JP2001196699A - 半導体素子 - Google Patents

半導体素子

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元伸 竹谷
Katsunori Yanashima
克典 簗嶋
Masao Ikeda
昌夫 池田
Takeharu Asano
竹春 浅野
Masaaki Ikeda
真朗 池田
Tomokimi Hino
智公 日野
Katsuyoshi Shibuya
勝義 渋谷
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 基板の反りを防止することが可能であると共
に、結晶性に優れたＩＩＩ−Ｖ族窒化物半導体層を有す
る半導体素子を提供する。 【解決手段】 サファイアよりなる基板１１の上に、厚
さが８μｍ以下のＩＩＩ−Ｖ族窒化物半導体層２０を備
えている。これにより、基板１１とＩＩＩ−Ｖ族窒化物
半導体層２０との熱膨張係数の差や格子定数の違いによ
る基板１１の反りが低減している。ＩＩＩ−Ｖ族窒化物
半導体層２０を構成するｎ側コンタクト層２３は、種結
晶層２２の結晶部２２Ａから横方向に成長されてなる横
方向成長領域を部分的に有している。この横方向成長領
域は転位密度が低く、そのためｎ側コンタクト層２３の
上に形成された各層の横方向成長領域に対応する部分に
おける結晶性が高くなっている。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ＩＩＩ−Ｖ族窒化
物半導体よりなる半導体層を備えた半導体素子に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】ＧａＮ，ＡｌＧａＮ混晶あるいはＧａＩ
ｎＮ混晶などのＩＩＩ−Ｖ族窒化物半導体は、直接遷移
の半導体材料であると共に、禁制帯幅が１．９〜６．２
ｅＶにわたっているという特徴を有している。従って、
これらのＩＩＩ−Ｖ族窒化物半導体は、可視領域から紫
外領域までの発光を得ることができ、半導体レーザ(las
er diode；ＬＤ）やレーザダイオード（light emitting
diode；ＬＥＤ）などの半導体発光素子を構成する材料
として注目されている。また、ＩＩＩ−Ｖ族窒化物半導
体は、飽和電子速度および破壊電界が大きいことから、
電子素子を構成する材料としても注目されている。
【０００３】一般に、ＩＩＩ−Ｖ族窒化物半導体を用い
た半導体素子は、基板の上に、ＭＯＣＶＤ（Metal Orga
nic Chemical Vapor Deposition ；有機金属化学気相成
長）法やＭＢＥ（Molecular Beam Epitaxy；分子線エピ
タキシー）法を用いて成長させたＩＩＩ−Ｖ族窒化物半
導体の層が順次積層された構成を有している。基板とし
ては、通常、ＩＩＩ−Ｖ族窒化物半導体とは異なる材質
のものが用いられており、主にサファイア（Ａｌ
2 Ｏ3 ）基板が使用されている。従来、このような半導
体素子では、ＩＩＩ−Ｖ族窒化物半導体の層の厚さの合
計を大きくして結晶性の高いＩＩＩ−Ｖ族窒化物半導体
を得ることにより、素子の電気的または光学的特性を保
持し向上させていた。また、高温下（例えば、ＧａＮの
場合は、１０００℃程度）で成長させることにより、結
晶性の高いＩＩＩ−Ｖ族窒化物半導体を得ていた。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、サファ
イアとＩＩＩ−Ｖ族窒化物半導体とでは、格子定数が異
なると共に熱膨張係数の差が大きく、ＩＩＩ−Ｖ族窒化
物半導体の成長時などにサファイア基板に反りが生じる
という問題があった。このサファイア基板の反りは、Ｉ
ＩＩ−Ｖ族窒化物半導体を厚く成長させるほど、また高
温で成長させるほど、大きくなる傾向にある。サファイ
ア基板が反ってしまうと、サファイア基板やＩＩＩ−Ｖ
族窒化物半導体の層が割れてしまうおそれなどがあり、
製造プロセスの安定性が著しく損なわれてしまう。ま
た、ＩＩＩ−Ｖ族窒化物半導体を成長させる際の基板の
温度が不均一になり、その上に成長するＩＩＩ−Ｖ族窒
化物半導体の組成が場所によって異なってしまい、製造
プロセスの制御性が損なわれてしまう。特に、ＩＩＩ−
Ｖ族窒化物半導体を用いた発光素子の活性層としてＧａ
ＩｎＮ混晶を成長させる際には、インジウム（Ｉｎ）の
取り込み量が変化し、その結果、発振波長に分布が生じ
るため、特定の波長で発振することを可能とする発光有
効エリアが小さくなってしまう。
【０００５】このような問題は、基板としてＧａＮなど
のＩＩＩ−Ｖ族窒化物半導体よりなる基板を使用するこ
とにより解決されると考えられるが、この種の基板を用
いるためには、製造コストおよび基板サイズなどの点で
課題が残っており、未だ実用化には至っていない。従っ
て、現状では、サファイア基板の反りの問題を解決する
ことが急務である。
【０００６】ところで、近年、ＩＩＩ−Ｖ族窒化物半導
体を結晶成長させる際に、いわゆるペンデオ・エピタキ
シー（pendeo epitaxy）と呼ばれる技術やいわゆるＥＬ
ＯＧ（Epitaxially Laterally Overgrown ）と呼ばれる
技術を用いて、貫通転位（転位欠陥が伝播されて結晶中
を突き抜ける欠陥；図６および図１０参照）の密度を低
減する方法が提案されている。なお、いわゆるペンデオ
・エピタキシーとは、基板上に設けられた種結晶となる
窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体の結晶に溝などの開
口を形成し、種結晶の開口に対応する側壁面から横方向
に結晶を成長させる技術である。また、いわゆるＥＬＯ
Ｇとは、下地となるＩＩＩ−Ｖ族窒化物半導体層の上に
帯状のマスクを形成し、このマスクの上にＩＩＩ−Ｖ族
窒化物半導体を横方向に選択的に成長させる技術であ
る。このような技術を用いてより結晶性に優れたＩＩＩ
−Ｖ族窒化物半導体を成長させ、素子特性を向上させる
ことが望まれているが、これらの技術を用いる場合に
も、上述した基板の反りの問題が生じてしまう。従っ
て、素子の生産性と特性とを共に向上させるためにも、
基板の反りの問題を解決することが急務である。
