JPS6170778A - 半導体レ−ザ - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明は高速応答可能で、かつ長寿命の半導体レーザに
関する。

（従来技術及び発明が解決しようとする問題点）従来の
埋め込み型半導体レーザの代表例を第８図（以下夏型と
称す）及び第９図（以、下夏型と称す）に示す。図にお
いて、１はｎ−工ｎｐよシなる基板、２はｎ−工ｎＰよ
シなるバッファ層、３は工ｎＧａＡｓＰよシなる活性導
波路、４はｐ−工ｎＰよシなるクラッド層、６はｐ　−
１ｎＰよシなシ、７はｎ　−工ｎＰよ勺なシ、８はｎ−
工ｎＧａＡｓＰよシなるプロッ中ング層、９はＡｕ／Ｂ
ｎよシなる下部電極、１０はＯｒ／Ａｕよシなる上部電
極、１１は８１０．よシなる絶縁膜を示す。第８図の夏
型と第９図に示す夏型との相違点は夏型は夏型における
Ｂｉｏ、１１が欠除されている点である。しかして夏型
は絶縁膜１１で電流狭卒を行っているので、高速応答が
可能であるが（第１０図参照）、埋め込まれた活性導波
路３に対し、絶縁膜１１が後述するように歪を誘起して
、長期的には絶縁膜を有していな１．ｎｌ型に比較して
劣化率が大きい（第１１図参照）。しかるく絶縁膜を有
しておらず、工ｎＰ接合逆バイアスによ少電流狭窄を施
している夏型においては絶縁膜／半導体界面に起因する
歪が存在しないため、劣化率は１型に比べて小さいが、
夏型素子では寄生容量等に関連して夏型素子に比べて高
速応答性は劣り（第１０図参照）、〜４００Ｍｂ７８程
度では周辺回路の工夫で使用可能であるが、〜Ｉ　Ｇｂ
／　８以上での使用は不可能である。

（問題点を解決するための手段） 本発明は上記の欠点を改善するために提案されたもので
、高速応答可能で、かつ長寿命の半導体レーザを提供す
ることを目的とする。しかして本発明の特徴とする点は
電流狭阜用の絶縁膜を活性導波路の直上部のみならず、
他の箇所に対しても部分的に除去した点にある。

次に本発明の詳細な説明する。なお実施例は一つの例示
であって、本発明の精神を逸脱しない範囲で、種々の変
更あるいは改良を行いうろことは云うまでもない。

第１図は本発明の半導体レーザの斜視図を示す。

図において符号１〜１１は第８図の場合と同一のものを
示すものであり、その説明は省略する。１２は絶縁膜１
１の除去部を示す。しかしてこの絶縁膜除去部１２の形
状を第２図に示す。第２図は第１図において上部電極１
０を便宜玉取シ去って示した平面図である。図において
１２ａは活性導液部直上部の絶縁膜のない電流狭゛り部
−１２１）〜１２ｎは夫々絶縁膜除去部を示す。しかし
てこの絶縁膜除去部は活性導波路に沿って平行に、かつ
互に等しい間隔を介して線状に配置されているものであ
る。

次に本発明による半導体レーザにおいては、従来の夏型
素子に比べて絶縁膜の活性導波路及び活性導波層と埋め
込み層界面に及ぼす総合的々歪が少い理由について次に
説明する。

°第３図において（イ）図は夏型素子、（ロ）図は本発
明素子を示すもので、（イ）図においては絶縁膜１１は
中央を除いて連続しておシ、（ロ）図においては絶縁膜
１１は除去部の為に分割されている。しかしてレーザの
動作中に発生する熱によって絶縁膜は膨張を行うもので
あるが、膨張の程度は、絶縁膜が連続している（イ）図
の方が（ロ）図に比べて大きいものである。従って絶縁
膜が活性導液部直上部のみならず、他の部分においても
部分的に除去されている本発明の方が夏型素子に比べて
、活性導波路及び活性導波路と埋め込み層界面に及ばず
歪が小となるものである。

次に絶縁膜除去部の面積の関係について述べる。

第４図は面積についての説明図で、（イ）図は夏型素子
を示すもので、活性導波路直上部の絶縁膜除去部の面積
をＳ１輩とする。（ロ）図は本発明素子の絶縁膜除去部
の面積を図示のように８１〜Ｓ、で示すと。

Ｓ１Ｍ≧　ｓ１＋　ｓ、＋　・　＋　ｓ。

の関係を保つようにする。これは寄生容量の増加を防ぐ
ためである。

第５図は本発明の他の実施例の斜視図、第６図は上部電
極を取シ去って示した平面図を示すもので、この実施例
においては絶縁膜除去部１２は活性導波路に直交して、
かつ互に等間隔に隔離して線状に平行して形成されてい
る。

第７図は絶縁膜除去部の他の実施例を示すもので、この
実施例では活性導波路に平行外部分（１２ｂ・・・１２
ｎ）と、これと直交する部分（１２ｂ・・・１２ｎ　）
とを組合せた場合を示す。

なお本発明の半導体レーザはその製造に際して、従来の
夏型素子に比べて特別な技術的プロセスを必要とせず、
かつ工程数の増加も少く、製造は容易である。

（発明の効果） 叙上のように本発明によれば絶縁膜に、活性部　　−波
路の直上部のみならず、他の箇所についても部分的に除
去部を形成することによシ、埋め込み活性部に与える歪
は少く、劣化率の小さい高速応答性の良い半導体レーザ
をうろことができる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の半導体レーザの一実施例の斜視図、第
２図は本発明のレーザにおいて、上部電極を取シ去って
示した絶縁膜の平面図、第３図及び第４図は構造の説明
図、第５図乃至第７図岐本発明の他の実施例、第８図及
び第９図は従来例、第１０図及び第１１図は作用の説明
図を示す。

Claims (4)

【特許請求の範囲】
1. （１）活性導波路が埋め込まれており、かつ基板と反対
   側上部の電流狭窄部が絶縁膜で形成されている半導体レ
   ーザにおいて、前記の活性導波路の直上部及び所望の形
   状の絶縁膜除去部を具備することを特徴とする半導体レ
   ーザ。
2. （２）絶縁膜除去部は活性導波路に沿つて平行に、かつ
   互に隔離して線状に複数本形成されている特許請求の範
   囲第１項記載の半導体レーザ。
3. （３）絶縁膜除去部は活性導波路に直交してかつ互に隔
   離して線状に複数本形成されている特許請求の範囲第１
   項記載の半導体レーザ。
4. （４）絶縁膜除去部は活性導波路に沿つて平行に形成さ
   れている線状部と活性導波路に直交して形成されている
   線状部とを具備している特許請求の範囲第１項記載の半
   導体レーザ。