JP2003282478A - 合金化方法及び配線形成方法、表示素子の形成方法、画像表示装置の製造方法 - Google Patents

合金化方法及び配線形成方法、表示素子の形成方法、画像表示装置の製造方法

Info

Publication number
JP2003282478A
JP2003282478A JP2002362214A JP2002362214A JP2003282478A JP 2003282478 A JP2003282478 A JP 2003282478A JP 2002362214 A JP2002362214 A JP 2002362214A JP 2002362214 A JP2002362214 A JP 2002362214A JP 2003282478 A JP2003282478 A JP 2003282478A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
light emitting
semiconductor
laser
alloying
forming
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Abandoned
Application number
JP2002362214A
Other languages
English (en)
Inventor
Katsuhiro Tomota
勝寛 友田
Toyoji Ohata
豊治 大畑
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sony Corp
Original Assignee
Sony Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sony Corp filed Critical Sony Corp
Priority to JP2002362214A priority Critical patent/JP2003282478A/ja
Priority to TW092100595A priority patent/TWI264064B/zh
Priority to US10/341,682 priority patent/US6878574B2/en
Publication of JP2003282478A publication Critical patent/JP2003282478A/ja
Priority to US11/103,163 priority patent/US7011990B2/en
Priority to US11/103,103 priority patent/US7049227B2/en
Priority to US11/103,174 priority patent/US7008827B2/en
Priority to US11/103,101 priority patent/US7319052B2/en
Abandoned legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
    • H01L21/71—Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
    • H01L21/768—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics
    • H01L21/76838—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics characterised by the formation and the after-treatment of the conductors
    • H01L21/76886—Modifying permanently or temporarily the pattern or the conductivity of conductive members, e.g. formation of alloys, reduction of contact resistances
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/26—Bombardment with radiation
    • H01L21/263—Bombardment with radiation with high-energy radiation
    • H01L21/268—Bombardment with radiation with high-energy radiation using electromagnetic radiation, e.g. laser radiation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/18—High density interconnect [HDI] connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/23—Structure, shape, material or disposition of the high density interconnect connectors after the connecting process
    • H01L24/24—Structure, shape, material or disposition of the high density interconnect connectors after the connecting process of an individual high density interconnect connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L24/82—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected by forming build-up interconnects at chip-level, e.g. for high density interconnects [HDI]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/005—Processes
    • H01L33/0095—Post-treatment of devices, e.g. annealing, recrystallisation or short-circuit elimination
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2221/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
    • H01L2221/67—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L2221/683—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L2221/68304—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L2221/68359—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support used as a support during manufacture of interconnect decals or build up layers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2221/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
    • H01L2221/67—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L2221/683—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L2221/68304—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L2221/68368—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support used in a transfer process involving at least two transfer steps, i.e. including an intermediate handle substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/18—High density interconnect [HDI] connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/23—Structure, shape, material or disposition of the high density interconnect connectors after the connecting process
    • H01L2224/24—Structure, shape, material or disposition of the high density interconnect connectors after the connecting process of an individual high density interconnect connector
    • H01L2224/241—Disposition
    • H01L2224/24135—Connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip
    • H01L2224/24137—Connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip the bodies being arranged next to each other, e.g. on a common substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/18—High density interconnect [HDI] connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/23—Structure, shape, material or disposition of the high density interconnect connectors after the connecting process
    • H01L2224/24—Structure, shape, material or disposition of the high density interconnect connectors after the connecting process of an individual high density interconnect connector
    • H01L2224/241—Disposition
    • H01L2224/24151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/24221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/24225—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/18—High density interconnect [HDI] connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/23—Structure, shape, material or disposition of the high density interconnect connectors after the connecting process
    • H01L2224/24—Structure, shape, material or disposition of the high density interconnect connectors after the connecting process of an individual high density interconnect connector
    • H01L2224/241—Disposition
    • H01L2224/24151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/24221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/24225—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H01L2224/24226—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation the HDI interconnect connecting to the same level of the item at which the semiconductor or solid-state body is mounted, e.g. the item being planar
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
    • H01L2224/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/321—Disposition
    • H01L2224/32151—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/32221—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/32225—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
    • H01L2224/732—Location after the connecting process
    • H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
    • H01L2224/73267—Layer and HDI connectors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01004—Beryllium [Be]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01005—Boron [B]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01006—Carbon [C]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01012—Magnesium [Mg]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01013—Aluminum [Al]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01015—Phosphorus [P]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01033—Arsenic [As]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01039—Yttrium [Y]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01046—Palladium [Pd]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01078—Platinum [Pt]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01079—Gold [Au]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/102—Material of the semiconductor or solid state bodies
    • H01L2924/1025—Semiconducting materials
    • H01L2924/1026—Compound semiconductors
    • H01L2924/1032—III-V
    • H01L2924/10329—Gallium arsenide [GaAs]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/12—Passive devices, e.g. 2 terminal devices
    • H01L2924/1204—Optical Diode
    • H01L2924/12041—LED
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/12—Passive devices, e.g. 2 terminal devices
    • H01L2924/1204—Optical Diode
    • H01L2924/12042—LASER

