JP2013239718A - 半導体光素子アレイおよびその製造方法 - Google Patents
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 195
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 title claims abstract description 81
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 28
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims abstract description 233
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 92
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 claims abstract description 42
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 claims abstract description 9
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 58
- JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N Gallium nitride Chemical compound [Ga]#N JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 56
- 229910002601 GaN Inorganic materials 0.000 claims description 53
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 24
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 24
- 239000010936 titanium Substances 0.000 claims description 21
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims description 18
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 15
- 229910052984 zinc sulfide Inorganic materials 0.000 claims description 13
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 9
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 239000010931 gold Substances 0.000 claims description 7
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 6
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 claims description 5
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 claims description 4
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000003086 colorant Substances 0.000 claims description 3
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims description 3
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 claims description 2
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 claims description 2
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 239000000470 constituent Substances 0.000 claims description 2
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 claims description 2
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 claims description 2
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 claims description 2
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 169
- 239000011247 coating layer Substances 0.000 description 22
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 16
- 239000010408 film Substances 0.000 description 16
- 238000001451 molecular beam epitaxy Methods 0.000 description 15
- 238000001878 scanning electron micrograph Methods 0.000 description 15
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 229910002704 AlGaN Inorganic materials 0.000 description 11
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 11
- 206010053759 Growth retardation Diseases 0.000 description 9
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 9
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 9
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 8
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 8
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 8
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 7
- 238000005253 cladding Methods 0.000 description 6
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 6
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 6
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 6
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 4
- 238000004020 luminiscence type Methods 0.000 description 4
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 3
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 3
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 3
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000001000 micrograph Methods 0.000 description 3
- 239000002096 quantum dot Substances 0.000 description 3
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 2
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 2
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 description 2
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 2
- 238000005424 photoluminescence Methods 0.000 description 2
- 229910052582 BN Inorganic materials 0.000 description 1
- PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N Boron nitride Chemical compound N#B PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000003491 array Methods 0.000 description 1
- 238000009835 boiling Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 230000005484 gravity Effects 0.000 description 1
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 1
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 239000002061 nanopillar Substances 0.000 description 1
- 239000002073 nanorod Substances 0.000 description 1
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 1
- 230000001737 promoting effect Effects 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000009751 slip forming Methods 0.000 description 1
- 229910052596 spinel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011029 spinel Substances 0.000 description 1
- 230000002195 synergetic effect Effects 0.000 description 1
- 150000003608 titanium Chemical class 0.000 description 1
