な
お、この下地層３には図３（ａ）において細線で示した
ように高濃度の貫通転位Ｍが存在している。
【００３１】続いて、下地層３の上に、例えばＣＶＤ
（Chemical Vapor Deposition ）法により、基板１の温
度を４５０℃として、ＳｉＯ2 よりなる第１のマスク層
４ａを形成する。そののち、その上に、図示しないレジ
スト膜を塗布してフォトリソグラフィにより複数の平行
な帯状のマスクパターンを形成し、これをマスクとして
エッチングを行い第１のマスク層４ａを選択的に除去し
て、＜１１−２０＞方向に延長された帯状の複数のマス
ク部４ｄと複数の開口部４ｃとをそれぞれ形成する。
（Chemical Vapor Deposition ）法により、基板１の温
度を４５０℃として、ＳｉＯ2 よりなる第１のマスク層
４ａを形成する。そののち、その上に、図示しないレジ
スト膜を塗布してフォトリソグラフィにより複数の平行
な帯状のマスクパターンを形成し、これをマスクとして
エッチングを行い第１のマスク層４ａを選択的に除去し
て、＜１１−２０＞方向に延長された帯状の複数のマス
ク部４ｄと複数の開口部４ｃとをそれぞれ形成する。
【００３２】第１のマスク層４ａを形成したのち、アセ
トン（ＣＨ3 ＣＯＣＨ3 ）とメタノール（ＣＨ3 ＯＨ）
により洗浄を行い、更に、希釈した塩酸（ＨＣｌ）また
は希釈したフッ酸（ＨＦ）に１０秒程度浸したのち、純
水により洗浄を行う。
トン（ＣＨ3 ＣＯＣＨ3 ）とメタノール（ＣＨ3 ＯＨ）
により洗浄を行い、更に、希釈した塩酸（ＨＣｌ）また
は希釈したフッ酸（ＨＦ）に１０秒程度浸したのち、純
水により洗浄を行う。
【００３３】そののち、第１のマスク層４ａの上に、例
えばハライド気相成長法により、ＧａＮよりなる第１の
選択成長層５ａを横方向に選択的に成長させる。ここ
で、ハライド気相成長法とは、ハロゲンが輸送もしくは
反応に寄与する気相成長法を言う（なお、ハライド気相
成長法はハイドライド気相成長法とも言う）。その際、
例えば、基板１の温度は１０００℃とし、原料にはアン
モニアと金属ガリウムと塩酸とを用いる。具体的には、
例えば、２リットル／分の流量でアンモニアガスを流し
ながら、基板１を１０００℃まで加熱したのち、金属ガ
リウム上に塩酸ガスを流し、塩化ガリウム（ＧａＣｌ）
ガスを供給する。ＧａＣｌガスの供給条件は、成長速度
が２０μｍ／時程度となるようにする。
えばハライド気相成長法により、ＧａＮよりなる第１の
選択成長層５ａを横方向に選択的に成長させる。ここ
で、ハライド気相成長法とは、ハロゲンが輸送もしくは
反応に寄与する気相成長法を言う（なお、ハライド気相
成長法はハイドライド気相成長法とも言う）。その際、
例えば、基板１の温度は１０００℃とし、原料にはアン
モニアと金属ガリウムと塩酸とを用いる。具体的には、
例えば、２リットル／分の流量でアンモニアガスを流し
ながら、基板１を１０００℃まで加熱したのち、金属ガ
リウム上に塩酸ガスを流し、塩化ガリウム（ＧａＣｌ）
ガスを供給する。ＧａＣｌガスの供給条件は、成長速度
が２０μｍ／時程度となるようにする。
【００３４】これにより例えば９分間成長を行うと、図
３（ａ）に示したように、第１のマスク層４ａの開口部
４ｃの上方において｛１−１０１｝面に囲まれた山形に
突起した第１の選択成長層５ａが形成される。ここで、
第１の選択成長層５ａのうち第１のマスク層４ａの開口
部４ｃの上方に位置する領域では、下地層３からの貫通
転位ＭがＣ軸方向（すなわち積層方向）に沿って引き継
がれるので、下地層３と同様に貫通転位Ｍが発生する。
一方、第１の選択成長層５ａのうちマスク部４ｄの上方
に位置する領域では、横方向に成長が起こるので、下地
層３からの貫通転位Ｍは伝わらず、貫通転位Ｍは発生し
ない。なお、第１の選択成長層５ａの成長時間は、第１
の選択成長層５ａが横方向に選択的に成長してマスク部
４ｄの上を完全に覆い更に少し成長する程度の時間とす
ることが好ましい。
３（ａ）に示したように、第１のマスク層４ａの開口部
４ｃの上方において｛１−１０１｝面に囲まれた山形に
突起した第１の選択成長層５ａが形成される。ここで、
第１の選択成長層５ａのうち第１のマスク層４ａの開口
部４ｃの上方に位置する領域では、下地層３からの貫通
転位ＭがＣ軸方向（すなわち積層方向）に沿って引き継
がれるので、下地層３と同様に貫通転位Ｍが発生する。
一方、第１の選択成長層５ａのうちマスク部４ｄの上方
に位置する領域では、横方向に成長が起こるので、下地
層３からの貫通転位Ｍは伝わらず、貫通転位Ｍは発生し
ない。なお、第１の選択成長層５ａの成長時間は、第１
の選択成長層５ａが横方向に選択的に成長してマスク部
４ｄの上を完全に覆い更に少し成長する程度の時間とす
ることが好ましい。
【００３５】第１の選択成長層５ａを形成したのち、図
３（ｂ）に示したように、その上に、第１のマスク層４
ａと同様にして第２のマスク層４ｂを形成すると共に、
複数のマスク部４ｄと複数の開口部４ｃとをそれぞれ形
成する。但し、第２のマスク層４ｂにおいては、開口部
４ｃを第１のマスク層４ａと異なった位置に形成し、第
１のマスク層４ａの開口部４ｃを積層方向から見て第２
のマスク層４ｂのマスク部４ｄで完全に覆うようにす
る。すなわち、第１のマスク層４ａの開口部４ｃの上に
第２のマスク層４ｂのマスク部４ｄが位置し、第１のマ
スク層４ａのマスク部４ｄの上に第２のマスク層４ｂの
開口部４ｃが位置するようにする。これにより、第２の
マスク層４ｂの開口部４ｃが第１の選択成長層５ａの窪
みに対応して形成される。
３（ｂ）に示したように、その上に、第１のマスク層４
ａと同様にして第２のマスク層４ｂを形成すると共に、
複数のマスク部４ｄと複数の開口部４ｃとをそれぞれ形
成する。但し、第２のマスク層４ｂにおいては、開口部
４ｃを第１のマスク層４ａと異なった位置に形成し、第
１のマスク層４ａの開口部４ｃを積層方向から見て第２
のマスク層４ｂのマスク部４ｄで完全に覆うようにす
る。すなわち、第１のマスク層４ａの開口部４ｃの上に
第２のマスク層４ｂのマスク部４ｄが位置し、第１のマ
スク層４ａのマスク部４ｄの上に第２のマスク層４ｂの
開口部４ｃが位置するようにする。これにより、第２の
マスク層４ｂの開口部４ｃが第１の選択成長層５ａの窪
みに対応して形成される。
【００３６】第２のマスク層４ｂを形成したのち、アセ
トンとメタノールにより洗浄を行い、更に、希釈した塩
酸または希釈したフッ酸に１０秒程度浸したのち、純水
により洗浄を行う。
トンとメタノールにより洗浄を行い、更に、希釈した塩
酸または希釈したフッ酸に１０秒程度浸したのち、純水
により洗浄を行う。
【００３７】そののち、第２のマスク層４ｂの上に、第
１の選択成長層５ａと同様にして、第２の選択成長層５
ｂを横方向に選択的に成長させる。これにより例えば１
６分間成長を行うと、図３（ｃ）に示したように、第２
のマスク層４ｂの開口部４ｃの上方において第１の選択
成長層５ａの窪みを埋めるように優先的に成長が起こ
り、表面がほぼ平坦な第２の選択成長層５ｂが形成され
る。すなわち、第１の選択成長層５ａおよび第２の選択
成長層５ｂを厚く成長させなくても、表面が平坦とな
る。
１の選択成長層５ａと同様にして、第２の選択成長層５
ｂを横方向に選択的に成長させる。これにより例えば１
６分間成長を行うと、図３（ｃ）に示したように、第２
のマスク層４ｂの開口部４ｃの上方において第１の選択
成長層５ａの窪みを埋めるように優先的に成長が起こ
り、表面がほぼ平坦な第２の選択成長層５ｂが形成され
る。すなわち、第１の選択成長層５ａおよび第２の選択
成長層５ｂを厚く成長させなくても、表面が平坦とな
る。
【００３８】ここで、第２の選択成長層５ｂのうち第２
のマスク層４ｂのマスク部４ｄの上方に位置する領域で
は、横方向に成長が起こるので、第１のマスク層４ａの
開口部４ｃを介して下地層３から引き継がれた第１の選
択成長層５ａの貫通転位Ｍは遮断され、貫通転位Ｍは発
生しない。また、第２の選択成長層５ｂのうち第２のマ
スク層４ｂの開口部４ｂの上方に位置する領域でも、そ
の下の第１の選択成長層５ａの領域に貫通転位Ｍが存在
していないので、貫通転位Ｍは発生しない。すなわち、
第２の選択成長層５ａでは全面において貫通転位Ｍが発
生しない。
のマスク層４ｂのマスク部４ｄの上方に位置する領域で
は、横方向に成長が起こるので、第１のマスク層４ａの
開口部４ｃを介して下地層３から引き継がれた第１の選
択成長層５ａの貫通転位Ｍは遮断され、貫通転位Ｍは発
生しない。また、第２の選択成長層５ｂのうち第２のマ
スク層４ｂの開口部４ｂの上方に位置する領域でも、そ
の下の第１の選択成長層５ａの領域に貫通転位Ｍが存在
していないので、貫通転位Ｍは発生しない。すなわち、
第２の選択成長層５ａでは全面において貫通転位Ｍが発
生しない。
【００３９】なお、第２の選択成長層５ｂの成長時間
は、表面が平坦になるように十分な時間とすることが好
ましい。ちなみに、ここで示した条件により第１の選択
成長層５ａおよび第１の選択成長層５ｂをそれぞれ成長
させる場合には、２層合わせて約８μｍ程度の厚さで表
面がほぼ平坦となる。
は、表面が平坦になるように十分な時間とすることが好
ましい。ちなみに、ここで示した条件により第１の選択
成長層５ａおよび第１の選択成長層５ｂをそれぞれ成長
させる場合には、２層合わせて約８μｍ程度の厚さで表
面がほぼ平坦となる。
【００４０】このようにして第２の選択成長層５ｂを形
成したのち、その上に、例えばＭＯＣＶＤ法により、各
半導体層、すなわちｎ側コンタクト層６，ｎ型クラッド
層７，第１のガイド層８，活性層９，第２の活性層１
０，ｐ型クラッド層１２およびｐ側コンタクト層１３を
それぞれ成長させる。その際、例えば、基板１の温度は
８００〜１０００℃とし、アルミニウムの原料ガスとし
てはトリメチルアルミニウムガス（（ＣＨ3 ）3 Ａ
ｌ），ガリウムの原料ガスとしてはトリメチルガリウム
ガス，窒素の原料ガスとしてはアンモニアガス，ケイ素
の原料ガスとしてはモノシランガス（ＳｉＨ4 ），マグ
ネシウムの原料ガスとしてはビス＝メチルシクロペンタ
ジェニルマグネシウムガス（ＭｅＣｐ2 Ｍｇ）やビス＝
シクロペンタジェニルマグネシウムガス（Ｃｐ2 Ｍｇ）
をそれぞれ用いる。なお、これらの各半導体層には、第
２の選択成長層５ｂに貫通転位Ｍが存在していないの
で、貫通転位Ｍは発生しない。
成したのち、その上に、例えばＭＯＣＶＤ法により、各
半導体層、すなわちｎ側コンタクト層６，ｎ型クラッド
層７，第１のガイド層８，活性層９，第２の活性層１
０，ｐ型クラッド層１２およびｐ側コンタクト層１３を
それぞれ成長させる。その際、例えば、基板１の温度は
８００〜１０００℃とし、アルミニウムの原料ガスとし
てはトリメチルアルミニウムガス（（ＣＨ3 ）3 Ａ
ｌ），ガリウムの原料ガスとしてはトリメチルガリウム
ガス，窒素の原料ガスとしてはアンモニアガス，ケイ素
の原料ガスとしてはモノシランガス（ＳｉＨ4 ），マグ
ネシウムの原料ガスとしてはビス＝メチルシクロペンタ