Abstract

(57)【要約】 【課題】 半導体素子の特性に影響を及ぼすことなく、
必要な部分のみを速やかにアロイ化しオーミックコンタ
クトにする。 【解決手段】 熱伝導率が低い材料に転写された半導体
上に金属層を形成し、半導体もしくは金属層の少なくと
も一方が吸収する波長のレーザを照射してこれら半導体
と金属層の界面を合金化する。レーザの照射エネルギー
は２０〜１００ｍＪ／ｃｍ２とする。熱伝導率が低い材
料は、例えば樹脂やアモルファスシリコンである。レー
ザ照射によるアロイ化では、半導体全体が加熱されるこ
とはなく、必要な部分のみが局所的に加熱される。ま
た、予め半導体を熱伝導率の低い材料、例えば樹脂中に
転写してからレーザ照射を行うようにすれば、低い温度
でのアロイ化が可能になり、照射するレーザのエネルギ
ーを低く設定することができる。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体と金属層と
をオーミックコンタクトにするための合金化方法に関す
るものであり、さらには、これを応用した配線形成方
法、表示素子の形成方法、及び画像表示装置の製造方法
に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】半導体素子において、金属層を成膜して
電極形成を行う場合、いわゆるオーミックコンタクトに
する必要があり、従来、熱によるアロイ化が広く行われ
ている。例えば、ｎ−ＧａＡｓと、そのコンタクトメタ
ルであるＡｕＧｅ／Ｎｉ／Ａｕとをオーミックコンタク
トにするためには、４２０℃で１分間程度の加熱を行
い、これをアロイ化する。
【０００３】ところで、上記のようにいわゆる熱アロイ
の技術によってオーミックコンタクトを実現しようとし
た場合、半導体素子全体が加熱されることから、半導体
素子の性能に支障をきたす可能性がある。例えば、上記
のように、ｎ−ＧａＡｓと、そのコンタクトメタルであ
るＡｕＧｅ／Ｎｉ／Ａｕとをオーミックコンタクトにす
るためにアロイ化する場合、４２０℃で１分間程度の加
熱を行う必要がある。ここで、ｎ−ＧａＡｓがＧａＡｓ
基板上に形成されているのであれば問題はないが、前記
加熱温度に耐えられないエピタキシャル層がある場合、
あるいはコンタクトメタルを形成する前に樹脂などの絶
縁膜を形成してある場合には、デバイス特性に支障をき
たすため、アロイ化ができないという問題がある。
【０００４】このような状況から、例えば特許文献１な
どにおいて、レーザを用いたアロイ化も検討されてい
る。レーザ照射によるアロイ化では、局所的な加熱が可
能であり、適用範囲が広がり、半導体素子の性能劣化も
低減されるものと期待される。しかしながら、高エネル
ギーのレーザを照射すると、金属や半導体の表面がアブ
レーションされたり、やはり素子の内部にダメージを与
えるなどの問題が残る。また、アロイ化に必要な高エネ
ルギーのレーザ照射においては、照射面積は限られたも
のとなり、スループットが低く、製造コスト上の問題も
ある。
【特許文献１】特開昭５７−７２３２２号公報
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、かかる従来
の実情に鑑みて提案されたものであり、半導体素子の特
性に支障をきたすことがなく、必要な部分のみを速やか
にアロイ化しオーミックコンタクトにすることが可能な
合金化方法を提供することを目的とする。また、本発明
は、必要な箇所のみ選択的にアロイ化することが可能
で、効率的なアロイ化が可能な合金化方法を提供するこ
とを目的とする。さらに、本発明は、上記合金化方法を
応用して、良好な配線形成、表示素子形成、画像表示装
置形成が可能な配線形成方法、表示素子の形成方法、画
像表示装置の製造方法を提供することを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上述の目的を達成するた
めに、本発明の合金化方法は、熱伝導率が低い材料に転
写された半導体上に金属層を形成し、半導体もしくは金
属層の少なくとも一方が吸収する波長のレーザを照射し
てこれら半導体と金属層の界面を合金化することを特徴
とするものである。
【０００７】上記本発明によるアロイ化の場合、半導体
もしくは金属層のうちのいずれかの材料が吸収する波長
のレーザを照射し、これを吸収した材料が局所的に加熱
されることで合金化（アロイ化）が行われる。レーザ照
射によるアロイ化では、半導体全体が加熱されることは
なく、アロイ化が必要な部分のみ（半導体の最表面の
み）が局所的に加熱される。ここで、本発明では、この
レーザ照射によるアロイ化の際に、予め半導体を熱伝導
率の低い材料、例えば樹脂中に転写してからレーザ照射
を行っているので、レーザ照射によって生じる熱の拡散
が遅くなり、実質的な加熱時間が非常に長くなる。加熱
時間が長くなれば、低い温度でのアロイ化が可能にな
り、照射するレーザのエネルギーを低く設定することが
できる。その結果、金属や半導体の表面がアブレーショ
ンされることがなくなり、また、半導体内部がダメージ
を受けることもなくなる。また、照射面積を増やしてス
ループットを高くすることができ、製造コストも大幅に
削減される。
【０００８】また、本発明の配線形成方法は、半導体基
板上に形成された半導体素子を熱伝導率が低い材料に転
写して半導体基板を除去した後に、半導体素子と接する
金属層を配線として形成し、半導体素子もしくは金属層
の少なくとも一方が吸収する波長のレーザを照射してこ
れら半導体素子と配線の界面を合金化することを特徴と
するものである。本発明の配線方法によれば、半導体素
子にダメージを与えることなく良好なオーミックコンタ
クトが実現される。
【０００９】さらに、本発明の表示素子の形成方法は、
半導体からなる発光素子を樹脂中に埋め込んだ後、金属
層からなる電極を樹脂表面に形成する表示素子の形成方
法において、半導体もしくは金属層の少なくとも一方が
吸収する波長のレーザを照射して発光素子と電極の界面
を合金化することを特徴とするものである。さらにま
た、本発明の画像表示装置の製造方法は、第一基板上で
発光素子が配列された状態よりは離間した状態となるよ
うに前記発光素子を転写して一時保持用部材に前記発光
素子を保持させる第一転写工程と、前記一時保持用部材
に保持された前記発光素子をさらに離間して第二基板上
に転写する第二転写工程と、前記各発光素子と接続され
る配線を形成する配線形成工程とを有し、発光素子が樹
脂に埋め込まれチップ部品化された表示素子をマトリク
ス状に配置する画像表示装置の製造方法において、半導
体からなる発光素子を樹脂中に埋め込んだ後、半導体も
しくは金属層の少なくとも一方が吸収する波長のレーザ
を照射して発光素子と電極の界面を合金化することを特
徴とするものである。これら表示素子の形成方法や画像
表示装置の製造方法においても、素子と電極間が良好な
オーミックコンタクトとなり、また素子自体がダメージ
を受けることもないので性能に優れた表示素子、画像表
示装置が作製される。
【００１０】
【発明の実施の形態】以下、本発明を適用した合金化方
法、配線形成方法、表示素子の形成方法、及び画像表示
装置の製造方法について、図面を参照しながら説明す
る。
【００１１】先ず、半導体素子としてマイクロＬＥＤを
例にして電極の合金化（アロイ化）について説明する。
マイクロＬＥＤ１は、図１に示すように、ｎ−クラッド
層１ａ、活性層１ｂ、ｐ−クラッド層１ｃからなるもの
であり、ｎ−クラッド層１ａにはｎ−電極２が、またｐ
−クラッド層１ｃにはｐ−電極３が接続される。通常、
これらｎ−電極２やｐ−電極３は、ＧａＡｓ基板４上の
マイクロＬＥＤ１を絶縁層５で覆った後、接続部分に開
口部を設け、金属層を成膜し、これをパターニングする
ことにより形成される。ただし、このようにｎ−電極２
とｐ−電極３を同一面側に引き出そうとすると、金属層
をパターニングする際に高精度が要求される。そこで、
本例では、ｎ−電極２とｐ−電極３とを互いに反対側の
面から引き出すようにし、パターニングを簡略化するよ
うにしている。
【００１２】かかる電極形成及びアロイ化のプロセスを
説明すると、図２（ａ）に示すように、ＧａＡｓ基板４
上のマイクロＬＥＤ１を覆って絶縁層５を形成し、これ
に開口部を設けてｐ−電極３を成膜し、パターニングす
る。このとき、パターニングするのはｐ−電極３のみで
あり、パターニング精度はさほど要求されることはな
い。このｐ−電極３は、半導体であるマイクロＬＥＤ、
特にｐ−クラッド層１ｃとオーミックコンタクトにする
必要があり、ここではレーザ照射によってアロイ化す
る。
【００１３】レーザ照射によりアロイ化するには、所定
の領域（ｐ−電極３とｐ−クラッド層１ｃとが接する領
域）にのみレーザを照射し、これを加熱する。このと
き、ｐ−電極３を構成する金属、もしくはｐ−クラッド
層１ｃが吸収する波長のレーザを照射すれば、その部分
のみが加熱され、アロイ化が進行する。
【００１４】上記アロイ化の後、図２（ｂ）に示すよう
に、熱伝導率の低い材料、ここでは接着剤層６を形成し
た転写基板７を重ね合わせ、ＧａＡｓ基板４の裏面側か
らレーザを照射し、いわゆるレーザアブレーションによ
りＧａＡｓ基板４を剥離して除去し、マイクロＬＥＤ１
を転写基板７上に転写する。なお、転写基板７には、サ
ファイア基板などを使用することができる。また、熱伝
導率の低い材料としては、エポキシ系樹脂や紫外線硬化
樹脂、シリコン樹脂などの樹脂の他、アモルファスシリ
コンなども使用可能である。
【００１５】転写した後、図２（ｃ）に示すように、マ
イクロＬＥＤ１の裏面側に金属層を形成し、これをパタ
ーニングしてｎ−電極２とする。ここで、金属層は、蒸
着などによって形成することができるが、接着剤層６や
絶縁層５があるために、通常の４２０℃程度での熱アロ
イを行うことはできない。そこで、図２（ｄ）に示すよ
うに、ｎ−電極２あるいはｎ−クラッド層１ａの少なく
ともいずれか一方が吸収する波長のレーザを照射し、ｎ
−電極２とｎ−クラッド層１ａが接する領域のみを加熱
してアロイ化し、オーミックコンタクトとする。
【００１６】上記のように、熱伝導率の高い半導体基板
（ＧａＡｓ基板４）を除去し、必要な半導体素子部分の
みを樹脂（接着剤層６）などの熱伝導率の低い材料に転
写してからレーザ照射によるアロイ化を行うと、レーザ
照射によって生ずる熱の拡散が遅くなるため、実質的に
加熱時間が非常に長くなる。加熱時間が長ければ低い温
度でもアロイ化されるため、照射するレーザのエネルギ
ーは低くてもよくなる。ここで、照射するレーザのエネ
ルギーが低くなれば、金属や半導体の表面がアブレーシ
ョンされたり、素子の内部にダメージを与えることがな
くなる。また、照射するレーザのエネルギーが低くてよ
いので、容易に照射面積を増やすことができ、スループ
ットも高くなるなど、コスト効果も大である。具体的な
エネルギー値で言うと、半導体基板上でアロイ化を行う
場合、２００〜４００ｍＪ／ｃｍ 2程度のレーザエネル
ギーが必要であるのに対して、接着剤層６のような樹脂
に転写した場合には２０〜１００ｍＪ／ｃｍ2程度でア
ロイ化することができ、オーミックコンタクトを実現す
ることができる。
【００１７】図３は、ＧａＡｓ基板４をアブレーション
により除去する前にパルスレーザ（ＹＡＧレーザ：照射
エネルギー３００ｍＪ／ｃｍ2）を照射した場合の加熱
温度の経時変化を示すものであり、ＧａＡｓ基板４があ
る状態では、加熱されるのは数１０ナノ秒程度である。
これに対して、接着剤層６に転写してからパルスレーザ
（ＹＡＧレーザ：照射エネルギー１００ｍＪ／ｃｍ2）
を照射した場合には、図４に示すように、実質的な照射
時間は数μ秒程度になる。
【００１８】上述の通り、レーザ照射によるアロイ化で
は、照射するレーザのエネルギーの設定が重要になる。
例えば、ｎ−ＧａＡｓのコンタクトメタルレーザアロイ
（ＧａＡｓ基板あり）において、波長５３２ｎｍのＹＡ
Ｇレーザの照射によりアロイ化を行う場合、１ショット
の照射では、図５に示すように、照射エネルギー３５０
ｍＪ／ｃｍ2近辺で接触抵抗（Ｒcotact）が最小になっ
ている。また、図６に示すように、５ショット以上の照
射では、接触抵抗はほとんど同じレベルまで低下してい
る。ただし、５ショット以上の照射では、メタルダメー
ジが問題になる
【００１９】表１は、ＹＡＧレーザのパワー（照射エネ
ルギー）とショット数に対するコンタクト抵抗、メタル
ダメージ、ＧａＡｓダメージを示すものである。照射エ
