JP2004128187A - 半導体素子及び半導体装置、並びにこれらの製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】素子作製時に生成するポリＧａＮ等の不要物を効果的に除去し、電極形成及び素子分離を容易かつ確実に行い、高信頼性及び高品質の素子構成層を形成可能な光電変換素子等の半導体素子及び半導体装置、並びにこれらの製造方法を提供すること。
【解決手段】例えば、サファイア基板１上にＧａＮ：Ｓｉ下地成長層２を形成し、下地成長層２上にＴｉ被アブレーション層４及びＳｉＮｘマスク層３をこの順に積層し、マスク層３及び被アブレーション層４に、下地成長層２を露出させる開口部３８を形成し、開口部３８を介してｎ型ＧａＮ：Ｓｉ層１２、更にはＩｎＧａＮ活性層１３、ｐ型ＧａＮ：Ｍｇ層１４を結晶成長させた後、この結晶成長層の周囲において被アブレーション層４をレーザアブレーションで選択的に除去して、結晶成長時に同時に生成したポリＧａＮ５を除去し、この除去領域に露出した下地成長層２に電極形成及びスクライビングを行う。
【選択図】　　　　　図２

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、光電変換素子及びこれを構成要素とする光電変換装置等の半導体素子及び半導体装置、並びにこれらの製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
従来、電気回路装置の製造方法としては、ウエーハからダイシングして回路素子（例えば半導体チップ）を分離し、分離した回路素子をダイシングシートからチップトレイに移送し、更には、チップトレイから回路素子を真空吸着でピックアップして、基板にマウント若しくは接続した後に配線するという方法が知られている。
【０００３】
この方法は、例えば、半導体パッケージの製造工程等において一般的に行われている。
【０００４】
ここで、従来の、光電変換素子である回路素子及びこれを構成要素とする光電変換装置、並びにこれらの製造方法等は下記に例示するようなものである。
【０００５】
上述のような回路素子である光電変換素子は、例えば、先細り形状とされた先端部を有する回路素子であって、図１７に示すような構造を有する発光素子を挙げることができる。図１７の（ａ）が発光素子の断面図であり、図１７の（ｂ）がその平面図である。
【０００６】
この光電変換素子の一種である発光素子はＧａＮ系の発光ダイオード素子であり、例えば、サファイア基板（図示せず）上に結晶成長される発光素子である。このようなＧａＮ系の発光ダイオード素子は、基板を透過するレーザ照射によってレーザアブレーションを生じさせ、ＧａＮの分解に伴なってサファイア基板とＧａＮ系の結晶成長層との間の界面で膜剥れが生じ、素子の分離が容易になるという特徴を有している。
【０００７】
この構造によれば、ＧａＮ系半導体層からなる下地成長層５２上に、シリコンドープの六角錐形状のｎ型のＧａＮ：Ｓｉ層６２が形成されている。下地成長層５２上にはマスク５３が存在し、六角錐形状のＧａＮ：Ｓｉ層６２は、このマスク５３を開口した部分にＭＯＣＶＤ（有機金属気相成長）法等によって形成される。最終的に、ＧａＮ：Ｓｉ層６２等の下部以外のマスク層５３は選択的に除去される。
【０００８】
ＧａＮ：Ｓｉ層６２は、成長時に使用されるサファイア基板の主面をＣ面とした場合に、Ｓ面（１−１０１面）で覆われたピラミッド型の成長層であり、シリコンをドープさせた領域である。そして、このＧａＮ：Ｓｉ層６２の傾斜したＳ面の部分はダブルへテロ構造のクラッドとして機能する。
【０００９】
次に、ＧａＮ：Ｓｉ層６２の傾斜したＳ面を覆うように、活性層であるＩｎＧａＮ層６３が形成されており、その外側に、マグネシウムドープのｐ型のＧａＮ：Ｍｇ層６４が形成される。なお、このマグネシウムドープのＧａＮ：Ｍｇ層６４もクラッドとして機能する。
【００１０】
更に、このような発光ダイオード素子６１には、ｐ電極６５とｎ電極６６とが形成されている。ｐ電極６５は、マグネシウムドープのＧａＮ：Ｍｇ層６４上に形成されるが、Ｎｉ／Ｐｔ／Ａｕ又はＮｉ（Ｐｄ）／Ｐｔ／Ａｕ等の金属材料を蒸着して形成される。
【００１１】
又、ｎ電極６６は、ＧａＮ：Ｓｉ層６２等の下部以外の所定の露出部分に、Ｔｉ／Ａｌ／Ｐｔ／Ａｕ等の金属材料材料蒸着して形成される。なお、下地成長層５２の裏面側からｎ電極６６用の取り出しを行う場合には、ｎ電極６６は下地成長層５２の表面側に形成する必要はない。
【００１２】
このような構造のＧａＮ系の発光ダイオード素子６１は、青色発光も可能な素子であって、特に、レーザアブレーションによって比較的簡単にサファイア基板（図示せず）から剥離することができ、レーザビームを選択的に照射することによって選択的な剥離を実現する。
【００１３】
なお、このＧａＮ系の発光ダイオード素子６１としては、平板状や帯状に活性層が形成される構造であってもよく、上端部にＣ面が形成された角錐構造のものであってもよい。又、他の窒化物系や化合物半導体等であってもよい。
【００１４】
また、この半導体発光ダイオード素子６１は、例えば、ｐ型半導体とｎ型半導体との接合面に順方向に電流を注入した時にキャリアである電子と正孔とが再結合して発光するものであればよく、半導体発光ダイオード素子６１の構成材料は特に限定されない。このような発光性半導体材料としては、例えば、上述のような青色発光用の窒化ガリウム（ＧａＮ）以外に、緑色発光用のリン化ガリウム（ＧａＰ）、赤色発光用のヒ化リン化ガリウム（ＧａＡｓＰ）、ヒ化アルミニウムガリウム（ＡｌＧａＡｓ）等のガリウム系の化合物半導体、セレン化亜鉛（ＺｎＳｅ）、シリコンカーバイド（ＳｉＣ）等、公知の半導体であってよい。
【００１５】
このような各種の半導体発光ダイオード素子６１の材料となる化合物半導体は、有機金属化合物気相成長法（ＭＯＣＶＤ法）、分子線エピタキシー法（ＭＢＥ法）、ハイドライド気相成長法（ＨＶＰＥ法）等によって作製可能であるが、ハイドリングが可能である限り、なるべく微小な寸法形状とすることが望ましい。
【００１６】
こうした微小な半導体発光ダイオード素子６１は、化合物半導体のウエーハからチップ状に切り出すよりも、上述のように、サファイア基板上で化合物半導体を選択的に結晶成長させることによって比較的容易に得られる。この選択的な結晶成長によって、下端面の一辺の寸法が１００〜２００μｍ程度又はそれ以下、例えば１０〜５０μｍ程度のサイズの半導体発光ダイオード素子６１を得ることができる。必要によっては、結晶成長させた後に、立体形状を調整するための加工処理を施してもよい。
