JP2008091608A - 発光ダイオードおよびその製造方法ならびに光源セルユニットならびに発光ダイオードバックライトならびに発光ダイオード照明装置ならびに発光ダイオードディスプレイならびに電子機器ならびに電子装置およびその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】サファイア基板などの基板11の一主面にSiO2 などにより凸部12を形成し、凸部12の間の凹部13に、その底面を底辺とする三角形状の断面形状となる状態を経て窒化物系III−V族化合物半導体層15を成長させ、この窒化物系III−V族化合物半導体層15から横方向成長を行った後、その上に活性層17を含む窒化物系III−V族化合物半導体層を成長させる。これらの層のうちの凸部12および/または互いに隣接する凹部13の間の中央部に対応する部分に発生した貫通転位19をこれらの部分をエッチングして溝20を形成することにより除去する。
【選択図】図6
Description
この問題を回避するために、従来より、選択横方向成長による転位密度低減化技術が広く用いられている。この技術では、まずサファイア基板などの上にGaN系半導体をエピタキシャル成長させた後、結晶成長装置より基板を取り出し、そのGaN系半導体層上にSiO2 膜などからなる成長マスクを形成してからこの基板を再び結晶成長装置に戻し、この成長マスクを用いてGaN系半導体を再度エピタキシャル成長させる。
この技術によれば、上層のGaN系半導体層の転位密度を低減することができるが、2回のエピタキシャル成長が必要であるため、コスト高となっていた。
図51は、上記のものと別の従来の成長方法を示す(例えば、特許文献3参照。)。この方法では、図51Aに示すように、凹凸加工を施したサファイア基板101を用い、その上に図51B〜Fに示す過程を経てGaN系半導体層102を成長させる。この方法では、サファイア基板101との間に空隙を形成しないでGaN系半導体層102を成長させることができるとされている。
三菱電線工業時報 第98号 2001年10月:LEPS法を用いた高出力紫外LEDの開発
この発明が解決しようとする他の課題は、上記のような発光ダイオードを用いた高性能の光源セルユニット、発光ダイオードバックライト、発光ダイオード照明装置、発光ダイオードディスプレイおよび電子機器を提供することである。
この発明が解決しようとするさらに他の課題は、上記の空隙の解消および素子構造を構成する層の結晶性の大幅な向上により特性が極めて良好で、しかも一度のエピタキシャル成長により低コストで製造することができる発光ダイオード、半導体レーザ、トランジスタなどを含む電子装置およびその製造方法を提供することである。
上記課題および他の課題は、添付図面を参照した本明細書の記述により明らかとなるであろう。
一主面に複数の凸部を有する基板を用い、当該基板の凹部に、その底面を底辺とする三角形状の断面形状となる状態を経て第1の窒化物系III−V族化合物半導体層を成長させる工程と、
上記第1の窒化物系III−V族化合物半導体層から上記基板上に第2の窒化物系III−V族化合物半導体層を横方向成長させる工程と、
上記第2の窒化物系III−V族化合物半導体層上に第1の導電型の第3の窒化物系III−V族化合物半導体層、活性層および第2の導電型の第4の窒化物系III−V族化合物半導体層を順次成長させる工程と、
上記第1の窒化物系III−V族化合物半導体層、上記第2の窒化物系III−V族化合物半導体層、上記第3の窒化物系III−V族化合物半導体層、上記活性層および上記第4の窒化物系III−V族化合物半導体層のうちの上記凹部および/または互いに隣接する上記凹部の間の中央部に対応する部分を、上記第4の窒化物系III−V族化合物半導体層の表面から深さ方向に、少なくとも上記第3の窒化物系III−V族化合物半導体層が露出するまで除去する工程と
を有することを特徴とする発光ダイオードの製造方法である。
第1の窒化物系III−V族化合物半導体層および第2の窒化物系III−V族化合物半導体層の導電型は問わず、p型、n型、i型のいずれであってもよく、互いに同一導電型であってもそうでなくてもよく、さらには第1の窒化物系III−V族化合物半導体層あるいは第2の窒化物系III−V族化合物半導体層内に互いに導電型が異なる二つ以上の部分が混在してもよい。
特に凸部が基板と異なる材料からなる場合、好適には、凸部、第1の窒化物系III−V族化合物半導体層、第2の窒化物系III−V族化合物半導体層、第3の窒化物系III−V族化合物半導体層、活性層および第4の窒化物系III−V族化合物半導体層のうちの凹部および/または互いに隣接する凹部の間の中央部に対応する部分を、第4の窒化物系III−V族化合物半導体層の表面から深さ方向に、基板が露出するまで除去する。この場合、こうして基板が露出した後に、残された凸部をウエットエッチングなどによりエッチング除去することにより、第1の窒化物系III−V族化合物半導体層、第2の窒化物系III−V族化合物半導体層、第3の窒化物系III−V族化合物半導体層、活性層および第4の窒化物系III−V族化合物半導体層を基板から剥離することができる。この場合の凸部の材料としては、好適には、容易にエッチング除去可能な非晶質材料が用いられる。ただし、この剥離は他の手法、例えばレーザ光照射法による剥離(いわゆるレーザ剥離)などにより行ってもよい。この剥離後の基板は、必要に応じて表面研磨などの処理を施した後、再利用することができる。
凸部には、必要に応じて、活性層から放出される光を散乱し、光取り出し効率の向上を図り、発光ダイオードの高出力化を図る目的で、散乱中心を導入するようにしてもよい。このような散乱中心としては、例えばシリコンナノ結晶などのシリコン微粒子を用いることができる。このようなシリコン微粒子が導入された凸部を形成するためには、例えば、基板上に酸化シリコンにより凸部を形成した後、熱処理を行えばよい。
第3の窒化物系III−V族化合物半導体層には、これと電気的に接続された状態で第1の導電型側の電極を形成する。同様に、第4の窒化物系III−V族化合物半導体層にも、これと電気的に接続された状態で第2の導電型側の電極を形成する。
なお、例えば、基板上に窒化物系III−V族化合物半導体層などの層を成長させたものを基板として用いる場合、凸部の材料はこの凸部の直下の層と異なる材料のものが用いられる。
基板は、必要に応じて除去してもよい。
第1〜第4の窒化物系III−V族化合物半導体層および活性層を構成する窒化物系III−V族化合物半導体層の成長方法としては、例えば、有機金属化学気相成長(MOCVD)、ハイドライド気相エピタキシャル成長あるいはハライド気相エピタキシャル成長(HVPE)、分子線エピタキシー(MBE)などの各種のエピタキシャル成長法を用いることができる。
一主面に複数の凸部を有する基板と、
上記基板上に、上記基板の凹部に空隙を形成しないで成長された第5の窒化物系III−V族化合物半導体層と、
上記第5の窒化物系III−V族化合物半導体層上の第1の導電型の第3の窒化物系III−V族化合物半導体層、活性層および第2の導電型の第4の窒化物系III−V族化合物半導体層とを有し、
上記第5の窒化物系III−V族化合物半導体層において、上記凹部の底面との界面から上記一主面に対して垂直方向に発生した転位が、上記凹部の底面を底辺とする三角形状部の斜面またはその近傍に到達し、そこから上記一主面に平行な方向に屈曲しており、
