JP4467931B2 - 有機電界発光表示装置の組立体 - Google Patents
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Description
前記有機電界発光表示部とフォトニックプレートの間に有機発光層から発生される光の取出し効率を高めるための微細空間層を具備することをその特徴とする。
前記光損失防止層と対向される層間にガスが注入されたり、真空の空間層とを具備することを特徴とする。
前記基板上に形成されて第1電極をスイッチングさせるための薄膜トランジスタを含む駆動部と、
前記透明な第2電極層の上面に設置されて前記フォトニックプレートと第2電極層の間に所定の不活性ガスが注入されたり、真空の微細空間層を形成し、内面に光損失防止層が形成されたフォトニックプレートを具備することをその特徴とする。
前記基板上に形成されて第1電極をスイッチングさせるための薄膜トランジスタを含む駆動部と、
前記基板と第1電極層の間に相互屈折率の異なる所定パターンの領域を有する光損失防止層と、
前記光損失防止層と対応される層間にガスが注入されたり、真空の空間層とを具備することを特徴とする。
本実験では、電界発光表示装置の製作において、基板の上面にSiO2、TiO2、SiNXをそれぞれ利用して円筒型の突起よりなる光損失防止層を形成した。前記突起のピッチは200ないし2,000nmの範囲とし、高さは50ないし5,000nmの範囲内で形成した。
本実験では、電界発光表示装置の製作において、実験例1のような条件下で前記微細空間層と第1電極層との間に屈折率が2.36であるTiO2を利用してインデックス層を形成し、このインデックス層の厚さと標準化された光パワーとの関係を実験して図15に示すようなグラフを得た。ここで、前記微細空間層の間隔は0(突起と第1電極層とが接触した状態)とし、光損失防止層をなす突起の高さは400nmに形成した。
本実験では電界発光表示装置の製作において、透明な基板の上面に第1電極層、有機発光層、第2電極層を単純に形成した。
本実験では電界発光表示装置の製作において、基板の上面に第1電極層、有機発光層、第2電極層を形成し、これらの層のうち屈折率差の大きい層に回折格子層(光損失防止層)を形成した。前記回折格子層はSiO2またはTiO2を利用して所定のピッチを有する多数の突起を形成製作した。
本発明は、有機電界発光表示装置に係り、通常的に有機電界発光表示装置は、蛍光性有機化合物を電気的に励起発光させる自発光型ディスプレイであって、低電圧で駆動可能であり、薄型化が容易であり、広い視野角、速い応答速度の液晶表示装置において問題点として指摘された欠点が解決できる次世代ディスプレイに使用できる。
21 基板
22 第1電極層
23 第2電極層
30 有機発光部
50 微細空間部
100 光損失防止層
111 突起
H 高さ
P ピッチ
Claims (27)
- 基板と、
前記基板の上面にそれぞれ所定のパターンで形成されて積層された第1電極層、有機発光層及び透明な第2電極層を含む有機電界発光部と、
前記基板と有機電界発光部をなす層間の少なくとも有機発光部から発生した光の取出し効率を高めるための光損失防止層と、
前記光損失防止層と対向する層の間に形成されてガスが注入されたり、または真空の微細空間層とを具備してなり、
前記微細空間層は、前記光損失防止層と同一高さに、前記光損失防止層間に形成され、
前記光損失防止層は、前記基板の上面に多数の突起が所定のピッチで形成された回折格子よりなることを特徴とする有機電界発光表示装置の組立体。 - 前記突起が前記第2電極に接触されたことを特徴とする請求項1に記載の有機電界発光表示装置の組立体。
- 前記突起のピッチが200ないし2,000nmであることを特徴とする請求項1に記載の有機電界発光表示装置の組立体。
- 前記突起の高さは50ないし5,000nmであることを特徴とする請求項3に記載の有機電界発光表示装置の組立体。
- 前記第2電極がITOよりなることを特徴とする請求項1に記載の有機電界発光表示装置。
- 前記光損失防止層はSiOx(x>1)、SiNx、Si3N4、TiO2、MgO、ZnO、Al2O3、SnO2、In2O3、MgF2、CaF2よりなる群から選択された1つ以上よりなることを特徴とする請求項1に記載の有機電界発光表示装置の組立体。
- 前記光損失防止層がTiO2よりなることを特徴とする請求項6に記載の有機電界発光表示装置の組立体。