【００１７】
そして、この微小な半導体発光ダイオード素子６１のｐ型半導体には例えばＮｉ／Ａｕを蒸着してｐ電極６５を形成し、またｎ型半導体には必要に応じて例えばＴｉ／Ａｕを蒸着してｎ電極６６を形成する。これらの電極６５及び６６を形成した微小な半導体発光ダイオード素子６１は、そのまま基体面に配置して固定してもよいが、半導体発光ダイオード素子６１を特に微小な形状とし、上述したようにその周囲を絶縁層で覆うことにより、見掛け上のサイズを大にしてハンドリングを容易化することができる。
【００１８】
また、透明な基体面に配置して固定する半導体発光ダイオード素子６１は、その形状によって、基体面側、即ち半導体発光ダイオード素子６１の下端面側への発光光の輝度を向上させることが可能である。半導体発光ダイオード素子６１の発光領域（活性層）からの発光のうち、発光領域から上方へ向かう光は上端部の電極面等を反射面として下端面側へ向かう光とし得るが、下端面に垂直な側面へ向かう光は側面で反射させても下端面へ向かう光とはなりにくいので、半導体発光素子は下端面となす角度が４５±２０度の範囲内にある傾斜面を有することが望ましい。このような傾斜面に反射面を設けることにより、側方へ向かう発光成分を反射させて効果的に下端面側へ向かう光とすることができる。
【００１９】
この傾斜面は、片側斜面、両側斜面、方形斜面であってもよい。更には、半導体発光素子が角錐形状又は角錐台形状を有することが望ましい。角錐、角錐台及び多角錐台にあっては、上面も反射面とすることにより、半導体発光素子の発光を一層効果的に下端面側へ向けることができる。ここで言う角錐又は角錐台には、三角錐、四角錐、五角錐、六角錐から、円錐に近似した多角錐等の各種の角錐と、それらに対応する角錐台が含まれる。
【００２０】
次に、上述した発光ダイオード素子６１を製造するには、例えば、まず図１８（ａ）に示すように、サファイア基板５１の（０００１）面に温度５００℃でＡ１又はＧａＮ等のバッファ層（図示せず）、続いて１０００℃でシリコンをドーピングしたｎ型の下地成長層（窒化ガリウムＧａＮ：Ｓｉ層）５２を成長させる。
【００２１】
次いで図１８（ｂ）に示すように、下地成長層５２上にＳｉＯ_２又はＳｉＮマスク層５３を形成し、このマスク層の所定の位置にエッチングで形成した開口部８８に、図１８（ｃ）に示すように、１０００℃でシリコンをドーピングしたｎ型の窒化ガリウムを結晶成長させることにより、六角錐形状のｎ型半導体のＧａＮ：Ｓｉ層６２を形成する。
【００２２】
次いで図１８（ｄ）に示すように、この六角錐の（１−１０１）面及びこれに等価な傾斜面上に、成長温度を下げて活性層であるＩｎＧａＮ層６３を形成し、更にこの上にマグネシウムをドーピングしたｐ型の窒化ガリウムＧａＮ：Ｍｇ層６４を成長させた後、図１９（ｅ）に示すように、その表層部のｐ型ＧａＮ：Ｍｇ層６４にＮｉ／Ａｕを蒸着して発光の反射面ともなるｐ電極６５を形成する。
【００２３】
更に、下地成長層（ＧａＮ：Ｓｉ層）５２の上面のマスク層５３にエッチングで開口部を開け、Ｔｉ／Ａｕを蒸着してｎ電極６６を形成する。
【００２４】
次いで図１９（ｆ）に示すように、図１７（ａ）に示した断面形状に下地成長層５２をＲＩＥ（Ｒｅａｃｔｉｖｅ　Ｉｏｎ　Ｅｔｃｈｉｎｇ）によりスクライビングして素子分離溝７３ｇを形成し、各発光ダイオード素子６１に分離する。これらの素子は、後述するように基板５１から剥離し、更に絶縁層中に埋め込み、剥離転写工程を経て実装基板にマウントされる。
【００２５】
【発明が解決しようとする課題】
ここで、図１８（ｃ）、更には（ｄ）に示した工程、特に図１８（ｃ）に示した工程において、開口部８８の上部に断面ほぼ三角形状のＧａＮ：Ｓｉ層６２等のＧａＮ系結晶層が形成される際、図２０（ａ）に拡大して示すように、隣接するＧａＮ層６２間のマスク層５３上にはＧａＮ系結晶層の原料に由来するポリＧａＮ５５が堆積し易いことが判明した。
【００２６】
このポリＧａＮ５５は、そのまま残存することになると、図２０（ｂ）の工程において図１９（ｅ）、（ｆ）に示したエッチング及び電極の形成、更には素子分離に支障をきたす。
【００２７】
即ち、ポリＧａＮ５５はエッチングが困難な材質であるため、通常用いられるエッチング方法では、下地成長層５２上から容易に除去できず、マスク層５３に電極被着用の開口部を形成したり、素子分離溝７３ｇを形成することが困難となる。仮に、このポリＧａＮが存在しない領域をエッチングし、その下のマスク層５３がエッチングされたとしても、形成された開口部は非常に狭くて不均一となるために、電極の接続不良や電気抵抗の上昇が生じてしまう。しかも、ポリＧａＮ５５が付着したまま発光ダイオード素子や発光装置等を作製すると、ポリＧａＮ５５上に樹脂等の種々の材料を積層するときに、その被覆性又は被着性も不良となり易い。
【００２８】
そこで、ポリＧａＮ５５を除去する方法として、特開２００１−１４８３４９に示されているように、マスク層５３を例えばフッ酸を用いたウェットエッチングにより除去すると同時にその上の不要な多結晶ＧａＮ（ポリＧａＮ）をリフトオフ（剥離）する方法が考えられる。しかしながら、マスク層５３上のポリＧａＮ５５はリフトオフできるとしても、エッチング液の浸透に時間がかかり、エッチング時間が長くなる上に、エッチング液がＧａＮ層６２下のマスク層５３も溶解させるために、必要なＧａＮ層までも剥離したり、或いは剥離には至らなくてもＧａＮ層にダメージが生じる。
【００２９】
そこで、本発明の目的は、素子作製時に生成するポリＧａＮ等の不要物を効果的に除去して、電極形成及び素子分離を素子構成層に対するダメージなしに短時間で容易かつ確実に行い、高い信頼性及び品質の素子構成層を形成可能な光電変換素子及び光電変換装置等の半導体素子及び半導体装置、並びにこれらの製造方法を提供することにある。
【００３０】
【課題を解決するための手段】
即ち、本発明は、基体上に下地層を形成する工程と、前記下地層上にマスク層を積層する工程と、前記マスク層に、前記下地層を露出させる開口部を形成する工程と、前記開口部を介して半導体素子構成材料を成長させて素子構成層を形成する工程と、前記素子構成層の周囲において前記マスク層上の不要物をこの下部のアブレーションによって選択的に除去する工程と、この除去領域に前記下地層を露出させる工程とを有する、半導体素子の製造方法に係るものである。
【００３１】