上記第5の窒化物系III−V族化合物半導体層、上記第3の窒化物系III−V族化合物半導体層、上記活性層および上記第4の窒化物系III−V族化合物半導体層のうちの上記凹部および/または互いに隣接する上記凹部の間の中央部に対応する部分が、上記第4の窒化物系III−V族化合物半導体層の表面から深さ方向に、少なくとも上記第3の窒化物系III−V族化合物半導体層が露出するまで除去されている
ことを特徴とする発光ダイオードである。
第2の発明および後述の第3〜第10の発明においては、その性質に反しない限り、第1の発明に関連して説明したことが成立する。
赤色発光の発光ダイオード、緑色発光の発光ダイオードおよび青色発光の発光ダイオードをそれぞれ少なくとも一つ含むセルがプリント配線基板上に複数個配列した光源セルユニットにおいて、
上記赤色発光の発光ダイオード、上記緑色発光の発光ダイオードおよび上記青色発光の発光ダイオードのうちの少なくとも一つの発光ダイオードが、
一主面に複数の凸部を有する基板と、
上記基板上に、上記基板の凹部に空隙を形成しないで成長された第5の窒化物系III−V族化合物半導体層と、
上記第5の窒化物系III−V族化合物半導体層上の第1の導電型の第3の窒化物系III−V族化合物半導体層、活性層および第2の導電型の第4の窒化物系III−V族化合物半導体層とを有し、
上記第5の窒化物系III−V族化合物半導体層において、上記凹部の底面との界面から上記一主面に対して垂直方向に発生した転位が、上記凹部の底面を底辺とする三角形状部の斜面またはその近傍に到達し、そこから上記一主面に平行な方向に屈曲しており、
上記第5の窒化物系III−V族化合物半導体層、上記第3の窒化物系III−V族化合物半導体層、上記活性層および上記第4の窒化物系III−V族化合物半導体層のうちの上記凹部および/または互いに隣接する上記凹部の間の中央部に対応する部分が、上記第4の窒化物系III−V族化合物半導体層の表面から深さ方向に、少なくとも上記第3の窒化物系III−V族化合物半導体層が露出するまで除去されているものである
ことを特徴とするものである。
赤色発光の発光ダイオード、緑色発光の発光ダイオードおよび青色発光の発光ダイオードをそれぞれ複数個配列した発光ダイオードバックライトにおいて、
上記赤色発光の発光ダイオード、上記緑色発光の発光ダイオードおよび上記青色発光の発光ダイオードのうちの少なくとも一つの発光ダイオードが、
一主面に複数の凸部を有する基板と、
上記基板上に、上記基板の凹部に空隙を形成しないで成長された第5の窒化物系III−V族化合物半導体層と、
上記第5の窒化物系III−V族化合物半導体層上の第1の導電型の第3の窒化物系III−V族化合物半導体層、活性層および第2の導電型の第4の窒化物系III−V族化合物半導体層とを有し、
上記第5の窒化物系III−V族化合物半導体層において、上記凹部の底面との界面から上記一主面に対して垂直方向に発生した転位が、上記凹部の底面を底辺とする三角形状部の斜面またはその近傍に到達し、そこから上記一主面に平行な方向に屈曲しており、
上記第5の窒化物系III−V族化合物半導体層、上記第3の窒化物系III−V族化合物半導体層、上記活性層および上記第4の窒化物系III−V族化合物半導体層のうちの上記凹部および/または互いに隣接する上記凹部の間の中央部に対応する部分が、上記第4の窒化物系III−V族化合物半導体層の表面から深さ方向に、少なくとも上記第3の窒化物系III−V族化合物半導体層が露出するまで除去されているものである
ことを特徴とするものである。
赤色発光の発光ダイオード、緑色発光の発光ダイオードおよび青色発光の発光ダイオードをそれぞれ複数個配列した発光ダイオード照明装置において、
上記赤色発光の発光ダイオード、上記緑色発光の発光ダイオードおよび上記青色発光の発光ダイオードのうちの少なくとも一つの発光ダイオードが、
一主面に複数の凸部を有する基板と、
上記基板上に、上記基板の凹部に空隙を形成しないで成長された第5の窒化物系III−V族化合物半導体層と、
上記第5の窒化物系III−V族化合物半導体層上の第1の導電型の第3の窒化物系III−V族化合物半導体層、活性層および第2の導電型の第4の窒化物系III−V族化合物半導体層とを有し、
上記第5の窒化物系III−V族化合物半導体層において、上記凹部の底面との界面から上記一主面に対して垂直方向に発生した転位が、上記凹部の底面を底辺とする三角形状部の斜面またはその近傍に到達し、そこから上記一主面に平行な方向に屈曲しており、
上記第5の窒化物系III−V族化合物半導体層、上記第3の窒化物系III−V族化合物半導体層、上記活性層および上記第4の窒化物系III−V族化合物半導体層のうちの上記凹部および/または互いに隣接する上記凹部の間の中央部に対応する部分が、上記第4の窒化物系III−V族化合物半導体層の表面から深さ方向に、少なくとも上記第3の窒化物系III−V族化合物半導体層が露出するまで除去されているものである
ことを特徴とするものである。
赤色発光の発光ダイオード、緑色発光の発光ダイオードおよび青色発光の発光ダイオードをそれぞれ複数個配列した発光ダイオードディスプレイにおいて、
上記赤色発光の発光ダイオード、上記緑色発光の発光ダイオードおよび上記青色発光の発光ダイオードのうちの少なくとも一つの発光ダイオードが、
一主面に複数の凸部を有する基板と、
上記基板上に、上記基板の凹部に空隙を形成しないで成長された第5の窒化物系III−V族化合物半導体層と、
上記第5の窒化物系III−V族化合物半導体層上の第1の導電型の第3の窒化物系III−V族化合物半導体層、活性層および第2の導電型の第4の窒化物系III−V族化合物半導体層とを有し、
上記第5の窒化物系III−V族化合物半導体層において、上記凹部の底面との界面から上記一主面に対して垂直方向に発生した転位が、上記凹部の底面を底辺とする三角形状部の斜面またはその近傍に到達し、そこから上記一主面に平行な方向に屈曲しており、
上記第5の窒化物系III−V族化合物半導体層、上記第3の窒化物系III−V族化合物半導体層、上記活性層および上記第4の窒化物系III−V族化合物半導体層のうちの上記凹部および/または互いに隣接する上記凹部の間の中央部に対応する部分が、上記第4の窒化物系III−V族化合物半導体層の表面から深さ方向に、少なくとも上記第3の窒化物系III−V族化合物半導体層が露出するまで除去されているものである
ことを特徴とするものである。
第3〜第6の発明において、赤色発光の発光ダイオードとしては、例えば、AlGaInP系半導体を用いたものを用いることもできる。
一つまたは複数の発光ダイオードを有する電子機器において、
少なくとも一つの上記発光ダイオードが、
一主面に複数の凸部を有する基板と、
上記基板上に、上記基板の凹部に空隙を形成しないで成長された第5の窒化物系III−V族化合物半導体層と、
上記第5の窒化物系III−V族化合物半導体層上の第1の導電型の第3の窒化物系III−V族化合物半導体層、活性層および第2の導電型の第4の窒化物系III−V族化合物半導体層とを有し、
上記第5の窒化物系III−V族化合物半導体層において、上記凹部の底面との界面から上記一主面に対して垂直方向に発生した転位が、上記凹部の底面を底辺とする三角形状部の斜面またはその近傍に到達し、そこから上記一主面に平行な方向に屈曲しており、
