KR100494557B1 - 고굴절률 덮개층을 가지는 고효율 발광소자 - Google Patents

고굴절률 덮개층을 가지는 고효율 발광소자 Download PDF

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Abstract

본 발명은 발광소자의 발광층에서의 광발생률을 높여 발광효율이 우수한 발광소자를 제공하는 것을 목적으로 한다. 본 발명에서 제안하는 발광소자는 발광소자 내부의 발광층 굴절률보다 큰 굴절률을 가지는 고(高)굴절률체를 발광소자의 상단면에 적층하여 형성한 덮개층을 가지고 있는 것이 특징이다. 본 발명에 따르면, 발광소자의 내부로 반사되는 광의 비율을 높임으로써 발광층에서 광흡수가 증가되므로 발광층에서의 광발생률이 높아지며, 동일한 발광층 재료를 사용하더라도 발광소자의 효율을 향상시킬 수 있어 고휘도 디스플레이라는 상업적 요구를 충족시킬 수 있다.

Description

고굴절률 덮개층을 가지는 고효율 발광소자 {Efficient LED having highly refractive cover layer}
본 발명은 각종 디스플레이 장치에 사용되는 발광소자에 관한 것으로, 보다 상세하게는 간단한 구조 개선을 통하여 높은 발광효율(luminous efficiency)을 가지는 발광소자에 관한 것이다.
일반적으로 발광소자라 함은 각종의 발광 메커니즘, 예를 들면 전기적 여기에 의한 발광(Electro Luminescence : EL), 광학적 여기에 의한 발광(Photo Luminescence), 전자선 여기에 의한 발광(Cathode Luminescence) 등을 이용한 소자를 의미한다. 최근 정보화의 진전에 따라 각종 디스플레이가 개발되고 있는데, 그 중에서도 특히 기대되고 있는 것 중의 하나가 EL을 이용한 발광소자이다. EL을 이용한 발광소자는 반도체 EL층 또는 유기 EL층을 두 전극 사이에 삽입한 구조로 형성되어 있어, EL층에 전기장을 인가하여 발광을 일으킨다.
이러한 발광소자의 내부에서 발생한 광이 발광소자의 외부로 추출되는 추출률은 스넬(Snell)의 법칙에 의해 굴절률 n의 매체 중에서 굴절률 1.0의 공기 중으로 출사(出射)될 때의 전반사(全反射)의 임계각 θc와 관련된다.
Sin θc = 1/n
그리고, 이 임계각 θc가 차지하는 입체적 부피 비율 τ는 다음의 수학식 2로 주어진다.
τ = 1/2n2
상기 수학식 2로부터 공기 중으로 출사되지 않고 다시 매체 내부로 반사되는 광의 비율 δ는 다음 수학식 3으로 주어진다.
δ = 2n2
발광소자의 발광효율은 소자 내부에서 발생한 광의 흑체 복사이론에 의한 평형상태에서의 광자의 특정 에너지 점유율 f와 관련되며, 다음 수학식 4와 같이 주어진다.
위 수학식 4에서 V는 외부에서 발광소자에 인가되는 전압이고, T는 소자의 온도이며, E는 광에너지이다. 발광소자의 내부에서 발생하는 광흡수를 고려한 경우에 광자의 특정 에너지 점유율 f'는 상기 수학식 4에 의한 f와 다음의 관계가 있다.
위 수학식 5에서 αbb와 αpa는 각각 EL층의 에너지 갭에서의 광흡수와 그 밖의 결함 및 메탈전극 등에 의한 광흡수에 관련된 광흡수 계수이다. 발광소자가 초기의 불안정한 상태를 벗어나 평형상태를 유지하게 되면 f' 값이 결국은 발광소자의 발광층에서 방출되는 광발생률 η과 같게 된다.
일정하게 인가되는 외부전압 하에서 평형상태에 이른 발광소자의 광발생률을 높이기 위해서는 광흡수 계수 αbb를 크게 하거나 αpa를 작게 하면 된다. αpa 를 작게 하기 위해서는 EL층의 결정학적 특성을 우수하게 제조해야 한다. 이러한 방법들은 현재 EL층의 재료적인 측면에서 연구가 진행되고 있다. αbb를 크게 하기 위해서는 소자의 내부로 반사되는 광의 비율인 δ를 크게 하여 발광층에서의 광흡수를 증가시키면 된다. 그런데, 광흡수율은 매질의 굴절률과 상기 수학식 3과 같은 관계가 있으므로, 매질의 굴절률을 증가시키게 되면 임계각이 차지하는 부피 비율이 수학식 2에 의해 작아지고, 내부로 반사되는 광의 비율은 수학식 3에 의해 증가하게 된다. 따라서, 발광층에서의 광흡수율이 증가하여 αbb가 증가하게 됨을 알 수 있다. 하지만, 매질의 굴절률을 증가시키기 위해 굴절률이 큰 EL층을 사용하는 것은 큰 굴절률과 발광층이라는 두 가지 요건을 만족시키는 물질을 찾아야 하기 때문에 재료의 선택에 많은 제한이 따른다.