ネルギー３００ｍＪ／ｃｍ2はアブレーション直前のレ
ベルであり、照射エネルギーがこれ以上であると１ショ
ットでもＧａＡｓにダメージを与える。一方、照射エネ
ルギーを例えば２５０ｍＪ／ｃｍ2以下に設定すると、
５ショット以上でないとコンタクト抵抗が不十分とな
る。つまり、ＧａＡｓ基板ありの場合、コンタクト抵
抗、メタルダメージ、ＧａＡｓダメージの全てにおいて
良好な結果（表中○で示す。）となる条件はない。
【００２０】
【表１】
【００２１】これに対して、ＧａＡｓ基板なし（アブレ
ーションにより除去）で半導体素子を樹脂に転写してか
らＹＡＧレーザの照射によりアロイ化を行う場合、コン
タクト抵抗、メタルダメージ、ＧａＡｓダメージの全て
において良好な結果となる条件が存在する。図７及び図
８は、基板剥離後、ｎコンタクトメタルを形成し、ＹＡ
Ｇレーザ照射によるレーザアロイ化を行った結果を示す
ものである。ＹＡＧレーザの照射条件は、波長５３２ｎ
ｍ、ＵＶレンズ×２０（青）、１０Ｈｚ、１５０μｍ×
１５０μｍとし、照射エネルギーは１８８ｍＪ／ｃｍ2
（Ｅ）から２９ｍＪ／ｃｍ2（Ｉ）とした。また、図７
及び図８において、各照射領域の左半分は、レーザ照射
後にダメージ部分をエッチングした。これら図７及び図
８から明らかなように、ＧａＡｓ基板なしの場合には、
１００〜１５０ｍＪ／ｃｍ2で１ショット、２９ｍＪ／
ｃｍ2で３〜５ショットとすることで、ダメージが少な
く、安定してオーミックコンタクトを得ることができ
る。
【００２２】上記レーザ照射によるアロイ化は、エピタ
キシャル温度の低い低温成長層を有する半導体素子にお
けるアロイ化において有効である。例えば、図９に示す
ように、基板１１上にエピタキシャル温度５００℃の第
１のエピタキシャル成長層１２、エピタキシャル温度４
００℃の第２のエピタキシャル成長層１３、エピタキシ
ャル温度５５０℃の第３のエピタキシャル成長層１４、
エピタキシャル温度５２０℃の第４のエピタキシャル成
長層１５が積層された構造を有する半導体素子の場合、
上記第２のエピタキシャル成長層１３のエピタキシャル
温度が低いことから、金属層１６を形成してアロイ化し
ようとする場合、例えば４２０℃での熱アロイ化は不可
能である。ここで、レーザ照射によるアロイ化を採用す
れば、最表面（第４のエピタキシャル成長層１５）しか
加熱されないので、他の層、例えば第２のエピタキシャ
ル層１３にダメージを与えることなくアロイ化が可能と
なる。
【００２３】さらに、上記レーザ照射によるアロイ化で
は、選択的なアロイ化によるオーミックコンタクトの形
成が可能であり、いわばアロイのパターン化が可能であ
る。図１０は、このアロイのパターン化の一例を示すも
のである。通常の配線では、半導体素子上にパターン化
されたコンタクトメタルを形成した後、これを熱アロイ
化し、絶縁層及び配線パターンを形成するという手順を
踏む必要がある。レーザ照射によるアロイ化の場合、半
導体素子２１上にコンタクトメタル兼配線メタルとなる
金属層２２を全面に形成し、オーミックコンタクトとす
る必要のある領域２２ａにのみレーザ照射してアロイ化
する。これによってレーザ照射した部分のみがオーミッ
クコンタクトとなり、電流が流れる。かかるレーザによ
るパターン化アロイによれば、通常の配線と比べて工程
を減らすことができ、製造コストの削減につながる。
【００２４】上記合金化方法や配線形成方法は、例えば
発光素子を樹脂中に埋め込んでチップ部品化した後、電
極を樹脂表面に形成する表示素子の形成方法などに応用
することができる。以下、この表示素子の形成方法、さ
らには画像表示装置の製造方法について説明する。
【００２５】例えば発光ダイオードを用いて画像表示装
置を作製する場合、発光ダイオードを離間して配列する
必要がある。この配列方法としては種々の方法がある
が、ここでは二段階拡大転写法を例にして説明する。二
段階拡大転写法では、先ず、高集積度をもって第一基板
上に作成された素子を第一基板上で素子が配列された状
態よりは離間した状態となるように一時保持用部材に転
写し、次いで一時保持用部材に保持された前記素子をさ
らに離間して第二基板上に転写する二段階の拡大転写を
行う。なお、本例では転写を２段階としているが、素子
を離間して配置する拡大度に応じて転写を三段階やそれ
以上の多段階とすることもできる。
【００２６】図１１は二段階拡大転写法の基本的な工程
を示す図である。まず、図１１の（ａ）に示す第一基板
３０上に、例えば発光素子のような素子３２を密に形成
する。素子を密に形成することで、各基板当たりに生成
される素子の数を多くすることができ、製品コストを下
げることができる。第一基板３０は例えば半導体ウエ
ハ、ガラス基板、石英ガラス基板、サファイア基板、プ
ラスチック基板などの種々素子形成可能な基板である
が、各素子３２は第一基板３０上に直接形成したもので
あっても良く、他の基板上で形成されたものを配列した
ものであっても良い。
【００２７】次に図１１の（ｂ）に示すように、第一基
板３０から各素子３２が図中破線で示す一時保持用部材
３１に転写され、この一時保持用部材３１の上に各素子
３２が保持される。ここで隣接する素子３２は離間さ
れ、図示のようにマトリクス状に配される。すなわち素
子３２はｘ方向にもそれぞれ素子の間を広げるように転
写されるが、ｘ方向に垂直なｙ方向にもそれぞれ素子の
間を広げるように転写される。このとき離間される距離
は、特に限定されず、一例として後続の工程での樹脂部
形成や電極パッドの形成を考慮した距離とすることがで
きる。一時保持用部材３１上に第一基板３０から転写し
た際に第一基板３０上の全部の素子が離間されて転写さ
れるようにすることができる。この場合には、一時保持
用部材３１のサイズはマトリクス状に配された素子３２
の数（ｘ方向、ｙ方向にそれぞれ）に離間した距離を乗
じたサイズ以上であれば良い。また、一時保持用部材３
１上に第一基板３０上の一部の素子が離間されて転写さ
れるようにすることも可能である。
【００２８】このような第一転写工程の後、図１１の
（ｃ）に示すように、一時保持用部材３１上に存在する
素子３２は離間されていることから、各素子３２毎に素
子周りの樹脂の被覆と電極パッドの形成が行われる。素
子周りの樹脂の被覆は電極パッドを形成し易くし、次の
第二転写工程での取り扱いを容易にするなどのために形
成される。電極パッドの形成は、後述するように、最終
的な配線が続く第二転写工程の後に行われるため、その
際に配線不良が生じないように比較的大き目のサイズに
形成されるものである。なお、図１１の（ｃ）には電極
パッドは図示していない。各素子３２の周りを樹脂３３
が覆うことで樹脂形成チップ３４が形成される。素子３
２は平面上、樹脂形成チップ３４の略中央に位置する
が、一方の辺や角側に偏った位置に存在するものであっ
ても良い。
【００２９】次に、図１１の（ｄ）に示すように、第二
転写工程が行われる。この第二転写工程では一時保持用
部材３１上でマトリクス状に配される素子３２が樹脂形
成チップ３４ごと更に離間するように第二基板３５上に
転写される。第二転写工程においても、隣接する素子３
２は樹脂形成チップ３４ごと離間され、図示のようにマ
トリクス状に配される。すなわち素子３２はｘ方向にも
それぞれ素子の間を広げるように転写されるが、ｘ方向
に垂直なｙ方向にもそれぞれ素子の間を広げるように転
写される。第二転写工程によって配置された素子の位置
が画像表示装置などの最終製品の画素に対応する位置で
あるとすると、当初の素子３２間のピッチの略整数倍が
第二転写工程によって配置された素子３２のピッチとな
る。ここで第一基板３０から一時保持用部材３１での離
間したピッチの拡大率をｎとし、一時保持用部材３１か
ら第二基板３５での離間したピッチの拡大率をｍとする
と、略整数倍の値ＥはＥ＝ｎ×ｍで表される。
【００３０】第二基板３５上に樹脂形成チップ３４ごと
離間された各素子３２には、配線が施される。この時、
先に形成した電極パッド等を利用して接続不良を極力抑
えながらの配線がなされる。この配線は例えば素子３２
が発光ダイオードなどの発光素子の場合には、ｐ電極、
ｎ電極への配線を含む。
【００３１】図１１に示した二段階拡大転写法において
は、第一転写後の離間したスペースを利用して電極パッ
ドの形成などを行うことができ、そして第二転写後に配
線が施されるが、先に形成した電極パッド等を利用して
接続不良を極力抑えながらの配線がなされる。従って、
画像表示装置の歩留まりを向上させることができる。ま
た、本例の二段階拡大転写法においては、素子間の距離
を離間する工程が２工程であり、このような素子間の距
離を離間する複数工程の拡大転写を行うことで、実際は
転写回数が減ることになる。すなわち、例えば、ここで
第一基板３０から一時保持用部材３１での離間したピッ
チの拡大率を２（ｎ＝２）とし、一時保持用部材３１か
ら第二基板３５での離間したピッチの拡大率を２（ｍ＝
２）とすると、仮に一度の転写で拡大した範囲に転写し
ようとしたときでは、最終拡大率が２×２の４倍で、そ
の二乗の１６回の転写すなわち第一基板のアライメント
を１６回行う必要が生ずるが、本例の二段階拡大転写法
では、アライメントの回数は第一転写工程での拡大率２
の二乗の４回と第二転写工程での拡大率２の二乗の４回
を単純に加えただけの計８回で済むことになる。即ち、
同じ転写倍率を意図する場合においては、（ｎ＋ｍ）2
＝ｎ2＋２ｎｍ＋ｍ2であることから、必ず２ｎｍ回だけ
転写回数を減らすことができることになる。従って、製
造工程も回数分だけ時間や経費の節約となり、特に拡大
率の大きい場合に有益となる。
【００３２】なお、図１１に示した二段階拡大転写法に
おいては、素子３２を例えば発光素子としているが、こ
れに限定されず、他の素子例えば液晶制御素子、光電変
換素子、圧電素子、薄膜トランジスタ素子、薄膜ダイオ
ード素子、抵抗素子、スイッチング素子、微小磁気素
子、微小光学素子から選ばれた素子若しくはその部分、
これらの組み合わせなどであっても良い。
【００３３】上記第二転写工程においては、発光素子は
樹脂形成チップとして取り扱われ、一時保持用部材上か
ら第二基板にそれぞれ転写されるが、この樹脂形成チッ
プについて図１２及び図１３を参照して説明する。樹脂
形成チップ３４は、離間して配置されている発光素子３
２の周りを樹脂３３で固めたものであり、このような樹
脂形成チップ３４は、一時保持用部材から第二基板に発
光素子３２を転写する場合に使用できるものである。樹
脂形成チップ３４は略平板上でその主たる面が略正方形
状とされる。この樹脂形成チップ３４の形状は樹脂３３
を固めて形成された形状であり、具体的には未硬化の樹
脂を各発光素子３２を含むように全面に塗布し、これを
硬化した後で縁の部分をダイシング等で切断することで
得られる形状である。
【００３４】略平板状の樹脂３３の表面側と裏面側には
それぞれ電極パッド３６，３７が形成される。これら電
極パッド３６，３７の形成は全面に電極パッド３６，３
７の材料となる金属層や多結晶シリコン層などの導電層
を形成し、フォトリソグラフィー技術により所要の電極
形状にパターンニングすることで形成される。これら電
極パッド３６，３７は発光素子３２のｐ電極とｎ電極に
それぞれ接続するように形成されており、必要な場合に
は樹脂３３にビアホールなどが形成される。上記配線形
成方法は、これら電極パッド３６，３７の形成に応用す
ることができ、電極パッド３６，３７を成膜する前に、
樹脂３３を減圧下で加熱して水分などを十分に脱ガスす
る。
【００３５】ここで電極パッド３６，３７は樹脂形成チ
ップ３４の表面側と裏面側にそれぞれ形成されている
が、一方の面に両方の電極パッドを形成することも可能
であり、例えば薄膜トランジスタの場合ではソース、ゲ
ート、ドレインの３つの電極があるため、電極パッドを
３つ或いはそれ以上形成しても良い。電極パッド３６，
３７の位置が平板上ずれているのは、最終的な配線形成
時に上側からコンタクトをとっても重ならないようにす
るためである。電極パッド３５，３６の形状も正方形に
限定されず他の形状としても良い。
【００３６】このような樹脂形成チップ３４を構成する
ことで、発光素子３２の周りが樹脂３３で被覆され平坦
化によって精度良く電極パッド３６，３７を形成できる
とともに発光素子３２に比べて広い領域に電極パッド３
６，３７を延在でき、次の第二転写工程での転写を吸着
治具で進める場合には取り扱いが容易になる。後述する
ように、最終的な配線が続く第二転写工程の後に行われ