上記第5の窒化物系III−V族化合物半導体層、上記第3の窒化物系III−V族化合物半導体層、上記活性層および上記第4の窒化物系III−V族化合物半導体層のうちの上記凹部および/または互いに隣接する上記凹部の間の中央部に対応する部分が、上記第4の窒化物系III−V族化合物半導体層の表面から深さ方向に、少なくとも上記第3の窒化物系III−V族化合物半導体層が露出するまで除去されているものである
ことを特徴とするものである。
一主面に複数の凸部を有する基板を用い、当該基板の凹部に、その底面を底辺とする三角形状の断面形状となる状態を経て第1の層を成長させる工程と、
上記第1の層から上記基板上に第2の層を横方向成長させる工程と、
上記第2の層上に少なくとも活性層を含む第3の層を成長させる工程と、
上記第1の層、上記第2の層および上記第3の層のうちの上記凹部および互いに隣接する上記凹部の間の中央部に対応する部分を、上記第3の層の表面から深さ方向に、少なくとも上記活性層の下地層が露出するまで除去する工程と
を有することを特徴とする電子装置の製造方法である。
一主面に複数の凸部を有する基板と、
上記基板上に、上記基板の凹部に空隙を形成しないで成長された第4の層と、
上記第4の層上に成長された少なくとも活性層を含む第3の層とを有し、
上記第4の層において、上記凹部の底面との界面から上記一主面に対して垂直方向に発生した転位が、上記凹部の底面を底辺とする三角形状部の斜面またはその近傍に到達し、そこから上記一主面に平行な方向に屈曲しており、
上記第4の層および上記第3の層のうちの上記凹部および/または互いに隣接する上記凹部の間の中央部に対応する部分が、上記第3の層の表面から深さ方向に、少なくとも上記活性層の下地層が露出するまで除去されている
ことを特徴とする電子装置である。
第9の発明において、第4の層は、第8の発明における第1の層および第2の層に対応するものである。
電子装置として発光ダイオードあるいは半導体レーザを含むものを用いることにより、発光ダイオードバックライト、発光ダイオード照明装置、発光ダイオードディスプレイなど、さらには発光ダイオードあるいは半導体レーザを光源とするプロジェクタあるいはリアプロジェクションテレビ、グレーティングライトバルブなどの電子機器を構成することができる。
第8および第9の発明についても第1〜第7の発明と同様な応用が可能である。
一主面に成長マスクを有する基板を用い、当該基板の上記成長マスクの開口部からなる凹部から上記成長マスク上に第5の層を横方向成長させる工程と、
上記第5の層上に少なくとも活性層を含む第3の層を成長させる工程と、
上記第5の層および上記第3の層のうちの上記凹部および/または互いに隣接する上記凹部の間の中央部に対応する部分を、上記第3の層の表面から深さ方向に、上記基板が露出するまで除去する工程と、
残された上記成長マスクをエッチング除去することにより上記第5の層および上記第3の層を上記基板から剥離する工程と
を有することを特徴とする電子装置の製造方法である。
第10の発明についても第1〜第7の発明と同様な応用が可能である。
より一般的には、第1の窒化物系III−V族化合物半導体層を第1の層、第2の窒化物系III−V族化合物半導体層を第2の層、第3の窒化物系III−V族化合物半導体、活性層および第4の窒化物系III−V族化合物半導体層を第3の層と読み替えて上記と同様なことが成立する。
より一般的には、第1の窒化物系III−V族化合物半導体層を第1の層、第2の窒化物系III−V族化合物半導体層を第2の層、第3の窒化物系III−V族化合物半導体、活性層および第4の窒化物系III−V族化合物半導体層を第3の層と読み替えて上記と同様な効果を得ることができる。
図1〜図6はこの発明の第1の実施形態による発光ダイオードの製造方法を工程順に示す。この発光ダイオードは、GaNなどの窒化物系III−V族化合物半導体を用いたものである。
次に、成長条件を横方向成長が支配的となる条件に設定して成長を続けると、図2Bに示すように、窒化物系III−V族化合物半導体層15は、矢印で示すように横方向成長して断面形状が六角形状となる状態で凸部12の上に広がって行く。図2B中、点線は成長途中の成長界面を示す(以下同様)。
さらに横方向成長を続けると、図2Cに示すように、窒化物系III−V族化合物半導体層15はその厚さを増しながら成長し、遂には隣接する凹部13から成長した窒化物系III−V族化合物半導体層15同士が凸部12上で接触し、会合する。
引き続いて、窒化物系III−V族化合物半導体層15をその表面が基板11の主面と平行な平坦面となるまで横方向成長させる。こうして成長された窒化物系III−V族化合物半導体層15は、凹部13の上の部分の転位密度が極めて低くなる。
なお、場合によっては、図1Cに示す状態から、図2Aに示す状態を経ないで、図2Bに示す状態に直接移ることも可能である。
次に、p型窒化物系III−V族化合物半導体層18上にリソグラフィーにより、貫通転位19を含む所定部分に対応する部分が開口した所定形状のレジストパターン(図示せず)を形成した後、このレジストパターンをマスクとして例えばRIE法によりn型窒化物系III−V族化合物半導体層16の厚さ方向の途中の深さまでエッチングする。このエッチングにより、図4に示すように、溝20が形成され、この溝20の部分にあった貫通転位19が除去される。
次に、図5に示すように、こうして形成された溝20の内部を例えばSiO2 などの絶縁材料21により埋め込み、p型窒化物系III−V族化合物半導体層18の表面の全体を平坦化する。
次に、p型窒化物系III−V族化合物半導体層18上にp側電極22を形成する。基板11を通して外部に光を取り出す場合、p側電極22の材料としては、例えば、高反射率を有するオーミック金属を用いるのが好ましい。
次に、図6に示すように、n型窒化物系III−V族化合物半導体層16、活性層17およびp型窒化物系III−V族化合物半導体層18を、例えばRIE法、粉末ブラスト法、サンドブラスト法などにより所定形状にパターニングし、メサ部23を形成する。
次に、必要に応じて、上述のようにして発光ダイオード構造が形成された基板11をその裏面側から研削やラッピングすることにより厚さを減少させた後、この基板11のスクライビングを行い、バーを形成する。この後、このバーのスクライビングを行うことでチップ化する。
以上により、目的とする発光ダイオードが製造される。
凸部12が一方向に延在するストライプ形状を有する場合におけるp側電極22およびn側電極24の平面形状の一例を図11に示す。
2d≧Wg tanα
例えば、Wg =2.1μm、α=59°の場合にはd≧1.75μm、Wg =2μm、α=59°の場合にはd≧1.66μm、Wg =1.5μm、α=59°の場合にはd≧1.245μm、Wg =1.2μm、α=59°の場合にはd≧0.966μmとする。ただし、いずれの場合もd<5μmとするのが望ましい。
Ga(CH3 )3 (g)+3/2H2 (g)→Ga(g)+3CH4 (g)
NH3 (g)→(1−α)NH3 (g)+α/2N2 (g)+3α/2H2 (g)
Ga(g)+NH3 (g)=GaN(s)+3/2H2 (g)
