JP2006339534A - 発光ダイオード、発光ダイオードの製造方法、発光ダイオードバックライト、発光ダイオード照明装置、発光ダイオードディスプレイおよび電子機器 - Google Patents
発光ダイオード、発光ダイオードの製造方法、発光ダイオードバックライト、発光ダイオード照明装置、発光ダイオードディスプレイおよび電子機器 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2006339534A JP2006339534A JP2005164757A JP2005164757A JP2006339534A JP 2006339534 A JP2006339534 A JP 2006339534A JP 2005164757 A JP2005164757 A JP 2005164757A JP 2005164757 A JP2005164757 A JP 2005164757A JP 2006339534 A JP2006339534 A JP 2006339534A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- compound semiconductor
- nitride
- layer
- light emitting
- iii
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Images
Abstract
【解決手段】 一主面に凹凸加工を施したサファイア基板11上にn型GaN層12、n型GaInNバッファ層14、n型GaN層15、InGaN井戸層とGaN障壁層とからなるMQW構造の活性層16、p型AlGaN層17およびp型GaN層18を順次エピタキシャル成長させて発光ダイオード構造を形成する。この成長時に、サファイア基板11の凸部11bの上の部分に形成される会合部に形成された貫通転位13の一部を起点として六角錐状のピット19が形成される。
【選択図】 図2
Description
この発明が解決しようとする他の課題は、上記のような発光ダイオードを用いた高性能の発光ダイオードバックライト、発光ダイオード照明装置、発光ダイオードディスプレイおよび電子機器を提供することである。
一主面に凹凸構造を有する基板と、
上記基板上の第1の導電型の第1の窒化物系III−V族化合物半導体層と、
上記第1の窒化物系III−V族化合物半導体層上の活性層と、
上記活性層上の第2の導電型の第2の窒化物系III−V族化合物半導体層と、
上記基板と上記活性層との間のピット形成用不純物を含む層とを有し、
上記基板の凸部の上方に、上記ピット形成用不純物を含む層から、上記第2の窒化物系III−V族化合物半導体層の上面に達するピットが集中して形成されている
ことを特徴とする発光ダイオードである。
基板としては種々のものを用いることができる。窒化物系III−V族化合物半導体と異なる物質からなる基板としては、具体的には、例えば、サファイア(Al2 O3 )(c面、a面、r面などを含み、これらの面からオフした面のものも含む)、SiC(6H、4H、3Cを含む)、ZnS、ZnOなどからなる基板を用いることができ、好適には、これらの材料からなる六方晶基板または立方晶基板、より好適には六方晶基板を用いる。基板としては、窒化物系III−V族化合物半導体(GaN、InAlGaN、AlNなど)からなる基板を用いてもよい。場合によっては、基板として、窒化物系III−V族化合物半導体と異なる物質からなる基板上に窒化物系III−V族化合物半導体層を成長させ、この窒化物系III−V族化合物半導体層に上記の凹部を形成したものであってもよい。基板は、これらの基板(特に、サファイア基板、SiC基板、GaN基板など)を組み合わせて積層させた複合基板であってもよい。これらの基板は、いずれも緑色の光および青色の光に対して透明であるから、発光波長が緑色または青色の波長帯である場合には、基板の第1の窒化物系III−V族化合物半導体層と反対側の主面からこの基板を通して外部に光を取り出すことができる。
なお、基板は、必要に応じて除去してもよい。
第1および第2の窒化物系III−V族化合物半導体層ならびに活性層を構成する窒化物系III−V族化合物半導体層の成長方法としては、例えば、有機金属化学気相成長(MOCVD)、ハイドライド気相エピタキシャル成長あるいはハライド気相エピタキシャル成長(HVPE)、分子線エピタキシー(MBE)などの各種のエピタキシャル成長法を用いることができる。
一主面に凹凸構造を有する基板上に第1の導電型の第1の窒化物系III−V族化合物半導体層、活性層および第2の導電型の第2の窒化物系III−V族化合物半導体層を順次成長させるようにした発光ダイオードの製造方法において、
上記活性層を成長させる前にピット形成用不純物を含む層を成長させるようにした
ことを特徴とするものである。
好適には、第1の窒化物系III−V族化合物半導体層を成長させる際に、一主面に凹凸構造を有する基板の当該凹部に、その底面を底辺とする三角形の断面形状となる状態を経て第1の窒化物系III−V族化合物半導体層を成長させることで当該凹部を埋め、続いて基板上にこの第1の窒化物系III−V族化合物半導体層を横方向成長させるようにする。このとき、基板の凹部の底面との界面から基板の一主面に対して垂直方向に発生する転位が、上記の三角形の断面形状となる状態の第1の窒化物系III−V族化合物半導体層の斜面またはその近傍に到達したとき、上記の一主面に平行な方向に屈曲する。
必要に応じて、第1の窒化物系III−V族化合物半導体層、活性層および第2の窒化物系III−V族化合物半導体層を成長させた後に基板を除去するようにしてもよい。
この第2の発明においては、上記以外のことについては、その性質に反しない限り、第1の発明に関連して説明したことが成立する。
基板と、
上記基板上の窒化物系III−V族化合物半導体種結晶層と、
上記窒化物系III−V族化合物半導体種結晶層上の成長マスクと、
上記成長マスクの開口部の上記窒化物系III−V族化合物半導体種結晶層から横方向成長した下地窒化物系III−V族化合物半導体層と、
上記下地窒化物系III−V族化合物半導体層上の第1の導電型の第1の窒化物系III−V族化合物半導体層と、
上記第1の窒化物系III−V族化合物半導体層上の活性層と、
上記活性層上の第2の導電型の第2の窒化物系III−V族化合物半導体層と、
上記下地窒化物系III−V族化合物半導体層と上記活性層との間のピット形成用不純物を含む層とを有し、
上記成長マスクの上記開口部以外の部分の上方に、上記ピット形成用不純物を含む層から、上記第2の窒化物系III−V族化合物半導体層の上面に達するピットが集中して形成されている
ことを特徴とする発光ダイオードである。
この第3の発明においては、その性質に反しない限り、第1の発明に関連して説明したことが成立する。
基板上に窒化物系III−V族化合物半導体種結晶層を成長させ、この窒化物系III−V族化合物半導体種結晶層上に成長マスクを形成し、この成長マスクの開口部の上記窒化物系III−V族化合物半導体種結晶層から下地窒化物系III−V族化合物半導体層を横方向成長させ、この下地窒化物系III−V族化合物半導体層上に第1の導電型の第1の窒化物系III−V族化合物半導体層、活性層および第2の導電型の第2の窒化物系III−V族化合物半導体層を順次成長させるようにした発光ダイオードの製造方法において、
上記下地窒化物系III−V族化合物半導体層を横方向成長させた後、上記活性層を成長させる前にピット形成用不純物を含む層を成長させるようにした
ことを特徴とするものである。
この第4の発明においては、上記以外のことについては、その性質に反しない限り、第1の発明に関連して説明したことが成立する。