るため、比較的大き目のサイズの電極パッド３６，３７
を利用した配線を行うことで、配線不良が未然に防止さ
れる。
【００３７】次に、図１４に本例の二段階拡大転写法で
使用される素子の一例としての発光素子の構造を示す。
図１４の（ａ）が素子断面図であり、図１４の（ｂ）が
平面図である。この発光素子はＧａＮ系の発光ダイオー
ドであり、たとえばサファイア基板上に結晶成長される
素子である。このようなＧａＮ系の発光ダイオードで
は、基板を透過するレーザ照射によってレーザアブレー
ションが生じ、ＧａＮの窒素が気化する現象にともなっ
てサファイア基板とＧａＮ系の成長層の間の界面で膜剥
がれが生じ、素子分離を容易なものにできる特徴を有し
ている。
【００３８】まず、その構造については、ＧａＮ系半導
体層からなる下地成長層４１上に選択成長された六角錐
形状のＧａＮ層４２が形成されている。なお、下地成長
層４１上には図示しない絶縁膜が存在し、六角錐形状の
ＧａＮ層４２はその絶縁膜を開口した部分にＭＯＣＶＤ
法などによって形成される。このＧａＮ層４２は、成長
時に使用されるサファイア基板の主面をＣ面とした場合
にＳ面（１−１０１面）で覆われたピラミッド型の成長
層であり、シリコンをドープさせた領域である。このＧ
ａＮ層４２の傾斜したＳ面の部分はダブルへテロ構造の
クラッドとして機能する。ＧａＮ層４２の傾斜したＳ面
を覆うように活性層であるＩｎＧａＮ層４３が形成され
ており、その外側にマグネシウムドープのＧａＮ層４４
が形成される。このマグネシウムドープのＧａＮ層４４
もクラッドとして機能する。
【００３９】このような発光ダイオードには、ｐ電極４
５とｎ電極４６が形成されている。ｐ電極４５はマグネ
シウムドープのＧａＮ層４４上に形成されるＮｉ／Ｐｔ
／ＡｕまたはＮｉ（Ｐｄ）／Ｐｔ／Ａｕなどの金属材料
を蒸着して形成される。ｎ電極４６は前述の図示しない
絶縁膜を開口した部分でＴｉ／Ａｌ／Ｐｔ／Ａｕなどの
金属材料を蒸着して形成される。なお、下地成長層４１
の裏面側からｎ電極取り出しを行う場合は、ｎ電極４６
の形成は下地成長層４１の表面側には不要となる。
【００４０】このような構造のＧａＮ系の発光ダイオー
ドは、青色発光も可能な素子であって、特にレーザアブ
レーションよって比較的簡単にサファイア基板から剥離
することができ、レーザビームを選択的に照射すること
で選択的な剥離が実現される。なお、ＧａＮ系の発光ダ
イオードとしては、平板上や帯状に活性層が形成される
構造であっても良く、上端部にＣ面が形成された角錐構
造のものであっても良い。また、他の窒化物系発光素子
や化合物半導体素子などであっても良い。
【００４１】次に、図１１に示す発光素子の配列方法を
応用した画像表示装置の製造の具体的手法について説明
する。発光素子は図１４に示したＧａＮ系の発光ダイオ
ードを用いている。先ず、図１５に示すように、第一基
板５１の主面上には複数の発光ダイオード５２が密な状
態で形成されている。発光ダイオード５２の大きさは微
小なものとすることができ、例えば一辺約２０μｍ程度
とすることができる。第一基板５１の構成材料としては
サファイア基板などのように発光ダイオード５２に照射
するレーザの波長に対して透過率の高い材料が用いられ
る。発光ダイオード５２にはｐ電極などまでは形成され
ているが最終的な配線は未だなされておらず、素子間分
離の溝５２ｇが形成されていて、個々の発光ダイオード
５２は分離できる状態にある。この溝５２ｇの形成は例
えば反応性イオンエッチングで行う。
【００４２】次いで、第一基板５１上の発光ダイオード
５２を第１の一時保持用部材５３上に転写する。ここで
第１の一時保持用部材５３の例としては、ガラス基板、
石英ガラス基板、プラスチック基板などを用いることが
でき、本例では石英ガラス基板を用いた。また、第１の
一時保持用部材５３の表面には、離型層として機能する
剥離層５４が形成されている。剥離層５４には、フッ素
コート、シリコーン樹脂、水溶性接着剤（例えばポリビ
ニルアルコール：ＰＶＡ）、ポリイミドなどを用いるこ
とができるが、ここではポリイミドを用いた。
【００４３】転写に際しては、図１５に示すように、第
一基板５１上に発光ダイオード５２を覆うに足る接着剤
（例えば紫外線硬化型の接着剤）５５を塗布し、発光ダ
イオード５２で支持されるように第１の一時保持用部材
５３を重ね合わせる。この状態で、図１６に示すように
第１の一時保持用部材５３の裏面側から接着剤５５に紫
外線（ＵＶ）を照射し、これを硬化する。第１の一時保
持用部材５３は石英ガラス基板であり、上記紫外線はこ
れを透過して接着剤５５を速やかに硬化する。
【００４４】このとき、第１の一時保持用部材５３は、
発光ダイオード５２によって支持されていることから、
第一基板５１と第１の一時保持用部材５３との間隔は、
発光ダイオード５２の高さによって決まることになる。
図１６に示すように発光ダイオード５２で支持されるよ
うに第１の一時保持用部材５３を重ね合わせた状態で接
着剤５５を硬化すれば、当該接着剤５５の厚さｔは、第
一基板５１と第１の一時保持用部材５３との間隔によっ
て規制されることになり、発光ダイオード５２の高さに
よって規制される。すなわち、第一基板５１上の発光ダ
イオード５２がスペーサとしての役割を果たし、一定の
厚さの接着剤層が第一基板５１と第１の一時保持用部材
５３の間に形成されることになる。このように、上記の
方法では、発光ダイオード５２の高さにより接着剤層の
厚みが決まるため、厳密に圧力を制御しなくとも一定の
厚みの接着剤層を形成することが可能である。
【００４５】接着剤５５を硬化した後、図１７に示すよ
うに、発光ダイオード５２に対しレーザを第一基板５１
の裏面から照射し、当該発光ダイオード５２を第一基板
５１からレーザアブレーションを利用して剥離する。Ｇ
ａＮ系の発光ダイオード５２はサファイアとの界面で金
属のＧａと窒素に分解することから、比較的簡単に剥離
できる。照射するレーザとしてはエキシマレーザ、高調
波ＹＡＧレーザなどが用いられる。このレーザアブレー
ションを利用した剥離によって、発光ダイオード５２は
第一基板５１の界面で分離し、一時保持用部材５３上に
接着剤５５に埋め込まれた状態で転写される。
【００４６】図１８は、上記剥離により第一基板５１を
取り除いた状態を示すものである。このとき、レーザに
てＧａＮ系発光ダイオードをサファイア基板からなる第
一基板５１から剥離しており、その剥離面にＧａ５６が
析出しているため、これをエッチングすることが必要で
ある。そこで、ＮａＯＨ水溶液もしくは希硝酸などによ
りウエットエッチングを行い、図１９に示すように、Ｇ
ａ５６を除去する。さらに、図２０に示すように、酸素
プラズマ（Ｏ2プラズマ）により表面を清浄化し、ダイ
シングにより接着剤５５をダイシング溝５７によって切
断し、発光ダイオード５２毎にダイシングした後、発光
ダイオード５２の選択分離を行なう。ダイシングプロセ
スは通常のブレードを用いたダイシング、２０μｍ以下
の幅の狭い切り込みが必要なときには上記レーザを用い
たレーザによる加工を行う。その切り込み幅は画像表示
装置の画素内の接着剤５５で覆われた発光ダイオード５
２の大きさに依存するが、一例として、エキシマレーザ
にて溝加工を行い、チップの形状を形成する。
【００４７】発光ダイオード５２を選択分離するには、
先ず、図２１に示すように、清浄化した発光ダイオード
５２上に熱可塑性接着剤５８を塗布し、この上に第２の
一時保持用部材５９を重ねる。この第２の一時保持用部
材５９も、先の第１の一時保持用部材５３と同様、ガラ
ス基板、石英ガラス基板、プラスチック基板などを用い
ることができ、本例では石英ガラス基板を用いた。ま
た、この第２の一時保持用部材５９の表面にもポリイミ
ドなどからなる剥離層６０を形成しておく。
【００４８】次いで、図２２に示すように、転写対象と
なる発光ダイオード５２ａに対応した位置にのみ第１の
一時保持用部材５３の裏面側からレーザを照射し、レー
ザアブレーショによりこの発光ダイオード５２ａを第１
の一時保持用部材５３から剥離する。それと同時に、や
はり転写対象となる発光ダイオード５２ａに対応した位
置に、第２の一時保持用部材５９の裏面側から可視また
は赤外レーザ光を照射して、この部分の熱可塑性接着剤
５８を一旦溶融し硬化させる。その後、第２の一時保持
用部材５９を第１の一時保持用部材５３から引き剥がす
と、図２３に示すように、上記転写対象となる発光ダイ
オード５２ａのみが選択的に分離され、第２の一時保持
用部材５９上に転写される。
【００４９】上記選択分離後、図２４に示すように、転
写された発光ダイオード５２を覆って樹脂を塗布し、樹
脂層６１を形成する。さらに、図２５に示すように、酸
素プラズマなどにより樹脂層６１の厚さを削減し、図２
６に示すように、発光ダイオード５２に対応した位置に
レーザの照射によりビアホール６２を形成する。ビアホ
ール６２の形成には、エキシマレーザ、高調波ＹＡＧレ
ーザ、炭酸ガスレーザなどを用いることができる。この
とき、ビアホール６２は例えば約３〜７μｍの径を開け
ることになる。
【００５０】次に、上記ビアホール６２を介して発光ダ
イオード５２のｐ電極と接続されるアノード側電極パッ
ド６３を形成する。このアノード側電極パッド６３は、
例えばＮｉ／Ｐｔ／Ａｕなどで形成する。図２７は、発
光ダイオード５２を第２の一時保持用部材５９に転写し
て、アノード電極（ｐ電極）側のビアホール６２を形成
した後、アノード側電極パッド６３を形成した状態を示
している。この電極パッド６３を形成した後、上記合金
化方法を利用してオーミックコンタクトとする。
【００５１】すなわち、電極パッド６３を形成した後、
レーザ、例えばＹＡＧレーザ（波長５３２ｎｍ）を電極
パッド６３の発光ダイオード５２との接触部分にのみ選
択的に照射し、アロイ化する。このとき、発光ダイオー
ド５２は転写され樹脂層６１などに埋め込まれた状態と
されているので、低い照射エネルギーでアロイ化され、
発光ダイオード５２がダメージを受けることなく良好な
オーミックコンタクトが実現される。
【００５２】上記アノード側電極パッド６３を形成した
後、反対側の面にカソード側電極を形成するため、第３
の一時保持用部材６４への転写を行う。第３の一時保持
用部材６４も、例えば石英ガラスなどからなる。転写に
際しては、図２８に示すように、アノード側電極パッド
６３を形成した発光ダイオード５２、さらには樹脂層６
１上に接着剤６５を塗布し、この上に第３の一時保持用
部材６４を貼り合せる。この状態で第２の一時保持用部
材５９の裏面側からレーザを照射すると、石英ガラスか
らなる第２の一時保持用部材５９と、当該第２の一時保
持用部材５９上に形成されたポリイミドからなる剥離層
６０の界面でレーザアブレーションによる剥離が起き、
剥離層６０上に形成されている発光ダイオード５２や樹
脂層６１は、第３の一時保持用部材６４上に転写され
る。図２９は、第２の一時保持用部材５９を分離した状
態を示すものである。
【００５３】カソード側電極の形成に際しては、上記の
転写工程を経た後、図３０に示すＯ 2プラズマ処理によ
り上記剥離層６０や余分な樹脂層６１を除去し、発光ダ
イオード５２のコンタクト半導体層（ｎ電極）を露出さ
せる。発光ダイオード５２は一時保持用部材６４の接着
剤６５によって保持された状態で、発光ダイオード５２
の裏面がｎ電極側（カソード電極側）になっていて、図
３１に示すように電極パッド６６を形成すれば、電極パ
ッド６６は発光ダイオード５２の裏面と電気的に接続さ
れる。この電極パッド６６を形成した後にも上記合金化
方法を応用し、オーミックコンタクトとする。すなわ
ち、電極パッド６６を形成した後、レーザ、例えばＹＡ
Ｇレーザ（波長５３２ｎｍ）を電極パッド６６の発光ダ
イオード５２との接触部分にのみ選択的に照射し、アロ
イ化する。
【００５４】上記カソード側の電極パッドは、例えば約
６０μｍ角とすることができる。電極パッド６６として
は透明電極（ＩＴＯ、ＺｎＯ系など）もしくはＴｉ／Ａ
ｌ／Ｐｔ／Ａｕなどの材料を用いる。透明電極の場合は
発光ダイオード５２の裏面を大きく覆っても発光をさえ
ぎることがないので、パターニング精度が粗く、大きな
電極形成ができ、パターニングプロセスが容易になる。
【００５５】次に、上記樹脂層６１や接着剤６５によっ
て固められた発光ダイオード５２を個別に切り出し、上
記樹脂形成チップの状態にする。切り出しは、例えばレ
ーザダイシングにより行えばよい。図３２は、レーザダ
イシングによる切り出し工程を示すものである。レーザ