なる反応式で表現されるように、NH3 とGaとが直接反応することで起きる。この際、H2 ガスが発生するが、このH2 ガスは結晶成長とは逆の作用、すなわちエッチング作用をする。図1BおよびCならびに図2Aに示す工程では、従来の平坦な基板上でのGaNの成長では行わない条件、すなわちエッチング作用を高め、成長しにくい条件(V/III比を高める)を用いることにより、凸部12での成長を抑制する。一方、凹部13の内部では、このエッチング作用が弱まるので、結晶成長が起きる。さらに、従来は、成長結晶表面の平坦性を向上させるため、横方向成長の度合いが高まる条件(より高温)で成長させるが、この第1の実施形態においては、貫通転位を基板11の主面に平行な方向に屈曲させることにより低減させたり、より早期に凹部13の内部を窒化物系III−V族化合物半導体層15で埋めたりする目的で、既に述べたように従来より低温(例えば、1050±50℃)で成長させる。
成長を開始すると、図14Aに示すように、まず凹部13の底面に窒化物系III−V族化合物半導体からなる微小核14が複数生成する。これらの微小核14では、基板11との界面から垂直方向に転位(点線で示す)が伝播し、この転位は微小核14の側面から抜ける。成長を続けると、図14Bおよび図14Cに示すように、微小核14の成長および合体の過程を経て窒化物系III−V族化合物半導体層15が成長する。これらの微小核14の成長および合体の過程で、基板11の主面に平行な方向に転位の屈曲が起きる結果、上部に抜ける転位が少なくなる。さらに成長を続けると、図14Dに示すように、窒化物系III−V族化合物半導体層15は、凹部13の底面を底辺とする二等辺三角形状の断面形状になる。この時点では、窒化物系III−V族化合物半導体層15から上部に抜ける転位は、大幅に減少している。次に、図14Eに示すように、窒化物系III−V族化合物半導体層15を横方向成長させる。この過程では、凹部13の底面を底辺とする二等辺三角形状の断面形状を有する窒化物系III−V族化合物半導体層15の側面に抜けた転位は、凸部12より低い位置にあるものは基板11の主面に平行に凸部12の側面まで延伸し続けて消失し、凸部12より高い位置にあるものは基板11の主面に平行に延伸して横方向成長した窒化物系III−V族化合物半導体層15の側面に抜ける。窒化物系III−V族化合物半導体層15の横方向成長をさらに続けると、図14Fに示すように、凸部12の上でその両側から成長した窒化物系III−V族化合物半導体層15同士が会合し、やがては窒化物系III−V族化合物半導体層15の表面が基板11の主面と平行な平坦面となる。窒化物系III−V族化合物半導体層15中の転位は、凸部12上で会合したときに上方(基板11の主面に垂直な方向)に屈曲し、貫通転位となる。
図14Aに示すように凹部13の底面に微小核14が生成された状態の断面TEM写真を図16に示す。図16BおよびCは図16Aの楕円で囲んだ部分を拡大した断面TEM写真である。図16より、成長初期に微小核14が生成されている様子がよく分かる。
図17A〜Cは、窒化物系III−V族化合物半導体層15の成長初期に微小核14が生成しない場合における図14D〜Fに対応する状態を示す。図17Aに示すように、成長初期に微小核14が生成しない場合には、窒化物系III−V族化合物半導体層15が凹部13の底面を底辺とする二等辺三角形状の断面形状を有するように成長した時点では凹部13の底面との界面から上方に延伸した転位のみ存在するが、この転位密度は一般に図14Dの場合に比べて多い。成長を続けると、図17Bに示すように、凹部13の底面を底辺とする二等辺三角形状の断面形状を有する窒化物系III−V族化合物半導体層15の側面に抜けた転位は、凸部12より低い位置にあるものは基板11の主面に平行に凸部12の側面まで延伸し続けて消失し、凸部12より高い位置にあるものは基板11の主面に平行に延伸して横方向成長した窒化物系III−V族化合物半導体層15の側面に抜ける。窒化物系III−V族化合物半導体層15の横方向成長をさらに続けると、図17Cに示すように、凸部12の上でその両側から成長した窒化物系III−V族化合物半導体層15同士が会合し、やがて窒化物系III−V族化合物半導体層15の表面が基板11の主面と平行な平坦面となる。窒化物系III−V族化合物半導体層15中の転位は、凸部12上で会合したときに上方に屈曲し、貫通転位19となる。この貫通転位19の密度は、十分に低いものの、成長初期に凹部13の底面に微小核14が生成する場合に比べると高くなる。これは、図18AおよびBに示すように、微小核14を生成しない場合には、基板11との界面から発生する転位は、凹部13の底面を底辺とする二等辺三角状部の斜面に到達したときに一回だけ水平方向に屈曲するためである。すなわち、この場合には、微小核14の生成、成長および合体の過程で転位が束ねられる効果が得られない。
加えて、この窒化物系III−V族化合物半導体系発光ダイオードの製造に必要なエピタキシャル成長は1回で済み、しかも成長マスクが不要であるだけでなく、基板11上の凸部12は基板11上に凸部12の材料となる膜、例えばSiO2 膜、SiON膜、SiN膜、CrN膜、CrON膜などの膜を形成し、これをエッチング、粉末ブラスト法、サンドブラスト法などにより加工するだけで形成することができるので、凹凸加工が困難なサファイア基板などの基板11の加工が不要であるため、製造工程が簡単であり、低コストで窒化物系III−V族化合物半導体系発光ダイオードを製造することができる。
この第2の実施形態においては、第1の実施形態と異なり、n型窒化物系III−V族化合物半導体層16、活性層17およびp型窒化物系III−V族化合物半導体層18にメサ部23を形成しない。そして、p型窒化物系III−V族化合物半導体層18上のp側電極22まで形成した後、基板11を除去し、n型の窒化物系III−V族化合物半導体層15の裏面を露出させる。そして、図20に示すように、この窒化物系III−V族化合物半導体層15の裏面にn側電極24を形成する。
ここで、p側電極22およびn側電極24を高反射電極あるいは透明電極とすることにより、光の取り出し方向を選択することができる。
また、基板11を除去することにより発光ダイオードの全体の厚さが極めて小さくなるので、機械的強度の向上を図るため、図21に示すように、p側電極22に支持基板25をその上の金属電極26を介して貼り付けて接合してもよい。支持基板25は導電性、非導電性のいずれであってもよく、金属電極26を介して発光ダイオードに電流を流すことが可能な構造を支持基板25に持たせればよい。
上記以外のことは第1の実施形態と同様である。
この第2の実施形態によれば、第1の実施形態と同様な利点を得ることができる。ここで、活性層17で発生した光は、p側電極22側およびn側電極24側へ広がるが、基板11および凸部12の材料、凸部12の構成、p側電極22およびn側電極24として高反射電極あるいは透明電極を使い分けることにより光取り出し方向を制御することが可能である。また、p側電極22をp型窒化物系III−V族化合物半導体層18のほぼ全面に形成し、n側電極24もn型の窒化物系III−V族化合物半導体層15のほぼ全面に形成していることから、発光ダイオードの動作時に、発光効率の低下や信頼性の低下などの要因と懸念されているカレントクラウディング(current crowding)現象が生じるのを防止することができるため、発光ダイオードの発光効率および信頼性の向上を図ることができ、特に発光ダイオードの高出力化の際に有効である。
この第3の実施形態においては、図22Aに示すように、基板11上に断面形状が台形状の凸部12を所定の平面形状で周期的に形成する。凸部12の間には逆台形状の断面形状を有する凹部13が形成される。
