JP6821408B2 - インプリント装置、インプリント方法、および物品の製造方法 - Google Patents

インプリント装置、インプリント方法、および物品の製造方法 Download PDF

Info

Publication number
JP6821408B2
JP6821408B2 JP2016230704A JP2016230704A JP6821408B2 JP 6821408 B2 JP6821408 B2 JP 6821408B2 JP 2016230704 A JP2016230704 A JP 2016230704A JP 2016230704 A JP2016230704 A JP 2016230704A JP 6821408 B2 JP6821408 B2 JP 6821408B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
mold
substrate
core
imprint
absence
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2016230704A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2018088472A (ja
Inventor
友和 瀧
友和 瀧
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Canon Inc
Original Assignee
Canon Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Canon Inc filed Critical Canon Inc
Priority to JP2016230704A priority Critical patent/JP6821408B2/ja
Priority to KR1020170154469A priority patent/KR102286380B1/ko
Publication of JP2018088472A publication Critical patent/JP2018088472A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP6821408B2 publication Critical patent/JP6821408B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70216Mask projection systems
    • G03F7/7035Proximity or contact printers
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/0002Lithographic processes using patterning methods other than those involving the exposure to radiation, e.g. by stamping
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70483Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
    • G03F7/70491Information management, e.g. software; Active and passive control, e.g. details of controlling exposure processes or exposure tool monitoring processes
    • G03F7/70516Calibration of components of the microlithographic apparatus, e.g. light sources, addressable masks or detectors
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70483Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
    • G03F7/70605Workpiece metrology
    • G03F7/70681Metrology strategies
    • G03F7/70683Mark designs
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70483Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
    • G03F7/70605Workpiece metrology
    • G03F7/706843Metrology apparatus
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70483Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
    • G03F7/70605Workpiece metrology
    • G03F7/706843Metrology apparatus
    • G03F7/706851Detection branch, e.g. detector arrangements, polarisation control, wavelength control or dark/bright field detection
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/708Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
    • G03F7/70808Construction details, e.g. housing, load-lock, seals or windows for passing light in or out of apparatus