【０００７】本発明はかかる問題点に鑑みてなされたも
ので、その目的は、基板の反りを防止することが可能で
あると共に、結晶性に優れたＩＩＩ−Ｖ族窒化物半導体
層を有する半導体素子を提供することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明による半導体素子
は、基板の一面側に、ＩＩＩ族元素のうちの少なくとも
１種とＶ族元素のうちの少なくとも窒素（Ｎ）とを含む
ＩＩＩ−Ｖ族窒化物半導体よりなる半導体層を備え、半
導体層がＩＩＩ−Ｖ族窒化物半導体が横方向に成長され
てなる横方向成長領域を部分的に有するようにすると共
に、半導体層の厚さを８μｍ以下としたものである。
【０００９】本発明による半導体素子では、横方向成長
領域を有する半導体層の厚さが８μｍ以下であるので、
半導体層の結晶性が高く、かつ基板の反りが抑制されて
いる。
【００１０】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て、図面を参照して詳細に説明する。
【００１１】［第１の実施の形態］図１は、本発明の第
１の実施の形態に係る半導体素子としての半導体レーザ
の要部の構成を表すものである。この半導体レーザは、
基板１１の上に、ＩＩＩ−Ｖ族窒化物半導体層２０とし
てのバッファ層２１を介して、同じくＩＩＩ−Ｖ族窒化
物半導体層２０として、例えば種結晶層２２，ｎ側コン
タクト層２３，ｎ型クラッド層２４，ｎ型ガイド層２
５，活性層２６，ｐ型ガイド層２７，ｐ型クラッド層２
８およびｐ側コンタクト層２９がこの順に積層された構
成を有している。ここにおいて、ＩＩＩ−Ｖ族窒化物半
導体とは、ガリウム（Ｇａ），アルミニウム（Ａｌ），
ホウ素（Ｂ）あるいはインジウム（Ｉｎ）などのＩＩＩ
族元素群のうちの少なくとも１種と、Ｖ族元素のうちの
少なくとも窒素（Ｎ）とを含むもののことを指す。
【００１２】ｐ側コンタクト層２９の上には、ｐ側電極
３１が形成されている。ｎ側コンタクト層２３は、その
上にｎ型クラッド層２４，ｎ型ガイド層２５，活性層２
６，ｐ型ガイド層２７，ｐ型クラッド層２８およびｐ側
コンタクト層２９が形成されていない領域を部分的に有
しており、これらの層の側面と、ｐ型クラッド層２４お
よびｎ側コンタクト層２３の表面とには、絶縁層１２が
設けられている。ｎ側コンタクト層２３の上には、絶縁
層１２に設けられた開口１２ａを介してｎ側電極３２が
設けられている。
【００１３】基板１１は、ＩＩＩ−Ｖ族窒化物半導体層
２０と熱膨張係数が異なる材料により構成されている。
具体的には、例えば厚さが８０μｍのサファイアにより
構成されており、バッファ層２１などは、基板１１のｃ
面に形成されている。この基板１１には、例えば、後述
する種結晶層２２の開口部２２Ｂに対応する領域に凹部
１１Ｂが設けられている。凹部１１Ｂの深さは、１００
ｎｍ以上であることが好ましい。
【００１４】ＩＩＩ−Ｖ族窒化物半導体層２０を構成す
る各層厚さの合計は８μｍ以下となっている。厚さの合
計を８μｍ以下と小さくすることにより、基板１１とＩ
ＩＩ−Ｖ族窒化物半導体層２０との熱膨張係数の差や格
子定数の違いによる基板１１の反りを低減させることが
できるからである。なお、ＩＩＩ−Ｖ族窒化物半導体層
２０の厚さの合計が、４μｍ以上８μｍ以下の範囲内で
あれば、より好ましい。４μｍよりも薄いと、結晶性に
劣り、素子の特性が劣化してしまうからである。
【００１５】具体的には、バッファ層２１は、例えば、
積層方向における厚さ（以下、単に厚さという。）が
０．０１〜０．０５μｍの範囲内であり、不純物を添加
しないundope−ＧａＮにより構成されている。このバッ
ファ層２１は、非晶質に近い結晶よりなり、ＩＩＩ−Ｖ
族窒化物半導体層２０を成長させる際の核となるもので
ある。また、バッファ層２１は、例えば孔部２１Ｂを有
している。この孔部２１Ｂは、例えば数μｍ〜１０数μ
ｍ程度の所定の間隔を開けてストライプ状に設けられて
いる。すなわち、その場合には、undope−ＧａＮの結晶
も、例えば所定の間隔を開けてストライプ状に設けられ
ている。
【００１６】種結晶層２２は、バッファ層２１の上に形
成されており、ＩＩＩ−Ｖ族窒化物半導体の結晶よりな
る結晶部２２Ａおよびバッファ層２１の凹部６２Ｂに対
応して設けられた開口部７１Ｂを有している。結晶部２
２Ａの具体例としては、厚さが０．５〜４．０μｍの範
囲内の、不純物を添加しないundope−ＧａＮまたはｎ型
不純物としてケイ素（Ｓｉ）が添加されたｎ型ＧａＮよ
りなる結晶が挙げられる。ここで、種結晶層２２が、本
発明の「第１の結晶層」の一具体例に対応している。ま
た、開口部２２Ｂが、本発明の「溝部」の一具体例に対
応している。
【００１７】ｎ側コンタクト層２３は、例えばｎ型不純
物としてケイ素が添加されたｎ型ＧａＮにより構成され
ている。このｎ側コンタクト層２３は、種結晶層２２の
結晶部２２Ａから横方向に成長されてなる横方向成長領
域を部分的に有している。なお、ｎ側コンタクト層２３
の厚さは、６．０μｍ以下であることが好ましい。厚さ
を６．０μｍ以下とすることにより、基板１１の反りが
低減し、その上にＩＩＩ−Ｖ族窒化物半導体層２０を構
成する各層を積層する際に、基板１１の温度分布をより
均一化することができるからである。ここで、ｎ側コン
タクト層２３が、本発明の「第２の結晶層」の一具体例
に対応している。
【００１８】ｎ型クラッド層２４は、例えば、厚さが
０．７〜１．２μｍの範囲内であり、ｎ型不純物として
ケイ素が添加されたｎ型ＡｌＧａＮ（例えば、Ａｌ0.08
Ｇａ0.92Ｎ）混晶により構成されている。ｎ型ガイド層
２５は、例えば、厚さが０．０８〜０．１２μｍの範囲
内であり、ｎ型不純物としてケイ素が添加されたｎ型Ｇ
ａＮにより構成されている。活性層２６は、例えば、厚
さが０．０２〜０．０４μｍの範囲内であり、組成の異
なるＧａＩｎＮ混晶層によりそれぞれ形成された井戸層
とバリア層との多重量子井戸構造を有している。
【００１９】ｐ型ガイド層２７は、例えば、厚さが０．
０８〜０．１２μｍの範囲内であり、ｐ型不純物として
マグネシウム（Ｍｇ）が添加されたｐ型ＧａＮにより構
成されている。ｐ型クラッド層２８は、例えば、厚さが