次に、第1の実施形態と同様にして窒化物系III−V族化合物半導体層15を成長させる。具体的には、凹部13の底面上の微小核14の生成、成長および合体の過程を経て図22Bに示すように、凹部13の底面を底辺とする二等辺三角形状の断面形状を有する窒化物系III−V族化合物半導体層15を成長させ、さらに横方向成長を経て図22Cに示すように、平坦な表面を有し、貫通転位密度が低い窒化物系III−V族化合物半導体層15を成長させる。
次に、第1の実施形態と同様に工程を進めて、図23に示すように、目的とする窒化物系III−V族化合物半導体系発光ダイオードを製造する。
上記以外のことは第1の実施形態と同様である。
この第3の実施形態によれば、第1の実施形態と同様な利点を得ることができる。
図24において、横軸は凸部12の屈折率、縦軸は凸部12を形成しなかった場合に対する光取り出し効率ηの向上度(光取り出し倍率)を示す。また、図24中、▲のデータは凸部12が図7に示す一次元ストライプ形状の場合(1D)、●のデータは一次元ストライプ形状の凸部12を互いに直交して設けることにより得られる二次元配列の場合(2D)を示す。ただし、凸部12の側面と基板11の一主面とのなす角度θは135°、凹部13の底辺の長さWg =2μm、凸部12の底辺の長さ=3μmである。基板11の屈折率は1.77、窒化物系III−V族化合物半導体層15の屈折率は2.35と仮定した。図24より、光取り出し倍率は、1D、2Dとも凸部12の屈折率が1.4のときに最大となり、屈折率が1.2〜1.7の範囲では十分に大きくなること、2Dでは1Dに比べて光取り出し倍率が大きいことが分かる。
なお、この結果は凸部12の断面形状が第1の実施形態のように三角形状である場合も同様である。
なお、この結果は凸部12の断面形状が第1の実施形態のように三角形状である場合も同様である。
この第4の実施形態においては、図28に示すように、基板11上に断面形状が台形状の凸部12を周期的に形成し、凸部12の間に逆台形状の断面形状を有する凹部13を形成することは第3の実施形態と同様であるが、この場合、凸部12の上面の幅Wt は凹部13の底面の幅Wg より十分に大きく選ばれている。そして、この基板11上に第3の実施形態と同様にして、窒化物系III−V族化合物半導体層15、n型窒化物系III−V族化合物半導体層16、活性層17およびp型窒化物系III−V族化合物半導体層18を順次成長させる。
次に、第1の実施形態と同様にして、図29に示すように、p型窒化物系III−V族化合物半導体層18上にp側電極22を形成した後、貫通転位19の部分に溝20を形成する。
次に、図30に示すように、各溝20の底部のn型の窒化物系III−V族化合物半導体層15上にn側電極24を形成する。
ここで、p側電極22を高反射電極あるいは透明電極とすることにより、光の取り出し方向を選択することができる。
この後、第1の実施形態と同様に工程を進めて、目的とする窒化物系III−V族化合物半導体系発光ダイオードを製造する。
この第4の実施形態によれば、第1の実施形態と同様な利点を得ることができる。
この第5の実施形態においては、第4の実施形態と同様にして貫通転位19の部分に溝20を形成するが、この場合、図31に示すように、この溝20は基板11が露出する深さに形成する。このとき、この溝20の内壁下部に凸部12が露出する。この場合、凸部12の材料としては、後のウエットエッチングの際に容易にエッチング除去することができるように、好適には、非晶質材料が用いられる。
次に、図32に示すように、別の基板27の一主面側を基板11上のp側電極22と接着剤などを介して貼り合わせる。
次に、図33に示すように、窒化物系III−V族化合物半導体に対して凸部12を選択的にエッチングすることができるエッチング液を用いて凸部12をウエットエッチングして除去することにより、その上の窒化物系III−V族化合物半導体層15、n型窒化物系III−V族化合物半導体層16、活性層17およびp型窒化物系III−V族化合物半導体層18を基板11から剥離する。例えば、凸部12の材料としてSiO2 を用いる場合には、エッチング液としてフッ酸系のエッチング液を用いる。
次に、図34に示すように、窒化物系III−V族化合物半導体層15の裏面にn側電極24として例えばITOなどからなる透明電極を形成する。
発光ダイオードアレイを製造する場合には、図35に示すように、例えば配線基板28の配線面側を基板11上のp側電極22とこの配線基板28の配線とが接続されるように貼り合わせる。次に、窒化物系III−V族化合物半導体に対して凸部12を選択的にエッチングすることができるエッチング液を用いて凸部12をエッチング除去することにより、その上の窒化物系III−V族化合物半導体層15、n型窒化物系III−V族化合物半導体層16、活性層17およびp型窒化物系III−V族化合物半導体層18を基板11から剥離する。次に、図36に示すように、溝20に絶縁材料21を埋め込んだ後、全面にn側電極24として例えばITOなどからなる透明電極を窒化物系III−V族化合物半導体層15と接続されるように形成する。
この第5の実施形態によれば、第1の実施形態と同様な利点を得ることができるほか、次のような利点を得ることもできる。すなわち、p側電極22をp型窒化物系III−V族化合物半導体層18のほぼ全面に形成し、n側電極24もn型の窒化物系III−V族化合物半導体層15のほぼ全面または全面に形成していることから、発光ダイオードの動作時に、発光効率の低下や信頼性の低下などの要因と懸念されているカレントクラウディング現象が生じるのを防止することができるため、発光ダイオードの発光効率および信頼性の向上を図ることができ、特に発光ダイオードの高出力化の際に有効である。また、簡便で低コストのウエットエッチング法により凸部12をエッチング除去することにより、窒化物系III−V族化合物半導体層15、n型窒化物系III−V族化合物半導体層16、活性層17およびp型窒化物系III−V族化合物半導体層18を基板11から剥離しているので、高価な設備を要し、非生産的な方法であるレーザ剥離を用いる必要がなく、発光ダイオードの製造コストの低減を図ることができる。また、この剥離後の基板11は、必要に応じて表面研磨などの処理を施した後、再利用することができるので、これによっても発光ダイオードの製造コストの低減を図ることができる。
この第6の実施形態においては、図37に示すように、例えばサファイア基板などの基板11上に従来公知の方法により例えば550℃程度の成長温度で例えばGaNバッファ層、AlNバッファ層、CrNバッファ層、CrドープGaNバッファ層あるいはCrドープAlNバッファ層(図示せず)を成長させた後、その上に例えばMOCVD法により例えばGaN層などの窒化物系III−V族化合物半導体層31を成長させる。次に、従来公知の横方向エピタキシャル成長(epitaxial lateral overgrowth,ELO)法に従い、この窒化物系III−V族化合物半導体層31上に例えばSiO2 膜などからなる成長マスク32を形成し、この成長マスク32を用いて窒化物系III−V族化合物半導体層15を横方向成長させる。
次に、図38に示すように、p型窒化物系III−V族化合物半導体層18上にp側電極22を形成した後、第5の実施形態と同様にして貫通転位19の部分に溝20を窒化物系III−V族化合物半導体層31が露出する深さに形成する。このとき、この溝20の内壁下部に成長マスク32が露出する。
この後、第5の実施形態と同様に工程を進め、単体の発光ダイオードまたは発光ダイオードアレイを製造する。