ダイシングは、レーザのラインビームを照射することに
より行われ、上記樹脂層６１及び接着剤６５を第３の一
時保持用部材６４が露出するまで切断する。このレーザ
ダイシングにより各発光ダイオード５２は所定の大きさ
の樹脂形成チップとして切り出され、後述の実装工程へ
と移行される。
【００５６】実装工程では、機械的手段（真空吸引によ
る素子吸着）とレーザアブレーションの組み合わせによ
り発光ダイオード５２（樹脂形成チップ）が第３の一時
保持用部材６４から剥離される。図３３は、第３の一時
保持用部材６４上に配列している発光ダイオード５２を
吸着装置６７でピックアップするところを示した図であ
る。このときの吸着孔６８は画像表示装置の画素ピッチ
にマトリクス状に開口していて、発光ダイオード５２を
多数個、一括で吸着できるようになっている。このとき
の開口径は、例えば直径約１００μｍで６００μｍピッ
チのマトリクス状に開口されて、一括で約３００個を吸
着できる。このときの吸着孔６８の部材は例えば、Ｎｉ
電鋳により作製したもの、もしくはＳＵＳなどの金属板
をエッチングで穴加工したものが使用され、吸着孔６８
の奥には吸着チャンバ６９が形成されており、この吸着
チャンバ６９を負圧に制御することで発光ダイオード５
２の吸着が可能になる。発光ダイオード５２はこの段階
で樹脂層６１で覆われており、その上面は略平坦化され
ている。このために吸着装置６７による選択的な吸着を
容易に進めることができる。
【００５７】なお、上記吸着装置６７には、真空吸引に
よる素子吸着の際に、発光ダイオード５２（樹脂形成チ
ップ）を一定の位置に安定して保持できるように、素子
位置ずれ防止手段を形成しておくことが好ましい。図３
４は、素子位置ずれ防止手段７０を設けた吸着装置６７
の一例を示すものである。本例では、素子位置ずれ防止
手段７０は、樹脂形成チップの周面に当接する位置決め
ピンとして形成されており、これが樹脂形成チップの周
面（具体的にはレーザダイシングにより切断された樹脂
層６１の切断面）に当接することにより、吸着装置６７
と樹脂形成チップ（すなわち発光ダイオード５２）とが
互いに正確に位置合わせされる。上記レーザダイシング
により切断された樹脂層６１の切断面は、完全な垂直面
ではなく、５°〜１０°程度のテーパ−を有する。した
がって、上記位置決めピン（素子位置ずれ防止手段６
０）にも同様のテーパ−を持たせておけば、吸着装置６
７と発光ダイオード５２間に若干の位置ずれがあったと
しても、速やかに矯正される。
【００５８】上記発光ダイオード５２の剥離に際して
は、上記吸着装置６７による素子吸着と、レーザアブレ
ーションによる樹脂形成チップの剥離を組み合わせ、剥
離が円滑に進むようにしている。レーザアブレーション
は、第３の一時保持用部材６４の裏面側からレーザを照
射することにより行う。このレーザアブレーションによ
って、第３の一時保持用部材６４と接着剤６５の界面で
剥離が生ずる。
【００５９】図３５は発光ダイオード５２を第二基板７
１に転写するところを示した図である。第二基板７１
は、配線層７２を有する配線基板であり、発光ダイオー
ド５２を装着する際に第二基板７１にあらかじめ接着剤
層７３が塗布されており、その発光ダイオード５２下面
の接着剤層７３を硬化させ、発光ダイオード５２を第二
基板７１に固着して配列させることができる。この装着
時には、吸着装置６７の吸着チャンバ６９が圧力の高い
状態となり、吸着装置６７と発光ダイオード５２との吸
着による結合状態は解放される。接着剤層７３はＵＶ硬
化型接着剤、熱硬化性接着剤、熱可塑性接着剤などによ
って構成することができる。第二基板７１上で発光ダイ
オード５２が配置される位置は、一時保持用部材６４上
での配列よりも離間したものとなる。接着剤層７３の樹
脂を硬化させるエネルギーは第二基板７１の裏面から供
給される。ＵＶ硬化型接着剤の場合はＵＶ照射装置に
て、熱硬化性接着剤の場合は赤外線加熱などによって発
光ダイオード５２の下面のみ硬化させ、熱可塑性接着剤
場合は、赤外線やレーザの照射によって接着剤を溶融さ
せ接着を行う。
【００６０】図３６は、他の色の発光ダイオード７４を
第二基板７１に配列させるプロセスを示す図である。図
３３あるいは図３４で用いた吸着装置６７をそのまま使
用して、第二基板７１にマウントする位置をその色の位
置にずらすだけでマウントすると、画素としてのピッチ
は一定のまま複数色からなる画素を形成できる。ここ
で、発光ダイオード５２と発光ダイオード７４は必ずし
も同じ形状でなくとも良い。図３６では、赤色の発光ダ
イオード７４が六角錐のＧａＮ層を有しないプレーナ型
構造とされ、他の発光ダイオード５２とその形状が異な
っているが、この段階では各発光ダイオード５２、７４
は既に樹脂形成チップとして樹脂層６１、接着剤６５で
覆われており、素子構造の違いにもかかわらず同一の取
り扱いが実現される。
【００６１】次いで、図３７に示すように、これら発光
ダイオード５２，７４を含む樹脂形成チップを覆って絶
縁層７５を形成する。絶縁層７５としては、透明エポキ
シ接着剤、ＵＶ硬化型接着剤、ポリイミドなどを用いる
ことができる。上記絶縁層７５を形成した後、配線形成
工程を行なう。図３８は配線形成工程を示す図である。
絶縁層７５に開口部７６、７７、７８、７９、８０、８
１を形成し、発光ダイオード５２、７４のアノード、カ
ソードの電極パッドと第二基板７１の配線層７２を接続
する配線８２、８３、８４を形成した図である。このと
きに形成する開口部すなわちビアホールは発光ダイオー
ド５２、７４の電極パッドの面積を大きくしているので
大きくすることができ、ビアホールの位置精度も各発光
ダイオードに直接形成するビアホールに比べて粗い精度
で形成できる。例えば、このときのビアホールは、約６
０μｍ角の電極パッドに対し、直径約２０μｍのものを
形成できる。また、ビアホールの深さは配線基板と接続
するもの、アノード電極と接続するもの、カソード電極
と接続するものの３種類の深さがあるのでレーザのパル
ス数で制御し、最適な深さを開口する。
【００６２】その後、図３９に示すように、保護層８５
を形成し、ブラックマスク８６を形成して画像表示装置
のパネルは完成する。このときの保護層８５は図３６の
絶縁層７５と同様であり、透明エポキシ接着剤などの材
料が使用できる。この保護層８５は加熱硬化し配線を完
全に覆う。この後、パネル端部の配線からドライバーＩ
Ｃを接続して駆動パネルを製作することになる。
【００６３】上述のような発光素子の配列方法において
は、一時保持用部材５９、６４に発光ダイオード５２を
保持させた時点で既に、素子間の距離が大きくされ、そ
の広がった間隔を利用して比較的サイズの電極パッド６
３、６６などを設けることが可能となる。それら比較的
サイズの大きな電極パッド６３、６６を利用した配線が
行われるために、素子サイズに比較して最終的な装置の
サイズが著しく大きな場合であっても容易に配線を形成
できる。また、本例の発光素子の配列方法では、発光ダ
イオード５２の周囲が硬化した樹脂層６１で被覆され平
坦化によって精度良く電極パッド６３，６６を形成でき
るとともに素子に比べて広い領域に電極パッド６３，６
６を延在でき、次の第二転写工程での転写を吸着治具で
進める場合には取り扱いが容易になる。
【００６４】
【発明の効果】以上の説明からも明らかなように、本発
明の合金化方法、配線形成方法によれば、半導体素子の
特性に支障をきたすことがなく、必要な部分のみを速や
かにアロイ化しオーミックコンタクトにすることが可能
である。また、照射するレーザのエネルギーを低く設定
することができので、例えば照射面積を増やしてスルー
プットを高くすることができ、製造コストを大幅に削減
することが可能である。
【００６５】また、本発明の表示素子の形成方法によれ
ば、発光素子を樹脂によりモジュール化した場合にも良
好な電極形成が可能で、搬送や基体への実装も容易であ
るような構造を有し信頼性の高い表示素子を作製するこ
とができる。さらに、これら合金化方法や配線形成方
法、表示素子の形成方法を応用することにより、性能に
優れ、且つ生産性に優れ製造コストを抑えることが可能
な画像表示装置の製造方法を提供することが可能であ
る。
【図面の簡単な説明】
【図１】マイクロＬＥＤの一構造例を示す概略断面図で
ある。
【図２】マイクロＬＥＤの電極形成工程の一例を示す概
略断面図であり、（ａ）はｐ−電極形成工程、（ｂ）は
レーザアブレーション工程、（ｃ）はｎ−電極形成工
程、（ｄ）は合金化工程をそれぞれ示す。
【図３】ＧａＡｓ基板を除去する前にパルスレーザを照
射した場合の温度変化を示す特性図である。
【図４】接着剤層に転写した後にパルスレーザを照射し
た場合の温度変化を示す特性図である。
【図５】ＹＡＧレーザの照射エネルギーと接触抵抗の関
係を示す特性図である。
【図６】ＹＡＧレーザの照射ショット数と接触抵抗の関
係を示す特性図である。
【図７】レーザ照射によるコンタクト抵抗の評価結果を
示すものであり、レーザ照射後にノマルスキー観察した
結果を示す写真である。
【図８】レーザ照射によるコンタクト抵抗の評価結果を
示すものであり、レーザ照射後に裏面側から透過光によ
り観察した結果を示す写真である。
【図９】低温成長層を有する半導体素子の一例を示す概
略断面図である。
【図１０】パターン化した合金化の例を示す概略断面図
である。
【図１１】素子の配列方法を示す模式図である。
【図１２】樹脂形成チップの概略斜視図である。
【図１３】樹脂形成チップの概略平面図である。
【図１４】発光素子の一例を示す図であって、（ａ）は
断面図、（ｂ）は平面図である。
【図１５】第１の一時保持用部材の接合工程を示す概略
断面図である。
【図１６】ＵＶ接着剤硬化工程を示す概略断面図であ
る。
【図１７】レーザアブレーション工程を示す概略断面図
である。
【図１８】第一基板の分離工程を示す概略断面図であ
る。
【図１９】Ｇａ除去工程を示す概略断面図である。
【図２０】素子分離溝形成工程を示す概略断面図であ
る。
【図２１】第２の一時保持用部材の接合工程を示す概略
断面図である。
【図２２】選択的なレーザアブレーション及びＵＶ露光
工程を示す概略断面図である。
【図２３】発光ダイオードの選択分離工程を示す概略断
面図である。
【図２４】樹脂による埋め込み工程を示す概略断面図で
ある。
【図２５】樹脂層厚削減工程を示す概略断面図である。
【図２６】ビア形成工程を示す概略断面図である。
【図２７】アノード側電極パッド形成工程を示す概略断
面図である。
【図２８】レーザアブレーション工程を示す概略断面図
である。
【図２９】第２の一時保持用部材の分離工程を示す概略
断面図である。
【図３０】コンタクト半導体層露出工程を示す概略断面
図である。
【図３１】カソード側電極パッド形成工程を示す概略断
面図である。
【図３２】レーザダイシング工程を示す概略断面図であ
る。
【図３３】吸着装置による選択的ピックアップ工程を示
す概略断面図である。
【図３４】素子位置ずれ防止手段を設けた吸着装置の一
例を示す概略断面図である。
【図３５】第二基板への転写工程を示す概略断面図であ
る。
【図３６】他の発光ダイオードの転写工程を示す概略断
面図である。
【図３７】絶縁層形成工程を示す概略断面図である。
【図３８】配線形成工程を示す概略断面図である。
【図３９】保護層及びブラックマスク形成工程を示す概
略断面図である。
【符号の説明】
１ マイクロＬＥＤ、１ａ ｎ−クラッド層、１ｂ 活
性層、１ｃ ｐ−クラッド層、２ ｎ−電極、３ ｐ−
電極、４ ＧａＡｓ基板、６ 接着剤層、１６，２２
金属層、５２ 発光ダイオード、６１ 樹脂層、６３，
６６ 電極パッド
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０１Ｌ 33/00 Ｈ０１Ｌ 33/00 Ｅ Ｆターム(参考） 4M104 AA04 AA05 BB05 BB11 CC01 DD78 DD81 GG04 5C094 AA25 AA42 AA43 AA44 AA48 BA25 CA19 DA12 DB01 DB04 EB10 FB12 FB14 GB10 JA20 5F041 AA21 AA37 AA40 AA42 CA04 CA12 CA35 CA40 CA57 CA77 CA85 CA98 CA99 CB36 DA01 DA14 DA19 DA35 DA44 DA82 DB08 FF04 5G435 AA16 AA17 BB04 CC09 EE41 HH12 HH13 KK05 KK10