    • G03F7/70825Mounting of individual elements, e.g. mounts, holders or supports
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/708Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
    • G03F7/70858Environment aspects, e.g. pressure of beam-path gas, temperature
    • G03F7/70866Environment aspects, e.g. pressure of beam-path gas, temperature of mask or workpiece
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/027Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
    • H01L21/0271Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers
    • H01L21/0273Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers characterised by the treatment of photoresist layers
    • H01L21/0274Photolithographic processes

Landscapes

  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Environmental & Geological Engineering (AREA)
  • Public Health (AREA)
  • Epidemiology (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Toxicology (AREA)
  • Atmospheric Sciences (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Shaping Of Tube Ends By Bending Or Straightening (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Description

本発明は、型を用いて基板上にインプリント材のパターンを形成するインプリント装置、インプリント方法に関する。
半導体デバイスなどの物品を製造する方法として、型(モールド)を用いて基板上にインプリント材のパターンを形成するインプリント技術が知られている。インプリント技術は、基板上にインプリント材を供給し、供給されたインプリント材と型を接触させる(押印)。そして、インプリント材と型を接触させた状態でインプリント材を硬化させた後、硬化したインプリント材からモールドを引き離す(離型)ことにより、インプリント材のパターンが基板上に形成される。
インプリント技術には、パターンが形成された型を基板に対して凸状に変形させてから、インプリント材と型を接触させる方法が知られている。インプリント装置で用いられる型には、型のパターンが形成された面とは反対側にコアアウトと呼ばれるくぼみが形成されている。特許文献1には、パターンが形成された領域よりも広い領域にコアアウトが形成された型が記載されている。インプリント装置は、型に形成されたコアアウトの空間(キャビティ)を密閉し、空間内の圧力を調整することで型を凸状に変形させることができる。
また、インプリント装置で用いられる型は、インプリント処理を繰り返すことによって型の破損や汚染が発生するため、同じパターンが形成された新しい型と交換する必要がある。マスターモールドを用いてレプリカモールドを作製する事により新しい型を得ることが知られている。図1に示すようにインプリント装置でマスターモールドからレプリカモールドを作製する場合、型としてのマスターモールド3にはコアアウトが形成されておらず、レプリカモールド用の基板5にはコアアウトが形成されている(特許文献2)。
特表2009−536591号公報 特開2013−175671号公報
このように、インプリント装置に搬入される型は、コアアウトが形成されている場合も、コアアウトが形成されていない場合もありうる。同様に、インプリント装置に搬入される基板にコアアウトが形成されている場合も、コアアウトが形成されていない場合もありうる。
例えば、コアアウトが形成されたマスターモールドを用いてレプリカモールドを作製する場合、誤ってコアアウトが形成されていない型がインプリント装置の型保持部に配置されてしまうことがある。この場合インプリント装置は、コアアウトが形成されていない型に対して、キャビティの圧力を調整しようとしても型を変形させることができない。そのためインプリント装置は、コアアウトが形成された型を用いた場合のインプリント動作を行うことができず、基板上にインプリント材のパターンが形成することができない恐れがある。インプリント装置は、型や基板に形成されたコアアウトの有無に応じてインプリント動作を制御する必要がある。
本発明は、型や基板に形成されたコアアウトの有無に応じてパターンが形成することができなくなる可能性を小さくできるインプリント装置を提供することを目的とする。
本発明のインプリント装置は、型を用いて基板上にインプリント材のパターンを形成するインプリント装置であって、前記型を保持する型保持部と、前記基板を保持する基板保持部と、前記型の前記型保持部側における面に形成されるコアアウトの有無に関する情報、および、前記基板の前記基板保持部側における面に形成されるコアアウトの有無に関する情報の少なくとも一方の情報を取得する取得部と、前記取得部によって取得された前記コアアウトの有無に関する情報に応じて、前記基板上に前記インプリント材のパターンを形成するインプリント動作を制御する制御部を備えることを特徴とする。
本発明によれば、型や基板に形成されたコアアウトの有無に応じてパターンが形成することができなくなる可能性を小さくできるインプリント装置を提供することができる。