この第7の実施形態においては、p側電極22の形成工程までは第1の実施形態と同様であるが、それ以降の工程が異なる。ここで、このp側電極22においては、好適には、電極材料(例えばAgなど)の拡散を防ぐためにPdを含有する層を介在させたり、その上に、応力、熱、上層に形成されるAuやSnを含む層(はんだ層やバンプなど)からのAuやSnのp側電極22への拡散などによる不良の発生を防止するために例えばTi、W、Crあるいはこれらの合金などの高融点金属、あるいはこれらの金属の窒化物(TiN、WN、TiWN、CrNなど)を形成することにより、粒界のないアモルファス状のバリアメタル層として用いる技術を適用する。
次に、図39Bに示すように、リソグラフィーにより、Ni膜41およびその上のPd膜などの層を覆う所定形状のレジストパターン42を形成する。
次に、図39Cに示すように、レジストパターン42をマスクとして例えばRIE法によりエッチングすることによりメサ部23を断面形状が台形になるように形成する。このメサ部23の斜面と基板11の主面とのなす角度は例えば35度程度とする。このメサ部23の斜面には必要に応じてλ/4誘電体膜(λ:発光波長)を形成する。
次に、図39Eに示すように、基板全面にパッシベーション膜としてSiO2 膜43を形成する。下地に対する密着性、耐久性、プロセス上の耐食性を考慮に入れた場合、SiO2 膜43の代わりにSiN膜あるいSiON膜を用いてもよい。
次に、図39Fに示すように、このSiO2 膜43をエッチバックして薄くした後、メサ部23の斜面のSiO2 膜43上に反射膜としてAl膜44を形成する。このAl膜44は、活性層17から発生する光を基板11側に反射させて光の取り出し効率の向上を図るためのものである。このAl膜44の一端はn側電極24と接触するように形成する。これは、Al膜44とn側電極24との間に隙間をつくらないようにすることで光の反射を増すためである。この後、SiO2 膜43を再度形成してパッシベーション膜として必要な厚さにする。
次に、図39Hに示すように、開口45の部分のNi膜41上にパッド電極47を形成するとともに、開口46の部分のn側電極24上にパッド電極48を形成する。
次に、図39Iに示すように、基板全面にバンプマスク材49を形成した後、このバンプマスク材49のうちのパッド電極48の上方の部分をエッチング除去して開口50を形成し、この部分にパッド電極48を露出させる。
次に、必要に応じて、上述のようにして発光ダイオード構造が形成された基板11をその裏面側から研削やラッピングすることにより厚さを減少させた後、この基板11のスクライビングを行い、バーを形成する。この後、このバーのスクライビングを行うことでチップ化する。
この第8の実施形態においては、第1の実施形態による方法により得られる青色発光の発光ダイオードおよび緑色発光の発光ダイオードに加え、別途用意する赤色発光の発光ダイオード(例えば、AlGaInP系発光ダイオード)を用いて発光ダイオードバックライトを製造する場合について説明する。
第1の実施形態による方法により基板11上に青色発光の発光ダイオード構造を形成し、さらにp側電極22およびn側電極24上にそれぞれバンプ(図示せず)を形成した後、これをチップ化することによりフリップチップの形で青色発光の発光ダイオードを得る。同様にして、緑色発光の発光ダイオードをフリップチップの形で得る。一方、赤色発光の発光ダイオードとしては、n型GaAs基板上にAlGaInP系半導体層を積層してダイオード構造を形成し、その上部にp側電極を形成する工程を経る、AlGaInP系発光ダイオードをチップの形で用いるものとする。
ただし、サブマウント62を省略して、赤色発光の発光ダイオードチップ63、緑色発光の発光ダイオードチップ64および青色発光の発光ダイオードチップ65を直接、放熱性を有する任意のプリント配線基板あるいは、プリント配線基板の機能を有する板、筐体の内外壁(例えば、シャーシの内壁など)にダイレクトマウントすることも可能であり、こうすることで発光ダイオードバックライトあるいはパネル全体の低コスト化を図ることができる。
この発光ダイオードバックライトは、例えば液晶パネルのバックライトに用いて好適なものである。
この第9の実施形態においては、第8の実施形態と同様にして、赤色発光の発光ダイオードチップ63、緑色発光の発光ダイオードチップ64および青色発光の発光ダイオードチップ65を基板61上に所定のパターンで必要な数配置した後、図43に示すように、赤色発光の発光ダイオードチップ63を覆うようにこの発光ダイオードチップ63に適した透明樹脂69のポッティングを行い、緑色発光の発光ダイオードチップ64を覆うようにこの発光ダイオードチップ64に適した透明樹脂70のポッティングを行い、青色発光の発光ダイオードチップ65を覆うようにこの発光ダイオードチップ65に適した透明樹脂71のポッティングを行う。この後、透明樹脂69〜71のキュア処理を行う。このキュア処理により透明樹脂69〜71は固化し、それに伴い少し縮小する。こうして、赤色発光の発光ダイオードチップ63、緑色発光の発光ダイオードチップ64および青色発光の発光ダイオードチップ65を一単位としたものが基板61上にアレイ状に配列された発光ダイオードバックライトが得られる。この場合、透明樹脂70、71はそれぞれ緑色発光の発光ダイオードチップ64および青色発光の発光ダイオードチップ65の基板11の裏面と接触しているため、この基板11の裏面が空気と直接接触している場合に比べて屈折率差が小さくなり、したがってこの基板11を透過して外部に出ようとする光がこの基板11の裏面で反射される割合が減少し、それによって光取り出し効率が向上することで発光効率が向上する。
この発光ダイオードバックライトは、例えば液晶パネルのバックライトに用いて好適なものである。
この第10の実施形態においては、第1の実施形態による方法により得られる青色発光の発光ダイオードおよび緑色発光の発光ダイオードに加え、別途用意する赤色発光の発光ダイオードを用いて光源セルユニットを製造する場合について説明する。
図44Aに示すように、この第10の実施形態においては、第8の実施形態と同様にして、赤色発光の発光ダイオードチップ63、緑色発光の発光ダイオードチップ64および青色発光の発光ダイオードチップ65をそれぞれ少なくとも一つ含み、これらが所定のパターンで配置されたセル75をプリント配線基板76上に所定のパターンで必要な数配置する。この例では、各セル75は、赤色発光の発光ダイオードチップ63、緑色発光の発光ダイオードチップ64および青色発光の発光ダイオードチップ65をそれぞれ一つ含み、これらが正三角形の頂点に配置されている。図44Bにセル75を拡大して示す。各セル75における赤色発光の発光ダイオードチップ63、緑色発光の発光ダイオードチップ64および青色発光の発光ダイオードチップ65の間隔aは例えば4mmであるが、これに限定されるものではない。セル75の間隔bは例えば30mmであるが、これに限定されるものではない。プリント配線基板76としては、例えば、FR4(Flame Retardant