本発明は又、この半導体素子の製造方法において更に、前記素子構成層及び前記下地層に電極を形成する工程と、前記下地層の前記露出させた領域にて前記下地層を選択的に除去して半導体素子に加工する工程と、前記半導体素子を前記基体から分離する工程と、この分離された半導体素子を絶縁層に埋設する工程と、この絶縁層に前記半導体素子に接続された電極端子を形成する工程と、この電極端子を含む素子ユニットを作製する工程と、この素子ユニットを駆動回路基板に接続固定する工程とを付加した、半導体装置の製造方法に係るものである。
【００３２】
本発明は又、下地層上に被アブレーション層とマスク層とが積層して設けられ、前記マスク層及び前記被アブレーション層に形成された開口部において前記下地層に連設して素子構成層が形成され、前記素子構成層の周囲において前記被アブレーション層と共に前記マスク層が選択的に除去され、この除去領域に前記下地層が面している半導体素子に係るものである。
【００３３】
本発明は又、この半導体素子において更に、前記素子構成層及び前記下地層に電極が形成され、前記下地層が面した前記領域にて前記下地層の一部が除去されて、半導体素子に加工され、この半導体素子が絶縁層に埋設され、この絶縁層に前記半導体素子に接続された電極端子が形成され、この電極端子を含む素子ユニットが構成され、この素子ユニットが駆動回路基板に接続固定されている半導体装置に係るものである。
【００３４】
本発明によれば、前記下地層上に積層した前記マスク層に、前記下地層を露出させる開口部を形成し、この開口部を介して半導体素子構成材料を成長させて素子構成層を形成し、この素子構成層の周囲において前記マスク層上の不要物をこの下部のアブレーションによって選択的に除去し、この除去領域に前記下地層を露出させているので、ポリＧａＮ等の不要物をこの下部のアブレーションによって（具体的には、被アブレーション層のアブレーションによる蒸発で）除去すると同時にその上のポリＧａＮ等の不要物を効果的に除去できる。しかも、これをアブレーションによって行えるために、ウェットエッチング等による場合と比べて前記素子構成層にダメージを与えることがなく、また電極形成及び素子分離を短時間で容易にかつ確実に行え、依頼性及び品質に優れた半導体素子及びその装置を得ることができる。
【００３５】
【発明の実施の形態】
本発明においては、前記素子構成層間の分離及び電極の形成のためには、少なくとも前記アブレーションを行うべき領域において前記マスク層下に被アブレーション層を形成し、この被アブレーション層を前記アブレーションによって除去すると同時に、互いに隣接する前記素子構成層間において前記マスク層上に付着する前記半導体素子構成材料の原料に由来するポリＧａＮ等の不要物を前記マスク層と共に除去することが望ましい。仮に、前記被アブレーションを設けずに、前記マスク層を直接アブレーションすると、このアブレーション条件の設定が容易ではなく、また使用するレーザーが高価なものとなる。これに反し、本発明では特に、マスク層に加えて被アブレーション層を設けると、アブレーション条件のマージンが広くなり、安価なレーザーでも使用可能となる。
【００３６】
また、アブレーションされるべき領域を限定し、素子構成層のダメージをなくすためには、前記被アブレーション層をレーザアブレーションによって限定した領域で行うのが望ましい。
【００３７】
この場合、前記基体から前記下地層がアブレーションによって剥離しないように、前記被アブレーション層をレーザ光吸収材料（例えばチタン）によって形成し、前記下地層及び前記基体をレーザ光非吸収材料によって形成するのが望ましい。
【００３８】
特に、レーザアブレーションを効果的に行うために、前記被アブレーション層をチタン等の金属によって形成するのが望ましい。この種の金属は、後述する基体からの下地層の剥離に必要なレーザ光波長よりも長い波長のレーザ光を吸収し易い材質である。
【００３９】
また、発光ダイオード素子等の作製のために、前記素子構成層及び前記下地層に電極を形成する工程と、前記下地層の前記露出させた領域にて前記下地層の一部を選択的に除去して、光電変換素子等の半導体素子に加工する工程と、前記半導体素子を前記基体から分離する工程とを、前記半導体素子構成層の周囲での前記アブレーション後に、更に行うのが望ましい。
【００４０】
また、素子分離を効果的に行うには、少なくとも前記アブレーションを行うべき領域以外において前記基体上に第２の被アブレーション層及び第２のマスク層を積層し、この第２のマスク層の開口部を介して前記下地層を成長させ、しかる後に前記の各工程を経て前記不要物の除去及び前記半導体素子の加工を行った後、前記第２の被アブレーション層のアブレーションによって前記半導体素子を前記基体から分離するのが望ましい。
【００４１】
この場合、前記第２の被アブレーション層のアブレーションをレーザアブレーションによって行い、このためには、前記第２の被アブレーション層をレーザ光吸収材料（例えばチタン）によって形成し、前記基体をレーザ光非吸収材料によって形成するのがよい。
【００４２】
また、前記開口部を介して第１導電型のＧａＮ：Ｓｉ等の前記下地層上に、ＧａＮ：Ｓｉ等の第１導電型層とＩｎＧａＮ等の活性層とＧａＮ：Ｍｇ等の第２導電型層とを順次積層成長させて、前記素子構成層としてのＧａＮ系等の結晶層を形成するのが望ましい。
【００４３】
この場合、前記結晶層を窒化物半導体等のエピタキシャル成長によって形成するのが望ましい。
【００４４】
また、窒化ガリウム系半導体等からなる半導体光電変換素子を前記絶縁層としての樹脂中に埋設した後、この樹脂に前記電極端子としての電極パッドを形成し、更にスクライビングして発光素子ユニットに加工することができる。
【００４５】
これは、画像表示装置又は光源装置用としての発光素子又は発光装置を製造するのに好適である。
【００４６】
以下に、本発明の好ましい実施の形態を図面の参照下に具体的に説明する。
【００４７】
図１〜図４は、本実施の形態による発光ダイオード素子１１の製造工程を示すものであるが、図１８（ａ）〜図１９（ｆ）に示した工程と根本的に異なる点は、マスク層３と下地成長層２との間にチタン（Ｔｉ）からなる被アブレーション層４を形成していることである。
【００４８】
即ち、まず、図１（ａ）に示すように、サファイア基板１の表面にシリコンドープのｎ型ＧａＮ：Ｓｉからなる下地成長層２を気相からエピタキシャル成長させ、その上にチタン（Ｔｉ）からなる被アブレーション層４をスパッタリング法等により厚さ５〜５０ｎｍに形成する。そして、この被アブレーション層４上にＳｉＮｘ、例えばＳｉ_３Ｎ_４からなるマスク層３を気相成長法等により厚さ１０〜５００ｎｍに積層する。ここで、Ｔｉ被アブレーション層４及びマスク層３の厚さ、材質、形成方法等の条件は、同等の効果があれば、任意に変更してもよい