０．３〜０．７μｍの範囲内であり、ｐ型不純物として
マグネシウムが添加されたｐ型ＡｌＧａＮ混晶により構
成されている。ｐ側コンタクト層２９は、例えば、厚さ
が０．０５〜０．１μｍの範囲内であり、ｐ型不純物と
してマグネシウムが添加されたｐ型ＧａＮにより構成さ
れている。なお、ここでは、電流狭窄をするために、ｐ
側コンタクト層２９およびｐ型クラッド層２８の一部が
細い帯状（いわゆるレーザストライプ；図１において
は、紙面に対して垂直方向に延長された帯状）に形成さ
れている。このいわゆるレーザストライプは、例えば種
結晶層２２の開口部２２Ｂ上の領域に設けられている。
【００２０】ｐ側電極３１は、ｐ側コンタクト層２９の
側から、例えば、パラジウム（Ｐｄ），白金（Ｐｔ）お
よび金（Ａｕ）が順次積層されたものであり、ｐ側コン
タクト層２９と電気的に接続されている。また、ｎ側電
極３２は、ｎ側コンタクト層２３の側から、例えば、チ
タン（Ｔｉ），アルミニウム（Ａｌ），白金および金が
順次積層されたものであり、ｎ側コンタクト層２３と電
気的に接続されている。
【００２１】なお、この半導体レーザでは、例えばｐ側
電極３１の長さ方向と垂直な一対の側面が共振器端面と
なっており、この一対の共振器端面に一対の反射鏡膜
（図示せず）がそれぞれ形成されている。
【００２２】次に、この半導体レーザの製造方法につい
て説明する。
【００２３】本実施の形態では、図２（Ａ）に示したよ
うに、例えばサファイアよりなる厚さ４３０μｍ程度の
基板１１を用意し、この基板１１のｃ面に、例えばＭＯ
ＣＶＤ法により、ＩＩＩ−Ｖ族窒化物半導体層２０を厚
さ８μｍ以下となるように成長させる。具体的には、以
下のようにしてＩＩＩ−Ｖ族窒化物半導体層２０を形成
する。
【００２４】すなわち、まず、バッファ層２１を形成す
るためのバッファ層用成長層２１ａを０．０１〜０．０
５μｍ成長させる。その際、基板１１の温度は例えば５
２０℃とする。次いで、温度を例えば１０００℃に上
げ、バッファ層用成長層２１ａの上に、不純物を添加し
ないundope−ＧａＮまたはケイ素を添加したｎ型ＧａＮ
を０．５〜４．０μｍ成長させることにより、種結晶層
２２を形成するための種結晶層用成長層２２ａを形成す
る。そののち、種結晶層用成長層２２ａの上に、例えば
ＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition ）法により、窒化
ケイ素あるいは二酸化ケイ素よりなる絶縁膜４１を形成
する。なお、種結晶層用成長層２２ａを形成する際、常
圧雰囲気中，減圧雰囲気中または加圧雰囲気中のいずれ
の雰囲気中においても行うことが可能であるが、良質の
結晶を得るには、加圧雰囲気中において行うことが好ま
しい。
【００２５】続いて、図２（Ｂ）に示したように、絶縁
膜４１の上にフォトレジスト膜４２を成膜し、例えばＧ
ａＮの結晶（種結晶層用成長層２２ａ）の＜１−１００
＞方向に、所定の間隔を開けて配列された多数のストラ
イプ状のパターンを形成する。そののち、このフォトレ
ジスト膜４２をマスクとして例えばＲＩＥを行い、絶縁
膜４１を選択的に除去する。なお、フォトレジスト膜４
２は、絶縁膜４１を選択的に除去した後に除去する。ち
なみに、ここで＜１−１００＞というのは、本来外１に
示したように数字の上にオーバーラインを引いて表すも
のであるが、ここでは便宜上、数字の前に“−”を付け
て表す。
【外１】
【００２６】フォトレジスト膜４２を除去したのち、図
２（Ｃ）に示したように、絶縁膜４１をマスクとして例
えばＲＩＥを行って、種結晶層用成長層２２ａ，バッフ
ァ層用成長層２１ａおよび基板１１の一部の絶縁膜４１
に覆われていない部分を順次除去し、基板１１を露出さ
せる。これにより、種結晶層用成長層２２ａは結晶部２
２Ａおよび開口部２２Ｂを有する種結晶層２２となり、
バッファ層用成長層２１ａは孔部２１Ｂを有するバッフ
ァ層２１となる。また、基板１１には凹部１１Ｂが形成
される。
【００２７】このＲＩＥは、図３に示したように、種結
晶層２２の結晶部２２Ａの幅方向の長さ（以下、単に幅
という。）Ｌ1 が４μｍよりも小さく、開口部２２Ｂの
幅Ｌ 2 が１２μｍ以下となるように行うことが好まし
い。また、結晶部２２Ａの幅Ｌ1 を２〜４μｍの範囲内
とすることがより好ましく、開口部１２Ｂの幅Ｌ2 を８
〜１２μｍの範囲内とすることがより好ましい。なお、
８〜１２μｍには１２μｍも含まれる。ちなみに、具体
的には、例えば、幅Ｌ1 を３μｍとし、幅Ｌ2 を９μｍ
となるように種結晶層１２を形成する。
【００２８】開口部２２Ｂの幅Ｌ2 を１２μｍ以下とす
るのは、それよりも大きくすると、結晶部２２Ａの側壁
面から横方向成長した結晶同士が会合し、ｎ側コンタク
ト層１５の成長面が平坦になるまでに時間がかかる、あ
るいは平坦な成長面が得られないという不具合が生じる
からである。また、開口部２２Ｂの幅Ｌ2 を８μｍより
も大きくするのは、幅が例えば２〜３μｍのいわゆるレ
ーザストライプを開口部１２Ｂの幅Ｌ2 の半分までの部
分（図３において幅Ｌ2 ／２の部分）に容易に形成でき
るようにするためである。
【００２９】一方、結晶部２２Ａの幅を４μｍよりも小
さくするのは、それよりも大きくすると種結晶層２２と
基板１１との接触面積が大きくなるため、サファイアな
どの基板構成材料と窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体
との熱膨張係数および格子定数の差などにより基板１１
が反ってしまうおそれがあるからである。また、結晶部
２２Ａの幅を２μｍよりも小さくすると、幅が極端に狭
すぎて作製上の困難を伴うからである。
【００３０】基板１１を選択的に露出させたのち、図４
に示したように、例えば、エッチングを行って絶縁膜４
１を除去する。続いて、種結晶層２２の結晶部２２Ａか
ら例えばｎ型不純物としてケイ素を添加してｎ型ＧａＮ
の結晶を成長させることにより、ｎ側コンタクト層２３
を形成する。ここでは、ＧａＮの結晶成長は、主に結晶
部２２Ａの表面および側壁面から進行し、結晶部２２Ａ
上以外の領域においては横方向にも進行する（横方向成