第1実施形態のインプリント装置を示した図である。 インプリント方法を示したフローチャートである。 第1実施形態におけるインプリント方法を示した図である。 型と基板のコアアウトの有無の組合せを示した図である。 第1実施形態におけるコアアウトの有無の検出方法を示した図である。 第1実施形態におけるコアアウトの有無の検出方法を示した図である。 第1実施形態におけるコアアウトの有無の検出方法を示した図である。 型の形状を変化させる形状補正機構を示した図である。 マルチエリアインプリント用の型を示した図である。 第2実施形態のインプリント装置を示した図である。 物品の製造方法を説明するための図である。
以下、本発明の好ましい実施形態を添付の図面に基づいて詳細に説明する。なお、各図において、同一の部材については同一の参照番号を付し、重複する説明は省略する。
(第1実施形態)
(インプリント装置について)
図1は本発明の第1実施形態におけるインプリント装置1を示した図である。インプリント装置は、基板上に供給されたインプリント材を型と接触させ、インプリント材に硬化用のエネルギーを与えることにより、型の凹凸パターンが転写された硬化物のパターンを形成する装置である。
図1を用いてインプリント装置1について説明する。ここでは、基板5が配置される面をXY面、それに直交する方向(インプリント装置1の高さ方向)をZ方向として、図1に示すように各軸を決める。第1実施形態におけるインプリント装置1は、レプリカモールドを作製する工程に使用されるモールド作製装置である。インプリント装置1は、マスターモールド3を用いて基板5としてのブランクモールド(パターンが形成される前のレプリカモールド)に、パターンを形成(転写)する装置である。ここでは、インプリント技術の中でも光を照射することでインプリント材を硬化させる光硬化法を採用したインプリント装置1について説明する。
インプリント装置1は、照明系ユニット2と、マスターモールド3を保持する型保持部4と、基板5を保持する基板保持部6と、インプリント材14を供給する供給部7と、マスターモールド3を搬送するモールド搬送装置11を備える。さらにインプリント装置1は、基板5を搬送する基板搬送装置12と、インプリント装置1の動作を制御する制御部10を備える。
照明系ユニット2はインプリント処理の際に、マスターモールド3に対してインプリント材14を硬化させる光17(紫外線)を照射する照明手段である。この照明系ユニット2は、光源と、該光源から射出された光をインプリント材に照射するために適切な光に調整するための光学素子から構成される。
マスターモールド3は、型保持部4に保持された状態で基板5に対する対向面に所定のパターンが形成された型である。
型保持部4(インプリントヘッド)は、マスターモールド3を真空吸着や静電吸着により保持する型チャック53を含む。型保持部4は、マスターモールド3を保持した状態で、Z方向に移動させる駆動機構を有する。また、型保持部4には、マスターモールド3や基板5の高さや傾きに応じてマスターモールド3を傾けるため駆動機構や、XY平面内に移動させるための駆動機構を有してもよい。
型保持部4内のマスターモールド3上部には、TTM(Through The Mask)スコープ13を備える。TTMスコープ13は、マスターモールド3に設けられたアライメントマークと、基板5に設けられたアライメントマークを検出するための光学系と撮像系を有するマーク検出部である。TTMスコープ13によるアライメントマークの検出結果から、マスターモールド3と基板5のX方向及びY方向のシフトずれや回転ずれを計測することができる。この計測結果を用いて型と基板の位置合わせを行う。
基板保持部6(ステージ)は、基板5を真空吸着や静電吸着により保持する基板チャック54を含む。基板保持部6は、基板5を保持した状態でXY平面内に移動させる駆動機構を有する保持手段である。基板保持部6は基板5をZ軸まわりの回転駆動させるための駆動機構を備えることが望ましい。基板保持部6はインプリント装置1のステージ定盤15に沿って駆動する。この場合は、基板保持部6がXY平面内に駆動した時のZ方向や傾きの基準は、ステージ定盤15となる。ステージ定盤15は、マウント16上に構成されており、インプリント装置1は、床からの振動の影響を受けにくい構造になっている。また、基板保持部6は、基板5をZ方向に移動させる駆動機構や、XY軸周りに基板5を回転させる回転機構を有していてもよい。
基板保持部6には、マスターモールド3の表面を計測することができるモールド計測センサー9(計測部)が搭載されている。モールド計測センサー9は、マスターモールド3の表面までのZ軸方向の距離(形状)を計測することができる距離計測器である。モールド計測センサー9の計測結果に基づいて、マスターモールド3の表面の高さを求めることができる。基板保持部6がXY平面に沿って移動することによって、モールド計測センサー9はマスターモールド3の表面の各位置(全面)を計測可能である。モールド計測センサー9は基板保持部6に搭載される必要はなく、基板保持部6とは異なる機構に設けられていてもよい。その場合も、モールド計測センサー9がXY平面に沿って移動することでマスターモールド3の表面を計測することができる。
さらにインプリント装置1には、基板5(レプリカモールド)の表面を計測することができる基板計測センサー8(計測部)を備える。基板計測センサー8は、基板5の表面までのZ軸方向の距離(形状)を計測することができる距離計測器である。基板計測センサー8の計測結果に基づいて、基板5の表面の高さを求めることができる。基板保持部6がXY平面に沿って移動することによって、基板計測センサー8は基板5の表面の各位置(全面)を計測可能である。基板計測センサー8がXY平面に沿って移動することによって基板5の表面を計測してもよい。基板計測センサー8やモールド計測センサー9の高さ計測センサーには、干渉計などの光学センサーが用いられる。
供給部7(ディスペンサ)は、基板5上にインプリント材14を供給する供給手段である。インプリント材には、硬化用のエネルギーが与えられることにより硬化する硬化性組成物(未硬化状態の樹脂と呼ぶこともある)が用いられる。硬化用のエネルギーとしては、電磁波、熱等が用いられる。電磁波としては、例えば、その波長が10nm以上1mm以下の範囲から選択される、赤外線、可視光線、紫外線などの光である。
