JPH0458714B2 - - Google Patents
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- JPH0458714B2 JPH0458714B2 JP21089784A JP21089784A JPH0458714B2 JP H0458714 B2 JPH0458714 B2 JP H0458714B2 JP 21089784 A JP21089784 A JP 21089784A JP 21089784 A JP21089784 A JP 21089784A JP H0458714 B2 JPH0458714 B2 JP H0458714B2
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- light emitting
- type
- light
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- electrode
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/15—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission
- H01L27/153—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission in a repetitive configuration, e.g. LED bars
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Led Devices (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は、光プリンタの感光ドラム照射用光源
等に用いられる変調光源としてのLEDアレイに
関するものである。
等に用いられる変調光源としてのLEDアレイに
関するものである。
［従来の技術］
従来、光プリンタ等に用いられるLEDアレイ
はいわゆる平面発光型のものであつた。すなわ
ち、GaAs等の単結晶基板上にGaAs1-XPX等の混
晶系エピタキシヤル層を成長させ、このエピタキ
シヤル成長層内に形成した注入型発光領域から発
光する光を前記エピタキシヤル成長層の表面から
取り出す構造であつた。
はいわゆる平面発光型のものであつた。すなわ
ち、GaAs等の単結晶基板上にGaAs1-XPX等の混
晶系エピタキシヤル層を成長させ、このエピタキ
シヤル成長層内に形成した注入型発光領域から発
光する光を前記エピタキシヤル成長層の表面から
取り出す構造であつた。
ところが、平面発光型LEDアレイは、通常幅
１mm当り８個程度、最低でも４個以上の発光部を
必要とするため、発光部の直上に設けるオーミツ
ク電極の構造が微細になり、かつ発光領域の上の
エピタキシヤル成長層の混晶比が高くして光透過
性をもたせる必要もあり、充分に接触抵抗の低い
オーミツクコンタクトを形成することが困難であ
つた。
１mm当り８個程度、最低でも４個以上の発光部を
必要とするため、発光部の直上に設けるオーミツ
ク電極の構造が微細になり、かつ発光領域の上の
エピタキシヤル成長層の混晶比が高くして光透過
性をもたせる必要もあり、充分に接触抵抗の低い
オーミツクコンタクトを形成することが困難であ
つた。
そのため、安定した高い歩留りで素子を生産す
ることは容易ではなかつた。すなわち、発光部が
設けられた素子表面に大型の金属電極を形成した
場合、この電極により発光が妨げられまた微細な
電極を形成した場合、各発光部に形成された各電
極の接触抵抗の差が大きくなり、各発光部の発光
強度が不均一になり易かつた。
ることは容易ではなかつた。すなわち、発光部が
設けられた素子表面に大型の金属電極を形成した
場合、この電極により発光が妨げられまた微細な
電極を形成した場合、各発光部に形成された各電
極の接触抵抗の差が大きくなり、各発光部の発光
強度が不均一になり易かつた。
また、接触抵抗を十分低くするため、電極に接
触する混晶系エピタキシヤル成長層表面のエネル
ギ禁止帯幅を狭くする如く混合結晶比率を低くす
ると、この狭い禁止帯層が光を吸収してしまい、
やはり外部への発光効率を低下させていた。
触する混晶系エピタキシヤル成長層表面のエネル
ギ禁止帯幅を狭くする如く混合結晶比率を低くす
