JP2002314198A

JP2002314198A - 半導体レーザ

Info

Publication number: JP2002314198A
Application number: JP2001115174A
Authority: JP
Inventors: Shiro Uchida; 史朗内田
Original assignee: Sony Corp
Current assignee: Sony Corp
Priority date: 2001-04-13
Filing date: 2001-04-13
Publication date: 2002-10-25

Abstract

(57)【要約】【課題】簡易な構成で高出力を達成することが可能な
ＩＩＩ−Ｖ族窒化物半導体層からなるマルチビームの半
導体発光素子を提供する。【解決手段】基板１の上にバッファ層２、種結晶層３
が形成され、その上に帯状の成長抑止層４Ａ，開口部４
Ｂが所定の間隔で交互に設けられている。更にその上に
は、横方向成長技術により開口部４Ｂから成長させたＧ
ａＮの窒化物半導体層５が形成されている。窒化物半導
体層５には、横方向成長領域を含む低欠陥部分と、開口
部４Ｂの上部と会合部Ｍに発生する貫通転位Ｄ₁，Ｄ₂
を含んだ高欠陥領域とが存在する。これらは、成長抑止
層４Ａの間隔に従って周期的に形成されている。このう
ち低欠陥部分の上に発光部２０が所定の間隔で周期的に
形成され、高欠陥部分を除去したところへｎ側電極１４
が形成されている。この発光部２０は、ｐ側電極１３を
マスクとしたエッチングにより一度に形成される。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、窒化物系ＩＩＩ−
Ｖ族化合物よりなる半導体レーザに係り、特に、複数の
発光部を有する半導体レーザに関する。

【０００２】

【従来の技術】ＧａＮ，ＡｌＧａＮ混晶あるいはＧａＩ
ｎＮ混晶などに代表される窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物
は、そのいずれもが直接遷移型の半導体である。しか
も、この系においては、バンドギャップは室温で１．９
ｅＶ〜６．２ｅＶと広範にわたり、これに対応して紫外
域から可視全域に対する発光が得られることから、半導
体レーザ(Laser Diode；ＬＤ）の材料として注目されて
いる。

【０００３】この半導体レーザは、基板上に気相成長法
を用いて積層された窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体
層により発光部が構成されている。その場合の基板に
は、通常、窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物とは異なる材質
のものが用いられており、主にサファイア（α−Ａｌ₂
Ｏ₃）基板が使用されている。しかし、サファイアと窒
化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物とは格子定数や熱膨張係数の
差が大きく、窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物層には基板と
の歪みを緩和するために転位などの格子欠陥が発生す
る。実際、欠陥密度は１０¹⁰〜１０¹¹ｃｍ^-2と非常に高
いものとなり、欠陥部分は、電子と正孔とが再結合して
も発光しない非発光中心あるいは電流リーク箇所となる
ことから、素子の特性を損なう要因となっていた。

【０００４】こうした結晶欠陥を低減させる方法とし
て、近年、横方向成長により結晶層を形成する技術が注
目されている。その例として、下地となる窒化物半導体
層の上に開口部を有するマスクを形成し、開口部から表
出する窒化物半導体層を基礎として窒化物半導体を成長
させる方法が挙げられる。その際に成長条件を選べば、
開口部から上方に成長する縦方向成長に比べて、開口部
からマスクに沿って水平方向に成長する横方向成長のほ
うが速度が速くなり、結晶は主に横方向に成長する。そ
して最終的には、横方向成長した結晶同士が会合し、１
つの層が形成される。このようにして形成された層にお
いては、開口部の真上にあたる領域および会合部では基
礎となる層からの転位が層内を貫通するように伝播する
ものの、横方向成長領域では転位も横方向に屈曲するた
めに上層部へ伝播することは少ない。よって、その上に
成長させる窒化物半導体層に伝播する転位が少なくな
り、全体として低欠陥の半導体層を積層することができ
る。

【０００５】その他、サファイア基板上に窒化物系ＩＩ
Ｉ−Ｖ族化合物からなる凸状の結晶部を設け、結晶部を
基礎としてその間の離間部に結晶を成長させる技術が提
案されている。この場合も横方向成長が支配的であるよ
うに成長条件を設定して、結晶部の側面側から積層方向
とは異なる方向に成長させることにより前述の方法と同
様な横方向成長領域が形成される。

【０００６】こうして形成される窒化物半導体層では、
横方向成長領域の欠陥密度を１０⁴〜１０⁶ｃｍ^-2にま
で低減させ、その上面付近を実質的に無転位とすること
も可能である。そこで、これらの技術によって得られる
良質な窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物結晶を用いて発光素
子の特性を向上させることが望まれているが、そのよう
な場合であっても、横方向成長領域以外の領域に生じる
貫通転位が素子特性の劣化を招いていた。

【０００７】以上のような欠陥に由来する問題は、サフ
ァイア基板などに代えてＧａＮ等の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ
族化合物基板を使用することにより軽減されると考えら
れ、近年になって検討が進んでいる。窒化物系ＩＩＩ−
Ｖ族化合物よりなる基板は、例えば、サファイアなどよ
りなる成長用基体の上に成長させた後、成長用基体から
分離することにより製造される。この窒化物系ＩＩＩ−
Ｖ族化合物基板を用いるようにすれば、上述の問題を解
決出来ると共に、サファイア基板に比して優れた熱伝導
性を得ることができ、素子駆動時に効率よく熱を放散す
ることができるという利点がある。また、不純物を添加
して導電性を付与することで基板の裏面に電極を設ける
ことが可能となり、素子サイズが縮小される等の利点を
持つ。但し、欠陥密度が１０⁶ｃｍ^-2台以下であるよう
な、充分に結晶性が良好である窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化
合物基板は未だ開発されておらず、この種の基板を用い
る場合においてもやはり横方向成長技術を利用して結晶
欠陥を低減させることが必要となっている。

【０００８】なお、基板表面の結晶性を均一にするため
に、これらの技術では、通常、複数設けられる種結晶や
マスクは数μｍ単位の周期構造となっており、転位もそ
れに伴って周期的に生じている。そのため、基板上面の
転位の少ない領域を選択することは可能であり、半導体
レーザ等の発光素子（厳密には発光領域を含むストライ
プ部分）をこのような低欠陥領域上に形成することがで
きた。