赤色発光の発光ダイオード、緑色発光の発光ダイオードおよび青色発光の発光ダイオードをそれぞれ複数個配列した発光ダイオードバックライトにおいて、
上記緑色発光の発光ダイオードおよび上記青色発光の発光ダイオードのうちの少なくとも一つの発光ダイオードが、
一主面に凹凸構造を有する基板と、
上記基板上の第1の導電型の第1の窒化物系III−V族化合物半導体層と、
上記第1の窒化物系III−V族化合物半導体層上の活性層と、
上記活性層上の第2の導電型の第2の窒化物系III−V族化合物半導体層と、
上記基板と上記活性層との間のピット形成用不純物を含む層とを有し、
上記基板の凸部の上方に、上記ピット形成用不純物を含む層から、上記第2の窒化物系III−V族化合物半導体層の上面に達するピットが集中して形成されている
ことを特徴とするものである。
赤色発光の発光ダイオード、緑色発光の発光ダイオードおよび青色発光の発光ダイオードをそれぞれ複数個配列した発光ダイオードバックライトにおいて、
上記緑色発光の発光ダイオードおよび上記青色発光の発光ダイオードのうちの少なくとも一つの発光ダイオードが、
基板と、
上記基板上の窒化物系III−V族化合物半導体種結晶層と、
上記窒化物系III−V族化合物半導体種結晶層上の成長マスクと、
上記成長マスクの開口部の上記窒化物系III−V族化合物半導体種結晶層から横方向成長した下地窒化物系III−V族化合物半導体層と、
上記下地窒化物系III−V族化合物半導体層上の第1の導電型の第1の窒化物系III−V族化合物半導体層と、
上記第1の窒化物系III−V族化合物半導体層上の活性層と、
上記活性層上の第2の導電型の第2の窒化物系III−V族化合物半導体層と、
上記下地窒化物系III−V族化合物半導体層と上記活性層との間のピット形成用不純物を含む層とを有し、
上記成長マスクの上記開口部以外の部分の上方に、上記ピット形成用不純物を含む層から、上記第2の窒化物系III−V族化合物半導体層の上面に達するピットが集中して形成されている
ことを特徴とするものである。
赤色発光の発光ダイオード、緑色発光の発光ダイオードおよび青色発光の発光ダイオードをそれぞれ複数個配列した発光ダイオード照明装置において、
上記緑色発光の発光ダイオードおよび上記青色発光の発光ダイオードのうちの少なくとも一つの発光ダイオードが、
一主面に凹凸構造を有する基板と、
上記基板上の第1の導電型の第1の窒化物系III−V族化合物半導体層と、
上記第1の窒化物系III−V族化合物半導体層上の活性層と、
上記活性層上の第2の導電型の第2の窒化物系III−V族化合物半導体層と、
上記基板と上記活性層との間のピット形成用不純物を含む層とを有し、
上記基板の凸部の上方に、上記ピット形成用不純物を含む層から、上記第2の窒化物系III−V族化合物半導体層の上面に達するピットが集中して形成されている
ことを特徴とするものである。
赤色発光の発光ダイオード、緑色発光の発光ダイオードおよび青色発光の発光ダイオードをそれぞれ複数個配列した発光ダイオード照明装置において、
上記緑色発光の発光ダイオードおよび上記青色発光の発光ダイオードのうちの少なくとも一つの発光ダイオードが、
基板と、
上記基板上の窒化物系III−V族化合物半導体種結晶層と、
上記窒化物系III−V族化合物半導体種結晶層上の成長マスクと、
上記成長マスクの開口部の上記窒化物系III−V族化合物半導体種結晶層から横方向成長した下地窒化物系III−V族化合物半導体層と、
上記下地窒化物系III−V族化合物半導体層上の第1の導電型の第1の窒化物系III−V族化合物半導体層と、
上記第1の窒化物系III−V族化合物半導体層上の活性層と、
上記活性層上の第2の導電型の第2の窒化物系III−V族化合物半導体層と、
上記下地窒化物系III−V族化合物半導体層と上記活性層との間のピット形成用不純物を含む層とを有し、
上記成長マスクの上記開口部以外の部分の上方に、上記ピット形成用不純物を含む層から、上記第2の窒化物系III−V族化合物半導体層の上面に達するピットが集中して形成されている
ことを特徴とするものである。
赤色発光の発光ダイオード、緑色発光の発光ダイオードおよび青色発光の発光ダイオードをそれぞれ複数個配列した発光ダイオードディスプレイにおいて、
上記緑色発光の発光ダイオードおよび上記青色発光の発光ダイオードのうちの少なくとも一つの発光ダイオードが、
一主面に凹凸構造を有する基板と、
上記基板上の第1の導電型の第1の窒化物系III−V族化合物半導体層と、
上記第1の窒化物系III−V族化合物半導体層上の活性層と、
上記活性層上の第2の導電型の第2の窒化物系III−V族化合物半導体層と、
上記基板と上記活性層との間のピット形成用不純物を含む層とを有し、
上記基板の凸部の上方に、上記ピット形成用不純物を含む層から、上記第2の窒化物系III−V族化合物半導体層の上面に達するピットが集中して形成されている
ことを特徴とするものである。
赤色発光の発光ダイオード、緑色発光の発光ダイオードおよび青色発光の発光ダイオードをそれぞれ複数個配列した発光ダイオードディスプレイにおいて、
上記緑色発光の発光ダイオードおよび上記青色発光の発光ダイオードのうちの少なくとも一つの発光ダイオードが、
基板と、
上記基板上の窒化物系III−V族化合物半導体種結晶層と、
上記窒化物系III−V族化合物半導体種結晶層上の成長マスクと、
上記成長マスクの開口部の上記窒化物系III−V族化合物半導体種結晶層から横方向成長した下地窒化物系III−V族化合物半導体層と、
上記下地窒化物系III−V族化合物半導体層上の第1の導電型の第1の窒化物系III−V族化合物半導体層と、
上記第1の窒化物系III−V族化合物半導体層上の活性層と、
上記活性層上の第2の導電型の第2の窒化物系III−V族化合物半導体層と、
上記下地窒化物系III−V族化合物半導体層と上記活性層との間のピット形成用不純物を含む層とを有し、
上記成長マスクの上記開口部以外の部分の上方に、上記ピット形成用不純物を含む層から、上記第2の窒化物系III−V族化合物半導体層の上面に達するピットが集中して形成されている
ことを特徴とするものである。
第5〜第10の発明において、赤色発光の発光ダイオードとしては、例えば、AlGaInP系半導体を用いたものを用いることができる。
一つまたは複数の発光ダイオードを有する電子機器において、
少なくとも一つの上記発光ダイオードが、
一主面に凹凸構造を有する基板と、
上記基板上の第1の導電型の第1の窒化物系III−V族化合物半導体層と、
上記第1の窒化物系III−V族化合物半導体層上の活性層と、
上記活性層上の第2の導電型の第2の窒化物系III−V族化合物半導体層と、
上記基板と上記活性層との間のピット形成用不純物を含む層とを有し、
上記基板の凸部の上方に、上記ピット形成用不純物を含む層から、上記第2の窒化物系III−V族化合物半導体層の上面に達するピットが集中して形成されている
ことを特徴とするものである。
一つまたは複数の発光ダイオードを有する電子機器において、
少なくとも一つの上記発光ダイオードが、
基板と、
上記基板上の窒化物系III−V族化合物半導体種結晶層と、
上記窒化物系III−V族化合物半導体種結晶層上の成長マスクと、
上記成長マスクの開口部の上記窒化物系III−V族化合物半導体種結晶層から横方向成長した下地窒化物系III−V族化合物半導体層と、
上記下地窒化物系III−V族化合物半導体層上の第1の導電型の第1の窒化物系III−V族化合物半導体層と、
上記第1の窒化物系III−V族化合物半導体層上の活性層と、
上記活性層上の第2の導電型の第2の窒化物系III−V族化合物半導体層と、
上記下地窒化物系III−V族化合物半導体層と上記活性層との間のピット形成用不純物を含む層とを有し、
上記成長マスクの上記開口部以外の部分の上方に、上記ピット形成用不純物を含む層から、上記第2の窒化物系III−V族化合物半導体層の上面に達するピットが集中して形成されている
