JPS6312182A - 半導体発光装置 - Google Patents
半導体発光装置Info
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- JPS6312182A JPS6312182A JP61156546A JP15654686A JPS6312182A JP S6312182 A JPS6312182 A JP S6312182A JP 61156546 A JP61156546 A JP 61156546A JP 15654686 A JP15654686 A JP 15654686A JP S6312182 A JPS6312182 A JP S6312182A
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- electrode
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- 230000020169 heat generation Effects 0.000 abstract description 11
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Landscapes
- Led Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、長寿命化を図った半導体発光装置に関する
ものである。
ものである。
第２図は、例えば面発光型ＬＥＤの構造を示す断面図で
ある。この図において、１はｎ型ＩｎＰ基板、２はｎ型
ＩｎＰ クラッド層、３はｐ型１ｎＧａＡｓＰ活性層（
以下単に活性層という、その他の符号についても同様と
する）、４はｐ型ＩｎＰクラッド層、５はｐ型ＩｎＧａ
ＡｓＰ コンタクト層、６は絶縁膜、７はｐ側電極、
８はヒートシンク、９はｎ側電極である。
ある。この図において、１はｎ型ＩｎＰ基板、２はｎ型
ＩｎＰ クラッド層、３はｐ型１ｎＧａＡｓＰ活性層（
以下単に活性層という、その他の符号についても同様と
する）、４はｐ型ＩｎＰクラッド層、５はｐ型ＩｎＧａ
ＡｓＰ コンタクト層、６は絶縁膜、７はｐ側電極、
８はヒートシンク、９はｎ側電極である。
次に動作について説明する。
ｐ側電極７より活性層３に流れ込む電流は、絶縁膜６に
設けられた窓部分の電極とコンタクト層５の接触部分の
み流れるため、活性層３における発光領域の径は絶縁膜
６の窓部に対応する。光出力を効率よく外部に取り出す
ためには窓部を小さくし、活性層３に流れ込む電流を集
中させて発光径を小さくする必要がある。しかしながら
、電極とコンタクト層５の接触面に接触抵抗が存在する
ため、窓部を小さくするにつれて接触面での局所的発熱
量も大きくなり、電極の結晶内への拡散を助長すること
になる。
設けられた窓部分の電極とコンタクト層５の接触部分の
み流れるため、活性層３における発光領域の径は絶縁膜
６の窓部に対応する。光出力を効率よく外部に取り出す
ためには窓部を小さくし、活性層３に流れ込む電流を集
中させて発光径を小さくする必要がある。しかしながら
、電極とコンタクト層５の接触面に接触抵抗が存在する
ため、窓部を小さくするにつれて接触面での局所的発熱
量も大きくなり、電極の結晶内への拡散を助長すること
になる。
また絶縁膜６は熱伝導率が低いため、小さい窓部は発光
領域において発生した熱のヒートシンク８への流出を妨
げるので、素子の熱抵抗を増加させ、素子の劣化を助長
する原因となっている。
領域において発生した熱のヒートシンク８への流出を妨
げるので、素子の熱抵抗を増加させ、素子の劣化を助長
する原因となっている。
以上のように従来の半導体発光装置にあっては、素子の
出力特性を高めるためには窓部を小さくせねばならず、
一方では、素子の長寿命化を図るためには窓部を広げね
ばならないという相反する問題点があった。
出力特性を高めるためには窓部を小さくせねばならず、
一方では、素子の長寿命化を図るためには窓部を広げね
ばならないという相反する問題点があった。
この発明は、上記の問題点を解消するためになされたも
ので、活性層に流入する電流を広げることなく、電極と
コンタクト層の接触面積を拡大することによって接触面
での局所的発熱を低下させ、かつ発光領域からの熱のヒ
ートシンクへの流出を容易にして熱抵抗を減少させた半
導体発光装置を得ることを目的とするものである。
ので、活性層に流入する電流を広げることなく、電極と
コンタクト層の接触面積を拡大することによって接触面
での局所的発熱を低下させ、かつ発光領域からの熱のヒ
