JP4965294B2 - 半導体発光装置およびそれを用いる照明装置ならびに半導体発光装置の製造方法 - Google Patents
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Description
2,2’,2a,2b,2c,2d,2e,2f,2g ナノコラム
3 支持基板
4 透明導電膜
5 Al基板
6 Cu基板
8 n型電極端子
9 コンタクトメタル層
21 コア部
22 シェル部
23 インシュレータ部
31 成長基板
32 Ni薄膜
33 容器
34 アルコール
35 窒素ラジカル
Claims (8)
- 柱状結晶構造体を用いる半導体発光装置において、
前記柱状結晶構造体は、化合物半導体から成り、第1の導電型を有する柱状のコア部を、前記第1の導電型とは異なる第2の導電型を有する化合物半導体から成る筒状のシェル部で囲んだ同軸形状に形成され、かつ少なくとも前記コア部を含むように軸線方向に分割されて支持基板に平行な状態で搭載されており、
前記支持基板は導電性基板から成り、その表層部の前記柱状結晶構造体の陰となる部分が深層部を通して第1の電極となり、それ以外の部分が絶縁性となり、
前記柱状結晶構造体を搭載した支持基板上を覆い、前記柱状結晶構造体で発生する光に対して透明な材料から成る第2の電極を含むことを特徴とする半導体発光装置。 - 前記コア部の第1の導電型はn型であり、前記シェル部の第2の導電型はp型であることを特徴とする請求項1記載の半導体発光装置。
- 前記コア部とシェル部との間に、それらよりもバンドギャップエネルギーが小さい化合物半導体層を有することを特徴とする請求項1または2記載の半導体発光装置。
- 前記支持基板は、アルミから成ることを特徴とする請求項1〜3のいずれか1項に記載の半導体発光装置。
- 前記柱状結晶構造体は、異なる組成から成るものを複数種類有することを特徴とする請求項1〜4のいずれか1項に記載の半導体発光装置。
- 前記請求項1〜5のいずれか1項に記載の半導体発光装置を用いることを特徴とする照明装置。
- 柱状結晶構造体を用いる半導体発光装置の製造方法において、
成長基板上に、化合物半導体から成り、第1の導電型を有する柱状のコア部を成長させ、そのコア部を前記第1の導電型とは異なる第2の導電型を有する化合物半導体から成る筒状のシェル部で囲んだ同軸形状に形成した後、前記成長基板を剥離して該柱状結晶構造体を取出す工程と、
導電性の支持基板上に前記柱状結晶構造体を、前記支持基板に平行となるように散布する工程と、
前記柱状結晶構造体を搭載した支持基板をエッチングすることで少なくともコア部を含むように軸線方向に分割する工程と、
前記柱状結晶構造体を搭載した支持基板を自己整合によって、その表層部の前記柱状結晶構造体の陰となる部分を深層部を通して第1の電極に、前記陰となる部分以外を絶縁性に処理する工程と、
前記柱状結晶構造体を搭載した支持基板を、前記柱状結晶構造体で発生する光に対して透明な材料で覆い、第2の電極とする工程とを含むことを特徴とする半導体発光装置の製造方法。 - 前記成長基板上に前記コア部を形成する工程は、
前記成長基板上に、化合物半導体材料に対するカタリスト材料層を成膜する工程と、
前記カタリスト材料層を、前記コア部を成長させるべき柱径に対応した形状にパターニングする工程と、
前記パターニングによって残された前記カタリスト材料層から前記化合物半導体材料を取込ませ、該カタリスト材料層内で結合させて前記成長基板上に前記コア部を結晶成長させる工程とを含むことを特徴とする請求項7記載の半導体発光装置の製造方法。
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