ことを特徴とするものである。
第5〜第12の発明においては、その性質に反しない限り、第1の発明に関連して説明したことが成立する。
まず、この発明の第1の実施形態によるGaN系発光ダイオードについて説明する。
図1および図2はこのGaN系発光ダイオードの製造方法を示す。
この第1の実施形態においては、図1Aに示すように、まず、一主面に周期的な凹凸加工が施されたサファイア基板11を用意する。符号11aは凹部、11bは凸部を示す。凹部11aは長方形または逆台形の断面形状を有する。例えば、サファイア基板11の主面はc面またはc面から0.15°程度までオフした面、凹部11aはサファイア基板11の〈1−100〉方向に延在するストライプ形状である。このサファイア基板11の凹凸加工は、反応性イオンエッチング(RIE)法などにより行うことができる。これらの凹部11aおよび凸部11bの寸法などの詳細については後述する。
次に、成長条件を横方向成長が支配的となる条件に設定して成長を続けると、図2Aに示すように、n型GaN層12は凸部11b上に横方向成長により広がって行き、隣接する凹部11aから成長したn型GaN層12同士が凸部11bの中央部の上で会合して一体化する。この会合部に貫通転位13が形成される。
ピット19の密度は、1×104 cm-2以上1×109 cm-2以下である。ここで、ピット19の密度の下限1×104 cm-2は、n型GaN層12の転位密度よりはるかに低い。例えば、n型GaInNバッファ層14からp型GaN層18に向かって開くピット19の高さを例えば800nm、上端の直径を1.4μm、ピット19の内面とサファイア基板11の主面とのなす角を60°とすると、一つのピット19当たりの活性層16の消失面積は6.85×10-9cm2 (全てのピット19がn型GaInNバッファ層14の下から発生していると仮定)であるから、ピット19の密度が1×109 cm-2であれば活性層16は消失してしまうことになるためである。
次に、基板表面に所定形状のレジストパターン(図示せず)をリソグラフィーにより形成した後、このレジストパターンをマスクとして例えばRIE法により少なくともn型GaN層12に達する深さまでエッチングすることにより、図3Aに示すように、発光ダイオード構造を形成するGaN系半導体層を所定のメサ形状にパターニングする。
必要に応じて、上述のようにして発光ダイオード構造が形成されたサファイア基板11をその裏面側から研削やラッピングすることにより厚さを減少させた後、このサファイア基板11のスクライビングを行い、バーを形成し、さらにこのバーのスクライビングを行うことでチップ化する。
実際には、図3Bに示すように、ピット19の内面にパッシベーション膜20を介して形成されるp側電極21が反射膜となるため、活性層16から放出される光はパッシベーション膜20に入射し、このパッシベーション膜20を通してサファイア基板11側に向かい、外部に取り出される。
2d≧Wg tanα
例えば、Wg =2.1μm、α=59度の場合にはd≧1.75μm、Wg =2μm、α=59度の場合にはd≧1.66μm、Wg =1.5μm、α=59度の場合にはd≧1.245μm、Wg =1.2μm、α=59度の場合にはd≧0.966μmとする。ただし、いずれの場合もd<5μmとするのが望ましい。
Ga(CH3 )3 (g)+3/2H2 (g)→Ga(g)+3CH4 (g)
NH3 (g)→(1−α)NH3 (g)+α/2N2 (g)+3α/2H2 (g)
Ga(g)+NH3 (g)=GaN(s)+3/2H2 (g)
なる反応式で表現されるように、NH3 とGaとが直接反応することで起きる。この際、H2 ガスが発生するが、このH2 ガスは結晶成長とは逆の作用、すなわちエッチング作用をする。図1BおよびCに示す工程では、従来の平坦な基板上でのGaNの成長では行わない条件、すなわちエッチング作用を高め、成長しにくい条件(V/III比を高める)を用いることにより、凸部11bでの成長を抑制する。一方、凹部11aの内部では、このエッチング作用が弱まるので、結晶成長が起きる。さらに、従来は、成長結晶表面の平坦性を向上させるため、横方向成長の度合いが高まる条件(より高温)で成長させるが、この第1の実施形態においては、貫通転位をサファイア基板11の主面に平行な方向に屈曲させることにより低減させたり、より早期に凹部11aの内部をn型GaN層12で埋めたりする目的で、既に述べたように従来より低温(例えば、1050±50℃)で成長させる。
(d/sinγ)/((Wt +Wg )+d/tanγ)
を最大化することが有効である。例えば、d=1μm、Wt +Wg =4μmの場合には、γ=69度で斜面面積比は0.24となる。
この第2の実施形態においては、図10Aに示すように、p型GaN層18まで成長させた後、ピット19の内面に、発光波長の光を吸収しない材料、例えばGaNなどからなる無吸収膜23を形成する。
この後、図10Bに示すように、発光ダイオード構造を形成するGaN系半導体層をパターニングし、p側電極21およびn側電極22を形成する。
無吸収膜23が導電性の場合には、この無吸収膜23によりp型GaN層18およびp型AlGaN層17とn型GaInNバッファ層14およびn型GaN層15とが短絡するのを防止するために、例えばSiNx 膜やSiO2 膜などの絶縁性でかつ発光波長の光を吸収しないパッシベーション膜を介してこの無吸収膜23を形成するのが好ましい。ただし、この無吸収膜23の材料としてGaNを用いる場合には、これにMgなどのp型不純物をドープしてp型GaNとすることにより、この無吸収膜23とn型GaInNバッファ層14およびn型GaN層15との間にpn接合が形成され、これが抵抗となるので、p型GaN層18およびp型AlGaN層17とn型GaInNバッファ層14およびn型GaN層15との短絡は起きにくく、しかもp側電極21とp型GaNとはショットキー接合となり、これも抵抗となるため、p側電極21の耐圧も確保することが可能である。
上記以外のことは第1の実施形態と同様である。
この第2の実施形態によれば、第1の実施形態と同様な利点に加えて、活性層16から放出される光を、ピット19の内面に形成した無吸収膜23に入射させ、この無吸収膜23を通してサファイア基板11側に向かわせることができるため、光の取り出し効率のより一層の向上を図ることができ、発光効率の一層の向上を図ることができるという利点を得ることができる。
この第3の実施形態においては、図11Aに示すように、p型GaN層18まで成長させた後、ピット19の内面およびp型GaN層18の上面に、発光波長の光に対して反射率が高い金属、例えばAgなどからなる反射膜24を形成する。
この後、図11Bに示すように、発光ダイオード構造を形成するGaN系半導体層をパターニングし、p側電極21およびn側電極22を形成する。
反射膜24が導電性の場合には、この反射膜24によりp型GaN層18およびp型AlGaN層17とn型GaInNバッファ層14およびn型GaN層15とが短絡するのを防止するために、例えばSiNx 膜やSiO2 膜などの絶縁性でかつ発光波長の光を吸収しないパッシベーション膜を介してこの反射膜24を形成するのが好ましい。
上記以外のことは第1の実施形態と同様である。
この第3の実施形態によれば、第1の実施形態と同様な利点に加えて、活性層16から放出される光を、ピット19の内面およびp型GaN層18の上面に形成した反射膜24により反射してサファイア基板11側に向かわせることができるため、光の取り出し効率のより一層の向上を図ることができ、発光効率の一層の向上を図ることができるという利点を得ることができる。