【０００９】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、高出力
のレーザを作製するにあたり、高出力化のために発光部
を例えばストライプ幅が１０μｍ程度もあるワイドスト
ライプに設計する場合には、マスクの開口部や結晶部の
上部に存在する貫通転位を完全に避けて発光部を形成す
ることは実質上困難であった。そのため、転位に起因す
る非発光再結合などによる素子特性の劣化、とりわけ発
光出力の低下を招く結果となり、ワイドストライプレー
ザにより１００ｍＷ以上の高出力を得ることは困難であ
った。

【００１０】なお、１つの基板上に複数の発光部を作り
付けたマルチビームレーザは、従来よりプリンタ用途な
どに開発されてきているが、他に抜きんでて優れた特徴
を有する（反面、良質の結晶を得ることが難しい）窒化
物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物がマルチビームレーザに用いら
れることはほとんどなく、また、窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族
化合物のマルチビームレーザであって、例えば１００ｍ
Ｗ以上であるような高出力レーザが得られることもなか
った。

【００１１】本発明はかかる問題点に鑑みてなされたも
ので、その目的は、簡易な構成で高出力を達成すること
が可能な窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物からなるマルチビ
ームの半導体レーザを提供することにある。

【００１２】

【課題を解決するための手段】本発明による半導体レー
ザは、窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物よりなり、結晶部と
離間部とを有する種結晶部と、この種結晶部を基に形成
された低欠陥領域、および、種結晶部の離間部に対応す
る領域に形成された会合部を含む窒化物半導体層と、各
々、前記窒化物半導体層の低欠陥領域に対応して電流注
入領域を有する複数の発光部とを備えている。

【００１３】本発明による半導体レーザでは、全ての発
光部が窒化物半導体層の低欠陥領域の上部に設けられる
ので、個々の発光部は欠陥の影響を避けて材料の本来的
な発光出力で発光する。

【００１４】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て、図面を参照して詳細に説明する。

【００１５】［第１の実施の形態］図１は本発明の第１
の実施の形態に係る半導体レーザの構成を表したもので
あり、図２は図１の部分拡大図である。この半導体レー
ザは、窒化物半導体層５の上に発光部２０が複数設けら
れた構造をしている。ここで、基板１は、例えばサファ
イアからなり、そのｃ面上にバッファ層２が設けられて
いる。バッファ層２は、種結晶層３を成長させる際の核
となるものであり、例えば、厚みが０．０１μｍ〜２．
０μｍの不純物を添加しないundope−ＧａＮからなる。

【００１６】種結晶層３は、窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合
物からなっている。ここでいう窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化
合物とは、ガリウム（Ｇａ），アルミニウム（Ａｌ），
ホウ素（Ｂ）あるいはインジウム（Ｉｎ）等のＩＩＩ族
元素群のうちの少なくとも１種とＶ族元素のうちの少な
くとも窒素（Ｎ）とを含むものであり、具体的には、厚
みが２μｍのundope−ＧａＮからなり、図２に細線で示
したように積層方向に延びる貫通転位が１０⁸〜１０⁹
ｃｍ^-2ほど生じている。種結晶層３の上には、帯状に延
びる複数の成長抑止層４Ａが設けられ、互いに隣接する
成長抑止層４Ａの間が開口部４Ｂとなっている。この成
長抑止層４Ａの厚みは例えば３００μｍであり、成長抑
止層４Ａおよび開口部４Ｂのそれぞれの幅は、例えば８
μｍおよび４μｍとすることができる。ここでは、成長
抑止層４Ａおよび開口部４Ｂは、幅方向に対し所定の間
隔で周期的に設けられている。また、成長抑止層４Ａ
は、例えば、二酸化ケイ素（ＳｉＯ₂）_,窒化ケイ素
（Ｓｉ₃Ｎ₄）_,酸化アルミニウム（Ａｌ₂Ｏ₃）など
の誘電体材料、または，タングステン（Ｗ）モリブデン
（Ｍｏ）などの高融点金属により構成されている。な
お、ここでは、開口部４Ｂから表出する種結晶層３が本
発明の「結晶部」に対応し、成長抑止層４Ａおよびその
上方の領域が本発明の「離間部」に対応している。

【００１７】更にその上には、開口部４Ｂから表出する
種結晶層３を基礎として成長抑止層４Ａの上に成長させ
ることにより、窒化物半導体層５が形成されている。窒
化物半導体層５もまた窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物、例
えば、厚みが１０μｍのundope−ＧａＮにより構成さ
れ、図２のように、種結晶層３を基礎として開口部４Ｂ
から縦方向（層厚み方向）Ｌ₁と横方向（層面に平行方
向）Ｌ₂とに成長したものである。この窒化物半導体層
５のうち、丁度成長抑止層４Ａの真上中央付近には、隣
り合う開口部４Ｂより横方向成長した結晶同士が会合す
る会合部Ｍが存在する。なお、種結晶層３の貫通転位は
成長抑止層４Ａによって伝播が阻止され、開口部４Ｂか
ら窒化物半導体層５に伝播された転位については、更に
その上層部にまで達する貫通転位Ｄ₁と、成長方向（横
方向Ｌ₂）に湾曲するものとが存在する。

【００１８】従って、窒化物半導体層５の上面に伝わる
主な転位は、開口部４Ｂの上部に伝播する貫通転位Ｄ₁
と、会合部Ｍに沿った貫通転位Ｄ₂である。これら貫通
転位Ｄ₁，Ｄ₂は、ここでは成長抑止層４Ａおよび開口
部４Ｂと同様の周期で生じている。また、横方向成長領
域を含むこれら以外の部分では、転位密度は１０⁴〜１
０⁶ｃｍ^-2程度となっている。

【００１９】窒化物半導体層５の上には、ｎ側コンタク
ト層６，ｎ型クラッド層７，第１のガイド層８，活性層
９，第２のガイド層１０，ｐ型クラッド層１１およびｐ
側コンタクト層１２が順次積層されており、発光部２０
が構成されている。発光部２０は、窒化物半導体層５の
貫通転位Ｄ₁，Ｄ₂の周辺を避け、その横方向成長領域
を含む低欠陥領域の上面に形成されており、ここでは、
成長抑止層４Ａ，開口部４Ｂ（つまりは貫通転位Ｄ₁，
Ｄ₂）の周期に従って周期的に並んでいる。

【００２０】ｎ側コンタクト層６は、例えば、厚みが４
μｍであり、ケイ素（Ｓｉ）などのｎ型不純物を添加し
たｎ型ＧａＮにより構成されている。ｎ型クラッド層７
は、例えば、厚みが０．８μｍであり、ケイ素（Ｓｉ）
などのｎ型不純物を添加したｎ型ＡｌＧａＮ混晶により
構成されている。第１のガイド層８は、例えば、厚みが
０．１μｍのｎ型ＧａＮにより構成されている。

