JP4931271B2 - 窒化物半導体素子及びそれを用いた発光装置 - Google Patents
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Description
【産業上の利用分野】
本発明は、膜厚方向に共振器を有する面発光型のレーザ素子に係り、特にGaN、AlN、もしくはInN、又はこれらの混晶であるIII−V族窒化物半導体(InbAlcGa1−b−cN、0≦b、0≦d、b+d<1)を用いた素子に関する。
【0002】
【従来の技術】
今日、窒化物半導体を用いた半導体レーザは、DVDなど、大容量・高密度の情報記録・再生が可能な光ディスクシステムへの利用に対する要求が高まりを見せている。このため、窒化物半導体を用いた半導体レーザ素子は、研究が盛んになされている。また、窒化物半導体を用いた半導体レーザ素子は、紫外域から赤色に至るまで、幅広く可視光域での発振が可能と考えられ、その応用範囲は、上記光ディスクシステムの光源にとどまらず、レーザプリンタ、光ネットワークなどの光源など、多岐にわたるものと期待されている。
【0003】
また、窒化物半導体を用いた発光素子は、赤色系〜紫外域までの波長の光を発光することができ、これにより、様々な用途に用いることができる。更に、窒化物半導体を用いた素子として、トランジスタ、パワーデバイス等の電子デバイス、フォトダイオード、太陽電池への応用にも、可能性が見いだされている。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】
上述したように、窒化物半導体を用いた様々な素子及び発光装置には、様々な応用があるが、結晶成長において深刻な問題がある。それは、Alを含む窒化物半導体を成長させると、結晶性を悪化させ、素子構造の破壊にまでおよぶ深刻なクラックの発生を招くものとなる。また、Alを含む窒化物半導体層を素子構造として成長させると、その上に成長させる窒化物半導体にも深刻な結晶性の悪化が引き起こされる。このため、従来は、Alを含む窒化物半導体を素子構造内に設ける場合には、Al混晶比の異なる層との多層膜として、薄膜、若しくは超格子を積層したものを用いていた。例えば、従来のレーザ素子では、クラッド層として、AlGaNの単一膜を用いたいが上記問題があるため、AlGaNとGaNを薄く膜厚(超格子)で交互に複数積層して、擬似的にAlGaNのクラッド層として形成されている。
【0005】
これらは、従来、サファイア基板などの異種基板の上に、窒化物半導体からなるバッファ層、下地層(窒化物半導体基板)などを介して、その上に素子構造を形成していたため、異種基板との格子定数差・熱膨張係数差などのために、成長させる窒化物半導体に制限があった。また、前記バッファ層、下地層、若しくはその上に形成するn型層として、GaNが多く用いられ、この上に、Alを含む窒化物半導体を成長させるには、膜厚を超格子程度、100Å以下、の薄膜で設けなければ、結晶性の悪化、クラックの発生という問題を解決することができなかった。すなわち、GaNを基板としてその上に素子構造を形成したものでは、GaNを用いたコンタクト層、GaNにAl若しくはInを混晶した層とそれよりも混晶比の低い層若しくはGaN層とを積層した多層膜などからなり、主にGaNを中心とした組成でもって素子構造が形成されたものとなる。
【0006】
【課題を解決するための手段】
本発明は、前記事情に鑑みて成されたものであり、素子構造を形成する窒化物半導体基板のAl混晶比を0より大きいものとすることで、前記課題を解決するものである。
【0007】
すなわち、本発明の窒化物半導体素子及び発光装置は、以下の(1)〜(6)の構成により上記課題を解決するものである。
【0008】
(1)窒化物半導体基板の上に、窒化物半導体を積層した窒化物半導体素子において、前記窒化物半導体基板がAlを含む窒化物半導体であり、前記積層される窒化物半導体として、Alを含む窒化物半導体からなる第1の窒化物半導体層を有することを特徴とする窒化物半導体素子。この構成により、従来Alを含む窒化物半導体がクラックの発生など結晶性の悪化により厚膜で成長させることが困難であったが、そのような制限がなく素子構造中の任意の位置に、厚膜のAlを含む窒化物半導体(第1の窒化物半導体層)を設けることができる。また、Alを含む窒化物半導体において、Al混晶比が大きくなるにつれて、結晶性、クラックの発生が悪くなる傾向にあるが、上記窒化物半導体基板を用いることで、第1の窒化物半導体層との熱膨張係数差を小さくすることができ、高いAl混晶比のAlを含む窒化物半導体を素子構造中に設けることができる。ここで、窒化物半導体基板は、低温で成長させたバッファ層と異なり単結晶で形成され、素子構造を形成するための基板となるものである。また、第1の窒化物半導体層は、例えばLD、LEDなどの発光素子で電子閉込め層、クラッド層などに用いられるものである。