この第4の実施形態においては、図12Aに示すように、n型GaN層12上に、MgがデルタドープされたMgドープGaN層25、n型GaN層15、InGaN井戸層とGaN障壁層とからなるMQW構造の活性層16、p型AlGaN層17およびp型GaN層18を順次エピタキシャル成長させる。MgドープGaN層25の厚さは例えば1〜3nm程度、典型的には2nm程度とする。この場合も、MgドープGaN層25、n型GaN層15、活性層16、p型AlGaN層17およびp型GaN層18の成長時に、サファイア基板11の凸部11bの上の部分に形成される会合部に集中して形成された貫通転位13の一部を起点として成長表面に向かって六角形状に開くファセットを持つ六角錐状のピット19が形成される。
この後、図12Bに示すように、発光ダイオード構造を形成するGaN系半導体層をパターニングし、パッシベーション膜20を形成し、p側電極21およびn側電極22を形成する。
上記以外のことは第1の実施形態と同様である。
この第4の実施形態によれば、n型GaInNバッファ層14の代わりにMgドープGaN層25を用いることにより、第1の実施形態と同様な利点を得ることができる。
この第5の実施形態においては、図13に示すように、ピット19を六角形の形で整列させる。このためには、サファイア基板11の一主面に60°間隔で三方向に延在するストライプ状の凹部11aを互いに平行に多数形成し、これらの凹部11aに囲まれた凸部11aが正三角形となるようにし、このサファイア基板11上にn型GaN層12、n型GaInNバッファ層14、n型GaN層15、活性層16、p型AlGaN層17およびp型GaN層18を成長させる。
上記以外のことは第1の実施形態と同様である。
図14および図15はこのGaN系発光ダイオードの製造方法を示す。
この第6の実施形態においては、図14Aに示すように、まず、平坦な主面を有するサファイア基板11上にMOCVD法によりGaN種結晶層26を成長させる。
次に、上述のようにしてGaN種結晶層26を成長させたサファイア基板11をMOCVD装置から取り出す。
次に、従来公知のELO(epitaxial lateral overgrowth) 法により、成長マスク27を用いてn型GaN層12を横方向成長させる。この場合、開口部24aから成長するn型GaN層12が成長マスク27上で会合して貫通転位13が形成される。
この後、図15に示すように、発光ダイオード構造を形成するGaN系半導体層をパターニングし、パッシベーション膜20を形成し、p側電極21およびn側電極22を形成する。
上記以外のことは第1の実施形態と同様である。
この第6の実施形態によれば、第1の実施形態とほぼ同様な利点を得ることができる。
この第7の実施形態においては、第1〜第6の実施形態による方法により得られる青色発光のGaN系発光ダイオードおよび緑色発光のGaN系発光ダイオードに加え、別途用意する赤色発光のAlGaInP系発光ダイオードを用いて発光ダイオードバックライトを製造する場合について説明する。
第1〜第6の実施形態による方法によりサファイア基板11上に青色発光のGaN系発光ダイオード構造を形成し、さらにp側電極およびn側電極上にそれぞれバンプ(図示せず)を形成した後、これをチップ化することによりフリップチップの形で青色発光のGaN系発光ダイオードを得る。同様にして、緑色発光のGaN系発光ダイオードをフリップチップの形で得る。一方、赤色発光のAlGaInP系発光ダイオードとしては、n型GaAs基板上にAlGaInP系半導体層を積層してダイオード構造を形成し、その上部にp側電極を形成するとともに、n型GaAs基板の裏面にn側電極を形成した一般的なものをチップの形で用いるものとする。
この発光ダイオードバックライトは、例えば液晶パネルのバックライトに用いて好適なものである。
例えば、上述の第1〜第7の実施形態において挙げた数値、材料、ドーパント、構造、形状、基板、原料、プロセス、凹部11aの方位などはあくまでも例に過ぎず、必要に応じて、これらと異なる数値、材料、ドーパント、構造、形状、基板、原料、プロセス、凹部11aの方位などを用いてもよい。
また、凹部11aの延在方向は、n型GaN層12の〈1−100〉方向だけでなく、n型GaN層12のc軸方向であってもよい。
また、必要に応じて、上述の第1〜第6の実施形態のうちの二つ以上を組み合わせてもよい。
Claims (17)
- 一主面に凹凸構造を有する基板と、
上記基板上の第1の導電型の第1の窒化物系III−V族化合物半導体層と、
上記第1の窒化物系III−V族化合物半導体層上の活性層と、
上記活性層上の第2の導電型の第2の窒化物系III−V族化合物半導体層と、
上記基板と上記活性層との間のピット形成用不純物を含む層とを有し、
上記基板の凸部の上方に、上記ピット形成用不純物を含む層から、上記第2の窒化物系III−V族化合物半導体層の上面に達するピットが集中して形成されている
ことを特徴とする発光ダイオード。 - 上記ピット形成用不純物を有する層はInまたはMgを含む窒化物系III−V族化合物半導体層であることを特徴とする請求項1記載の発光ダイオード。
- 上記ピットの密度は1×104 cm-2以上1×109 cm-2以下であることを特徴とする請求項1記載の発光ダイオード。
- 上記ピットの内面に発光波長の光を吸収しない材料からなる膜が形成されていることを特徴とする請求項1記載の発光ダイオード。
- 上記ピットの内面に発光波長の光を反射する反射膜が形成されていることを特徴とする請求項1記載の発光ダイオード。
- 上記第1の窒化物系III−V族化合物半導体層において、上記基板の凹部の底面との界面から上記一主面に対して垂直方向に発生した転位が、上記凹部の底面を底辺とする三角形部の斜面またはその近傍に到達し、そこから上記一主面に平行な方向に屈曲していることを特徴とする請求項1記載の発光ダイオード。
- 一主面に凹凸構造を有する基板上に第1の導電型の第1の窒化物系III−V族化合物半導体層、活性層および第2の導電型の第2の窒化物系III−V族化合物半導体層を順次成長させるようにした発光ダイオードの製造方法において、
上記活性層を成長させる前にピット形成用不純物を含む層を成長させるようにした
ことを特徴とする発光ダイオードの製造方法。 - 基板と、
上記基板上の窒化物系III−V族化合物半導体種結晶層と、
上記窒化物系III−V族化合物半導体種結晶層上の成長マスクと、
上記成長マスクの開口部の上記窒化物系III−V族化合物半導体種結晶層から横方向成長した下地窒化物系III−V族化合物半導体層と、
上記下地窒化物系III−V族化合物半導体層上の第1の導電型の第1の窒化物系III−V族化合物半導体層と、
上記第1の窒化物系III−V族化合物半導体層上の活性層と、
上記活性層上の第2の導電型の第2の窒化物系III−V族化合物半導体層と、
上記下地窒化物系III−V族化合物半導体層と上記活性層との間のピット形成用不純物を含む層とを有し、
上記成長マスクの上記開口部以外の部分の上方に、上記ピット形成用不純物を含む層から、上記第2の窒化物系III−V族化合物半導体層の上面に達するピットが集中して形成されている
ことを特徴とする発光ダイオード。 - 基板上に窒化物系III−V族化合物半導体種結晶層を成長させ、この窒化物系III−V族化合物半導体種結晶層上に成長マスクを形成し、この成長マスクの開口部の上記窒化物系III−V族化合物半導体種結晶層から下地窒化物系III−V族化合物半導体層を横方向成長させ、この下地窒化物系III−V族化合物半導体層上に第1の導電型の第1の窒化物系III−V族化合物半導体層、活性層および第2の導電型の第2の窒化物系III−V族化合物半導体層を順次成長させるようにした発光ダイオードの製造方法において、
上記下地窒化物系III−V族化合物半導体層を横方向成長させた後、上記活性層を成長させる前にピット形成用不純物を含む層を成長させるようにした
ことを特徴とする発光ダイオードの製造方法。 - 赤色発光の発光ダイオード、緑色発光の発光ダイオードおよび青色発光の発光ダイオードをそれぞれ複数個配列した発光ダイオードバックライトにおいて、