【００２１】活性層９は、例えば、不純物を添加しない
undope−ＧａＩｎＮ混晶により構成され、井戸の厚みが
３ｎｍ、バリア層の厚みが１０ｎｍの多重量子井戸構造
となっている。ここでは、活性層９の全体が電流注入領
域となっており、電流の注入により発光する。

【００２２】更に、第２のガイド層１０は、例えば、厚
みが０．１μｍであり、マグネシウム（Ｍｇ）などのｐ
型不純物を添加したｐ型ＧａＮにより構成されている。
ｐ型クラッド層１１は、例えば、厚みが０．５μｍであ
り、マグネシウム（Ｍｇ）などのｐ型不純物を添加した
ｐ型ＡｌＧａＮ混晶により構成されている。ｐ側コンタ
クト層１２は、例えば、厚みが０．１μｍのｐ型ＧａＮ
により構成されている。

【００２３】更に、発光部２０の上、すなわちｐ側コン
タクト層１２の直上には、ｐ側電極１３が全面に形成さ
れている。このｐ側電極１３は、ｐ側コンタクト層１２
と電気的に接続されており、その平面形状が発光部２０
と一致している。このようなｐ側電極１３は、例えば、
ｐ側コンタクト層１２の側よりパラジウム（Ｐｄ），白
金（Ｐｔ），金（Ａｕ）が順次積層された構造を有して
いる。なお、ｐ側電極１３の材料としては、その他にも
例えば、ニッケル（Ｎｉ），タングステン（Ｗ），チタ
ン（Ｔｉ）などが挙げられ、Ｎｉ／ＰｔやＰｄ／Ｐｔな
どの上記パラジウム（Ｐｄ），白金（Ｐｔ）と併せた以
上の材料のうちから少なくとも２つを組み合わせて用い
ることも可能である。

【００２４】一方、隣り合う発光部２０の間には、例え
ば帯状のｎ側電極１４がｎ側コンタクト層６の上に設け
られている。ｎ側電極１４は、例えば、ｎ側コンタクト
層６の側から順にチタン（Ｔｉ），アルミニウム（Ａ
ｌ）が積層された構造あるいはＴｉ／Ｐｔ／Ａｕの積層
構造を有しており、ｎ側コンタクト層６と電気的に接続
されている。ここでは、このｎ側電極１４もまた発光部
２０やｐ側電極１３と同様に幅方向に対して周期的に設
けられている。

【００２５】更に、隣り合う発光部２０の対向面すなわ
ち発光部２０の側面から、ｎ側コンタクト層６の上のｎ
側電極１４が付設されていない領域にかけては、絶縁層
１５により覆われている。絶縁層１５としては、例えば
二酸化ケイ素（ＳｉＯ₂）_,窒化ケイ素（ＳｉＮ）_,２
酸化ジルコニウム（ＺｒＯ₂）や４酸化ジルコニウム
（ＺｒＯ₄）などの絶縁膜を用いることができる。

【００２６】このような構成の半導体レーザは次のよう
にして製造することができる。なお、以下で参照する各
工程図には、１つの半導体レーザの一部を代表として示
している。

【００２７】まず、図３（Ａ）に示したように、複数の
半導体レーザ形成領域を有すると共に、例えばサファイ
アよりなる厚さ４００μｍの基板１を用意し、ＭＯＣＶ
Ｄ法により、基板１のｃ面にundope−ＧａＮよりなるバ
ッファ層２を形成する。その際、例えば、基板１の温度
は５２０℃と低くし、非晶質に近い結晶層を成長させ
る。また、原料にはトリメチルガリウム（（ＣＨ₃）₃
Ｇａ）とアンモニア（ＮＨ₃）を用いる。

【００２８】次に、バッファ層２の上に、例えばＭＯＣ
ＶＤ法により同様にしてundope−ＧａＮよりなる種結晶
層３を形成する。但し、基板１の温度は例えばバッファ
層２を成長させる場合よりも高温の１０２０℃とし、結
晶層を成長させる。なお、この種結晶層３には図２にお
いて細線で示したように高密度の貫通転位が存在してい
る。

【００２９】続いて、図３（Ｂ）に示したように、種結
晶層３の上に、帯状に延長された複数の開口部４Ｂと成
長抑止層４Ａとをそれぞれ形成する。ここでは、これら
は幅方向に対して所定の間隔で設けられる。具体的に
は、まず、例えばＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition
）法により基板１の温度を３００℃として二酸化ケイ
素層を形成し、その上に図示しないレジスト膜を塗布形
成してフォトリソグラフィにより複数の平行な帯状のマ
スクパターンを形成し、更にこれをマスクとしてエッチ
ングを行い、二酸化ケイ素層を除去する。残された二酸
化ケイ素層が成長抑止層４Ａであり、それ以外の除去部
分が開口部４Ｂに相当する。

【００３０】次に、図３（Ｃ）に示したように、成長抑
止層４の上に、例えばＭＯＣＶＤ法によりundope−Ｇａ
Ｎよりなる窒化物半導体層５を成長させる。このとき、
初めは各開口部４Ｂにおいてその幅方向の断面が三角形
となるような選択成長が行なわれる。これらの結晶領域
には、種結晶層３からの貫通転位が伝播している。更に
成長が進むと、横方向成長の方が縦方向成長より速度が
速いために、各開口部４Ｂにおける結晶は幅方向の断面
が台形状となり、横方向成長によって次第に両脇のマス
ク部４Ａの上部を覆ってゆく。横方向には貫通転位は伝
播しないので、マスク部４Ａの上部に貫通転位はほとん
ど存在しない。また同時に、開口部４Ｂを通過してきた
転位は、そのまま上層部に伝播する貫通転位Ｄ₁がある
ものの、横方向に屈曲してゆく。そして遂には、隣り合
う開口部４Ｂから横方向に成長した結晶がマスク部４Ａ
の真上中央付近にて会合し、会合部Ｍが形成されると共
に、この会合部Ｍに向かって収束した転位が窒化物半導
体層５を貫く貫通転位Ｄ₂となる。このようにして会合
した結晶を十分に成長させると、上部が平坦面となり、
窒化物半導体層５が１つの層として形成される（図２参
照）。