ると、この狭い禁止帯層が光を吸収してしまい、
やはり外部への発光効率を低下させていた。
このようなことから、従来の平面発光型LED
アレイにおいては、ｎ型エピタキシヤル成長層表
面からアクセプタ不純物であるZnを選択拡散さ
せることによつて微細なｐ−型領域（すなわち、
発光領域）の列を作り、各ｐ−型領域の表面にそ
れぞれ分離した微小電極を形成させるのが普通で
あつた。このようにすれば、Zn拡散領域の表面
（すなわち発光部）は少なくとも1020cm程度の高
キヤリヤ濃度となるため電極とは低接触抵抗とな
るが、やはり高キヤリア濃度のためZn拡散領域
での光吸収が大きくなつてしまうという問題があ
つた。
アレイにおいては、ｎ型エピタキシヤル成長層表
面からアクセプタ不純物であるZnを選択拡散さ
せることによつて微細なｐ−型領域（すなわち、
発光領域）の列を作り、各ｐ−型領域の表面にそ
れぞれ分離した微小電極を形成させるのが普通で
あつた。このようにすれば、Zn拡散領域の表面
（すなわち発光部）は少なくとも1020cm程度の高
キヤリヤ濃度となるため電極とは低接触抵抗とな
るが、やはり高キヤリア濃度のためZn拡散領域
での光吸収が大きくなつてしまうという問題があ
つた。
また、従来のLEDアレイでは、各発光部毎に
矩形状のオーミツク電極を並設して設けていたた
め、単位長さ当りの発光部の数が増加するに伴な
い、オートミツク電極の幅が狭くなり、ワイヤボ
ンデイングが困難になつてしまうという問題があ
つた。
矩形状のオーミツク電極を並設して設けていたた
め、単位長さ当りの発光部の数が増加するに伴な
い、オートミツク電極の幅が狭くなり、ワイヤボ
ンデイングが困難になつてしまうという問題があ
つた。
［発明の目的］
本発明は、前記した従来技術の問題点に鑑み、
単位長さ当りの発光部の数が増加してもワイヤボ
ンデイングが容易におこなうことができ、各発光
領域へ形成された電極が低接触抵抗であり、か
つ、これら電極により発光が妨げられることのな
いLEDアレイを提供することを目的とする。
単位長さ当りの発光部の数が増加してもワイヤボ
ンデイングが容易におこなうことができ、各発光
領域へ形成された電極が低接触抵抗であり、か
つ、これら電極により発光が妨げられることのな
いLEDアレイを提供することを目的とする。
［問題点を解決するための手段］
本発明のLEDアレイは、発光部が素子の側面
に幅１mm当り少なくとも４個の割合で形成されて
おり、前記素子の表面に前記各発光部毎のオーミ
ツク電極が形成されているLEDアレイにおいて、
前記発光部の１つおきに、該発光部の発光領域と
接触する第１の直胴部と隣接する他の発光部の一
方側へそれぞれ同方向に向かつて曲折する第１の
曲折部とからなる第１のＬ字型オーミツク電極が
それぞれが設けられ、前記他の発光部に、該発光
部の発光領域と接触しかつ前記第１の直胴部の長
さよりも短い長さの第２の直胴部と前記第１の直
胴部上に重なりかつ前記第１の曲折部とは重なら
ない第２の曲折部とからなる第２のオーミツク電
極が設けられており、前記第１の直胴部と前記第
２の曲折部との間に絶縁膜を介在させたことを特
徴とするものである。
に幅１mm当り少なくとも４個の割合で形成されて
おり、前記素子の表面に前記各発光部毎のオーミ
ツク電極が形成されているLEDアレイにおいて、
前記発光部の１つおきに、該発光部の発光領域と
接触する第１の直胴部と隣接する他の発光部の一
方側へそれぞれ同方向に向かつて曲折する第１の
曲折部とからなる第１のＬ字型オーミツク電極が
それぞれが設けられ、前記他の発光部に、該発光
部の発光領域と接触しかつ前記第１の直胴部の長
さよりも短い長さの第２の直胴部と前記第１の直
胴部上に重なりかつ前記第１の曲折部とは重なら
ない第２の曲折部とからなる第２のオーミツク電
極が設けられており、前記第１の直胴部と前記第
２の曲折部との間に絶縁膜を介在させたことを特
徴とするものである。
［実施例］
以下、本発明の実施例を図面に基づき詳細に説
明する。
明する。
第１図から第３図は本発明に適用し得るLED
アレイ用エピタキシヤル基板を示す説明図であ
り、オーミツク電極の構造は従来と同じである。
アレイ用エピタキシヤル基板を示す説明図であ
り、オーミツク電極の構造は従来と同じである。
第１図においては、ｐ型GaAs基板１の表面に
ｐ型Ga1-XAlxAs層２、ｎ型Ga1-YAlyAs層３およ
びn+型GaAs層４が順次成長させられる。次に、
n+型GaAs層４の表面にフオスフオ・シリケー
