JP2000082867A - 窒化物半導体レ―ザ素子の製造方法 - Google Patents
窒化物半導体レ―ザ素子の製造方法Info
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- JP2000082867A JP2000082867A JP36174298A JP36174298A JP2000082867A JP 2000082867 A JP2000082867 A JP 2000082867A JP 36174298 A JP36174298 A JP 36174298A JP 36174298 A JP36174298 A JP 36174298A JP 2000082867 A JP2000082867 A JP 2000082867A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 劈開により活性層の端面に共振面が形成され
た窒化物半導体レーザ素子の製造方法を提供する。 【構成】 窒化物半導体レーザのリッジを形成する際、
そのリッジを窒化物半導体のＭ面と平行に形成し、この
リッジに対して垂直にＡ面で劈開することにより共振面
を形成する。
た窒化物半導体レーザ素子の製造方法を提供する。 【構成】 窒化物半導体レーザのリッジを形成する際、
そのリッジを窒化物半導体のＭ面と平行に形成し、この
リッジに対して垂直にＡ面で劈開することにより共振面
を形成する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、例えばＬＥＤ（発光ダ
イオード）、ＬＤ（レーザダイオード）等の窒化物半導
体（ＩｎXＡｌYＧａ1-X-YＮ、０≦Ｘ、０≦Ｙ、Ｘ＋Ｙ
≦１）よりなる素子の製造方法に関する。
イオード）、ＬＤ（レーザダイオード）等の窒化物半導
体（ＩｎXＡｌYＧａ1-X-YＮ、０≦Ｘ、０≦Ｙ、Ｘ＋Ｙ
≦１）よりなる素子の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、窒化物半導体からなる青色、青緑
色の発光ダイオード、レーザダイオードが実用化された
り、実用可能になっている。このような窒化物半導体素
子は、現在のところ窒化物半導体と完全に格子整合する
基板が未だ開発されていないため、格子定数が異なるサ
ファイアの上に窒化物半導体を強制的に成長させて形成
されている。そのためサファイア基板上に成長された窒
化物半導体の結晶には、格子整合した基板上に成長され
た赤色レーザ素子と比べると、非常に多くの結晶欠陥が
発生する。
色の発光ダイオード、レーザダイオードが実用化された
り、実用可能になっている。このような窒化物半導体素
子は、現在のところ窒化物半導体と完全に格子整合する
基板が未だ開発されていないため、格子定数が異なるサ
ファイアの上に窒化物半導体を強制的に成長させて形成
されている。そのためサファイア基板上に成長された窒
化物半導体の結晶には、格子整合した基板上に成長され
た赤色レーザ素子と比べると、非常に多くの結晶欠陥が
発生する。
【０００３】本発明者等は、結晶欠陥を大幅に低減でき
る窒化物半導体の結晶成長方法として、窒化物半導体と
異なる異種基板上に窒化ガリウム基板を形成し、その窒
化ガリウム基板上に素子構造を形成することにより、波
長約４００ｎｍ、光出力２ｎＷで連続発振約１万時間を
達成できる窒化物半導体レーザー素子などを開示してい
る（例えば「ＩｎＧａＮ系多重量子井戸構造半導体レー
ザの現状」、第５８回応用物理学会学術講演会、講演番
号４ａＺＣ−２，１９９７年１０月、”Ｐｒｅｓｅｎｔ
Ｓｔａｔｕｓ ｏｆ ＩｎＧａＮ／ＡｌＧａＮ ｂａ
ｓｅｄ Ｌａｓｅｒ Ｄｉｏｄｅｓ”、Ｔｈｅ Ｓｅｃ
ｏｎｄ ＩｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌＣｏｎｆｅｒｅｎ
ｃｅ ｏｎ Ｎｉｔｒｉｄｅ Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔ
ｏｒｓ（ＩＣＮＳ’９７）、講演番号Ｓ−１、１９９７
年１０月などに記載されている。）。