【００３１】従って、窒化物半導体層５では、各開口部
４Ｂの上部および各会合部Ｍに層上面にまで達するよう
な貫通転位Ｄ₁，Ｄ₂が周期的に生じると共に、これら
以外のマスク部４Ａの上部にあたる領域、すなわち横方
向成長領域は、転位が少なく欠陥密度が非常に低い低欠
陥領域となる。

【００３２】次に、図４に示したように、窒化物半導体
層５の上に、例えば、ｎ型ＧａＮよりなるｎ側コンタク
ト層６，ｎ型ＡｌＧａＮよりなるｎ型クラッド層７，ｎ
型ＧａＮよりなる第１のガイド層８，undope−ＧａＩｎ
Ｎよりなる活性層９，ｐ型ＧａＮよりなる第２のガイド
層１０，ｐ型ＡｌＧａＮよりなるｐ型クラッド層１１お
よびｐ型ＧａＮよりなるｐ側コンタクト層１２を例えば
ＭＯＣＶＤ法を用いて順次成長させる。

【００３３】なお、その際には、例えば、基板１の温度
は８００〜１０００℃とし、アルミニウムの原料として
はトリメチルアルミニウム（（ＣＨ₃）₃Ａｌ）、ガリ
ウムの原料としてはトリメチルガリウム、インジウムの
原料としてはトリメチルインジウム（（ＣＨ₃）₃Ｉ
ｎ）および窒素の原料ガスとしてはアンモニアガスをそ
れぞれ用いる。また、ｎ型不純物としてケイ素を添加す
る場合には、ケイ素の原料ガスとしてモノシランガス
（ＳｉＨ₄）を用い、ｐ型不純物としてマグネシウムを
添加する場合には、マグネシウムの原料としてビス＝メ
チルシクロペンタジエニルマグネシウム（（ＣＨ₃Ｃ₅
Ｈ₄）₂Ｍｇ）あるいはビス＝シクロペンタジエニルマ
グネシウム（（Ｃ₅Ｈ₅）₂Ｍｇ）をそれぞれ用いる。

【００３４】これにより、ｎ側コンタクト層６〜ｐ側コ
ンタクト層１２の各層には、開口部４Ｂからの貫通転位
Ｄ₁および会合部Ｍからの貫通転位Ｄ₂が伝播し、その
部位は周期的に形成された高欠陥領域となる一方、それ
以外の部位では良好な結晶性が得られる。

【００３５】次に、図５に示したように、ｐ側コンタク
ト層１２の上に、帯状に延長された複数のｐ側電極１３
を例えばフォトリソグラフィ技術およびエッチング技術
を用いて所定の位置に形成する。ｐ側電極１３は次に説
明するストライプ形成の際のマスクとしても機能するも
のであり、ここでは、各ｐ側電極１３が、窒化物半導体
層５における開口部４Ｂ，会合部Ｍの上部にあたる高欠
陥領域を避け、窒化物半導体層５において比較的低欠陥
である領域の上部に位置するように所定の間隔で周期的
に設けられる。

【００３６】次に、図６に示したように、このｐ側電極
１３をマスクとして、例えばＲＩＥ（Reactive Ion Etc
hing；反応性イオンエッチング）などのドライエッチン
グを行い、ｐ側コンタクト層１２，ｐ型クラッド層１
１，第２のガイド層１０，活性層９，第１のガイド層８
およびｎ型クラッド層７を順次選択的に除去し、ｎ側コ
ンタクト層６を露出させる。これにより、平面形状がｐ
側電極と一致するストライプ状の発光部２０が、所定の
間隔で周期的に形成される。従って、この発光部２０は
ｐ側電極１３と同じく低欠陥領域に形成され、逆に、こ
のときエッチング除去される部分は、開口部４Ｂ，会合
部Ｍの上部にあたる高欠陥領域となる。

【００３７】次に、図７に示したように、各発光部２０
の両側面および露出した各ｎ側コンタクト層６の上に、
例えば蒸着法により二酸化ケイ素からなる絶縁層１５を
形成する。更に、ｎ側コンタクト層６の上の絶縁層１５
に開口を設け、そこに帯状に延長された複数のｎ側電極
１４を所定の間隔で周期的に形成する。具体的には、絶
縁層１５の所定位置を開口し、例えば真空蒸着法により
チタン（Ｔｉ），アルミニウム（Ａｌ）および金（Ａ
ｕ）を順次蒸着して形成する。

【００３８】そののち、基板１を例えば８０μｍ程度の
厚さとなるように研削する。更に、基板１をｐ側電極１
３の長さ方向と垂直に所定の幅で劈開し、その劈開面に
図示しない反射鏡膜を形成する。

【００３９】なお、このような複数の発光部２０を有す
る半導体レーザでは、一般に、個々の発光部上部に設け
られた電極とリード線との接続不良を防止するため、半
導体レーザはそれぞれの電極用に配線が設けられた配線
基板の上に固定される。例えば、特開平５−３３５６８
５号公報に開示された技術によれば、図１７のように、
配線基板１００の上の電極配線１０１に対して発光部の
上部側の電極１１３および発光部の基底部側の電極１１
４が接続される。発光部の基底部側の電極１１４は複数
の発光部の両端の計２カ所に設けられており、２つの電
極が全ての発光部と導通するようになっている。本実施
の形態においても、ｎ側電極１４をそれぞれの発光部２
０の共通電極として用いて、図１のような半導体レーザ
を例えば配線基板１００のような基板上に設置し配線を
施すことが可能である。

【００４０】しかしながら、ここでは、個々の発光部２
０に対して１つずつｎ側電極１４を設けるようにしてい
る。ｎ側電極１４を共通電極とすれば、それぞれの発光
部におけるｐ側電極１３と共通電極との距離がそれぞれ
異なることとなり、より電極から遠い発光部では電極間
の電圧あるいは抵抗が増大し、素子の動作特性に影響が
でるためである。従って、配線基板には、ｎ側電極１４
に対してもそれぞれに電極配線を設ける方が、より好ま
しい。

【００４１】この半導体レーザでは、ｐ側電極１３とｎ
側電極１４の間に所定の電圧が印加されると、活性層９
に電流が注入され、電子−正孔再結合により発光が起こ
る。ここでは、ｐ側電極１３と発光部２０の平面形状が
一致しているために、活性層９の全部がｐ側電極１３か
ら電流が注入される電流注入領域となっている。また、
発光部２０は窒化物半導体層５の低欠陥領域に形成され
ているので、欠陥部分にレーザ光が吸収されることによ
る劣化が起こりにくく、駆動中の動作電流の増大が抑え
られ、素子の寿命が長くなると共に発光出力が向上す
る。

