JP2008199004A - 窒化物半導体発光素子及び製造方法 - Google Patents
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- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 title claims abstract description 114
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 101
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 21
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 101
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 35
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 17
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 16
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 14
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 14
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims description 12
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims description 10
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 8
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000002356 single layer Substances 0.000 claims description 6
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052703 rhodium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052707 ruthenium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 238000000605 extraction Methods 0.000 abstract description 21
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 16
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 11
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 8
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 5
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 4
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 3
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 description 2
- 230000000644 propagated effect Effects 0.000 description 2
- JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N Gallium nitride Chemical compound [Ga]#N JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 238000002488 metal-organic chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 1
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
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Abstract
【解決手段】前記窒化物半導体発光素子は、第1及び第2導電型窒化物半導体層とその間に形成された活性層を有する発光積層構造物と、前記第1及び第2導電型窒化物半導体層に夫々電気的に接続されるように形成された第1及び第2電極パッドと、前記第2電極パッドの下部に少なくとも前記第1導電型窒化物半導体層の一部までの深さを有するように形成された複数のパターンと、前記複数のパターンにより露出された発光積層構造物の領域と前記第2電極パッドが電気的に絶縁されるように前記複数のパターンの内部面に形成された絶縁膜を含む。
【選択図】図3d
Description
12、22、32 バッファ層
13、23、33 第1導電型窒化物半導体層
14、24、34 活性層
15、25、35 第2導電型窒化物半導体層
16、26、36 透明電極層
17、27、37 絶縁膜
38 反射層
Claims (20)
- 第1及び第2導電型窒化物半導体層とその間に形成された活性層を有する発光積層構造物、
前記第1及び第2導電型窒化物半導体層に夫々電気的に接続されるように形成された第1及び第2電極パッド、
第2電極パッドの下部に少なくとも前記第1導電型窒化物半導体層の一部までの深さを有するように形成された複数のパターン、
前記複数のパターンにより露出された発光積層構造物の領域と前記第2電極パッドが電気的に絶縁されるように前記複数のパターンの内部面に形成された絶縁膜を含む窒化物半導体発光素子。 - 前記複数のパターンは、夫々その深さに従って狭くなるように傾斜している側面を有することを特徴とする請求項1に記載の窒化物半導体発光素子。
- 前記発光構造物は、前記第1導電型窒化物半導体層の一領域が露出されるようにメサエッチングされた構造を有し、前記第1電極パッドは前記露出された一領域に形成されることを特徴とする請求項1に記載の窒化物半導体発光素子。
- 前記複数のパターンは、前記メサエッチングされた深さと同じ深さを有することを特徴とする請求項3に記載の窒化物半導体発光素子。
- 前記第2導電型窒化物半導体層の上面に形成された透明電極層をさらに含むことを特徴とする請求項1に記載の窒化物半導体発光素子。
- 前記第1及び第2電極パッドはTi、Cr、Al、Cu、Au、W及びその合金から構成されたグループから選ばれた物質からなる単一層または複数層であることを特徴とする請求項1に記載の窒化物半導体発光素子。
- 前記複数のパターンは、夫々5〜50μmの上端の幅を有することを特徴とする請求項1に記載の窒化物半導体発光素子。
- 前記絶縁膜はSi、Zr、Ta、Ti、In、Sn、Mg及びAlから構成されたグループから選ばれた元素を含んだ酸化物または窒化物であることを特徴とする請求項1に記載の窒化物半導体発光素子。
- 少なくとも前記複数のパターンに位置した前記絶縁膜上に形成された高反射性金属層をさらに含むことを特徴とする請求項1に記載の窒化物半導体発光素子。
- 前記高反射性金属層はAl、Ag、Rh、Ru、Pt、Pd及びその合金から構成されたグループから選ばれた少なくとも一つからなることを特徴とする請求項9に記載の窒化物半導体発光素子。
- 第1及び第2導電型窒化物半導体層とその間に形成された活性層を有する発光積層構造物を設ける段階、
第2電極パッドが形成される前記第2導電型窒化物半導体層の領域に少なくとも前記第1導電型窒化物半導体層の一部までの深さを有する複数のパターンを形成する段階、
前記複数のパターンの内部面に絶縁膜を形成する段階、
前記第1及び第2導電型窒化物半導体層に夫々電気的に接続されるように第1及び第2電極パッドを形成する段階を含む窒化物半導体発光素子の製造方法。 - 前記複数のパターンは、夫々その深さに従って狭くなるように傾斜している側面を有することを特徴とする請求項11に記載の窒化物半導体発光素子の製造方法。
- 前記第1電極パッドが形成される前記第1導電型窒化物半導体層の一領域に露出されるように前記発光積層構造物をメサエッチングする段階をさらに含むことを特徴とする請求項11に記載の窒化物半導体発光素子の製造方法。
- 前記複数のパターンを形成する段階は、前記メサエッチングする段階と同時に実行されることを特徴とする請求項13に記載の窒化物半導体発光素子の製造方法。
- 第2導電型窒化物半導体層の上面に透明電極層を形成する段階をさらに含むことを特徴とする請求項11に記載の窒化物半導体発光素子の製造方法。
- 前記第1及び第2電極パッドはTi、Cr、Al、Cu、Au、W及びその合金から構成されたグループから選ばれた物質からなる単一層または複数層であることを特徴とする請求項11に記載の窒化物半導体発光素子の製造方法。
- 前記複数のパターンは、夫々5〜50μmの上端の幅を有することを特徴とする請求項11に記載の窒化物半導体発光素子の製造方法。
- 前記絶縁膜はSi、Zr、Ta、Ti、In、Sn、Mg及びAlから構成されたグループから選ばれた元素を含んだ酸化物または窒化物であることを特徴とする請求項11に記載の窒化物半導体発光素子の製造方法。
- 前記絶縁膜の形成段階と前記第2電極パッドの形成段階の間に、少なくとも前記複数のパターン部に位置した前記絶縁膜上に高反射性金属層を形成する段階をさらに含むことを特徴とする請求項11に記載の窒化物半導体発光素子の製造方法。