長領域Ｘ）。また、バッファ層１の側壁面からも、横方
向に結晶成長が進行する。これにより、例えば図５に示
したように、ｎ側コンタクト層２３のうち結晶部２２Ａ
上の領域Ｙにおいては、種結晶層２２（結晶部２２Ａ）
からの貫通転位Ｍ1 が伝播されるものの、それ以外の領
域（すなわち、横方向成長領域Ｘ）においては、種結晶
層２２からの貫通転位Ｍ1 は横方向に屈曲するので、ほ
とんど存在しない。結晶部２２Ａの側面からの成長速度
は表面からの成長速度よりも大きく、一定時間経過する
と側面から成長したＧａＮの結晶が広がり、成長面が平
坦となる。なお、図５に示した貫通転位Ｍ2 は、結晶部
２２Ａからそれぞれ結晶が横方向に成長し、この横方向
に成長した結晶同士のが会合することにより発生したも
のである。
【００３１】このように種結晶層２２およびバッファ層
２１から横方向に結晶成長が進行する場合、真横ではな
く、それよりも若干基板１１側に進行することも考えら
れる。しかし、本実施の形態では、基板１１の一部をエ
ッチングして凹部１１Ｂを設けるようにしているので、
成長した結晶が基板１１に接触して欠陥が発生すること
を防止できる。また、結晶方位の揺らぎの少ない結晶を
成長させることができる。
【００３２】ちなみに、この成長方法は、いわゆるペン
デオ・エピタキシーと呼ばれるものである。既に述べた
ように、このいわゆるペンデオ・エピタキシーにより得
られる結晶は、他の気相成長法により得られる結晶より
も良質であるとされている。そのため、本実施の形態で
は、ＩＩＩ−Ｖ族窒化物半導体層２０の厚さを小さくし
ても、ＩＩＩ−Ｖ族窒化物半導体層２０を構成するバッ
ファ層２１以外の各層は、優れた結晶性を有している。
【００３３】ｎ側コンタクト層２３を形成したのち、図
６に示したように、ｎ側コンタクト層２３の上に、例え
ば、ＭＯＣＶＤ法を用いて、ｎ型クラッド層２４を０．
７〜１．２μｍ成長させ、ｎ型ガイド層２５を０．０８
〜０．１２μｍ成長させたのち、活性層２６を０．０２
〜０．０４μｍ成長させ、更に、ｐ型ガイド層２７を
０．０８〜０．１２μｍ成長させ、ｐ型クラッド層２８
を０．３〜０．７μｍ成長させ、ｐ側コンタクト層２９
を０．０５〜０．１μｍ成長させる。各層を成長させる
際、基板１１の温度を、例えば７５０〜１１００℃程度
の適宜な温度にそれぞれ調節する。
【００３４】ここでは、バッファ層２１，ｎ側コンタク
ト層２３，ｎ型クラッド層２４およびｎ型ガイド層２５
の厚さの合計が非常に小さいので、ｎ型ガイド層２５が
形成された時点において、基板１１の反りが抑制されて
いる。従って、その上にＧａＩｎＮ混晶よりなる活性層
２６を成長させる際に、基板１１の温度が均一になって
おり、インジウムの取り込み量が一定となるため、活性
層２６の各井戸層および各バリア層の組成が領域よって
変化することなく、それぞれ均一となる。
【００３５】また、貫通転位Ｍ1 は、ＩＩＩ−Ｖ族窒化
物半導体層２０の成長方向側に、若干放射状に広がって
伝播される傾向にある。本実施の形態では、ＩＩＩ−Ｖ
族窒化物半導体層２０の厚さの合計が８μｍ以下である
ため、上述した貫通転位Ｍ1の広がりを従来よりも小さ
くすることができる。
【００３６】なお、ＭＯＣＶＤを行う際、ガリウムの原
料ガスとしては例えばトリメチルガリウム（（ＣＨ3 ）
3 Ｇａ）、アルミニウムの原料ガスとしては例えばトリ
メチルアルミニウム（（ＣＨ3 ）3 Ａｌ）、インジウム
の原料ガスとしては例えばトリメチルインジウム（（Ｃ
Ｈ3 ）3 Ｉｎ）、窒素の原料ガスとしては例えばアンモ
ニア（ＮＨ3 ）をそれぞれ用いる。また、ケイ素の原料
ガスとしては例えばモノシラン（ＳｉＨ4 ）を用い、マ
グネシウムの原料ガスとしては例えばビス＝シクロペン
タジエニルマグネシウム（（Ｃ5 Ｈ5 ）2 Ｍｇ）を用い
る。
【００３７】ＩＩＩ−Ｖ族窒化物半導体層２０を成長さ
せたのち、ｐ側コンタクト層２９，ｐ型クラッド層２
８，ｐ型ガイド層２７，活性層２６，ｎ型ガイド層２
５，ｎ型クラッド層２４およびｎ側コンタクト層２３の
一部を順次エッチングして、ｎ側コンタクト層２３を表
面に露出させる。続いて、図示しないマスクを形成し、
このマスクを利用して例えばＲＩＥ（Reactive Ion Etc
hing；反応性イオンエッチング）法によりｐ側コンタク
ト層２９およびｐ型クラッド層２８の一部を選択的にエ
ッチングして、ｐ型クラッド層２８の上部およびｐ側コ
ンタクト層２９を細い帯状（リッジ形状）とする。
【００３８】このとき、マスク（図示せず）を、図３に
示した幅Ｌ2 ／２に対応する領域に設けることが望まし
い。開口部２２Ｂの幅のほぼ中央には、結晶部１２Ａか
ら横方向成長した結晶同士が会合することにより発生し
た貫通転位Ｍ2 が存在するので、開口部１２Ａと結晶部
１２Ａとの境界面から開口部１２Ｂの幅Ｌ2 の半分まで
の部分に発光領域となるいわゆるレーザストライプを形
成するためである。
【００３９】次いで、図７に示したように、露出面全体
に、例えば蒸着法により二酸化ケイ素（ＳｉＯ2 ）より
なる絶縁層１２を形成する。そののち、例えば、絶縁層
１２の上に図示しないレジスト膜を形成する。続いて、
例えばＲＩＥを行い、レジスト膜のうち上述したリッジ
形状に対応する領域を選択的に除去して絶縁層１２を露
出させたのち、絶縁層１２の露出面を選択的に除去する
ことによりｐ側コンタクト層２９を表面に露出させ、ｐ
側コンタクト層２９の表面以外の領域が絶縁層１２によ
り覆われた状態とする。
【００４０】次いで、ｐ側コンタクト層２９の表面およ
びその近傍に、例えばパラジウム，白金および金を順次
蒸着し、ｐ側電極３１を形成する。また、絶縁層１２の
ｎ側コンタクト層上の領域に開口１２ａを形成し、この
開口１２ａに、例えば、チタン，アルミニウム，白金お
よび金を順次蒸着し、ｎ側電極３２を形成する。そのの
ち、基板１１を例えば８０μｍ程度の厚さとなるように
研削する。ここでは、基板１１の反りが抑制されている
ので、容易に研削することができる。最後に、基板１１
をｐ側電極３１の長さ方向と垂直に所定の幅で劈開し、
その劈開面に図示しない反射鏡膜を形成する。
【００４１】この半導体レーザでは、ｐ側電極３１とｎ
側電極３２との間に所定の電圧が印加されると、活性層
