JPH06152057A - 光半導体装置 - Google Patents
光半導体装置Info
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- JPH06152057A JPH06152057A JP30099892A JP30099892A JPH06152057A JP H06152057 A JPH06152057 A JP H06152057A JP 30099892 A JP30099892 A JP 30099892A JP 30099892 A JP30099892 A JP 30099892A JP H06152057 A JPH06152057 A JP H06152057A
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- light
- semiconductor device
- optical semiconductor
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 本発明は、レーザ光の光強度が大きく、製造
が容易な光半導体装置を提供することを目的とする。 【構成】 突起部上面の活性層（１３ａ）に電流が注入
され光が発生すると、この光は突起部上面の活性層（１
３ａ）を突き抜けて、第２のクラッド層（１４）を透過
して端面で反射する。端面で反射した光は、突起部上面
の活性層（１３ａ）と第２のクラッド層（１４）で往復
動作して、両側の第２のクラッド層（１４）の端面をフ
ァブリペロー型の共振ミラーとするレーザ共振が起こ
る。注入電流をある程度大きくすると、ついにはレーザ
発振に至り、レーザ光が外部に出射される。
が容易な光半導体装置を提供することを目的とする。 【構成】 突起部上面の活性層（１３ａ）に電流が注入
され光が発生すると、この光は突起部上面の活性層（１
３ａ）を突き抜けて、第２のクラッド層（１４）を透過
して端面で反射する。端面で反射した光は、突起部上面
の活性層（１３ａ）と第２のクラッド層（１４）で往復
動作して、両側の第２のクラッド層（１４）の端面をフ
ァブリペロー型の共振ミラーとするレーザ共振が起こ
る。注入電流をある程度大きくすると、ついにはレーザ
発振に至り、レーザ光が外部に出射される。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、光通信などに用いられ
る光半導体装置に関する。
る光半導体装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来の光半導体装置の例としてレーザダ
イオードの構造を図５に示す。従来のレーザダイオード
は、ｎ型のＧａＡｓ基板１０１上に、ｎ型のＧａＡｌＡ
ｓ層１０２が、ＧａＡｌＡｓ層１０２上にＡＲ層１０３
がそれぞれエピタキシャル形成されている。また、ＡＲ
層１０３上にｐ型のＧａＡｌＡｓ層１０４が、ＧａＡｌ
Ａｓ層１０４上にｐ型又はｎ型のＧａＡｓ層１０５がエ
ピタキシャル形成されている。さらに、ＧａＡｓ層１０
５上には電極１０６が、ＧａＡｓ基板１０１の裏面には
電極１０７がそれぞれ形成されている。ＧａＡｓ層１０
５には添加物がドーピングされ、光導波路１０８が形成
されている。
イオードの構造を図５に示す。従来のレーザダイオード
は、ｎ型のＧａＡｓ基板１０１上に、ｎ型のＧａＡｌＡ
ｓ層１０２が、ＧａＡｌＡｓ層１０２上にＡＲ層１０３
がそれぞれエピタキシャル形成されている。また、ＡＲ
層１０３上にｐ型のＧａＡｌＡｓ層１０４が、ＧａＡｌ
Ａｓ層１０４上にｐ型又はｎ型のＧａＡｓ層１０５がエ
ピタキシャル形成されている。さらに、ＧａＡｓ層１０