る窒化物半導体の結晶成長方法として、窒化物半導体と
異なる異種基板上に窒化ガリウム基板を形成し、その窒
化ガリウム基板上に素子構造を形成することにより、波
長約４００ｎｍ、光出力２ｎＷで連続発振約１万時間を
達成できる窒化物半導体レーザー素子などを開示してい
る（例えば「ＩｎＧａＮ系多重量子井戸構造半導体レー
ザの現状」、第５８回応用物理学会学術講演会、講演番
号４ａＺＣ−２，１９９７年１０月、”Ｐｒｅｓｅｎｔ
Ｓｔａｔｕｓ ｏｆ ＩｎＧａＮ／ＡｌＧａＮ ｂａ
ｓｅｄ Ｌａｓｅｒ Ｄｉｏｄｅｓ”、Ｔｈｅ Ｓｅｃ
ｏｎｄ ＩｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌＣｏｎｆｅｒｅｎ
ｃｅ ｏｎ Ｎｉｔｒｉｄｅ Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔ
ｏｒｓ（ＩＣＮＳ’９７）、講演番号Ｓ−１、１９９７
年１０月などに記載されている。）。
【０００４】上記の結晶成長方法は、サファイア基板上
に従来の結晶欠陥が非常に多い窒化ガリウム層を薄く成
長させ、その上にＳｉＯ2よりなる保護膜を部分的に形
成し、その保護膜の上からハライド気相成長法（ＨＶＰ
Ｅ）、有機金属気相成長法（ＭＯＶＰＥ）等の気相成長
法により、窒化ガリウムの横方向への成長を利用し、再
度窒化ガリウム層を成長させることにより、結晶欠陥の
少ない窒化ガリウム基板（膜厚１０μｍ）を形成する技
術である。この方法は窒化物半導体を保護膜上で横方向
に成長させることから、一般にラテラルオーバーグロウ
ス（ｌａｔｅｒａｌ ｏｖｅｒ ｇｒｏｗｔｈ：ＬＯ
Ｇ）と呼ばれている。
に従来の結晶欠陥が非常に多い窒化ガリウム層を薄く成
長させ、その上にＳｉＯ2よりなる保護膜を部分的に形
成し、その保護膜の上からハライド気相成長法（ＨＶＰ
Ｅ）、有機金属気相成長法（ＭＯＶＰＥ）等の気相成長
法により、窒化ガリウムの横方向への成長を利用し、再
度窒化ガリウム層を成長させることにより、結晶欠陥の
少ない窒化ガリウム基板（膜厚１０μｍ）を形成する技
術である。この方法は窒化物半導体を保護膜上で横方向
に成長させることから、一般にラテラルオーバーグロウ
ス（ｌａｔｅｒａｌ ｏｖｅｒ ｇｒｏｗｔｈ：ＬＯ
Ｇ）と呼ばれている。
【０００５】上記技術において、結晶欠陥が少なくなっ
た窒化ガリウム基板を用いることにより素子の性能の向
上が見られたものの、上記窒化物半導体素子の基板とさ
れるサファイアは、非常に硬く劈開性がないために、ウ
エハーをチップ化するのに高度な技術を必要とする。更
に、サファイアには劈開性がほとんどないために、レー
ザ素子の形成において基板の劈開性を用いて窒化物半導
体の劈開面を共振面としにくく、共振面の形成に時間と
手間がかかる。
た窒化ガリウム基板を用いることにより素子の性能の向
上が見られたものの、上記窒化物半導体素子の基板とさ
れるサファイアは、非常に硬く劈開性がないために、ウ
エハーをチップ化するのに高度な技術を必要とする。更
に、サファイアには劈開性がほとんどないために、レー
ザ素子の形成において基板の劈開性を用いて窒化物半導
体の劈開面を共振面としにくく、共振面の形成に時間と
手間がかかる。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】そこで、サファイア基
板を研磨により除去することで、窒化ガリウム基板のみ
を得て、この基板上に素子となる構造を積層していた。
この窒化ガリウム基板上の窒化物半導体素子を劈開する
際、今までは、窒化ガリウムのＭ面を劈開面として、劈
開していた。Ｍ面とは窒化物半導体を六角柱状の六方晶
系で近似した場合に、その劈開面に相当する四角形の面
であり、
板を研磨により除去することで、窒化ガリウム基板のみ
を得て、この基板上に素子となる構造を積層していた。
この窒化ガリウム基板上の窒化物半導体素子を劈開する
際、今までは、窒化ガリウムのＭ面を劈開面として、劈
開していた。Ｍ面とは窒化物半導体を六角柱状の六方晶
系で近似した場合に、その劈開面に相当する四角形の面
であり、
【０００７】
【外７】
【０００８】（以下、Ｍ面と記載する。）面などの６種