ジェニルマグネシウムガス（ＭｅＣｐ2 Ｍｇ）やビス＝
シクロペンタジェニルマグネシウムガス（Ｃｐ2 Ｍｇ）
をそれぞれ用いる。なお、これらの各半導体層には、第
２の選択成長層５ｂに貫通転位Ｍが存在していないの
で、貫通転位Ｍは発生しない。
【００４１】各半導体層をそれぞれ形成したのち、ｐ側
コンタクト層１３の上に、例えばＣＶＤ法により、Ｓｉ
Ｏ2 よりなる絶縁層１４を形成する。次いで、絶縁層１
４の上に、図示しないレジスト膜を塗布し、フォトリソ
グラフィによってｐ側電極１５の形成位置に対応したマ
スクパターンを形成する。そののち、これをマスクとし
てエッチングを行い、絶縁層１４を選択的に除去してｐ
側電極１５の形成位置に対応した開口１４ａを形成す
る。
コンタクト層１３の上に、例えばＣＶＤ法により、Ｓｉ
Ｏ2 よりなる絶縁層１４を形成する。次いで、絶縁層１
４の上に、図示しないレジスト膜を塗布し、フォトリソ
グラフィによってｐ側電極１５の形成位置に対応したマ
スクパターンを形成する。そののち、これをマスクとし
てエッチングを行い、絶縁層１４を選択的に除去してｐ
側電極１５の形成位置に対応した開口１４ａを形成す
る。
【００４２】続いて、全面（すなわち絶縁層１４が選択
的に除去されたｐ側コンタクト層１３の上および図示し
ないレジスト膜の上）に、例えば、ニッケルおよび金を
順次蒸着し、図示しないレジスト膜をこのレジスト膜の
上に蒸着されたニッケルおよび金と共に除去して（リフ
トオフ）、ｐ側電極１５を形成する。
的に除去されたｐ側コンタクト層１３の上および図示し
ないレジスト膜の上）に、例えば、ニッケルおよび金を
順次蒸着し、図示しないレジスト膜をこのレジスト膜の
上に蒸着されたニッケルおよび金と共に除去して（リフ
トオフ）、ｐ側電極１５を形成する。
【００４３】ｐ側電極１５を形成したのち、ｎ側電極１
６の形成位置に対応して、絶縁層１４，ｐ側コンタクト
層１３，ｐ型クラッド層１２，第２のガイド層１１，劣
化防止層１０，活性層９，第１のガイド層８およびｎ型
クラッド層７を順次選択的に除去する。そののち、ｎ側
コンタクト層６の上にチタン，アルミニウムおよび金を
選択的に順次蒸着してｎ側電極１６を形成する。
６の形成位置に対応して、絶縁層１４，ｐ側コンタクト
層１３，ｐ型クラッド層１２，第２のガイド層１１，劣
化防止層１０，活性層９，第１のガイド層８およびｎ型
クラッド層７を順次選択的に除去する。そののち、ｎ側
コンタクト層６の上にチタン，アルミニウムおよび金を
選択的に順次蒸着してｎ側電極１６を形成する。
【００４４】ｎ側電極１６を形成したのち、基板１をｐ
側電極１５の長さ方向（共振器長方向）と垂直に所定の
幅で劈開し、その劈開面に反射鏡層を形成する。これに
より、図１に示した半導体発光素子が形成される。
側電極１５の長さ方向（共振器長方向）と垂直に所定の
幅で劈開し、その劈開面に反射鏡層を形成する。これに
より、図１に示した半導体発光素子が形成される。
【００４５】また、この半導体発光素子は、次のように
しても製造することができる。図４はその他の製造方法
における工程の一部を表すものである。
しても製造することができる。図４はその他の製造方法
における工程の一部を表すものである。
【００４６】この製造方法では、まず、基板１を用意
し、先の製造方法と同様にして、バッファ層２と下地層
３を形成する。次いで、下地層３の上に、先の製造方法
と同様にして、第１のマスク層４ａを形成したのち、複
数のマスク部４ｄと複数の開口部４ｃとをそれぞれ形成
し、洗浄する。
し、先の製造方法と同様にして、バッファ層２と下地層
３を形成する。次いで、下地層３の上に、先の製造方法
と同様にして、第１のマスク層４ａを形成したのち、複
数のマスク部４ｄと複数の開口部４ｃとをそれぞれ形成
し、洗浄する。
【００４７】続いて、第１のマスク層４ａの上に、例え
ばＭＯＣＶＤ法により、ＧａＮよりなる第１の選択成長
層５ａを横方向に選択的に成長させる。その際、例え
ば、基板１の温度は１０５０℃とし、原料ガスにはアン
モニアガスとトリメチルガリウムガスを用いる。具体的
には、例えば、１０リットル／分と多めの流量でアンモ
ニアガスを流しながら、成長速度が４μｍ／時程度とな
るようにトリメチルガリウムガスを供給し、常圧下にお
いて反応させる。
ばＭＯＣＶＤ法により、ＧａＮよりなる第１の選択成長
層５ａを横方向に選択的に成長させる。その際、例え
ば、基板１の温度は１０５０℃とし、原料ガスにはアン
モニアガスとトリメチルガリウムガスを用いる。具体的
には、例えば、１０リットル／分と多めの流量でアンモ
ニアガスを流しながら、成長速度が４μｍ／時程度とな
るようにトリメチルガリウムガスを供給し、常圧下にお
いて反応させる。
【００４８】これにより例えば４５分間成長を行うと、
図４（ａ）に示したように、第１のマスク層４ａの開口
部４ｃの上方に位置する領域が若干膨らんだほぼ平坦な
第１の選択成長層５ａが形成される。ここで、第１の選
択成長層５ａのうち第１のマスク層４ａの開口部４ｃの
上方に位置する領域では、先の製造方法と同様に、下地
層３からの貫通転位Ｍが引き継がれ貫通転位Ｍが発生す
る。一方、第１の選択成長層５ａのうちマスク部４ｄの
上方に位置する領域では、先の製造方法と同様に、横方
向への成長により下地層３からの貫通転位Ｍは遮断さ
れ、貫通転位Ｍは発生しない。
図４（ａ）に示したように、第１のマスク層４ａの開口
部４ｃの上方に位置する領域が若干膨らんだほぼ平坦な
第１の選択成長層５ａが形成される。ここで、第１の選
択成長層５ａのうち第１のマスク層４ａの開口部４ｃの
上方に位置する領域では、先の製造方法と同様に、下地
層３からの貫通転位Ｍが引き継がれ貫通転位Ｍが発生す
る。一方、第１の選択成長層５ａのうちマスク部４ｄの
上方に位置する領域では、先の製造方法と同様に、横方
向への成長により下地層３からの貫通転位Ｍは遮断さ
れ、貫通転位Ｍは発生しない。
【００４９】第１の選択成長層５ａを形成したのち、図
４（ｂ）に示したように、その上に、先の製造方法と同
様にして、第２のマスク層４ｂを形成すると共に、複数
のマスク部４ｄと複数の開口部４ｃとをそれぞれ形成
し、洗浄する。
４（ｂ）に示したように、その上に、先の製造方法と同
様にして、第２のマスク層４ｂを形成すると共に、複数
のマスク部４ｄと複数の開口部４ｃとをそれぞれ形成
し、洗浄する。
【００５０】そののち、第２のマスク層４ｂの上に、第
１の選択成長層５ａと同様にして、第２の選択成長層５
ｂを横方向に選択的に成長させる。これにより例えば１
時間成長を行うと、図４（ｃ）に示したように、表面が
ほぼ平坦な第２の選択成長層５ｂが形成される。ここ
で、第２の選択成長層５ｂのうち第２のマスク層４ｂの
マスク部４ｄの上方に位置する領域では、先の製造方法
と同様に、第１のマスク層４ａの開口部４ｃを介して下
地層３から引き継がれた第１の選択成長層５ａの貫通転
位Ｍは遮断され、貫通転位Ｍは発生しない。また、第２
の選択成長層５ｂのうち開口部４ｂの上方に位置する領
域でも、先の製造方法と同様に、その下の第１の選択成
長層５の領域に貫通転位Ｍが存在していないので、貫通
転位Ｍは発生しない。すなわち、第２の選択成長層５ｂ
では全面において貫通転位Ｍが発生しない。ちなみに、
ここで示した条件により第１の選択成長層５ａおよび第
２の選択成長層５ｂをそれぞれ成長させる場合には、２
層合わせて約７μｍ程度の厚さで表面がほぼ平坦とな
る。
１の選択成長層５ａと同様にして、第２の選択成長層５
ｂを横方向に選択的に成長させる。これにより例えば１
時間成長を行うと、図４（ｃ）に示したように、表面が
ほぼ平坦な第２の選択成長層５ｂが形成される。ここ
で、第２の選択成長層５ｂのうち第２のマスク層４ｂの
マスク部４ｄの上方に位置する領域では、先の製造方法
と同様に、第１のマスク層４ａの開口部４ｃを介して下
地層３から引き継がれた第１の選択成長層５ａの貫通転
位Ｍは遮断され、貫通転位Ｍは発生しない。また、第２
の選択成長層５ｂのうち開口部４ｂの上方に位置する領
域でも、先の製造方法と同様に、その下の第１の選択成
長層５の領域に貫通転位Ｍが存在していないので、貫通
転位Ｍは発生しない。すなわち、第２の選択成長層５ｂ
では全面において貫通転位Ｍが発生しない。ちなみに、
ここで示した条件により第１の選択成長層５ａおよび第
２の選択成長層５ｂをそれぞれ成長させる場合には、２
層合わせて約７μｍ程度の厚さで表面がほぼ平坦とな
る。
【００５１】このようにして第２の選択成長層５ｂを形
成したのち、先の製造方法と同様にして、各半導体層、
すなわちｎ側コンタクト層６，ｎ型クラッド層７，第１
のガイド層８，活性層９，第２の活性層１０，ｐ型クラ
ッド層１２およびｐ側コンタクト層１３をそれぞれ成長
させる。そののち、先の製造方法と同様にして、絶縁層
１４，ｐ側電極１５およびｎ側電極１６を形成し、所定
の幅で劈開して反射鏡層を形成する。これにより、図１
に示した半導体発光素子が形成される。
成したのち、先の製造方法と同様にして、各半導体層、
すなわちｎ側コンタクト層６，ｎ型クラッド層７，第１
のガイド層８，活性層９，第２の活性層１０，ｐ型クラ
ッド層１２およびｐ側コンタクト層１３をそれぞれ成長
させる。そののち、先の製造方法と同様にして、絶縁層
１４，ｐ側電極１５およびｎ側電極１６を形成し、所定
の幅で劈開して反射鏡層を形成する。これにより、図１
に示した半導体発光素子が形成される。
【００５２】このようにして製造した半導体発光素子
は、次のように作用する。
は、次のように作用する。
【００５３】この半導体発光素子では、ｎ側電極１６と
ｐ側電極１５との間に所定の電圧が印加されると、活性
層９に電流が注入され、電子−正孔再結合により発光が
起こる。ここでは、基板１と半導体層（ｎ側コンタクト
層６，ｎ型クラッド層７，第１のガイド層８，活性層
９，劣化防止層１０，第２のガイド層１１，ｐ型クラッ
ド層１２およびｐ側コンタクト層１３）との間に、第１
のマスク層４ａおよび第２のマスク層４ｂと第１の選択
成長層５ａおよび第２の選択成長層５ｂを交互に備えて
いるので、これらにより積層方向に貫通転位Ｍが伝わる
のが遮断され、半導体層における貫通転位Ｍの密度が低
くなっている。よって、電圧の印加による劣化が起こり
にくく、使用による動作電圧の上昇が抑えられ、素子の
寿命が長くなる。
ｐ側電極１５との間に所定の電圧が印加されると、活性
層９に電流が注入され、電子−正孔再結合により発光が
起こる。ここでは、基板１と半導体層（ｎ側コンタクト
層６，ｎ型クラッド層７，第１のガイド層８，活性層
９，劣化防止層１０，第２のガイド層１１，ｐ型クラッ
ド層１２およびｐ側コンタクト層１３）との間に、第１
のマスク層４ａおよび第２のマスク層４ｂと第１の選択
成長層５ａおよび第２の選択成長層５ｂを交互に備えて
いるので、これらにより積層方向に貫通転位Ｍが伝わる
のが遮断され、半導体層における貫通転位Ｍの密度が低
くなっている。よって、電圧の印加による劣化が起こり