본 발명의 목적은, 종래와는 다른 방법으로 발광층에서의 광흡수를 증가시킴으로써 동일한 발광층 재료를 사용하더라도 발광효율을 향상시킬 수 있는 발광소자를 제공하는 데에 있다.
상기 목적을 달성하기 위하여, 본 발명에서 제안하는 발광소자는 두 전극 사이에 개재된 발광층을 구비하는 발광소자에 있어서, 상기 발광층의 굴절률보다 큰 굴절률을 가지는 고(高)굴절률체를 상기 발광소자의 상단면 위에 적층하여 형성한 덮개층을 가지고 있는 것이 특징이다. 상기 덮개층이 있기 때문에, 상기 발광소자의 내부로 반사되는 광의 비율이 커지며 이에 따라 발광층에서의 광흡수가 증가된다.
바람직한 실시형태로 상기 고굴절률체는 고분자, 반도체 물질, 부도체 혹은 유전체 물질일 수 있으며, 상기 고굴절률체의 굴절률은 2.0보다 크다. 예컨대 굴절률은 2.0보다 크고 5.0보다 작거나 같은 범위에 있을 수 있다. 대개의 경우, 얻을 수 있는 고굴절률체는 2.0과 4.0 사이의 굴절률을 가질 것이다.
상기 덮개층의 두께는 5x10-6 내지 1x10-2cm일 수 있으며, 1 내지 10 층의 적층구조일 수 있다. 적층구조인 경우 상기 덮개층은 굴절률이 서로 다른 두 고굴절률체를 번갈아 적층한 것일 수 있다.
또한, 상기 발광층은 반도체이거나 유기물이다.
매질의 굴절률을 증가시키기 위해 굴절률이 큰 발광층을 사용하는 것은 큰 굴절률과 발광층이라는 두 가지 요건을 만족시키는 물질을 찾아야 하기 때문에 재료의 선택에 많은 제한이 따른다. 그러나, 본 발명에서와 같이 고굴절률체를 발광소자 상단면에 추가로 형성하는 간단한 구조 변경에 의하면, 낮은 굴절률을 갖는 발광층을 그대로 이용하면서도 재료 선택에 따르는 제한없이 고효율 발광소자를 얻을 수 있다.
이하, 첨부도면을 참조하여 본 발명의 실시예들을 상세히 설명한다. 그러나, 다음에 예시하는 본 발명의 실시예들은 여러 가지 다른 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 다음에 상술하는 실시예들에 한정되는 것은 아니다. 본 발명의 실시예들은 당업계에서 통상의 지식을 가진 자에게 본 발명을 보다 완전하게 설명하기 위하여 제공되어지는 것이다.
본 발명의 덮개층은 여러 다양한 구조의 발광소자 상단면에 적층될 수 있는 것이며, 하기 실시예들은 단지 그러한 여러 구조의 발광소자 예를 설명하기 위한 것이다. 따라서, 덮개층을 제외한 발광소자의 구체적인 재료 선택과 구조 등에 관한 차이점들은 본 발명의 기술 사상의 단순한 설계적 변경일 뿐임을 주의하여야 한다.
(제1 실시예)
도 1은 본 발명의 제1 실시예에 따른 반도체 발광소자의 단면도이다.
도 1을 참조하면 본 발명의 제1 실시예에 따른 반도체 발광소자는 기판(10) 상에 n- 콘택층(20), 반도체 발광층(40), p- 콘택층(50) 및 p- 전극(60)이 순차적으로 적층되어 있는 구조이고, n- 콘택층(20) 상면 일부는 노출되어 그 위에 n- 전극(30)이 형성되어 있다. p- 콘택층(50) 위에는 p- 전극(60)과는 별도로 덮개층(70)이 구비되어 있다. 이 덮개층(70)은 발광층(40)의 굴절률보다 큰 굴절률을 가지는 고(高)굴절률체를 적층하여 형성한 것으로, 그 두께는 5x10-6 내지 1x10-2cm일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 물론 아니다.