類の面方位で示すことができる。窒化物半導体のＭ面で
劈開すると、非常に歩留良く、また鏡面に近い共振面を
含む劈開面を得ることができる。
類の面方位で示すことができる。窒化物半導体のＭ面で
劈開すると、非常に歩留良く、また鏡面に近い共振面を
含む劈開面を得ることができる。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明はサファイア基板
から分離した窒化ガリウム基板上の窒化物半導体素子を
劈開する際、窒化ガリウムの面
から分離した窒化ガリウム基板上の窒化物半導体素子を
劈開する際、窒化ガリウムの面
【００１０】
【外８】
【００１１】
【外９】
【００１２】
【外１０】
【００１３】
【外１１】
【００１４】
【外１２】
【００１５】
【外１３】
【００１６】（以下（外８）乃至（外１３）面は同一Ａ
面を示すので、Ａ面とまとめて記載する。）を劈開面と
して劈開し、鏡面に近い共振面を得ることを特徴とす
る。
面を示すので、Ａ面とまとめて記載する。）を劈開面と
して劈開し、鏡面に近い共振面を得ることを特徴とす
る。
【００１７】
【発明の実施の形態】更に図を用いて説明する。図１は
窒化物半導体の結晶構造を模式的に示すユニットセル図
である。窒化物半導体は正確には菱面体構造であるが、
このように六方晶系で近似できる。ＧａＮにおいては劈
開面としてＭ面とＡ面とがある。この劈開面を使って窒
化物半導体が積層されたウエハーをチップ化すれば、鏡
面に近い共振面を得ることができる。
窒化物半導体の結晶構造を模式的に示すユニットセル図
である。窒化物半導体は正確には菱面体構造であるが、
このように六方晶系で近似できる。ＧａＮにおいては劈
開面としてＭ面とＡ面とがある。この劈開面を使って窒
化物半導体が積層されたウエハーをチップ化すれば、鏡
面に近い共振面を得ることができる。
【００１８】図２及び図３は、窒化ガリウム基板上に積
層した窒化物半導体レーザの共振方向に垂直な面で切断
したときの図である。図２はｐ電極とｎ電極が同一面上
に、図３は別の面上に形成されている。この切断面を窒
化物半導体のＡ面の劈開性を用いて形成する。その方法
は、ｐ側層表面をエッチングしてリッジを形成する際に
窒化物半導体のＭ面と平行（Ａ面と垂直）になるように
リッジを形成し、このリッジに対して垂直に劈開をす
る。それがすなわちＡ面の劈開性を用いて共振面を形成
したことになる。
層した窒化物半導体レーザの共振方向に垂直な面で切断
したときの図である。図２はｐ電極とｎ電極が同一面上
に、図３は別の面上に形成されている。この切断面を窒
化物半導体のＡ面の劈開性を用いて形成する。その方法
は、ｐ側層表面をエッチングしてリッジを形成する際に
窒化物半導体のＭ面と平行（Ａ面と垂直）になるように
リッジを形成し、このリッジに対して垂直に劈開をす
る。それがすなわちＡ面の劈開性を用いて共振面を形成
したことになる。
【００１９】
【実施例】以下に本発明の実施例を示すが本発明はこれ
に限定されない。 ［実施例１］図２はレーザ光の共振方向に垂直な方向で
素子を切断した際の図を示している。以下、この図を元
に実施例１について説明する。
に限定されない。 ［実施例１］図２はレーザ光の共振方向に垂直な方向で
素子を切断した際の図を示している。以下、この図を元
に実施例１について説明する。
【００２０】まずＧａＮ基板１を得る。異種基板とし
て、サファイア基板をＭＯＶＰＥ反応容器内にセット
し、ＧａＮよりなるバッファ層を２００オングストロー
ム、アンドープＧａＮよりなる下地層を４μｍ（下地層
とは次の窒化物半導体基板を選択成長させるための
層）、ＣＶＤ装置によりＳｉＯ2よりなる第１の保護膜
をストライプ状（ストライプ幅１０μｍ、ストライプ間
隔（窓部）２μｍ）に１μｍ、ＭＯＶＰＥ法でアンドー
プＧａＮよりなる窒化物半導体基板を１０μｍ、ＨＶＰ
Ｅ法でアンドープＧａＮよりなるＧａＮ基板を２００μ
ｍ、それぞれの膜厚で積層する。
て、サファイア基板をＭＯＶＰＥ反応容器内にセット
し、ＧａＮよりなるバッファ層を２００オングストロー
ム、アンドープＧａＮよりなる下地層を４μｍ（下地層