５上には電極１０６が、ＧａＡｓ基板１０１の裏面には
電極１０７がそれぞれ形成されている。ＧａＡｓ層１０
５には添加物がドーピングされ、光導波路１０８が形成
されている。
【０００３】２つの端面には保護膜１０９、１１０が設
けられており、端面での光の反射率を減少させている。
けられており、端面での光の反射率を減少させている。
【０００４】次に、別の光半導体装置の従来例を図６に
示す。この従来例は、さらに端面での光の吸収を減らす
ための工夫が施されている。つまり、２回のエピタキシ
ャル成長によって、ｎ型のＧａＡｌＡｓ結晶で埋め込み
成長を行うことにより、端面にＧａＡｌＡｓ層１２７を
形成しているのである。このＧａＡｌＡｓ層１２７は、
発光波長に対してバンドギャップが大きいため、ほとん
ど透明の窓となり、端面での光の吸収が非常に少なくな
る。このため、端面から出射されるレーザ光の最大出力
は大幅に改善される。
示す。この従来例は、さらに端面での光の吸収を減らす
ための工夫が施されている。つまり、２回のエピタキシ
ャル成長によって、ｎ型のＧａＡｌＡｓ結晶で埋め込み
成長を行うことにより、端面にＧａＡｌＡｓ層１２７を
形成しているのである。このＧａＡｌＡｓ層１２７は、
発光波長に対してバンドギャップが大きいため、ほとん
ど透明の窓となり、端面での光の吸収が非常に少なくな
る。このため、端面から出射されるレーザ光の最大出力
は大幅に改善される。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】上述した図５の従来例
では端面での光の反射率の減少が不十分であるため、端
面からの出射光の最大出力が低く問題であった。
では端面での光の反射率の減少が不十分であるため、端
面からの出射光の最大出力が低く問題であった。
【０００６】また、図６の従来例では端面からの出射光
の最大出力は大幅に改善されるが、２回目のエピタキシ
ャル成長の制御が難しいといった問題があった。このた
め、歩留りが悪く、量産化が困難であった。
の最大出力は大幅に改善されるが、２回目のエピタキシ
ャル成長の制御が難しいといった問題があった。このた
め、歩留りが悪く、量産化が困難であった。
【０００７】本発明は、このような問題を解決すること
を目的とする。
を目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、本発明の光半導体装置は、長手方向の対向する２つ
の側面が逆メサ型のエッチング形状である略直方体の突
起部を上面に有する半導体基板と、半導体基板上に均等
な厚さで形成された第１のクラッド層と、第１クラッド
層の上に均等な厚さで形成された活性層と、活性層の上
に突起部の高さより厚い膜厚で形成された第２のクラッ
ド層とを備えており、２つの側面に挟まれた突起部上の
活性層により導波路が構成され、この導波路の長手方向
両側の第２のクラッド層の端面により光共振器が構成さ
れている。
に、本発明の光半導体装置は、長手方向の対向する２つ
の側面が逆メサ型のエッチング形状である略直方体の突
起部を上面に有する半導体基板と、半導体基板上に均等
な厚さで形成された第１のクラッド層と、第１クラッド
層の上に均等な厚さで形成された活性層と、活性層の上
に突起部の高さより厚い膜厚で形成された第２のクラッ
ド層とを備えており、２つの側面に挟まれた突起部上の
活性層により導波路が構成され、この導波路の長手方向
両側の第２のクラッド層の端面により光共振器が構成さ
れている。
【０００９】また、導波路の長手方向両側の第２のクラ
ッド層の端面には保護膜が設けられていてもよい。
ッド層の端面には保護膜が設けられていてもよい。
【００１０】
【作用】本発明の光半導体装置によれば、半導体基板の