【0009】
(2)前記窒化物半導体基板のAl混晶比xが、x>0であり、前記第1の窒化物半導体層のAl混晶比yが、y>0であって、x≧yであることを特徴とする。この構成により、Al混晶比の大きな第1の窒化物半導体層を素子構造中に設けても、クラックの発生、結晶性の悪化を抑えることができ、良好な素子特性の窒化物半導体素子を得ることができる。これは、窒化物半導体基板よりも低いAl混晶比の第1の窒化物半導体層は、窒化物半導体基板よりも熱膨張係数が小さいため、従来のようにGaNを基板とする場合と異なり、より高いAl混晶比、より大きな膜厚でも良好な結晶性で第1の窒化物半導体層を形成できることにある。ここで好ましくは、素子構造中に用いられる全てのAlを含む窒化物半導体層が、窒化物半導体基板よりも低いAl混晶比を有すること、すなわち、素子構造中で最も大きなAl混晶比の層が第1の窒化物半導体層であることで、上述した効果を最大限に利用でき、より高機能な素子を得ることができる。
【0010】
(3)前記窒化物半導体基板が、AlNであることを特徴とする。この構成により、上述したように、窒化物半導体基板の上に、その基板のAl混晶比とほぼ同じかそれよりも低いAlを窒化物半導体を有する素子構造が形成されることになり、従来のように、Al混晶比の大きさ、膜厚に制限されることがなくなり、優れた素子特性を得ることができる。
【0011】
(4)請求項1乃至3記載の窒化物半導体素子において、前記窒化物半導体基板の上に、Inを含む窒化物半導体を有する活性層を有することを特徴とする発光装置。この構成により、優れた発光装置を得ることが可能となる。これは、前記活性層を有する発光装置において、Alを含む窒化物半導体層(第1の窒化物半導体層)は、上述したように活性層内へのキャリアの閉込めとして機能する層、クラッド層などに用いられ、これらの層を結晶性良く、また膜厚、Al混晶比が制限されることなく形成できることから、キャリアの閉込め、光の閉込めが高い効率で実現され、より高出力、高機能の発光装置を得ることができることとなる。
【0012】
(5)前記窒化物半導体素子として、下部クラッド層、前記活性層、上部クラッド層、が順に積層された構造を有すると共に、該下部クラッド層が前記第1の窒化物半導体層を有し、該上部クラッド層がAlを含む窒化物半導体からなる第2の窒化物半導体層を有することを特徴とする。この構成により、より高い外部量子効率を得ることが可能となり、照明の光源など、応用が可能である。これは、上述したように、高いAl混晶比、大きい膜厚で上部、下部クラッド層が形成できることから、閉込め係数の大きなLDとなり、しきい値を低下させ、外部量子効率の大きな素子となり、具体的には外部量子効率が70%以上となるLDを得ることが可能となり、照明などの光源に適した発光装置となる。ここで、この発光装置を照明などの白色光源とするには、この発光装置をRGBに対応する波長のLDを組み合わせた装置の少なくとも一部として構成させるもの、若しくはこの発光装置からの発光の少なくとも一部を吸収し波長変換して発光する蛍光体と組み合わせた装置を用いることができる。窒化物半導体を用いた発光装置に用いる蛍光体としては、イットリウム・アルミニウム・ガーネット系蛍光体を好ましく用いることができ、具体的にはセリウム付活で、Re1-xSmx)3(Al1-yGay)5O12:Ceで表される蛍光体を用いることができる(ただし、0≦x<1、0≦y≦1、Reは、Y、Gd、Laから選択される少なくとも一種の元素である)。
【0013】
