JPS58170058A - 光集積化半導体装置 - Google Patents
光集積化半導体装置Info
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- JPS58170058A JPS58170058A JP57053307A JP5330782A JPS58170058A JP S58170058 A JPS58170058 A JP S58170058A JP 57053307 A JP57053307 A JP 57053307A JP 5330782 A JP5330782 A JP 5330782A JP S58170058 A JPS58170058 A JP S58170058A
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 17
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 3
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims 2
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/15—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission
- H01L27/153—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission in a repetitive configuration, e.g. LED bars
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
発明の技術分野
本発明は、アレイ化された各素子間にクロス・トークが
発生することを低減した光集積化半導体装置に関する。
発生することを低減した光集積化半導体装置に関する。
従来技術と問題点
従来、発光素子或いは受光素子をアレイとしてモノ・リ
シックに構成した光集積化半導体装置として＄１図及び
第２図（；見られる構造のものが知られている。
シックに構成した光集積化半導体装置として＄１図及び
第２図（；見られる構造のものが知られている。
第１図は発光素子が半導体レーザである装置な表わす要
部断面図である。
部断面図である。
図（−於いて、１はＣ型ＧｔＡｅ基板、２は電型Ｇα１
−２Ａｌｚｊｂ（０≦Ｚ≦１）クラッド層、５はＧａＡ
ｓ或いはＧａ４−、Ａｔ、ＡＩ （０≦ｙ≦１ 、 Ｚ
＞１ 、 Ｚ＞ｙ ） 活性場、４はＰ型Ｇｇ１−３ｇ
ＡｌｚＡｚ （０≦Ｘ≦１）クラッド層、５はＳ型Ｇα
Ａｓコンタクト看、６はストライプ状Ｐ型領域、７は二
酸化シリコン絶縁膜、８はＰ側電極、９は路側電橋、１
０は素子間分離用切り溝、ＤＩ。
−２Ａｌｚｊｂ（０≦Ｚ≦１）クラッド層、５はＧａＡ
ｓ或いはＧａ４−、Ａｔ、ＡＩ （０≦ｙ≦１ 、 Ｚ
＞１ 、 Ｚ＞ｙ ） 活性場、４はＰ型Ｇｇ１−３ｇ
ＡｌｚＡｚ （０≦Ｘ≦１）クラッド層、５はＳ型Ｇα
Ａｓコンタクト看、６はストライプ状Ｐ型領域、７は二
酸化シリコン絶縁膜、８はＰ側電極、９は路側電橋、１
０は素子間分離用切り溝、ＤＩ。
ＤＩ、 Ｄ、 、 Ｄ、は素子をそれぞれ示す。
第２図は受光素子がフオ）−ダイオードである装置を表
わす要部断面図である。
わす要部断面図である。
図Ｃ；於いて、１１はＣ型砲ＡＪ基板、１２は１型Ｇａ
Ａｚ ＠、１′５はｓ（或いはｉ）型Ｇａ １−、Ａｌ
、Ａｔ （０≦２≦１）ウィンドウ層、１４は円柱状Ｐ
型領域、１５はリング状Ｐ側４橋、１６は外側電極、Ｄ
１′、Ｄ≦Ｄ’、、Ｄ’、は素子をそれぞれ示す。
Ａｚ ＠、１′５はｓ（或いはｉ）型Ｇａ １−、Ａｌ
、Ａｔ （０≦２≦１）ウィンドウ層、１４は円柱状Ｐ
型領域、１５はリング状Ｐ側４橋、１６は外側電極、Ｄ
１′、Ｄ≦Ｄ’、、Ｄ’、は素子をそれぞれ示す。
尚、第１図及び第２図に於いて、導電型を逆（二しても
構造的（二は変りない。
構造的（二は変りない。
さて、前記各従来例に於いては、外側電機が共通になっ
ている。従って、例えば第１図の装置な等価回路的に表
わすと第３図に見られる通りである。即ち、第１図４：
於いて、基板１が各素子Ｄ１゜Ｄ、 、 Ｄ、、 Ｄ、
に共通である為、基板抵抗Ｒも１共通接続されること１
；なる。そして、抵抗Ｒには素子り。
ている。従って、例えば第１図の装置な等価回路的に表
わすと第３図に見られる通りである。即ち、第１図４：
於いて、基板１が各素子Ｄ１゜Ｄ、 、 Ｄ、、 Ｄ、
に共通である為、基板抵抗Ｒも１共通接続されること１
；なる。そして、抵抗Ｒには素子り。
、 Ｄ、 、 Ｄ、 、 Ｄａの゛磁流Ｇ＊’！ｓ番５
．ｔ、が流れる。今、素子り、 、 Ｄｌを採って説明
すると、抵抗Ｒ，二は電流１１−８が流れているものと
し、このうち゛電流ｉｔが変化したとすると、抵抗Ｒに
流れる全電流値が変化することＣ二なり、そこでの電圧
降下分が変化する。
．ｔ、が流れる。今、素子り、 、 Ｄｌを採って説明
すると、抵抗Ｒ，二は電流１１−８が流れているものと
し、このうち゛電流ｉｔが変化したとすると、抵抗Ｒに
流れる全電流値が変化することＣ二なり、そこでの電圧
降下分が変化する。