ートシンクへの流出を容易にして熱抵抗を減少させた半
導体発光装置を得ることを目的とするものである。
この発明に係る半導体発光装置は、電極とコンタク）・
層との少なくとも接触部分のコンタク１一層表面を立体
パターン化することによって、電極とコンククト層との
接触面積を拡大したものである。
層との少なくとも接触部分のコンタク１一層表面を立体
パターン化することによって、電極とコンククト層との
接触面積を拡大したものである。
この発明においては、コンククト層を立体パターン化し
たことから、電極とコンタクト層との接触面積が拡大さ
れ、接触面における局所的な発熱が減少するとともに、
発光領域からの熱流を効果的にと−トシンクヘ流出させ
ることができる。
たことから、電極とコンタクト層との接触面積が拡大さ
れ、接触面における局所的な発熱が減少するとともに、
発光領域からの熱流を効果的にと−トシンクヘ流出させ
ることができる。
第１図はこの発明の一実施例を示す面発光型ＬＥＤの断
面図である。この図において、５１は立体パターン化さ
れたｐ型ＩｎＧａＡｓＰ コンタクト層であり、その
他は第２図と同じものである。
面図である。この図において、５１は立体パターン化さ
れたｐ型ＩｎＧａＡｓＰ コンタクト層であり、その
他は第２図と同じものである。
次に動作について説明する。
活性層３に流れ込む電流は、絶縁膜６の窓部分のみ流れ
る。活性層３における発光径は窓部に対応しており、効
率よく光出力を取り出すにはこの窓部を小さくする必要
があるが、従来はｐ側電極７とコンタクトＭ５の接触面
における発熱と発光領域からと−トシンク８に対する熱
抵抗が増加する。
る。活性層３における発光径は窓部に対応しており、効
率よく光出力を取り出すにはこの窓部を小さくする必要
があるが、従来はｐ側電極７とコンタクトＭ５の接触面
における発熱と発光領域からと−トシンク８に対する熱
抵抗が増加する。
しかし、この発明による半導体発光装置は、コンタクト
ＪＷ５１の立体パターン化により窓部を広げることなく
・ｐ側電極７とコンタクト層５１との接触面積を拡大し
ているため、活性層３への電流集中を妨げることなく接
触面での電流密度を減少させて局所的な発熱量を低下さ
せ、発熱による電極金属の結晶内への沈み込みなどを防
ぐことができるとともに、発光領域からヒートシンク８
への熱流を増大させ、素子の熱抵抗を減少させることが
できるため、熱による素子の劣化を防ぐことができる。
ＪＷ５１の立体パターン化により窓部を広げることなく
・ｐ側電極７とコンタクト層５１との接触面積を拡大し
ているため、活性層３への電流集中を妨げることなく接
触面での電流密度を減少させて局所的な発熱量を低下さ
せ、発熱による電極金属の結晶内への沈み込みなどを防
ぐことができるとともに、発光領域からヒートシンク８
への熱流を増大させ、素子の熱抵抗を減少させることが
できるため、熱による素子の劣化を防ぐことができる。
なお、上記実施例では、コンタクト層５１の立体パター
ンを矩形にしたが、可能な限り表面積が大きくなるよう
な形状が望ましいことはいうまでもない。
ンを矩形にしたが、可能な限り表面積が大きくなるよう
な形状が望ましいことはいうまでもない。
また上記実施例では、コンタクト層５１全面に立体パタ
ーンを形成したが、電極７とコンタクト層の接触部分の
み立体パターンを形成しても同様の効果が得られる。
ーンを形成したが、電極７とコンタクト層の接触部分の
み立体パターンを形成しても同様の効果が得られる。
乙の発明は以上説明したとおり、電極とコンタク１一層
との少なくとも接触部分のコンタクト層表面を立体パタ
ーン化して接触部分の接触面積を拡大したので、半導体
発光装置の光出力特性を劣化させることなく、発熱によ
る素子の劣化を防ぎ長寿命化を達成することが可能にな
る利点が得られる。
との少なくとも接触部分のコンタクト層表面を立体パタ
ーン化して接触部分の接触面積を拡大したので、半導体
発光装置の光出力特性を劣化させることなく、発熱によ
る素子の劣化を防ぎ長寿命化を達成することが可能にな
る利点が得られる。
第１図はこの発明の一実施例による面発光型ＬＥＤの断
面図、第２図は従来の面発光型ＬＥＤの断面図である。 図において、１はｎ型ＩｎＰ基板、２はｎ型ＩｎＰクラ
ッド層、３はｐ型ＩｎＧａＡｓＰ活性層、４はｐ型Ｉｎ
Ｐクラッド層、６は絶縁膜、７はｐ側電極、８はヒート
シンク、９はｎ側電極、５１は立体パターン化したｐ型
ＩｎＧａＡｓＰ コンタクト層である。 なお、各図中の同一符号は同一または相当部分を示す。 代理人 大 岩 増 雄 （外２名）第１１ゴ 第２図 手続補正書（自発） １４事件の表示 特願昭６１−１５６５４６号２、