(6)前記窒化物半導体素子が、Alを含む窒化物半導体と、Inを含む窒化物半導体と、が積層されてなることを特徴とする。この構成であること、すなわち窒化物半導体基板上の素子構造がAlを含む窒化物半導体層とInを含む窒化物半導体とだけで構成されることにより、従来と異なる素子構造を形成することができ、素子特性に優れる窒化物半導体素子が得られる。これは、従来はGaNからなる基板の上に、GaNと他の窒化物半導体とが積層された素子構造が形成されてきたが、本発明では窒化物半導体基板がAlを含む窒化物半導体であるため、素子構造中にGaNのようにAl及びInを含まない窒化物半導体を有すると、それに隣接してAlを含む窒化物半導体がある場合に、両者に大きな格子定数差、熱膨張係数差があることから、積層構造の組合せによっては結晶性にかえって悪影響を及ぼすことがあるからである。また、Inを含む窒化物半導体は、Inを含まない窒化物半導体に比べて、柔らかい結晶性を有するため、Alを含む窒化物半導体と、Inを含む窒化物半導体と、が積層された素子構造において、格子定数差などが大きくても、Inを含む窒化物半導体はバッファとして機能させることができる。ここで、Alを含む窒化物半導体としては、AlxGa1-xN(0<x≦1)を好ましく用いることができ、Inを含む窒化物半導体としては、InyGa1-yNを好ましく用いることができる。これは、InAlGaNのように4元混晶を用いた素子であると各層の間の格子定数差を低く抑えることが可能となるが、成長方法によっては各層自身の結晶性が悪化する場合があるため、3元混晶とすることが好ましい。
【0014】
【発明の実施の形態】
【0015】
[基板]
本発明に用いる窒化物半導体基板としては、Al混晶比xが、x>0となる窒化物半導体であり、具体的な組成としてはAlxGa1-xN(0<x≦1)で表されるものである。この時、窒化物半導体基板として更に好ましくは、AlNである。なぜなら、AlxGa1-xNであることで、その上の素子構造として高いAl混晶比の窒化物半導体を用いることができ、様々な素子構造を形成することが可能となる。また、窒化物半導体基板がAlNであると、素子構造若しくは基板の上に、より高いAl混晶比の窒化物半導体、2元混晶のAlNをも使用することが可能となる。ここで、Alを含む窒化物半導体は、従来でも異種基板、さらにはGaN、AlGaN、AlNなどのバッファ層を介して、成長させることが可能であったが、その膜厚は好ましい条件下で成長させても数百Å以下程度で、それ以上の厚膜であると、100Å以下程度で、上記窒化物半導体基板を用いてその上に設けられるAlを含む窒化物半導体層の膜厚は、これ以上の膜厚、具体的には500Å以上の膜厚であっても、単一膜として形成でき、従来のように、AlGaN/GaNの超格子多層膜としてクラッド層などを形成せずに、単一膜のクラッド層の形成も可能となる。このように、Alを含む窒化物半導体を単一膜とし、それを窒化物半導体素子に用いると、Alを含む窒化物半導体の本来の性質を十分に引き出すことが可能となり、例えばレーザ素子のクラッド層に用いると、AlGaN/GaNの超格子多層膜のクラッド層を用いる場合に比べて、光の閉込めを高めることができ、このことによりしきい値電流を低下させ、外部量子効率を向上させることが可能となる。
【0016】
ここで、本発明の窒化物半導体基板は、単体基板であっても、素子構造を形成する下地層となり、異種基板上に設けられた基板であっても、どちらでも良い。好ましくは、窒化物半導体とは異なる材料からなる異種基板が除かれた状態の単体基板を用いることである。また、異種基板などの上にAlを含む窒化物半導体基板を設けて、その上に素子構造を形成する場合には、少なくとも1μm以上の膜厚で形成したものを用いることが好ましい。窒化物半導体の成長には、従来知られた方法で成長させることができ、有機金属気相成長法が好ましく用いられ、MBE、MOVPE、HVPEなどを用いることができる。窒化物半導体基板の膜厚が10μm以下ではMOCVDを用いることで結晶性の良い状態で成長させることができ、10μm以上であると成長速度の遅いMOCVDを用いるよりも成長速度の比較的大きいHVPEを用いることで、厚膜の窒化物半導体を効率よく得ることが可能となる。異種基板上に窒化物半導体基板を形成して、単体基板として取り出すには、少なくとも10μm以上の膜厚で窒化物半導体基板を形成することであり、好ましくは50μm以上、更に好ましくは100μm以上の膜厚で設けることである。これは、1μm以下であると異種基板を除去することが困難で、50μm以上であると異種基板を除去して単体基板を得ることが容易となり、100μm以上であることで更に単体基板を得ることが確実にでき、単体基板の取り扱いも容易になる。また、数百℃以上の高温、数千気圧以上の高圧下で窒化物半導体の種結晶から単結晶を成長させたものを、窒化物半導体基板に用いても良い。