とは次の窒化物半導体基板を選択成長させるための
層）、ＣＶＤ装置によりＳｉＯ2よりなる第１の保護膜
をストライプ状（ストライプ幅１０μｍ、ストライプ間
隔（窓部）２μｍ）に１μｍ、ＭＯＶＰＥ法でアンドー
プＧａＮよりなる窒化物半導体基板を１０μｍ、ＨＶＰ
Ｅ法でアンドープＧａＮよりなるＧａＮ基板を２００μ
ｍ、それぞれの膜厚で積層する。
【００２１】次に図２に示すように積層したＧａＮにエ
ッチングによりストライプ状の段差を設ける。この段差
の上面すべてにＳｉＯ2等の第２の保護膜３１を形成し
て、続いてＧａＮを積層する際のＧａＮの上面への縦方
向の成長を抑え、ＧａＮは第２の保護膜３１で覆われて
いない部位からの横方向の成長を始める。ＧａＮの縦方
向の成長を抑え、横方向のみに成長させ、続いて縦と横
方向に成長させることで、結晶欠陥の極めて少ない、結
晶性の良好なＧａＮ基板１を得ることができる。
ッチングによりストライプ状の段差を設ける。この段差
の上面すべてにＳｉＯ2等の第２の保護膜３１を形成し
て、続いてＧａＮを積層する際のＧａＮの上面への縦方
向の成長を抑え、ＧａＮは第２の保護膜３１で覆われて
いない部位からの横方向の成長を始める。ＧａＮの縦方
向の成長を抑え、横方向のみに成長させ、続いて縦と横
方向に成長させることで、結晶欠陥の極めて少ない、結
晶性の良好なＧａＮ基板１を得ることができる。
【００２２】続いてウエハーを、サファイア基板側から
第１の保護膜までを研磨していき、ＧａＮ基板１のみを
得る。次にＧａＮ基板上に窒化物半導体をｎ側バッファ
層、クラック防止層、ｎ側クラッド層、ｎ側光ガイド
層、活性層、ｐ側キャップ層、ｐ側光ガイド層、ｐ側ク
ラッド層、ｐ側コンタクト層の順で積層した。
第１の保護膜までを研磨していき、ＧａＮ基板１のみを
得る。次にＧａＮ基板上に窒化物半導体をｎ側バッファ
層、クラック防止層、ｎ側クラッド層、ｎ側光ガイド
層、活性層、ｐ側キャップ層、ｐ側光ガイド層、ｐ側ク
ラッド層、ｐ側コンタクト層の順で積層した。
【００２３】以上のようにしてＧａＮ基板上に積層した
窒化物半導体に、ｐ側コンタクト層とｐ側クラッド層を
エッチングして、ＧａＮのＭ面と平行（Ａ面と垂直）に
なるようにリッジを形成し、リッジをマスク後、リッジ
と平行にエッチングしてｎ側バッファ層の表面を露出さ
せる。また、形成したリッジ表面にｐ電極を、露出させ
たｎ側バッファ層上にｎ電極を形成し、最後にｐ電極と
ｎ電極との間に絶縁膜を介し、ｐ電極上にｐパッド電
極、ｎ電極上にｎパッド電極を形成して、ウエハーを完
成させる。
窒化物半導体に、ｐ側コンタクト層とｐ側クラッド層を
エッチングして、ＧａＮのＭ面と平行（Ａ面と垂直）に
なるようにリッジを形成し、リッジをマスク後、リッジ
と平行にエッチングしてｎ側バッファ層の表面を露出さ
せる。また、形成したリッジ表面にｐ電極を、露出させ
たｎ側バッファ層上にｎ電極を形成し、最後にｐ電極と
ｎ電極との間に絶縁膜を介し、ｐ電極上にｐパッド電
極、ｎ電極上にｎパッド電極を形成して、ウエハーを完
成させる。
【００２４】このウエハーをチップ化する際、まずＡ面
で劈開（リッジと垂直に劈開）することで、共振面を作
製する。共振面の両方あるいはどちらか一方にＳｉＯ2
とＴｉＯ2よりなる誘電体多層膜を形成し、最後にリッ
ジと平行な方向で、バーを切断してレーザチップとし
た。このレーザ素子は室温でレーザ発振を示し、閾値電
流密度１．５ｋＡ／ｃｍ2において室温連続発振を示
し、２０ｍＷの出力において１０００時間以上の寿命を
示し、Ｍ面で共振面を形成したときと同等の結果が得ら
れた。 ［実施例２］図３は本発明の他の実施例に係るレーザ素
子の構造を示す模式的な断面図であり、図２と同じくレ
ーザ光の共振方向に垂直な方向で素子を切断した際の図
を示している。以下この図を元に実施例２について説明
する。
で劈開（リッジと垂直に劈開）することで、共振面を作
製する。共振面の両方あるいはどちらか一方にＳｉＯ2
とＴｉＯ2よりなる誘電体多層膜を形成し、最後にリッ
ジと平行な方向で、バーを切断してレーザチップとし
た。このレーザ素子は室温でレーザ発振を示し、閾値電
流密度１．５ｋＡ／ｃｍ2において室温連続発振を示