上記緑色発光の発光ダイオードおよび上記青色発光の発光ダイオードのうちの少なくとも一つの発光ダイオードが、
一主面に凹凸構造を有する基板と、
上記基板上の第1の導電型の第1の窒化物系III−V族化合物半導体層と、
上記第1の窒化物系III−V族化合物半導体層上の活性層と、
上記活性層上の第2の導電型の第2の窒化物系III−V族化合物半導体層と、
上記基板と上記活性層との間のピット形成用不純物を含む層とを有し、
上記基板の凸部の上方に、上記ピット形成用不純物を含む層から、上記第2の窒化物系III−V族化合物半導体層の上面に達するピットが集中して形成されている
ことを特徴とする発光ダイオードバックライト。 - 赤色発光の発光ダイオード、緑色発光の発光ダイオードおよび青色発光の発光ダイオードをそれぞれ複数個配列した発光ダイオードバックライトにおいて、
上記緑色発光の発光ダイオードおよび上記青色発光の発光ダイオードのうちの少なくとも一つの発光ダイオードが、
基板と、
上記基板上の窒化物系III−V族化合物半導体種結晶層と、
上記窒化物系III−V族化合物半導体種結晶層上の成長マスクと、
上記成長マスクの開口部の上記窒化物系III−V族化合物半導体種結晶層から横方向成長した下地窒化物系III−V族化合物半導体層と、
上記下地窒化物系III−V族化合物半導体層上の第1の導電型の第1の窒化物系III−V族化合物半導体層と、
上記第1の窒化物系III−V族化合物半導体層上の活性層と、
上記活性層上の第2の導電型の第2の窒化物系III−V族化合物半導体層と、
上記下地窒化物系III−V族化合物半導体層と上記活性層との間のピット形成用不純物を含む層とを有し、
上記成長マスクの上記開口部以外の部分の上方に、上記ピット形成用不純物を含む層から、上記第2の窒化物系III−V族化合物半導体層の上面に達するピットが集中して形成されている
ことを特徴とする発光ダイオードバックライト。 - 赤色発光の発光ダイオード、緑色発光の発光ダイオードおよび青色発光の発光ダイオードをそれぞれ複数個配列した発光ダイオード照明装置において、
上記緑色発光の発光ダイオードおよび上記青色発光の発光ダイオードのうちの少なくとも一つの発光ダイオードが、
一主面に凹凸構造を有する基板と、
上記基板上の第1の導電型の第1の窒化物系III−V族化合物半導体層と、
上記第1の窒化物系III−V族化合物半導体層上の活性層と、
上記活性層上の第2の導電型の第2の窒化物系III−V族化合物半導体層と、
上記基板と上記活性層との間のピット形成用不純物を含む層とを有し、
上記基板の凸部の上方に、上記ピット形成用不純物を含む層から、上記第2の窒化物系III−V族化合物半導体層の上面に達するピットが集中して形成されている
ことを特徴とする発光ダイオード照明装置。 - 赤色発光の発光ダイオード、緑色発光の発光ダイオードおよび青色発光の発光ダイオードをそれぞれ複数個配列した発光ダイオード照明装置において、
上記緑色発光の発光ダイオードおよび上記青色発光の発光ダイオードのうちの少なくとも一つの発光ダイオードが、
基板と、
上記基板上の窒化物系III−V族化合物半導体種結晶層と、
上記窒化物系III−V族化合物半導体種結晶層上の成長マスクと、
上記成長マスクの開口部の上記窒化物系III−V族化合物半導体種結晶層から横方向成長した下地窒化物系III−V族化合物半導体層と、
上記下地窒化物系III−V族化合物半導体層上の第1の導電型の第1の窒化物系III−V族化合物半導体層と、
上記第1の窒化物系III−V族化合物半導体層上の活性層と、
上記活性層上の第2の導電型の第2の窒化物系III−V族化合物半導体層と、
上記下地窒化物系III−V族化合物半導体層と上記活性層との間のピット形成用不純物を含む層とを有し、
上記成長マスクの上記開口部以外の部分の上方に、上記ピット形成用不純物を含む層から、上記第2の窒化物系III−V族化合物半導体層の上面に達するピットが集中して形成されている
ことを特徴とする発光ダイオード照明装置。 - 赤色発光の発光ダイオード、緑色発光の発光ダイオードおよび青色発光の発光ダイオードをそれぞれ複数個配列した発光ダイオードディスプレイにおいて、
上記緑色発光の発光ダイオードおよび上記青色発光の発光ダイオードのうちの少なくとも一つの発光ダイオードが、
一主面に凹凸構造を有する基板と、
上記基板上の第1の導電型の第1の窒化物系III−V族化合物半導体層と、
上記第1の窒化物系III−V族化合物半導体層上の活性層と、
上記活性層上の第2の導電型の第2の窒化物系III−V族化合物半導体層と、
上記基板と上記活性層との間のピット形成用不純物を含む層とを有し、
上記基板の凸部の上方に、上記ピット形成用不純物を含む層から、上記第2の窒化物系III−V族化合物半導体層の上面に達するピットが集中して形成されている
ことを特徴とする発光ダイオードディスプレイ。 - 赤色発光の発光ダイオード、緑色発光の発光ダイオードおよび青色発光の発光ダイオードをそれぞれ複数個配列した発光ダイオードディスプレイにおいて、
上記緑色発光の発光ダイオードおよび上記青色発光の発光ダイオードのうちの少なくとも一つの発光ダイオードが、
基板と、
上記基板上の窒化物系III−V族化合物半導体種結晶層と、
上記窒化物系III−V族化合物半導体種結晶層上の成長マスクと、
上記成長マスクの開口部の上記窒化物系III−V族化合物半導体種結晶層から横方向成長した下地窒化物系III−V族化合物半導体層と、
上記下地窒化物系III−V族化合物半導体層上の第1の導電型の第1の窒化物系III−V族化合物半導体層と、
上記第1の窒化物系III−V族化合物半導体層上の活性層と、
上記活性層上の第2の導電型の第2の窒化物系III−V族化合物半導体層と、
上記下地窒化物系III−V族化合物半導体層と上記活性層との間のピット形成用不純物を含む層とを有し、
上記成長マスクの上記開口部以外の部分の上方に、上記ピット形成用不純物を含む層から、上記第2の窒化物系III−V族化合物半導体層の上面に達するピットが集中して形成されている
ことを特徴とする発光ダイオードディスプレイ。 - 一つまたは複数の発光ダイオードを有する電子機器において、
少なくとも一つの上記発光ダイオードが、
一主面に凹凸構造を有する基板と、
上記基板上の第1の導電型の第1の窒化物系III−V族化合物半導体層と、
上記第1の窒化物系III−V族化合物半導体層上の活性層と、
上記活性層上の第2の導電型の第2の窒化物系III−V族化合物半導体層と、
上記基板と上記活性層との間のピット形成用不純物を含む層とを有し、
上記基板の凸部の上方に、上記ピット形成用不純物を含む層から、上記第2の窒化物系III−V族化合物半導体層の上面に達するピットが集中して形成されている
ことを特徴とする電子機器。 - 一つまたは複数の発光ダイオードを有する電子機器において、
少なくとも一つの上記発光ダイオードが、
基板と、
上記基板上の窒化物系III−V族化合物半導体種結晶層と、
上記窒化物系III−V族化合物半導体種結晶層上の成長マスクと、
上記成長マスクの開口部の上記窒化物系III−V族化合物半導体種結晶層から横方向成長した下地窒化物系III−V族化合物半導体層と、
上記下地窒化物系III−V族化合物半導体層上の第1の導電型の第1の窒化物系III−V族化合物半導体層と、
上記第1の窒化物系III−V族化合物半導体層上の活性層と、
上記活性層上の第2の導電型の第2の窒化物系III−V族化合物半導体層と、
上記下地窒化物系III−V族化合物半導体層と上記活性層との間のピット形成用不純物を含む層とを有し、
上記成長マスクの上記開口部以外の部分の上方に、上記ピット形成用不純物を含む層から、上記第2の窒化物系III−V族化合物半導体層の上面に達するピットが集中して形成されている