【００４２】このように本実施の形態に係る半導体レー
ザによれば、種結晶層３の上に開口部４Ｂを有する成長
抑止層４Ａを設け、開口部４Ｂから表出する種結晶層３
を基礎として横方向成長により窒化物半導体層５を形成
し、なおかつ、窒化物半導体層５における転位および欠
陥の少ない低欠陥領域の上に発光部２０を設けるように
したので、発光部２０内部の各層についても貫通転位の
密度が低く、低欠陥となっている。同時に、多数の貫通
転位Ｄ₁，Ｄ₂が存在し、高欠陥領域となっている開口
部４Ｂ，会合部Ｍ付近は、発光部２０の形成によって削
除される。よって、貫通転位などに起因する非発光再結
合の割合を小さくすることができ、発光効率を向上させ
出力を増大させることができる。また、活性層９に代表
される発光部２０の各窒化物半導体層は、欠陥に起因す
る劣化が起こりにくく、長寿命化を図ることができる。

【００４３】また、本実施の形態では、成長抑止層４Ａ
および開口部４Ｂの間隔に周期性をもたせることによ
り、窒化物半導体層５に生じる貫通転位Ｄ₁，Ｄ₂の位
置を制御し、予め決められる周期間隔で発光部２０を形
成するようにしたので、複数の発光部２０を、一度に簡
便な方法で精度良く窒化物半導体層５の所望の領域上に
形成することができる。

【００４４】更に、ｐ側電極１３を直接ｐ側コンタクト
層１２の直上に設けるようにしたので、コンタクト抵抗
を低減することができる。また、ｐ側電極１３をマスク
として発光部２０のストライプを形成するようにしたの
で、このような半導体レーザを簡易な構造とすることが
でき、簡便な方法で製造することができる。

【００４５】また、共通電極を設けず、個々の発光部２
０に対してｎ側電極１４を設けるようにしたので、全て
の発光部２０を同時に動作させることができ、発光部２
０の各々から所望の特性を得ることができる。

【００４６】［第２の実施の形態］図８は第２の実施の
形態に係る半導体レーザの構成を表したものであり、図
９は図８の部分拡大図である。この半導体レーザは、基
板３１の上に設けられる種結晶部３３から窒化物半導体
層３５が成長すること、および、この窒化物半導体層３
５がｎ側コンタクト層として機能することを除いては、
第１の実施の形態と同様である。従って、第１の実施の
形態と同一の構成要素には同一の符号を付し、その説明
を省略する。

【００４７】基板３１は、例えばサファイアからなり、
そのｃ面からなる上面に所定の間隔でエッチング等によ
り掘り込まれる凹部３１Ｂを有している。基板３１の凹
部３１Ｂ以外の上面には、例えばストライプ状に結晶部
３３Ａが設けられ、隣接する結晶部３３Ａの間は離間部
３３Ｂとなっている。

【００４８】結晶部３３Ａは、窒化物半導体層３５を成
長させる際の核となるものであり、例えば、厚みが２μ
ｍの不純物を添加しないundope−ＧａＮからなる。これ
ら結晶部３３Ａおよび離間部３３Ｂのそれぞれの幅は、
例えば、２μｍ〜４μｍおよび１０μｍ〜２０μｍであ
り、ここでは、これらが交互に周期的に設けられるよう
になっている。なお、結晶部３３Ａには、図９に細線で
示すように、積層方向に延びる貫通転位Ｄ₁が生じてお
り、その転位密度は非常に高い。

【００４９】更にその上には、窒化物半導体層３５が設
けられている。窒化物半導体層３５は、例えば、厚みが
４μｍのｎ型不純物としてケイ素（Ｓｉ）を添加したｎ
型ＧａＮにより構成される。なお、図９のように、窒化
物半導体層３５は結晶部３３Ａを基礎として縦方向（層
厚み方向）Ｌ₁と横方向（層面に平行方向）Ｌ₂とに成
長したものであり、離間部３３Ｂの丁度中央付近には、
隣り合う結晶部３３Ａから横方向成長した結晶同士が会
合する会合部Ｍが存在する。ここでは、凹部３１Ｂによ
り窒化物半導体層３５が基板３１との間に隙間を生じる
ようになっており、両者が接触して窒化物半導体層３５
に転位が生じることが防止されている。このとき、結晶
部３３Ａの貫通転位Ｄ₁は、上面の縦方向成長領域には
伝播するが、横方向成長領域に伝わることはない。一
方、横方向成長領域では、会合部Ｍに沿って貫通転位Ｄ
₂が生じる。従って、窒化物半導体層３５において、そ
の上面にまで伝播される主要な転位はこれら貫通転位Ｄ
₁，Ｄ₂であり、これらの周辺部以外の領域は、転位の
密度が１０⁴〜１０⁶ｃｍ^-2程度と低く、欠陥が少ない
低欠陥領域となっている。なお、ここでは、貫通転位Ｄ
₁，Ｄ₂もまた結晶部３３Ａおよび離間部３３Ｂと同様
の周期で生成している。

【００５０】このような窒化物半導体層３５の上には、
ｎ側コンタクト層６，ｎ型クラッド層７，第１のガイド
層８，活性層９，第２のガイド層１０，ｐ型クラッド層
１１およびｐ側コンタクト層１２が第１の実施の形態と
同様に順次積層され、発光部２０が構成されている。ま
た、隣り合う発光部２０の間には、ｎ側電極１４がｎ側
コンタクト層６の上に設けられており、更に、隣り合う
発光部２０の対向面からｎ側コンタクト層６の上のｎ側
電極１４が付設されていない領域にかけて絶縁層１５が
設けられている。

【００５１】次に、このような半導体レーザの作製方法
を図８，図９および図１０〜図１５を参照しながら説明
する。

【００５２】まず、図１０（Ａ）に示したように、複数
の半導体レーザ形成領域を有すると共に例えばサファイ
アよりなる厚さ４００μｍの基板３１を用意し、基板３
１のｃ面上に、例えばＭＯＣＶＤ法により不純物を添加
しないundope−ＧａＮの結晶を２μｍ程度の厚みに成長
させ、後述する種結晶部３３（図１１参照）を形成する
ための種結晶層用成長層３３ａを形成する。なお、ＭＯ
ＣＶＤは、常圧雰囲気中，減圧雰囲気中または加圧雰囲
気中のいずれの雰囲気中においても行うことが可能であ
るが、良質の結晶を得るには、加圧雰囲気中において行
うことが好ましい。