にくく、使用による動作電圧の上昇が抑えられ、素子の
寿命が長くなる。
【００５４】このように本実施の形態に係る半導体発光
素子によれば、第１のマスク層４ａおよび第２のマスク
層４ｂと第１の選択成長層５ａおよび第２の選択成長層
５ｂを交互に備えるようにしたので、第１の選択成長層
５ａおよび第２の選択成長層５ｂの厚さを薄くすること
ができると共に、全面において貫通転位Ｍの密度を低減
することができる。よって、サファイアよりなる基板１
との格子不整合による欠陥や反りの発生を防止すること
ができ、素子の品質を保持することができると共に、使
用による動作電圧の上昇を抑えることができ、素子の寿
命を延長させることができる。
素子によれば、第１のマスク層４ａおよび第２のマスク
層４ｂと第１の選択成長層５ａおよび第２の選択成長層
５ｂを交互に備えるようにしたので、第１の選択成長層
５ａおよび第２の選択成長層５ｂの厚さを薄くすること
ができると共に、全面において貫通転位Ｍの密度を低減
することができる。よって、サファイアよりなる基板１
との格子不整合による欠陥や反りの発生を防止すること
ができ、素子の品質を保持することができると共に、使
用による動作電圧の上昇を抑えることができ、素子の寿
命を延長させることができる。
【００５５】また、この半導体発光素子によれば、第１
のマスク層４ａの開口部４ｃを積層方向において第２の
マスク層４ｂのマスク部４ｄで完全に覆うようにしたの
で、下地層３から貫通転位Ｍが伝わることを有効に遮断
することができる。
のマスク層４ａの開口部４ｃを積層方向において第２の
マスク層４ｂのマスク部４ｄで完全に覆うようにしたの
で、下地層３から貫通転位Ｍが伝わることを有効に遮断
することができる。
【００５６】更に、本実施の形態に係る半導体発光素子
の製造方法によれば、第１のマスク層４ａおよび第２の
マスク層４ｂと第１の選択成長層５ａおよび第２の選択
成長層５ｂを交互に積層したのち、各半導体層（ｎ側コ
ンタクト層６，ｎ型クラッド層７，第１のガイド層８，
活性層９，第２の活性層１０，ｐ型クラッド層１２およ
びｐ側コンタクト層１３）をそれぞれ積層するようにし
たので、第１の選択成長層５ａおよび第２の選択成長層
５ｂの厚さを薄くすることができると共に、全面におい
て貫通転位Ｍの密度を低減することができる。よって、
成長時間を短縮することができ、製造効率を向上させる
ことができると共に、発光領域の形成位置が限定される
ことなく、製造における自由度が大きくなり、容易に本
発明の半導体発光素子を製造することができる。
の製造方法によれば、第１のマスク層４ａおよび第２の
マスク層４ｂと第１の選択成長層５ａおよび第２の選択
成長層５ｂを交互に積層したのち、各半導体層（ｎ側コ
ンタクト層６，ｎ型クラッド層７，第１のガイド層８，
活性層９，第２の活性層１０，ｐ型クラッド層１２およ
びｐ側コンタクト層１３）をそれぞれ積層するようにし
たので、第１の選択成長層５ａおよび第２の選択成長層
５ｂの厚さを薄くすることができると共に、全面におい
て貫通転位Ｍの密度を低減することができる。よって、
成長時間を短縮することができ、製造効率を向上させる
ことができると共に、発光領域の形成位置が限定される
ことなく、製造における自由度が大きくなり、容易に本
発明の半導体発光素子を製造することができる。
【００５７】加えて、第２の選択成長層５ｂをその上に
積層する半導体層と同一の方法（本実施の形態ではＭＯ
ＣＶＤ法）により形成すれば、それらを連続して成長さ
せることができ、不純物の混入を防止することができる
と共に、製造工程を簡素化することができる。
積層する半導体層と同一の方法（本実施の形態ではＭＯ
ＣＶＤ法）により形成すれば、それらを連続して成長さ
せることができ、不純物の混入を防止することができる
と共に、製造工程を簡素化することができる。
【００５８】（第２の実施の形態）図５は本発明の第２
の実施の形態に係る半導体発光素子を表すものである。
この第２の実施の形態は、基板１がｎ型不純物として例
えばケイ素を添加したｎ型の単結晶ＧａＮにより構成さ
れると共に、ｎ側電極１６が基板１の裏面に形成され、
かつ基板１の上に直接第１のマスク層４ａが形成され、
更に第２の選択成長層５ｂとｎ型クラッド層７との間に
下地層２１を備えたことを除き、第１の実施の形態と同
一の構成を有している。よって、ここでは、同一の構成
要素には同一の符号を付し、その詳細な説明を省略す
る。
の実施の形態に係る半導体発光素子を表すものである。
この第２の実施の形態は、基板１がｎ型不純物として例
えばケイ素を添加したｎ型の単結晶ＧａＮにより構成さ
れると共に、ｎ側電極１６が基板１の裏面に形成され、
かつ基板１の上に直接第１のマスク層４ａが形成され、
更に第２の選択成長層５ｂとｎ型クラッド層７との間に
下地層２１を備えたことを除き、第１の実施の形態と同
一の構成を有している。よって、ここでは、同一の構成
要素には同一の符号を付し、その詳細な説明を省略す
る。
【００５９】すなわち、この半導体発光素子は、基板１
を導電性の材料で構成し、ｎ側電極１６を基板１の裏面
に形成するようにしたものである。また、基板１をその
上に形成する半導体層と同様のＩＩＩ族ナイトライド化
合物半導体で構成し、基板１の上に直接第１のマスク層
４ａおよび第１の選択成長層５ａを積層できるようにな
っている。なお、選択成長層５は、第１の実施の形態と
は異なり導電性が必要なので、ｎ型不純物として例えば
ケイ素を添加したｎ型ＧａＮにより構成されている。ま
た、下地層２１は、例えば、ｎ型不純物としてケイ素を
添加したｎ型ＧａＮにより構成されている。
を導電性の材料で構成し、ｎ側電極１６を基板１の裏面
に形成するようにしたものである。また、基板１をその
上に形成する半導体層と同様のＩＩＩ族ナイトライド化
合物半導体で構成し、基板１の上に直接第１のマスク層
４ａおよび第１の選択成長層５ａを積層できるようにな
っている。なお、選択成長層５は、第１の実施の形態と
は異なり導電性が必要なので、ｎ型不純物として例えば
ケイ素を添加したｎ型ＧａＮにより構成されている。ま
た、下地層２１は、例えば、ｎ型不純物としてケイ素を
添加したｎ型ＧａＮにより構成されている。
【００６０】このような構成を有する半導体発光素子
は、第１の実施の形態と同様にして製造することができ
ると共に、第１の実施の形態と同様に作用し、第１の実
施の形態と同一の効果を有する。
は、第１の実施の形態と同様にして製造することができ
ると共に、第１の実施の形態と同様に作用し、第１の実
施の形態と同一の効果を有する。
【００６１】以上、各実施の形態を挙げて本発明を説明
したが、本発明は上記各実施の形態に限定されるもので
はなく、種々の変形が可能である。例えば、上記各実施
の形態においては、バッファ層２，下地層３，２１，選
択成長層５，ｎ側コンタクト層６，ｎ型クラッド層７，
第１のガイド層８，活性層９，劣化防止層１０，第２の
ガイド層１１，ｐ型クラッド層１２およびｐ側コンタク
ト層１３をそれぞれ構成する半導体について具体的な例
を挙げて説明したが、本発明は、他の適宜な半導体によ
り各層をそれぞれ構成する場合にも適用することができ
る。但し、本発明は、適宜なＩＩＩ族ナイトライド化合
物半導体（すなわち、ガリウム，アルミニウム，ホウ素
およびインジウムからなる群より選ばれた少なくとも１
種のＩＩＩ族元素と、窒素とを含むＩＩＩ族ナイトライ
ド化合物半導体）により各層をそれぞれ構成する場合に
おいて、特に有効である。
したが、本発明は上記各実施の形態に限定されるもので
はなく、種々の変形が可能である。例えば、上記各実施
の形態においては、バッファ層２，下地層３，２１，選
択成長層５，ｎ側コンタクト層６，ｎ型クラッド層７，
第１のガイド層８，活性層９，劣化防止層１０，第２の
ガイド層１１，ｐ型クラッド層１２およびｐ側コンタク
ト層１３をそれぞれ構成する半導体について具体的な例
を挙げて説明したが、本発明は、他の適宜な半導体によ
り各層をそれぞれ構成する場合にも適用することができ
る。但し、本発明は、適宜なＩＩＩ族ナイトライド化合
物半導体（すなわち、ガリウム，アルミニウム，ホウ素
およびインジウムからなる群より選ばれた少なくとも１
種のＩＩＩ族元素と、窒素とを含むＩＩＩ族ナイトライ
ド化合物半導体）により各層をそれぞれ構成する場合に
おいて、特に有効である。
【００６２】また、上記各実施の形態においては、２層
のマスク層（第１のマスク層４ａおよび第２のマスク層
４ｂ）を備えた場合について具体的に説明したが、３以
上のマスク層を備える場合にも同様に構成することがで
き、同様にして製造することができる。但しその場合、
上記各実施の形態においては、第１のマスク層４ａの開
口部４ｃを積層方向から見て第２のマスク層４ｂのマス
ク部４ｄにより完全に覆うようにしたが、複数のマスク
層のマスク部により完全に覆うようにしてもよい。すな
わち、少なくとも１層のマスク層は、他の少なくとも１
層のマスク層と開口部の形成位置が異なっており、開口
部が積層方向から見て他の少なくとも１層のマスク層の
マスク部により完全に覆われるようになっていればよ
い。
のマスク層（第１のマスク層４ａおよび第２のマスク層
４ｂ）を備えた場合について具体的に説明したが、３以
上のマスク層を備える場合にも同様に構成することがで
き、同様にして製造することができる。但しその場合、
上記各実施の形態においては、第１のマスク層４ａの開
口部４ｃを積層方向から見て第２のマスク層４ｂのマス
ク部４ｄにより完全に覆うようにしたが、複数のマスク
層のマスク部により完全に覆うようにしてもよい。すな
わち、少なくとも１層のマスク層は、他の少なくとも１
層のマスク層と開口部の形成位置が異なっており、開口
部が積層方向から見て他の少なくとも１層のマスク層の
マスク部により完全に覆われるようになっていればよ
い。
【００６３】更に、上記各実施の形態においては、第１
のマスク層４ａおよび第２のマスク層４ｂに帯状の開口
部４ｃとマスク部４ｄをそれぞれ設けるようにしたが、
開口部４ｃおよびマスク部４ｄの形状はどのようなもの
でもよく、少なくとも１層のマスク層の開口部が積層方
向から見て他の少なくとも１層のマスク層のマスク部に
より完全に覆われればよい。
のマスク層４ａおよび第２のマスク層４ｂに帯状の開口
部４ｃとマスク部４ｄをそれぞれ設けるようにしたが、
開口部４ｃおよびマスク部４ｄの形状はどのようなもの
でもよく、少なくとも１層のマスク層の開口部が積層方
向から見て他の少なくとも１層のマスク層のマスク部に
より完全に覆われればよい。
【００６４】加えて、上記各実施の形態においては、第
１のマスク層４ａおよび第２のマスク層４ｂを誘電体に
より構成するようにしたが、第１の選択成長層５ａおよ
び第１の選択成長層５ｂが積層方向に成長することを阻
止できるものであればその他の材料により構成するよう
にしても良い。
１のマスク層４ａおよび第２のマスク層４ｂを誘電体に
より構成するようにしたが、第１の選択成長層５ａおよ