【0017】
ここで、異種基板上に上記窒化物半導体基板を形成する際に、異種基板上に低温で成長させた窒化物半導体からなるバッファ層、さらにその上にバッファ層よりも高い温度で単結晶で成長した窒化物半導体を成長させて、窒化物半導体基板となる窒化物半導体層を形成することができる。この時、低温で成長させるバッファ層は、具体的にはAlxGa1-xN(0≦x<1)で表される窒化物半導体を用いることができ、成長温度としては400℃〜900℃の範囲で成長されて、単結晶でない膜が形成される。
【0018】
また、本発明の窒化物半導体基板の上に、半導体多層膜からなる反射膜を設ける場合にも有利に働くものとなる。これは、窒化物半導体の多層膜で反射膜を形成する場合には、屈折率差が大きくなるように、Alを含む窒化物半導体とAlを含まない窒化物半導体とを交互に積層したものを用いるが、この時、Alを含む窒化物半導体のAl混晶比を大きくすることで、両方の層の屈折率差を大きくでき、結果として反射膜の反射率を高くすることができる。ここで、Alを含む窒化物半導体としては、AlaGa1-aN(0<a≦1)があり、Alを含まない窒化物半導体としてはInbGa1-bN(0≦b≦1)があり、好ましくはAlaGa1-aN(0.5<a≦1)/GaN、更に好ましくはAlN/GaNの多層膜を用いることで、高い反射率の半導体多層膜を形成することができる
【0019】
[第1の窒化物半導体層]
本発明の第1の窒化物半導体層は、窒化物半導体基板の上に素子構造として設けられる窒化物半導体であり、Al混晶比yがy>0となる窒化物半導体である。具体的には、AlyGa1-yN(0<y≦1)で表される組成を好適に用いることができる。例えば、AlGaN若しくはAlNからなるクラッド層、コンタクト層として用いることができる。従来は、GaN、若しくは低混晶比のAlを有するAlGaNを、下地層(基板)として、その上に、素子構造を設けていた。このため、AlGaNなどのAlを含む窒化物半導体からなる層を設ける場合に、超格子で積層した超格子多層膜などのように、比較的うすい膜厚でしか、十分な結晶性の層を設けることができなかった。本発明では、第1の窒化物半導体のAl混晶比y以上のAl混晶比xの窒化物半導体基板を有することで、Alを含む窒化物半導体の成長が良好なものとなり、クラッド層、反射膜などに用いられるAlを含む窒化物半導体を単一膜で成長させることが可能となる。
【0020】
従って、本発明では、熱膨張係数の大きい窒化物半導体基板の上に、それとほぼ同じかそれよりも熱膨張係数の小さい窒化物半導体層(第1の窒化物半導体層)を素子構造として、形成するものとなり、その素子構造の形成において、クラックの発生などのない、優れた素子構造を形成することができる。具体的には、窒化物半導体基板のAl混晶比と第1の窒化物半導体層のAl混晶比が上述の関係にあること、すなわち、窒化物半導体基板のAl混晶比とほぼ同じかそれよりも小さいAl混晶比(0を含む)の窒化物半導体層を素子構造として形成することで、このような熱膨張係数の関係を築くことができ、素子構造としてAlを含む窒化物半導体を用いる場合には、クラックの発生することなく単一膜の層を形成することができる。
【0021】
[第2の窒化物半導体層]
本発明の第2の窒化物半導体層としては、上部クラッド層に用いられるものであり、具体的な窒化物半導体としては、第1の窒化物半導体と同様なものを用いることができる。
【0022】
[活性層]
本発明に用いる活性層としては、量子井戸構造を用いても良く、多重量子井戸構造、単一量子井戸構造のどちらでも良い。好ましくは、多重量子井戸構造とすることで、出力の向上、発振閾値の低下などが図ることが可能となる。活性層の量子井戸構造としては、後述する井戸層、障壁層を積層したものを用いることができる。また、積層構造としては、井戸層を障壁層で挟み込む構造を積層したものであり、すなわち、単一量子井戸構造においては、井戸層を挟むように、p型窒化物半導体層側、n型窒化物半導体層側に、それぞれ障壁層を少なくとも1層有する。活性層には、少なくとも、Inを含む窒化物半導体を有することが好ましく、量子井戸構造である場合には、Inを含む窒化物半導体を有する井戸層を少なくとも設けることである。この時具体的な組成としては、InαGa1- αN(0<α≦1)を好ましく用いることができる。このことにより、良好な発光・発振を可能とする井戸層となる。この時、In混晶比により、発光波長を決めることができる。