従って、素子ＤＩのバイアスが変化し、電流ｔ１（＝も
１流客、の変化分が重畳されたかたちＣ：なり、クロス
・トークが発生するもめである。
１流客、の変化分が重畳されたかたちＣ：なり、クロス
・トークが発生するもめである。
発明の目的
本発明は、光集積化半導体装置（＝於いて、！レイ化さ
れた各素子の間にクロス・トークが発生しないような構
造を提供するものである。
れた各素子の間にクロス・トークが発生しないような構
造を提供するものである。
発明の実施例
第４図は本発明一実施例の要部断面図、第５図はその要
部斜視図、第６図は等価的回路図それぞれ示し、第１図
及び第３図に関して説明した部分と同部分は同記号で指
示しである。
部斜視図、第６図は等価的回路図それぞれ示し、第１図
及び第３図に関して説明した部分と同部分は同記号で指
示しである。
本実施例が前記従来例と相違する点は、基板として半絶
縁性ＧａＡｚを用いていること（従って記号“ １′で
指示しである）、基板１′Ｃ：接して１型ＧａＡｚコン
タクト層２１を形成しであること、素子間分離用切り溝
が基板１′（；達していること（従って記号１０′で指
示しである）である。
縁性ＧａＡｚを用いていること（従って記号“ １′で
指示しである）、基板１′Ｃ：接して１型ＧａＡｚコン
タクト層２１を形成しであること、素子間分離用切り溝
が基板１′（；達していること（従って記号１０′で指
示しである）である。
第５図から明らかな通り、コンタクト層２１は切り溝１
０′に依って分割され、素子ＤＩ、Ｄ、−９Ｄ、 、
Ｄａそれぞれ（：独自の引き出し部２１Ａが形成された
構成（−なっている。尚、第５図では第４図に見られる
絶縁膜７及び電極８を除去して表わしである。
０′に依って分割され、素子ＤＩ、Ｄ、−９Ｄ、 、
Ｄａそれぞれ（：独自の引き出し部２１Ａが形成された
構成（−なっている。尚、第５図では第４図に見られる
絶縁膜７及び電極８を除去して表わしである。
前記独自の引き出し部２１Ａが存在すること（；依って
各素子Ｄ Ｉ 、Ｄ！−Ｄｌ ｅ Ｄａは共通部分が基
板１′のみとなるので、等価回路的ｉ；は第６図に見ら
れる如く独立したものとなり、その効果、第５図１＝関
して説明したようなりロス・トークは皆無（：なる。
各素子Ｄ Ｉ 、Ｄ！−Ｄｌ ｅ Ｄａは共通部分が基
板１′のみとなるので、等価回路的ｉ；は第６図に見ら
れる如く独立したものとなり、その効果、第５図１＝関
して説明したようなりロス・トークは皆無（：なる。
ところで、引き出し部２１Ａの形成には切り溝１０′と
の関連で種々の工程が考えられる。即ち、例えば、基板
１′上に電極８までを全面に積層した後、先ず切り溝１
０′を形成して各素子Ｄ１ ＃ Ｄｔ ｔ Ｄａ ｔ
Ｄ４毎に分断し、次に、引き出し部２１Ａを形成する為
（＝選択的Ｃ二表面からコンタクト層２１表面（＝達す
るエツチングを行なって段差部（〜５〔μ罵〕）を形成
する。これに依り引き出し部２１Ａが露出される。
の関連で種々の工程が考えられる。即ち、例えば、基板
１′上に電極８までを全面に積層した後、先ず切り溝１
０′を形成して各素子Ｄ１ ＃ Ｄｔ ｔ Ｄａ ｔ
Ｄ４毎に分断し、次に、引き出し部２１Ａを形成する為
（＝選択的Ｃ二表面からコンタクト層２１表面（＝達す
るエツチングを行なって段差部（〜５〔μ罵〕）を形成
する。これに依り引き出し部２１Ａが露出される。
この後、必要に応じ引き出し部２１Ａのパターニングを
行なって先端を詰め図示の形状にしても良い。
行なって先端を詰め図示の形状にしても良い。
また、最初に段差部を形成してコンタクト層２１の一部
を露出させ、その後で切り溝・１０′を形成しても良い
。
を露出させ、その後で切り溝・１０′を形成しても良い
。
更Ｃ二また、基板１′上−：形成されたコンタクト層２
１を帯状に予じめパターニングしてからクラッド層２等
を成長させるよう（＝シても良い。
１を帯状に予じめパターニングしてからクラッド層２等
を成長させるよう（＝シても良い。
ｗ１７図及び第８図は他の実施例の要部断面図及び要部
斜視図をそれぞれ示し、既出の図Ｃ：関して説明した部
分と類似する部分を同記号で指示しである。
斜視図をそれぞれ示し、既出の図Ｃ：関して説明した部
分と類似する部分を同記号で指示しである。
この実施例が第４図及び第５図（二関して説明した実施
例と相違する点は、切り溝１０′に相当する部分が幅広
く採ってあり、そこに引き出し部２１Ａを露出させるよ
うにしたことである。尚、２２は金属電極である。。
例と相違する点は、切り溝１０′に相当する部分が幅広
く採ってあり、そこに引き出し部２１Ａを露出させるよ
うにしたことである。尚、２２は金属電極である。。
この実施例では、第４図及び第５図の実施例とは異なり
、共振器鏡面を両面とも襞間（二依って形成できる点が
利点である。
、共振器鏡面を両面とも襞間（二依って形成できる点が
利点である。
発明の効果□
本発明に依れば、光集積化半導体装置、に於いて、基板
として半絶縁性のものを用い、それ４：接して各素子毎
（二分割されたコンタクト層を設け、その上に各素子の
構成層が別個に形成されているので、共通に使用される
のは電流が流れること（−無縁な茶板のみであるから、
クロス・トークは殆んど生じない。
として半絶縁性のものを用い、それ４：接して各素子毎
（二分割されたコンタクト層を設け、その上に各素子の