び第１の選択成長層５ｂが積層方向に成長することを阻
止できるものであればその他の材料により構成するよう
にしても良い。
【００６５】更にまた、上記第１の実施の形態において
は、第１のマスク層４ａおよび第１の選択成長層５ａを
下地層３の上にそれぞれ形成するようにしたが、バッフ
ァ層２の上にそれぞれ形成するようにしてもよい。
は、第１のマスク層４ａおよび第１の選択成長層５ａを
下地層３の上にそれぞれ形成するようにしたが、バッフ
ァ層２の上にそれぞれ形成するようにしてもよい。
【００６６】加えてまた、上記各実施の形態において
は、活性層９を第１のガイド層８と第２のガイド層２２
とで挟み、更にそれをｎ型クラッド層７とｐ型クラッド
層１２とで挟んだ半導体発光素子について説明したが、
本発明は、活性層をガイド層を挿入せずにクラッド層で
挟んだものなど種々の構造を有する半導体発光素子に対
して適用することができる。
は、活性層９を第１のガイド層８と第２のガイド層２２
とで挟み、更にそれをｎ型クラッド層７とｐ型クラッド
層１２とで挟んだ半導体発光素子について説明したが、
本発明は、活性層をガイド層を挿入せずにクラッド層で
挟んだものなど種々の構造を有する半導体発光素子に対
して適用することができる。
【００６７】更にまた、上記各実施の形態においては、
半導体発光素子として半導体レーザを具体的に挙げて説
明したが、本発明は、ＬＥＤなどのその他の半導体発光
素子についても適用することができる。また、上記各実
施の形態においては、半導体発光素子についてのみ説明
したが、本発明は、ＦＥＴ（Field Effect Transistor
；電界効果トランジスタ）などのその他の半導体素子
についても適用することができる。
半導体発光素子として半導体レーザを具体的に挙げて説
明したが、本発明は、ＬＥＤなどのその他の半導体発光
素子についても適用することができる。また、上記各実
施の形態においては、半導体発光素子についてのみ説明
したが、本発明は、ＦＥＴ（Field Effect Transistor
；電界効果トランジスタ）などのその他の半導体素子
についても適用することができる。
【００６８】加えてまた、上記各実施の形態において
は、第１の選択成長層５ａおよび第２の選択成長層５ｂ
をＭＯＣＶＤ法やハライド気相成長法により成長させる
場合について説明したが、分子線エピタキシー（Molecu
lar Beam Epitaxy；ＭＢＥ）法などの他の気相成長法に
より成長させるせるようにしてもよい。また、上記各実
施の形態においては、バッファ層２，下地層３，２１，
ｎ側コンタクト層６，ｎ型クラッド層７，第１のガイド
層８，活性層９，劣化防止層１０，第２のガイド層１
１，ｐ型クラッド層１２およびｐ側コンタクト層１３を
ＭＯＣＶＤ法によりそれぞれ形成する場合について説明
したが、ＭＢＥ法やハライド法などの他の気相成長法に
より形成するようにしてもよい。
は、第１の選択成長層５ａおよび第２の選択成長層５ｂ
をＭＯＣＶＤ法やハライド気相成長法により成長させる
場合について説明したが、分子線エピタキシー（Molecu
lar Beam Epitaxy；ＭＢＥ）法などの他の気相成長法に
より成長させるせるようにしてもよい。また、上記各実
施の形態においては、バッファ層２，下地層３，２１，
ｎ側コンタクト層６，ｎ型クラッド層７，第１のガイド
層８，活性層９，劣化防止層１０，第２のガイド層１
１，ｐ型クラッド層１２およびｐ側コンタクト層１３を
ＭＯＣＶＤ法によりそれぞれ形成する場合について説明
したが、ＭＢＥ法やハライド法などの他の気相成長法に
より形成するようにしてもよい。
【００６９】更にまた、上記各実施の形態においては、
第１の選択成長層５ａおよび第２の選択成長層５ｂを成
長させる際の条件について具体的な例を挙げて説明した
が、その他種々の条件により成長させるようにしてもよ
い。例えば、ハライド気相成長法により成長させる場合
にも、上記第１の実施の形態とは異なった条件とするこ
とにより、上記第２の実施の形態において示したように
表面が比較的平坦な第２の選択成長層５ｂを成長させる
ことができる。なお、このように比較的平坦な表面を有
する第２の選択成長層５ｂを成長させれば、その上にマ
スク層４ａ，４ｂを容易に形成することができるので好
ましい。
第１の選択成長層５ａおよび第２の選択成長層５ｂを成
長させる際の条件について具体的な例を挙げて説明した
が、その他種々の条件により成長させるようにしてもよ
い。例えば、ハライド気相成長法により成長させる場合
にも、上記第１の実施の形態とは異なった条件とするこ
とにより、上記第２の実施の形態において示したように
表面が比較的平坦な第２の選択成長層５ｂを成長させる
ことができる。なお、このように比較的平坦な表面を有
する第２の選択成長層５ｂを成長させれば、その上にマ
スク層４ａ，４ｂを容易に形成することができるので好
ましい。
【００７０】
【発明の効果】以上説明したように請求項１乃至１０の
いずれか１に記載の半導体素子によれば、マスク層と選
択成長層とをそれぞれ２層以上交互に備えるようにした
ので、選択成長層の厚さを薄くすることができると共
に、全面において貫通転位の密度を低減することができ
る。よって、例えばサファイアよりなる基板との格子不
整合による欠陥や反りの発生を防止することができ、素
子の品質を保持することができると共に、貫通転位の減
少による素子の品質向上も図ることができるという効果
を奏する。
いずれか１に記載の半導体素子によれば、マスク層と選
択成長層とをそれぞれ２層以上交互に備えるようにした
ので、選択成長層の厚さを薄くすることができると共
に、全面において貫通転位の密度を低減することができ
る。よって、例えばサファイアよりなる基板との格子不
整合による欠陥や反りの発生を防止することができ、素
子の品質を保持することができると共に、貫通転位の減
少による素子の品質向上も図ることができるという効果
を奏する。
【００７１】また、請求項１１乃至２１のいずれか１に
記載の半導体素子の製造方法によれば、マスク層と選択
成長層とをそれぞれ２層以上交互に積層したのち、半導
体層を積層するようにしたので、選択成長層の厚さを薄
くすることができると共に、全面において貫通転位の密
度を低減することができる。よって、成長時間を短縮す
ることができ、製造効率を向上させることができると共
に、製造における自由度が大きくなり、容易に本発明の
半導体素子を製造することができるという効果を奏す
る。
記載の半導体素子の製造方法によれば、マスク層と選択
成長層とをそれぞれ２層以上交互に積層したのち、半導
体層を積層するようにしたので、選択成長層の厚さを薄
くすることができると共に、全面において貫通転位の密
度を低減することができる。よって、成長時間を短縮す
ることができ、製造効率を向上させることができると共
に、製造における自由度が大きくなり、容易に本発明の
半導体素子を製造することができるという効果を奏す
る。
【００７２】更に、請求項２２乃至３１のいずれか１に
記載の半導体発光素子によれば、本発明の半導体素子と
同一の構成を備えるようにしたので、本発明の半導体素
子と同様に、選択成長層の厚さを薄くすることができる
と共に、全面において貫通転位の密度を低減することが
できる。よって、例えばサファイアよりなる基板との格
子不整合による欠陥や反りの発生を防止することがで
き、素子の品質を保持することができると共に、使用に
よる動作電圧の上昇を抑えることができ、素子の寿命を
延長させることができるという効果を奏する。
記載の半導体発光素子によれば、本発明の半導体素子と
同一の構成を備えるようにしたので、本発明の半導体素
子と同様に、選択成長層の厚さを薄くすることができる
と共に、全面において貫通転位の密度を低減することが
できる。よって、例えばサファイアよりなる基板との格
子不整合による欠陥や反りの発生を防止することがで
き、素子の品質を保持することができると共に、使用に
よる動作電圧の上昇を抑えることができ、素子の寿命を
延長させることができるという効果を奏する。
【図１】本発明の第１の実施の形態に係る半導体発光素
子の構成を表す断面図である。
子の構成を表す断面図である。
【図２】図１に示した半導体発光素子の一部を拡大して
表す断面図である。
表す断面図である。
【図３】図１に示した半導体発光素子の製造工程を表す
断面図である。
断面図である。
【図４】図１に示した半導体発光素子の他の製造工程を
表す断面図である。
表す断面図である。
【図５】本発明の第２の実施の形態に係る半導体発光素
子の構成を表す断面図である。
子の構成を表す断面図である。
１…基板、２…バッファ層、３，２１…下地層、４ａ…
第１のマスク層、４ｂ…第２のマスク層、４ｃ…開口
部、４ｄ…マスク部、５ａ…第１の選択成長層、５ｂ…
第２の選択成長層、６…ｎ側コンタクト層、７…ｎ型ク
ラッド層（第１導電型クラッド層）、８…第１のガイド
層、９…活性層、１０…劣化防止層、１１…第２のガイ
ド層、１２…ｐ型クラッド層（第２導電型クラッド
層）、１３…ｐ側コンタクト層、１４…絶縁層、１５…
ｐ側電極、１６…ｎ側電極、Ｍ…貫通転位、Ｌ１…マス
ク幅、Ｌ２…ピッチ幅、Ｌ３…開口幅
第１のマスク層、４ｂ…第２のマスク層、４ｃ…開口
部、４ｄ…マスク部、５ａ…第１の選択成長層、５ｂ…
第２の選択成長層、６…ｎ側コンタクト層、７…ｎ型ク
ラッド層（第１導電型クラッド層）、８…第１のガイド
層、９…活性層、１０…劣化防止層、１１…第２のガイ
ド層、１２…ｐ型クラッド層（第２導電型クラッド
層）、１３…ｐ側コンタクト層、１４…絶縁層、１５…
ｐ側電極、１６…ｎ側電極、Ｍ…貫通転位、Ｌ１…マス
ク幅、Ｌ２…ピッチ幅、Ｌ３…開口幅
Claims (31)
- 【請求項１】 開口部が形成されたマスク層と、このマ
スク層を介して選択的に成長された半導体よりなる選択
成長層とを、それぞれ２層以上交互に備えたことを特徴
とする半導体素子。 - 【請求項２】 前記複数のマスク層のうちの少なくとも
１層は、他の少なくとも１層と開口部の形成位置が異な
っており、積層方向から見て開口部が他の少なくとも１
層のマスク部により完全に覆われていることを特徴とす
る請求項１記載の半導体素子。 - 【請求項３】 前記マスク層は誘電体よりなることを特
徴とする請求項１記載の半導体素子。 - 【請求項４】 前記マスク層は二酸化ケイ素もしくは窒
化ケイ素もしくは酸化アルミニウムよりなることを特徴
とする請求項３記載の半導体素子。 - 【請求項５】 基板の上に前記マスク層と前記選択成長
層とを介して積層された半導体層を備えると共に、この
半導体層は、ガリウム（Ｇａ），アルミニウム（Ａ
ｌ），ホウ素（Ｂ）およびインジウム（Ｉｎ）からなる
群のうちの少なくとも１種のＩＩＩ族元素と窒素（Ｎ）
とを含むＩＩＩ族ナイトライド化合物半導体よりなるこ
とを特徴とする請求項１記載の半導体素子。 - 【請求項６】 前記選択成長層はガリウムと窒素とを含
むＩＩＩ族ナイトライド化合物半導体よりなることを特