発明の名称 半導体発光装置 ３、補正をする者 代表者志岐守哉 ５、補正の対象 明細書の発明の詳細な説明の欄 ６、補正の内容 明細書第４頁１３〜１６行の「従来は・する。」を、下
記のように補正する。 「従来の構造では、ｐ側電極７とコンタクト層５との接
触面における電流密度が高いものとなり、接触面におけ
る発熱が大きなものとなっていた。 また、発光領域からの熱のと−トシンク８への流れも接
触面積が小さいため悪くなり、素子の熱抵抗が高いもの
となっていた。」 以 上
面図、第２図は従来の面発光型ＬＥＤの断面図である。 図において、１はｎ型ＩｎＰ基板、２はｎ型ＩｎＰクラ
ッド層、３はｐ型ＩｎＧａＡｓＰ活性層、４はｐ型Ｉｎ
Ｐクラッド層、６は絶縁膜、７はｐ側電極、８はヒート
シンク、９はｎ側電極、５１は立体パターン化したｐ型
ＩｎＧａＡｓＰ コンタクト層である。 なお、各図中の同一符号は同一または相当部分を示す。 代理人 大 岩 増 雄 （外２名）第１１ゴ 第２図 手続補正書（自発） １４事件の表示 特願昭６１−１５６５４６号２、
発明の名称 半導体発光装置 ３、補正をする者 代表者志岐守哉 ５、補正の対象 明細書の発明の詳細な説明の欄 ６、補正の内容 明細書第４頁１３〜１６行の「従来は・する。」を、下
記のように補正する。 「従来の構造では、ｐ側電極７とコンタクト層５との接
触面における電流密度が高いものとなり、接触面におけ
る発熱が大きなものとなっていた。 また、発光領域からの熱のと−トシンク８への流れも接
触面積が小さいため悪くなり、素子の熱抵抗が高いもの
となっていた。」 以 上
Claims (1)
- 絶縁膜に形成した窓部において電極とコンタクト層とが
接触し活性層に前記電極から電流を供給する半導体発光
装置において、前記電極とコンタクト層の少なくとも接
触部分の前記コンタクト層表面を立体パターン化して前
記接触部分の接触面積を拡大したことを特徴とする半導
体発光装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61156546A JPS6312182A (ja) | 1986-07-02 | 1986-07-02 | 半導体発光装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61156546A JPS6312182A (ja) | 1986-07-02 | 1986-07-02 | 半導体発光装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6312182A true JPS6312182A (ja) | 1988-01-19 |
Family
ID=15630159
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61156546A Pending JPS6312182A (ja) | 1986-07-02 | 1986-07-02 | 半導体発光装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6312182A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20030026090A (ko) * | 2001-09-24 | 2003-03-31 | 주식회사 옵토웨이퍼테크 | 반도체 발광 칩 및 그의 제조방법과 반도체 발광소자 및그의 제조방법 |
| JP2011029667A (ja) * | 1996-03-22 | 2011-02-10 | Philips Lumileds Lightng Co Llc | 発光素子 |
-
1986
- 1986-07-02 JP JP61156546A patent/JPS6312182A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011029667A (ja) * | 1996-03-22 | 2011-02-10 | Philips Lumileds Lightng Co Llc | 発光素子 |
| KR20030026090A (ko) * | 2001-09-24 | 2003-03-31 | 주식회사 옵토웨이퍼테크 | 반도체 발광 칩 및 그의 제조방법과 반도체 발광소자 및그의 제조방법 |
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