- 前記高反射性金属層はAl、Ag、Rh、Ru、Pt、Pd及びその合金から構成されたグループから選ばれた少なくとも一つからなることを特徴とする請求項19に記載の窒化物半導体発光素子の製造方法。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR10-2007-0014450 | 2007-02-12 | ||
KR1020070014450A KR100887139B1 (ko) | 2007-02-12 | 2007-02-12 | 질화물 반도체 발광소자 및 제조방법 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2008199004A true JP2008199004A (ja) | 2008-08-28 |
JP4804485B2 JP4804485B2 (ja) | 2011-11-02 |
Family
ID=39757632
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008009835A Expired - Fee Related JP4804485B2 (ja) | 2007-02-12 | 2008-01-18 | 窒化物半導体発光素子及び製造方法 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20100283070A1 (ja) |
JP (1) | JP4804485B2 (ja) |
KR (1) | KR100887139B1 (ja) |
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KR101154320B1 (ko) | 2010-12-20 | 2012-06-13 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광소자, 발광소자 패키지 및 이를 포함하는 조명 장치 |
EP2296197A3 (en) * | 2009-09-10 | 2014-03-26 | LG Innotek Co., Ltd. | Light emitting device, light emitting device package and lighting system including the same |
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KR100999742B1 (ko) | 2008-09-30 | 2010-12-08 | 엘지이노텍 주식회사 | 반도체 발광소자 및 그 제조방법 |
CN101874310B (zh) | 2008-09-30 | 2013-12-18 | Lg伊诺特有限公司 | 半导体发光器件及其制造方法 |
US8101965B2 (en) * | 2008-12-02 | 2012-01-24 | Epivalley Co., Ltd. | III-nitride semiconductor light emitting device having a multilayered pad |
KR100986440B1 (ko) | 2009-04-28 | 2010-10-08 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광소자 및 그 제조방법 |
KR101154750B1 (ko) | 2009-09-10 | 2012-06-08 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광소자 및 그 제조방법 |
KR100986407B1 (ko) * | 2009-10-22 | 2010-10-08 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광소자 및 그 제조방법 |
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-
2007
- 2007-02-12 KR KR1020070014450A patent/KR100887139B1/ko not_active IP Right Cessation
-
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- 2008-01-11 US US12/007,497 patent/US20100283070A1/en not_active Abandoned
- 2008-01-18 JP JP2008009835A patent/JP4804485B2/ja not_active Expired - Fee Related
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---|---|
JP4804485B2 (ja) | 2011-11-02 |
KR100887139B1 (ko) | 2009-03-04 |
US20100283070A1 (en) | 2010-11-11 |
KR20080075368A (ko) | 2008-08-18 |
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Date | Code | Title | Description |
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A711 | Notification of change in applicant |
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|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20101116 |
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A131 | Notification of reasons for refusal |
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A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20110523 |
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TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20110809 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140819 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140819 Year of fee payment: 3 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313111 |
|
S631 | Written request for registration of reclamation of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313631 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140819 Year of fee payment: 3 |
|
R371 | Transfer withdrawn |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R371 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313111 |
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S631 | Written request for registration of reclamation of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313631 |
|
S633 | Written request for registration of reclamation of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313633 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140819 Year of fee payment: 3 |
|
R371 | Transfer withdrawn |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R371 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140819 Year of fee payment: 3 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313111 |
|
S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140819 Year of fee payment: 3 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
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