【００４９】
次に、図１（ｂ）に示すように、マスク層３と被アブレーション層４との積層膜の所定箇所をドライエッチング法等により除去して、ＧａＮ気相成長用の開口部３８を形成し、ここに下地成長層２を露出させる。
【００５０】
次に、図２（ｃ）に示すように、開口部３８を介して下地成長層２上からマスク３層上の開口部周辺部にかけて、図１７に示した如きほぼ六角錐形状のシリコンドープのｎ型ＧａＮ：Ｓｉ層１２、ＩｎＧａＮ層１３及びマグネシウムドープのｐ型ＧａＮ：Ｍｇ層１４を順次結晶成長させるが、その時にこの結晶成長層以外の領域に露出しているマスク層３上には、既述したと同様にＧａＮ系結晶成長層の原料に由来するポリＧａＮ５が同時に堆積する。
【００５１】
次に、図２（ｄ）に示すように、マスク４１を用いて基板１の側から、ポリＧａＮ５の堆積領域に限定して被アブレーション層４に対しレーザ光を照射する。このレーザ光は、基板１及び下地成長層２を透過し、被アブレーション層４を形成するチタンに効率良く吸収され、これによって、被アブレーション層４をアブレーションして蒸発させ、図示の如くに、ＧａＮ系結晶層以外の領域（又はその周囲）においてマスク層３と共にこの上に付着したポリＧａＮ５を選択的に下地成長層２から剥離する。
【００５２】
ここで、使用されるレーザ光は、基板１及び下地成長層４を透過して被アブレーション層４に効率良く吸収される波長を有している必要があり、その値は比較的長波長であって通常は４００ｎｍ以上、例えば５３２ｎｍに設定する。
【００５３】
そして、基板１の側に配されたマスク４１によって、照射されるレーザ光の照射領域が互いに隣接するＧａＮ：Ｓｉ層１２等の結晶成長層間の限定されているために、ＧａＮ系結晶成長層の下部に埋設された状態の被アブレーション層４にはレーザ光が照射されることはなく、その部分がアブレーションされることはないので、ＧａＮ：Ｓｉ層１２等は何らのダメージや剥離も生じず、その形状を保持し、高品質の物性を保持することができる。
【００５４】
こうして、互いに隣接するＧａＮ：Ｓｉ層１２等の結晶成長層間においてマスク層３と共に不要なポリＧａＮ５を被アブレーション層４のアブレーションで除去し、この除去領域に下地成長層２を露出させ、後述の発光ダイオード素子１１の作製に必要な電極形成や下地成長層２のスクライビング等を行い易くしておく。
【００５５】
次に、図３（ｅ）に示すように、ＧａＮ：Ｍｇ層１４上にｐ電極１５を形成し、また、ポリＧａＮ５が除去された下地成長層２上にｎ電極１６を形成する。
【００５６】
次に、図３（ｆ）に示すように、図１７（ａ）に示した断面形状とほぼ同様に、ＲＩＥ（Ｒｅａｃｔｉｖｅ　Ｉｏｎ　Ｅｔｃｈｉｎｇ）により下地成長層２をスクライビングして素子分離溝４０を形成し、個々の発光ダイオード素子１１に加工する。
【００５７】
しかる後に、図４（ｇ）に示すように、基板１の側からレーザ光を照射することによって、基板１との界面で下地成長層２をアブレーションし、図４（ｈ）に示すように、基板１上から所定の発光ダイオード素子１１を選択的に剥離する。この剥離された発光ダイオード素子１１は、後述の転写工程に移され、最終的には実装基板にマウントされる。
【００５８】
このアブレーションに使用されるレーザ光は、基板１を透過して基板１と下地成長層２との界面で吸収され易い波長を有していることが必要であり、その値は通常４００ｎｍ以下、例えば２４８ｎｍと比較的短波長に設定する。
【００５９】
以上に述べたように、本実施の形態によれば、下地成長層２上にＴｉ被アブレーション層４及びマスク層３をこの順で積層した後、マスク層３及び被アブレーション層４に下地成長層２を露出させるための開口部３８を形成し、この開口部３８を介してＧａＮ：Ｓｉ層１２、ＩｎＧａＮ層１３及びＧａＮ：Ｍｇ層１４を順次結晶成長させ、この結晶成長層の周囲において被アブレーション層４をレーザ光によるアブレーションで選択的に除去することにより、この除去領域に下地成長層２を露出させているので、被アブレーション層４の蒸発除去と同時にその上のマスク層３及びポリＧａＮ５を効果的に除去できる。しかも、これをアブレーションによって行えるために、ウェットエッチング等による場合と比べて結晶成長層にダメージを与えることがない。また、ポリＧａＮ５を除去できることから、電極形成及び素子分離（図３の工程）を容易にかつ確実に行え、信頼性及び品質に優れた光電変換素子を得ることができる。
【００６０】
特に、図２の工程において、マスク４１を用いて基板１側からレーザ光を選択的に照射することによって、互いに隣接するＧａＮ：Ｓｉ層１２等の結晶成長層間の被アブレーション層４のみをアブレーションし、結晶成長層下の被アブレーション層４はアブレーションされることはないので、結晶成長層がダメージを受けて損われることはなく、下地成長層２との密着性も良好に保持される。そして、ポリＧａＮ５の剥離をレーザアブレーションによって行うために、この点でも結晶成長層にダメージを与えることなしに短時間で工程を実施することができる。
【００６１】
仮に、被アブレーション層４を設けずに、マスク層３を直接アブレーションすると、このアブレーション条件の設定が容易ではなく、また使用するレーザーが高価なものとなる。これに反し、本実施の形態では特に、マスク層３に加えて被アブレーション層４を設けているので、アブレーション条件のマージンが広くなり、安価なレーザーでも使用可能となる。
【００６２】
次に、図５〜図１０を参照しながら、図４（ｈ）の工程で得られた発光ダイオード素子１１を用いた発光装置の製造方法について説明する（但し、発光ダイオード素子１１は以下の図において簡略図示する）。
【００６３】
まず、図５（ａ）に示すように、第１の一時保持用部材７の上面に、第１の剥離層８と樹脂層９とを積層して密着形成する。
【００６４】
一時保持用部材７の材質としては、高分子シート等を挙げることができ、剥離層８の材質としては、フッ素コート、シリコーン樹脂、水溶性接着剤（例えば、ポリビニルアルコール：ＰＶＡ）又はポリイミド等を用いることができる。また、樹脂層８は、紫外線（ＵＶ）硬化型樹脂、熱硬化性樹脂又は熱可塑性樹脂のいずれかによって形成する。一例として、一時保持用部材７として高分子シート等を用い、剥離層８としてポリイミド膜を形成後、樹脂層９としてＵＶ硬化型樹脂を塗布することができる。
【００６５】