여기서 기판(10)은 통상적으로 사용되는 사파이어 기판이고, n- 콘택층(20)은 Si가 도핑된 GaN이며, 발광층(40)은 InGaN에 Si와 Zn이 동시에 도핑된 것이어서 DH 구조(Double Hetero structure)를 형성한 것일 수 있다. 즉, 활성층에 도핑된 불순물의 D-A 재결합에 의해 발광을 유도하는 것일 수 있다. 또한, p- 콘택층(50)은 Mg가 도핑된 GaN일 수 있다. 사파이어로 이루어진 기판(10)은 전기를 통할 수 없기 때문에, n- 전극(30)을 형성하기 위하여 건식 식각으로 n- 콘택층(20)이 노출된 구조인 것이다. n- 전극(30)은 Ti/Al, p- 전극(60)은 Ni/Au 전극일 수 있다.
본 발명의 덮개층(70)은 일반적으로 고굴절률을 가진 고분자를 도포하여 형성한 것일 수도 있지만, 발광층(40)보다 굴절률이 높은 물질이면 반도체 물질, 부도체 물질 혹은 유전체 물질도 덮개층으로 이용이 가능하다. 특히, 고분자 물질의 경우에는 덮개층(70)을 제조하는 공정이 간단하여 비교적 쉽게 고효율의 발광소자를 제조할 수 있을 것으로 기대된다. 고분자 물질의 경우, 원하는 정도의 굴절률을 가지는 고분자 물질을 포함하는 슬러리를 제조하여 딥(dip) 코팅 또는 스핀 코팅법을 이용하여 발광소자의 상단면에 도포한 다음, 안정성 및 신뢰성을 부여하기 위하여 이를 경화시키는 공정 순으로 진행될 수 있다.
발광층(40)을 InGaN으로 한 경우라면 InGaN의 굴절률이 약 2.5이므로, 덮개층(70)의 굴절률은 2.5보다 커야 한다. 덮개층(70)으로서 부도체 혹은 유전체 물질을 형성할 경우에는 예를 들어 PbO, SiC, TiO2, PbS 중 어느 하나로 할 수 있다. 이들의 굴절률은 각기 2.61, 2.68, 2.71, 3.91이다. 발광층(40)을 InGaN보다 굴절률이 작은 물질로 한 경우라면, 이밖에도 SnO2, ZrO2, CaTiO3 등을 이용할 수 있을 것이다. 이들의 굴절률은 각기 1.995, 2.205, 2.355이다. 이러한 물질을 발광소자 상단면에 도포하는 방법은 전자빔 진공 증착법(electron beam vacuum evaporation) 또는 열증착법(thermal evaporation) 등의 진공 증착법에 의한다. 증착 출발물질로서 상품화되어 있는 것을 얻기가 곤란할 경우, 졸-겔법과 고온 소결법으로 원하는 출발 물질을 만들어 사용할 수 있다. 때에 따라서는 스퍼터링법이나 화학기상증착방법에 의할 수도 있다. 대개의 경우 발광층(40)의 굴절률은 2.0 이하이므로, 덮개층(70)의 후보 재료는 굴절률이 2.0보다 큰 것 중에서 찾으면 된다.
한편, 덮개층(70)으로서 반도체 물질을 형성할 경우에는 굴절률이 3.4인 GaP와 같은 물질을 선택할 수 있다. 이러한 반도체 물질을 발광소자 상단면에 증착하는 방법은 유기금속화학기상증착에 의할 수 있다.
본 발명의 실시예에 따라 발광층(40)의 굴절률보다 큰 굴절률을 가지는 덮개층(70)을 적층하면, 내부로 반사되는 광의 비율이 증가되며, 이에 따라 발광층(40) 에너지 갭에서의 광흡수가 증가된다. 광흡수 증가는 곧 광흡수 계수 αbb가 증가됨을 의미하고, 수학식 5에서와 같이 f'가 증가된다. 발광소자가 초기의 불안정한 상태를 벗어나 평형상태를 유지하게 되면 f' 값이 결국은 발광층에서의 광발생률 η과 같게 된다. 따라서, 광발생률이 증가되는 것이다.