徴とする請求項５記載の半導体素子。 - 【請求項７】 前記基板はサファイアよりなることを特
徴とする請求項５記載の半導体素子。 - 【請求項８】 前記マスク層は前記基板の上にバッファ
層を介して形成されたことを特徴とする請求項７記載の
半導体素子。 - 【請求項９】 前記基板は単結晶のガリウムナイトライ
ドよりなることを特徴とする請求項５記載の半導体素
子。 - 【請求項１０】 前記マスク層は前記基板の上に直接形
成されたことを特徴とする請求項９記載の半導体素子。 - 【請求項１１】 基板の上に、開口部を有するマスク層
と、このマスク層を介して選択的に成長させた半導体よ
りなる選択成長層とを、それぞれ２層以上交互に積層す
る工程と、 マスク層と選択成長層とをそれぞれ２層以上積層したの
ち、その上に半導体層を積層する工程とを含むことを特
徴とする半導体素子の製造方法。 - 【請求項１２】 マスク層の形成においては、複数のマ
スク層のうちの少なくとも１層について、開口部を他の
少なくとも１層と異なった位置に形成し、その開口部を
積層方向から見て他の少なくとも１層のマスク部により
完全に覆うことを特徴とする請求項１１記載の半導体素
子の製造方法。 - 【請求項１３】 マスク層を誘電体により形成すること
を特徴とする請求項１１記載の半導体素子の製造方法。 - 【請求項１４】 マスク層を二酸化ケイ素もしくは窒化
ケイ素もしくは酸化アルミニウムにより形成することを
特徴とする請求項１３記載の半導体素子の製造方法。 - 【請求項１５】 半導体層を、ガリウム（Ｇａ），アル
ミニウム（Ａｌ），ホウ素（Ｂ）およびインジウム（Ｉ
ｎ）からなる群のうちの少なくとも１種のＩＩＩ族元素
と窒素（Ｎ）とを含むＩＩＩ族ナイトライド化合物半導
体により形成することを特徴とする請求項１１記載の半
導体素子の製造方法。 - 【請求項１６】 選択成長層を、ガリウムと窒素とを含
むＩＩＩ族ナイトライド化合物半導体により形成するこ
とを特徴とする請求項１５記載の半導体素子の製造方
法。 - 【請求項１７】 選択成長層を、気相成長法により成長
させることを特徴とする請求項１１記載の半導体素子の
製造方法。 - 【請求項１８】 基板にはサファイアを用いることを特
徴とする請求項１１記載の半導体素子の製造方法。 - 【請求項１９】 基板の上にバッファ層を介してマスク
層を形成することを特徴とする請求項１８記載の半導体
素子の製造方法。 - 【請求項２０】 基板には単結晶のガリウムナイトライ
ドを用いることを特徴とする請求項１１記載の半導体素
子の製造方法。 - 【請求項２１】 基板の上にマスク層を直接形成するこ
とを特徴とする請求項２０記載の半導体素子の製造方
法。 - 【請求項２２】 基板の上に、半導体よりそれぞれなる
第１導電型クラッド層，活性層および第２導電型クラッ
ド層が少なくとも順次積層された半導体発光素子であっ
て、 基板と第１導電型クラッド層との間に、開口部が形成さ
れたマスク層と、このマスク層を介して選択的に成長さ
れた半導体よりなる選択成長層とを、それぞれ２層以上
交互に備えたことを特徴とする半導体発光素子。 - 【請求項２３】 複数の前記マスク層のうちの少なくと
も１層は、他の少なくとも１層と開口部の形成位置が異
なっており、積層方向から見て開口部が他の少なくとも
１層のマスク部により完全に覆われていることを特徴と
する請求項２２記載の半導体発光素子。 - 【請求項２４】 前記マスク層は誘電体よりなることを
特徴とする請求項２２記載の半導体発光素子。 - 【請求項２５】 前記マスク層は二酸化ケイ素もしくは
窒化ケイ素もしくは酸化アルミニウムよりなることを特
徴とする請求項２４記載の半導体発光素子。 - 【請求項２６】 前記半導体層は、ガリウム（Ｇａ），
アルミニウム（Ａｌ），ホウ素（Ｂ）およびインジウム
（Ｉｎ）からなる群のうちの少なくとも１種のＩＩＩ族
元素と窒素（Ｎ）とを含むＩＩＩ族ナイトライド化合物
半導体よりなることを特徴とする請求項２２記載の半導
体発光素子。 - 【請求項２７】 前記選択成長層はガリウムと窒素とを
含むＩＩＩ族ナイトライド化合物半導体よりなることを
特徴とする請求項２６記載の半導体発光素子。 - 【請求項２８】 前記基板はサファイアよりなることを
特徴とする請求項２２記載の半導体発光素子。 - 【請求項２９】 前記マスク層は前記基板の上にバッフ
ァ層を介して形成されたことを特徴とする請求項２８記
載の半導体発光素子。 - 【請求項３０】 前記基板は単結晶のガリウムナイトラ
イドよりなることを特徴とする請求項２２記載の半導体
発光素子。 - 【請求項３１】 前記マスク層は前記基板の上に直接形
成されたことを特徴とする請求項３０記載の半導体発光
素子。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29303697A JP3925753B2 (ja) | 1997-10-24 | 1997-10-24 | 半導体素子およびその製造方法ならびに半導体発光素子 |
| US09/176,270 US6111277A (en) | 1997-10-24 | 1998-10-21 | Semiconductor device as well as light emitting semiconductor device |
| KR1019980044502A KR100588439B1 (ko) | 1997-10-24 | 1998-10-23 | 반도체 소자 및 그 제조 방법과, 반도체 발광 소자 |
| US09/553,519 US6312967B1 (en) | 1997-10-24 | 2000-04-20 | Semiconductor device and manufacture method thereof, as well as light emitting semiconductor device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29303697A JP3925753B2 (ja) | 1997-10-24 | 1997-10-24 | 半導体素子およびその製造方法ならびに半導体発光素子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11126948A true JPH11126948A (ja) | 1999-05-11 |
| JP3925753B2 JP3925753B2 (ja) | 2007-06-06 |
Family
ID=17789670
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP29303697A Expired - Fee Related JP3925753B2 (ja) | 1997-10-24 | 1997-10-24 | 半導体素子およびその製造方法ならびに半導体発光素子 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (2) | US6111277A (ja) |
| JP (1) | JP3925753B2 (ja) |
| KR (1) | KR100588439B1 (ja) |
Cited By (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH11214744A (ja) * | 1998-01-27 | 1999-08-06 | Nichia Chem Ind Ltd | 窒化物半導体発光素子 |
| JP2001158698A (ja) * | 1999-12-01 | 2001-06-12 | Sony Corp | 窒化物系ｉｉｉ−ｖ族化合物の結晶製造方法、窒化物系ｉｉｉ−ｖ族化合物結晶基板、窒化物系ｉｉｉ−ｖ族化合物膜およびデバイスの製造方法 |
| JP2002505519A (ja) * | 1998-02-27 | 2002-02-19 | ノース・キャロライナ・ステイト・ユニヴァーシティ | マスクを通過する横方向のオーバーグロースによる窒化ガリウム半導体層を製造する方法及びそれによって製造された窒化ガリウム半導体の構造体 |
| JP2004006886A (ja) * | 1997-11-26 | 2004-01-08 | Nichia Chem Ind Ltd | 窒化物半導体の成長方法及び窒化物半導体素子 |
| KR100425680B1 (ko) * | 2001-07-12 | 2004-04-03 | 엘지전자 주식회사 | 질화물 반도체 박막 형성방법 |
| KR100437775B1 (ko) * | 2001-10-11 | 2004-06-30 | 엘지전자 주식회사 | 질화물 반도체 기판 제조방법 |
| JP2004311986A (ja) * | 2003-03-25 | 2004-11-04 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体装置及びその製造方法 |
| KR100464296B1 (ko) * | 1998-02-05 | 2005-03-08 | 삼성전자주식회사 | 단결정 박막 성장 방법 |
| JP2006114548A (ja) * | 2004-10-12 | 2006-04-27 | ▲さん▼圓光電股▲ふん▼有限公司 | 窒化ガリウム系ダイオード装置のバッファ層構造 |
| US7244308B2 (en) | 1999-12-03 | 2007-07-17 | Sony Corporation | Method of manufacturing crystal of III-V compound of the nitride system, crystal substrate of III-V compound of the nitride system, crystal film of III-V compound of the nitride system, and method of manufacturing device |
| WO2007125914A1 (ja) * | 2006-04-28 | 2007-11-08 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | 窒化ガリウム結晶を作製する方法および窒化ガリウムウエハ |
| WO2014035021A1 (en) * | 2012-08-29 | 2014-03-06 | Lg Electronics Inc. | Non-polar substrate having hetero-structure, method for manufacturing the same, and nitride-based light emitting device using the same |