２６に電流が注入され、電子−正孔再結合により発光が
起こる。ここでは、活性層２６を構成する各井戸層およ
び各バリア層のＧａＩｎＮ混晶の組成がそれぞれ均一に
なっているので、発振波長が均一になっている。
【００４２】このように本実施の形態に係る半導体レー
ザでは、サファイアなどよりなる基板１１の上に、厚さ
の合計が８μｍ以下であるＩＩＩ−Ｖ族窒化物半導体層
２０を設けるようにしたので、基板１１とＩＩＩ−Ｖ族
窒化物半導体層２０との熱膨張係数の差や格子定数の違
いによる基板１１の反りを抑制することができる。ま
た、基板１１の反りに伴うＩＩＩ−Ｖ族窒化物半導体層
２０の反りを防止することもできる。よって、製造時お
よび製造後において、基板１１およびＩＩＩ−Ｖ族窒化
物半導体層２０を構成する各層の割れを防止することが
できる。
【００４３】更に、基板１１の反りの減少に伴い、ＩＩ
Ｉ−Ｖ族窒化物半導体層２０を成長させる際に、基板１
１の温度が均一であるために、特にＧａＩｎＮ混晶より
なる活性層２６を形成する場合には、インジウムの取り
込み量が均一となり、活性層２６の各井戸層および各バ
リア層の組成を均一にすることができる。よって、動作
時の発振波長が均一になり、再現性の高い半導体レーザ
が得られる。また、発光領域の形成位置が限定されるこ
となく、製造における自由度が大きくなるので、生産性
を高めることができる。
【００４４】また、ｎ側コンタクト層２３が、いわゆる
ペンデオ・エピタキシーを利用して形成されると共に、
横方向成長領域Ｘを有しているので、ｎ側コンタクト層
２３およびその上に設けられたｎ型クラッド層２４，ｎ
型ガイド層２５，活性層２６，ｐ型ガイド層２７，ｐ型
クラッド層２８およびｐ側コンタクト層２９の横方向成
長領域Ｘにおける結晶性が高くなっている。よって、こ
の横方向成長領域Ｘ（特に、開口部２２Ｂの幅Ｌ2 の半
分の部分に対応する領域）にいわゆるレーザストライプ
を形成すれば、電圧の印加による劣化が起こりにくく、
半導体レーザの長寿命化を図ることができる。
【００４５】また、製造時に、開口部２２Ｂを有する種
結晶層２２の結晶部２２Ａから厚さ８μｍ以下程度のＩ
ＩＩ−Ｖ族窒化物半導体の結晶を成長させるようにした
ので、横方向成長領域Ｘにおいては、貫通転位Ｍ1 がほ
とんど存在しない良質な結晶が成長することに加えて、
貫通転位Ｍ1 が結晶成長方向に若干広がって伝播した場
合であっても、成長させる結晶の厚さが薄いので、それ
による影響が小さい。よって、貫通転位Ｍ1 の密度が低
い結晶性に優れた領域が増加し、後工程において発光領
域を形成可能な部分が多くなるので、その点においても
製造における自由度が高くなり、高品質かつ再現性に優
れた半導体レーザが容易に得られる。
【００４６】加えて、基板１１の反りが抑制されている
ので、基板１１を研削する際にＩＩＩ−Ｖ族窒化物半導
体層２０に与える負担が少なく、製造の歩留りを向上さ
せることができる。
【００４７】なお、この半導体レーザは、例えば、サブ
マウントを介してヒートシンク上に配設され、半導体発
光装置として用いられる。ちなみに、ヒートシンクと
は、半導体レーザにおいて発生した熱を放散するための
ものである。本実施の形態の半導体レーザでは、既に述
べたように、基板１１の反りおよびそれに伴うＩＩＩ−
Ｖ族窒化物半導体層２０の反りが低減されているので、
サブマウントおよびヒートシンクと半導体レーザとの密
着性が高まり、動作時に半導体レーザから発生した熱が
効率よく放散される。よって、熱干渉による半導体レー
ザの閾値電流の上昇や発光出力の低下を防止することが
できる。その結果、高い品質を長時間に渡って維持する
ことができ、半導体レーザの長寿命化を図ることができ
る。
【００４８】［第２の実施の形態］図８は、本発明の第
２の実施の形態に係る半導体素子としての半導体レーザ
の要部の構成を表すものである。この半導体レーザは、
第１の実施の形態に係る半導体レーザのＩＩＩ−Ｖ族窒
化物半導体層２０に代えてＩＩＩ−Ｖ族窒化物半導体層
６０を備えたこと、および更にマスク部６４を備えたこ
とを除き、他は半導体レーザと同一の構成，作用および
効果を有している。よって、同一の構成要素には同一の
符号を付し、ここではその詳細な説明を省略する。
【００４９】ＩＩＩ−Ｖ族窒化物半導体層６０は、半導
体レーザにおけるＩＩＩ−Ｖ族窒化物半導体層２０のバ
ッファ層２１，種結晶層２２およびｎ側コンタクト層２
３に代えて、下地層６１，被覆成長層６２およびｎ側コ
ンタクト層６３を備えたものである。このＩＩＩ−Ｖ族
窒化物半導体層６０の厚さの合計は、８μｍ以下であ
り、第１の実施の形態と同様に、４μｍ以上８μｍ以下
であることが好ましい。
【００５０】下地層６１は、例えば基板１１に隣接して
設けられており、例えば、厚さが０．５〜２．０μｍの
範囲内であり、不純物を添加しないundope−ＧａＮの結
晶により構成されている。
【００５１】マスク部６４は、下地層６１の上に設けら
れており、例えば、厚さが０．１μｍであると共に、窒
化ケイ素（Ｓｉ3 Ｎ4 ）あるいは二酸化ケイ素などの誘
電体により構成されている。このマスク部６４は、例え
ば図９において紙面に対して垂直な方向に帯状に延長さ
れた複数のマスクが開口を介して所定の間隔でそれぞれ
配置されたものであり、マスク部６４の上において被覆
成長層６２を横方向（積層方向と垂直な方向）に選択的
に成長させることにより、下地層６１から貫通転位Ｍ1
（図９参照）が伝わるのを遮断するようになっている。
【００５２】被覆成長層６２は、例えば、厚さが０．５
〜２．０μｍの範囲内であり、不純物を添加しないundo
pe−ＧａＮにより構成されている。この被覆成長層６２
は、マスク部６４を利用して横方向に成長されてなる横
方向成長領域Ｘ（図９参照）を選択的に有している。ｎ
側コンタクト層６３は、例えば、厚さが２．０〜５．０
μｍの範囲内であり、ｎ型不純物としてケイ素が添加さ
れたｎ型ＧａＮにより構成されている。
【００５３】次に、この半導体レーザの製造方法につい
て説明する。
【００５４】まず、例えばサファイアよりなる基板１１
を用意し、例えば、ＭＯＣＶＤ法により、不純物を添加
しないundope−ＧａＮよりなるバッファ層２１および下