예를 들어, 발광층(40)의 굴절률이 1.5이고 그 위에 적층하는 덮개층(70)의 굴절률은 3이라고 가정하면, 상기 수학식 3으로부터 (2×32)/(2×1.52)= 4 배(300%)의 효율 향상을 기대할 수 있다. 이는 단순히 하나의 덮개층(70)을 추가로 적층해 주는 단순 구조 변경을 감안하면 매우 우수한 효율 향상이다. 따라서, 본 발명에 의하면, 발광층 재료를 변경할 필요없이 덮개층을 추가로 형성하는 간단한 방법으로 고효율 발광소자를 얻을 수 있다.
(제2 실시예)
도 2는 본 발명의 제2 실시예에 따른 반도체 발광소자의 단면도이다.
도 2에 도시한 반도체 발광소자는 발광층(142)으로서 양자우물 구조를 도입한 것이다. 도 2를 참조하면, 기판(110) 상에 n- 콘택층(120)이 형성되어 있고, n- 콘택층(120) 위에는 n- 전극(130)이 형성되어 있으며, n- 콘택층(120) 위로 양자우물 구조의 반도체 발광층(142)이 형성되어 있다. 발광층(142) 상부에는 p- 콘택층(150)이 형성되어 있으며, 그 위에 p- 전극(160)이 형성되어 있다. p- 전극(160) 주위로 p- 콘택층(150) 위에는 고굴절률 덮개층(170)이 형성되어 있다.
n- 콘택층(120)은 Si가 도핑된 GaN이며, p- 콘택층(150)은 Mg가 도핑된 GaN일 수 있다. n- 전극(130)은 Ti/Al, p- 전극(160)은 Ni/Au 전극일 수 있다. 발광층(142)은 양자우물 구조의 InGaN으로서 GaN 혹은 InGaN 배리어로 둘러싸이게 되며 다시, Si가 도핑된 n- AlGaN 클래드층(141)과 Mg가 도핑된 p- AlGaN 클래드층(143)으로 둘러싸인다. 그러나, n- 클래드층(141)과 p- 클래드층(143)은 생략될 수도 있다. 발광층(142)의 양자우물은 사용하는 시스템 또는 요구하는 특성에 따라 1개에서 여러 개를 성장할 수 있다.
덮개층(170)은 발광층(142)의 굴절률보다 큰 굴절률을 가지는 고굴절률체를 적층하여 형성한 것으로, 그 두께는 5x10-6 내지 1x10-2cm일 수 있다. 또한, 고굴절률체는 고분자, 반도체 물질, 부도체 혹은 유전체 물질일 수 있으며, 그 굴절률은 2.5보다 큰 것이 바람직하다. 그 밖에 상기 제1 실시예에서 덮개층(70)에 관하여 설명한 사항은 본 제2 실시예의 덮개층(170)에 대해서도 동일하게 적용될 수 있다.
이러한 양자우물 구조의 발광소자에 덮개층(170)을 형성하면, 양자구조를 채택하므로 도 1의 DH 구조에 비하여 EL 스펙트럼의 반치폭(Full Width Half Maximum : FWHM)을 증가시킬 수 있어 색상이 선명하고, 발광층에서의 광흡수가 증가되므로 발광효율이 향상된다.
(제3 실시예)
도 3은 본 발명의 제3 실시예에 따른 유기 발광소자의 단면도이다.
도 3을 참조하면 기판(210) 상부에 애노드(anode) 전극(215)과 캐소드(cathode) 전극(220)이 소정 간격을 두고 대향되어 있다. 기판(210)은 가벼운 소재인 플라스틱 기판 또는 유리 기판이 사용될 수 있다. 애노드 전극(215)은 투명 도전층, 예를 들어, ITO(indium tin oxide) 물질로 형성될 수 있는데, 애노드 전극(215)에서 요구되는 투과율 및 전도성에 따라 산화인듐, 산화주석을 적정 비율로 혼합하여 스퍼터링법에 의하여 형성할 수 있다. 또한 캐소드 전극(220)은 금속층, 예를 들어, Al, Mg/Ag 또는 Li/Al로 형성될 수 있다.
애노드 전극(215)과 캐소드 전극(220) 사이에는 이들 전극들에 전압 또는 전류 인가시 발광되는 유기물 발광층(225)이 개재된다. 애노드 전극(215)과 발광층(225) 사이에는 전도성 물질을 약 30nm의 두께로 코팅하여 버퍼층(미도시)을 형성하여 계면 특성을 향상시킬 수도 있다. 버퍼층의 가능한 예로는 폴리티오펜 또는 폴리아닐린이 있다.