【0023】
本発明において、障壁層の組成としては、特に限定されないが、井戸層よりIn混晶比の低いInを含む窒化物半導体若しくはGaN、Alを含む窒化物半導体などを用いることができる。具体的な組成としては、InβGa1- βN(0≦β<1,α>β)、GaN、AlγGa1- γN(0<γ≦1)などを用いることができる。
【0024】
[n型層]
本発明のn型層の組成としては、InxAlyGa1-x-yN(0≦x≦1、0≦y≦1、0≦x+y≦1)で表される窒化物半導体が用いられ、n型不純物をドープしたもの、アンドープのもの(成長時にn型不純物をドープしないもの)、ノンドープのもの(n型不純物を含有しないもの)を用いることができる。ここで、n型不純物としては、Si、Ge、Sn、S、O等が挙げられ、好ましくはSi、Snを用いることである。
【0025】
[p型層]
本発明のp型層の組成としては、InxAlyGa1-x-yN(0≦x≦1、0≦y≦1、0≦x+y≦1)で表される窒化物半導体が用いられ、p型不純物をドープしたもの、アンドープのもの(成長時にn型不純物をドープしないもの)、を用いることができる。ここで、p型不純物としては、Mg、Zn、Be、Caが挙げられ、好ましくはMgを用いることである。
【0026】
【実施例】
[実施例1]
(窒化物半導体基板)
以下、実施例として、図1に示すようなレーザ素子構造の窒化物半導体を用いたレーザ素子について、説明する。
【0027】
(基板101) 基板として、AlNからなる窒化物半導体基板を用いる。この窒化物半導体基板は以下のようにして得る。2インチφサファイアC面ウエハを、MOCVD装置にセットして、温度を510℃にし、キャリアガスに水素、原料ガスにアンモニアとTMG(トリメチルガリウム)、TMA(トリメチルアルミニウム)とを用い、サファイア基板1上にAl0.5Ga0.5Nよりなるバッファ層を約200Å(オングストローム)の膜厚で成長させ、さらに温度を1050℃とし、原料ガスにTMG、アンモニアを用い、アンドープのAlNよりなる下地層を1μm形成する。次にウエハをHVPE装置に移し、下地層の上にAlNを100μmの膜厚で成長させ、最後にウエハをHVPE装置から取り出し、異種基板、バッファ層、下地層を研磨などにより除去して、AlNの単体基板を作製し、これを窒化物半導体基板として用いる。
【0028】
(バッファ層102) 窒化物半導体基板の上に、バッファ層成長後、温度を1050℃にして、TMG(トリメチルガリウム)、TMA(トリメチルアルミニウム)、アンモニアを用い、Al0.05Ga0.95Nよりなるバッファ層102を4μmの膜厚で成長させる。この層は、AlGaNのn型コンタクト層と、AlNからなる窒化物半導体基板との間で、バッファとして機能する。このバッファ層を設けずに、窒化物半導体基板上に直接、素子構造を設けても良い。次に、窒化物半導体基板の上に、以下に示す素子構造となる各層を積層する。
【0029】
(n型コンタクト層103)
次に得られたバッファ層102上にTMG、TMA、アンモニア、不純物ガスとしてシランガスを用い、1050℃でSiドープしたAl0.05Ga0.95Nよりなるn型コンタクト層103を4μmの膜厚で成長させる。
【0030】
(クラック防止層104) 次に、TMG、TMI(トリメチルインジウム)、アンモニアを用い、温度を800℃にしてIn0.06Ga0.94Nよりなるクラック防止層104を0.15μmの膜厚で成長させる。なお、このクラック防止層は省略可能である。
【0031】
(n型クラッド層105) 次に、温度を1050℃にして、原料ガスにTMA、TMG及びアンモニアを用い、アンドープのAl0.05Ga0.95Nを膜厚1.1μmで成長させる。この時、アンドープAlGaNのAl混晶比としては、0.02以上0.3以下の範囲であれば、十分にクラッド層として機能する屈折率差を設けることができる。
【0032】
(n型光ガイド層106) 次に、同様の温度で、原料ガスにTMG及びアンモニアを用い、アンドープのGaNよりなるn型光ガイド層106を0.15μmの膜厚で成長させる。また、n型不純物をドープしてもよい。
