JP2008108757A - 化合物半導体発光素子およびそれを用いる照明装置ならびに化合物半導体素子の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】先ず、図1(a)で示すように、Si基板1上にカタリスト材料層となるNi薄膜2を蒸着する。次に、図1(b)で示すように、絶縁膜となる透明なSiO2薄膜3を蒸着し、ナノコラム5を成長させるべき配置位置に、成長させるべき直径および間隔でNi薄膜2が露出するまで貫通孔4を穿設しておく。したがって、図1(c)で示すようにGaNナノコラム5が成長すると、SiO2をナノコラム5間の極微細間隙へ確実かつ均一に充填することができ、ボイドの発生を抑え、またリーク電流を抑え、信頼性を向上することができる。
【選択図】図1
Description
図1は、本発明の実施の一形態に係る化合物半導体発光素子である発光ダイオードの製造工程を模式的に示す断面図である。本実施の形態では、ナノコラムの形成にあたっては、フォトリソグラフィが用いられるが、その形成方法は本方法に限定されるものではなく、たとえば電子ビーム露光などの方法を用いても良いことは言うまでもない。また、本実施の形態および後述する他の実施の形態では、ナノコラムの成長は、有機金属気相成長(MOCVD)によって行うことを前提としているが、ナノコラムの成長方法はこれに限定されるものではなく、分子線エピタキシー(MBE)やハイドライド気相成長(HVPE)法等を用いてもナノコラムが作製可能である。以下、特に断らない限り、MOCVD装置を用いるものとする。
図2は、本発明の実施の他の形態に係る化合物半導体発光素子である発光ダイオードの製造工程を模式的に示す断面図である。本実施の形態は、前述の図1で示す製造工程に類似している。注目すべきは、本実施の形態では、ナノコラム15が、ZnOから成ることである。先ず、図2(a)で示すように、シリコン(Si)から成る基板1上に、電子線蒸着によって、カタリスト材料層となるNi薄膜2が5nm蒸着される。次に、図2(b)で示すように、同じく電子線蒸着によって、絶縁膜となる透明なSiO2薄膜3が蒸着され、その後、通常のリソグラフィ技術とエッチング技術とを用いて、前記SiO2薄膜3において、ナノコラム15を成長させるべき配置位置に、成長させるべき直径、たとえば70nm、間隔、たとえば100nmで、前記Ni薄膜2が露出するまで、貫通孔4が穿設される。以上の工程は、図1(a)および図1(b)とそれぞれ同一である。
図3は、本発明の実施のさらに他の形態に係る化合物半導体素子の構造を模式的に示す断面図である。本実施の形態では、前述の図1や図2で示す実施の形態に類似し、対応する部分には同一の参照符号を付して示し、その説明を省略する。注目すべきは、本実施の形態では、該化合物半導体素子は発光素子ではなく、GaNナノコラム5’には前記活性層8、すなわち発光層が形成されていないことである。このような化合物半導体素子は、非特許文献("GaN-based anion selective sensor:Probing the origin of the induced electrochemical potential",Nikos A Chaniotakls, Appl. Phys. Lett. 86, 164103(2005))や非特許文献("GaN resistive hydrogen gas sensors ",Feng Yun, Appl. Phys. Lett. 87, 073507(2005))などで示されるように、センサなどに使用することができる。
2 Ni薄膜
3 SiO2薄膜
4 貫通孔
5,5’ GaNナノコラム
7,27 n型層
8,28 活性層
9,29 p型層
10 ITO薄膜
11 Ti薄膜
12 Au薄膜
13 Ni薄膜
14 Au薄膜
25 ZnOナノコラム
Claims (4)
- 基板上にナノスケールの柱状結晶構造体を有する化合物半導体素子において、
前記柱状結晶構造体は、カタリスト材料層と、該カタリスト材料層に取込まれて成長することによって該カタリスト材料層下に形成された半導体材料層とを備えて構成され、
前記柱状結晶構造体の周囲に、該柱状結晶構造体の成長前に形成され、該柱状結晶構造体を埋設するための貫通孔が穿設された絶縁膜をさらに備えることを特徴とする化合物半導体発光素子。 - 前記絶縁膜は透明材料から成り、
前記柱状結晶構造体は発光層を有し、該柱状結晶構造体の配置および柱径が2次元フォトニック結晶構造に制御されていることを特徴とする請求項1記載の化合物半導体発光素子。 - 前記請求項1または2記載の化合物半導体発光素子を用いることを特徴とする照明装置。
- 基板上にナノスケールの柱状結晶構造体を有する化合物半導体素子の製造方法において、
前記基板上に、化合物半導体材料に対するカタリスト材料層を成膜する工程と、
前記カタリスト材料層上に絶縁膜を形成するとともに、前記柱状結晶構造体を成長させるべき配置位置で、成長させるべき柱径に対応した形状に前記絶縁膜をパターニングして、前記カタリスト材料層が露出するように貫通孔を穿設する工程と、
前記貫通孔内で露出した前記カタリスト材料層から前記化合物半導体材料を取込ませ、該カタリスト材料層内で結合させて前記基板上に結晶成長させる工程とを含むことを特徴とする化合物半導体素子の製造方法。
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---|---|
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Cited By (29)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20100019355A1 (en) * | 2008-07-25 | 2010-01-28 | Theodore I Kamins | Multi-Level Nanowire Structure And Method Of Making The Same |
JP2011530164A (ja) * | 2008-08-01 | 2011-12-15 | エルジー シルトロン インコーポレイテッド | 半導体素子、発光素子及びその製造方法 |
CN102828250A (zh) * | 2012-08-31 | 2012-12-19 | 南京大学 | 一种GaN纳米线生长方法 |
CN103022311A (zh) * | 2011-09-27 | 2013-04-03 | 大连美明外延片科技有限公司 | 一种GaN-LED芯片结构及其制备方法 |
JP2013239718A (ja) * | 2008-09-01 | 2013-11-28 | Sophia School Corp | 半導体光素子アレイおよびその製造方法 |
US20160056330A1 (en) * | 2013-03-28 | 2016-02-25 | Aledia | Light-emitting device comprising active nanowires and contact nanowires and method of fabrication |