ト・ガラス（PSG）膜５が形成され、適宜設定
された間隔をおいて、PSG膜５の一部分が半円
状に除去され、そのため、PSG膜５が除去され
た部分にn+型GaAs層４に接触しかつ、互いに接
触しないようなマイナス電極（オーミツク電極）
６がPSG膜５の上にアレイ状に形成され、半円
状のオーミツク接触部７が形成される。そして、
マイナス電極６のPSG膜５を除去されて露出し
たn+型GaAs層に接触している部分には半円状の
くぼみ６ａができる。ｐ型GaAs基板１の裏面全
体にはプラス電極（オーミツク電極）８が形成さ
れている。
ｐ型Ga1-XAlxAs層２、ｎ型Ga1-YAlyAs層３およ
びn+型GaAs層４が順次成長させられる。次に、
n+型GaAs層４の表面にフオスフオ・シリケー
ト・ガラス（PSG）膜５が形成され、適宜設定
された間隔をおいて、PSG膜５の一部分が半円
状に除去され、そのため、PSG膜５が除去され
た部分にn+型GaAs層４に接触しかつ、互いに接
触しないようなマイナス電極（オーミツク電極）
６がPSG膜５の上にアレイ状に形成され、半円
状のオーミツク接触部７が形成される。そして、
マイナス電極６のPSG膜５を除去されて露出し
たn+型GaAs層に接触している部分には半円状の
くぼみ６ａができる。ｐ型GaAs基板１の裏面全
体にはプラス電極（オーミツク電極）８が形成さ
れている。
このような構成の素子において、マイナス電極
６とプラス電極８との間に順方向に電圧をバイア
スすると、電流はオーミツク接触部７のそれぞれ
に集中して流れ、素子側面の発光部９より側方へ
光が放射される。
６とプラス電極８との間に順方向に電圧をバイア
スすると、電流はオーミツク接触部７のそれぞれ
に集中して流れ、素子側面の発光部９より側方へ
光が放射される。
すなわち、n+型GaAs層４は、この表面にPSG
膜５によりそれぞれ分離されアレイ状に設けられ
たマイナス電極６のそれぞれと極めて接触抵抗の
低いオーミツク接触部７を形成しており、電子は
オーミツク接触部７よりｎ型Ga1-XAlxAs層３を
経てｐ型Ga1-XAlxAs層２の中に注入され、発光
部の内部で正孔と発光再結合を行い素子側面の発
光部９から光が放射されるのである。
膜５によりそれぞれ分離されアレイ状に設けられ
たマイナス電極６のそれぞれと極めて接触抵抗の
低いオーミツク接触部７を形成しており、電子は
オーミツク接触部７よりｎ型Ga1-XAlxAs層３を
経てｐ型Ga1-XAlxAs層２の中に注入され、発光
部の内部で正孔と発光再結合を行い素子側面の発
光部９から光が放射されるのである。
オーミツク接触部７の数とマイナス電極６の数
は、それぞれ対応して同じであるが、プリンタ用
のLEDアレイ等としては素子の幅１mm当り４箇
所以上にオーミツク接触部７を形成する必要があ
り、通常８箇所場合によつては16箇所にオーミツ
ク接触部７を形成する。なお、オーミツク接触部
７の曲率半径を10μｍ以下程度にすれば、ｐ型
Ga1-XAlxAs層２内での注入型発光は、同層内で
あまり吸収を受けずに発光部９より側方に発光さ
れる。
は、それぞれ対応して同じであるが、プリンタ用
のLEDアレイ等としては素子の幅１mm当り４箇
所以上にオーミツク接触部７を形成する必要があ
り、通常８箇所場合によつては16箇所にオーミツ
ク接触部７を形成する。なお、オーミツク接触部
７の曲率半径を10μｍ以下程度にすれば、ｐ型
Ga1-XAlxAs層２内での注入型発光は、同層内で
あまり吸収を受けずに発光部９より側方に発光さ
れる。
又、n+型GaAs層４は注入型発光を透過するこ
とがなく、かつ素子側面からの発光に対しても何
ら影響がなく、更にはマイナス電極６も光の透過
部とはならないため、高効率で発光する発光部９
を得ることができる。
とがなく、かつ素子側面からの発光に対しても何
ら影響がなく、更にはマイナス電極６も光の透過
部とはならないため、高効率で発光する発光部９
を得ることができる。
第２図においては、第１図と同様に、ｐ型
GaAs基板１の表面にｐ型Ga1-XAlxAs層２、ｎ型
Ga1-yAlyAs層３および、n+型GaAs層４が順次成
長されている。
GaAs基板１の表面にｐ型Ga1-XAlxAs層２、ｎ型
Ga1-yAlyAs層３および、n+型GaAs層４が順次成
長されている。
このような場合には、電流がn+型GaAs層４内
を拡散するのを防ぎ、オーミツク接触部７での電