- 前記微細空間層と第2電極層との間に相対的に屈折率の高いインデックス層をさらに具備することを特徴とする請求項1に記載の有機電界発光表示装置の組立体。
- 前記インデックス層がTiO2よりなることを特徴とする請求項8に記載の有機電界発光表示装置の組立体。
- 前記インデックス層の屈折率が2.3以上であることを特徴とする請求項8に記載の有機電界発光表示装置の組立体。
- 前記インデックス層の厚さは2000nm以下であることを特徴とする請求項8に記載の有機電界発光表示装置の組立体。
- 基板と、
前記基板の上面にそれぞれ所定のパターンで形成されて積層された第1電極層、有機発光層及び透明な第2電極層を含む有機電界発光表示部と、
有機電界発光表示部と結合されて微細空間層を形成し、光損失防止のための光損失防止層を有するフォトニックプレートとを含み、
前記微細空間層は、前記光損失防止層と同一高さに、前記光損失防止層間に形成され、
前記フォトニックプレートの光損失防止層は前記フォトニックプレートの下面に多数の突起が所定のピッチで形成されたことを特徴とする有機電界発光表示装置の組立体。 - 前記突起が前記有機電界発光表示装置の第2電極に接触されたことを特徴とする請求項12に記載の有機電界発光表示装置の組立体。
- 前記フォトニックプレートに形成された突起のピッチが200ないし2,000nmであることを特徴とする請求項12に記載の有機電界発光表示装置の組立体。
- 前記突起の高さは50ないし5,000nmであることを特徴とする請求項12に記載の有機電界発光表示装置の組立体。
- 前記光損失防止層は、SiOx(x>1)、SiNx、Si3N4、TiO2、MgO、ZnO、Al2O3、SnO2、In2O3、MgF2、CaF2よりなる群から選択された1つ以上よりなることを特徴とする請求項12に記載の有機電界発光表示装置の組立体。
- 前記光損失防止層がTiO2よりなることを特徴とする請求項16に記載の有機電界発光表示装置の組立体。
- 前記空間層と第2電極層との間に相対的に屈折率の高いインデックス層をさらに具備することを特徴とする請求項12に記載の有機電界発光表示装置の組立体。
- 前記インデックス層の屈折率が2.3以上であることを特徴とする請求項18に記載の有機電界発光表示装置の組立体。
- 基板と、
基板上に所定のパターンで形成された第1電極層と、各第1電極層の上面に所定パターンで形成された有機発光層と、前記有機発光層が露出されるように基板の上面に形成された絶縁層と、前記有機発光層と絶縁層の上面に所定のパターンで形成されて透明な第2電極層と、を含む画素形成部と、
前記基板上に形成されて第1電極をスイッチングするための薄膜トランジスタを含む駆動部と、
前記透明な第2電極層の上面に設置されて不活性ガスが注入されたり、あるいは真空の微細空間層を形成して光損失防止層を具備したフォトニックプレートとを具備し、
前記微細空間層は、前記光損失防止層と同一高さに、前記光損失防止層間に形成され、
前記フォトニックプレートの光損失防止層は前記フォトニックプレートの下面に多数の突起が所定のピッチで形成されていることを特徴とする有機電界発光表示装置の組立体。 - 前記第1電極層の上面に平坦化膜がさらに具備されることを特徴とする請求項20に記載の有機電界発光表示装置の組立体。
- 前記突起が前記有機電界発光表示装置の第2電極に接触されたことを特徴とする請求項20に記載の有機電界発光表示装置の組立体。
- 前記フォトニックプレートに形成された突起のピッチが200ないし2,000nmであることを特徴とする請求項20に記載の有機電界発光表示装置の組立体。
- 前記突起の高さは50ないし5,000nmであることを特徴とする請求項20に記載の有機電界発光表示装置の組立体。
- 前記光損失防止層は、SiOX(X>1)、SiNX、Si3N4、TiO2、MgO、ZnO、Al2O3、SnO2、In2O3、MgF2、CaF2よりなる群から選択された1つ以上よりなることを特徴とする請求項21に記載の有機電界発光表示装置の組立体。
- 前記空間層と第2電極層との間に相対的に屈折率の高いインデックス層をさらに具備することを特徴とする請求項21に記載の有機電界発光表示装置の組立体。
- 前記インデックス層の屈折率が2.3以上であることを特徴とする請求項26に記載の有機電界発光表示装置の組立体。
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