上面には長尺の突起部が備えられているので、この半導
体基板上に均等な厚さで形成される活性層にも、同等な
突起部が設けられる。この突起部は上面が平面で長手方
向の対向する２つの側面とこの上面との角度は共に鋭角
であり、突起部の上面の活性層は、導波路として機能し
ている。導波路に電流が注入され光が発生すると、この
光は突起部の上面の導波路を突き抜けて、第２のクラッ
ド層を透過して端面で反射する。このとき、突起部の上
面の活性層と側面の活性層との角度は鋭角なので、側面
に光が流れ込むことはほとんどない。端面で反射した光
は、突起部上面の活性層と第２のクラッド層で往復動作
して、両側の第２のクラッド層の端面をファブリペロー
型の共振ミラーとするレーザ共振が起こる。注入電流を
ある程度大きくすると、ついにはレーザ発振に至り、レ
ーザ光が第２のクラッド層から外部に出射される。
上面には長尺の突起部が備えられているので、この半導
体基板上に均等な厚さで形成される活性層にも、同等な
突起部が設けられる。この突起部は上面が平面で長手方
向の対向する２つの側面とこの上面との角度は共に鋭角
であり、突起部の上面の活性層は、導波路として機能し
ている。導波路に電流が注入され光が発生すると、この
光は突起部の上面の導波路を突き抜けて、第２のクラッ
ド層を透過して端面で反射する。このとき、突起部の上
面の活性層と側面の活性層との角度は鋭角なので、側面
に光が流れ込むことはほとんどない。端面で反射した光
は、突起部上面の活性層と第２のクラッド層で往復動作
して、両側の第２のクラッド層の端面をファブリペロー
型の共振ミラーとするレーザ共振が起こる。注入電流を
ある程度大きくすると、ついにはレーザ発振に至り、レ
ーザ光が第２のクラッド層から外部に出射される。
【００１１】第２のクラッド層は、発光波長に対してバ
ンドギャップが広いため、ほとんど透明の窓となり、端
面での光の吸収が少なくなる。このため、外部に出射さ
れるレーザ光の発光効率が向上する。
ンドギャップが広いため、ほとんど透明の窓となり、端
面での光の吸収が少なくなる。このため、外部に出射さ
れるレーザ光の発光効率が向上する。
【００１２】また、第２のクラッド層の端面に保護膜が
設ければ、端面での光の反射率が減少するので、さらに
レーザ光の発光効率が向上する。
設ければ、端面での光の反射率が減少するので、さらに
レーザ光の発光効率が向上する。
【００１３】
【実施例】以下、本発明である光半導体装置の一実施例
について、添付図面を参照して説明する。図１は、本実
施例の光半導体装置の構造を示す斜視図であり、図２
（ａ）（ｂ）は、本実施例の光半導体装置の構造を示す
断面図である。図１及び図２より、本実施例の光半導体
装置１０は、ｎ型のＧａＡｓ基板１１上に第１のクラッ
ド層であるｎ型のＧａＡｌＡｓ層１２が、ＧａＡｌＡｓ
層１２上に活性領域であるＡＲ層１３がエピタキシャル
形成されている。さらに、ＡＲ層１３上に第２のクラッ
ド層であるｐ型のＧａＡｌＡｓ層１４がエピタキシャル
形成されており、ＡＲ層１３を上下からｎ型のＧａＡｌ
Ａｓ層１２とｐ型のＧａＡｌＡｓ層１４で挟んだいわゆ
るダブルヘテロ接合構造を有している。このような構造
を採用することで、ＡＲ層１３を挟むＧａＡｌＡｓ層１
２、ＧａＡｌＡｓ層１４から注入された電子、ホールは
バンドギャップエネルギーが低く、ポテンシャルウェル
となっているＡＲ層１３中に効率良く閉じ込めることが
できる。
について、添付図面を参照して説明する。図１は、本実
施例の光半導体装置の構造を示す斜視図であり、図２
（ａ）（ｂ）は、本実施例の光半導体装置の構造を示す
断面図である。図１及び図２より、本実施例の光半導体
装置１０は、ｎ型のＧａＡｓ基板１１上に第１のクラッ