ことを特徴とする電子機器。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005164757A JP2006339534A (ja) | 2005-06-03 | 2005-06-03 | 発光ダイオード、発光ダイオードの製造方法、発光ダイオードバックライト、発光ダイオード照明装置、発光ダイオードディスプレイおよび電子機器 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005164757A JP2006339534A (ja) | 2005-06-03 | 2005-06-03 | 発光ダイオード、発光ダイオードの製造方法、発光ダイオードバックライト、発光ダイオード照明装置、発光ダイオードディスプレイおよび電子機器 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2006339534A true JP2006339534A (ja) | 2006-12-14 |
Family
ID=37559798
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2005164757A Pending JP2006339534A (ja) | 2005-06-03 | 2005-06-03 | 発光ダイオード、発光ダイオードの製造方法、発光ダイオードバックライト、発光ダイオード照明装置、発光ダイオードディスプレイおよび電子機器 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2006339534A (ja) |
Cited By (20)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008199004A (ja) * | 2007-02-12 | 2008-08-28 | Samsung Electro-Mechanics Co Ltd | 窒化物半導体発光素子及び製造方法 |
JP2010153450A (ja) * | 2008-12-24 | 2010-07-08 | Stanley Electric Co Ltd | 半導体素子の製造方法、積層構造体の製造方法、半導体ウエハおよび積層構造体。 |
WO2011105557A1 (ja) * | 2010-02-26 | 2011-09-01 | 京セラ株式会社 | 半導体成長用基板および発光素子 |
JP2012009483A (ja) * | 2010-06-22 | 2012-01-12 | Stanley Electric Co Ltd | 半導体素子の製造方法、積層構造体の製造方法、半導体ウエハおよび積層構造体。 |
KR101116905B1 (ko) * | 2009-10-05 | 2012-03-09 | 시스솔루션 주식회사 | 질화물 반도체 결정 성장 방법 |
CN102420276A (zh) * | 2011-09-16 | 2012-04-18 | 协鑫光电科技(张家港)有限公司 | 一种发光二极管及其制造方法 |
CN102487111A (zh) * | 2010-12-04 | 2012-06-06 | 展晶科技(深圳)有限公司 | 半导体发光芯片制造方法 |
US20120289031A1 (en) * | 2011-05-13 | 2012-11-15 | Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. | Compound semiconductor growth using ion implantation |
RU2494498C2 (ru) * | 2011-02-24 | 2013-09-27 | Юрий Георгиевич Шретер | Светоизлучающее полупроводниковое устройство |
JP2013239718A (ja) * | 2008-09-01 | 2013-11-28 | Sophia School Corp | 半導体光素子アレイおよびその製造方法 |
WO2013187171A1 (ja) * | 2012-06-13 | 2013-12-19 | シャープ株式会社 | 窒化物半導体発光素子及びその製造方法 |
TWI422061B (zh) * | 2008-07-15 | 2014-01-01 | Lextar Electronics Corp | 發光二極體晶片及發光二極體晶片的製造方法 |
KR20140009796A (ko) * | 2012-07-13 | 2014-01-23 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광 소자 및 이를 구비한 조명 장치 |
JP2014112599A (ja) * | 2012-12-05 | 2014-06-19 | Stanley Electric Co Ltd | 半導体発光素子及びその製造方法 |
CN104685644A (zh) * | 2012-09-27 | 2015-06-03 | 欧司朗光电半导体有限公司 | 光电子器件和用于其制造的方法 |
KR101564344B1 (ko) | 2015-05-11 | 2015-10-29 | 서울바이오시스 주식회사 | 복수개의 비극성 발광셀들을 갖는 발광 소자 및 그것을 제조하는 방법 |
WO2016000990A1 (fr) * | 2014-07-02 | 2016-01-07 | Aledia | Dispositif optoelectronique a elements semiconducteurs et son procede de fabrication |
US9543475B2 (en) | 2014-11-14 | 2017-01-10 | Samsung Electronics Co., Ltd | Light emitting device and method of manufacturing the same |
US10192809B2 (en) | 2016-12-28 | 2019-01-29 | Toyoda Gosei Co., Ltd. | Semiconductor array and production method for micro device |
US10205053B2 (en) | 2016-12-28 | 2019-02-12 | Toyoda Gosei Co., Ltd. | Semiconductor structure and semiconductor device |
Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS57102081A (en) * | 1980-12-17 | 1982-06-24 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Manufacture of luminous element |
JPH10270804A (ja) * | 1997-03-26 | 1998-10-09 | Hitachi Ltd | 光情報処理装置およびこれに適した固体光源および半導体発光装置 |
JPH10301201A (ja) * | 1997-04-23 | 1998-11-13 | Fuji Xerox Co Ltd | プロジェクタ装置 |
JP2000232238A (ja) * | 1999-02-09 | 2000-08-22 | Pioneer Electronic Corp | 窒化物半導体発光素子及びその製造方法 |
JP2002270516A (ja) * | 2001-03-07 | 2002-09-20 | Nec Corp | Iii族窒化物半導体の成長方法、iii族窒化物半導体膜およびそれを用いた半導体素子 |