地層６１を順次成長させる。なお、この下地層６１には
一般に図９おいて細線で示したような貫通転位Ｍ1 が存
在している。ちなみに、図９は、半導体レーザの製造方
法における工程の一部を表すものである。
【００５５】次いで、下地層６１の上に、例えば、ＣＶ
Ｄ（Chemical Vapor Deposition ）法により二酸化ケイ
素膜を形成する。そののち、この二酸化ケイ素膜の上
に、図示しないレジスト膜を塗布してフォトリソグラフ
ィにより複数の平行な帯状のレジストパターンを形成
し、これを用いてエッチングを行い二酸化ケイ素膜を選
択的に除去して、マスク部６４を形成する。
【００５６】続いて、例えばＭＯＣＶＤ法により下地層
６１と同様にしてundope−ＧａＮよりなる被覆成長層６
２を成長させる。このとき、ＧａＮは、まずマスク部６
４の各マスク間の開口を埋めるように成長し、そののち
マスク上に向かって横方向にも成長する。従って、図９
に示したように、被覆成長層６２のうち下地層上のマス
クが形成されていない領域Ｙにおいては、下地層６１か
ら貫通転位Ｍ1 が引き継がれるので、下地層６１と同様
に貫通転位Ｍ1 が発生する。一方、被覆成長層６２のう
ちマスク部上の領域Ｘでは、横方向に成長が起こるので
貫通転位Ｍ1 は発生しない。なお、この成長方法は、い
わゆるＥＬＯＧと呼ばれるものである。
【００５７】被覆成長層６２を成長させたのち、その上
に例えばＭＯＣＶＤ法によりｎ側コンタクト層６３を形
成する。それ以降の工程は、第１の実施の形態と同様で
ある。なお、ｎ側コンタクト層６３，ｎ型クラッド層２
４，ｎ型ガイド層２５，活性層２６，ｐ型ガイド層２
７，ｐ型クラッド層２８およびｐ側コンタクト層２９に
おいても、横方向成長領域Ｘ（図９）に対応する部分で
は、下地層６１から貫通転位Ｍ1 が伝播する。従って、
ｐ型クラッド層２８の上部およびｐ側コンタクト層２９
をリッジ形状とする際に、貫通転位Ｍ1 が伝播しないマ
スク部上の領域Ｙ（図９）を残すようにこれらをエッチ
ングすれば、上述した各層において貫通転位Ｍ1 の密度
の低い領域（すなわち、結晶性に優れた領域）が発光領
域となるので、半導体レーザの素子特性（例えば、寿命
特性）が向上する。
【００５８】このように本実施の形態に係る半導体レー
ザでは、基板１１の上に、厚さの合計が８μｍ以下であ
るＩＩＩ−Ｖ族窒化物半導体層６０を設けるようにした
ので、第１の実施の形態と同様に、基板１１の反りを抑
制することができる。
【００５９】また、下地層６１の上に形成されたマスク
部６４上の領域において横方向成長により下地層６１か
らの貫通転位Ｍ1 の伝播が有効に防止された被覆成長層
６２を設けるようにしたので、この貫通転位Ｍ1 の伝播
が有効に防止された領域（横方向成長領域Ｘ）の上で結
晶性に優れたＩＩＩ−Ｖ族窒化物半導体が形成されてい
る。よって、この横方向成長領域Ｘに対応する部分に発
光領域を設けることにより、半導体レーザの素子特性を
向上させることができる。
【００６０】
【実施例】更に、本発明の具体的な実施例について詳細
に説明する。
【００６１】（実施例１〜５；ＧａＮ層の評価）まず、
サファイアよりなる基板を用意し、基板のｃ面にＭＯＣ
ＶＤ法によりＧａＮを４０ｎｍ成長させて、バッファ層
用成長層を形成した。次いで、同じくＭＯＣＶＤ法によ
りＧａＮを２μｍ成長させて、種結晶層用成長層を形成
したのち、この種結晶層用成長層の上にＣＶＤ法により
窒化ケイ素よりなる絶縁膜を形成した。
【００６２】続いて、絶縁膜の上にフォトレジスト膜を
成膜すると共に、多数のストライプ状のパターンを形成
し、パターン形成されたフォトレジスト膜をマスクとし
てＲＩＥを行い、絶縁膜を選択的に除去した。そのの
ち、フォトレジスト膜を除去した。
【００６３】フォトレジスト膜を除去したのち、絶縁膜
をマスクとしたＲＩＥを行って、種結晶層用成長層，バ
ッファ層用成長層および基板の一部の絶縁膜に覆われて
いない部分を順次除去し、基板とバッファ層用成長層と
の界面まで基板を露出させた。これにより、結晶部と開
口部とを有する種結晶層、および孔部を有するバッファ
層を形成した。
【００６４】次いで、エッチングを行って絶縁膜を除去
した。続いて、ＭＯＣＶＤ法により種結晶層の結晶部か
らＧａＮを成長させることにより、ＧａＮ層を形成し
た。その際、実施例１〜５で、ＧａＮ層の厚さを表１に
示したように変化させた。なお、種結晶層の結晶部から
成長したＧａＮには、選択的に横方向に成長した領域が
あった。
【００６５】
【表１】
【００６６】なお、ＭＯＣＶＤ法により各層を形成する
際、ガリウムの原料ガスとしてはトリメチルガリウムを
用い、窒素の原料ガスとしてはアンモニアを用いた。
【００６７】実施例１〜５に対する比較例１として、Ｇ
ａＮ層の厚さを１０μｍとしたことを除き、他は実施例
１〜５と同様にしてＧａＮ層を成長させた。また、実施
例１〜５に対する比較例２〜５として、以下に述べるよ
うにしてＧａＮ層を成長させた。
【００６８】すなわち、サファイアよりなる基板を用意
し、基板のｃ面にＭＯＣＶＤ法によりＧａＮを４０ｎｍ
成長させて、バッファ層を形成したのち、バッファ層の
上に、ＭＯＣＶＤ法によりＧａＮを成長させてＧａＮ層
を形成した。その際、比較例２〜５で、ＧａＮ層の厚さ
を表２に示したように変化させた。なお、このとき、Ｇ
ａＮ層は、成長面に対して実質的に垂直な方向に成長し
た。
【００６９】
【表２】
【００７０】このようにして得られた実施例１〜５およ
び比較例１〜５のＧａＮ層について、Ｘ線回折法による
分析を行った。図１０は、実施例１〜５および比較例１
〜５において得られたＧａＮ層のＸ線回折によるロッキ
ングカーブの半値幅を表すものである。また、表１およ
び表２にも、得られた結果を合わせて示す。図１０で
は、縦軸は半値幅（単位；arcsec）を示し、横軸はＧａ
Ｎ層の厚さ（単位；μｍ）を示している。
【００７１】図１０，表１および表２から分かるよう
に、実施例１の半値幅は、比較例２〜４のいずれの半値
幅よりも小さい値であった。また、実施例２の半値幅
は、比較例５の半値幅よりも小さい値であった。これら
の結果から、横方向に成長した領域を有するＧａＮは、