ド層であるｎ型のＧａＡｌＡｓ層１２が、ＧａＡｌＡｓ
層１２上に活性領域であるＡＲ層１３がエピタキシャル
形成されている。さらに、ＡＲ層１３上に第２のクラッ
ド層であるｐ型のＧａＡｌＡｓ層１４がエピタキシャル
形成されており、ＡＲ層１３を上下からｎ型のＧａＡｌ
Ａｓ層１２とｐ型のＧａＡｌＡｓ層１４で挟んだいわゆ
るダブルヘテロ接合構造を有している。このような構造
を採用することで、ＡＲ層１３を挟むＧａＡｌＡｓ層１
２、ＧａＡｌＡｓ層１４から注入された電子、ホールは
バンドギャップエネルギーが低く、ポテンシャルウェル
となっているＡＲ層１３中に効率良く閉じ込めることが
できる。
【００１４】なお、ＡＲ層１３は、ＧａＡｌＡｓ層１
２、１４よりも低バンドギャップで高屈折率の材料であ
ればよく、例えばＧａＡｓが用いられる。また、多重量
子井戸構造にしてもよい。
２、１４よりも低バンドギャップで高屈折率の材料であ
ればよく、例えばＧａＡｓが用いられる。また、多重量
子井戸構造にしてもよい。
【００１５】ＧａＡｌＡｓ層１４上には、ｎ型（または
ｐ型）のＧａＡｓ層１５が、ＧａＡｓ層１５上に絶縁膜
としてＳｉＯ2 膜１６がエピタキシャル形成されてお
り、ＳｉＯ2 膜１６上にはｐ側電極１７が、ＧａＡｓ基
板１１の裏面にはｎ側電極１８がそれぞれ形成されてい
る。また、ＧａＡｓ基板１１の上層にはｐ拡散領域１９
が、ＧａＡｓ層１５にはｐ+ 拡散領域２０がそれぞれ形
成されている。さらに、光半導体装置１０の２つの端面
には、端面保護膜２１、２２が形成されている。
ｐ型）のＧａＡｓ層１５が、ＧａＡｓ層１５上に絶縁膜
としてＳｉＯ2 膜１６がエピタキシャル形成されてお
り、ＳｉＯ2 膜１６上にはｐ側電極１７が、ＧａＡｓ基
板１１の裏面にはｎ側電極１８がそれぞれ形成されてい
る。また、ＧａＡｓ基板１１の上層にはｐ拡散領域１９
が、ＧａＡｓ層１５にはｐ+ 拡散領域２０がそれぞれ形
成されている。さらに、光半導体装置１０の２つの端面
には、端面保護膜２１、２２が形成されている。
【００１６】図２（ａ）（ｂ）の各断面図に示すよう
に、ＧａＡｓ基板１１は中央部にほぼ直方体の突起部を
備えている。この突起部は、周りをホトエッチングで数
μｍ削り取ることによって形成される。このとき、突起
部の２つの側面が逆メサ型のエッチング形状となるよう
に、結晶の結晶軸を例えば劈開方向に合わせて形成して
いる。このＧａＡｓ基板１１上に、ＧａＡｌＡｓ層１２
とＡＲ層１３を均等な厚さで堆積させているので、ＡＲ
層１３も中央に突起部を備えた形状となる。このように
ＡＲ層１３は、突起部の上面のＡＲ層１３ａと逆メサ型
の斜面のＡＲ層１３ｂと突起部以外のＡＲ層１３ｃとに
分けることができる。
に、ＧａＡｓ基板１１は中央部にほぼ直方体の突起部を
備えている。この突起部は、周りをホトエッチングで数
μｍ削り取ることによって形成される。このとき、突起
部の２つの側面が逆メサ型のエッチング形状となるよう
に、結晶の結晶軸を例えば劈開方向に合わせて形成して
いる。このＧａＡｓ基板１１上に、ＧａＡｌＡｓ層１２
とＡＲ層１３を均等な厚さで堆積させているので、ＡＲ
層１３も中央に突起部を備えた形状となる。このように
ＡＲ層１３は、突起部の上面のＡＲ層１３ａと逆メサ型
の斜面のＡＲ層１３ｂと突起部以外のＡＲ層１３ｃとに
分けることができる。
【００１７】ｐ+ 拡散領域２０は、突起部の逆メサ形状
の２つの側面に直交する面に沿ってストライプ状に形成
されているので、ｐ+ 拡散領域２０下部のＡＲ層１３内
で利得ガイド方式による横方向の光閉じ込めが行われ
る。この光閉じ込めによって、ｐ+ 拡散領域２０下部の
ＡＲ層１３に光導波路が形成される。
の２つの側面に直交する面に沿ってストライプ状に形成