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
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- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
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- H01L21/02521—Materials
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- H01L21/02367—Substrates
- H01L21/0237—Materials
- H01L21/0242—Crystalline insulating materials
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- H01L29/02—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor
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- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/548—Amorphous silicon PV cells
Abstract
【解決手段】複数の凹部が形成された主面を有する半導体基板と、前記半導体基板の当該主面上に形成され、かつ前記複数の凹部の直上にそれぞれ複数の開口部を有するマスクパターンと、前記複数の凹部から前記複数の開口部を介して前記マスクパターンの上方に向けて成長したIII族窒化物半導体からなる複数の微細柱状結晶と、前記複数の微細柱状結晶上にそれぞれ成長した活性層と、前記各活性層を被覆する半導体層と、を備える半導体光素子アレイが提供される。
【選択図】図1
Description
特に、発光波長のピーク波長は、前記各微細柱状結晶の径が大きいほど長波長側にシフトし、前記各微細柱状結晶の径が小さいほど短波長側にシフトするように定めることができる。
ここで、微細柱状結晶は、径が10nm以上、1000nm以下であることが好ましい。
(第1の実施形態)
図1(A)〜(D)は、本発明に係る一実施形態の半導体光素子アレイ10の製造工程を概略的に示す断面図である。図1(D)には、本実施形態の半導体光素子アレイ10の構造が概略的に示されている。
マスクパターン13Pは、このIII族窒化物半導体層12Pの主面上に形成されており、複数の凹部14,...,14の直上にそれぞれ開口部(以下、マスク開口部と呼ぶ。)を有している。すなわち、開口部が凹部14にかさなりあい、開口部から凹部14が露出するように凹部14が形成される。
複数の細柱状結晶20,...,20は、III族窒化物半導体層12Pの凹部14,...,14からマスク開口部を介してマスクパターン13Pの上方に向けて成長したIII族窒化物半導体からなる。微細柱状結晶20上には活性層21が形成され、さらに活性層21を被覆する半導体被覆層22が形成されている。微細柱状結晶20、活性層21および半導体被覆層22によってナノコラム23が構成される。
微細柱状結晶20は、径が10nm以上、1000nm以下であることが好ましい。なかでも、700nm以下、さらには、650nm以下、より好ましくは600nm以下であることが好ましい。700nm以下、特に600nm以下とすれば、貫通転位の発生を抑制しやすくなる。
微細柱状結晶20の径とは、マスク開口部から露出した柱状部201の径である。柱状部201の径は、柱状部201が円柱形状の場合には、その径である。円柱形状以外の場合には、柱状部201を半導体基板の基板面側から平面視した際の重心点(平面中心)を通るとともに、柱状部201と2点で交差する直線のうち、交点間の距離が最も長い直線の長さをいう。
微細柱状結晶20は、柱状部201と、この柱状部201の先端に設けられたファセット構造202とを備える。柱状部201の形状は、特に限定されないが、たとえば、円柱形状、四角柱形状、六角柱形状等とすることができる。
また、微細柱状結晶20は、製造安定性の観点から、結晶構造が六方晶の材料で構成されていることが好ましい。
半導体被覆層22は、活性層21上に設けられており、活性層21を完全に被覆している。
よって、微細柱状結晶20の径Δを制御することで所望の発光波長を得ることができる。後述するようにこの微細柱状結晶20の径Δは、テンプレート基板のIII族窒化物半導体層12Pに形成された各凹部14の径δ(図1(C))を調整することで所望の値にすることができる。凹部14の径δは、マスク開口部の大きさに依存するので、予めマスク開口部の大きさを定めておけば、この大きさに応じた径δを得ることができる。
よって、微細柱状結晶20の先端部におけるファセット構造の表面積を制御することで所望の発光波長を得ることが可能である。
ここで、マスクパターンには、複数の開口部の配置密度が高い領域と、前記複数の開口部の配置密度が低い領域とを形成した場合、開口部の配置密度が高い領域にある複数の微細柱状結晶20上の活性層21から放出される光のピーク波長は、開口部の配置密度が低い領域にある複数の微細柱状結晶20上の活性層21から放出される光のピーク波長よりも長波長となる。
すなわち、活性層21から放出される光のピーク波長は、微細柱状結晶20,...,20の面内密度が高いほど長波長側へシフトし、かつ微細柱状結晶20,...,20の面内密度が低いほど短波長側へシフトするように定めることができる。面内密度は、微細柱状結晶20,...,20の空間的な周期が短いほど高くなり、あるいは、微細柱状結晶20の径が大きいほど高くなる。
また、微細柱状結晶20を横方向成長させることで、以下のような効果がある。