し、２０ｍＷの出力において１０００時間以上の寿命を
示し、Ｍ面で共振面を形成したときと同等の結果が得ら
れた。 ［実施例２］図３は本発明の他の実施例に係るレーザ素
子の構造を示す模式的な断面図であり、図２と同じくレ
ーザ光の共振方向に垂直な方向で素子を切断した際の図
を示している。以下この図を元に実施例２について説明
する。
【００２５】まず異種基板として、サファイア基板をＭ
ＯＶＰＥ反応容器内にセットし、ＧａＮよりなるバッフ
ァ層を２００オングストローム、アンドープＧａＮより
なる下地層を４μｍ、ＣＶＤ装置によりＳｉＯ2よりな
る第１の保護膜をストライプ状（ストライプ幅１０μ
ｍ、ストライプ間隔（窓部）２μｍ）に１μｍ、ＭＯＶ
ＰＥ法でＳｉドープＧａＮよりなる窒化物半導体基板を
１０μｍ、ＨＶＰＥ法でＳｉドープＧａＮよりなるＧａ
Ｎ基板を２００μｍ、それぞれの膜厚で積層し、続いて
ウエハーを、サファイア基板側から第１の保護膜までを
研磨していき、ＧａＮ基板１のみを得る。
ＯＶＰＥ反応容器内にセットし、ＧａＮよりなるバッフ
ァ層を２００オングストローム、アンドープＧａＮより
なる下地層を４μｍ、ＣＶＤ装置によりＳｉＯ2よりな
る第１の保護膜をストライプ状（ストライプ幅１０μ
ｍ、ストライプ間隔（窓部）２μｍ）に１μｍ、ＭＯＶ
ＰＥ法でＳｉドープＧａＮよりなる窒化物半導体基板を
１０μｍ、ＨＶＰＥ法でＳｉドープＧａＮよりなるＧａ
Ｎ基板を２００μｍ、それぞれの膜厚で積層し、続いて
ウエハーを、サファイア基板側から第１の保護膜までを
研磨していき、ＧａＮ基板１のみを得る。
【００２６】第１の保護膜を除去した後のＧａＮ基板１
の表面を第１の主面と第２の主面とし、第１の主面上
に、ｎ側光ガイド層と活性層の間にｎ側キャップ層を成
長させる以外は実施例１と同様にして、ｎ側バッファ
層、クラック防止層、ｎ側クラッド層、ｎ側光ガイド
層、ｎ側キャップ層、活性層、ｐ側キャップ層、ｐ側光
ガイド層、ｐ側クラッド層、ｐ側コンタクト層の順で積
層する。
の表面を第１の主面と第２の主面とし、第１の主面上
に、ｎ側光ガイド層と活性層の間にｎ側キャップ層を成
長させる以外は実施例１と同様にして、ｎ側バッファ
層、クラック防止層、ｎ側クラッド層、ｎ側光ガイド
層、ｎ側キャップ層、活性層、ｐ側キャップ層、ｐ側光
ガイド層、ｐ側クラッド層、ｐ側コンタクト層の順で積
層する。
【００２７】ＧａＮのＭ面と平行（Ａ面と垂直）になる
ようにリッジを形成後、リッジ最表面に絶縁膜、ｐ電極
およびｐパッド電極を形成した。ｐ側電極形成後、第２
の主面上にｎ電極およびボンディング用電極を形成す
る。このウエハーをチップ化する際、実施例１と同様に
して、まずＡ面で劈開（リッジと垂直に劈開）すること
で、共振面を作製する。共振面の両方あるいはどちらか
一方にＳｉＯ2とＴｉＯ2よりなる誘電体多層膜を形成
し、最後にｐ電極に平行な方向で、バーを切断してレー
ザチップとした。
ようにリッジを形成後、リッジ最表面に絶縁膜、ｐ電極
およびｐパッド電極を形成した。ｐ側電極形成後、第２
の主面上にｎ電極およびボンディング用電極を形成す
る。このウエハーをチップ化する際、実施例１と同様に
して、まずＡ面で劈開（リッジと垂直に劈開）すること
で、共振面を作製する。共振面の両方あるいはどちらか
一方にＳｉＯ2とＴｉＯ2よりなる誘電体多層膜を形成
し、最後にｐ電極に平行な方向で、バーを切断してレー
ザチップとした。
【００２８】このレーザ素子も実施例１と同様に室温で
連続発振を示し、閾値電流密度１．５ｋＡ／ｃｍ2にお
いて室温連続発振を示し、２０ｍＷの出力において１０
００時間以上の寿命を示し、Ｍ面で共振面を形成したと
きと同等の結果が得られた。
連続発振を示し、閾値電流密度１．５ｋＡ／ｃｍ2にお
いて室温連続発振を示し、２０ｍＷの出力において１０
００時間以上の寿命を示し、Ｍ面で共振面を形成したと
きと同等の結果が得られた。
【００２９】
【発明の効果】以上示したように本発明はサファイア基
板から分離した窒化ガリウム基板上の窒化物半導体素子
を劈開する際、新たに窒化ガリウムのＡ面を劈開面とし
て劈開することで、鏡面に近い共振面を持つ窒化物半導