流密度を高くして発光エネルギーを高めるため
に、オーミツク接触部７を通らないようn+型
GaAs層４を貫通する深さでかつ発光部９を有す
る素子側面に平行なエツチング溝１０が設けられ
ている。次に、この上にPSG膜５が形成され、
PSG膜５の一部分が半円状に除去された後に、
n+型GaAs層４と接触してオーミツク接触部７が
形成されるようにマイナス電極６がアレイ状に形
成される。ｐ型GaAs基板１の裏面には、第１図
と同様にプラス電極８が形成されている。
を拡散するのを防ぎ、オーミツク接触部７での電
流密度を高くして発光エネルギーを高めるため
に、オーミツク接触部７を通らないようn+型
GaAs層４を貫通する深さでかつ発光部９を有す
る素子側面に平行なエツチング溝１０が設けられ
ている。次に、この上にPSG膜５が形成され、
PSG膜５の一部分が半円状に除去された後に、
n+型GaAs層４と接触してオーミツク接触部７が
形成されるようにマイナス電極６がアレイ状に形
成される。ｐ型GaAs基板１の裏面には、第１図
と同様にプラス電極８が形成されている。
従つて、マイナス電極６とプラス電極８との間
に順方向に電圧をバイアスすると、電流は、n+
型GaAs層４全体に拡散することなく、集中して
オーミツク接触部７を通つて流れ、発光部９より
側方に光が放射される。
に順方向に電圧をバイアスすると、電流は、n+
型GaAs層４全体に拡散することなく、集中して
オーミツク接触部７を通つて流れ、発光部９より
側方に光が放射される。
又、第３図に示すように、エツチング溝１０に
垂直でかつ各発光部９の間にn+型GaAs層４を貫
通する深さの第２のエツチング溝１１を設けるこ
とにより、電流がn+型GaAs層４内の発光部９を
有する素子側面に平行な方向に拡散するのを防ぐ
ことができる。
垂直でかつ各発光部９の間にn+型GaAs層４を貫
通する深さの第２のエツチング溝１１を設けるこ
とにより、電流がn+型GaAs層４内の発光部９を
有する素子側面に平行な方向に拡散するのを防ぐ
ことができる。
従つて、電流がオーミツク接触部７へ集中し、
発光エネルギーを高めることができる。
発光エネルギーを高めることができる。
なお、第２のエツチング溝１１の表面には
PSG膜５だけが形成されている。
PSG膜５だけが形成されている。
第４図は本発明の一実施例を示す説明図であ
る。
る。
ｎ型GaAs基板の上にはｎ型Ga1-XAlxAs層１
２、ｐ型Ga1-YAlyAs層１３およびn+型GaAs層１
４が順次成長される。次にｎ型GaAs層１４の表
面から適宜設定された間隔をおいてZnが選択拡
散され、ｐ型拡散領域２２が形成される。このｐ
型拡散領域２２は、ｎ型Ga1-XAlxAs層１２に達
つしないように形成されている。
２、ｐ型Ga1-YAlyAs層１３およびn+型GaAs層１
４が順次成長される。次にｎ型GaAs層１４の表
面から適宜設定された間隔をおいてZnが選択拡
散され、ｐ型拡散領域２２が形成される。このｐ
型拡散領域２２は、ｎ型Ga1-XAlxAs層１２に達
つしないように形成されている。
次に、ｎ型GaAs層１４の表面にｐ型拡散領域
２２の１つおきに領域２２と接触する直胴部と一
方の電極側へ曲折した曲線部とからなるＬ字型の
マイナス電極１６が形成され、PSG膜１５が図
において横方向に連続して形成された後、マイナ
ス電極１６が形成されていないｐ型拡散領域２２
に接触するようマイナス電極１６の直胴部の長さ
よりも短い長さの直胴部を有するＬ字型のマイナ
ス電極２６がPSG膜１５の上に形成される。こ
のような２段構造のマイナス電極とすることによ
り、電極面積を広くすることができ、ワイヤボン
デイングを容易にすることができる。
２２の１つおきに領域２２と接触する直胴部と一
方の電極側へ曲折した曲線部とからなるＬ字型の
マイナス電極１６が形成され、PSG膜１５が図
において横方向に連続して形成された後、マイナ
ス電極１６が形成されていないｐ型拡散領域２２
に接触するようマイナス電極１６の直胴部の長さ
よりも短い長さの直胴部を有するＬ字型のマイナ
ス電極２６がPSG膜１５の上に形成される。こ
のような２段構造のマイナス電極とすることによ
り、電極面積を広くすることができ、ワイヤボン
デイングを容易にすることができる。
更に、マイナス電極１６，２６が接触している
ｐ型拡散領域２２は、キヤリヤ濃度が高く接触抵
抗を低くすることが容易なばかりでなく、ｎ型
GaAs基板１の裏面に形成されたプラス電極８か