Claims (25)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 熱伝導率が低い材料に転写された半導体
    上に金属層を形成し、半導体もしくは金属層の少なくと
    も一方が吸収する波長のレーザを照射してこれら半導体
    と金属層の界面を合金化することを特徴とする合金化方
    法。
  2. 【請求項２】 上記レーザの照射エネルギーを２０〜１
    ００ｍＪ／ｃｍ2とすることを特徴とする請求項１記載
    の合金化方法。
  3. 【請求項３】 上記熱伝導率が低い材料が、樹脂または
    アモルファスシリコンであることを特徴とする請求項１
    記載の合金化方法。
  4. 【請求項４】 上記半導体が、ＧａＡｓであることを特
    徴とする請求項１記載の合金化方法。
  5. 【請求項５】 上記レーザが、ＹＡＧレーザであること
    を特徴とする請求項１記載の合金化方法。
  6. 【請求項６】 上記レーザを選択的に照射し、照射領域
    においてのみ上記半導体と金属層の界面を合金化するこ
    とを特徴とする請求項１記載の合金化方法。
  7. 【請求項７】 上記半導体は、上記金属層と接する部分
    よりも低い温度でエピタキシャル成長された低温成長層
    を有することを特徴とする請求項１記載の合金化方法。
  8. 【請求項８】 上記半導体の両面に金属層を形成するこ
    とを特徴とする請求項１記載の合金化方法。
  9. 【請求項９】 半導体基板上に形成された半導体素子を
    熱伝導率が低い材料に転写して半導体基板を除去した後
    に、半導体素子と接する金属層を配線として形成し、半
    導体素子もしくは金属層の少なくとも一方が吸収する波
    長のレーザを照射してこれら半導体素子と配線の界面を
    合金化することを特徴とする配線形成方法。
  10. 【請求項１０】 上記レーザの照射エネルギーを２０〜
    １００ｍＪ／ｃｍ2とすることを特徴とする請求項９記
    載の配線形成方法。
  11. 【請求項１１】 上記熱伝導率が低い材料が、樹脂また
    はアモルファスシリコンであることを特徴とする請求項
    ９記載の配線形成方法。
  12. 【請求項１２】 上記半導体素子が、ＧａＡｓからなる
    ことを特徴とする請求項９記載の配線形成方法。
  13. 【請求項１３】 上記レーザが、ＹＡＧレーザであるこ
    とを特徴とする請求項９記載の配線形成方法。
  14. 【請求項１４】 上記レーザを選択的に照射し、照射領
    域においてのみ上記半導体素子と配線の界面を合金化す
    ることを特徴とする請求項９記載の配線形成方法。
  15. 【請求項１５】 上記半導体素子の両面に配線を形成す
    ることを特徴とする請求項９記載の配線形成方法。
  16. 【請求項１６】 半導体からなる発光素子を樹脂中に埋
    め込んだ後、金属層からなる電極を樹脂表面に形成する
    表示素子の形成方法において、半導体もしくは金属層の
    少なくとも一方が吸収する波長のレーザを照射して発光
    素子と電極の界面を合金化することを特徴とする表示素
    子の形成方法。
  17. 【請求項１７】 上記発光素子に用いられる半導体が、
    ＧａＡｓであることを特徴とする請求項１６記載の表示
    素子の形成方法。
  18. 【請求項１８】 上記発光素子は、半導体ＬＥＤ素子で
    あることを特徴とする請求項１６記載の表示素子の形成
    方法。
  19. 【請求項１９】 上記レーザが、ＹＡＧレーザであるこ
    とを特徴とする請求項１６記載の表示素子の形成方法。
  20. 【請求項２０】 上記発光素子の両面に電極を形成する
    ことを特徴とする請求項１６記載の表示素子の形成方
    法。
  21. 【請求項２１】 第一基板上で発光素子が配列された状
    態よりは離間した状態となるように前記発光素子を転写
    して一時保持用部材に前記発光素子を保持させる第一転
    写工程と、前記一時保持用部材に保持された前記発光素
    子をさらに離間して第二基板上に転写する第二転写工程
    と、前記各発光素子と接続される配線を形成する配線形
    成工程とを有し、発光素子が樹脂に埋め込まれチップ部
    品化された表示素子をマトリクス状に配置する画像表示
    装置の製造方法において、半導体からなる発光素子を樹
    脂中に埋め込んだ後、半導体もしくは金属層の少なくと
    も一方が吸収する波長のレーザを照射して発光素子と電
    極の界面を合金化することを特徴とする画像表示装置の
    製造方法。
  22. 【請求項２２】 上記発光素子に用いられる半導体が、
    ＧａＡｓであることを特徴とする請求項２１記載の画像
    表示装置の製造方法。
  23. 【請求項２３】 上記発光素子は、半導体ＬＥＤ素子で
    あることを特徴とする請求項２１記載の画像表示装置の
    製造方法。
  24. 【請求項２４】 上記レーザが、ＹＡＧレーザであるこ
    とを特徴とする請求項２１記載の画像表示装置の製造方
    法。
  25. 【請求項２５】 上記発光素子の両面に電極を形成する
    ことを特徴とする請求項２１記載の画像表示装置の製造
    方法。
JP2002362214A 2002-01-17 2002-12-13 合金化方法及び配線形成方法、表示素子の形成方法、画像表示装置の製造方法 Abandoned JP2003282478A (ja)