体レーザが実現可能となった。なお、本発明では窒化ガ
リウム基板について説明したが、サファイア基板やスピ
ネル基板上に積層し、窒化物半導体を積層した後、その
サファイア基板やスピネル基板を薄く研磨した場合につ
いても適用可能である。
板から分離した窒化ガリウム基板上の窒化物半導体素子
を劈開する際、新たに窒化ガリウムのＡ面を劈開面とし
て劈開することで、鏡面に近い共振面を持つ窒化物半導
体レーザが実現可能となった。なお、本発明では窒化ガ
リウム基板について説明したが、サファイア基板やスピ
ネル基板上に積層し、窒化物半導体を積層した後、その
サファイア基板やスピネル基板を薄く研磨した場合につ
いても適用可能である。
【図１】窒化物半導体の結晶構造を模式的に示すユニッ
トセル図である。
トセル図である。
【図２】本発明の一実施例に係るレーザ素子の構造を示
す概略断面図である。
す概略断面図である。
【図３】本発明の一実施例に係るレーザ素子の構造を示
す概略断面図である。
す概略断面図である。
１・・・ＧａＮ基板 ２・・・ｎ側バッファ層 ３・・・クラック防止層 ４・・・ｎ側クラッド層 ５・・・ｎ側光ガイド層 ６・・・ｎ側キャップ層 ７・・・活性層 ８・・・ｐ側キャップ層 ９・・・ｐ側光ガイド層 １０・・・ｐ側コンタクト層 ２０・・・ｐ電極 ２１・・・ｐパッド電極 ２２・・・ｎ電極 ３０・・・絶縁膜 ３１・・・第２の保護膜
Claims (1)
- 【請求項１】窒化物半導体よりなる基板上にレーザ素子
の構造を積層した後、その基板を 【外１】 【外２】 【外３】 【外４】 【外５】 【外６】 面内のいずれかの面方位で割ることにより半導体レーザ
素子の光共振面を作製することを特徴とする窒化物半導
体レーザ素子の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP36174298A JP3727187B2 (ja) | 1998-07-03 | 1998-12-21 | 窒化物半導体レーザ素子の製造方法 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18835498 | 1998-07-03 | ||
| JP10-188354 | 1998-07-03 | ||
| JP36174298A JP3727187B2 (ja) | 1998-07-03 | 1998-12-21 | 窒化物半導体レーザ素子の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000082867A true JP2000082867A (ja) | 2000-03-21 |
| JP3727187B2 JP3727187B2 (ja) | 2005-12-14 |
Family
ID=26504871
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP36174298A Expired - Fee Related JP3727187B2 (ja) | 1998-07-03 | 1998-12-21 | 窒化物半導体レーザ素子の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3727187B2 (ja) |
Cited By (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| JP5151400B2 (ja) | 2007-11-04 | 2013-02-27 | 日亜化学工業株式会社 | 半導体素子の製造方法 |
-
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- 1998-12-21 JP JP36174298A patent/JP3727187B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| US7422633B2 (en) | 2001-06-06 | 2008-09-09 | Ammono Sp. Zo. O. | Method of forming gallium-containing nitride bulk single crystal on heterogeneous substrate |
| US7252712B2 (en) | 2001-06-06 | 2007-08-07 | Ammono Sp. Z O.O. | Process and apparatus for obtaining bulk monocrystalline gallium-containing nitride |
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| US7687290B2 (en) | 2007-03-23 | 2010-03-30 | Mitsubishi Electric Corporation | Method for manufacturing semiconductor optical device |
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| Publication number | Publication date |
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| JP3727187B2 (ja) | 2005-12-14 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
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| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20050608 |
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| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20050822 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20050927 |
|
| R150 | Certificate of patent (=grant) or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20050608 |
|
| A521 | Written amendment |
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| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091007 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091007 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091007 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101007 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101007 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111007 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111007 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121007 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121007 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131007 Year of fee payment: 8 |
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