マスク開口部径を小さくすることで、微細柱状結晶20の成長初期での貫通転位の発生が抑制される。その後に横方向成長で径を太くすれば貫通転位のない比較的、径の大きな微細柱状結晶(例えば、直径1000nm)を得ることが可能となる。
なお、微細柱状結晶20を横方向成長させるためには、相対的に窒素供給量を増加する方法や、Alを添加する方法(たとえば、AlGaNとする方法)等がある。
この先端部の形状は六角錐形状である。ここで、半極性面20aとしては、たとえば、(10−1−1)面、(10−1−3)面、(11−22)面、(11−24)面、(10−12)面が挙げられる。一方、図4(B)に示される先端部もファセット構造となっているが、斜め上方を向いたファセット面、および、直上方を向いた面として、ウルツ鉱型結晶構造の半極性面20aからなる傾斜面と平坦な極性面20bとを有している。結晶の成長条件に応じて、図4(A)の先端部形状あるいは図4(B)の先端部形状のいずれかが形成される。
なお、ファセット構造とは、下地基板11水平面に対して斜めに位置するファセット面を側面とする多面体構造のことである。
その後、各微細柱状結晶20上に活性層21を設け、さらに、活性層21上に半導体被覆層22を形成する。活性層21、半導体被覆層22は、MOCVD法や、MBE法により形成することができる。
なお、活性層21や、半導体被覆層22を構成する材料は、マスクパターン13P上にも堆積することとなる。
また、半導体被覆層22を形成する際には、横方向成長させて、活性層21上面のみならず、側面を被覆することが好ましい。
図5は、III族窒化物半導体層12Pに形成された凹部14の径(以下「ホール径」と呼ぶ。)δとナノコラム23の発光波長との間の関係を示すグラフである。
次に、図12は、ナノコラム23から放出されたCL(カソードルミネッセンス)光のスペクトルの測定結果を示すグラフである。このグラフの横軸は発光波長に対応し、グラフの縦軸はCL強度(任意単位)に対応している。図13(A)は、ナノコラム23の上面視からのSEM像を示し、図13(B),(C)は、それぞれ異なる波長405nm,510nmのCL像(カソードルミネッセンス像)の上面視図である。図14(A)は、ナノコラム23を横方向から撮像したSEM像を示し、図14(B),(C),(D)は、それぞれ異なる波長365nm,435nm,500nmの断面CL像(図14(A)のナノコラム23の断面CL像)を示す図である。
なお、ここでは、InGaN結晶21s,21tを有するナノコラム23について言及したが、InGaN結晶21tはなくてもよい。
このようなナノコラムであっても、ナノコラムの径により、発光波長を制御することができることが確認されている。すなわち、径が小さなナノコラムの活性層から放出される光のピーク波長は、径が大きなナノコラム上の活性層から放出される光のピーク波長よりも低波長となることが確認されている。
図19(A)〜(F)は、三角格子状に規則的に配列されたナノコラム群の上面視でのSEM像を示す図である。図19(A),(B),(C),(D),(E),(F)は、それぞれ、空間周期(各微細柱状結晶20の中心間の距離)400nm,600nm,800nm,1μm,2μm,4μmの場合の配列を示している。また、空間周期400nm,600nm,800nm,1μm,2μm,4μmの配列に対応するPL発光のピーク波長は、それぞれ、508nm,500nm,490nm,480nm,480nm,479nmと測定された。
次に、本発明に係る第2の実施形態について説明する。図23(A),(B)は、それぞれ、第2の実施形態の半導体発光素子の構成の一部を概略的に示す図である。図23(A),(B)に示される構造は、上記第1の実施形態の半導体光素子アレイ10の構造を含むものである。
微細柱状結晶20は、n型半導体層で構成されており、たとえば、GaN/AlGaN/GaNの3層構成であってもよい。
p型半導体層25を横方向成長を促進させるためには、Mgをドープする方法、成長温度を下げる方法、Alを添加する方法等がある。そして、p型半導体層25に電気的に接続されるように、Ni/Au多層膜やITO(Indium Tin Oxide)などのp側電極32が成膜されている。p側電極から注入された正孔とn側電極からの電子とが活性層21で再結合することにより活性層21は光を放出する。
また、図23(A)または図23(B)の構造を、太陽電池などの光電変換素子に変形することも可能である。たとえば、各ナノコラム23において、活性層21の代わりにpin構造(光吸収構造)を形成すればよい。このpin構造では、i型半導体層を量子ドット構造とすることができる。複数の量子ドット層を中間層を介して積層してi型半導体層を構成することにより、変換効率を向上させることができる。上述の通り、微細柱状結晶20の径、微細柱状結晶20,...,20の面内密度あるいは微細柱状結晶20の先端形状を制御することにより、pin構造を所望の吸収波長に適合させることが可能である。
次に、本発明の第3の実施形態について説明する。図24および図25は、それぞれ、第3の実施形態の半導体発光素子の構成の一部を示す斜視図である。第3の実施形態の半導体発光素子は、上記第1の実施形態の半導体光素子アレイ10の構造を含むものである。
11 下地基板
12,12P III族窒化物半導体層
13 金属マスク層
13P マスクパターン
13g 開口部
14 凹部
20 微細柱状結晶
20a 半極性面
20b 平坦面
21 活性層
22 半導体被覆層
23 ナノコラム
24,25 p型半導体層
31,32 p側電極
40 n側電極
以下、参考形態の例を付記する。
(1)
複数の凹部が形成された主面を有する半導体基板と、
前記半導体基板の当該主面上に形成され、かつ前記複数の凹部の直上にそれぞれ設けられた複数の開口部を有するマスクパターンと、