정공은 애노드 전극(215)을 통하여 발광층(225)에 공급되고, 전자는 캐소드 전극(220)을 통하여 발광층(225)에 공급된다. 발광층(225) 내로 공급된 정공과 전자는 발광층(225) 내에서 결합하여 여기자(exciton)를 형성하고, 이 여기자가 바닥 상태로 떨어지면서 발광층(225)의 밴드갭에 해당하는 빛을 방출함으로써 발광하게 된다. 따라서, 발광되는 빛의 색상은 발광층(225)의 밴드갭에 따라서 바뀌게 된다.
예를 들어, 녹색광을 얻고자 하는 경우 발광층(225)은 트리스(8-하이드록시퀴놀리네이토알루미늄)(tris(8-hydroxyquinolinato aluminum))를 포함하고, 청색광을 얻고자 하는 경우 발광층(225)은 4-4'-Bis(2,2-diphenylethen-1-yl)biphenyl : DPVBi)을 포함할 수 있다. 발광층(225)은 이러한 고분자를 용매에 용해시켜 제조한 발광 고분자 용액을 약 0.2mm의 필터로 필터링한 후 100nm의 두께로 스핀 코팅하여 형성할 수 있으며, 통상 약 100℃로 유지되는 진공 오븐에서 약 2시간 동안 건조시킨다.
유기 발광소자의 효율을 증대시키기 위하여, 애노드 전극(215)과 발광층(225) 사이에는 정공 주입층(230 : hole injection layer) 및 정공 수송층(232 : hole transport layer)을 순차적으로 형성하고, 발광층(225)과 캐소드 전극(220) 사이에는 전자 수송층(234 : electron transport layer) 및 전자 주입층(236 : electron injection layer)을 순차적으로 형성할 수 있다. 이 때, 정공 주입층(230), 정공 수송층(232), 전자 수송층(234) 및 전자 주입층(236)은 유기박막으로 형성된다. 예를 들어, 정공 수송층(232)은 N,N'-디페닐-N,N'-비스(3-메틸페닐)-1,1'-디아민(N,N;-diphenyl-N,N'-bis(3-methylphenyl)-1,1'-diamin : TPD) 물질을 포함하는 유기물이 이용될 수 있다. 이들 막은 모두 유기박막이므로, 진공 증착 중합법, 스퍼터링법, 진공 증착법, 열증착법 또는 전자빔 증착법 등으로 증착될 수 있다.
기판(210)은 유리 외에 폴리카보네이트, 폴리이미드, 폴리에틸렌테레프탈레이트 또는 폴리에틸렌나프탈레이트로 이루어질 수 있다. 또한, 애노드 전극(215)은 산화아연(zinc oxide)을 이용하여 형성하는 것도 가능하다.
이러한 구조의 발광소자에 고굴절률 덮개층(270)을 형성하면 발광층에서의 광흡수가 증가되므로 발광효율이 향상된다. 덮개층(270)은 발광층(225)의 굴절률보다 큰 굴절률을 가지는 고굴절률체를 적층하여 형성한 것으로, 고굴절률체는 고분자, 반도체 물질, 부도체 혹은 유전체 물질일 수 있으며, 그 굴절률은 발광층보다 큰 것이 바람직하다. 그 밖에 상기 제1 실시예에서 덮개층(70)에 관하여 설명한 사항은 본 제3 실시예의 덮개층(270)에 대해서도 동일하게 적용될 수 있다.
(제4 실시예)
도 4는 본 발명의 제4 실시예에 따른 반도체 발광소자의 단면도이다.
도 4를 참조하면 본 발명의 제4 실시예에 따른 반도체 발광소자 중 덮개층(370)을 제외한 발광소자 부분은 상기 제1 실시예에서와 동일하다. 즉, 기판(310) 상에 n- 콘택층(320), 반도체 발광층(340), p- 콘택층(350) 및 p- 전극(360)이 차례로 형성되어 있는 구조이고, n- 콘택층(320) 상면 일부는 노출되어 그 위에 n- 전극(330)이 형성되어 있다.
p- 콘택층(350) 위에 p- 전극(360)과는 별도로 구비되어 있는 덮개층(370)은 발광층(340)의 굴절률보다 큰 굴절률을 가지는 고굴절률체를 적층하여 형성한 것으로, 2층 이상의 층이 적층된 구조이다. 여기서, 덮개층(370)은 굴절률이 서로 다른 두 고굴절률체를 번갈아 적층한 것일 수 있다. 예를 들어, 참조번호 "370a"는 상대적으로 굴절률이 큰 고굴절률체이고, 참조번호 "370b"는 상대적으로 굴절률이 작은 고굴절률체일 수 있다. 상대적으로 굴절률이 작은 고굴절률체라 할지라도 발광층(340)보다 굴절률이 큰 것은 당연하며, 이 경우에 있어서 적층구조의 각 층의 두께에 대한 제한은 없다.