【００５３】次いで、図１０（Ｂ）に示したように、例
えば、ＣＶＤ法により二酸化ケイ素（ＳｉＯ₂）よりな
る絶縁膜３４を形成する。なお、この絶縁膜３４は、窒
化ケイ素（Ｓｉ₃Ｎ₄）などにより形成することもで
き、窒化ケイ素膜と二酸化ケイ素膜との積層構造として
もよい。

【００５４】そののち、図１０（Ｃ）に示したように、
絶縁膜３４を部分的に除去し、例えば帯状に延長される
所定形状を選択的に形成する。具体的には、まず絶縁膜
３４の上にストライプ状のフォトレジスト膜を成膜し、
更に、このフォトレジスト膜をマスクとして例えばＲＩ
Ｅにより絶縁膜３４を部分的に除去したのちに、フォト
レジスト膜を除去する。

【００５５】次に、図１１（Ａ）に示したように、絶縁
膜３４をマスクとして、例えば塩素ガス（Ｃｌ₂）をエ
ッチングガスとしたＲＩＥを行って、種結晶層用成長層
３３ａの絶縁膜３４に覆われていない部分を除去する。
これにより、種結晶層用成長層３３ａは、所定の間隔で
結晶部３３Ａと離間部３３Ｂとが交互に並ぶ種結晶部３
３となる。

【００５６】続いて、絶縁膜３４をマスクとして例えば
ＲＩＥを行い、更に、基板３１の絶縁膜３４に覆われて
いない部分を除去する。具体的には、例えば、エッチン
グガスに塩素ガスを用い、基板温度０℃，圧力０．５Ｐ
ａの条件で行う。これにより、基板３１の上面に凹部３
１Ｂが離間部３３Ｂと連続するように形成される。な
お、この基板３１に対するエッチング工程は、種結晶層
用成長層３３ａのエッチングと連続的に行ってもよく、
別工程として行うこともまた可能である。

【００５７】この凹部３１Ｂの深さは１００ｎｍ以上で
あることが好ましい。後述する窒化物半導体層３５（図
１２参照）は、結晶部３３Ａからの横方向成長が真横で
はなく、若干基板３１側に進行し、基板３１と接触する
可能性がある。また、凹部３１Ｂが設けられていない場
合には、窒化物半導体層３５は基板３１と接触するよう
に成長するが、その場合に横方向成長した結晶同士が会
合せず、実質的に平坦な面が得られない虞がある。以上
を回避し、窒化物半導体層３５と基板３１との接触を効
果的に防止するためには、凹部３１Ｂの深さを充分にと
る必要があるからである。

【００５８】次に、図１１（Ｂ）に示したように、例え
ば、エッチング剤としてフッ化水素（ＨＦ）を含む水溶
液を用いたエッチングを行って絶縁膜１３を除去する。

【００５９】次に、図１２に示したように、例えばＭＯ
ＣＶＤ法を用いてｎ型不純物としてケイ素（Ｓｉ）を添
加したｎ型ＧａＮの結晶を４μｍ程度成長させることに
より、窒化物半導体層３５を形成する。このとき、Ｇａ
Ｎの結晶成長は、結晶部３３Ａの上面および離間部３３
Ｂに面する側壁面からそれぞれ縦方向（層厚み方向）Ｌ
₁と横方向（層面に平行方向）Ｌ₂とに進行する（図
９）。その際に、縦方向Ｌ₁では結晶部３３Ａの有する
貫通転位Ｄ₁が伝播される。一方、横方向Ｌ₂では、貫
通転位Ｄ₁は横方向に屈曲してゆき、ほとんど存在しな
い。従って、離間部３３Ｂにあたる領域に形成される横
方向成長領域は、貫通転位の密度が低く、低欠陥領域と
なる。

【００６０】ここで、結晶の横方向成長の速度は縦方向
成長の速度よりも速く設定される。そのため、離間部３
３Ｂにあたる領域は、それぞれの結晶部３３Ａを基礎と
して成長する結晶で覆われてゆき、遂には、隣り合う結
晶同士が離間部３３Ｂのほぼ中央付近で会合して会合部
Ｍが形成されると共に、この会合部Ｍに向かって収束し
た転位が窒化物半導体層３５を貫く貫通転位Ｄ₂とな
る。このようにして会合した結晶を十分に成長させる
と、上部が平坦面となり、窒化物半導体層３５が１つの
層として形成される。本実施の形態では、基板３１に凹
部３１Ｂを設けているので、既に述べたように、横方向
に成長した結晶が基板３１に接触して欠陥が発生するこ
とが防止される。また、貫通転位Ｄ₁，Ｄ₂は、結果的
に結晶部３３Ａおよび離間部３３Ｂと同様の周期を有す
るように形成される。

【００６１】次に、図１３に示したように、窒化物半導
体層３５の上に、第１の実施の形態と同様にして、ｎ型
クラッド層７，第１のガイド層８，活性層９，第２のガ
イド層１０，ｐ型クラッド層１１およびｐ側コンタクト
層１２を順次成長させ、ｐ側コンタクト層１２の上の所
定の位置にｐ側電極１３を形成する。このとき、ｐ側電
極１３は、例えばストライプ形状であり、窒化物半導体
層３５において結晶部３３Ａの上に生じる貫通転位Ｄ₁
および会合部Ｍに生じる貫通転位Ｄ₂の上部を避け、窒
化物半導体層３５の低欠陥領域の上部に位置するように
所定の間隔で周期的に形成される。

【００６２】その後は図１４に示したように、第１の実
施の形態と同様にｐ側電極１３をマスクとしたドライエ
ッチングにより、ｐ側コンタクト層１２，ｐ型クラッド
層１１，第２のガイド層１０，活性層９，第１のガイド
層８およびｎ型クラッド層７を順次選択的に除去すると
共に窒化物半導体層３５を露出させる。これにより、ｐ
側電極１３と一致する平面形状の発光部２０が複数形成
される。従って、この発光部２０では、活性層９の全面
がｐ側電極１３から電流が注入される電流注入領域とな
る。なお、発光部２０はｐ側電極１３と同様に所定の間
隔で周期的に低欠陥領域に形成されるので、エッチング
除去される部分は窒化物半導体層３５における貫通転位
Ｄ₁，Ｄ₂の上部にあたる高欠陥領域となっている。