前記複数の凹部から前記複数の開口部を介して前記マスクパターンの上方に向けて成長したIII族窒化物半導体からなる複数の微細柱状結晶と、
前記複数の微細柱状結晶上にそれぞれ成長した活性層と、
前記各活性層を被覆する半導体層と、
を備える半導体光素子アレイ。
(2)
(1)に記載の半導体光素子アレイであって、
異なる径の前記微細柱状結晶を含み、
径が小さな前記微細柱状結晶上の活性層から放出される光のピーク波長は、径が大きな前記微細柱状結晶上の活性層から放出される光のピーク波長よりも短波長である半導体光素子アレイ。
(3)
(1)または(2)に記載の半導体光素子アレイであって、
前記マスクパターンには、前記複数の開口部の配置密度が高い領域と、前記複数の開口部の配置密度が低い領域とがあり、
複数の開口部の配置密度が高い領域にある複数の微細柱状結晶上の活性層から放出される光のピーク波長は、複数の開口部の配置密度が低い領域にある複数の微細柱状結晶上の活性層から放出される光のピーク波長よりも長波長である、半導体光素子アレイ。
(4)
(1)に記載の半導体光素子アレイであって、
前記各微細柱状結晶は、先端部にファセット構造を有するとともに、各微細柱状結晶における前記ファセット構造の表面積は異なっており、
ファセット構造の表面積が小さな前記微細柱状結晶から放出される光のピーク波長は、ファセット構造の表面積が大きな前記微細柱状結晶から放出される光のピーク波長よりも短波長である半導体光素子アレイ。
(5)
(4)に記載の半導体光素子アレイであって、
前記各微細柱状結晶は、ウルツ鉱型結晶構造を有しており、
前記ファセット構造を構成するファセット面は、前記ウルツ鉱型結晶構造の半極性面を含む、
半導体光素子アレイ。
(6)
(5)に記載の半導体光素子アレイであって、前記ファセット構造は、前記ウルツ鉱型結晶構造の極性面を含む、半導体光素子アレイ。
(7)
(4)に記載の半導体光素子アレイであって、
前記各微細柱状結晶は、ウルツ鉱型結晶構造を有しており、
前記ファセット構造は、前記ウルツ鉱型結晶構造の極性面を含む、
半導体光素子アレイ。
Claims (21)
- 複数の凹部が形成された主面を有する半導体基板と、
前記半導体基板の当該主面上に形成され、かつ前記複数の凹部の直上にそれぞれ設けられた複数の開口部を有するマスクパターンと、
前記複数の凹部から前記複数の開口部を介して前記マスクパターンの上方に向けて成長したIII族窒化物半導体からなる複数の微細柱状結晶と、
前記複数の微細柱状結晶上にそれぞれ成長した活性層または光吸収層と、
前記各活性層または光吸収層を被覆する半導体層と、
を備える半導体光素子アレイ。 - 請求項1に記載の半導体光素子アレイにおいて、
前記各微細柱状結晶上には活性層が形成されている半導体光素子アレイ。 - 請求項2に記載の半導体光素子アレイにおいて、
前記各微細柱状結晶の径は、10nm以上、1000nm以下である半導体光素子アレイ。 - 請求項2または3に記載の半導体光素子アレイであって、
異なる径の前記微細柱状結晶を含み、
径が小さな前記微細柱状結晶上の活性層から放出される光のピーク波長は、径が大きな前記微細柱状結晶上の活性層から放出される光のピーク波長よりも低波長である半導体光素子アレイ。 - 請求項2乃至4のいずれかに記載の半導体光素子アレイであって、
前記マスクパターンには、前記複数の開口部の配置密度が高い領域と、前記複数の開口部の配置密度が低い領域とがあり、
複数の開口部の配置密度が高い領域にある複数の微細柱状結晶上の活性層から放出される光のピーク波長は、複数の開口部の配置密度が低い領域にある複数の微細柱状結晶上の活性層から放出される光のピーク波長よりも長波長である、半導体光素子アレイ。 - 請求項2に記載の半導体光素子アレイであって、
前記各微細柱状結晶は、先端部にファセット構造を有するとともに、各微細柱状結晶における前記ファセット構造の表面積は異なっており、
ファセット構造の表面積が小さな前記微細柱状結晶から放出される光のピーク波長は、ファセット構造の表面積が大きな前記微細柱状結晶から放出される光のピーク波長よりも低波長である半導体光素子アレイ。 - 請求項6記載の半導体光素子アレイであって、
前記各微細柱状結晶は、ウルツ鉱型結晶構造を有しており、
前記ファセット構造を構成するファセット面は、前記ウルツ鉱型結晶構造の半極性面を含む、
半導体光素子アレイ。 - 請求項7に記載の半導体光素子アレイであって、前記ファセット構造は、前記ウルツ鉱型結晶構造の極性面を含む、半導体光素子アレイ。
- 請求項6に記載の半導体光素子アレイであって、
前記各微細柱状結晶は、ウルツ鉱型結晶構造を有しており、
前記ファセット構造は、前記ウルツ鉱型結晶構造の極性面を含む、
半導体光素子アレイ。 - 請求項6乃至9のいずれかに記載の半導体光素子アレイであって、
前記マスクパターンには、前記複数の開口部の配置密度が高い領域と、前記複数の開口部の配置密度が低い領域とがあり、
複数の開口部の配置密度が高い領域にある複数の微細柱状結晶上の活性層から放出される光のピーク波長は、複数の開口部の配置密度が低い領域にある複数の微細柱状結晶上の活性層から放出される光のピーク波長よりも長波長である、半導体光素子アレイ。 - 請求項2から10のうちのいずれか1項に記載の半導体光素子アレイであって、
前記活性層は、前記半導体層により完全に被覆されている、半導体光素子アレイ。 - 請求項2から11のうちのいずれか1項に記載の半導体光素子アレイであって、
前記微細柱状結晶の導電型は、第1導電型であり、
前記半導体層は、前記第1導電型とは逆の第2導電型のIII族窒化物半導体層を含む、
半導体光素子アレイ。 - 請求項2から12のうちのいずれか1項に記載の半導体光素子アレイであって、
前記複数の微細柱状結晶は、発光波長の異なる複数の柱状結晶群からなる、半導体光素子アレイ。 - 請求項13に記載の半導体光素子アレイであって、