US9553234B2 (en) | 2014-07-11 | 2017-01-24 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Method of manufacturing nanostructure semiconductor light emitting device |
WO2018089350A1 (en) * | 2016-11-08 | 2018-05-17 | Applied Materials, Inc. | Methods for self-aligned patterning |
US10410921B2 (en) | 2017-04-04 | 2019-09-10 | Micromaterials Llc | Fully self-aligned via |
US10510602B2 (en) | 2017-08-31 | 2019-12-17 | Mirocmaterials LLC | Methods of producing self-aligned vias |
US10553485B2 (en) | 2017-06-24 | 2020-02-04 | Micromaterials Llc | Methods of producing fully self-aligned vias and contacts |
US10573555B2 (en) | 2017-08-31 | 2020-02-25 | Micromaterials Llc | Methods of producing self-aligned grown via |
US10593594B2 (en) | 2017-12-15 | 2020-03-17 | Micromaterials Llc | Selectively etched self-aligned via processes |
US10600688B2 (en) | 2017-09-06 | 2020-03-24 | Micromaterials Llc | Methods of producing self-aligned vias |
US10636659B2 (en) | 2017-04-25 | 2020-04-28 | Applied Materials, Inc. | Selective deposition for simplified process flow of pillar formation |
US10699952B2 (en) | 2016-11-03 | 2020-06-30 | Applied Materials, Inc. | Deposition and treatment of films for patterning |
US10699953B2 (en) | 2018-06-08 | 2020-06-30 | Micromaterials Llc | Method for creating a fully self-aligned via |
US10741435B2 (en) | 2016-06-14 | 2020-08-11 | Applied Materials, Inc. | Oxidative volumetric expansion of metals and metal containing compounds |
US10770349B2 (en) | 2017-02-22 | 2020-09-08 | Applied Materials, Inc. | Critical dimension control for self-aligned contact patterning |
US10790191B2 (en) | 2018-05-08 | 2020-09-29 | Micromaterials Llc | Selective removal process to create high aspect ratio fully self-aligned via |
US10840186B2 (en) | 2017-06-10 | 2020-11-17 | Applied Materials, Inc. | Methods of forming self-aligned vias and air gaps |
US10892187B2 (en) | 2018-05-16 | 2021-01-12 | Micromaterials Llc | Method for creating a fully self-aligned via |
US10892183B2 (en) | 2018-03-02 | 2021-01-12 | Micromaterials Llc | Methods for removing metal oxides |
US10930503B2 (en) | 2016-11-08 | 2021-02-23 | Applied Materials, Inc. | Geometric control of bottom-up pillars for patterning applications |
CN112802930A (zh) * | 2021-04-15 | 2021-05-14 | 至芯半导体(杭州)有限公司 | Iii族氮化物衬底制备方法和半导体器件 |
US11062942B2 (en) | 2017-12-07 | 2021-07-13 | Micromaterials Llc | Methods for controllable metal and barrier-liner recess |
US11164938B2 (en) | 2019-03-26 | 2021-11-02 | Micromaterials Llc | DRAM capacitor module |
CN114447172A (zh) * | 2020-10-30 | 2022-05-06 | 精工爱普生株式会社 | 发光装置及投影仪 |
US11437274B2 (en) | 2019-09-25 | 2022-09-06 | Micromaterials Llc | Fully self-aligned via |
Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2004102684A2 (en) * | 2003-05-19 | 2004-11-25 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Tunable radiation emitting semiconductor device |
WO2005054121A2 (en) * | 2003-11-26 | 2005-06-16 | Qunano Ab | Nanostructures formed of branched nanowhiskers and methods of producing the same |
WO2005064639A2 (en) * | 2003-12-22 | 2005-07-14 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Fabricating a set of semiconducting nanowires, and electric device comprising a set of nanowires |