そして、図５（ａ）の状態で、樹脂層９上において発光ダイオード素子１１を埋設（転写）する部分以外にレーザ光を照射することによって硬化させ、レーザ光を照射しない部分は、後の工程で発光ダイオード素子１１を転写可能な軟質部１０とする。
【００６６】
次に、図５（ｂ）に示すように、図３（ｅ）に示したようにサファイア等の第１の基板１の主面上に、上記した結晶成長及び必要な処理によって複数の発光ダイオード素子１１を例えばがマトリクス状に配列した状態で、発光ダイオード素子１１側を一時保持用部材７に対峙させて、樹脂層９に発光ダイオード素子１１を選択的に転写する。
【００６７】
この転写に際しては、図５（ｂ）に示すように、転写すべき所定の発光ダイオード素子１１に対して図４（ｇ）に示したと同様にエキシマレーザや高調波ＹＡＧレーザー等のレーザ光を基板１の裏面から照射し、発光ダイオード素子１１を基板１からレーザアブレーションにより剥離する。この場合、基板１と下地成長層２との界面でレーザアブレーションによってＧａＮが金属のＧａと窒素とに分解して蒸発することから、比較的簡単に剥離可能である。
【００６８】
このレーザアブレーションを利用した剥離作用によって、所定の発光ダイオード素子１１を基板１から分離し、図５（ｃ）に示すように、一時保持用部材７側の樹脂層９の軟質部１０にｐ電極の先端部１１ａを突き刺すようにして転写する。
【００６９】
なお、転写されない発光ダイオード素子１１については、図５（ａ）の工程において、樹脂層９がレーザ光照射によって既に硬化しておりかつ図５（ｂ）の工程においてアブレーション用のレーザ光照射が行われないため、樹脂層９に接触はするが樹脂層９に転写されることはなく、基板１上に付着したままとなる。
【００７０】
そして、転写後の状態では、図５（ｃ）に示すように、転写された複数の発光ダイオード素子１１間の間隔は、基板１上に配列されていた時よりも離間（ピッチ変更）して一時保持用部材７上に配列されたものとなる。
【００７１】
次に、図６（ｄ）に示すように、樹脂層９の軟質部１０上にｐ電極を一部突き刺すようにして保持された発光ダイオード素子１１を、加圧手段１９によって加圧し、樹脂層９の軟質部１０に更に押し付ける。
【００７２】
こうして、発光ダイオード素子１１は、図６（ｅ）に示すように、一時保持用部材７の樹脂層９にほぼ埋設保持された状態になる。そして、この発光ダイオード素子１１の裏面は十分に洗浄される。
【００７３】
次に、図６（ｆ）示すように、上下反転させ、更に図７（ｇ）に示すように、発光ダイオード素子１１を埋設した樹脂層９の裏面側に第２の剥離層２０を介して第２の一時保持用部材２１を密着させる。
【００７４】
次に、図７（ｈ）に示すように、発光ダイオード素子１１が埋設された樹脂層９から一時保持用部材７を、剥離層８へのレーザ光照射によるアブレーションで剥離する。
【００７５】
次に、図７（ｉ）に示すように、レーザ光照射でアノード電極（ｐ電極）側及びカソード電極（ｎ電極）側にビアホール２２をそれぞれ形成し、かつ樹脂層９及び剥離層２０の一部を機械的手段又はレーザ光照射によりダイシングして素子分離溝２３を形成し、個々の樹脂チップ２６に加工する。
【００７６】
ここで、一時保持用部材２１は、一例として、プラスチック基板にＵＶ粘着材が塗布してあるダイシングシートであり、紫外線（ＵＶ）が照射されると粘着力が低下する材質のものを利用できる。
【００７７】
次に、図８（ｊ）に示すように、アノード側の電極パッド２４及びカソード側の電極パッド２５を樹脂チップ２６上の所定の位置に形成する。
【００７８】
次に、図８（ｋ）に示すように、吸着装置２９を用いて、発光ダイオード素子１１を埋設した樹脂チップ２６を一時保持用部材２１から剥離する。
【００７９】
この時、一時保持用部材２１上には、例えば、フッ素コート、シリコーン樹脂、水溶性接着剤（例えば、ＰＶＡ）又はポリイミド等からなる剥離層２０が形成されているが、このような剥離層２０を形成した一時保持用部材２１の裏面から、例えばＹＡＧ第３高調波レーザ光を照射する。これにより、例えば、剥離層２０をポリイミドで形成した場合では、ポリイミドの層と一時保持用部材２１との界面でポリイミドのアブレーションにより剥離が発生して、発光ダイオード素子１１を埋設した樹脂チップ２６は、一時保持用部材２１から吸着装置２９のような機械的手段により容易に剥離可能となる。
【００８０】
吸着装置２９の吸着孔２８は、画像表示装置の画素ピッチにマトリクス状に開口していて（図ではその１つについて示す。）、発光ダイオード素子１１を埋設した樹脂チップ２６を多数個、一括して吸着できるようになっている。また、吸着装置２９の吸着孔２８を形成する金属板３０としては、例えば、Ｎｉ電鋳により作製したもの、又はステンレス（ＳＵＳ）等の金属板をエッチングで穴加工したもの等が使用される。そして、金属板３０の吸着孔２８の奥には吸着チャンバ２７が形成され、この吸着チャンバ２７を負圧に制御することにより、発光ダイオード素子１１を埋設した樹脂チップ２６の吸着が可能になる。発光ダイオード素子１１は、この段階では樹脂９で覆われており、その上面はほぼ平坦化されているので、吸着装置２９による選択的な吸着を容易に進めることができる。
【００８１】
次に、図９（ｌ）に示すように、発光ダイオード素子１１を埋設した樹脂チップ２６を吸着装置２９で吸着したまま第２の基板（実装基板）３２上に移動させ、固定（ボンディング）してマウントする。
【００８２】
この際、基板３２上には予め接着剤層３５が塗布されているために、発光ダイオード素子１１の下面の接着剤層３５を選択的に硬化させることによって、樹脂チップ２６を基板３２上に容易に固定して配列させることができる。この固定後には、吸着装置２９の吸着チャンバ２７が圧力の高い状態となり、吸着装置２９と樹脂チップ２６との吸着状態は解放される。
【００８３】
この時、接着剤層３５の樹脂を硬化させるエネルギーを与えるビーム３１は基板３２の裏面から照射する。例えば、ＵＶ硬化型接着剤を使用する場合には、ＵＶ光照射装置によって、又、熱硬化性接着剤を使用する場合にはレーザ光照射によって、発光ダイオード素子１１を埋設した樹脂チップ２６の下面のみを硬化させる。又、熱可塑性接着剤を使用する場合は、レーザ光照射にて接着剤３５を溶融させて接着を行う。
【００８４】
基板３２は、配線基板として、シャドウマスクとしても機能する電極層３４を配設し、特に電極層３４の画面側（基板３２側）の面に黒クロム層３３を形成する。これによって、画像のコントラストが向上し、更に黒クロム層３３でのエネルギー吸収率を高くして、選択的に照射されるビーム３１によって接着剤層３５を早く硬化させることができる。