JP2003198062A (ja) * | 2001-12-26 | 2003-07-11 | Sony Corp | 半導体レーザー素子及び半導体レーザー素子の製造方法 |
JP2004006931A (ja) * | 1999-03-17 | 2004-01-08 | Mitsubishi Cable Ind Ltd | 半導体基材及びその作製方法 |
JP2004006937A (ja) * | 2000-09-18 | 2004-01-08 | Mitsubishi Cable Ind Ltd | 半導体基材及びその作製方法 |
-
2005
- 2005-06-03 JP JP2005164757A patent/JP2006339534A/ja active Pending
Patent Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS57102081A (en) * | 1980-12-17 | 1982-06-24 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Manufacture of luminous element |
JPH10270804A (ja) * | 1997-03-26 | 1998-10-09 | Hitachi Ltd | 光情報処理装置およびこれに適した固体光源および半導体発光装置 |
JPH10301201A (ja) * | 1997-04-23 | 1998-11-13 | Fuji Xerox Co Ltd | プロジェクタ装置 |
JP2000232238A (ja) * | 1999-02-09 | 2000-08-22 | Pioneer Electronic Corp | 窒化物半導体発光素子及びその製造方法 |
JP2004006931A (ja) * | 1999-03-17 | 2004-01-08 | Mitsubishi Cable Ind Ltd | 半導体基材及びその作製方法 |
JP2004006937A (ja) * | 2000-09-18 | 2004-01-08 | Mitsubishi Cable Ind Ltd | 半導体基材及びその作製方法 |
JP2002270516A (ja) * | 2001-03-07 | 2002-09-20 | Nec Corp | Iii族窒化物半導体の成長方法、iii族窒化物半導体膜およびそれを用いた半導体素子 |
JP2003198062A (ja) * | 2001-12-26 | 2003-07-11 | Sony Corp | 半導体レーザー素子及び半導体レーザー素子の製造方法 |
Cited By (30)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008199004A (ja) * | 2007-02-12 | 2008-08-28 | Samsung Electro-Mechanics Co Ltd | 窒化物半導体発光素子及び製造方法 |
TWI422061B (zh) * | 2008-07-15 | 2014-01-01 | Lextar Electronics Corp | 發光二極體晶片及發光二極體晶片的製造方法 |
JP2013239718A (ja) * | 2008-09-01 | 2013-11-28 | Sophia School Corp | 半導体光素子アレイおよびその製造方法 |
US9224595B2 (en) | 2008-09-01 | 2015-12-29 | Sophia School Corporation | Semiconductor optical element array and method of manufacturing the same |
JP2010153450A (ja) * | 2008-12-24 | 2010-07-08 | Stanley Electric Co Ltd | 半導体素子の製造方法、積層構造体の製造方法、半導体ウエハおよび積層構造体。 |
KR101116905B1 (ko) * | 2009-10-05 | 2012-03-09 | 시스솔루션 주식회사 | 질화물 반도체 결정 성장 방법 |
JPWO2011105557A1 (ja) * | 2010-02-26 | 2013-06-20 | 京セラ株式会社 | 半導体成長用基板および発光素子 |
WO2011105557A1 (ja) * | 2010-02-26 | 2011-09-01 | 京セラ株式会社 | 半導体成長用基板および発光素子 |
JP2012009483A (ja) * | 2010-06-22 | 2012-01-12 | Stanley Electric Co Ltd | 半導体素子の製造方法、積層構造体の製造方法、半導体ウエハおよび積層構造体。 |
CN102487111A (zh) * | 2010-12-04 | 2012-06-06 | 展晶科技(深圳)有限公司 | 半导体发光芯片制造方法 |
CN102487111B (zh) * | 2010-12-04 | 2014-08-27 | 展晶科技(深圳)有限公司 | 半导体发光芯片制造方法 |
RU2494498C2 (ru) * | 2011-02-24 | 2013-09-27 | Юрий Георгиевич Шретер | Светоизлучающее полупроводниковое устройство |
US20120289031A1 (en) * | 2011-05-13 | 2012-11-15 | Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. | Compound semiconductor growth using ion implantation |
US9023722B2 (en) * | 2011-05-13 | 2015-05-05 | Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. | Compound semiconductor growth using ion implantation |
CN102420276A (zh) * | 2011-09-16 | 2012-04-18 | 协鑫光电科技(张家港)有限公司 | 一种发光二极管及其制造方法 |
WO2013187171A1 (ja) * | 2012-06-13 | 2013-12-19 | シャープ株式会社 | 窒化物半導体発光素子及びその製造方法 |
KR20140009796A (ko) * | 2012-07-13 | 2014-01-23 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광 소자 및 이를 구비한 조명 장치 |
KR101959756B1 (ko) * | 2012-07-13 | 2019-03-19 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광 소자 및 이를 구비한 조명 장치 |
US9502611B2 (en) | 2012-09-27 | 2016-11-22 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelectronic component and method for the production thereof |
CN104685644A (zh) * | 2012-09-27 | 2015-06-03 | 欧司朗光电半导体有限公司 | 光电子器件和用于其制造的方法 |