Families Citing this family (71)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3283802B2 (ja) * | 1997-09-29 | 2002-05-20 | 日本電気株式会社 | 選択成長法を用いた半導体層及びその成長方法、選択成長法を用いた窒化物系半導体層及びその成長方法、窒化物系半導体発光素子とその製造方法 |
| JP3201475B2 (ja) * | 1998-09-14 | 2001-08-20 | 松下電器産業株式会社 | 半導体装置およびその製造方法 |
| JP3470623B2 (ja) * | 1998-11-26 | 2003-11-25 | ソニー株式会社 | 窒化物系ｉｉｉ−ｖ族化合物半導体の成長方法、半導体装置の製造方法および半導体装置 |
| KR100304664B1 (ko) * | 1999-02-05 | 2001-09-26 | 윤종용 | ＧａＮ막 제조 방법 |
| JP3594826B2 (ja) * | 1999-02-09 | 2004-12-02 | パイオニア株式会社 | 窒化物半導体発光素子及びその製造方法 |
| TW449937B (en) * | 1999-02-26 | 2001-08-11 | Matsushita Electronics Corp | Semiconductor device and the manufacturing method thereof |
| JP3656456B2 (ja) * | 1999-04-21 | 2005-06-08 | 日亜化学工業株式会社 | 窒化物半導体素子 |
| JP4523097B2 (ja) * | 1999-11-30 | 2010-08-11 | 豊田合成株式会社 | Ｉｉｉ族窒化物系化合物半導体レーザダイオード |
| JP2001176805A (ja) * | 1999-12-16 | 2001-06-29 | Sony Corp | 窒化物系ｉｉｉ−ｖ族化合物の結晶製造方法、窒化物系ｉｉｉ−ｖ族化合物結晶基板、窒化物系ｉｉｉ−ｖ族化合物結晶膜およびデバイスの製造方法 |
| JP3623713B2 (ja) * | 2000-03-24 | 2005-02-23 | 日本電気株式会社 | 窒化物半導体発光素子 |
| TW518767B (en) * | 2000-03-31 | 2003-01-21 | Toyoda Gosei Kk | Production method of III nitride compound semiconductor and III nitride compound semiconductor element |
| US7304325B2 (en) * | 2000-05-01 | 2007-12-04 | Toyoda Gosei Co., Ltd. | Group III nitride compound semiconductor light-emitting device |
| US6469320B2 (en) * | 2000-05-25 | 2002-10-22 | Rohm, Co., Ltd. | Semiconductor light emitting device |
| JP3882539B2 (ja) * | 2000-07-18 | 2007-02-21 | ソニー株式会社 | 半導体発光素子およびその製造方法、並びに画像表示装置 |
| JP2002190635A (ja) * | 2000-12-20 | 2002-07-05 | Sharp Corp | 半導体レーザ素子およびその製造方法 |
| US6992394B2 (en) * | 2000-12-28 | 2006-01-31 | Infineon Technologies Ag | Multi-level conductive lines with reduced pitch |
| JP3988018B2 (ja) * | 2001-01-18 | 2007-10-10 | ソニー株式会社 | 結晶膜、結晶基板および半導体装置 |
| WO2002065556A1 (fr) * | 2001-02-15 | 2002-08-22 | Sharp Kabushiki Kaisha | Element de source lumineuse a semi-conducteur a base de nitrure et son procede de realisation |
| JP2002270516A (ja) * | 2001-03-07 | 2002-09-20 | Nec Corp | Ｉｉｉ族窒化物半導体の成長方法、ｉｉｉ族窒化物半導体膜およびそれを用いた半導体素子 |
| JP3909811B2 (ja) * | 2001-06-12 | 2007-04-25 | パイオニア株式会社 | 窒化物半導体素子及びその製造方法 |
| GB2376563A (en) * | 2001-06-13 | 2002-12-18 | Sharp Kk | A method of growing a magnesium-doped nitride semiconductor material |
| WO2003038957A1 (en) * | 2001-10-29 | 2003-05-08 | Sharp Kabushiki Kaisha | Nitride semiconductor device, its manufacturing method, and semiconductor optical apparatus |
| JP3912117B2 (ja) | 2002-01-17 | 2007-05-09 | ソニー株式会社 | 結晶成長方法、半導体発光素子及びその製造方法 |
| JP2003282478A (ja) * | 2002-01-17 | 2003-10-03 | Sony Corp | 合金化方法及び配線形成方法、表示素子の形成方法、画像表示装置の製造方法 |
| JP2003218034A (ja) * | 2002-01-17 | 2003-07-31 | Sony Corp | 選択成長方法、半導体発光素子及びその製造方法 |
| JP3899936B2 (ja) * | 2002-01-18 | 2007-03-28 | ソニー株式会社 | 半導体発光素子及びその製造方法 |
| JP3815335B2 (ja) * | 2002-01-18 | 2006-08-30 | ソニー株式会社 | 半導体発光素子及びその製造方法 |
| JP2003218395A (ja) * | 2002-01-18 | 2003-07-31 | Sony Corp | 半導体発光素子、半導体レーザ素子及びこれを用いた発光装置 |
| WO2003077391A1 (fr) * | 2002-03-08 | 2003-09-18 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Laser a semi-conducteur et procede de fabrication de ce laser |
| US6791120B2 (en) * | 2002-03-26 | 2004-09-14 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Nitride-based semiconductor device and method of fabricating the same |
| JP4443097B2 (ja) * | 2002-06-20 | 2010-03-31 | ソニー株式会社 | ＧａＮ系半導体素子の作製方法 |
| US6699760B2 (en) * | 2002-06-25 | 2004-03-02 | Lucent Technologies, Inc. | Method for growing layers of group III-nitride semiconductor having electrically passivated threading defects |
| KR100494557B1 (ko) * | 2002-09-05 | 2005-06-13 | 한국전자통신연구원 | 고굴절률 덮개층을 가지는 고효율 발광소자 |
| US6815241B2 (en) | 2002-09-25 | 2004-11-09 | Cao Group, Inc. | GaN structures having low dislocation density and methods of manufacture |
| US7071494B2 (en) * | 2002-12-11 | 2006-07-04 | Lumileds Lighting U.S. Llc | Light emitting device with enhanced optical scattering |
| US7372077B2 (en) * | 2003-02-07 | 2008-05-13 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Semiconductor device |
| JP3966207B2 (ja) * | 2003-03-28 | 2007-08-29 | 豊田合成株式会社 | 半導体結晶の製造方法及び半導体発光素子 |
| JP2005252541A (ja) * | 2004-03-03 | 2005-09-15 | Fuji Photo Film Co Ltd | 印刷制御装置及びプリンタ |
| US7445673B2 (en) * | 2004-05-18 | 2008-11-04 | Lumilog | Manufacturing gallium nitride substrates by lateral overgrowth through masks and devices fabricated thereof |
| DE102005005635A1 (de) * | 2004-08-31 | 2006-03-02 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Strahlungsemittierendes optoelektronisches Bauelement mit einer Quantentopfstruktur und Verfahren zu dessen Herstellung |
| US6979835B1 (en) * | 2004-09-11 | 2005-12-27 | Formosa Epitaxy Incorporation | Gallium-nitride based light-emitting diode epitaxial structure |
