JP2003149649A - スペーサー、画像表示装置、間隔保持方法、素子の転写方法、及び素子の配列方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 第一基板と第二基板との間隔を確実且つ容易
に一定に保つことができるスペーサー及び間隔保持方
法、このようなスペーサーを用いた画像表示装置、さら
には第一基板と第二基板との間隔を確実且つ容易に一定
に保って第一基板上の素子を第二基板に転写する素子の
転写方法及び素子の配列方法を提供することを目的とす
る。 【解決手段】 第一基板上の複数の素子を第二基板に転
写する際、複数の素子の間にワイヤー状のスペーサーを
線状に配列したり、複数の線状の配列と交差して格子状
の配置したりすることにより、特に加圧して第一基板と
第二基板とを接着層により貼り合わせる際に、第一基板
と第二基板との間隔を確実且つ容易に保ちつつ貼り合わ
せることができる。また、このようなワイヤー状の形状
であるスペーサーを用いることにより、スペーサーによ
る画像表示装置の表示性能の低下を回避することができ
る。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は基板と対向基板との
間隔を一定に保つスペーサー及び画像表示装置に関し、
さらにはこれらのスペーサーを用いた間隔保持方法、素
子の転写方法、及び素子の配列方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来、発光素子をマトリクス状に配列し
て画像表示装置に組み上げる場合には、液晶表示装置
（ＬＣＤ：Ｌｉｑｕｉｄ Ｃｒｙｓｔａｌ Ｄｉｓｐｌ
ａｙ）やプラズマディスプレイパネル（ＰＤＰ：Ｐｌａ
ｓｍａ Ｄｉｓｐｌａｙ Ｐａｎｅｌ）のように基板上に
素子を形成するか、或いは発光素子ディスプレイ（ＬＥ
Ｄディスプレイ：Ｌｉｇｈｔ Ｅｍｉｔｔｉｎｇ Ｄｉ
ｏｄｅ Ｄｉｓｐｌａｙ）のように単体のＬＥＤパッケ
ージを配列することが行われている。ＬＣＤ、ＰＤＰの
ような画像表示装置においては、素子や画素のピッチと
その製造プロセスに関し、素子分離ができないために製
造プロセスの当初から各素子はその画像表示装置の画素
ピッチだけ間隔を空けて形成することが通常行われてい
る。

【０００３】一方、ＬＥＤディスプレイの場合にはＬＥ
Ｄチップをダイシング後に取り出し、個別にワイヤーボ
ンドもしくはフリップチップによるバンプ接続により外
部電極に接続し、パッケージ化されることが行われてい
る。この場合、パッケージ化の前もしくは後に画像表示
装置としての画素ピッチに配列されるが、この画素ピッ
チは素子形成時の素子のピッチとは無関係とされる。

【０００４】発光素子であるＬＥＤ（発光素子）は高価
である為、１枚のウエハから数多くのＬＥＤチップを製
造することによりＬＥＤを用いた画像表示装置を低コス
トにできる。すなわち、ＬＥＤチップの大きさを従来約
３００μｍ角のものを数十μｍ角のＬＥＤチップにし
て、それを接続して画像表示装置を製造すれば画像表示
装置の価格を下げることができる。

【０００５】そこで、各素子を集積度高く形成し、各素
子を広い領域に転写などによって離間させながら移動さ
せ、画像表示装置などの比較的大きな表示装置を構成す
る技術がある。この各素子を転写基板に転写する際、各
素子が配列された基板や転写基板に接着剤層を形成した
後、素子を配列する基板と転写基板とを対向させて基板
と転写基板との間の接着層に素子を保持させる。このと
き、基板と転写基板の外縁部の部分にスペーサーを挟む
ことにより基板と転写基板との間隔を保つ。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】ところが、各素子を広
い領域に転写する際に、基板と転写基板の外縁部の部分
にスペーサーを挟むことにより基板と転写基板との間隔
を保つ場合、スペーサーを挟んだ外縁部の部分における
間隔を保つことができるが、基板の全体において接着剤
層の厚みにむらが生じる。そのため、各素子を転写した
後に接着剤層を固めて素子毎に分離する際に、分離され
た各素子の接着剤層の厚みを一定にして形成することが
できない。

【０００７】さらに、基板と転写基板の外縁部の部分に
スペーサーを挟むことにより基板と転写基板との間隔を
保つ場合、基板と転写基板とを加圧して素子を接着剤層
に保持する際に、基板全体の接着剤層の厚みにむらがよ
り一層生じ易く、分離された各素子の接着剤層の厚みを
一定にして形成することがより困難となる。

【０００８】ここで、例えば液晶表示装置において広く
行われているように、素子が配列される基板と転写基板
との間隔を一定に保つという方法を用いることも考えら
れるが、この場合にスペーサーの位置を制御することな
くランダムに配置するため、発光エリアが非常に小さい
発光ダイオードディスプレイ（ＬＥＤディスプレイ）で
は表示の妨げとなるおそれがある。例えば、各素子を転
写した後に接着剤層を固めて素子毎に分離する際に、素
子の近傍にスペーサーが配置されて素子とともにスペー
サーが実装されてしまうことがあり、画像表示装置の表
示性能が低下する原因となる。

【０００９】そこで、本発明は、基板と転写基板との間
隔を確実且つ容易に一定に保つことができ、表示性能を
低下させることがないスペーサー及び間隔保持方法、こ
のようなスペーサーを用いた画像表示装置、さらには基
板と転写基板との間隔を確実且つ容易に一定に保って素
子を転写基板に転写する素子の転写方法及び素子の配列
方法を提供することを目的とする。

【００１０】

【課題を解決するための手段】本発明におけるスペーサ
ーは、一対の基板の間に介在され、前記一対の基板の間
隔を一定に保つスペーサーにおいて、ワイヤー状の形状
を有することを特徴とする。

【００１１】本発明の基板とその基板に対向する対向基
板との間隔を保持するスペーサーは、ワイヤー状である
ため、基板と対向基板との間隔にむらが生じることなく
均一に保持することが容易となり、またスペーサーの形
状がワイヤー状であるためにスペーサーを配列する位置
を容易に制御することができる。例えば、基板の外縁部
よりこのワイヤー状のスペーサーが突出するように配置
すると、スペーサーの位置を容易に制御することがで
き、スペーサーを所望の位置に確実に配置することがで
きる。