【００８５】
図９（ｍ）は、Ｒ（赤）、Ｇ（緑）、Ｂ（青）の３色のそれぞれの発光ダイオード素子１１Ｒ、１１Ｇ、１１Ｂを図９（ｌ）のようにして基板３２上に配列固定し、更に全面を絶縁層３６で被覆した状態を示す。
【００８６】
ここで、上記の吸着装置２９を使用して、基板３２の対応する位置に各発光ダイオード素子をマウントすると、画素としてのピッチを保持したまま３色からなる画素を形成できる。なお、絶縁層３６の材質としては、透明エポキシ接着剤、ＵＶ硬化型接着剤又はポリイミド等を用いることができる。
【００８７】
なお、図９（ｍ）では、赤色の発光ダイオード素子１１Ｒは六角錐形状ではないプレーナタイプのＧａＮ系の素子構造とされ、他の発光ダイオード素子１１Ｇ及び１１Ｂは上記した六角錐形状のＧａＮ系の素子構造を有している。これらの素子は形状及び構造が異なってはいるが、図９（ｍ）の段階では、各発光ダイオード素子１１Ｒ、１１Ｇ、１１Ｂは樹脂チップ２６として樹脂９で覆われているので、同一の取り扱い（ハンドリング）が可能である。
【００８８】
次に、図１０（ｎ）に示すように、Ｒ、Ｇ、Ｂの３色の発光ダイオード素子１１Ｒ、１１Ｇ、１１Ｂのそれぞれの電極パッド２４及び２５や、基板３２上の電極層３４等に対応して、これらを電気的に接続するための開口部であるビアホール２２’をそれぞれレーザ光照射によって形成し、更に図１０（ｏ）に示すように、常法に従ってフォトリソグラフィー技術により配線３７を形成する。
【００８９】
なお、この時に形成するビアホール２２’は、Ｒ、Ｇ、Ｂの３色の発光ダイオード素子１１Ｒ、１１Ｇ、１１Ｂのそれぞれの電極パッド２４及び２５の面積を大きくしているために、各電極パッドに対応したビアホール２２’のサイズを大きくでき、かつ、ビアホール２２’の位置精度も、各発光ダイオード素子１１に直接形成するビアホール２２（図７（ｉ）参照）に比べて低い精度でも形成できる。
【００９０】
こうして、配線３７を形成した後は、保護層（図示せず）を配線上に形成し、画像表示装置のパネルを完成する。この保護層は、絶縁層３６と同様に、透明エポキシ接着剤等の材料を使用でき、加熱硬化して配線を完全に覆う。
【００９１】
なお、図１１に示すように、上記したｎ電極１６を下地成長層２に設けず、その裏面にｎ電極パッド２５を直接設ける構造としてもよい（但し、ｎ電極１６を設け、これに電極パッド２５を接続しても差支えない）。これによって、面積の限られた下地成長層２の上部に設ける場合（図１０（ｏ）参照）に比べて設置面積が広がり、電極パッド２５の取り付け可能な範囲が広くなって位置選択の自由度が増すと共に、下地成長層２自体も比較的小さなサイズにすることができる。
【００９２】
また、図１２（ａ）に示すように、ＧａＮ：Ｓｉ層１２等の結晶層を成長させる部分にはマスク層３のみを形成し、結晶層間はマスク層３下に被アブレーション層４を形成した構造としてもよい。この場合は、図１２（ｂ）に示すレーザアブレーションは、結晶層間の被アブレーション層４に対してのみより確実に行え、結晶層への悪影響を更に軽減若しくは皆無とすることができる。また、レーザ光の照射位置が仮に結晶層側にずれてもここではレーザ光吸収性のないマスク層３が存在するだけであるので、レーザ光照射を行い易くなり、場合によってはマスク４１を省略することもできる。
【００９３】
或いは、マスク層３自体を被アブレーション層とし、レーザ光の吸収によりマスク層３を選択的に蒸発させることにより、結晶層間のポリＧａＮ５をマスク層３と共に選択的に除去することも可能である。この場合は、上記した被アブレーション層４自体を省略することができる。
【００９４】
或いはまた、図１３（ａ）に示すように、ＧａＮ：Ｓｉ層１２等の結晶層を成長させる部分以外にはマスク層３上に被アブレーション層４を形成した構造としてもよい。この場合は、図１３（ｂ）に示すレーザアブレーションは、結晶層間の被アブレーション層４に対してのみより確実に行え、図１２の場合と同様に、結晶層への悪影響を更に軽減若しくは皆無とすることができ、またレーザ光照射を行い易くなり、場合によってはマスク４１を省略することもできる。
【００９５】
更には、図２（ｃ）の場合とは逆に、被アブレーション層４を上層とし、この下にマスク層３を形成しても、同等の結果が得られることがある。
【００９６】
図１４〜図１６は、図１〜図１３、例えば図１〜図１０に示した例において、素子分離用にレーザアブレーションを効果的に適用した他の例を示す。但し、上述の例と共通する部分には共通の符号を付して、その説明を省略することがある。
【００９７】
まず、図１４（ａ）に示すように、サファイア基板１の表面に下地のチタン（Ｔｉ）からなる被アブレーション層４’をスパッタリング法等により、またＳｉＯ_２等の下地のマスク層３’を気相成長法等により順次形成し、これらを素子パターンにエッチングし、素子を形成しない領域を除去して開口部３８’を形成する。
【００９８】
次に、図１４（ｂ）に示すように、図１（ａ）と同様に、マスク層３’を含む基板１上にシリコンドープのｎ型ＧａＮ：Ｓｉからなる下地成長層２を気相からラテラル方向にもエピタキシャル成長させ、図１４（ｃ）に示すように、図１（ｂ）と同様に、チタン（Ｔｉ）からなる被アブレーション層４をスパッタリング法等により、ＳｉＮｘ、例えばＳｉ_３Ｎ_４からなるマスク層３を気相成長法等により積層し、マスク層３と被アブレーション層４との積層膜の所定箇所をドライエッチング法等により除去して、ＧａＮ気相成長用の開口部３８を形成し、ここに下地成長層２を露出させる。
【００９９】
次に、図１５（ｄ）に示すように、図２（ｃ）と同様に、開口部３８を介して下地成長層２上からマスク３層上の開口部周辺部にかけて、図１７に示した如きほぼ六角錐形状のシリコンドープのｎ型ＧａＮ：Ｓｉ層１２、ＩｎＧａＮ層１３及びマグネシウムドープのｐ型ＧａＮ：Ｍｇ層１４を順次結晶成長させるが、その時にこの結晶成長層以外の領域に露出しているマスク層３上には、既述したと同様にＧａＮ系結晶成長層の原料に由来するポリＧａＮ５が同時に堆積する。
【０１００】
次に、図１５（ｅ）に示すように、マスク４１を用いて基板１の側から、ポリＧａＮ５の堆積領域に限定して被アブレーション層４に対し図２（ｄ）と同様にレーザ光を照射する。このレーザ光は、基板１及び下地成長層２を透過し、被アブレーション層４を形成するチタンに効率良く吸収され、これによって、被アブレーション層４をアブレーションして蒸発させ、図示の如くに、ＧａＮ系結晶層以外の領域（又はその周囲）においてマスク層３と共にこの上に付着したポリＧａＮ５を選択的に下地成長層２から剥離する。