されているので、ｐ+ 拡散領域２０下部のＡＲ層１３内
で利得ガイド方式による横方向の光閉じ込めが行われ
る。この光閉じ込めによって、ｐ+ 拡散領域２０下部の
ＡＲ層１３に光導波路が形成される。
【００１８】光半導体装置１０の動作は次の通りであ
る。まず、ｐ側電極１７とｎ側電極１８の間に電流を流
すと、ｐ+ 拡散領域２０下部のＡＲ層１３ａ内に光が発
生する。この光はＡＲ層１３ａを突き抜けて、ｐ+ 拡散
領域２０下部のＧａＡｌＡｓ層１４内を直進して、端面
で反射する。端面で反射した光は、ＡＲ層１３ａとＧａ
ＡｌＡｓ層１４で往復動作して、ＧａＡｌＡｓ層１４の
両端面をファブリペロー型の共振ミラーとするレーザ共
振が起こる。このとき、ＡＲ層１３ａとＡＲ層１３ｂと
は鋭角であるため、ＡＲ層１３ａで発生した光がＡＲ層
１３ｂに流れ込むことはほとんどない。そして、注入電
流をある程度大きくすると、ついにはレーザ発振に至
り、端面保護膜２１、２２を通して外部にレーザ光が出
射される。ＧａＡｌＡｓ層１４は、発光波長に対してバ
ンドギャップが広いため、ほとんど透明の窓となり、端
面での光の吸収が少なくなる。さらに、端面保護膜２
１、２２によっても、端面での光の吸収を減少させる。
このため、出射されたレーザ光の最大出力は非常に大き
い。発明者による実験の結果では、本実施例で出射され
るレーザ光の強度は、図５の従来例で出射されるレーザ
光の強度に比べて、３倍から５倍に大きくなった。
る。まず、ｐ側電極１７とｎ側電極１８の間に電流を流
すと、ｐ+ 拡散領域２０下部のＡＲ層１３ａ内に光が発
生する。この光はＡＲ層１３ａを突き抜けて、ｐ+ 拡散
領域２０下部のＧａＡｌＡｓ層１４内を直進して、端面
で反射する。端面で反射した光は、ＡＲ層１３ａとＧａ
ＡｌＡｓ層１４で往復動作して、ＧａＡｌＡｓ層１４の
両端面をファブリペロー型の共振ミラーとするレーザ共
振が起こる。このとき、ＡＲ層１３ａとＡＲ層１３ｂと
は鋭角であるため、ＡＲ層１３ａで発生した光がＡＲ層
１３ｂに流れ込むことはほとんどない。そして、注入電
流をある程度大きくすると、ついにはレーザ発振に至
り、端面保護膜２１、２２を通して外部にレーザ光が出
射される。ＧａＡｌＡｓ層１４は、発光波長に対してバ
ンドギャップが広いため、ほとんど透明の窓となり、端
面での光の吸収が少なくなる。さらに、端面保護膜２
１、２２によっても、端面での光の吸収を減少させる。
このため、出射されたレーザ光の最大出力は非常に大き
い。発明者による実験の結果では、本実施例で出射され
るレーザ光の強度は、図５の従来例で出射されるレーザ
光の強度に比べて、３倍から５倍に大きくなった。
【００１９】次に、突起部が形成されたＧａＡｓ基板１
１の例を図３に示す。図３に示すようなＧａＡｓ基板１
１上に、例えば有機金属を用いた気相成長法（以下、Ｍ
ＯＣＶＤ法という）により、ｎ型のＧａＡｌＡｓ層１２
／ＡＲ層１３／ｐ型のＧａＡｌＡｓ層１４／ｎ型（又は
ｐ型）のＧａＡｓ層１５を順次所定の厚さに制御して成
長させる。
１の例を図３に示す。図３に示すようなＧａＡｓ基板１
１上に、例えば有機金属を用いた気相成長法（以下、Ｍ
ＯＣＶＤ法という）により、ｎ型のＧａＡｌＡｓ層１２
／ＡＲ層１３／ｐ型のＧａＡｌＡｓ層１４／ｎ型（又は
ｐ型）のＧａＡｓ層１５を順次所定の厚さに制御して成
長させる。
【００２０】成長したダブルヘテロ結晶のＡ−Ａ´の断
面構造を図４に示す。図１のレーザダイオードは、Ｂ−
Ｂ´面とＣ−Ｃ´面で劈開して製造したものである。こ
の断面構造の特徴は、ＧａＡｌＡｓ層１４の膜厚がＧａ
Ａｓ基板１１上の突起部の幅より厚く、ＡＲ層１３ａの
延長上にＧａＡｌＡｓ層１４が形成されていることであ
る。ＧａＡｌＡｓ層１４は通常２〜３μｍであるため、
このような構造になるように制御するのは比較的容易で
ある。
面構造を図４に示す。図１のレーザダイオードは、Ｂ−
Ｂ´面とＣ−Ｃ´面で劈開して製造したものである。こ
の断面構造の特徴は、ＧａＡｌＡｓ層１４の膜厚がＧａ
Ａｓ基板１１上の突起部の幅より厚く、ＡＲ層１３ａの
延長上にＧａＡｌＡｓ層１４が形成されていることであ
る。ＧａＡｌＡｓ層１４は通常２〜３μｍであるため、
このような構造になるように制御するのは比較的容易で
ある。
【００２１】なお、本実施例では、ＧａＡｓ基板１１と
してｎ型のＧａＡｓ層を用いたが、ｐ型のＧａＡｓ層を
用いてもよい。この場合、このＧａＡｓ基板上に形成さ
れる各層は、導電形を逆にした構造となる。
してｎ型のＧａＡｓ層を用いたが、ｐ型のＧａＡｓ層を
用いてもよい。この場合、このＧａＡｓ基板上に形成さ
れる各層は、導電形を逆にした構造となる。
【００２２】
【発明の効果】本発明の光半導体装置であれば、導波路
に電流が注入され光が発生すると、この光は突起部の上
面の導波路を突き抜けて、第２のクラッド層を透過して
端面で反射する。端面で反射した光は、突起部上面の活
性層と第２のクラッド層で往復動作して、両側の第２の
クラッド層の端面をファブリペロー型の共振ミラーとす
るレーザ共振が起こる。注入電流をある程度大きくする
と、ついにはレーザ発振に至り、レーザ光が外部に出射
される。
に電流が注入され光が発生すると、この光は突起部の上
面の導波路を突き抜けて、第２のクラッド層を透過して
端面で反射する。端面で反射した光は、突起部上面の活
性層と第２のクラッド層で往復動作して、両側の第２の
クラッド層の端面をファブリペロー型の共振ミラーとす
るレーザ共振が起こる。注入電流をある程度大きくする
と、ついにはレーザ発振に至り、レーザ光が外部に出射
される。
【００２３】第２のクラッド層は、発光波長に対してバ
ンドギャップが広いため、ほとんど透明の窓となり、端
面での光の吸収が少なくなる。このため、外部に出射さ
れるレーザ光の発光効率が向上する。
ンドギャップが広いため、ほとんど透明の窓となり、端
面での光の吸収が少なくなる。このため、外部に出射さ
れるレーザ光の発光効率が向上する。
【００２４】また、第２のクラッド層の端面に保護膜が
設けられていれば、端面での光の反射率が減少するの
で、レーザ光の発光効率が一層向上する。
設けられていれば、端面での光の反射率が減少するの
で、レーザ光の発光効率が一層向上する。
【００２５】さらに、第２のクラッド層は半導体基板の
段差幅より厚い膜厚で形成されているが、この厚さの制
御は比較的容易に行える。これは、第２のクラッド層の
膜厚は、通常２〜３μｍとなり、この単位での膜厚の制
御は技術的に容易だからである。このように、本発明の
光半導体装置は、歩留りが高く量産化に適した構造を有
している。
段差幅より厚い膜厚で形成されているが、この厚さの制
御は比較的容易に行える。これは、第２のクラッド層の
膜厚は、通常２〜３μｍとなり、この単位での膜厚の制
御は技術的に容易だからである。このように、本発明の
光半導体装置は、歩留りが高く量産化に適した構造を有
している。
【図１】本発明の光半導体装置の構造を示す斜視図であ
る。
る。
【図２】本発明の光半導体装置の構造を示す断面図であ
る。
る。
【図３】ＧａＡｓ基板の構造を示す斜視図である。
【図４】本発明の光半導体装置の断面構造を示す断面図
である。
である。
【図５】従来の光半導体装置の構造を示す斜視図であ
る。
る。
【図６】従来の光半導体装置の構造を示す断面図であ
る。
る。
１０…光半導体装置、１１…ＧａＡｓ基板、１２…ｎ型
ＧａＡｌＡｓ層、１３…ＡＲ層、１４…ｐ型ＧａＡｌＡ
ｓ層、１５…ＧａＡｓ層、１６…ＳｉＯ2 膜、１７…ｐ
側電極、１８…ｎ側電極、１９…ｐ拡散領域、２０…ｐ
+ 拡散領域、２１、２２…端面保護膜。
ＧａＡｌＡｓ層、１３…ＡＲ層、１４…ｐ型ＧａＡｌＡ
ｓ層、１５…ＧａＡｓ層、１６…ＳｉＯ2 膜、１７…ｐ
側電極、１８…ｎ側電極、１９…ｐ拡散領域、２０…ｐ
+ 拡散領域、２１、２２…端面保護膜。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 松井 謙 静岡県浜松市市野町1126番地の１ 浜松ホ トニクス株式会社内 (72)発明者 宮島 博文 静岡県浜松市市野町1126番地の１ 浜松ホ トニクス株式会社内 (72)発明者 牧野 貴光 静岡県浜松市市野町1126番地の１ 浜松ホ トニクス株式会社内
Claims (2)
- 【請求項１】 長手方向の対向する２つの側面が逆メサ
型のエッチング形状である略直方体の突起部を上面に有
する半導体基板と、 前記半導体基板上に均等な厚さで形成された第１のクラ
ッド層と、 前記第１クラッド層の上に均等な厚さで形成された活性
層と、 前記活性層の上に前記突起部の高さより厚い膜厚で形成
された第２のクラッド層とを備え、 前記２つの側面に挟まれた前記突起部上の前記活性層に
より導波路が構成され、当該導波路の長手方向両側の前
記第２のクラッド層の端面により光共振器が構成されて
いることを特徴とする光半導体装置。 - 【請求項２】 前記長手方向両側の前記第２のクラッド
層の端面には保護膜が設けられていることを特徴とする
請求項１記載の光半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30099892A JPH06152057A (ja) | 1992-11-11 | 1992-11-11 | 光半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30099892A JPH06152057A (ja) | 1992-11-11 | 1992-11-11 | 光半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06152057A true JPH06152057A (ja) | 1994-05-31 |
Family
ID=17891601
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP30099892A Pending JPH06152057A (ja) | 1992-11-11 | 1992-11-11 | 光半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06152057A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008288500A (ja) * | 2007-05-21 | 2008-11-27 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体光デバイス、及びその製造方法 |
-
1992
- 1992-11-11 JP JP30099892A patent/JPH06152057A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008288500A (ja) * | 2007-05-21 | 2008-11-27 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体光デバイス、及びその製造方法 |
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