US9728674B2 (en) | 2012-09-27 | 2017-08-08 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelectronic component and method for the production thereof |
CN107611228A (zh) * | 2012-09-27 | 2018-01-19 | 欧司朗光电半导体有限公司 | 光电子器件和用于其制造的方法 |
CN107611228B (zh) * | 2012-09-27 | 2020-09-04 | 欧司朗光电半导体有限公司 | 光电子器件和用于其制造的方法 |
JP2014112599A (ja) * | 2012-12-05 | 2014-06-19 | Stanley Electric Co Ltd | 半導体発光素子及びその製造方法 |
WO2016000990A1 (fr) * | 2014-07-02 | 2016-01-07 | Aledia | Dispositif optoelectronique a elements semiconducteurs et son procede de fabrication |
US10026870B2 (en) | 2014-07-02 | 2018-07-17 | Aledia | Optoelectronic device having semiconductor elements |
US9543475B2 (en) | 2014-11-14 | 2017-01-10 | Samsung Electronics Co., Ltd | Light emitting device and method of manufacturing the same |
KR101564344B1 (ko) | 2015-05-11 | 2015-10-29 | 서울바이오시스 주식회사 | 복수개의 비극성 발광셀들을 갖는 발광 소자 및 그것을 제조하는 방법 |
US10192809B2 (en) | 2016-12-28 | 2019-01-29 | Toyoda Gosei Co., Ltd. | Semiconductor array and production method for micro device |
US10205053B2 (en) | 2016-12-28 | 2019-02-12 | Toyoda Gosei Co., Ltd. | Semiconductor structure and semiconductor device |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5082278B2 (ja) | 発光ダイオードの製造方法、集積型発光ダイオードの製造方法および窒化物系iii−v族化合物半導体の成長方法 | |
JP2006339534A (ja) | 発光ダイオード、発光ダイオードの製造方法、発光ダイオードバックライト、発光ダイオード照明装置、発光ダイオードディスプレイおよび電子機器 | |
US9911894B2 (en) | Nitride-based III-V group compound semiconductor | |
JP4910608B2 (ja) | 発光ダイオードの製造方法および電子装置の製造方法 | |
TWI317565B (en) | Light emitting diode, method for manufacturing light emitting diode, integrated light emitting diode, method for manufacturing integrated light emitting diode, light emitting diode backlight, light emitting diode illumination device, light emitting diode | |
TWI568018B (zh) | 氮化物半導體發光二極體 | |
JP4915218B2 (ja) | 発光ダイオードの製造方法 | |
JP5152121B2 (ja) | 発光ダイオードの製造方法、集積型発光ダイオードの製造方法および窒化物系iii−v族化合物半導体の成長方法 | |
JP2006324331A (ja) | 発光ダイオードおよびその製造方法ならびに集積型発光ダイオードおよびその製造方法ならびに窒化物系iii−v族化合物半導体の成長方法ならびに窒化物系iii−v族化合物半導体成長用基板ならびに発光ダイオードバックライトならびに発光ダイオード照明装置ならびに発光ダイオードディスプレイならびに電子機器 | |
JP5532930B2 (ja) | エピタキシャル成長用基板、GaN系半導体膜の製造方法、GaN系半導体膜、GaN系半導体発光素子の製造方法およびGaN系半導体発光素子 | |
KR101453563B1 (ko) | 반도체층 성장 방법, 반도체 발광 소자 제조 방법, 반도체발광 소자 및 전자 장치 | |
JP4687109B2 (ja) | 集積型発光ダイオードの製造方法 | |
JP2008153634A (ja) | 発光ダイオードの製造方法、発光ダイオード、光源セルユニット、発光ダイオードバックライト、発光ダイオード照明装置、発光ダイオードディスプレイおよび電子機器 | |
JP2008172040A (ja) | 半導体発光素子、半導体発光素子の製造方法、バックライト、ディスプレイおよび電子機器 | |
US9553234B2 (en) | Method of manufacturing nanostructure semiconductor light emitting device | |
KR20090111711A (ko) | 반도체 발광소자 및 그 제조방법 | |
JP2011060917A (ja) | 半導体発光素子 | |
JP2008130606A (ja) | 半導体発光素子、半導体発光素子の製造方法、光源セルユニット、バックライト、照明装置、ディスプレイ、電子機器、半導体素子および半導体素子の製造方法 | |
JP4735037B2 (ja) | 発光ダイオードおよびその製造方法ならびに集積型発光ダイオードおよびその製造方法ならびに発光ダイオードバックライトならびに発光ダイオード照明装置ならびに発光ダイオードディスプレイならびに電子機器 | |
JP5140979B2 (ja) | AlGaInP系発光ダイオード、光源セルユニット、ディスプレイおよび電子機器 | |
JP2005252086A (ja) | 半導体発光素子の製造方法、半導体発光素子、集積型半導体発光装置の製造方法、集積型半導体発光装置、画像表示装置の製造方法、画像表示装置、照明装置の製造方法および照明装置 | |
JP2006156802A (ja) | Iii族窒化物半導体素子 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20080529 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20101221 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20101228 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20110207 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20110830 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20111227 |