JP2008288500A - 半導体光デバイス、及びその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】チップ1は、基板4と、基板4に設けられ、p形半導体領域及びn形半導体領域を含む半導体積層部5と、半導体積層部5に設けられ、かつ基板4から開離されて配置された電極6とを有している。半導体積層部5の側面には、p形半導体領域及びn形半導体領域のそれぞれが露出している。チップ1は、半田2を介して電極6が取付面3aに固定されることにより、ヒートシンク3にダイボンドされている。半導体積層部5外において、半導体積層部5の側面と取付面3aとがなす角度は、鈍角とされている。
【選択図】図1
Description
図1は、この発明の実施の形態1による半導体光デバイスを示す断面図である。図において、半導体光デバイスのチップ1は、溶着材料である半田2によりヒートシンク(取付部材)3にダイボンドされている。ヒートシンク3は、チップ1がダイボンドされる取付面3aを有している。
Claims (3)
- 半導体により構成された基板と、上記基板に設けられ、p形半導体領域及びn形半導体領域を含む半導体積層部と、上記半導体積層部に設けられ、かつ上記基板から開離されて配置された電極とを有し、上記基板及び上記電極間を結ぶ上記半導体積層部の側面に上記p形半導体領域及び上記n形半導体領域のそれぞれが露出しているチップ、及び
取付面を有し、導電性の溶着材料を介して上記電極が上記取付面に固定された取付部材
を備え、
上記半導体積層部外において、上記半導体積層部の側面と上記取付面とがなす角度が鈍角とされていることを特徴とする半導体光デバイス。 - 半導体により構成された基板に複数の結晶層を積層することにより、半導体積層部を上記基板に形成する結晶層形成工程、
上記半導体積層部に電極を形成する電極形成工程、
上記電極の一部を除去する電極部分除去工程、
上記電極を除去した部分から上記半導体積層部の一部をエッチングで除去することにより、上記基板に向かって幅が連続的に広がる断面を持ち、底面が上記基板の面となっている逆メサ溝を上記半導体積層部に形成する溝形成工程、
上記逆メサ溝の底面と交差する分割面が形成されるように上記基板を分割することにより、分割後の上記基板、上記半導体積層部及び上記電極をチップとする分割工程、
取付部材の取付面に上記電極を溶着材料により固定することにより、上記チップを上記取付部材にダイボンドするダイボンド工程
を備えていることを特徴とする半導体光デバイスの製造方法。 - 上記分割工程前に、上記基板の上記逆メサ溝と反対側の面に分割のための切り込み部をエッチングにより形成する切り込み部形成工程
をさらに備えていることを特徴とする請求項2に記載の半導体光デバイスの製造方法。
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Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP7364134B1 (ja) | 2023-04-26 | 2023-10-18 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
Citations (16)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH01291482A (ja) * | 1988-05-18 | 1989-11-24 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体発光装置の製造方法 |
JPH02291188A (ja) * | 1989-05-01 | 1990-11-30 | Nec Corp | 半導体レーザ装置 |
JPH032626U (ja) * | 1989-05-30 | 1991-01-11 | ||
JPH05218586A (ja) * | 1992-02-04 | 1993-08-27 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体レーザ装置およびその製造方法 |
JPH06152057A (ja) * | 1992-11-11 | 1994-05-31 | Hamamatsu Photonics Kk | 光半導体装置 |
JPH06350202A (ja) * | 1993-06-10 | 1994-12-22 | Toshiba Corp | 半導体発光装置 |
JPH07115247A (ja) * | 1993-10-15 | 1995-05-02 | Toyota Motor Corp | 半導体レーザ及びその製造方法 |
JPH09321380A (ja) * | 1996-05-29 | 1997-12-12 | Sony Corp | 半導体発光装置とその製造方法 |
JPH10308532A (ja) * | 1997-05-06 | 1998-11-17 | Sony Corp | 半導体発光素子 |
JP2002232079A (ja) * | 2001-02-05 | 2002-08-16 | Toshiba Electronic Engineering Corp | リッジ導波型光半導体素子およびその製造方法 |
JP2002305358A (ja) * | 2001-02-02 | 2002-10-18 | Sanyo Electric Co Ltd | 窒化物系半導体レーザ素子およびその形成方法 |
JP2002314198A (ja) * | 2001-04-13 | 2002-10-25 | Sony Corp | 半導体レーザ |
JP2003142774A (ja) * | 2001-11-06 | 2003-05-16 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体レーザ装置及びその製造方法 |
JP2003258382A (ja) * | 2002-03-01 | 2003-09-12 | Sharp Corp | GaN系レーザ素子 |
JP2004507892A (ja) * | 2000-08-22 | 2004-03-11 | アルカテル | 光増幅器デバイス |
JP2006086516A (ja) * | 2004-08-20 | 2006-03-30 | Showa Denko Kk | 半導体発光素子の製造方法 |
-
2007
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Patent Citations (16)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH01291482A (ja) * | 1988-05-18 | 1989-11-24 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体発光装置の製造方法 |
JPH02291188A (ja) * | 1989-05-01 | 1990-11-30 | Nec Corp | 半導体レーザ装置 |
JPH032626U (ja) * | 1989-05-30 | 1991-01-11 | ||
JPH05218586A (ja) * | 1992-02-04 | 1993-08-27 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体レーザ装置およびその製造方法 |
JPH06152057A (ja) * | 1992-11-11 | 1994-05-31 | Hamamatsu Photonics Kk | 光半導体装置 |
JPH06350202A (ja) * | 1993-06-10 | 1994-12-22 | Toshiba Corp | 半導体発光装置 |
JPH07115247A (ja) * | 1993-10-15 | 1995-05-02 | Toyota Motor Corp | 半導体レーザ及びその製造方法 |
JPH09321380A (ja) * | 1996-05-29 | 1997-12-12 | Sony Corp | 半導体発光装置とその製造方法 |
JPH10308532A (ja) * | 1997-05-06 | 1998-11-17 | Sony Corp | 半導体発光素子 |
JP2004507892A (ja) * | 2000-08-22 | 2004-03-11 | アルカテル | 光増幅器デバイス |
JP2002305358A (ja) * | 2001-02-02 | 2002-10-18 | Sanyo Electric Co Ltd | 窒化物系半導体レーザ素子およびその形成方法 |
JP2002232079A (ja) * | 2001-02-05 | 2002-08-16 | Toshiba Electronic Engineering Corp | リッジ導波型光半導体素子およびその製造方法 |
JP2002314198A (ja) * | 2001-04-13 | 2002-10-25 | Sony Corp | 半導体レーザ |
JP2003142774A (ja) * | 2001-11-06 | 2003-05-16 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体レーザ装置及びその製造方法 |
JP2003258382A (ja) * | 2002-03-01 | 2003-09-12 | Sharp Corp | GaN系レーザ素子 |
JP2006086516A (ja) * | 2004-08-20 | 2006-03-30 | Showa Denko Kk | 半導体発光素子の製造方法 |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP7364134B1 (ja) | 2023-04-26 | 2023-10-18 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
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