| US7288423B2 (en) * | 2005-01-07 | 2007-10-30 | Stc.Unm | In-situ mask removal in selective area epitaxy using metal organic chemical vapor deposition |
| KR100638869B1 (ko) * | 2005-06-21 | 2006-10-27 | 삼성전기주식회사 | 질화물계 화합물층을 형성하는 방법 및 이를 이용한 ＧａＮ기판 및 수직구조 질화물계 반도체 발광소자를 제조하는방법 |
| TW200735418A (en) * | 2005-11-22 | 2007-09-16 | Rohm Co Ltd | Nitride semiconductor device |
| WO2008141324A2 (en) * | 2007-05-14 | 2008-11-20 | S.O.I.Tec Silicon On Insulator Technologies | Methods for improving the quality of epitaxially-grown semiconductor materials |
| KR100936002B1 (ko) * | 2007-12-11 | 2010-01-08 | 삼성전기주식회사 | 발광소자용 반도체 기판 및 그 제조 방법 |
| KR101020961B1 (ko) | 2008-05-02 | 2011-03-09 | 엘지이노텍 주식회사 | 반도체 발광소자 및 그 제조방법 |
| US8803189B2 (en) * | 2008-08-11 | 2014-08-12 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | III-V compound semiconductor epitaxy using lateral overgrowth |
| CN101853808B (zh) | 2008-08-11 | 2014-01-29 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 形成电路结构的方法 |
| KR20100030472A (ko) * | 2008-09-10 | 2010-03-18 | 삼성전자주식회사 | 발광 소자 및 발광 장치의 제조 방법, 상기 방법을 이용하여 제조한 발광 소자 및 발광 장치 |
| US7928468B2 (en) * | 2008-12-31 | 2011-04-19 | Intel Corporation | Buffer structure for semiconductor device and methods of fabrication |
| TW201029073A (en) * | 2009-01-21 | 2010-08-01 | Univ Nat Chunghsing | Epitaxial wafer with low surface defect density |
| KR101064082B1 (ko) * | 2009-01-21 | 2011-09-08 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광 소자 |
| US8375349B2 (en) | 2009-09-02 | 2013-02-12 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Method for constant power density scaling |
| US8759203B2 (en) | 2009-11-17 | 2014-06-24 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Growing III-V compound semiconductors from trenches filled with intermediate layers |
| US9093395B2 (en) * | 2011-09-02 | 2015-07-28 | Avogy, Inc. | Method and system for local control of defect density in gallium nitride based electronics |
| CN102332508A (zh) * | 2011-09-09 | 2012-01-25 | 王楚雯 | 半导体结构及其形成方法 |
| US9806228B2 (en) | 2011-10-10 | 2017-10-31 | Sensor Electronic Technology, Inc. | Patterned layer design for group III nitride layer growth |
| US9105792B2 (en) | 2011-10-10 | 2015-08-11 | Sensor Electronic Technology, Inc. | Patterned layer design for group III nitride layer growth |
| US10622515B2 (en) | 2011-10-10 | 2020-04-14 | Sensor Electronic Technology, Inc. | Patterned layer design for group III nitride layer growth |
| US9691939B2 (en) | 2011-10-10 | 2017-06-27 | Sensor Electronic Technology, Inc. | Patterned layer design for group III nitride layer growth |
| US10153396B2 (en) | 2011-10-10 | 2018-12-11 | Sensor Electronic Technology, Inc. | Patterned layer design for group III nitride layer growth |
| US9000414B2 (en) * | 2012-11-16 | 2015-04-07 | Korea Photonics Technology Institute | Light emitting diode having heterogeneous protrusion structures |
| JP5296255B1 (ja) * | 2012-11-21 | 2013-09-25 | 株式会社東芝 | 窒化物半導体素子、窒化物半導体ウェーハ及び窒化物半導体層の形成方法 |
| US20140158976A1 (en) * | 2012-12-06 | 2014-06-12 | Sansaptak DASGUPTA | Iii-n semiconductor-on-silicon structures and techniques |
| US9178109B2 (en) | 2013-02-17 | 2015-11-03 | Tien Yang Wang | Semiconductor light-emitting device and method of manufacturing the same |
| JP5957771B2 (ja) * | 2013-10-11 | 2016-07-27 | パナソニックＩｐマネジメント株式会社 | 窒化物半導体積層構造、半導体発光素子および窒化物半導体積層構造を製造する方法 |
| TWI577041B (zh) * | 2014-10-02 | 2017-04-01 | 錼創科技股份有限公司 | 磊晶結構 |
| US9362368B2 (en) * | 2014-10-31 | 2016-06-07 | Seiko Epson Corporation | Substrate with silicon carbide film, method for producing substrate with silicon carbide film, and semiconductor device |
| CN105428481B (zh) * | 2015-12-14 | 2018-03-16 | 厦门市三安光电科技有限公司 | 氮化物底层及其制作方法 |
| KR102430501B1 (ko) * | 2015-12-29 | 2022-08-09 | 삼성전자주식회사 | 반도체 단결정구조, 반도체 디바이스 및 그 제조방법 |
Family Cites Families (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3962716A (en) * | 1973-11-12 | 1976-06-08 | Bell Telephone Laboratories, Incorporated | Reduction of dislocations in multilayer structures of zinc-blend materials |
| GB8711373D0 (en) * | 1987-05-14 | 1987-06-17 | Secr Defence | Electroluminescent silicon device |
| US5768182A (en) * | 1991-05-21 | 1998-06-16 | The Regents Of The University Of California | Ferroelectric nonvolatile dynamic random access memory device |
| US5838029A (en) * | 1994-08-22 | 1998-11-17 | Rohm Co., Ltd. | GaN-type light emitting device formed on a silicon substrate |
| US5861636A (en) * | 1995-04-11 | 1999-01-19 | Nec Corporation | Surface emitting visible light emiting diode having ring-shaped electrode |
| US5798537A (en) * | 1995-08-31 | 1998-08-25 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Blue light-emitting device |
| JP3718548B2 (ja) * | 1995-10-20 | 2005-11-24 | ソニー株式会社 | 半導体発光装置の製造方法 |