構成層が別個に形成されているので、共通に使用される
のは電流が流れること（−無縁な茶板のみであるから、
クロス・トークは殆んど生じない。
第１図及び第２図は従来例の要部断面図、第３図は第１
図装置の等価的回路図、第４図及び第５図は本発明一実
施例の要部断面図及び要部斜視図、第６図は等価的回路
図、第７図及び第８図は他の実施例の要部断面図及び要
部斜視図をそれぞれ示す。
図装置の等価的回路図、第４図及び第５図は本発明一実
施例の要部断面図及び要部斜視図、第６図は等価的回路
図、第７図及び第８図は他の実施例の要部断面図及び要
部斜視図をそれぞれ示す。
図に於いて、１′は半絶縁性基板、２はクラッド■、６
は活性層、４はクラッド層、５はコンタクト１−１６は
ストライプ状Ｐ型領域、７は絶縁膜、３は４ｍ、 １０
’は切り溝、２１はコンタクト層、≧１Ａは引き出し部
、Ｄｌ、Ｄ！、Ｄ、、Ｄ、は素子である。
は活性層、４はクラッド層、５はコンタクト１−１６は
ストライプ状Ｐ型領域、７は絶縁膜、３は４ｍ、 １０
’は切り溝、２１はコンタクト層、≧１Ａは引き出し部
、Ｄｌ、Ｄ！、Ｄ、、Ｄ、は素子である。
特許出願人 富士通株式会社
代理人−弁理士 玉蟲久五部（外３名）−一□
□、゛
第１１！１
第２０ 第５
第３ＷＵ
第４図
１
１
必 −昌
ＸＸ
Claims (1)
- 多数の素子をアレイ化した光集積化半導体装置に於いて
、絶縁性結晶基板と、その上に形成されて各素子毎に分
離され且つそれぞれ引き出し部を有するコンタク）ＩＩ
を備えてなることを特徴とする光集積化半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57053307A JPS58170058A (ja) | 1982-03-31 | 1982-03-31 | 光集積化半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57053307A JPS58170058A (ja) | 1982-03-31 | 1982-03-31 | 光集積化半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58170058A true JPS58170058A (ja) | 1983-10-06 |
Family
ID=12939060
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57053307A Pending JPS58170058A (ja) | 1982-03-31 | 1982-03-31 | 光集積化半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58170058A (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60200283A (ja) * | 1984-03-23 | 1985-10-09 | ロ−ム株式会社 | モノリシツク形発光表示装置 |
| JPS60201381A (ja) * | 1984-03-26 | 1985-10-11 | ロ−ム株式会社 | 発光表示装置 |
| JPS60201380A (ja) * | 1984-03-26 | 1985-10-11 | ロ−ム株式会社 | 発光表示装置 |
| JPS6188575A (ja) * | 1984-10-08 | 1986-05-06 | Hitachi Cable Ltd | Ｌｅｄアレイ |
| JPS6232476A (ja) * | 1985-08-05 | 1987-02-12 | Hitachi Ltd | 発光ダイオ−ドプリンタ |
| US5426626A (en) * | 1991-02-19 | 1995-06-20 | Nec Corporation | Photodetecting system for a magneto-optical disk head system |
| JPH11274634A (ja) * | 1998-03-19 | 1999-10-08 | Hitachi Ltd | 半導体レーザアレイ素子および半導体レーザアレイ装置 |
| JP2003008143A (ja) * | 2001-06-18 | 2003-01-10 | Sony Corp | マルチビーム半導体レーザ素子 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5147382A (ja) * | 1974-10-21 | 1976-04-22 | Sharp Kk | Monorishitsukureezaarei |
-
1982
- 1982-03-31 JP JP57053307A patent/JPS58170058A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5147382A (ja) * | 1974-10-21 | 1976-04-22 | Sharp Kk | Monorishitsukureezaarei |
Cited By (9)
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