JP2005228936A (ja) * | 2004-02-13 | 2005-08-25 | Dongguk Univ | 発光ダイオードおよびその製造方法 |
JP2005353828A (ja) * | 2004-06-10 | 2005-12-22 | Canon Inc | 発光素子及び発光素子の製造方法 |
JP2006005205A (ja) * | 2004-06-18 | 2006-01-05 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 多孔構造体及びその製造方法 |
JP2006128627A (ja) * | 2004-10-29 | 2006-05-18 | Samsung Electro Mech Co Ltd | ナノロッドを利用した窒化物系半導体素子及びその製造方法 |
-
2006
- 2006-10-23 JP JP2006287123A patent/JP2008108757A/ja active Pending
Patent Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2004102684A2 (en) * | 2003-05-19 | 2004-11-25 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Tunable radiation emitting semiconductor device |
WO2005054121A2 (en) * | 2003-11-26 | 2005-06-16 | Qunano Ab | Nanostructures formed of branched nanowhiskers and methods of producing the same |
WO2005064639A2 (en) * | 2003-12-22 | 2005-07-14 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Fabricating a set of semiconducting nanowires, and electric device comprising a set of nanowires |
JP2005228936A (ja) * | 2004-02-13 | 2005-08-25 | Dongguk Univ | 発光ダイオードおよびその製造方法 |
JP2005353828A (ja) * | 2004-06-10 | 2005-12-22 | Canon Inc | 発光素子及び発光素子の製造方法 |
JP2006005205A (ja) * | 2004-06-18 | 2006-01-05 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 多孔構造体及びその製造方法 |
JP2006128627A (ja) * | 2004-10-29 | 2006-05-18 | Samsung Electro Mech Co Ltd | ナノロッドを利用した窒化物系半導体素子及びその製造方法 |
Cited By (41)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8198706B2 (en) * | 2008-07-25 | 2012-06-12 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Multi-level nanowire structure and method of making the same |
US20100019355A1 (en) * | 2008-07-25 | 2010-01-28 | Theodore I Kamins | Multi-Level Nanowire Structure And Method Of Making The Same |
JP2011530164A (ja) * | 2008-08-01 | 2011-12-15 | エルジー シルトロン インコーポレイテッド | 半導体素子、発光素子及びその製造方法 |
US9425352B2 (en) | 2008-08-01 | 2016-08-23 | Lg Siltron Inc. | Semiconductor device, light emitting device and method of manufacturing same |
US9224595B2 (en) | 2008-09-01 | 2015-12-29 | Sophia School Corporation | Semiconductor optical element array and method of manufacturing the same |
JP2013239718A (ja) * | 2008-09-01 | 2013-11-28 | Sophia School Corp | 半導体光素子アレイおよびその製造方法 |
JP5547076B2 (ja) * | 2008-09-01 | 2014-07-09 | 学校法人上智学院 | 半導体光素子アレイおよびその製造方法 |
CN103022311A (zh) * | 2011-09-27 | 2013-04-03 | 大连美明外延片科技有限公司 | 一种GaN-LED芯片结构及其制备方法 |
WO2014032465A1 (zh) * | 2012-08-31 | 2014-03-06 | 南京大学 | 一种GaN纳米线生长方法 |
CN102828250A (zh) * | 2012-08-31 | 2012-12-19 | 南京大学 | 一种GaN纳米线生长方法 |
US20160056330A1 (en) * | 2013-03-28 | 2016-02-25 | Aledia | Light-emitting device comprising active nanowires and contact nanowires and method of fabrication |
JP2016518708A (ja) * | 2013-03-28 | 2016-06-23 | アレディア | アクティブナノワイヤとコンタクトナノワイヤとを含む発光装置および作製方法 |
US10453991B2 (en) | 2013-03-28 | 2019-10-22 | Aledia | Light-emitting device comprising active nanowires and contact nanowires and method of fabrication |
US9553234B2 (en) | 2014-07-11 | 2017-01-24 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Method of manufacturing nanostructure semiconductor light emitting device |