【００１２】本発明における画像表示装置は、複数の素
子が配列される基板と該基板に対向する対向基板との間
隔がワイヤー状の形状を有するスペーサーにより一定に
保たれることを特徴とする。

【００１３】複数の素子が配列される基板と該基板に対
向する対向基板との間隔を保持するスペーサーがワイヤ
ー状の形状であるため、基板と対向基板との間隔にむら
が生じることなく確実且つ容易に均一に保持することが
でき、またスペーサーの形状がワイヤー状であるために
スペーサーを配列する位置を容易に制御することができ
る。例えば、基板の外縁部よりこのワイヤー状スペーサ
ーが突出するように配置すると、スペーサーの位置を容
易に制御することができ、スペーサーを所望の位置に確
実に配置することができ、スペーサーにより発光エリア
が塞がれて画像表示装置の表示性能が低下するのを回避
することができる。

【００１４】本発明における間隔保持方法は、複数の素
子が配列される基板と該基板に対向する対向基板との間
隔を一定に保持する間隔保持方法において、前記基板上
にワイヤー状の形状を有するスペーサーを配列若しくは
配置して前記基板と前記対向基板との間隔を一定に保持
することを特徴とする。

【００１５】本発明の基板とその基板に対向する対向基
板との間隔を保持する間隔保持方法は、ワイヤー状のス
ペーサーを用いるため、基板と対向基板との間隔にむら
が生じることなく均一に保持することが容易となり、ま
たスペーサーの形状がワイヤー状であるためにスペーサ
ーを配列する位置を容易に制御することができる。例え
ば、基板の外縁部よりこのワイヤー状のスペーサーが突
出するように配置すると、スペーサーの位置を容易に制
御することができ、スペーサーを所望の位置に確実に配
置することができる。

【００１６】本発明における素子の転写方法は、第一基
板上の複数の素子を第二基板に転写する素子の転写方法
において、複数の前記素子の間にワイヤー状スペーサー
を線状に配列若しくは格子状に配置し、前記第一基板上
に前記ワイヤー状スペーサーを含む接着層を形成した
後、複数の前記素子及び前記スペーサーを前記第二基板
に保持し、複数の前記素子を前記第一基板から分離する
ことを特徴とする。

【００１７】本発明の素子の転写方法では、基板とその
基板に対向する対向基板との間隔を保持するスペーサー
の形状がワイヤー状であるため、基板の外縁部だけでは
なく基板の全体にわたってスペーサーを挟んで基板と対
向基板との間隔にむらが生じることなく均一にして素子
を保持することができ、またスペーサーの形状がワイヤ
ー状であるためにスペーサーを配列する位置を容易に制
御することができる。例えば、基板の外縁部よりこのワ
イヤー状スペーサーが突出するように配置すると、スペ
ーサーの位置を容易に制御することができ、スペーサー
を所望の位置に確実に配置することができる。

【００１８】さらに、基板とその基板に対向する対向基
板との間隔を保持するためにワイヤー状のスペーサーを
用いることにより間隔にむらが生じることなく均一にし
て素子を保持することができるため、基板全体の接着層
の厚みにむらが生じることを配慮することなく基板と対
向基板とを加圧して素子を厚みが一定である接着剤層に
素子を保持することができる。

【００１９】本発明における素子の配列方法は、第一基
板上の複数の素子を第二基板に配列する素子の配列方法
において、複数の前記素子の間にワイヤー状スペーサー
を線状に配列若しくは格子状に配置し、前記第一基板上
に前記ワイヤー状スペーサーを含む接着層を形成した
後、複数の前記素子及び前記ワイヤー状スペーサーを前
記第二基板に保持し、複数の前記素子を前記第一基板か
ら分離することを特徴とする。

【００２０】本発明の素子の配列方法では、基板とその
基板に対向する対向基板との間隔を保持するスペーサー
の形状がワイヤー状であるため、基板の外縁部だけでは
なく基板の全体にわたってスペーサーを挟んで基板と対
向基板との間隔にむらが生じることなく均一にして素子
を保持することができ、またスペーサーの形状がワイヤ
ー状であるためにスペーサーを配列する位置を容易に制
御することができる。例えば、基板の外縁部よりこのワ
イヤー状スペーサーが突出するように配置すると、スペ
ーサーの位置を容易に制御することができ、スペーサー
を所望の位置に確実に配置することができる。

【００２１】さらに、基板とその基板に対向する対向基
板との間隔を保持するためにワイヤー状のスペーサーを
用いることにより間隔にむらが生じることなく均一にし
て素子を保持することができるため、基板全体の接着層
の厚みにむらが生じることを配慮することなく基板と対
向基板とを加圧して厚みが一定である接着剤層に素子を
保持することができる。

【００２２】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施形態につい
て、図面を参照しながら詳細に説明する。

【００２３】本発明の実施形態おいて、画像表示装置の
一例である発光ダイオードディスプレイ（ＬＥＤディス
プレイ）において使用される発光ダイオードなどの発光
素子を用いて説明するが、液晶制御素子や薄膜トランジ
スタ素子のような素子を転写する際にもワイヤー状スペ
ーサーを用いることができる。

【００２４】また、本発明の実施形態では、窒化物系化
合物半導体を用いて形成されるプレナー型の発光素子を
用いて説明するが、断面略三角形状で六角錐形状の発光
素子を用いても良い。赤色の発光素子が断面略三角形状
の六角錐形状のＧａＮ層を有しない構造とされ、各素子
の形状は個々に異なっても良い。

【００２５】なお、本実施形態では基板上の発光素子を
対向基板に拡大することなく転写する場合について説明
するが、対向基板に素子を配列する際に素子の間隔を拡
大する拡大転写法を用いて配列しても良く、この場合に
は拡大転写の後に配列される発光素子の各々の間隔は拡
大され、そのように拡大された間隔にワイヤー状スペー
サーを容易に配列若しくは配置することができる。