Priority Applications (7)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2002362214A JP2003282478A (ja) 2002-01-17 2002-12-13 合金化方法及び配線形成方法、表示素子の形成方法、画像表示装置の製造方法
TW092100595A TWI264064B (en) 2002-01-17 2003-01-13 Alloying method, and wiring forming method, display device forming method, and image display unit fabricating method
US10/341,682 US6878574B2 (en) 2002-01-17 2003-01-14 Alloying method for a image display device using laser irradiation
US11/103,163 US7011990B2 (en) 2002-01-17 2005-04-11 Alloying method using laser irradiation for a light emitting device
US11/103,103 US7049227B2 (en) 2002-01-17 2005-04-11 Method for alloying a wiring portion for a image display device
US11/103,174 US7008827B2 (en) 2002-01-17 2005-04-11 Alloy method using laser irradiation
US11/103,101 US7319052B2 (en) 2002-01-17 2005-04-11 Alloying method, and wiring forming method, display device forming method, and image display unit fabricating method

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2002009154 2002-01-17
JP2002-9154 2002-01-17
JP2002362214A JP2003282478A (ja) 2002-01-17 2002-12-13 合金化方法及び配線形成方法、表示素子の形成方法、画像表示装置の製造方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2003282478A true JP2003282478A (ja) 2003-10-03

Family

ID=29252975

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2002362214A Abandoned JP2003282478A (ja) 2002-01-17 2002-12-13 合金化方法及び配線形成方法、表示素子の形成方法、画像表示装置の製造方法

Country Status (3)

Country Link
US (5) US6878574B2 (ja)
JP (1) JP2003282478A (ja)
TW (1) TWI264064B (ja)

Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005115086A (ja) * 2003-10-08 2005-04-28 Ricoh Co Ltd 薄膜デバイス装置の製造方法、アクティブマトリクス基板の製造方法、電気光学装置の製造方法、薄膜デバイス装置、アクティブマトリクス基板及び電気光学装置
JP2005303285A (ja) * 2004-03-18 2005-10-27 Showa Denko Kk Ｉｉｉ族窒化物半導体発光素子、その製造方法及びｌｅｄランプ
JP2008515210A (ja) * 2004-09-29 2008-05-08 オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング 薄膜半導体チップの製造方法
JP2010109018A (ja) * 2008-10-28 2010-05-13 Panasonic Electric Works Co Ltd 半導体発光素子の製造方法
KR20110050357A (ko) * 2009-11-06 2011-05-13 울트라테크 인크. ＧａＮ ＬＥＤ 및 그 형성 방법
JP2011124455A (ja) * 2009-12-11 2011-06-23 Japan Steel Works Ltd:The 半導体基板の製造方法およびレーザアニール装置
KR20190040493A (ko) * 2016-08-24 2019-04-18 토레 엔지니어링 가부시키가이샤 실장 방법 및 실장 장치
WO2021006247A1 (ja) * 2019-07-11 2021-01-14 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置、及びその製造方法
KR20210133780A (ko) * 2020-04-29 2021-11-08 한국광기술원 마이크로 발광소자 전사방법

Families Citing this family (42)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7585703B2 (en) * 2002-11-19 2009-09-08 Ishikawa Seisakusho, Ltd. Pixel control element selection transfer method, pixel control device mounting device used for pixel control element selection transfer method, wiring formation method after pixel control element transfer, and planar display substrate
JP2005026395A (ja) * 2003-07-01 2005-01-27 Toshiba Corp 半導体発光素子及び半導体発光装置
US20050104072A1 (en) * 2003-08-14 2005-05-19 Slater David B.Jr. Localized annealing of metal-silicon carbide ohmic contacts and devices so formed
JP3946683B2 (ja) * 2003-09-25 2007-07-18 株式会社東芝 アクティブマトリクス基板の製造方法
US20060286768A1 (en) * 2005-06-16 2006-12-21 Intel Corporation Method of supporting microelectronic wafer during backside processing
KR100879294B1 (ko) * 2006-06-12 2009-01-16 삼성모바일디스플레이주식회사 유기 발광 표시 장치
US7851343B2 (en) * 2007-06-14 2010-12-14 Cree, Inc. Methods of forming ohmic layers through ablation capping layers
TWI367577B (en) * 2007-10-05 2012-07-01 Delta Electronics Inc Light-emitting diode chip and manufacturing method thereof
US20090294515A1 (en) * 2008-05-30 2009-12-03 Prack Edward R Mounting integrated circuit components on substrates
US8563397B2 (en) 2008-07-09 2013-10-22 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
JP5583951B2 (ja) * 2008-11-11 2014-09-03 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
JP4640498B2 (ja) * 2008-12-11 2011-03-02 ソニー株式会社 素子の転写方法、素子配置基板、並びにデバイス及びその製造方法
US8658451B2 (en) 2009-11-06 2014-02-25 Ultratech, Inc. Activating GaN LEDs by laser spike annealing and flash annealing
KR101221871B1 (ko) * 2009-12-07 2013-01-15 한국전자통신연구원 반도체 소자의 제조방법
US20120153297A1 (en) * 2010-07-30 2012-06-21 The Regents Of The University Of California Ohmic cathode electrode on the backside of nonpolar m-plane (1-100) and semipolar (20-21) bulk gallium nitride substrates
CN101937952A (zh) * 2010-09-06 2011-01-05 厦门市三安光电科技有限公司 一种薄膜氮化镓基发光二极管的制作方法
US8021950B1 (en) * 2010-10-26 2011-09-20 International Business Machines Corporation Semiconductor wafer processing method that allows device regions to be selectively annealed following back end of the line (BEOL) metal wiring layer formation
US9252375B2 (en) 2013-03-15 2016-02-02 LuxVue Technology Corporation Method of fabricating a light emitting diode display with integrated defect detection test
US8791474B1 (en) * 2013-03-15 2014-07-29 LuxVue Technology Corporation Light emitting diode display with redundancy scheme
JP6254674B2 (ja) * 2013-03-15 2017-12-27 アップル インコーポレイテッド 冗長性スキームを備えた発光ダイオードディスプレイパネル
US9111464B2 (en) 2013-06-18 2015-08-18 LuxVue Technology Corporation LED display with wavelength conversion layer
US9406829B2 (en) * 2013-06-28 2016-08-02 First Solar, Inc. Method of manufacturing a photovoltaic device
US9209185B2 (en) * 2014-04-16 2015-12-08 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Method and structure for FinFET device
US10535640B2 (en) 2014-10-31 2020-01-14 eLux Inc. System and method for the fluidic assembly of micro-LEDs utilizing negative pressure
US10242977B2 (en) 2014-10-31 2019-03-26 eLux, Inc. Fluid-suspended microcomponent harvest, distribution, and reclamation
US10381335B2 (en) 2014-10-31 2019-08-13 ehux, Inc. Hybrid display using inorganic micro light emitting diodes (uLEDs) and organic LEDs (OLEDs)
US10520769B2 (en) 2014-10-31 2019-12-31 eLux, Inc. Emissive display with printed light modification structures
US10381332B2 (en) 2014-10-31 2019-08-13 eLux Inc. Fabrication method for emissive display with light management system
US10418527B2 (en) 2014-10-31 2019-09-17 eLux, Inc. System and method for the fluidic assembly of emissive displays
US10236279B2 (en) 2014-10-31 2019-03-19 eLux, Inc. Emissive display with light management system
US10543486B2 (en) 2014-10-31 2020-01-28 eLux Inc. Microperturbation assembly system and method
US10446728B2 (en) 2014-10-31 2019-10-15 eLux, Inc. Pick-and remove system and method for emissive display repair
US10319878B2 (en) 2014-10-31 2019-06-11 eLux, Inc. Stratified quantum dot phosphor structure
US9825202B2 (en) 2014-10-31 2017-11-21 eLux, Inc. Display with surface mount emissive elements
KR102633079B1 (ko) * 2016-10-28 2024-02-01 엘지디스플레이 주식회사 발광 다이오드 디스플레이 장치
CN106941108B (zh) * 2017-05-23 2019-09-17 深圳市华星光电技术有限公司 微发光二极管显示面板及其制作方法
TWI641128B (zh) * 2017-07-10 2018-11-11 英屬開曼群島商錼創科技股份有限公司 顯示裝置
TWI632675B (zh) * 2017-07-10 2018-08-11 錼創科技股份有限公司 顯示面板
CN109244101B (zh) * 2017-07-10 2023-06-13 英属开曼群岛商錼创科技股份有限公司 显示面板
KR102034394B1 (ko) * 2018-09-17 2019-10-18 주식회사 코윈디에스티 레이저 화학기상증착을 이용한 미세 배선 형성 방법
KR20220039735A (ko) * 2019-07-23 2022-03-29 에이지씨 가부시키가이샤 유리
TWI744035B (zh) * 2020-10-14 2021-10-21 友達光電股份有限公司 顯示面板及其製造方法

