JP3946683B2 - アクティブマトリクス基板の製造方法 - Google Patents
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Description
提供することを目的とする。
クティブ素子を中間転写基板に接着する工程と、アクティブ素子を中間転写基板に接着し
た後に、転写元基板を除去する工程と、転写先基板の画素領域に接着層を形成する工程と
、転写先基板の、画素領域の周辺の周辺領域にスペーサ層を形成する工程と、転写元基板
を除去した後に、前記転写先基板上の前記スペーサ層を前記中間転写基板に押し付けなが
ら、中間転写基板に接着されたアクティブ素子を転写先基板上の接着層に転写する工程と
、転写先基板上に配線を形成する工程と、転写先基板上のアクティブ素子と配線とを接続
する工程とを具備することを特徴とするアクティブマトリクス基板の製造方法を提供する
。
、アクティブ素子が接着される領域の周辺にスペーサ層を形成する工程と、前記転写元基
板上の前記アクティブ素子を前記中間転写基板の前記領域に接着する工程と、
アクティブ素子を中間転写基板に接着した後に、転写元基板を除去する工程と、転写先基
板の画素領域に接着層を形成する工程と、転写元基板を除去し、中間転写基板にスペーサ
層を形成した後に、前記中間転写基板上の前記スペーサ層を前記転写先基板に押し付けな
がら、中間転写基板に接着されたアクティブ素子を転写先基板上の接着層に転写する工程
と、転写先基板上に配線を形成する工程と、転写先基板上のアクティブ素子と配線とを接
続する工程とを具備することを特徴とするアクティブマトリクス基板の製造方法を提供す
る。
が出来る。
いく際の、転写選択性の問題について調査した。
て一時転写する中間転写基板204を用意する。中間転写基板204には、紫外線照射により剥離性を生じるUV剥離樹脂、加熱すると発泡することで接着力が低下する日東電工株式会社製リバアルファや、温度によって結晶、非結晶状態の相転移現象を利用して粘着力を変化させる株式会社ニッタ製のインテリマーなどからなる剥離層205が形成されている。この剥離層205の接着力により、転写元基板201上のアクティブ素子100を包む保護膜203を中間転写基板204に貼り付ける。
300℃程度の高温状態においても樹脂が変質したりすることがないという点で優れている。特に、アクリル樹脂は、接着性に優れており、透明でかつ柔軟性に優れておりさらにクラックが生じにくいために好ましい。また、透過型の液晶表示装置を形成する場合においては、可視光に対する透過率が十分高いため、光効率の点でも優れている。接着層14中には、Crなどのメタルの微粒子を分散させたものや黒色レジストを用いても良い。これらの方法でレジストを黒色化又は不透明化することで、この上に転写されるアクティブ素子中への光漏れが低減し、トランジスタのスイッチング比を向上することができ、最終的に形成された表示装置の画質が向上する。接着層14としては、感光性を有する有機樹脂を用いると容易にパターニングが可能であり、感光性のない樹脂を用いるよりもコストが低減する。もちろん、感光性のない有機樹脂を用いた場合はエッチングや印刷等によりパターニング形成が可能である。
置のためのアクティブマトリクス基板を小さな基板から形成することが可能となり、アクティブ素子の製造装置の小型化を実現できる。
Tを用いたものとしたが、ポリシリコンTFTなどの他のタイプの薄膜トランジスタを用いても構わない。また薄膜ダイオード、薄膜キャパシタ、その他のいかなる素子を用いてもよく、有機EL表示装置を作製する場合などは、複数の薄膜トランジスタを組合わせてアクティブ素子を形成しても良い。
層205上に形成しそれをマスクとしてArイオン等によるスパッタエッチングを行うこと等により可能である。本実施形態においても、中間転写基板204上にアクティブ素子100を転写した後、接着層14が形成された転写先基板11と貼り合せ、剥離することにより、転写を行うことができる。この場合、転写先基板11上にはスペーサが形成されないが、転写工程自体は前述のプロセスと変わりはない。本実施形態においても、第1の実施形態と同様な効果を得ることが可能である。
12…画素領域
13…周辺領域
14…接着層
15…薄膜トランジスタ
16、701、702…スペーサ層
100…アクティブ素子
201…転写元基板
202…アンダーコート層
203…保護膜
204…中間転写基板
205…剥離層
206…第1の平坦化膜
207…第2の平坦化膜
208…画素電極
301…ゲート電極
302…ゲート絶縁膜
303…チャネル層
304…チャネル保護膜
305…n型半導体層
306…ソース電極
307…ドレイン電極
401…第1のスペーサ層
402…第2のスペーサ層
403…第3のスペーサ層
501…額縁状のスペーサ層
601…スペーサ層配置可能領域
602…変形例におけるスペーサ層配置可能領域
Claims (2)
- 転写元基板上にアクティブ素子を形成する工程と、
前記転写元基板上の前記アクティブ素子を中間転写基板に接着する工程と、
前記アクティブ素子を前記中間転写基板に接着した後に、前記転写元基板を除去する工程
と、
転写先基板の画素領域に接着層を形成する工程と、
前記転写先基板の、前記画素領域の周辺の周辺領域にスペーサ層を形成する工程と、
前記転写元基板を除去した後に、前記転写先基板上の前記スペーサ層を前記中間転写基板
に押し付けながら、前記中間転写基板に接着された前記アクティブ素子を前記転写先基板
上の前記接着層に転写する工程と、
前記転写先基板上に配線を形成する工程と、前記転写先基板上の前記アクティブ素子と前
記配線とを接続する工程とを具備することを特徴とするアクティブマトリクス基板の製造
方法。 - 転写元基板上にアクティブ素子を形成する工程と、
中間転写基板上の、前記アクティブ素子が接着される領域の周辺にスペーサ層を形成する
工程と、
前記転写元基板上の前記アクティブ素子を前記中間転写基板の前記領域に接着する工程と
、
前記アクティブ素子を前記中間転写基板に接着した後に、前記転写元基板を除去する工程
と、
転写先基板の画素領域に接着層を形成する工程と、
前記転写元基板を除去し、前記中間転写基板に前記スペーサ層を形成した後に、前記中間
転写基板上の前記スペーサ層を前記転写先基板に押し付けながら、前記中間転写基板に接
着された前記アクティブ素子を前記転写先基板上の前記接着層に転写する工程と、
前記転写先基板上に配線を形成する工程と、
前記転写先基板上の前記アクティブ素子と前記配線とを接続する工程とを具備することを
特徴とするアクティブマトリクス基板の製造方法。
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