【００２６】図１乃至図１３を参照にして、発光ダイオ
ードなどの発光素子の配列方法、及びその配列方法によ
って形成される樹脂形成チップについて説明する。

【００２７】図１（ａ）及び（ｂ）に示すように、第一
基板１１の主面上には複数の発光素子１２がマトリクス
状に配列されている。発光素子１２の大きさは約２０μ
ｍ程度とすることができる。第一基板１１の構成材料と
してはガラス基板やプラスチック基板などのように発光
素子１２に照射するレーザの波長に対して透過率の高い
材料が用いられる。発光素子１２にはｐ電極やｎ側電極
などは形成されているが、後述する樹脂形成チップにお
いて電極に接続される電極パッドや最終的な配線は未だ
なされていない。複数の発光素子１２は反応性イオンエ
ッチングなどの異方性エッチングにより素子毎に分離さ
れ、個々の発光素子１２は分離できる状態にある。素子
と素子との間隔は例えば２００μｍとすることができ
る。後述するように、この素子と素子との間には、第一
基板１１と一時保持用部材との間隔を一定に保つワイヤ
ー状スペーサーが配列される。なお、第一基板１１の主
面上に複数の発光素子１２がマトリクス状に配列される
のであるが、第一基板１１としては発光素子を形成した
サファイア基板などのような成長基板であっても良く、
また成長基板から拡大転写法などによって素子と素子と
の間隔を拡大して第一基板１１上に発光素子１２を配列
しても良い。

【００２８】図２に示すように、このように複数の発光
素子１２がマトリクス状に配列された第一基板１１上に
ワイヤー状スペーサー１３を配列させる。ワイヤー状ス
ペーサー１３は剛性を有し、ワイヤー状スペーサー１３
の構成材料としては、金属、セラミック、樹脂、若しく
はガラスを用いることができる。後述するように、ワイ
ヤー状スペーサー１３を配列する領域にレーザ光を照射
して複数の発光素子１２を接着層に覆われた状態で分離
する際、レーザ光を照射すると同時にワイヤー状スペー
サー１３は除去される。そのため、ワイヤー状スペーサ
ー１３の構成材料としては、樹脂やガラスなどのレーザ
光の照射とともに除去し易い材料を用いることが好まし
い。また、第一基板１１と一時保持用基板とを接着層に
より貼り合わせる際に加圧して貼り合わせる場合には、
ワイヤー状スペーサー１３は加圧する圧力に耐えうるよ
うな構成材料であることが好ましい。

【００２９】ワイヤー状スペーサー１３の形状は、第一
基板１１と複数の発光素子１２を転写する一時保持用基
板との間隔を一定に保つことができる形状であれば良
く、一例として、長手方向に対して垂直な面での断面形
状が略円形形状、略楕円形形状、若しくは略多角形形状
であるワイヤー状スペーサー１３を用いることができ
る。第一基板１１上に配列するワイヤー状スペーサー１
３は複数の発光素子１２を樹脂に覆われた状態で素子毎
に分離する際に素子分離溝を形成すると同時に除去され
るのであるが、ワイヤー状スペーサー１３の断面形状の
幅は所望の素子分離溝の幅と略同一の大きさとすること
ができる。例えば、前述したように発光素子１２を２０
０μｍ間隔で第一基板１１上に配列した後、幅４０μｍ
の素子分離溝を形成して樹脂に覆われた状態で複数の素
子に分離する場合、図２（ａ）に示すような長手方向に
対して垂直な面での断面形状が略円形状で半径が略２０
μｍであるワイヤー状スペーサー１３を用いることがで
きる。

【００３０】複数の発光素子１２が配列された第一基板
１１上にワイヤー状スペーサー１３を配列するのである
が、ワイヤー状スペーサー１３は複数の発光素子１２の
素子と素子との間に配列される。このとき、図２に示す
ように、ワイヤー状スペーサー１３は第一基板１１の外
縁部よりその端部を突出して配列され、第一基板１１と
一時保持用基板とを接着層を介して張り合わせた後、ワ
イヤー状スペーサー１３の突出部１３ａによりワイヤー
状スペーサー１３の位置を調節することができる。

【００３１】図３及び図４はワイヤー状スペーサー１３
の配列方法についての他の例を示す。ワイヤー状スペー
サー１３は第一基板１１と複数の発光素子１２を転写す
る一時保持用基板との間隔を一定に保つことができるよ
うに配列されるのであるが、図２（ｂ）に示すように線
状に素子と素子との全ての間に配列しても良いし、図３
に示すように素子と素子との間の部分に線状に配列して
も良い。また図４に示すように、ワイヤー状スペーサー
を予め格子状に形成し、格子状のワイヤー状スペーサー
１３を配置しても良い。この場合、ワイヤー状スペーサ
ー１３が格子状に形成されるため、第一基板１１と一時
保持用基板との間の間隔にむらが生じることなく、第一
基板１１と一時保持用基板との間隔をより確実に一定に
保つことができる。また、格子状にワイヤー状スペーサ
ー１３Ａを配置する際、第一基板１１と一時保持用基板
との間隔を一定に保つことができれば、ワイヤー状スペ
ーサー１３の縦方向と横方向の比率が異なっても良い。

【００３２】図５に示すように、このような複数の発光
素子１２がマトリクス状に配列された第一基板１１上に
ワイヤー状スペーサー１３を形成した後、第一基板１１
に第一の一時保持用基板１５に対峙させて発光素子１２
を第一の一時保持用基板１５に転写を行うために、第一
基板１１の第一の一時保持用基板１５に対峙する面に接
着層１４を形成する。本実施の形態においては、接着層
１４は第一基板１１上に形成するが、第一の一時保持用
基板１５上に形成しても良い。第一の一時保持用基板１
５の例としては、ガラス基板、石英ガラス基板、プラス
チック基板などを用いることができ、第一の一時保持用
基板１５の接着層１４としては紫外線（ＵＶ）硬化型接
着剤、熱硬化性接着剤、熱可塑性接着剤のいずれかから
なる層を用いることができる。また、第一基板１１の第
一の一時保持用基板１５に対峙する面に接着層１４を形
成するのであるが、第一基板１１と接着層１４との間や
接着層１４の第一の一時保持用基板１５に対峙する面に
剥離層を形成しても良く、剥離層の例としては、フッ素
コート、シリコン樹脂、水溶性接着剤（例えばＰＶ
Ａ）、ポリイミドなどを用いることができる。