【０１０１】
こうして、互いに隣接するＧａＮ：Ｓｉ層１２等の結晶成長層間においてマスク層３と共に不要なポリＧａＮ５を被アブレーション層４のアブレーションで除去し、この除去領域に下地成長層２を露出させる。
【０１０２】
次に、図１６（ｆ）に示すように、ＧａＮ：Ｍｇ層１４上にｐ電極１５を形成した後、下地成長層２を素子パターンにエッチングし、各素子に分離する。
【０１０３】
次に、図１６（ｇ）に示すように、基板１の側からレーザ光を照射することによって、基板１との界面で下地アブレーション層４’をアブレーションし、基板１上から所定の発光ダイオード素子１１を選択的に剥離する。この剥離された発光ダイオード素子１１は、裏面のマスク層３’をエッチングで除去し、ｎ電極の形成を含む上述の転写工程に移され、最終的には実装基板にマウントされる。このアブレーションに使用されるレーザ光は、図１５（ｅ）のレーザ光と同様であって、基板１を透過して被アブレーション層４’で吸収され易い波長を有していることが必要である。
【０１０４】
このようにして、下地成長層２下にＴｉ被アブレーション層４’及びマスク層３’をこの順で積層し、素子分離後にアブレーションして素子を基板１から効果的に剥離することができる。そして、この素子剥離前には、上部の被アブレーション層４のアブレーションによって被アブレーション層４の蒸発除去と同時にその上のマスク層３及びポリＧａＮ５を効果的に除去できることは勿論であり、上述した例と同様の作用効果を得ることができる。この場合、上述した例も同様であるが、下地マスク層３’上に下地成長層２をラテラル成長させ、マスク層３’上の下地成長層２を素子分離後にそのままｎ型層として用いていることが重要であり、特に、マスク層上のラテラル成長を利用した微小発光ダイオード素子の作製に有効である。
【０１０５】
以上に述べた実施の形態は、本発明の技術的思想に基づいて更に変形が可能である。
【０１０６】
例えば、被アブレーション層４の材質はチタン以外の材質でもよく、層厚、形成方法等は種々に変更してよい。また、各工程時におけるレーザ光又はビームの種類、照射量、照射時間及び照射位置等は、同等の効果があれば、任意に変えてよい。
【０１０７】
また、上記の実施の形態は、発光ダイオード素子１１からなる画素部に適用したが、本発明はこれ以外にも駆動トランジスタ素子や周辺回路素子等にも同様に適用できる。
【０１０８】
又、上記の実施の形態は、発光ダイオード素子に関するものであるが、他の光電変換素子等の半導体素子にも適用することができ、例示するならば、半導体レーザ素子、薄膜トランジスタ素子、薄膜ダイオード素子、抵抗素子、スイッチング素子等、及びこれらを有する発光表示装置等の半導体装置に適用することができる。
【０１０９】
【発明の作用効果】
本発明は、上述したように、前記下地層上に積層した前記マスク層に、前記下地層を露出させる開口部を形成し、この開口部を介して半導体素子構成材料を成長させて素子構成層を形成し、この素子構成層の周囲において前記マスク層をその下部のアブレーションによって選択的に除去し、この除去領域に前記下地層を露出させているので、不要物をこの下部のアブレーションによって除去すると同時にその上の不要物を効果的に除去できる。しかも、これをアブレーションによって行えるために、ウェットエッチング等による場合と比べて前記素子構成層にダメージを与えることがなく、また電極形成及び素子分離を短時間で容易にかつ確実に行え、依頼性及び品質に優れた半導体素子及びその装置を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施の形態において、発光ダイオード素子を作製する工程を順次示した断面図である。
【図２】同、発光ダイオード素子を作製する工程を順次示した断面図である。
【図３】同、発光ダイオード素子を作製する工程を順次示した断面図である。
【図４】同、発光ダイオード素子を作製する工程を順次示した断面図である。
【図５】同、発光ダイオード素子を用いた発光装置を作製する工程を順次示した断面図である。
【図６】同、発光装置を作製する工程を順次示した断面図である。
【図７】同、発光装置を作製する工程を順次示した断面図である。
【図８】同、発光装置を作製する工程を順次示した断面図である。
【図９】同、発光装置を作製する工程を順次示した断面図である。
【図１０】同、発光装置を作製する工程を順次示した断面図である。
【図１１】同、他の発光装置を作製する工程を順次示した断面図である。
【図１２】同、他の発光ダイオード素子を作製する工程を順次示した断面図である。
【図１３】同、更に他の発光ダイオード素子を作製する工程を順次示した断面図である。
【図１４】同、他の発光装置を作製する工程を順次示した断面図である。
【図１５】同、発光装置を作製する工程を順次示した断面図である。
【図１６】同、発光装置を作製する工程を順次示した断面図である。
【図１７】従来例による発光ダイオード素子の断面図及び平面図である。
【図１８】同、発光ダイオード素子を作製する工程を順次示した断面図である。
【図１９】同、発光ダイオード素子を作製する工程を順次示した断面図である。
【図２０】同、発光ダイオード素子を作製する工程における問題点を説明するための断面図である。
【符号の説明】
１、５１…基板、２…下地成長層、３、５３…マスク層、
４…被アブレーション層、５、５５…ポリＧａＮ、７…第１の一時保持用部材、
８…第１の剥離層、９…樹脂層、１０…軟質部、
１１、６１…発光ダイオード素子、１１ａ…先端部、
１１Ｒ…赤色発光ダイオード素子、１１Ｇ…緑色発光ダイオード素子、
１１Ｂ…青色発光ダイオード素子、１２、６２…ＧａＮ：Ｓｉ層、
１３、６３…ＩｎＧａＮ層、１４、６４…ＧａＮ：Ｍｇ層、
１５、６５…ｐ電極、１６、６６…ｎ電極、１９…加圧手段、
２０…第２の剥離層、２１…第２の一時保持用部材、
２２、２２’…ビアホール、２３、４０…素子分離溝、
２４、２５…電極パッド、２６…樹脂チップ、２８…吸着孔、２９…吸着装置、
３０…金属板、３１…ビーム、３２…第２の基板（実装基板）、
３３…黒クロム層、３４…電極層、３５…接着剤層、３６…絶縁層、
３７…配線、３８…開口部、４１…マスク

Claims (24)

1. 基体上に下地層を形成する工程と、
   前記下地層上にマスク層を積層する工程と、
   前記マスク層に、前記下地層を露出させる開口部を形成する工程と、
   前記開口部を介して半導体素子構成材料を成長させて素子構成層を形成する工程と、