結晶性に優れていることが確認された。更に、実施例１
〜５のいずれの半値幅も、比較例１の半値幅よりも小さ
い値であった。これは、ＧａＮ層の厚さが１０μｍと厚
くなると、基板の反りが増大し、結晶中の歪みが増大し
ていることが原因であると考えられる。以上の結果か
ら、部分的に横方向成長されてなる、厚さが８μｍ以下
のＧａＮ層では、基板の反りが少なく、結晶性に優れて
いることが分かった。
【００７２】なお、ここでは具体的には説明しないが、
ＩＩＩ族元素のうちの少なくとも１種と窒素とを含むＧ
ａＮ以外のＩＩＩ−Ｖ族窒化物半導体を成長させた場合
においても、同様の結果が得られる。
【００７３】（実施例２；半導体レーザの評価）更に、
実施例２のＧａＮ層の上に、ＭＯＣＶＤ法により、ｎ型
クラッド層，ｎ型ガイド層，活性層，ｐ型ガイド層，ｐ
型クラッド層およびｐ側コンタクト層を順次形成した。
具体的には、ケイ素を添加したｎ型Ａｌ0.08Ｇａ0.92Ｎ
混晶を１．２μｍ成長させてｎ型クラッド層を形成し、
ケイ素を添加したｎ型ＧａＮを０．１μｍ成長させてｎ
型ガイド層を形成した。活性層は、ケイ素を添加したｎ
型ＧａＩｎＮ混晶を７．０ｎｍ成長させてバリア層を形
成すると共に、不純物を添加しないundope−ＧａＩｎＮ
混晶を３．５ｎｍ成長させて井戸層を形成し、これらを
３周期積層することにより形成した。また、マグネシウ
ムを添加したｐ型ＧａＮを０．１μｍ成長させてｐ型ガ
イド層を形成し、マグネシウムを添加したｐ型Ａｌ0.08
Ｇａ0.92Ｎ混晶を０．５μｍ成長させてｐ型クラッド層
を形成し、マグネシウムを添加したｐ型ＧａＮを０．１
μｍ成長させてｐ側コンタクト層を形成した。
【００７４】なお、ＭＯＣＶＤ法により各層を形成する
際、ガリウムの原料ガスとしてはトリメチルガリウム、
アルミニウムの原料ガスとしてはトリメチルアルミニウ
ム、インジウムの原料ガスとしてはトリメチルインジウ
ム、窒素の原料ガスとしてはアンモニアをそれぞれ用い
た。また、ケイ素の原料ガスとしてはモノシランを用
い、マグネシウムの原料ガスとしてはビス＝シクロペン
タジエニルマグネシウムをそれぞれ用いた。
【００７５】ｐ側コンタクト層を形成したのち、ｐ側コ
ンタクト層，ｐ型クラッド層，ｐ型ガイド層，活性層，
ｎ型ガイド層，ｎ型クラッド層およびｎ側コンタクト層
を順次選択的にエッチングして、ｎ側コンタクト層を表
面に露出させた。続いて、後工程において形成するｐ側
電極の形成予定領域の長さ方向と平行にマスクを形成
し、このマスクを利用したＲＩＥ法によりｐ側コンタク
ト層およびｐ型クラッド層の一部を選択的にエッチング
して、ｐ型クラッド層の上部およびｐ側コンタクト層を
細い帯状とした。
【００７６】次いで、基板上の露出面全体に蒸着法によ
り二酸化ケイ素よりなる絶縁層を形成し、この絶縁層の
上に、レジスト膜を形成した。続いて、ＲＩＥを複数回
行い、ｐ側コンタクト層の表面以外の領域が絶縁層によ
り覆われた状態とした。
【００７７】そののち、ｐ側コンタクト層の表面および
その近傍に、パラジウム，白金および金を順次蒸着し、
ｐ側電極を形成した。また、絶縁層のｎ側コンタクト層
上の領域に開口を形成し、この開口に、チタン，アルミ
ニウム，白金および金を順次蒸着し、ｎ側電極を形成し
た。そののち、基板を８０μｍ程度の厚さとなるように
研削した。最後に、基板をｐ側電極の長さ方向と垂直に
所定の幅で劈開し、その劈開面に反射鏡膜を形成して、
半導体レーザを作製した。なお、上述した比較例５につ
いても実施例２と同様にして半導体レーザを作製した。
【００７８】更に、サブマウントおよびヒートシンクを
用意し、サブマウントを介してヒートシンク上に実施例
２および比較例５の半導体レーザをそれぞれ実装して、
半導体発光装置をそれぞれ組み立てたのち、室温で寿命
試験を行った。その結果、実施例２の半導体レーザで
は、２０ｍＷの出力下で１０００時間以上の寿命が得ら
れた。これに対して比較例５の半導体レーザの寿命は、
２０ｍＷの出力下で約１００時間であった。これは、実
施例２では、基板の反りの低減、およびそれに伴うＩＩ
Ｉ−Ｖ族窒化物半導体よりなる各層の反りの低減によ
り、サブマウントおよびヒートシンクと半導体レーザと
の密着性が高まり、半導体レーザから発生した熱が効率
よく放散されたためであると考えられる。
【００７９】以上、実施の形態および実施例を挙げて本
発明を説明したが、本発明は上記実施の形態および実施
例に限定されるものではなく、種々変形可能である。例
えば、上記各実施の形態では、コンタクト層およびガイ
ド層をＧａＮにより構成し、クラッド層をＡｌＧａＮ混
晶により構成し、活性層をＩｎＧａＮ混晶により構成す
るようにしたが、これらのＩＩＩ−Ｖ族窒化物半導体層
を、ＩＩＩ族元素のうちの少なくとも１種と窒素とを含
む他のＩＩＩ−Ｖ族窒化物半導体により構成するように
してもよい。また、上記第２の実施の形態では不純物を
添加しないundope−ＧａＮよりなる下地層６１および被
覆成長層６２を例に挙げて説明し、上記第３の実施の形
態ではundope−ＧａＮよりなる種結晶層７１を例に挙げ
て説明したが、これらの層についても、undope−ＧａＮ
以外のＩＩＩ−Ｖ族窒化物半導体により構成するように
してもよい。
【００８０】更に、上記各実施の形態では、基板１１を
サファイアにより構成するようにしたが、基板１１はＩ
ＩＩ−Ｖ族窒化物半導体と熱膨張係数の異なる材料によ
り構成されていればよい。このような材料としては、例
えば、炭化ケイ素（ＳｉＣ）やスピネル（ＭｇＡｌ2 Ｏ
4 ）が挙げられる。
【００８１】また、上記第１の実施の形態では、絶縁膜
４１を除去した後にｎ側コンタクト層２３を形成するよ
うにしたが、図１１に示したように、種結晶層２２の上
の絶縁膜４１を除去せずにｎ側コンタクト層２３を形成
するようにしてもよい。これにより、図１２に示したよ
うに、絶縁膜４１により貫通転位Ｍ1 が遮断され、種結
晶層２２からの貫通転位Ｍ1 の伝播が防止される。従っ
て、ｎ側コンタクト層２３には、会合に起因する貫通転
位Ｍ2 を除き結晶欠陥がほとんど存在せず、優れた結晶
性を有するＩＩＩ−Ｖ族窒化物半導体層を得ることがで
きる。但し、ｎ側コンタクト層２３を成長させる際に、