【００３３】図６に示すように、第一基板１１と第一の
一時保持用基板１５とを対峙させた後、ワイヤー状スペ
ーサー１３が第一の一時保持用基板１５に接触するよう
に第一基板１１及び第一の一時保持用基板１５の両側か
ら加圧して第一基板１１及び第一の一時保持用基板１５
を貼り合わせる。その後、接着層１４を硬化させるので
あるが、第一基板１１及び発光素子１２を第一の一時保
持用基板１５に保持した状態で加熱したり紫外線などの
レーザ光を照射したりして接着層１４の硬化を促進して
も良い。このように第一基板１１と第一の一時保持用基
板１５との間隔を保持するためにワイヤー状スペーサー
１３を用いることによって、第一基板１１の全体にわた
ってスペーサーを挟むことができ、第一基板１１と第一
の一時保持用基板１５との間隔にむらが生じることなく
均一にして発光素子１２を保持することができる。ま
た、ワイヤー状スペーサー１３は第一基板１１の外縁部
よりその端部が突出して配列されるため、第一基板１１
と第一の一時保持用基板１５とを接着層１４を介して張
り合わせた後、ワイヤー状スペーサー１３の突出部１３
ａによりワイヤー状スペーサー１３の位置を調節するこ
とができる。

【００３４】第一基板１１と第一の一時保持用基板１５
とを接着層１４を介して貼り合わせた後、第一基板１１
の裏面側から第一基板１１の裏面の全面にレーザ光を照
射し、発光素子１２を第一基板１１からレーザアブレー
ションを利用して分離する（図７）。ＧａＮ系の発光素
子１２はサファイアとの界面で金属のＧａと窒素に分解
することから、比較的簡単に分離することができる。照
射するレーザ光としてはエキシマレーザ、高調波ＹＡＧ
レーザなどが用いられる。

【００３５】図８に示すように、このレーザブレーショ
ンを利用した分離によって、第一基板１１上の発光素子
１２を接着層１４に覆われた状態で第一の一時保持用基
板１５に保持した後、発光素子１２の裏面にカソード側
電極パッド１６を形成する。第一基板１１から分離した
発光素子１２の裏面はｎ電極側（カソード電極側）にな
っていて、発光素子１２の裏面には樹脂（接着剤）がな
いように除去、洗浄されているため、カソード側電極パ
ッド１６を形成した場合では、カソード側電極パッド１
６は発光素子１２の裏面と電気的に接続される。

【００３６】発光素子１２の裏面に残留する樹脂の洗浄
の例としては酸素プラズマで接着剤用樹脂をエッチン
グ、ＵＶオゾン照射にて洗浄する。かつ、レーザにてＧ
ａＮ系発光素子をサファイア基板からなる第一基板１１
から剥離したときには、その剥離面にＧａが析出してい
るため、そのＧａをエッチングすることが必要であり、
水酸化ナトリウム水溶液や希硝酸で行うことになる。そ
の後、カソード側電極パッド１６をパターニングする。
このときのカソード側電極パッド１６は約６０μｍ角と
することができる。カソード側電極パッド１６としては
透明電極（ＩＴＯ、ＺｎＯ系など）もしくはＴｉ／Ａｌ
／Ｐｔ／Ａｕなどの材料を用いることができる。透明電
極の場合には発光素子の裏面を大きく覆っても発光をさ
えぎることがないので、パターニング精度が粗く、大き
な電極形成ができ、パターニングプロセスが容易にな
る。

【００３７】第一の一時保持用基板１５に接着層１４を
介して発光素子１２を保持した後、第二の一時保持用基
板１８に転写する。図９に示すように、第二の一時保持
用基板１８上には剥離層１７が形成されている。剥離層
１７としては、例えばフッ素コート、シリコン樹脂、水
溶性接着剤（例えばＰＶＡ）、ポリイミドなどを用いて
作成することができる。

【００３８】図９に示すように、第二の一時保持用基板
１８に転写した後、発光素子１２や接着層１４が形成さ
れた第二の一時保持用基板１８の表面側からレーザ光を
照射して複数の発光素子１２を接着層１４に覆われた状
態で素子毎に分離する。このとき、このレーザ光は、第
一基板１１と第一の一時保持用基板１５との間隔を一定
に保持するワイヤー状スペーサー１３が配列された領域
を照射するように照射されて、複数の発光素子１２を接
着層１４に覆われた状態で素子毎に分離する。第二の一
時保持用基板１８には、一例としてプラスチック基板に
ＵＶ粘着材が塗布してある、いわゆるダイシングシート
を用いることができ、ＵＶが照射されると粘着力が低下
するものを利用することができる。照射するレーザ光と
しては、エキシマレーザや高調波ＹＡＧレーザなどのレ
ーザ光を用いることができる。このとき、レーザ光はワ
イヤー状スペーサー１３が配置された領域に照射される
ため、ワイヤー状スペーサー１３はレーザ光により破壊
されたり、あるいは弾き飛ばされたりして接着層１４か
ら除去される。ワイヤー状スペーサー１３の端部が第一
基板１１の外縁部より突出するように配列されるため、
素子分離溝１９を形成する際、素子分離溝１９を形成す
る領域にワイヤー状スペーサー１３が配列されるように
ワイヤー状スペーサー１３の配列する位置を確実且つ容
易に調整することができる。そのため、ワイヤー状スペ
ーサー１３が素子分離溝１９の形成と同時にレーザ光の
照射とともに除去されて、素子の近傍に残留することな
く素子を実装することができる。

【００３９】このようにワイヤー状スペーサー１３が配
列される領域にレーザ光を照射することにより、図１０
に示すように素子分離溝１９が形成され、複数の発光素
子１２は樹脂からなる接着層１４に覆われた状態で素子
毎に区分けされる。発光素子１２はマトリクス状に第二
の一時保持用基板１８上に配列されるため、素子分離溝
１９はマトリクス状に形成され、平面パターンとして縦
横に延長された複数の平行線からなる。レーザ光の照射
により剥離層１７も同時に除去されるため、素子分離溝
１９の底部には第二の一時保持用基板１８の表面が臨
む。このプロセスの一例として、前述のように長手方向
に対して垂直な面での断面形状が略円形状で半径が約２
０μｍであるワイヤー状スペーサー１３を用いて、エキ
シマレーザにて幅約４０μｍの溝加工を行い、樹脂形成
チップの形状を形成することができ、樹脂形成チップの
形状を形成すると同時にワイヤー状スペーサー１３を除
去することができる。

【００４０】なお、ダイシングにより、ワイヤー状スペ
ーサー１３を除去すると同時に、第二の一時保持用基板
１８上で樹脂に覆われた状態で複数の発光素子１２を素
子毎に分離しても良い。ダイシングプロセスとしては通
常のブレードを用いたダイシングであり、２０μｍ以下
の幅の狭い切り込みが必要なときにはレーザ光を用いた
レーザ光による加工を行うが、２０μより大きな幅の切
り込みの場合には行うことができる。また、その切り込
み幅は画像表示装置の画素内の樹脂からなる接着層１４
で覆われた発光素子１２の大きさに依存する。