Type 4の略)基板やメタルコア基板やフレキシブル配線基板などを用いることができるが、放熱性を有するプリント配線基板であれば他のものを用いることもでき、これらに限定されるものではない。第8の実施形態と同様にして、各セル76を覆うように透明樹脂68のポッティングを行い、あるいは、第9の実施形態と同様にして、赤色発光の発光ダイオードチップ63を覆うように透明樹脂69のポッティングを行い、緑色発光の発光ダイオードチップ64を覆うように透明樹脂70のポッティングを行い、青色発光の発光ダイオードチップ65を覆うように透明樹脂71のポッティングを行う。こうして、赤色発光の発光ダイオードチップ63、緑色発光の発光ダイオードチップ64および青色発光の発光ダイオードチップ65からなるセル75がプリント配線基板76上に配置された光源セルユニットが得られる。
図47はセル75の他の構成例を示す。この例では、セル75は、赤色発光の発光ダイオードチップ63を一つ、緑色発光の発光ダイオードチップ64を二つ、青色発光の発光ダイオードチップ65を一つ含み、これらが例えば正方形の頂点に配置されている。二つの緑色発光の発光ダイオードチップ64はこの正方形の一つの対角線の両端の頂点に配置され、赤色発光の発光ダイオードチップ63および青色発光の発光ダイオードチップ65はこの正方形のもう一つの対角線の両端の頂点に配置されている。
この光源セルユニットを一つまたは複数配列することにより、例えば液晶パネルのバックライトに用いて好適な発光ダイオードバックライトを得ることができる。
例えば、上述の第1〜第10の実施形態において挙げた数値、材料、構造、形状、基板、原料、プロセス、凸部12および凹部13の方位などはあくまでも例に過ぎず、必要に応じて、これらと異なる数値、材料、構造、形状、基板、原料、プロセスなどを用いてもよい。
具体的には、例えば、上述の第1〜第7の実施形態において、p型層およびn型層の導電型を互いに逆にしてもよい。
また、必要に応じて、上述の第1〜第10の実施形態のうちの二以上を組み合わせてもよい。
Claims (14)
- 一主面に複数の凸部を有する基板を用い、当該基板の凹部に、その底面を底辺とする三角形状の断面形状となる状態を経て第1の窒化物系III−V族化合物半導体層を成長させる工程と、
上記第1の窒化物系III−V族化合物半導体層から上記基板上に第2の窒化物系III−V族化合物半導体層を横方向成長させる工程と、
上記第2の窒化物系III−V族化合物半導体層上に第1の導電型の第3の窒化物系III−V族化合物半導体層、活性層および第2の導電型の第4の窒化物系III−V族化合物半導体層を順次成長させる工程と、
上記第1の窒化物系III−V族化合物半導体層、上記第2の窒化物系III−V族化合物半導体層、上記第3の窒化物系III−V族化合物半導体層、上記活性層および上記第4の窒化物系III−V族化合物半導体層のうちの上記凹部および/または互いに隣接する上記凹部の間の中央部に対応する部分を、上記第4の窒化物系III−V族化合物半導体層の表面から深さ方向に、少なくとも上記第3の窒化物系III−V族化合物半導体層が露出するまで除去する工程と
を有することを特徴とする発光ダイオードの製造方法。 - 上記第1の窒化物系III−V族化合物半導体層を成長させる際に、上記凹部の底面との界面から上記一主面に対して垂直方向に発生する転位が、上記三角形状の断面形状となる状態の上記第1の窒化物系III−V族化合物半導体層の斜面またはその近傍に到達したとき、上記一主面に平行な方向に屈曲することを特徴とする請求項1記載の発光ダイオードの製造方法。
- 上記凸部は上記基板と異なる材料からなることを特徴とする請求項1記載の発光ダイオードの製造方法。
- 上記凸部、上記第1の窒化物系III−V族化合物半導体層、上記第2の窒化物系III−V族化合物半導体層、上記第3の窒化物系III−V族化合物半導体層、上記活性層および上記第4の窒化物系III−V族化合物半導体層のうちの上記凹部および/または互いに隣接する上記凹部の間の中央部に対応する部分を、上記第4の窒化物系III−V族化合物半導体層の表面から深さ方向に、上記基板が露出するまで除去することを特徴とする請求項3記載の発光ダイオードの製造方法。
- 上記凸部、上記第1の窒化物系III−V族化合物半導体層、上記第2の窒化物系III−V族化合物半導体層、上記第3の窒化物系III−V族化合物半導体層、上記活性層および上記第4の窒化物系III−V族化合物半導体層のうちの上記凹部および/または互いに隣接する上記凹部の間の中央部に対応する部分を、上記第4の窒化物系III−V族化合物半導体層の表面から深さ方向に、上記基板が露出するまで除去した後、残された上記凸部をエッチング除去することにより上記第1の窒化物系III−V族化合物半導体層、上記第2の窒化物系III−V族化合物半導体層、上記第3の窒化物系III−V族化合物半導体層、上記活性層および上記第4の窒化物系III−V族化合物半導体層を上記基板から剥離することを特徴とする請求項4記載の発光ダイオードの製造方法。
- 一主面に複数の凸部を有する基板と、
上記基板上に、上記基板の凹部に空隙を形成しないで成長された第5の窒化物系III−V族化合物半導体層と、
上記第5の窒化物系III−V族化合物半導体層上の第1の導電型の第3の窒化物系III−V族化合物半導体層、活性層および第2の導電型の第4の窒化物系III−V族化合物半導体層とを有し、
上記第5の窒化物系III−V族化合物半導体層において、上記凹部の底面との界面から上記一主面に対して垂直方向に発生した転位が、上記凹部の底面を底辺とする三角形状部の斜面またはその近傍に到達し、そこから上記一主面に平行な方向に屈曲しており、
上記第5の窒化物系III−V族化合物半導体層、上記第3の窒化物系III−V族化合物半導体層、上記活性層および上記第4の窒化物系III−V族化合物半導体層のうちの上記凹部および/または互いに隣接する上記凹部の間の中央部に対応する部分が、上記第4の窒化物系III−V族化合物半導体層の表面から深さ方向に、少なくとも上記第3の窒化物系III−V族化合物半導体層が露出するまで除去されている
ことを特徴とする発光ダイオード。 - 赤色発光の発光ダイオード、緑色発光の発光ダイオードおよび青色発光の発光ダイオードをそれぞれ少なくとも一つ含むセルがプリント配線基板上に複数個配列した光源セルユニットにおいて、
上記赤色発光の発光ダイオード、上記緑色発光の発光ダイオードおよび上記青色発光の発光ダイオードのうちの少なくとも一つの発光ダイオードが、
一主面に複数の凸部を有する基板と、
上記基板上に、上記基板の凹部に空隙を形成しないで成長された第5の窒化物系III−V族化合物半導体層と、
上記第5の窒化物系III−V族化合物半導体層上の第1の導電型の第3の窒化物系III−V族化合物半導体層、活性層および第2の導電型の第4の窒化物系III−V族化合物半導体層とを有し、
上記第5の窒化物系III−V族化合物半導体層において、上記凹部の底面との界面から上記一主面に対して垂直方向に発生した転位が、上記凹部の底面を底辺とする三角形状部の斜面またはその近傍に到達し、そこから上記一主面に平行な方向に屈曲しており、
上記第5の窒化物系III−V族化合物半導体層、上記第3の窒化物系III−V族化合物半導体層、上記活性層および上記第4の窒化物系III−V族化合物半導体層のうちの上記凹部および/または互いに隣接する上記凹部の間の中央部に対応する部分が、上記第4の窒化物系III−V族化合物半導体層の表面から深さ方向に、少なくとも上記第3の窒化物系III−V族化合物半導体層が露出するまで除去されているものである
ことを特徴とする光源セルユニット。 - 赤色発光の発光ダイオード、緑色発光の発光ダイオードおよび青色発光の発光ダイオードをそれぞれ複数個配列した発光ダイオードバックライトにおいて、