(活性層107) 次に、温度を800℃にして、原料ガスにTMI(トリメチルインジウム)、TMG及びアンモニアを用い、不純物ガスとしてシランガスを用い、Siを5×1018/cm3ドープしたIn0.05Ga0.95Nよりなる障壁層(B)を140Åの膜厚で、シランガスを止め、アンドープのIn0.1Ga0.9Nよりなる井戸層(W)を55Åの膜厚で、この障壁層(B)、井戸層(W)を、(B)/(W)/(B)/(W)の順に積層する。最後に障壁層として、原料ガスにTMI(トリメチルインジウム)、TMG及びアンモニアを用い、アンドープのIn0.05Ga0.95Nを成長させる。活性層107は、総膜厚約500Åの多重量子井戸構造(MQW)となる。
【0033】
(p型電子閉込め層108:第1のp型窒化物半導体層) 次に、同様の温度で、原料ガスにTMA、TMG及びアンモニアを用い、不純物ガスとしてCp2Mg(シクロペンタジエニルマグネシウム)を用い、Mgを1×1019/cm3ドープしたAl0.3Ga0.7Nよりなるp型電子閉込層108を100Åの膜厚で成長させる。この層は、特に設けられていなくても良いが、設けることで電子閉込めとして機能し、閾値の低下に寄与するものとなる。
【0034】
(p型光ガイド層109) 次に、温度を1050℃にして、原料ガスにTMG及びアンモニアを用い、アンドープのGaNよりなるp型光ガイド層109を0.15μmの膜厚で成長させる。
【0035】
このp型光ガイド層109は、アンドープとして成長させるが、p型電子閉込め層108、p型クラッド層109等の隣接層からのMgの拡散により、Mg濃度が5×1016/cm3となりp型を示す。またこの層は成長時に意図的にMgをドープしても良い。
【0036】
(p型クラッド層110) 続いて、1050℃でMgドープAl0.05Ga0.95Nよりなる層を膜厚0.45μmのp型クラッド層110を成長させる。p型クラッド層はAlを含む窒化物半導体層を含み、具体的には、AlXGa1-XN(0<X<1)を含むとする。
【0037】
(p型コンタクト層111) 最後に、1050℃で、p型クラッド層110の上に、Mgを1×1020/cm3ドープしたp型GaNよりなるp型コンタクト層111を150Åの膜厚で成長させる。p型コンタクト層111はp型のInXAlYGa1-X-YN(0≦X、0≦Y、X+Y≦1)で構成することができ、好ましくはMgをドープしたGaNとすれば、p電極120と最も好ましいオーミック接触が得られる。コンタクト層111は電極を形成する層であるので、1×1017/cm3以上の高キャリア濃度とすることが望ましい。1×1017/cm3よりも低いと電極と好ましいオーミックを得るのが難しくなる傾向にある。さらにコンタクト層の組成をGaNとすると、電極材料と好ましいオーミックが得られやすくなる。反応終了後、反応容器内において、ウエハを窒素雰囲気中、700℃でアニーリングを行い、p型層を更に低抵抗化する。
【0038】
以上のようにして窒化物半導体を成長させ各層を積層した後、ウエハを反応容器から取り出し、最上層のp型コンタクト層の表面にSiO2よりなる保護膜を形成して、RIE(反応性イオンエッチング)を用いSiCl4ガスによりエッチングし、図1に示すように、n電極を形成すべきn型コンタクト層103の表面を露出させる。このように窒化物半導体を深くエッチングするには保護膜としてSiO2が最適である。
【0039】
次に上述したストライプ状の導波路領域として、リッジストライプを形成する。まず、最上層のp型コンタクト層(上部コンタクト層)のほぼ全面に、PVD装置により、Si酸化物(主として、SiO2)よりなる第1の保護膜161を0.5μmの膜厚で形成した後、第1の保護膜161の上に所定の形状のマスクをかけ、RIE(反応性イオンエッチング)装置により、CF4ガスを用い、フォトリソグラフィー技術によりストライプ幅1.6μmの第1の保護膜161とする。この時、リッジストライプの高さ(エッチング深さ)は、p型コンタクト層111、およびp型クラッド層109、p型光ガイド層110の一部をエッチングして、p型光ガイド層109の膜厚が0.1μmとなる深さまでエッチングして、形成する。
【0040】
次に、リッジストライプ形成後、第1の保護膜の上から、Zr酸化物(主としてZrO2)よりなる第2の保護膜162を、第1の保護膜の上と、エッチングにより露出されたp型光ガイド層109の上に0.5μmの膜厚で連続して形成し、埋込層とする。
【0041】