【００４１】レーザ光の照射により、ワイヤー状スペー
サー１３を除去すると同時に、第二の一時保持用基板１
８上で樹脂に覆われた状態で複数の発光素子１２を素子
毎に分離した後、発光素子１２のアノード電極（ｐ側電
極）側のビアホールを形成する。このプロセスの例とし
て、第二の一時保持用基板１８の表面を酸素プラズマで
発光素子１２の表面が露出してくるまでエッチングした
後、エキシマレーザ、高調波ＹＡＧレーザ、炭酸ガスレ
ーザを用いてビアホールを形成することができる。この
とき、ビアホールは約３〜７μｍの径を開けることにな
る。

【００４２】図１１に示すように、発光素子１２のアノ
ード電極（ｐ側電極）側のビアホールを形成した後、ア
ノード側電極パッド２０を形成する。アノード側電極パ
ッドはＮｉ／Ｐｔ／Ａｕなどで形成する。

【００４３】図１２及び図１３は、第二の一時保持用基
板１８上に形成された発光素子１２が樹脂に覆われた樹
脂形成チップの概略斜視図及び概略平面図である。前述
のように、樹脂形成チップ２１は、離間して配置されて
いる素子１２の周りを樹脂１４ａで固めたものであり、
このような樹脂形成チップ２１は、一時保持用基板から
第二基板に素子１２を転写する場合に使用できるもので
ある。

【００４４】前述のように、素子１２は発光素子の例で
あるが、特に発光素子に限らず他の素子であっても良
い。樹脂形成チップ２１は略平板上でその主たる面が略
正方形状とされる。この樹脂形成チップ２１の形状は樹
脂１４ａを固めて形成された形状であり、具体的には未
硬化の樹脂を素子１２の各々を含むように全面に塗布
し、これを硬化した後で縁の部分をダイシングやレーザ
光を用いて切断することで得られる形状である。略平板
状の樹脂１４ａの表面側と裏面側にはそれぞれ電極パッ
ド１６、２０が形成される。これら電極パッド１６、２
０の形成は全面に電極パッド１６、２０の材料となる金
属層や多結晶シリコン層などの導電層を形成し、フォト
リソグラフィー技術により所要の電極形状にパターンニ
ングすることで形成される。これら電極パッド１６、２
０は発光素子である素子１２のｐ電極とｎ電極にそれぞ
れ接続するように形成されている。

【００４５】ここで電極パッド１６、２０は樹脂形成チ
ップ２１の表面側と裏面側にそれぞれ形成されている
が、一方の面に両方の電極パッドを形成することも可能
であり、例えば薄膜トランジスタの場合ではソース、ゲ
ート、ドレインの３つの電極があるため、電極パッドを
３つ或いはそれ以上形成しても良い。電極パッド１６、
２０の位置が平板上ずれているのは、最終的な配線形成
時に上側からコンタクトをとっても重ならないようにす
るためである。電極パッド１６、２０の形状も正方形に
限定されず他の形状としても良い。

【００４６】樹脂形成チップ２１を構成することによ
り、発光素子１２の周囲が硬化した接着層１４で被覆さ
れ平坦化によって精度良く電極パッド１６、２０を形成
できるとともに素子に比べて広い領域に電極パッド１
６、２０を延在でき、次の転写工程での転写を吸着治具
で進める場合には取り扱いが容易になる。

【００４７】このように、第一基板１１上に配列された
複数の発光素子１２を第一の一時保持用基板１５に転写
する際、ワイヤー状スペーサー１３を第一基板１１上に
配列することにより、第一基板１１と第一の一時保持用
基板１５との間隔を確実且つ容易に一定に保つことがで
き、第一基板１１の全面において均一に接着層１４によ
って貼り合わせることができる。また、ワイヤー状スペ
ーサー１３を格子状に配置することにより、第一基板１
１と第一の一時保持用基板１５との間隔をより一層確実
且つ容易に一定に保つことができ、第一基板１１の全面
において均一にして第一の一時保持用基板１５と貼り合
わせることができる。

【００４８】さらに、第一基板１１と第一の一時保持用
基板１５との間隔とを一定に保つワイヤー状スペーサー
１３の端部である突出部１３ａを第一基板１１の外縁部
より突出するように配列することにより、接着層１４を
介して第一基板１１と第一の一時保持用基板１５とを張
り合わせた後でも、容易にワイヤー状スペーサー１３の
位置を調節することができる。そのため、複数の発光素
子１２は樹脂からなる接着層１４に覆われた状態で素子
毎に区分けする素子分離溝１９を形成する際、素子分離
溝１９を形成する領域にワイヤー状スペーサー１３が配
列されるようにワイヤー状スペーサー１３を配列する位
置を調整することが容易となる。

【００４９】また、樹脂形成チップ２１を構成すること
で、発光素子１２の周りが樹脂１４ａで被覆され平坦化
によって精度良く電極パッド１６、２０を形成できると
ともに発光素子１２に比べて広い領域に電極パッド１
６、２０を延在でき、後述する次の転写を吸着治具で進
める場合には取り扱いが容易になる。後述するように、
最終的な配線を形成する際に、比較的大き目のサイズの
電極パッド１６、２０を利用した配線を行うことで、配
線不良が未然に防止される。

【００５０】第二の一時保持用基板１８上で複数の発光
素子１２を樹脂１４ａにより覆われた状態で素子毎に分
離して樹脂形成チップ２１を形成した後、機械的手段を
用いて発光素子１２が第二の一時保持用基板１８から剥
離される。図１４は、第二の一時保持用基板１８上に配
列している発光素子１２を吸着装置５３でピックアップ
するところを示した図である。このときの吸着孔５５は
画像表示装置の画素ピッチにマトリクス状に開口してい
て、発光素子１２を多数個、一括で吸着できるようにな
っている。このときの開口径は、例えば約φ１００μｍ
で６００μｍピッチのマトリクス状に開口されて、一括
で約３００個を吸着できる。このときの吸着孔５５の部
材は例えば、Ｎｉ電鋳により作製したもの、もしくはＳ
ＵＳなどの金属板５２をエッチングで穴加工したものが
使用され、金属板５２の吸着孔５５の奥には、吸着チャ
ンバ５４が形成されており、この吸着チャンバ５４を負
圧に制御することで発光素子１２の吸着が可能になる。
発光素子１２はこの段階で樹脂からなる接着層１４で覆
われており、その上面は略平坦化されており、このため
に吸着装置５３による選択的な吸着を容易に進めること
ができる。