上記赤色発光の発光ダイオード、上記緑色発光の発光ダイオードおよび上記青色発光の発光ダイオードのうちの少なくとも一つの発光ダイオードが、
一主面に複数の凸部を有する基板と、
上記基板上に、上記基板の凹部に空隙を形成しないで成長された第5の窒化物系III−V族化合物半導体層と、
上記第5の窒化物系III−V族化合物半導体層上の第1の導電型の第3の窒化物系III−V族化合物半導体層、活性層および第2の導電型の第4の窒化物系III−V族化合物半導体層とを有し、
上記第5の窒化物系III−V族化合物半導体層において、上記凹部の底面との界面から上記一主面に対して垂直方向に発生した転位が、上記凹部の底面を底辺とする三角形状部の斜面またはその近傍に到達し、そこから上記一主面に平行な方向に屈曲しており、
上記第5の窒化物系III−V族化合物半導体層、上記第3の窒化物系III−V族化合物半導体層、上記活性層および上記第4の窒化物系III−V族化合物半導体層のうちの上記凹部および/または互いに隣接する上記凹部の間の中央部に対応する部分が、上記第4の窒化物系III−V族化合物半導体層の表面から深さ方向に、少なくとも上記第3の窒化物系III−V族化合物半導体層が露出するまで除去されているものである
ことを特徴とする発光ダイオードバックライト。 - 赤色発光の発光ダイオード、緑色発光の発光ダイオードおよび青色発光の発光ダイオードをそれぞれ複数個配列した発光ダイオード照明装置において、
上記赤色発光の発光ダイオード、上記緑色発光の発光ダイオードおよび上記青色発光の発光ダイオードのうちの少なくとも一つの発光ダイオードが、
一主面に複数の凸部を有する基板と、
上記基板上に、上記基板の凹部に空隙を形成しないで成長された第5の窒化物系III−V族化合物半導体層と、
上記第5の窒化物系III−V族化合物半導体層上の第1の導電型の第3の窒化物系III−V族化合物半導体層、活性層および第2の導電型の第4の窒化物系III−V族化合物半導体層とを有し、
上記第5の窒化物系III−V族化合物半導体層において、上記凹部の底面との界面から上記一主面に対して垂直方向に発生した転位が、上記凹部の底面を底辺とする三角形状部の斜面またはその近傍に到達し、そこから上記一主面に平行な方向に屈曲しており、
上記第5の窒化物系III−V族化合物半導体層、上記第3の窒化物系III−V族化合物半導体層、上記活性層および上記第4の窒化物系III−V族化合物半導体層のうちの上記凹部および/または互いに隣接する上記凹部の間の中央部に対応する部分が、上記第4の窒化物系III−V族化合物半導体層の表面から深さ方向に、少なくとも上記第3の窒化物系III−V族化合物半導体層が露出するまで除去されているものである
ことを特徴とする発光ダイオード照明装置。 - 赤色発光の発光ダイオード、緑色発光の発光ダイオードおよび青色発光の発光ダイオードをそれぞれ複数個配列した発光ダイオードディスプレイにおいて、
上記赤色発光の発光ダイオード、上記緑色発光の発光ダイオードおよび上記青色発光の発光ダイオードのうちの少なくとも一つの発光ダイオードが、
一主面に複数の凸部を有する基板と、
上記基板上に、上記基板の凹部に空隙を形成しないで成長された第5の窒化物系III−V族化合物半導体層と、
上記第5の窒化物系III−V族化合物半導体層上の第1の導電型の第3の窒化物系III−V族化合物半導体層、活性層および第2の導電型の第4の窒化物系III−V族化合物半導体層とを有し、
上記第5の窒化物系III−V族化合物半導体層において、上記凹部の底面との界面から上記一主面に対して垂直方向に発生した転位が、上記凹部の底面を底辺とする三角形状部の斜面またはその近傍に到達し、そこから上記一主面に平行な方向に屈曲しており、
上記第5の窒化物系III−V族化合物半導体層、上記第3の窒化物系III−V族化合物半導体層、上記活性層および上記第4の窒化物系III−V族化合物半導体層のうちの上記凹部および/または互いに隣接する上記凹部の間の中央部に対応する部分が、上記第4の窒化物系III−V族化合物半導体層の表面から深さ方向に、少なくとも上記第3の窒化物系III−V族化合物半導体層が露出するまで除去されているものである
ことを特徴とする発光ダイオードディスプレイ。 - 一つまたは複数の発光ダイオードを有する電子機器において、
少なくとも一つの上記発光ダイオードが、
一主面に複数の凸部を有する基板と、
上記基板上に、上記基板の凹部に空隙を形成しないで成長された第5の窒化物系III−V族化合物半導体層と、
上記第5の窒化物系III−V族化合物半導体層上の第1の導電型の第3の窒化物系III−V族化合物半導体層、活性層および第2の導電型の第4の窒化物系III−V族化合物半導体層とを有し、
上記第5の窒化物系III−V族化合物半導体層において、上記凹部の底面との界面から上記一主面に対して垂直方向に発生した転位が、上記凹部の底面を底辺とする三角形状部の斜面またはその近傍に到達し、そこから上記一主面に平行な方向に屈曲しており、
上記第5の窒化物系III−V族化合物半導体層、上記第3の窒化物系III−V族化合物半導体層、上記活性層および上記第4の窒化物系III−V族化合物半導体層のうちの上記凹部および/または互いに隣接する上記凹部の間の中央部に対応する部分が、上記第4の窒化物系III−V族化合物半導体層の表面から深さ方向に、少なくとも上記第3の窒化物系III−V族化合物半導体層が露出するまで除去されているものである
ことを特徴とする電子機器。 - 一主面に複数の凸部を有する基板を用い、当該基板の凹部に、その底面を底辺とする三角形状の断面形状となる状態を経て第1の層を成長させる工程と、
上記第1の層から上記基板上に第2の層を横方向成長させる工程と、
上記第2の層上に少なくとも活性層を含む第3の層を成長させる工程と、
上記第1の層、上記第2の層および上記第3の層のうちの上記凹部および/または互いに隣接する上記凹部の間の中央部に対応する部分を、上記第3の層の表面から深さ方向に、少なくとも上記活性層の下地層が露出するまで除去する工程と
を有することを特徴とする電子装置の製造方法。 - 一主面に複数の凸部を有する基板と、
上記基板上に、上記基板の凹部に空隙を形成しないで成長された第4の層と、
上記第4の層上に成長された少なくとも活性層を含む第3の層とを有し、
上記第4の層において、上記凹部の底面との界面から上記一主面に対して垂直方向に発生した転位が、上記凹部の底面を底辺とする三角形状部の斜面またはその近傍に到達し、そこから上記一主面に平行な方向に屈曲しており、
上記第4の層および上記第3の層のうちの上記凹部および/または互いに隣接する上記凹部の間の中央部に対応する部分が、上記第3の層の表面から深さ方向に、少なくとも上記活性層の下地層が露出するまで除去されている
ことを特徴とする電子装置。 - 一主面に成長マスクを有する基板を用い、当該基板の上記成長マスクの開口部からなる凹部から上記成長マスク上に第5の層を横方向成長させる工程と、
上記第5の層上に少なくとも活性層を含む第3の層を成長させる工程と、
上記第5の層および上記第3の層のうちの上記凹部および/または互いに隣接する上記凹部の間の中央部に対応する部分を、上記第3の層の表面から深さ方向に、上記基板が露出するまで除去する工程と、
残された上記成長マスクをエッチング除去することにより上記第5の層および上記第3の層を上記基板から剥離する工程と
を有することを特徴とする電子装置の製造方法。
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