   前記素子構成層の周囲において前記マスク層上の不要物をこの下部のアブレーションによって選択的に除去する工程と、
   この除去領域に前記下地層を露出させる工程と
   を有する、半導体素子の製造方法。
2. 基体上に下地層を形成する工程と、
   前記下地層上にマスク層を積層する工程と、
   前記マスク層に、前記下地層を露出させる開口部を形成する工程と、
   前記開口部を介して半導体素子構成材料を成長させて素子構成層を形成する工程と、
   前記素子構成層の周囲において前記剥離層を前記マスク層上の不要物をこの下部のアブレーションによって選択的に除去する工程と、
   この除去領域に前記下地層を露出させる工程と、
   前記素子構成層及び前記下地層に電極を形成する工程と、
   前記下地層の前記露出させた領域にて前記下地層を選択的に除去して、半導体素子に加工する工程と、
   前記半導体素子を前記基体から分離する工程と、
   この分離された半導体素子を絶縁層に埋設する工程と、
   この絶縁層に前記半導体素子に接続された電極端子を形成する工程と、
   この電極端子を含む素子ユニットを作製する工程と、
   この素子ユニットを駆動回路基板に接続固定する工程と
   を有する、半導体装置の製造方法。
3. 少なくとも前記アブレーションを行うべき領域において前記マスク層下に被アブレーション層を形成し、この被アブレーション層を前記アブレーションによって除去すると同時に、互いに隣接する前記素子構成層間において前記マスク層上に付着する前記半導体素子構成材料の原料に由来する不要物を前記マスク層と共に除去する、請求項１又は２に記載した製造方法。
4. 前記アブレーションをレーザアブレーションによって行う、請求項１又は２に記載した製造方法。
5. 前記被アブレーション層をレーザ光吸収材料によって形成し、前記下地層及び前記基体をレーザ光非吸収材料によって形成する、請求項４に記載した製造方法。
6. 前記被アブレーション層をチタンによって形成する、請求項５に記載した製造方法。
7. 前記素子構成層及び前記下地層に電極を形成する工程と、
   前記下地層の前記露出させた領域にて前記下地層を選択的に除去して、半導体素子に加工する工程と、
   前記半導体素子を前記基体から分離する工程と
   を更に有する、請求項１に記載した製造方法。
8. 少なくとも前記アブレーションを行うべき領域以外において前記基体上に第２の被アブレーション層及び第２のマスク層を積層し、この第２のマスク層の開口部を介して前記下地層を成長させ、しかる後に前記の各工程を経て前記不要物の除去及び前記半導体素子の加工を行った後、前記第２の被アブレーション層のアブレーションによって前記半導体素子を前記基体から分離する、請求項３に記載した製造方法。
9. 前記第２の被アブレーション層のアブレーションをレーザアブレーションによって行う、請求項８に記載した製造方法。
10. 前記第２の被アブレーション層をレーザ光吸収材料によって形成し、前記基体をレーザ光非吸収材料によって形成する、請求項９に記載した製造方法。
11. 前記第２の被アブレーション層をチタンによって形成する、請求項１０に記載した製造方法。
12. 前記開口部を介して第１導電型の前記下地層上に、第１導電型層と活性層と第２導電型層とを順次積層成長させて、前記素子構成層としての結晶層を形成する、請求項１又は２に記載した製造方法。
13. 前記結晶層を窒化物半導体等のエピタキシャル成長によって形成する、請求項１２に記載した製造方法。
14. 窒化ガリウム系半導体等からなる半導体光電変換素子を前記絶縁層としての樹脂中に埋設した後、この樹脂に前記電極端子としての電極パッドを形成し、更にスクライビングして光電変換素子ユニットに加工する、請求項２に記載した製造方法。
15. 画像表示装置又は光源装置用としての発光素子又は発光装置を製造する、請求項１又は２に記載した製造方法。
16. 下地層上に被アブレーション層とマスク層とが積層して設けられ、
    前記マスク層及び前記被アブレーション層に形成された開口部において前記
    下地層に連設して素子構成層が形成され、
    前記素子構成層の周囲において前記被アブレーション層と共に前記マスク層が選択的に除去され、
    この除去領域に前記下地層が面している半導体素子。
17. 下地層上に被アブレーション層とマスク層とが積層して設けられ、
    前記マスク層及び前記被アブレーション層に形成された開口部において前記下地層に連設して素子構成層が形成され、
    前記素子構成層の周囲において前記被アブレーションと共に前記マスク層が選択的に除去され、
    この除去領域に前記下地層が面しており、
    前記素子構成層及び前記下地層に電極が形成され、
    前記下地層が面した前記領域にて前記下地層の一部が除去されて、半導体素子に加工され、
    この半導体素子が絶縁層に埋設され、
    この絶縁層に前記半導体素子に接続された電極端子が形成され、
    この電極端子を含む素子ユニットが構成され、
    この素子ユニットが駆動回路基板に接続固定されている
    半導体装置。
18. 前記被アブレーション層がレーザ光吸収材料によって形成され、前記下地層がレーザ光非吸収材料によって形成されている、請求項１６又は１７に記載した素子又は装置。
19. 前記被アブレーション層がチタンによって形成されている、請求項１８に記載した素子又は装置。
20. 前記素子構成層及び前記下地層に電極が形成され、
    前記下地層が面した前記領域にて前記下地層の一部が除去されて、光電変換素子が構成されている、請求項１６に記載した素子。
21. 前記開口部を介して第１導電型の前記下地層上に、第１導電型層と活性層と第２導電型層とが順次積層成長させられて、前記素子構成層としての結晶層が形成されている、請求項１６又は１７に記載した素子又は装置。
22. 前記結晶層が窒化物半導体等のエピタキシャル成長によって形成されている、請求項２１に記載した素子又は装置。
23. 窒化ガリウム系半導体等からなる半導体光電変換素子が前記絶縁層としての樹脂中に埋設され、この樹脂に前記電極端子としての電極パッドが形成され、更にスクライビングされることによって光電変換素子ユニットが構成されている、請求項１７に記載した装置。
24. 画像表示装置又は光源装置用の発光素子又は発光装置である、請求項１６又は１７に記載した素子又は装置。

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