【００５１】図１５は発光素子１２を第二基板６０に転
写するところを示した図である。第二基板６０に装着す
る際に第二基板６０にあらかじめ接着層５６が塗布され
ており、その発光素子１２下面の接着層５６を硬化さ
せ、発光素子１２を第二基板６０に固着して配列させる
ことができる。この装着時には、吸着装置５３の吸着チ
ャンバ５４が圧力の高い状態となり、吸着装置５３と発
光素子１２との吸着による結合状態は解放される。接着
層５６はＵＶ硬化型接着剤、熱硬化性接着剤、熱可塑性
接着剤などによって構成することができる。このとき、
接着層５６の樹脂を硬化させるエネルギーは第二基板６
０の裏面から供給される。ＵＶ硬化型接着剤の場合はＵ
Ｖ照射装置にて、熱硬化性接着剤の場合はレーザにて発
光素子１２の下面のみ硬化させ、熱可塑性接着剤場合
は、同様にレーザ照射にて接着剤を溶融させ接着を行
う。

【００５２】また、第二基板６０上にシャドウマスクと
しても機能する電極層５７を配設した後、特に電極層５
７の画面側の表面すなわち当該画像表示装置を見る人が
いる側の面に黒クロム層５８を形成する。このようにシ
ャドウマスクとして機能する電極層５７及び黒クロム層
５８を形成することにより画像のコントラストを向上さ
せることができ、黒クロム層５８でのエネルギー吸収率
を高くして、選択的に照射されるビームによって接着層
５６が早く硬化するようにすることができる。この転写
時のＵＶ照射としては、ＵＶ硬化型接着剤の場合は約１
００ｍＪ／ｃｍ ^２を照射する。

【００５３】図１６はＲＧＢの３色の発光素子１２、６
１、６２を第二基板６０に配列させ絶縁層５９を塗布し
た状態を示す図である。図１４および図１５で用いた吸
着装置５３をそのまま使用して、第二基板６０にマウン
トする位置をその色の位置にずらすだけでマウントする
と、画素としてのピッチは一定のまま３色からなる画素
を形成できる。絶縁層５９としては透明エポキシ接着
剤、ＵＶ硬化型接着剤、ポリイミドなどを用いることが
できる。３色の発光素子１２、６１、６２は必ずしも同
じ形状でなくても良い。図１６において、赤色の発光素
子１２は六角錐形状のＧａＮ層を有しない構造とされ、
他の発光素子６１、６２を断面略三角形状で六角錘状の
発光素子を用いて形成することができる。また、この段
階では、前述のように各発光素子１２、６１、６２は既
に樹脂形成チップとして樹脂からなる接着層１４で覆わ
れており、素子構造の違う発光素子を用いる場合におい
ても同一の取り扱いを実現することができる。

【００５４】図１７は配線形成工程を示す図である。絶
縁層５９に開口部６５、６６、６７、６８、６９、７０
を形成し、発光素子１２、６１、６２のアノード、カソ
ードの電極パッドと第二基板６０の配線用の電極層５７
を接続する配線６３、６４、７１を形成した図である。
このときに形成する開口部すなわちビアホールは発光素
子１２、６１、６２の電極パッド１６、２０の面積を大
きくしているのでビアホール形状は大きく、ビアホール
の位置精度も各発光素子に直接形成するビアホールに比
べて粗い精度で形成できる。このときのビアホールは約
６０μｍ角の電極パッド１６、２０に対し、約φ２０μ
ｍのものを形成できる。また、ビアホールの深さは配線
基板と接続するもの、アノード電極と接続するもの、カ
ソード電極と接続するものの３種類の深さがあるのでレ
ーザのパルス数で制御し、最適な深さを開口する。その
後、保護層を配線上に形成し、画像表示装置のパネルは
完成する。このときの保護層は図１７の絶縁層５９と透
明エポキシ接着剤などの同様の材料が使用できる。この
保護層は加熱硬化し配線を完全に覆う。この後、パネル
端部の配線からドライバーＩＣを接続して駆動パネルを
製作することになる。

【００５５】以上のように、第一基板１１上に配列され
た複数の発光素子１２を第一の一時保持用基板１５に転
写する際、ワイヤー状スペーサー１３を第一基板１１上
に配列することにより、第一基板１１と第一の一時保持
用基板１５との間隔を確実且つ容易に一定に保つことが
でき、第一基板１１の全面において均一に接着層１４に
よって貼り合わせることができる。さらに、ワイヤー状
スペーサー１３を格子状に配置することにより、第一基
板１１と第一の一時保持用基板１５との間隔をより一層
確実且つ容易に一定に保つことができ、第一基板１１の
全面において均一にして第一の一時保持用基板１５と貼
り合わせることができる。

【００５６】さらに、第一基板１１と第一の一時保持用
基板１５との間隔とを一定に保つワイヤー状スペーサー
１３の端部を第一基板１１の外縁部より突出するように
配列することにより、接着層１４を介して第一基板１１
と第一の一時保持用基板１５とを張り合わせた後でも、
容易にワイヤー状スペーサー１３の位置を調節すること
ができる。そのため、複数の発光素子１２は樹脂からな
る接着層１４に覆われた状態で素子毎に区分けする素子
分離溝１９を形成する際、素子分離溝１９を形成する領
域にワイヤー状スペーサー１３が配列されるようにワイ
ヤー状スペーサー１３の配列する位置を確実且つ容易に
調整することができ、またワイヤー状スペーサー１３が
素子分離溝１９の形成と同時にレーザ光の照射とともに
除去されて、素子の近傍に残留することなく素子を実装
することができる。

【００５７】樹脂形成チップ２１を構成することによ
り、発光素子１２の周りが樹脂１４ａで被覆され平坦化
によって精度良く電極パッド１６、２０を形成できると
ともに発光素子１２に比べて広い領域に電極パッド１
６、２０を延在でき、後述する次の転写を吸着治具で進
める場合には取り扱いが容易になる。後述するように、
最終的な配線を形成する際に、比較的大き目のサイズの
電極パッド１６、２０を利用した配線を行うことで、配
線不良が未然に防止される。