前記複数の柱状結晶群は、少なくとも、3原色の波長の光をそれぞれ放出する3つの柱状結晶群を含む、半導体光素子アレイ。 - 請求項2から14のうちのいずれか1項に記載の半導体光素子アレイであって、前記活性層は、量子井戸層と、前記量子井戸層よりも大きなバンドギャップを有し前記量子井戸層を挟み込む障壁層とを含む量子井戸構造を有する、半導体光素子アレイ。
- 請求項2から15のうちのいずれか1項に記載の半導体光素子アレイであって、前記マスクパターンの構成材料は、チタン(Ti)、タンタル(Ta)、鉄(Fe)、ニッケル(Ni)、白金(Pt)、金(Au)、コバルト(Co)およびタングステン(W)、モリブデン(Mo)からなる群より選択された1種または2種以上の金属である、半導体光素子アレイ。
- 請求項2から16のうちのいずれか1項に記載の半導体光素子アレイであって、前記III族窒化物半導体は窒化ガリウムを含む、半導体光素子アレイ。
- 請求項2から17のうちのいずれか1項に記載の半導体光素子アレイであって、前記III族窒化物半導体はAlxGayIn1−x−yN(0≦x≦1、0≦y≦1、かつ0≦x+y≦1)を含む、半導体光素子アレイ。
- 半導体基板上に複数の開口部を有するマスクパターンを形成する工程と、
前記マスクパターンをエッチングマスクとして前記半導体基板をエッチングすることにより前記半導体基板の主面に複数の凹部を形成する工程と、
前記各凹部から前記各開口部を介して前記マスクパターンの上方に向けて複数の微細柱状結晶を成長させる工程と、
前記微細柱状結晶上に活性層または光吸収層を成長させる工程と、
前記活性層または光吸収層を被覆する半導体層を形成する工程と、
を備える半導体光素子アレイの製造方法。 - 請求項19に記載の半導体光素子アレイの製造方法であって、前記マスクパターンの上方に向けて複数の微細柱状結晶を成長させる前記工程と同時に、前記微細柱状結晶を前記半導体基板の面内方向に沿った横方向へ成長させる工程をさらに備える半導体光素子アレイの製造方法。
- 請求項19または20に記載の半導体光素子アレイの製造方法であって、
前記微細柱状結晶の導電型は、第1導電型であり、
前記半導体層は、前記第1導電型とは逆の第2導電型のIII族窒化物半導体層を含む
半導体光素子アレイの製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2013132114A JP5687731B2 (ja) | 2008-09-01 | 2013-06-24 | 半導体光素子アレイおよびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008224129 | 2008-09-01 | ||
JP2008224131 | 2008-09-01 | ||
JP2008224129 | 2008-09-01 | ||
JP2008224131 | 2008-09-01 | ||
JP2013132114A JP5687731B2 (ja) | 2008-09-01 | 2013-06-24 | 半導体光素子アレイおよびその製造方法 |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2010526554A Division JP5547076B2 (ja) | 2008-09-01 | 2009-08-27 | 半導体光素子アレイおよびその製造方法 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2013239718A true JP2013239718A (ja) | 2013-11-28 |
JP2013239718A5 JP2013239718A5 (ja) | 2014-01-30 |
JP5687731B2 JP5687731B2 (ja) | 2015-03-18 |
Family
ID=41721104
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2010526554A Active JP5547076B2 (ja) | 2008-09-01 | 2009-08-27 | 半導体光素子アレイおよびその製造方法 |
JP2013132114A Active JP5687731B2 (ja) | 2008-09-01 | 2013-06-24 | 半導体光素子アレイおよびその製造方法 |
Family Applications Before (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2010526554A Active JP5547076B2 (ja) | 2008-09-01 | 2009-08-27 | 半導体光素子アレイおよびその製造方法 |
Country Status (7)
Country | Link |
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US (1) | US9224595B2 (ja) |
EP (1) | EP2333847B1 (ja) |
JP (2) | JP5547076B2 (ja) |
KR (1) | KR101567121B1 (ja) |
CN (1) | CN102187479B (ja) |
TW (1) | TWI470828B (ja) |
WO (1) | WO2010023921A1 (ja) |
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- 2009-08-27 US US13/061,425 patent/US9224595B2/en active Active
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US11239390B2 (en) | 2017-05-31 | 2022-02-01 | Seiko Epson Corporation | Light emitting apparatus, projector, method for manufacturing light emitting apparatus |