第2の保護膜162形成後、ウエハを600℃で熱処理する。このようにSiO2以外の材料を第2の保護膜として形成した場合、第2の保護膜成膜後に、300℃以上、好ましくは400℃以上、窒化物半導体の分解温度以下(1200℃)で熱処理することにより、第2の保護膜が第1の保護膜の溶解材料(フッ酸)に対して溶解しにくくなるため、この工程を加えることがさらに望ましい。
【0042】
次に、ウエハをフッ酸に浸漬し、第1の保護膜をリフトオフ法により除去する。このことにより、p型コンタクト層111の上に設けられていた第1の保護膜が除去されて、p型コンタクト層が露出される。以上のようにして、図1に示すように、リッジストライプの側面、及びそれに連続する平面(p型光ガイド層109の露出面)に第2の保護膜162が形成される。
【0043】
このように、p型コンタクト層112の上に設けられた第1の保護膜が、除去された後、図1に示すように、その露出したp型コンタクト層111の表面にNi/Auよりなるp電極120を形成する。但しp電極120は100μmのストライプ幅として、図1に示すように、第2の保護膜162の上に渡って形成する。第2の保護膜162形成後、既に露出させたn型コンタクト層103の表面にはTi/Alよりなるストライプ状のn電極121をストライプと平行な方向で形成する。
【0044】
次に、n電極を形成するためにエッチングして露出された面でp,n電極に、取り出し電極を設けるため所望の領域にマスクし、SiO2とTiO2よりなる誘電体多層膜164を設けた後、p,n電極上にNi−Ti−Au(1000Å−1000Å−8000Å)よりなる取り出し(パット)電極122,123をそれぞれ設けた。この時、活性層107の幅は、200μmの幅(共振器方向に垂直な方向の幅)であり、共振器面(反射面側)にもSiO2とTiO2よりなる誘電体多層膜が設けられる。
【0045】
以上のようにして、n電極とp電極とを形成した後、ストライプ状の電極に垂直な方向で、窒化物半導体のM面(GaNのM面、(1 1- 0 0)など)でバー状に分割して、更にバー状のウエハを分割してレーザ素子を得る。この時、共振器長は、650μmで、発振波長405nmのレーザ素子である。このようにして得られるレーザ素子は、クラッド層を単一膜で形成していることから、導波路における光の閉込め効率が高まり、しきい値電流を下げることができ、そのことにより外部量子効率を向上させることができる。
【0046】
[実施例2]
実施例1において、n型光ガイド層とp型光ガイド層とを設けず、更にp型コンタクト層をMgドープAl0.01Ga0.95Nとし、クラッド層を、膜厚0.45μmのMgドープAl0.05Ga0.95Nよりなるp型クラッド層、膜厚1.1μmのアンドープのAl0.05Ga0.95Nよりなるn型クラッド層、とする他は、実施例1と同様にして、レーザ素子を得る。これにより、Alを含む窒化物半導体基板の上に、Alを含む窒化物半導体、Inを含む窒化物半導体だけを積層した構造からなるレーザ素子が得られる。上部(n型)、下部(p型)クラッド層を単一膜で形成しても、クラックの発生がなく、結晶性良く形成することができる。また、GaNのようにAl及びInを含まない窒化物半導体を有していないことで、従来存在したGaNとの界面での大きな格子定数差がなくなり、素子構造像全体での格子の整合性が向上する。更に、各クラッド層のAl混晶比を0.1にすることで、外部量子効率の大きなレーザ素子が得られる。
【0047】
[実施例3]
図2に示す面発光型のレーザ素子を作製する。実施例1と同様にAlNの窒化物半導体基板101を用いて、以下の素子構造を形成する。
【0048】
窒化物半導体基板の上に、反射膜130として、AlNからなる第1の層131とGaNからなる第2の層132を交互にそれぞれ3層づつ積層する。この時、各層は、λ/(4n)(但し、λは光の波長、nは材料の屈折率)の式を満たす膜厚で設け、ここではn=2(AlN)、2.5(GaN)で、各膜厚を第1の層約500Å、第2の層約400Åの膜厚で形成する。
【0049】