【００５８】なお、本実施形態においては、第一基板１
１から第一の一時保持用基板１５に複数の発光素子を転
写して樹脂形成チップ２１を形成する際に、第一基板１
１と第一の一時保持用基板１５との間隔を一定に保持す
るために、ワイヤー状スペーサー１３を用いたが、発光
ダイオードディスプレイ（ＬＥＤディスプレイ）や液晶
表示装置（ＬＣＤ）など画像表示装置の素子の実装基板
と対向基板との間隔を一定に保つために用いても良い。
このように画像表示装置の実装基板と対向基板との間隔
を一定に保つためにワイヤー状スペーサーを用いると、
本実施形態と同様に、確実且つ容易に実装基板と対向基
板との間隔を一定に保つことができる。

【００５９】さらに、ワイヤー状スペーサーの端部を実
装基板の外縁部より突出させることによりワイヤー状ス
ペーサーの位置の調節を容易に行うことができ、発光素
子などの発光領域と干渉することなくワイヤー状スペー
サーを確実且つ容易に配置することができる。そのた
め、一例として、発光領域に干渉しない画素間のブラッ
クラインの背後に配置する場合、ワイヤー状スペーサー
を配置する位置を制御して、スペーサーにより発光領域
が塞がれて表示特性が劣化するのを確実且つ容易に回避
することができる。

【００６０】また、ワイヤー状スペーサーを用いた場
合、実装基板と対向基板との間隔を確実に保つことがで
きるため、大画面のフラットディスプレイにおいても、
実装基板と対向基板との間隔を一定に保ちつつ、且つ所
望の強度を有する大画面のフラットディスプレイを製造
することができる。

【００６１】

【発明の効果】本発明によれば、基板上に配列された複
数の素子を対向基板に転写する際、ワイヤー状の形状を
有するスペーサーを基板上に線状に配列したり、格子状
に配置したりすることにより、基板と対向基板との間隔
を確実且つ容易に一定に保つことができ、基板の全面に
おいてむらが生じることなく均一に貼り合わせることが
できる。

【００６２】さらに、基板と対向基板との間隔とを一定
に保つワイヤー状の形状を有するスペーサーの端部を基
板の外縁部より突出するように配列することにより、基
板と対向基板とを張り合わせた後でも、容易にワイヤー
状スペーサーの位置を調節することができる。

【００６３】ワイヤー状の形状を有するスペーサーを用
いて画像表示装置の基板と対向基板との間隔を一定に保
つ場合には、基板の全体にわたって均一にして基板と対
向基板との間隔を確実且つ容易に一定に保つことができ
る。

【００６４】さらに、ワイヤー状の形状を有するスペー
サーの端部を基板の外縁部より突出させることによりワ
イヤー状スペーサーの位置の調節を容易に行うことがで
きるため、発光領域と干渉することなくワイヤー状スペ
ーサーを配置することができ、スペーサーにより発光領
域が塞がれて表示特性が劣化するのを回避することがで
きる。また、ワイヤー状の形状を有するスペーサーを用
いた場合には、大画面のフラットディスプレイにおいて
も、基板と対向基板との間隔を一定に保ちつつ所望の強
度を得ることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の実施の形態の素子の配列方法における
基板上に素子を配列する工程を示し、（ａ）は断面図で
あり、（ｂ）は平面図である。

【図２】本発明の実施の形態の素子の配列方法における
基板上にワイヤー状スペーサーを配列する工程を示し、
（ａ）は断面図であり、（ｂ）は平面図である。

【図３】本発明の実施の形態の素子の配列方法における
基板上に配列されたワイヤー状スペーサーを示す平面図
である。

【図４】本発明の実施の形態の素子の配列方法における
基板上に配列されたワイヤー状スペーサーを示す平面図
である。

【図５】本発明の実施の形態の素子の配列方法における
素子の第一の一時保持用基板への転写を示す工程断面図
である。

【図６】本発明の実施の形態の素子の配列方法における
素子の第一の一時保持用基板への転写を示す工程断面図
である。

【図７】本発明の実施の形態の素子の配列方法における
第一基板の分離を示す工程断面図である。

【図８】本発明の実施の形態の素子の配列方法における
ｎ側電極パッドの形成を示す工程断面図である。

【図９】本発明の実施の形態の素子の配列方法における
素子分離及びワイヤー状スペーサーの除去を示す工程断
面図である。

【図１０】本発明の実施の形態の素子の配列方法におけ
る素子分離を示す工程断面図である。

【図１１】本発明の実施の形態の素子の配列方法におけ
るｐ側電極パッドの形成を示す工程断面図である。

【図１２】本発明の実施の形態の素子の配列方法におけ
る樹脂形成チップを示す概略斜視図である。

【図１３】本発明の実施の形態の素子の配列方法におけ
る樹脂形成チップを示す概略平面図である。

【図１４】本発明の実施の形態の素子の配列方法におけ
る素子の吸着を示す工程断面図である。

【図１５】本発明の実施の形態の素子の配列方法におけ
る素子の転写を示す工程断面図である。

【図１６】本発明の実施の形態の素子の配列方法におけ
る絶縁層の形成を示す工程断面図である。

【図１７】本発明の実施の形態の素子の配列方法におけ
る配線の形成を示す工程断面図である。

【符号の説明】

１１ 第一基板 １２，６１，６２ 発光素子 １３ ワイヤー状スペーサー １３ａ 突出部 １４，５６ 接着層 １４ａ 樹脂 １５ 第一の一時保持用基板 １６ カソード側電極パッド １７ 剥離層 １８ 第二の一時保持用基板 １９ 素子分離溝 ２０ アノード側電極パッド ２１ 樹脂形成チップ ５２ 金属板 ５３ 吸着装置 ５４ 吸着チャンバ ５５ 吸着孔 ５６ 接着層 ５７ 電極層 ５８ 黒クロム層 ５９ 絶縁層 ６０ 第二基板 ６３，６４，７１ 配線 ６５，６６，６７，６８，６９，７０ 開口部

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 大庭 央 東京都品川区北品川６丁目７番35号 ソニ ー株式会社内 Ｆターム(参考） 2H089 LA08 LA10 LA16 LA19 LA20 MA01X MA11X NA07 NA12 NA17 NA24 NA56 NA60 QA11 QA12 QA14