【００６３】続いて、図１５に示したように、第１の実
施の形態と同様の方法により発光部２０の両側面および
露出した窒化物半導体層３５の上に絶縁層１５を形成
し、窒化物半導体層３５の上に、帯状に延長された複数
のｎ側電極１４を所定の間隔で形成する。

【００６４】そののち、基板３１を例えば８０μｍ程度
の厚さとなるように研削する。更に、基板３１をｐ側電
極１３の長さ方向と垂直に所定の幅で劈開し、その劈開
面に図示しない反射鏡膜を形成する。

【００６５】なお、このようにして作製される半導体レ
ーザも、第１の実施の形態と同様にｐ側電極１３および
ｎ側電極１４が発光部２０毎に独立して配線されるよう
に配線基板上で電極配線を施すことができ、ｎ側電極１
４については図１６のように共通電極を設けるようにす
ることもまた可能である。

【００６６】この半導体レーザでは、窒化物半導体層３
５のうち、結晶部３３Ａの上部および会合部Ｍにのみ貫
通転位Ｄ₁，Ｄ₂が周期的に存在し、それ以外の領域は
貫通転位の密度が低く欠陥が少ない低欠陥領域となって
いる。発光部２０は、この低欠陥領域に所定の間隔で周
期的に形成されており、同時に、欠陥密度の高い結晶部
３３Ａの上部付近および会合部Ｍ付近は、発光部２０の
形成時に削除されている。よって、発光部２０の電流注
入領域では非発光再結合の割合が減少し、発光効率が向
上して、素子の出力が増大する。また、電圧の印加によ
る劣化が起こりにくく、素子の寿命が長くなる。

【００６７】このように、本実施の形態に係る半導体レ
ーザにおいても第１の実施の形態と同様の効果を得るこ
とができる。

【００６８】［第３の実施の形態］図１６は第３の実施
の形態に係る半導体レーザの構成を表している。この半
導体レーザは、第１の実施の形態に係る半導体レーザに
おいて窒化物半導体層５の下層部分が成長抑止層４Ａと
共に除去され、かつ、窒化物半導体層５をコンタクト層
とする構造をしている。また、上記の実施の形態ではｎ
側電極１４はコンタクト層６の上に設けられるが、本実
施の形態では、ｎ側電極４４が窒化物半導体層４５の裏
面に設けられている。これ以外の第１の実施の形態と同
一の構成要素には同一の符号を付して、ここでは説明を
省略する。

【００６９】窒化物半導体層４５は、窒化物半導体層５
と同様の方法で成長させた窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物
からなる半導体層である。従って、この半導体レーザを
製造する場合も、まず、第１の実施の形態に説明した要
領で基板１の上にバッファ層２、種結晶層３を成長さ
せ、開口部４Ｂを有する成長抑止層４Ａを形成し、その
上に窒化物半導体層５を十分な厚みに成長させる。その
後、窒化物半導体層５を成長抑止層４Ａを含む下層部分
において基板３１から分離することによって、窒化物半
導体層４５が得られる。

【００７０】この窒化物半導体層４５においても、開口
部４Ｂ，会合部Ｍに層上面にまで達するような貫通転位
Ｄ₁，Ｄ₂が周期的に生じており、横方向成長領域を含
んだそれ以外の領域は、転位および欠陥が少ない低欠陥
領域となっている。そこで、この低欠陥領域の上に発光
部２０を形成する。ここでもまた、ｐ側電極１３をマス
クとして発光部２０を形成することができる。但し、ｎ
側電極４４については、共通電極として窒化物半導体層
４５の裏側全面に形成される。

【００７１】この場合、２つの電極間距離はいずれの発
光部２０においても等しくなり、発光部２０によって電
圧が変動することを防止できる。また、電極配線に関し
ては、ｎ側電極４４には直にボンディングするなどして
簡単に配線を施すことができる。よって、配線基板には
ｐ側電極１３に対して配線するだけでよい。

【００７２】従って、本実施の形態によれば、第１の実
施の形態と同じ効果の他、より小型のレーザが得られ、
配線が簡易にできるという効果が得られる。なお、この
半導体レーザは、第２の実施の形態に説明した方法で窒
化物半導体３５を形成し、その下層部分を結晶部３３Ａ
と共に除去して得られる層を窒化物半導体層４５として
製造することもできる。この場合には、凹部３１Ｂを含
む面で窒化物半導体層３５を基板３１から分離すると、
比較的容易に基板３１を除去することができる。また、
先に発光部２０まで形成してから窒化物半導体層５（あ
るいは窒化物半導体層３５）の基板１（あるいは基板３
１）側部分を分離除去する方法で製造することも可能で
ある。

【００７３】以上、実施の形態を挙げて本発明を説明し
たが、本発明は上記実施の形態に限定されるものではな
く、種々変形可能である。例えば、上記の実施の形態で
は、発光部２０は活性層９の上下にｐ型とｎ型の半導体
層がそれぞれ積層された単純な構造としたが、本発明は
発光部の構造に関係なく適用することができる。例え
ば、ｐ側コンタクト層およびｐ型クラッド層の上部を幅
の狭いリッジ構造としたり、また、ｐ型ガイド層の上面
に電流狭窄層を設けた内部ストライプ構造としたりして
もよく、このような利得導波型構造だけでなく屈折率導
波型の構造あるいは双方を兼ね備えるような構造として
もよい。

【００７４】また、上記各実施の形態における半導体レ
ーザの発光部２０は、発光部の一構成例であって、例え
ば、ガイド層８および１０を備えていなくてもよく、第
２の実施の形態に係る半導体レーザにおいて基板３１と
種結晶部３３との間に非晶質に近い窒化物系ＩＩＩ−Ｖ
族化合物結晶よりなるバッファ層を備えるようにしても
よい。また、第２の実施の形態においては、窒化物半導
体層３５をｎ側コンタクト層としてレーザを構成するよ
うにしたが、窒化物半導体層３５の上に別途ｎ側コンタ
クト層を設けるようにしてもよい。