絶縁膜４１の構成材料が不純物としてｎ側コンタクト層
２３の中に混入してしまい、半導体レーザの特性を劣化
させるおそれなどもあるので、使用目的などに応じて適
宜の製造方法を選択することが好ましい。
【００８２】また、上記各実施の形態では、ＩＩＩ−Ｖ
族窒化物半導体層２０，６０をＭＯＣＶＤ法により形成
する場合について説明したが、ＭＢＥ法やハイドライド
気相成長法などの他の気相成長法により形成するように
してもよい。なお、ハイドライド気相成長法とは、ハロ
ゲンが輸送または反応に寄与する気相成長法のことをい
う。
【００８３】また、上記各実施の形態では、ｎ側コンタ
クト層２３，ｎ型クラッド層２４，ｎ型ガイド層２５，
活性層２６，ｐ型ガイド層２７，ｐ型クラッド層２８お
よびｐ側コンタクト層２９を順次積層するようにした
が、本発明は、他の構造を有する半導体レーザについて
も同様に適用することができる。例えば、ｎ型ガイド層
２５およびｐ型ガイド層２７を備えていなくてもよく、
活性層２６とｐ型ガイド層２７との間に劣化防止層を備
えていてもよい。更に、上記各実施の形態では、ｐ型ク
ラッド層２８の一部およびｐ側コンタクト層２９を細い
帯状とすることにより電流狭窄するようにしたが、他の
構造により電流狭窄するようにしてもよい。また、上記
各実施の形態においては利得導波型と屈折率導波型とを
組み合わせたリッジ導波型の半導体レーザを例に挙げて
説明したが、利得導波型の半導体レーザおよび屈折率導
波型の半導体レーザについても同様に適用することがで
きる。
【００８４】更に、上記第１の実施の形態では、基板１
１に凹部１１Ｂが設けられている場合について説明した
が、凹部１１Ｂは必ずしも設けられている必要なない。
但し、上述したように、凹部１１Ｂが設けられていれ
ば、製造時に欠陥の発生および結晶軸のずれを防止する
ことができるので、その方が好ましい。
【００８５】加えて、上記各実施の形態では、半導体素
子として半導体レーザを具体例に挙げて説明したが、本
発明は、発光ダイオードあるいは電界効果トランジスタ
などの他の半導体素子についても適用することができ
る。
【００８６】
【発明の効果】以上説明したように請求項１または請求
項２記載の半導体素子によれば、基板の上に、横方向成
長領域を有すると共に、厚さが８μｍ以下である半導体
層を設けるようにしたので、基板と半導体層との材質が
異なる場合であっても基板の反りを抑制することがで
き、かつＩＩＩ−Ｖ族窒化物半導体よりなる半導体層の
結晶性を向上させることができるという効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１の実施の形態に係る半導体レーザ
の要部の構成を表す断面図である。
【図２】図１に示した半導体レーザの製造方法を説明す
るための断面図である。
【図３】図１に示した半導体レーザの結晶部および開口
部の幅を適切に選ぶことによる利点を説明するための断
面図である。
【図４】図２に続く製造工程を説明するための断面図で
ある。
【図５】図１に示した半導体レーザの一部を表す模式図
である。
【図６】図４に続く製造工程を説明するための断面図で
ある。
【図７】図６に続く製造工程を説明するための断面図で
ある。
【図８】本発明の第２の実施の形態に係る半導体レーザ
の要部の構成を表す断面図である。
【図９】図８に示した半導体レーザの一部を表す模式図
である。
【図１０】本発明の実施例１〜５および比較例１〜５に
おいて得られた半導体レーザのＸ線回折ロッキングカー
ブの半値幅とＧａＮ層の厚さとの関係を表す特性図であ
る。
【図１１】図１に示した半導体レーザの他の変形例の係
る半導体レーザの要部の構成を表す断面図である。
【図１２】図１１に示した半導体レーザの一部を表す模
式図である。
【符号の説明】
１１…基板、１２…絶縁層、２０，６０…ＩＩＩ−Ｖ族
窒化物半導体層、２１…バッファ層、２２…種結晶層、
２２Ａ…結晶部、２２Ｂ…開口部、２３，６３…ｎ側コ
ンタクト層、２４…ｎ型クラッド層、２５…ｎ型ガイド
層、２６…活性層、２７…ｐ型ガイド層、２８…ｐ型ク
ラッド層、２９…ｐ側コンタクト層、３１…ｐ側電極、
３２…ｎ側電極、６１…下地層、６２…被覆成長層、６
４…マスク部、Ｍ1 ，Ｍ2 …貫通転位
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 池田 昌夫 宮城県白石市白鳥三丁目53番地の２ ソニ ー白石セミコンダクタ株式会社内 (72)発明者 浅野 竹春 宮城県白石市白鳥三丁目53番地の２ ソニ ー白石セミコンダクタ株式会社内 (72)発明者 池田 真朗 宮城県白石市白鳥三丁目53番地の２ ソニ ー白石セミコンダクタ株式会社内 (72)発明者 日野 智公 宮城県白石市白鳥三丁目53番地の２ ソニ ー白石セミコンダクタ株式会社内 (72)発明者 渋谷 勝義 宮城県白石市白鳥三丁目53番地の２ ソニ ー白石セミコンダクタ株式会社内 Ｆターム(参考） 5F041 AA40 AA44 CA04 CA05 CA34 CA40 CA46 CA65 CA75 5F073 AA13 AA45 AA74 AA89 CB05 DA05 EA28 EA29

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 基板の一面側に、ＩＩＩ族元素のうちの
    少なくとも１種とＶ族元素のうちの少なくとも窒素
    （Ｎ）とを含むＩＩＩ−Ｖ族窒化物半導体よりなる半導
    体層を備えた半導体素子であって、 前記半導体層はＩＩＩ−Ｖ族窒化物半導体が横方向に成
    長されてなる横方向成長領域を部分的に有すると共に、
    前記半導体層の厚さが８μｍ以下であることを特徴とす
    る半導体素子。
  2. 【請求項２】 前記半導体層は、 ＩＩＩ−Ｖ族窒化物半導体の結晶よりなる結晶部および
    溝部を含む第１の結晶層と、 ＩＩＩ−Ｖ族窒化物半導体の結晶よりなり、前記第１の
    結晶層の結晶部を覆うように設けられた第２の結晶層と
    を有することを特徴とする請求項１記載の半導体素子。
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