続いて、実施例1と同様の条件で、n型コンタクト層133、活性層134、p型電子閉込め層(図示せず)、p型コンタクト層を積層して、円形状の開口部を有するSiO2からなるブロック層136を設けて、その円形状の開口部からMgドープGaNを成長させて、第2のp型コンタクト層137を形成する。この時、p型コンタクト層135、第2のp型コンタクト層137は、いずれか一方だけを形成したものでも良い。その第2のp型コンタクト層137の上に、SiO2/TiO2からなる誘電体多層膜を形成し反射膜138とし、前記ブロック層136の開口部の上に円形状に設ける。そして、n型コンタクト層133が露出する深さまでエッチングして、露出したn型コンタクト層133の上にリング状のn電極121、第2のp型コンタクト層137の上に、反射膜138の周りを囲むp電極120をそれぞれ形成する。このようにして、得られる面発光型のレーザ素子は、基板がAlNであるため、その上に形成する半導体多層膜からなる反射膜130、特にAlNを結晶性良く形成することができ、反射率の良好な反射膜となる。
【0050】
[実施例4]
実施例1の窒化物半導体基板の形成において、2インチφ、C面サファイア基板の上に、Al0.5Ga0.5Nよりなるバッファ層、AlNからなる下地層を形成し、この下地層を窒化物半導体基板とし、実施例1の素子構造となる各層102〜111を積層し、実施例1と同様にしてレーザ素子を得る。実施例1と異なり窒化物半導体基板が異種基板上に設けられているため、素子構造中のAlを含む窒化物半導体の結晶性が実施例1に比べて結晶性が悪化する傾向にあるが、比較例1の場合に比べて良好な結晶性であり、よりAlの混晶比の高いAlを含む窒化物半導体を素子構造中に用いることが可能である。
【0051】
[比較例1]
実施例1の単体基板の形成において、サファイア基板上に、GaNからなるバッファ層、GaNからなる下地層を形成し、GaNからなる厚膜の層を成長させて、GaNからなる窒化物半導体基板を得て、これを用いてレーザ素子を得る。得られるレーザ素子は、実施例1、2に比べて、各層の結晶性、特にAlを含む窒化物半導体の結晶性、が悪化する傾向にある。このため、p型電子閉込め層のように、比較的Al混晶比の大きなAlを含む窒化物半導体を素子構造中に設ける場合には、Alを含む窒化物半導体の結晶性を維持して、クラックの発生を抑制するために、数百Å以下に膜厚を抑えるか、若しくはクラッド層のように、数百Å以下の層を複数積層して超格子多層膜で厚膜の層を設ける方法に限られてくる。
【0052】
【発明の効果】
本発明では、Alを含む窒化物半導体基板を用いた窒化物半導体素子とすることで、基板の上にAlGaN、AlNなどのAlを含む窒化物半導体をクラックの発生などなく成長させることができ、単一膜のクラッド層、窒化物半導体からなる半導体多層膜の反射膜を好ましく形成することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の1実施形態を説明する模式断面図。
【図2】本発明の1実施形態を説明する模式断面図。
【符号の簡単な説明】
101・・・窒化物半導体基板
102・・・バッファ層
103・・・n型コンタクト層
104・・・クラック防止層
105・・・n型クラッド層
106・・・n型光ガイド層
107・・・活性層
108・・・p型電子閉込め層
109・・・p型光ガイド層
110・・・p型クラッド層
111・・・p型コンタクト層
120・・・p電極
121・・・n電極
130・・・反射膜
131・・・第1の層
132・・・第2の層
133・・・n型コンタクト層
134・・・活性層
135・・・p型コンタクト層
136・・・ブロック層
137・・・第2のp型コンタクト層
138・・・反射膜
162・・・第2の保護膜
Claims (3)
- AlN基板上に、窒化物半導体からなる素子構造を積層した窒化物半導体素子において、
前記素子構造は、AlxGa1−xN(0<x≦1)とInyGa1−yN(0<y≦1)のみからなり、
前記AlN基板に接して、Al x Ga 1−x N(0<x≦1)からなる層が形成されていることを特徴とする窒化物半導体素子。 - 請求項1に記載の窒化物半導体素子において、前記AlN基板の上に、前記InyGa1−yN(0<y≦1)を有する活性層を有することを特徴とする発光装置。
- 前記窒化物半導体素子として、下部クラッド層、前記活性層、上部クラッド層、が順に積層された構造を有すると共に、該下部クラッド層及び上部クラッド層が前記AlxGa1−xN(0<x≦1)からなることを特徴とする請求項2記載の発光装置。
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