らの電子流の集中も良好となり、注入発光は、ｐ
型拡散領域２２直下で起こり、発光部１９から光
が放射される。
ｐ型拡散領域２２は、キヤリヤ濃度が高く接触抵
抗を低くすることが容易なばかりでなく、ｎ型
GaAs基板１の裏面に形成されたプラス電極８か
らの電子流の集中も良好となり、注入発光は、ｐ
型拡散領域２２直下で起こり、発光部１９から光
が放射される。
なお、上記諸実施例においては、基板結晶とし
てGaAs、エピタキシヤル層としてGaAlAsを用
いて説明したが、他の半導体材料を用いても本発
明の実施は可能である。
てGaAs、エピタキシヤル層としてGaAlAsを用
いて説明したが、他の半導体材料を用いても本発
明の実施は可能である。
又、ｐ−ｎ接合およびヘテロ接合の形成方法あ
るいは、これらによつて形成される発光再結合領
域の分離方法などは、上記実施例以外の方法を用
いても本発明の実施は可能であり、要は電極やオ
ーミツク接触用エネルギー幅層等が形成されてい
ない素子側面から光を放出するものならばよい。
るいは、これらによつて形成される発光再結合領
域の分離方法などは、上記実施例以外の方法を用
いても本発明の実施は可能であり、要は電極やオ
ーミツク接触用エネルギー幅層等が形成されてい
ない素子側面から光を放出するものならばよい。
［発明の効果］
以上に説明した如く、本発明のLEDアレイで
あれば次の様な顕著な効果を奏する。
あれば次の様な顕著な効果を奏する。
(1) 発光部が素子側面にあるため、電極により発
光が妨げられることがなく、電極およびオーミ
ツク接触層に光取り出し用の窓を必要としない
発光密度の高いLEDアレイを得ることができ
る。
光が妨げられることがなく、電極およびオーミ
ツク接触層に光取り出し用の窓を必要としない
発光密度の高いLEDアレイを得ることができ
る。
(2) 電極およびオーミツク接触を形成し易い高ド
ープ狭エネルギー禁止帯副層の存在しない素子
側面から光を取り出すことができるため、電極
およびオーミツク接触層の設計自由度が大き
く、低接触抵抗の電極を形成することができ
る。
ープ狭エネルギー禁止帯副層の存在しない素子
側面から光を取り出すことができるため、電極
およびオーミツク接触層の設計自由度が大き
く、低接触抵抗の電極を形成することができ
る。
(3) 電極形成プロセスと発光部の形成プロセスと
が無関係であるため、電極形成プロセスが多数
の発光点の発光強度不均一性の原因になること
が少なく、高歩留りでLEDアレイを製造する
ことができる。
が無関係であるため、電極形成プロセスが多数
の発光点の発光強度不均一性の原因になること
が少なく、高歩留りでLEDアレイを製造する
ことができる。
(4) 発光部が微細なため、素子側面発光ではある
ものの光吸収が少ない。
ものの光吸収が少ない。
(5) オーミツク電極を２段構造としたことによ
り、電極面積を大きくすることができるため、
単位長さ当りの発光部の数が増加しても容易に
ワイヤボンデイングを実施することができる。
り、電極面積を大きくすることができるため、
単位長さ当りの発光部の数が増加しても容易に
ワイヤボンデイングを実施することができる。
第１図乃至第３図は本発明に適用し得るLED
アレイ用エピタキシヤル基板を示す説明図、第４
図は本発明の実施例を示す説明図である。 １：ｐ型GaAs基板、２：ｐ型Ga1-XAlxAs層、
３：ｎ型Ga1-YAlyAs層、４，１４：n+型GaAs
層、５，１５：PSG膜、６，１６，２６：マイ
ナス電極、７：オーミツク接触部、８：プラス電
極、９，１９：発光部、１０：（第１の）エツチ
ング溝、１１：第２のエツチング溝、１２：ｎ型
Ga1-XAlxAs層、１３：ｐ型Ga1-YAlyAs層、２
１：ｎ型GaAs基板、２２：ｐ型拡散領域。
アレイ用エピタキシヤル基板を示す説明図、第４
図は本発明の実施例を示す説明図である。 １：ｐ型GaAs基板、２：ｐ型Ga1-XAlxAs層、
３：ｎ型Ga1-YAlyAs層、４，１４：n+型GaAs
層、５，１５：PSG膜、６，１６，２６：マイ
ナス電極、７：オーミツク接触部、８：プラス電
極、９，１９：発光部、１０：（第１の）エツチ
ング溝、１１：第２のエツチング溝、１２：ｎ型
Ga1-XAlxAs層、１３：ｐ型Ga1-YAlyAs層、２
１：ｎ型GaAs基板、２２：ｐ型拡散領域。
Claims (1)
- １ 発光部が素子の側面に幅１mm当り少なくとも
４個の割合で形成されており、前記素子の表面に