| US6017774A (en) * | 1995-12-24 | 2000-01-25 | Sharp Kabushiki Kaisha | Method for producing group III-V compound semiconductor and fabricating light emitting device using such semiconductor |
| US5923950A (en) * | 1996-06-14 | 1999-07-13 | Matsushita Electric Industrial Co., Inc. | Method of manufacturing a semiconductor light-emitting device |
| US5963573A (en) * | 1997-08-25 | 1999-10-05 | 3M Innovative Properties Company | Light absorbing layer for II-VI semiconductor light emitting devices |
-
1997
- 1997-10-24 JP JP29303697A patent/JP3925753B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1998
- 1998-10-21 US US09/176,270 patent/US6111277A/en not_active Expired - Fee Related
- 1998-10-23 KR KR1019980044502A patent/KR100588439B1/ko not_active IP Right Cessation
-
2000
- 2000-04-20 US US09/553,519 patent/US6312967B1/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (16)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004006886A (ja) * | 1997-11-26 | 2004-01-08 | Nichia Chem Ind Ltd | 窒化物半導体の成長方法及び窒化物半導体素子 |
| JPH11214744A (ja) * | 1998-01-27 | 1999-08-06 | Nichia Chem Ind Ltd | 窒化物半導体発光素子 |
| KR100464296B1 (ko) * | 1998-02-05 | 2005-03-08 | 삼성전자주식회사 | 단결정 박막 성장 방법 |
| JP2002505519A (ja) * | 1998-02-27 | 2002-02-19 | ノース・キャロライナ・ステイト・ユニヴァーシティ | マスクを通過する横方向のオーバーグロースによる窒化ガリウム半導体層を製造する方法及びそれによって製造された窒化ガリウム半導体の構造体 |
| JP4547746B2 (ja) * | 1999-12-01 | 2010-09-22 | ソニー株式会社 | 窒化物系ｉｉｉ−ｖ族化合物の結晶製造方法 |
| JP2001158698A (ja) * | 1999-12-01 | 2001-06-12 | Sony Corp | 窒化物系ｉｉｉ−ｖ族化合物の結晶製造方法、窒化物系ｉｉｉ−ｖ族化合物結晶基板、窒化物系ｉｉｉ−ｖ族化合物膜およびデバイスの製造方法 |
| US7244308B2 (en) | 1999-12-03 | 2007-07-17 | Sony Corporation | Method of manufacturing crystal of III-V compound of the nitride system, crystal substrate of III-V compound of the nitride system, crystal film of III-V compound of the nitride system, and method of manufacturing device |
| KR100425680B1 (ko) * | 2001-07-12 | 2004-04-03 | 엘지전자 주식회사 | 질화물 반도체 박막 형성방법 |
| KR100437775B1 (ko) * | 2001-10-11 | 2004-06-30 | 엘지전자 주식회사 | 질화물 반도체 기판 제조방법 |
| JP2004311986A (ja) * | 2003-03-25 | 2004-11-04 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体装置及びその製造方法 |
| JP2006114548A (ja) * | 2004-10-12 | 2006-04-27 | ▲さん▼圓光電股▲ふん▼有限公司 | 窒化ガリウム系ダイオード装置のバッファ層構造 |
| WO2007125914A1 (ja) * | 2006-04-28 | 2007-11-08 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | 窒化ガリウム結晶を作製する方法および窒化ガリウムウエハ |
| US8147612B2 (en) | 2006-04-28 | 2012-04-03 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Method for manufacturing gallium nitride crystal and gallium nitride wafer |
| JP5218047B2 (ja) * | 2006-04-28 | 2013-06-26 | 住友電気工業株式会社 | 窒化ガリウム結晶を作製する方法および窒化ガリウムウエハ |
| WO2014035021A1 (en) * | 2012-08-29 | 2014-03-06 | Lg Electronics Inc. | Non-polar substrate having hetero-structure, method for manufacturing the same, and nitride-based light emitting device using the same |
| KR20140028572A (ko) * | 2012-08-29 | 2014-03-10 | 엘지전자 주식회사 | 무분극 이종 기판 및 그 제조방법, 이를 이용한 질화물계 발광 소자 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR19990037331A (ko) | 1999-05-25 |
| US6111277A (en) | 2000-08-29 |
| KR100588439B1 (ko) | 2006-08-30 |
| JP3925753B2 (ja) | 2007-06-06 |
| US6312967B1 (en) | 2001-11-06 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3925753B2 (ja) | 半導体素子およびその製造方法ならびに半導体発光素子 | |
| JP4032538B2 (ja) | 半導体薄膜および半導体素子の製造方法 | |
| JP3988018B2 (ja) | 結晶膜、結晶基板および半導体装置 | |
| JP3876649B2 (ja) | 窒化物半導体レーザ及びその製造方法 | |
| JP4666295B2 (ja) | 半導体レーザ及び半導体装置の製造方法 | |
| JP5434882B2 (ja) | ＧａＮ系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体発光素子 | |
| JP4644942B2 (ja) | 結晶膜、結晶基板および半導体装置の製造方法 | |
| JP2002335051A (ja) | 窒化物系半導体素子および窒化物系半導体の形成方法 | |
| JP2001196699A (ja) | 半導体素子 | |
| US6670204B2 (en) | Semiconductor light emitting device and method for manufacturing the same | |
| JPH11135770A (ja) | ３−５族化合物半導体とその製造方法および半導体素子 | |
| JP2000223417A (ja) | 半導体の成長方法、半導体基板の製造方法および半導体装置の製造方法 | |
| JP4631214B2 (ja) | 窒化物半導体膜の製造方法 | |
| JP4211358B2 (ja) | 窒化物半導体、窒化物半導体素子及びそれらの製造方法 | |
| JP2002314198A (ja) | 半導体レーザ | |
| JP2001057463A (ja) | 窒素化合物半導体膜構造及び窒素化合物半導体素子並びにそれらの製造方法 | |
| JP2004165550A (ja) | 窒化物半導体素子 | |
| JP4720051B2 (ja) | 窒化物系ｉｉｉ−ｖ族化合物半導体基板およびその製造方法ならびに半導体発光素子の製造方法ならびに半導体装置の製造方法 | |
| JP4363415B2 (ja) | 結晶膜、結晶基板および半導体装置 | |
| JP2002076518A (ja) | 半導体レーザおよび半導体素子並びにそれらの製造方法 | |
| JP4042775B2 (ja) | 半導体薄膜および半導体素子の製造方法 | |
| JP4255937B2 (ja) | 半導体素子 | |
| JP3874186B2 (ja) | 窒化物半導体基板およびその製造方法 | |
| JP4639484B2 (ja) | 窒化物半導体素子の製造方法 | |
| JP4179317B2 (ja) | 窒化物半導体の製造方法および半導体素子の製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20040108 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20061102 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20061109 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20070109 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20070209 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20070222 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |