JPH01291482A - 半導体発光装置の製造方法 - Google Patents
半導体発光装置の製造方法Info
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- JPH01291482A JPH01291482A JP12235388A JP12235388A JPH01291482A JP H01291482 A JPH01291482 A JP H01291482A JP 12235388 A JP12235388 A JP 12235388A JP 12235388 A JP12235388 A JP 12235388A JP H01291482 A JPH01291482 A JP H01291482A
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 8
- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 claims abstract description 22
- 238000002955 isolation Methods 0.000 claims abstract description 18
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 10
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- 235000013290 Sagittaria latifolia Nutrition 0.000 abstract 4
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Landscapes
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、半導体発光装置の製造方法に関し、とくに
寄生容量低減のための溝または素子分離のための溝の断
面形状に関するものである。
寄生容量低減のための溝または素子分離のための溝の断
面形状に関するものである。
第４図は例えは電子通信学会技術研究報告書０ＱＩ８６
−１１０号に示された従来の半導体発光装置を示す断面
図で、図において、（１）はｎ型工ｎＰクラッド層、（
２）は工ｎＧａＡａＰ活性層、（３）はｐ型工ｎＰクラ
ッド層、（４）は電流狭さく層をなすｐ型工ｎＰ 、
（５）は電流狭さく層をなすｎ型１ｎＰ、（６）は寄生
容量低減のために入れられた溝である。
−１１０号に示された従来の半導体発光装置を示す断面
図で、図において、（１）はｎ型工ｎＰクラッド層、（
２）は工ｎＧａＡａＰ活性層、（３）はｐ型工ｎＰクラ
ッド層、（４）は電流狭さく層をなすｐ型工ｎＰ 、
（５）は電流狭さく層をなすｎ型１ｎＰ、（６）は寄生
容量低減のために入れられた溝である。
また、第５図はウェハー上に作製された複数個の半導体
発光装置を分離するために設けられた素子分離のための
溝を示す断面図である。
発光装置を分離するために設けられた素子分離のための
溝を示す断面図である。
図において、（７）は素子分離のための溝、αＧはウェ
ハー上に作製された半導体発光素子、αＤはウェハーを
切断する位置を示す。
ハー上に作製された半導体発光素子、αＤはウェハーを
切断する位置を示す。
次に動作につりで説明する。半導体発光装置の高速応答
性は主にＯＲ時定数によって決まり、高速応答性の良−
半導体発光装置を作製するには寄生容量を低減する必要
がある。埋め込み型半導体発光装置の寄生容量を決める
大きな要因は活性層両側に設けられた電流狭さく層のｐ
ｎ逆バイアス接合容量である。第４図に示す寄生容量低
減のための溝（６）はｐｍ逆バイアス接合面積を減らす
ことにより容量を減らす役割を果たしている。従って寄
生容量低減のための溝（６）の断面形状は逆メサ形状が
良く、逆バイアス接合部で溝（６）の幅の狭くなる順メ
サ形状では逆バイアス接合面積を十分小さくすることが
できない。
性は主にＯＲ時定数によって決まり、高速応答性の良−
半導体発光装置を作製するには寄生容量を低減する必要
がある。埋め込み型半導体発光装置の寄生容量を決める
大きな要因は活性層両側に設けられた電流狭さく層のｐ
ｎ逆バイアス接合容量である。第４図に示す寄生容量低
減のための溝（６）はｐｍ逆バイアス接合面積を減らす
ことにより容量を減らす役割を果たしている。従って寄
生容量低減のための溝（６）の断面形状は逆メサ形状が
良く、逆バイアス接合部で溝（６）の幅の狭くなる順メ
サ形状では逆バイアス接合面積を十分小さくすることが
できない。
また、第５図に示す素子分離のための溝（７）はこの溝
（７）に沿ってウェハーを切断するために設けられたも
ので、溝（７）の断面形状を溝膜底部に応力が集中する
順メサ形状にすることにより、容易に溝（７）に沿って
切断が出来るようにしたものである。
（７）に沿ってウェハーを切断するために設けられたも
ので、溝（７）の断面形状を溝膜底部に応力が集中する
順メサ形状にすることにより、容易に溝（７）に沿って
切断が出来るようにしたものである。
したがって、溝（７）の断面形状が応力の集中しない逆
メサ形状ではその役割を果さない。
メサ形状ではその役割を果さない。
従来の半導体発光装置に設けられた寄生容量低減のため
の溝は断面が逆メサ形状であるため、順メサ形状の断面
を必要とする素子分離のための溝と同一行程での作製は
出来ないという問題があった０ この発明は上記のような問題を解消するためになされた
もので、寄生容量低減のための溝と素子分離のための溝
を同時に１つのマスクで作製できる半導体発光装置の製
造方法を提供することを目的とする。
の溝は断面が逆メサ形状であるため、順メサ形状の断面
を必要とする素子分離のための溝と同一行程での作製は
出来ないという問題があった０ この発明は上記のような問題を解消するためになされた
もので、寄生容量低減のための溝と素子分離のための溝
を同時に１つのマスクで作製できる半導体発光装置の製
造方法を提供することを目的とする。
この発明に係る半導体発光装置の製造方法は寄生容量低
減のための溝または素子分離のための溝の断面形状をや
じり型にしたものである。
減のための溝または素子分離のための溝の断面形状をや
じり型にしたものである。
この発明における半導体発光装置の製造方法は寄生容量
低減のための溝または素子分離のための、溝の断面形状
をやじシ型にしたので、同一行程で両者の溝を作製する
ことが可能となる。
低減のための溝または素子分離のための、溝の断面形状
をやじシ型にしたので、同一行程で両者の溝を作製する
ことが可能となる。
以下、この発明の一実施例を図について説明する。第１
図はこの発明の一実施例によシ作製された半導体発光装
置を示す断面図、第２図（−）〜（、）は第１図に示さ
れたやじシ型の断面形状を持つ寄生容量低減のための溝
の作製方法を示す各工程断面図である。
図はこの発明の一実施例によシ作製された半導体発光装
置を示す断面図、第２図（−）〜（、）は第１図に示さ
れたやじシ型の断面形状を持つ寄生容量低減のための溝
の作製方法を示す各工程断面図である。
まず、第２図（＆）に示すように活性層（２）両側が逆
バイアス接合を形成し電流狭さく層となるｐ型工ｎＰ
（４） 、 ｎ型工ｎＰ （５）によって埋め込まれた
半導体レーザを作製する。
バイアス接合を形成し電流狭さく層となるｐ型工ｎＰ
（４） 、 ｎ型工ｎＰ （５）によって埋め込まれた
半導体レーザを作製する。
次に、第２図（ｂ）に示すようにＢｒ、−メタノール系
エツチング液を用いて、断面形状が逆メサ形状の寄生容
量低減のための溝（６）を作製して逆バイアス接合面積
を減少させる。
エツチング液を用いて、断面形状が逆メサ形状の寄生容
量低減のための溝（６）を作製して逆バイアス接合面積
を減少させる。
次に、塩酸系エツチング液を用いて溝（６）の底部の断
面形状を第２図（０）に示すように順メサ形状にしやじ
り型の断面形状を持つ溝（６）を作製する０また、素子
分離のための溝（７）も寄生容量低減のための溝（６）
とまったく同じ方法で、第３図に示すように断面形状が
やじり型となるように作製する０そして、素子分離のた
めの溝に沿って切断することによシ、第１図に示した半
導体発光装置を得ることができる。
面形状を第２図（０）に示すように順メサ形状にしやじ
り型の断面形状を持つ溝（６）を作製する０また、素子
分離のための溝（７）も寄生容量低減のための溝（６）
とまったく同じ方法で、第３図に示すように断面形状が
やじり型となるように作製する０そして、素子分離のた
めの溝に沿って切断することによシ、第１図に示した半
導体発光装置を得ることができる。
このように両者の溝（６） （７）の断面形状をやじシ
型とすることによシ、両者の溝（６） （７）を同一工
程で作製することが出来る。
型とすることによシ、両者の溝（６） （７）を同一工
程で作製することが出来る。
次に動作について説明する。寄生容量低減のための溝（
６）においては溝（６）の中上部（８）を用いて逆バイ
アス接合面積を減少して逆バイアス接合容量を減少して
おシ、素子分離のための溝（７）においては溝（７）の
底部（９）に応力を集中させることにより溝（７）に沿
って容易に切断が出来るようにしている０したがって、
第１図ないし第３図に示したように両者の溝（６） （
７）の断面形状を溝中上部（８）が逆メサ形状で、溝底
部（９）が順メサ形状であるやじシ型にすることにより
、寄生容量低減のためには溝中上部（８）の逆メサ形状
を用い、また素子分離のためには溝底部（９）の順メサ
形状を用いることによって、寄生容量低減または素子分
離の２つの役割を同一形状の溝で果すことができる。
６）においては溝（６）の中上部（８）を用いて逆バイ
アス接合面積を減少して逆バイアス接合容量を減少して
おシ、素子分離のための溝（７）においては溝（７）の
底部（９）に応力を集中させることにより溝（７）に沿
って容易に切断が出来るようにしている０したがって、
第１図ないし第３図に示したように両者の溝（６） （
７）の断面形状を溝中上部（８）が逆メサ形状で、溝底
部（９）が順メサ形状であるやじシ型にすることにより
、寄生容量低減のためには溝中上部（８）の逆メサ形状
を用い、また素子分離のためには溝底部（９）の順メサ
形状を用いることによって、寄生容量低減または素子分
離の２つの役割を同一形状の溝で果すことができる。
このように寄生容量低減のための溝（６）と素子分離の
ための溝（７）の断面形状を同一形状にしたことによシ
、同時に両者の溝を作製することが出来、歩留シの向上
および生産性の向上が図れる。
ための溝（７）の断面形状を同一形状にしたことによシ
、同時に両者の溝を作製することが出来、歩留シの向上
および生産性の向上が図れる。
以上のようにこの発明によれば、寄生容量低減のための
溝または素子分離のための溝の断面形状をやじシ型にし
たので、同一工程で両者の溝を作製出来、歩留シの向上
および生産性の向上が図かれるという効果がある。
溝または素子分離のための溝の断面形状をやじシ型にし
たので、同一工程で両者の溝を作製出来、歩留シの向上
および生産性の向上が図かれるという効果がある。
第１図はこの発明の一実施例により作製された半導体発
光装置の断面図、第２“図（、）〜（、）は第１図のや
じシ型の断面形状をした寄生容量低減のための溝を持つ
半導体発光装置の製造方法の各工程断面図、第３図はこ
の発明の一実施例である素子分離のための溝の形状を示
す断面図、第４図は従来の半導体発光装置を示す断面図
、第５図は従来の素子分離のための溝の形状を示す断面
図である０ 図において、Ｃ６）は寄生容量低減のための溝、（７）
は素子分離のための溝である０ なお、図中、同一符号は同一、又は相当部分を示す。
光装置の断面図、第２“図（、）〜（、）は第１図のや
じシ型の断面形状をした寄生容量低減のための溝を持つ
半導体発光装置の製造方法の各工程断面図、第３図はこ
の発明の一実施例である素子分離のための溝の形状を示
す断面図、第４図は従来の半導体発光装置を示す断面図
、第５図は従来の素子分離のための溝の形状を示す断面
図である０ 図において、Ｃ６）は寄生容量低減のための溝、（７）
は素子分離のための溝である０ なお、図中、同一符号は同一、又は相当部分を示す。
Claims (1)
- 寄生容量低減のための溝または素子分離のための溝の
断面形状をやじり型にしたことを特徴とする半導体発光
装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12235388A JPH01291482A (ja) | 1988-05-18 | 1988-05-18 | 半導体発光装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12235388A JPH01291482A (ja) | 1988-05-18 | 1988-05-18 | 半導体発光装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01291482A true JPH01291482A (ja) | 1989-11-24 |
Family
ID=14833818
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12235388A Pending JPH01291482A (ja) | 1988-05-18 | 1988-05-18 | 半導体発光装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01291482A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1246329A2 (en) * | 2001-03-29 | 2002-10-02 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Optical semiconductor device and fabricating method thereof |
| JP2008288500A (ja) * | 2007-05-21 | 2008-11-27 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体光デバイス、及びその製造方法 |
-
1988
- 1988-05-18 JP JP12235388A patent/JPH01291482A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1246329A2 (en) * | 2001-03-29 | 2002-10-02 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Optical semiconductor device and fabricating method thereof |
| JP2008288500A (ja) * | 2007-05-21 | 2008-11-27 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体光デバイス、及びその製造方法 |
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