JP2018206860A (ja) * | 2017-05-31 | 2018-12-27 | セイコーエプソン株式会社 | 発光装置、プロジェクター、および発光装置の製造方法 |
JP2019064873A (ja) * | 2017-10-02 | 2019-04-25 | 株式会社小糸製作所 | 半導体成長用基板、半導体素子、半導体発光素子及び半導体成長用基板の製造方法 |
JP7053209B2 (ja) | 2017-10-02 | 2022-04-12 | 株式会社小糸製作所 | 半導体成長用基板、半導体素子、半導体発光素子及び半導体成長用基板の製造方法 |
WO2019151508A1 (ja) * | 2018-02-01 | 2019-08-08 | 日立化成株式会社 | ナノ結晶膜の製造方法 |
JP7329798B2 (ja) | 2018-02-01 | 2023-08-21 | 株式会社レゾナック | ナノ結晶膜の製造方法 |
JPWO2019151508A1 (ja) * | 2018-02-01 | 2021-03-11 | 昭和電工マテリアルズ株式会社 | ナノ結晶膜の製造方法 |
US10816884B2 (en) | 2018-08-06 | 2020-10-27 | Seiko Epson Corporation | Light emitting device and projector |
US11177316B2 (en) | 2019-02-27 | 2021-11-16 | Seiko Epson Corporation | Method of manufacturing light emitting device, light emitting device, and projector |
US11380820B2 (en) | 2019-02-28 | 2022-07-05 | Seiko Epson Corporation | Light emitting device and projector |
US11063171B2 (en) | 2019-04-01 | 2021-07-13 | Seiko Epson Corporation | Light emitting device, method of manufacturing light emitting device, and projector |
EP3719857B1 (en) * | 2019-04-01 | 2022-07-20 | Seiko Epson Corporation | Light emitting device, method of manufacturing light emitting device, and projector |
EP3719857A1 (en) | 2019-04-01 | 2020-10-07 | Seiko Epson Corporation | Light emitting device, method of manufacturing light emitting device, and projector |
WO2021261494A1 (ja) * | 2020-06-22 | 2021-12-30 | 京セラ株式会社 | 半導体デバイスの製造方法、半導体デバイス、電子機器、半導体エピタキシャル基板の製造方法および半導体エピタキシャル基板 |
JP7444984B2 (ja) | 2020-06-22 | 2024-03-06 | 京セラ株式会社 | 半導体デバイスの製造方法、半導体基板、半導体デバイス、電子機器 |
TWI834979B (zh) | 2020-06-22 | 2024-03-11 | 日商京瓷股份有限公司 | 半導體裝置之製造方法、半導體基板及電子機器 |
JP2022026490A (ja) * | 2020-07-31 | 2022-02-10 | セイコーエプソン株式会社 | 発光装置およびプロジェクター |
JP7176700B2 (ja) | 2020-07-31 | 2022-11-22 | セイコーエプソン株式会社 | 発光装置およびプロジェクター |
JP7272412B1 (ja) | 2021-12-03 | 2023-05-12 | 信越半導体株式会社 | 接合型半導体ウェーハの製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP2333847B1 (en) | 2018-02-14 |
CN102187479B (zh) | 2014-06-18 |
TW201027800A (en) | 2010-07-16 |
EP2333847A4 (en) | 2015-02-25 |
CN102187479A (zh) | 2011-09-14 |
JP5687731B2 (ja) | 2015-03-18 |
JPWO2010023921A1 (ja) | 2012-01-26 |
TWI470828B (zh) | 2015-01-21 |
WO2010023921A1 (ja) | 2010-03-04 |
EP2333847A1 (en) | 2011-06-15 |
KR101567121B1 (ko) | 2015-11-06 |
KR20110063799A (ko) | 2011-06-14 |
US20110169025A1 (en) | 2011-07-14 |
US9224595B2 (en) | 2015-12-29 |
JP5547076B2 (ja) | 2014-07-09 |
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