Family Cites Families (32)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5664480A (en) 1979-10-29 1981-06-01 Fuji Electric Co Ltd Manufacture of semiconductor detector for radioactive ray
US4359486A (en) 1980-08-28 1982-11-16 Siemens Aktiengesellschaft Method of producing alloyed metal contact layers on crystal-orientated semiconductor surfaces by energy pulse irradiation
DE3032461A1 (de) 1980-08-28 1982-04-01 Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München Verfahren zum herstellen von legierten metallkontaktschichten auf kristallorientierten halbleiteroberflaechen mittels energiepulsbestrahlung
US4526624A (en) * 1982-07-02 1985-07-02 California Institute Of Technology Enhanced adhesion of films to semiconductors or metals by high energy bombardment
JPS61231737A (ja) 1985-04-05 1986-10-16 Mitsubishi Electric Corp 半導体装置の製造方法
JPS61231730A (ja) 1985-04-05 1986-10-16 Mitsubishi Electric Corp 半導体装置の製造方法
US5206749A (en) * 1990-12-31 1993-04-27 Kopin Corporation Liquid crystal display having essentially single crystal transistors pixels and driving circuits
US5834327A (en) * 1995-03-18 1998-11-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for producing display device
KR100229676B1 (ko) * 1996-08-30 1999-11-15 구자홍 셀프얼라인 박막트랜지스터 제조방법
USRE38466E1 (en) * 1996-11-12 2004-03-16 Seiko Epson Corporation Manufacturing method of active matrix substrate, active matrix substrate and liquid crystal display device
CN1131548C (zh) * 1997-04-04 2003-12-17 松下电器产业株式会社 半导体装置
TW427039B (en) 1997-06-16 2001-03-21 Matsushita Electric Ind Co Ltd Manufacturing method for semiconductor, manufacturing method for semiconductor device, manufacturing method for semiconductor substrate
US6316357B1 (en) * 1997-10-08 2001-11-13 Industrial Technology Research Institute Method for forming metal silicide by laser irradiation
JP3925753B2 (ja) 1997-10-24 2007-06-06 ソニー株式会社 半導体素子およびその製造方法ならびに半導体発光素子
US6613810B1 (en) * 1998-01-26 2003-09-02 Kureha Kagaku K.K. Expandable microspheres and process for producing the same
FR2781925B1 (fr) * 1998-07-30 2001-11-23 Commissariat Energie Atomique Transfert selectif d'elements d'un support vers un autre support
US6252261B1 (en) 1998-09-30 2001-06-26 Nec Corporation GaN crystal film, a group III element nitride semiconductor wafer and a manufacturing process therefor
US6380108B1 (en) 1999-12-21 2002-04-30 North Carolina State University Pendeoepitaxial methods of fabricating gallium nitride semiconductor layers on weak posts, and gallium nitride semiconductor structures fabricated thereby
US6403451B1 (en) 2000-02-09 2002-06-11 Noerh Carolina State University Methods of fabricating gallium nitride semiconductor layers on substrates including non-gallium nitride posts
US6583445B1 (en) * 2000-06-16 2003-06-24 Peregrine Semiconductor Corporation Integrated electronic-optoelectronic devices and method of making the same
JP3906653B2 (ja) * 2000-07-18 2007-04-18 ソニー株式会社 画像表示装置及びその製造方法
US6610144B2 (en) 2000-07-21 2003-08-26 The Regents Of The University Of California Method to reduce the dislocation density in group III-nitride films
JP4356208B2 (ja) 2000-08-01 2009-11-04 ソニー株式会社 窒化物半導体の気相成長方法
DE10046170A1 (de) * 2000-09-19 2002-04-04 Fraunhofer Ges Forschung Verfahren zur Herstellung eines Halbleiter-Metallkontaktes durch eine dielektrische Schicht
JP4461616B2 (ja) * 2000-12-14 2010-05-12 ソニー株式会社 素子の転写方法、素子保持基板の形成方法、及び素子保持基板
US6277711B1 (en) * 2001-01-08 2001-08-21 Jiahn-Chang Wu Semiconductor matrix formation
JP4649745B2 (ja) * 2001-02-01 2011-03-16 ソニー株式会社 発光素子の転写方法
JP4545975B2 (ja) * 2001-03-27 2010-09-15 日本特殊陶業株式会社 炭化珪素半導体用電極の製造方法、及び炭化珪素半導体用電極を備える炭化珪素半導体素子の製造方法
JP3608615B2 (ja) * 2001-04-19 2005-01-12 ソニー株式会社 素子の転写方法及びこれを用いた素子の配列方法、画像表示装置の製造方法
US6814832B2 (en) * 2001-07-24 2004-11-09 Seiko Epson Corporation Method for transferring element, method for producing element, integrated circuit, circuit board, electro-optical device, IC card, and electronic appliance
US6617261B2 (en) * 2001-12-18 2003-09-09 Xerox Corporation Structure and method for fabricating GaN substrates from trench patterned GaN layers on sapphire substrates
JP3962282B2 (ja) * 2002-05-23 2007-08-22 松下電器産業株式会社 半導体装置の製造方法

Cited By (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005115086A (ja) * 2003-10-08 2005-04-28 Ricoh Co Ltd 薄膜デバイス装置の製造方法、アクティブマトリクス基板の製造方法、電気光学装置の製造方法、薄膜デバイス装置、アクティブマトリクス基板及び電気光学装置
JP4495939B2 (ja) * 2003-10-08 2010-07-07 株式会社リコー 薄膜デバイス装置の製造方法、アクティブマトリクス基板の製造方法、電気光学装置の製造方法
JP2005303285A (ja) * 2004-03-18 2005-10-27 Showa Denko Kk Ｉｉｉ族窒化物半導体発光素子、その製造方法及びｌｅｄランプ
JP2008515210A (ja) * 2004-09-29 2008-05-08 オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング 薄膜半導体チップの製造方法
JP2010109018A (ja) * 2008-10-28 2010-05-13 Panasonic Electric Works Co Ltd 半導体発光素子の製造方法
KR20160032081A (ko) * 2009-11-06 2016-03-23 울트라테크 인크. GaN LED 및 그 형성 방법
JP2011101000A (ja) * 2009-11-06 2011-05-19 Ultratech Inc ＧａＮＬＥＤ用レーザスパイクアニール
KR20110050357A (ko) * 2009-11-06 2011-05-13 울트라테크 인크. ＧａＮ ＬＥＤ 및 그 형성 방법
KR101704036B1 (ko) * 2009-11-06 2017-02-07 울트라테크 인크. GaN LED 및 그 형성 방법
KR101706888B1 (ko) * 2009-11-06 2017-02-14 울트라테크 인크. GaN LED 및 그 형성 방법
JP2011124455A (ja) * 2009-12-11 2011-06-23 Japan Steel Works Ltd:The 半導体基板の製造方法およびレーザアニール装置
KR20190040493A (ko) * 2016-08-24 2019-04-18 토레 엔지니어링 가부시키가이샤 실장 방법 및 실장 장치
KR102422604B1 (ko) 2016-08-24 2022-07-19 토레 엔지니어링 가부시키가이샤 실장 방법 및 실장 장치
WO2021006247A1 (ja) * 2019-07-11 2021-01-14 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置、及びその製造方法
JP7289744B2 (ja) 2019-07-11 2023-06-12 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置、及びその製造方法
KR20210133780A (ko) * 2020-04-29 2021-11-08 한국광기술원 마이크로 발광소자 전사방법
KR102364729B1 (ko) 2020-04-29 2022-02-22 한국광기술원 마이크로 발광소자 전사방법

Also Published As

Publication number Publication date
US7008827B2 (en) 2006-03-07
TW200308000A (en) 2003-12-16
US6878574B2 (en) 2005-04-12
US7011990B2 (en) 2006-03-14
US20050176190A1 (en) 2005-08-11
US20050181603A1 (en) 2005-08-18
TWI264064B (en) 2006-10-11
US7319052B2 (en) 2008-01-15
US20050181602A1 (en) 2005-08-18
US7049227B2 (en) 2006-05-23
US20050181601A1 (en) 2005-08-18
US20030170971A1 (en) 2003-09-11

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2003282478A (ja) 合金化方法及び配線形成方法、表示素子の形成方法、画像表示装置の製造方法
JP4055405B2 (ja) 電子部品及びその製造方法
US7501752B2 (en) Color image display unit
TW550733B (en) Wiring method and element arranging method using the same, and method of producing image display devices
JP3994681B2 (ja) 素子の配列方法及び画像表示装置の製造方法
JP2003098977A (ja) 素子の転写方法、素子の配列方法、及び画像表示装置の製造方法
JP4078825B2 (ja) 回路基板の製造方法、並びに表示装置の製造方法
JP2003347524A (ja) 素子の転写方法、素子の配列方法及び画像表示装置の製造方法
JP2002368282A (ja) 素子の転写方法及びこれを用いた素子の配列方法、画像表示装置の製造方法
JP2002343944A (ja) 電子部品の転写方法及び素子の配列方法、画像表示装置の製造方法
JP2003078171A (ja) 配線及びその形成方法、接続孔及びその形成方法、配線形成体及びその形成方法、表示素子及びその形成方法、画像表示装置及びその製造方法
JP2002314123A (ja) 素子の転写方法及びこれを用いた素子の配列方法、画像表示装置の製造方法
JP2003162231A (ja) 素子の製造方法、素子の配列方法及び画像表示装置の製造方法
JP4078830B2 (ja) 表示装置及び表示装置の製造方法
JP2003218392A (ja) 画像表示装置及びその製造方法
JP2003060242A (ja) 素子の実装方法、素子の配列方法及び画像表示装置の製造方法
JP5176260B2 (ja) 画像表示装置の製造方法
JP2004128187A (ja) 半導体素子及び半導体装置、並びにこれらの製造方法
JP2002158237A (ja) 素子の転写方法及び素子の実装方法
JP2003149649A (ja) スペーサー、画像表示装置、間隔保持方法、素子の転写方法、及び素子の配列方法
JP4839533B2 (ja) 画像表示装置及びその製造方法
JP2002313981A (ja) チップ部品の作製方法及びこれを用いた素子の配列方法、画像表示装置の製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
RD03 Notification of appointment of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7423

Effective date: 20050527

RD04 Notification of resignation of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424

Effective date: 20050530

A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20050901

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20060830

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20090303

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20090507

A762 Written abandonment of application

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A762

Effective date: 20090820