이렇게 여러 층으로 덮개층(370)을 형성하면 내부 반사가 더욱 증가되고 발광층에서의 광흡수가 증가하므로 발광효율이 매우 향상된다.
이상, 본 발명을 바람직한 실시예들을 들어 상세하게 설명하였으나, 본 발명은 상기 실시예들에 한정되지 않으며, 본 발명의 기술적 사상의 범위 내에서 당 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의하여 여러가지 변형이 가능하다.
본 발명에 의하면, 고(高)굴절률의 덮개층에 의해 발광층에서의 광흡수율이 증가하여, 평형 상태에서의 발광소자의 효율을 증대시킬 수 있다. 발광층에서 발생한 광이 발광층의 에너지 갭에서 재흡수되는 것을 증가시켜 평형상태에서의 발광소자의 효율을 높이는 것이다. 즉, 수학식 5에서의 αbb를 증가시킴으로써 동일한 발광층 재료를 사용하더라도 소자제조 공정 중 고굴절률체를 적층하는 단계를 추가 실시함으로써 비교적 간단한 방법으로 발광소자의 효율을 향상시킬 수 있다. 즉, 본 발명의 덮개층은 발광효율을 향상시키는 수단으로서 매우 효과적이고 실용적으로 사용될 수 있다. 따라서, 본 발명에 의하면 단순한 구조 변경을 통하여 고휘도 디스플레이라는 상업적 요구를 충족시켜 줄 수 있다.
도 1은 본 발명의 제1 실시예에 따른 반도체 발광소자의 단면도이다.
도 2는 본 발명의 제2 실시예에 따른 반도체 발광소자의 단면도이다.
도 3은 본 발명의 제3 실시예에 따른 유기 발광소자의 단면도이다.
도 4는 본 발명의 제4 실시예에 따른 반도체 발광소자의 단면도이다.
*도면의 주요 부분에 대한 설명*
10, 110, 210, 310...기판 20, 120, 320...n- 콘택층
30, 130, 330...n- 전극 40, 142, 225, 340...발광층
50, 150, 350...p- 콘택층 60, 160, 360...p- 전극
70, 170, 270, 370...덮개층 215...애노드 전극
220...캐소드 전극

Claims (10)

  1. 두 전극 사이에 개재된 발광층을 구비하는 발광소자에 있어서,
    상기 발광소자의 내부로 반사되는 광의 비율을 크게 하여 발광층에서의 광흡수를 증가시킴으로써 상기 발광층에서의 광발생률을 높이도록, 상기 발광층의 굴절률보다 큰 굴절률을 가지는 고(高)굴절률체를 상기 발광소자의 상단면에 적층하여 형성한 덮개층을 가지고 있는 것을 특징으로 하는 발광소자.
  2. 제1항에 있어서, 상기 고굴절률체의 굴절률은 2.0보다 큰 것을 특징으로 하는 발광소자.
  3. 제1항에 있어서, 상기 고굴절률체가 고분자인 것을 특징으로 하는 발광소자.
  4. 제1항에 있어서, 상기 고굴절률체가 반도체 물질인 것을 특징으로 하는 발광소자.
  5. 제1항에 있어서, 상기 고굴절률체가 부도체 혹은 유전체 물질인 것을 특징으로 하는 발광소자.
  6. 제1항에 있어서, 상기 덮개층의 두께가 5x10-6 내지 1x10-2cm인 것을 특징으로 하는 발광소자.
  7. 제1항에 있어서, 상기 덮개층이 1 내지 10 층의 적층구조인 것을 특징으로 하는 발광소자.
  8. 제7항에 있어서, 상기 덮개층은 굴절률이 서로 다른 두 고굴절률체를 번갈아 적층한 것을 특징으로 하는 발광소자.
  9. 제1항에 있어서, 상기 발광층이 반도체인 것을 특징으로 하는 발광소자.
  10. 제1항에 있어서, 상기 발광층이 유기물인 것을 특징으로 하는 발광소자.
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