【００７５】また、上記第２の実施の形態では、絶縁膜
３４を除去した後に窒化物半導体層３５を形成するよう
にしたが、種結晶部３３（結晶部３３Ａ）の上の絶縁膜
３４を除去せずに窒化物半導体層３５を形成するように
してもよい。その場合、絶縁膜３４により貫通転位Ｄ₁
が遮断されて種結晶層１２からの貫通転位Ｄ₁の伝播が
防止される。従って、窒化物半導体層３５には会合に起
因する貫通転位Ｄ₂を除き結晶欠陥がほとんど存在せ
ず、その上側に優れた結晶性を有する窒化物系ＩＩＩ−
Ｖ族化合物を得ることが可能となる。但し、窒化物半導
体層３５を成長させる際に絶縁膜３４の構成材料が不純
物として混入すると、半導体レーザの特性を劣化させる
虞もあるので、製造方法は適宜選択することが好まし
い。

【００７６】更に、上記各実施の形態では、ＭＯＣＶＤ
法により窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体を形成する
場合について説明したが、半導体層の成長方法は任意で
あり、その他にも、例えばＭＢＥ（Molecular Beam Epi
taxy；分子線エピタキシー）法やＭＯＶＰＥ（Metal Or
ganic Vapor Phase Epitaxy;有機金属気相成長）法、Ｈ
ＶＰＥ（ハイドライド気相成長）法などの気相成長法に
より形成することができる。

【００７７】上記各実施の形態では、種結晶層３，結晶
部３３Ａをはじめ、コンタクト層，ガイド層をＧａＮに
より形成し、クラッド層をＡｌＧａＮ混晶により形成
し、活性層をＩｎＧａＮ混晶により形成するようにした
が、これらの層をＩＩＩ族元素のうちの少なくとも１種
と窒素とを含む他の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体
により形成するようにしてもよい。

【００７８】加えて、上記第１および第２の実施の形態
では、サファイアからなる基板１，３１を用いるように
したが、これに限らずどのような材質の基板を用いても
よい。例えば、Ｓｉ，ＳｉＣ，ＧａＮ，ＧａＡｓ，Ｍｇ
Ａｌ₂Ｏ₃，ＬｉＧａＯ₂等を基板とすることができ
る。このうちＧａＮ基板は、サファイア等の成長用基体
の上にハイドライド気相成長法あるいはハライド気相成
長法により成長させた後、成長用基体と分離することに
より得ることができ、上記第３の実施の形態における窒
化物半導体層４５として用いることができる。

【００７９】

【発明の効果】以上説明したように本発明の半導体発光
素子によれば、種結晶部を基に形成された低欠陥領域、
および、離間部に対応する領域に形成された会合部を含
む窒化物半導体層と、各々、窒化物半導体層の低欠陥領
域に対応して電流注入領域を有する複数の発光部とを備
えるようにしたので、個々の発光部における転位や欠陥
が低減し、結晶性を向上させることができる。従って、
素子の発光効率を改善し、高出力化を図ることができ
る。

【００８０】特に、請求項４に記載の半導体発光素子に
よれば、発光部の上部には第１の伝導型の電極が設けら
れ、発光部は前記第１の伝導型の電極と平面形状が同一
であるようにしたので、複数の発光部を第１の伝導型の
電極をマスクとしたエッチングなどの簡易な方法で一度
に精度良く得ることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１の実施の形態に係る半導体レーザ
の構成を表す図である。

【図２】図１の部分拡大図である。

【図３】図１の半導体レーザの製造方法を説明するため
の断面図である。

【図４】図３に続く製造工程を説明するための断面図で
ある。

【図５】図４に続く製造工程を説明するための断面図で
ある。

【図６】図５に続く製造工程を説明するための断面図で
ある。

【図７】図６に続く製造工程を説明するための断面図で
ある。

【図８】本発明の第２の実施の形態に係る半導体レーザ
の構成を表す図である。

【図９】図８の部分拡大図である。

【図１０】図８の半導体レーザの製造方法を説明するた
めの断面図である。

【図１１】図１０に続く製造工程を説明するための断面
図である。

【図１２】図１１に続く製造工程を説明するための断面
図である。

【図１３】図１２に続く製造工程を説明するための断面
図である。

【図１４】図１３に続く製造工程を説明するための断面
図である。

【図１５】図１４に続く製造工程を説明するための断面
図である。

【図１６】本発明の第３の実施の形態に係る半導体レー
ザの構成を表す図である。

【図１７】従来の半導体レーザの電極配線を説明するた
めの図である。

【符号の説明】

１，３１…基板、２…バッファ層、３…種結晶層、４Ａ
…成長抑止層、４Ｂ…開口部、３１Ｂ…凹部、３３ａ…
種結晶層用成長層、３３…種結晶部、３３Ａ…結晶部、
３３Ｂ…離間部、３４…絶縁膜、５，３５，４５…窒化
物半導体層、６…ｎ側コンタクト層、７…ｎ型クラッド
層、８…第１のガイド層、９…活性層、１０…第２のガ
イド層、１１…ｐ型クラッド層、１２…ｐ側コンタクト
層、１３…ｐ側電極、１４，４４…ｎ側電極、１５…絶
縁層、Ｄ₁，Ｄ₂…貫通転位、Ｍ…会合部

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物よりなり、
結晶部と離間部とを有する種結晶部と、前記種結晶部を基に形成された低欠陥領域、および、前
記離間部に対応する領域に形成された会合部を含む窒化
物半導体層と、各々、前記窒化物半導体層の低欠陥領域に対応して電流
注入領域を有する複数の発光部とを備えたことを特徴と
する半導体レーザ。
【請求項２】前記発光部は、前記結晶部と前記会合部
の間の領域に対応して電流注入領域を有していることを
特徴とする請求項１に記載の半導体レーザ。
【請求項３】前記発光部は、前記会合部同士の間の領
域に対応して電流注入領域を有していることを特徴とす
る請求項１に記載の半導体レーザ。
【請求項４】前記発光部の上に第１の伝導型の電極が
設けられ、前記発光部と前記第１の伝導型の電極とは平
面形状が一致していることを特徴とする請求項１に記載
の半導体レーザ。
【請求項５】前記発光部の上に第１の伝導型の電極が
設けられると共に、前記隣り合う発光部の間に第２の伝
導型の電極が設けられていることを特徴とする請求項１
に記載の半導体レーザ。
【請求項６】前記第１の伝導型の電極と前記第２の伝
導型の電極とは同一の周期間隔で並んでいることを特徴
とする請求項５に記載の半導体レーザ。
【請求項７】前記種結晶部は、ＧａＮまたはＡｌ_xＧ
ａ_1-xＮ（ｘは０≦ｘ≦１）からなることを特徴とする
請求項１に記載の半導体レーザ。