Claims (29)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 一対の基板の間に介在され、前記一対の
   基板の間隔を一定に保つスペーサーにおいて、ワイヤー
   状の形状を有することを特徴とするスペーサー。
2. 【請求項２】 当該スペーサーの長手方向に対して垂直
   な面での断面形状が略円形形状、略楕円形形状、若しく
   は略多角形形状であることを特徴とする請求項１記載の
   スペーサー。
3. 【請求項３】 当該スペーサーは剛性を有することを特
   徴とする請求項１記載のスペーサー。
4. 【請求項４】 当該スペーサーの構成材料は金属、セラ
   ミック、樹脂、若しくはガラスであることを特徴とする
   請求項１記載のスペーサー。
5. 【請求項５】 当該スペーサーは格子状に組まれること
   を特徴とする請求項１記載のスペーサー。
6. 【請求項６】 基板と該基板に対向する対向基板とを張
   り合わせて形成される画像表示装置において、前記基板
   と前記対向基板との間隔がワイヤー状の形状を有するス
   ペーサーにより一定に保たれることを特徴とする画像表
   示装置。
7. 【請求項７】 前記スペーサーの長手方向に対して垂直
   な面での断面形状が略円形形状、略楕円形形状、若しく
   は略多角形形状であることを特徴とする請求項６記載の
   画像表示装置。
8. 【請求項８】 前記スペーサーは剛性を有することを特
   徴とする請求項６記載の画像表示装置。
9. 【請求項９】 前記スペーサーの構成材料は金属、セラ
   ミック、樹脂、若しくはガラスであることを特徴とする
   請求項６記載の画像表示装置。
10. 【請求項１０】 前記スペーサーは複数の前記素子の間
    に線状に配列若しくは格子状に配置されることを特徴と
    する請求項６記載の画像表示装置。
11. 【請求項１１】 前記スペーサーの端部が前記基板の外
    縁部より突出することを特徴とする請求項６記載の画像
    表示装置。
12. 【請求項１２】 前記素子は発光素子、液晶制御素子、
    光電変換素子、圧電素子、薄膜トランジスタ素子、薄膜
    ダイオード素子、抵抗素子、スイッチング素子、微小磁
    気素子、微小光学素子から選ばれた素子若しくはその部
    分であることを特徴とする請求項６記載の画像表示装
    置。
13. 【請求項１３】 複数の素子が配列される基板と該基板
    に対向する対向基板との間隔を一定に保持する間隔保持
    方法において、前記基板上にワイヤー状の形状を有する
    スペーサーを配列若しくは配置して前記基板と前記対向
    基板との間隔を一定に保持することを特徴とする間隔保
    持方法。
14. 【請求項１４】 前記スペーサーの長手方向に対して垂
    直な面での断面形状が略円形形状、略楕円形形状、若し
    くは略多角形形状であることを特徴とする請求項１３記
    載の間隔保持方法。
15. 【請求項１５】 前記スペーサーは剛性を有することを
    特徴とする請求項１３記載の間隔保持方法。
16. 【請求項１６】 前記スペーサーの構成材料は金属、セ
    ラミック、樹脂、若しくはガラスであることを特徴とす
    る請求項１３記載の間隔保持方法。
17. 【請求項１７】 前記スペーサーは複数の前記素子の間
    に線状に配列若しくは格子状に配置することを特徴とす
    る請求項１３記載の間隔保持方法。
18. 【請求項１８】 前記スペーサーの端部が前記基板の外
    縁部より突出することを特徴とする請求項１３記載の間
    隔保持方法。
19. 【請求項１９】 第一基板上の複数の素子を第二基板に
    転写する素子の転写方法において、複数の前記素子の間
    にワイヤー状スペーサーを線状に配列若しくは格子状に
    配置し、前記第一基板上に前記ワイヤー状スペーサーを
    含む接着層を形成した後、複数の前記素子及び前記スペ
    ーサーを前記第二基板に保持し、複数の前記素子を前記
    第一基板から分離することを特徴とする素子の転写方
    法。
20. 【請求項２０】 前記ワイヤー状スペーサーの長手方向
    に対して垂直な面での断面形状が略円形形状、略楕円形
    形状、若しくは略多角形形状であることを特徴とする請
    求項１９記載の素子の転写方法。
21. 【請求項２１】 前記ワイヤー状スペーサーの構成材料
    は金属、セラミック、樹脂、若しくはガラスであること
    を特徴とする請求項１９記載の素子の転写方法。
22. 【請求項２２】 前記ワイヤー状スペーサーは剛性を有
    することを特徴とする請求項１９記載の素子の転写方
    法。
23. 【請求項２３】 前記ワイヤー状スペーサーの端部が前
    記第一基板の外縁部より突出することを特徴とする請求
    項１９記載の素子の転写方法。
24. 【請求項２４】 複数の前記素子を保持する前記接着層
    を固めた後、前記第二基板上でレーザ光を照射して樹脂
    で覆われた状態で素子毎に分離することを特徴とする請
    求項１９記載の素子の転写方法。
25. 【請求項２５】 前記レーザ光は前記ワイヤー状スペー
    サーが形成された領域に照射することを特徴とする請求
    項２４記載の素子の転写方法。
26. 【請求項２６】 前記素子は窒化物半導体を用いた半導
    体素子であることを特徴とする請求項１９記載の素子の
    配列方法。
27. 【請求項２７】 前記素子は発光素子、液晶制御素子、
    光電変換素子、圧電素子、薄膜トランジスタ素子、薄膜
    ダイオード素子、抵抗素子、スイッチング素子、微小磁
    気素子、微小光学素子から選ばれた素子若しくはその部
    分であることを特徴とする請求項１９記載の素子の転写
    方法。
28. 【請求項２８】 前記第一基板は光透過性を有し、前記
    第一基板の裏面からレーザ光を照射し、前記第一基板よ
    り前記素子を分離することを特徴とする請求項１９記載
    の素子の転写方法。
29. 【請求項２９】 第一基板上の複数の素子を第二基板に
    配列する素子の配列方法において、複数の前記素子の間
    にワイヤー状スペーサーを線状に配列若しくは格子状に
    配置し、前記第一基板上に前記ワイヤー状スペーサーを
    含む接着層を形成した後、複数の前記素子及び前記ワイ
    ヤー状スペーサーを前記第二基板に保持し、複数の前記
    素子を前記第一基板から分離することを特徴とする素子
    の配列方法。