前記各発光部毎のオーミツク電極が形成されてい
るLEDアレイにおいて、前記発光部の１つおき
に、該発光部の発光領域と接触する第１の直胴部
と隣接する他の発光部の一方側へそれぞれ同方向
に向かつて曲折する第１の曲折部とからなる第１
のＬ字型オーミツク電極が設けられ、前記他の発
光部に、該発光部の発光領域と接触しかつ前記第
１の直胴部の長さよりも短い長さの第２の直胴部
と前記第１の直胴部上に重なりかつ前記第１の曲
折部とは重ならない第２の曲折部とからなる第２
のオーミツク電極が設けられており、前記第１の
直胴部と前記第２の曲折部との間に絶縁膜を介在
させたことを特徴とするLEDアレイ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59210897A JPS6188575A (ja) | 1984-10-08 | 1984-10-08 | Ｌｅｄアレイ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59210897A JPS6188575A (ja) | 1984-10-08 | 1984-10-08 | Ｌｅｄアレイ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6188575A JPS6188575A (ja) | 1986-05-06 |
| JPH0458714B2 true JPH0458714B2 (ja) | 1992-09-18 |
Family
ID=16596887
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59210897A Granted JPS6188575A (ja) | 1984-10-08 | 1984-10-08 | Ｌｅｄアレイ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6188575A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2000069042A1 (en) | 1999-05-05 | 2000-11-16 | General Electric Company | Adaptive sampling rate based on power system frequency |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62162857U (ja) * | 1986-04-02 | 1987-10-16 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58131779A (ja) * | 1982-02-01 | 1983-08-05 | Ricoh Co Ltd | 発光ダイオ−ドアレイの製造方法 |
| JPS58170058A (ja) * | 1982-03-31 | 1983-10-06 | Fujitsu Ltd | 光集積化半導体装置 |
-
1984
- 1984-10-08 JP JP59210897A patent/JPS6188575A/ja active Granted
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58131779A (ja) * | 1982-02-01 | 1983-08-05 | Ricoh Co Ltd | 発光ダイオ−ドアレイの製造方法 |
| JPS58170058A (ja) * | 1982-03-31 | 1983-10-06 | Fujitsu Ltd | 光集積化半導体装置 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2000069042A1 (en) | 1999-05-05 | 2000-11-16 | General Electric Company | Adaptive sampling rate based on power system frequency |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6188575A (ja) | 1986-05-06 |
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