US10741435B2 (en) | 2016-06-14 | 2020-08-11 | Applied Materials, Inc. | Oxidative volumetric expansion of metals and metal containing compounds |
US10699952B2 (en) | 2016-11-03 | 2020-06-30 | Applied Materials, Inc. | Deposition and treatment of films for patterning |
US10319604B2 (en) | 2016-11-08 | 2019-06-11 | Applied Materials, Inc. | Methods for self-aligned patterning |
WO2018089350A1 (en) * | 2016-11-08 | 2018-05-17 | Applied Materials, Inc. | Methods for self-aligned patterning |
US10930503B2 (en) | 2016-11-08 | 2021-02-23 | Applied Materials, Inc. | Geometric control of bottom-up pillars for patterning applications |
US10770349B2 (en) | 2017-02-22 | 2020-09-08 | Applied Materials, Inc. | Critical dimension control for self-aligned contact patterning |
US10410921B2 (en) | 2017-04-04 | 2019-09-10 | Micromaterials Llc | Fully self-aligned via |
US10424507B2 (en) | 2017-04-04 | 2019-09-24 | Mirocmaterials LLC | Fully self-aligned via |
US10636659B2 (en) | 2017-04-25 | 2020-04-28 | Applied Materials, Inc. | Selective deposition for simplified process flow of pillar formation |
US10840186B2 (en) | 2017-06-10 | 2020-11-17 | Applied Materials, Inc. | Methods of forming self-aligned vias and air gaps |
US10553485B2 (en) | 2017-06-24 | 2020-02-04 | Micromaterials Llc | Methods of producing fully self-aligned vias and contacts |
US10573555B2 (en) | 2017-08-31 | 2020-02-25 | Micromaterials Llc | Methods of producing self-aligned grown via |
US10510602B2 (en) | 2017-08-31 | 2019-12-17 | Mirocmaterials LLC | Methods of producing self-aligned vias |
US10600688B2 (en) | 2017-09-06 | 2020-03-24 | Micromaterials Llc | Methods of producing self-aligned vias |
US11062942B2 (en) | 2017-12-07 | 2021-07-13 | Micromaterials Llc | Methods for controllable metal and barrier-liner recess |
US11705366B2 (en) | 2017-12-07 | 2023-07-18 | Micromaterials Llc | Methods for controllable metal and barrier-liner recess |
US10593594B2 (en) | 2017-12-15 | 2020-03-17 | Micromaterials Llc | Selectively etched self-aligned via processes |
US10892183B2 (en) | 2018-03-02 | 2021-01-12 | Micromaterials Llc | Methods for removing metal oxides |
US10790191B2 (en) | 2018-05-08 | 2020-09-29 | Micromaterials Llc | Selective removal process to create high aspect ratio fully self-aligned via |
US11037825B2 (en) | 2018-05-08 | 2021-06-15 | Micromaterials Llc | Selective removal process to create high aspect ratio fully self-aligned via |
US10892187B2 (en) | 2018-05-16 | 2021-01-12 | Micromaterials Llc | Method for creating a fully self-aligned via |
US10699953B2 (en) | 2018-06-08 | 2020-06-30 | Micromaterials Llc | Method for creating a fully self-aligned via |
US11164938B2 (en) | 2019-03-26 | 2021-11-02 | Micromaterials Llc | DRAM capacitor module |
US11437274B2 (en) | 2019-09-25 | 2022-09-06 | Micromaterials Llc | Fully self-aligned via |
CN114447172A (zh) * | 2020-10-30 | 2022-05-06 | 精工爱普生株式会社 | 发光装置及投影仪 |
CN114447172B (zh) * | 2020-10-30 | 2023-11-24 | 精工爱普生株式会社 | 发光装置及投影仪 |
CN112802930A (zh) * | 2021-04-15 | 2021-05-14 | 至芯半导体(杭州)有限公司 | Iii族氮化物衬底制备方法和半导体器件 |
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