硬化性組成物は、光の照射により、あるいは、加熱により硬化する組成物である。このうち、光により硬化する光硬化性組成物は、重合性化合物と光重合開始剤とを少なくとも含有し、必要に応じて非重合性化合物または溶剤を含有してもよい。非重合性化合物は、増感剤、水素供与体、内添型離型剤、界面活性剤、酸化防止剤、ポリマー成分などの群から選択される少なくとも一種である。
インプリント材は、スピンコーターやスリットコーターにより基板上に膜状に付与される。或いは液体噴射ヘッドにより、液滴状、或いは複数の液滴が繋がってできた島状又は膜状となって基板上に付与されてもよい。インプリント材の粘度(25℃における粘度)は、例えば、1mPa・s以上、100mPa・s以下である。
基板は、ガラス、セラミックス、金属、半導体、樹脂等が用いられ、必要に応じて、その表面に基板とは別の材料からなる部材が形成されていてもよい。基板としては、具体的に、シリコンウエハ、化合物半導体ウエハ、石英ガラスなどである。
モールド搬送装置11は、マスターモールド3を型保持部4に搬入したり、インプリント装置1から搬出したりする搬送手段である。また、基板搬送装置12は、基板5(レプリカモールド)を基板保持部6に搬入したり、インプリント装置1から搬出したりする搬送手段である。
さらに第1実施形態のインプリント装置1は、パターンが形成されたマスターモールド3を基板5に対して凸状に変形させるための型の圧力調整部50と、基板5をマスターモールド3に対して凸状に変形させるための基板の圧力調整部51を備える。
型の圧力調整部50は、マスターモールド3に形成されたコアアウト21の空間内の圧力(キャビティ圧)を計測し、調整することでマスターモールド3を凸状に変形させることができる。同様に、基板の圧力調整部51は、基板5に形成されたコアアウト22の空間内の圧力を計測し、調整することで基板5を凸状に変形させることができる。ここで、コアアウト21及びコアアウト22の空間内の圧力は、気圧であっても良いし、空間を液体で満たすことによる液圧であっても良い。第1実施形態のインプリント装置1は、型の圧力調整部50及び基板の圧力調整部51を備えている場合について説明するが、何れか一方が備わっていてもよい。
さらに第1実施形態のインプリント装置1は、マスターモールド3に形成されたパターン領域の全体を撮像することができる撮像部23を備えている。インプリント装置1は、撮像部23による撮像結果からマスターモールド3と基板5上のインプリント材との接触状態や、パターンへのインプリント材の充填状態を観察することができる。またインプリント装置1は、照明系ユニット2と撮像部23の光路を切替えるためのハーフミラーHMを備えていても良い。
制御部10は、インプリント装置1の各構成ユニットの動作の制御、及び、各種センサー値などの取得を行う。制御部10は、インプリント装置1の各構成ユニットに接続された、不図示のコンピュータやシーケンサなどで構成されており、処理部や記憶部を有する。制御部10は、インプリント装置1内に設けてもよいし、インプリント装置1とは別の場所に設置し遠隔で制御しても良い。
(インプリント方法について)
図1のインプリント装置1を用いて、マスターモールド3に形成されたパターンを基板(ブランクモールド)に転写することによってモールド(レプリカモールド)を作製する、モールド作製方法を説明する。図2は、本発明のモールド作製方法(インプリント方法)を説明するフローチャートである。
S100でインプリント処理が開始されると、モールド搬送装置11によってマスターモールド3をインプリント装置1内に搬入して、型保持部4に配置する。同様に、基板搬送装置12によって基板5をインプリント装置1内に搬入して、基板保持部6に配置する(S101)。モールド搬入と基板搬入の順序は入れ替わってもよいし、並行して処理してもよい。
その後、インプリント装置1は、マスターモールド3と基板5に形成されたくぼみ(コアアウト)の有無や、形状、深さを計測する(S102)。そして、計測の結果、インプリト可能であるか、エラー処理が必要かを判断する(S103)。コアアウトの計測方法や判断方法については後述する。
インプリント可能であると判断された場合は、パターン形成の工程に進む。その後、モールド計測センサー9によって、マスターモールド3の表面の高さや傾きを計測し、同様に、基板計測センサー8によって、基板5の表面の高さや傾きを計測する。2つの計測結果から、マスターモールド3と基板5が平行になるように、型保持部4や基板保持部6を駆動させ傾きを補正することができる(S104)。さらに、インプリント可能であると判断した場合、型の型保持部側に形成されたコアアウトの有無と基板の基板保持部側に形成されたコアアウトの有無との組み合わせに応じてインプリント処理の制御を変更してもよい。一方で、エラー処理が必要と判断された場合は、以降のインプリント処理を停止させるなどのエラー処理を行う(S120)。
図3はインプリント処理によって基板5にインプリント材のパターンを形成する方法を図示したものである。S103でインプリント可能であると判断された場合、基板5のインプリント領域(パターンが形成される領域)に供給部7がインプリント材14を供給する(図3(A)、図2のS105)。基板保持部6によって基板5を供給部7の下でスキャン駆動させながら、インプリント領域にインプリント材14を供給する。なお、図3(A)〜(D)は、簡略化のため基板保持部6や型保持部4を不図示としている。
次に、基板保持部6を駆動することで、インプリント材14が供給された基板5をマスターモールド3の直下に配置する。この状態で、TTMスコープ13がマスターモールド3と基板5に形成されたアライメントマークを検出して、位置ずれを計測する。計測されたマスターモールド3と基板5の位置ずれに基づき、基板保持部6を駆動して位置合わせを行う(図3(B)、図2のS106)。マスターモールド3と基板5の位置合わせは、インプリント位置とは異なる場所に設置されたオフアクシススコープ28を用いて基板に形成されたアライメントマークを検出することによって位置合わせを行ってもよい。
次に、マスターモールド3と基板5を近づけることによって、基板5上に供給されたインプリント材14とマスターモールド3を接触させる(図2のS107)。S107では、図3(C)に示すようにマスターモールド3と基板5を、それぞれ凸状に変形させてマスターモールド3とインプリント材14を接触させる。上述したように、型の圧力調整部50や基板の圧力調整部51を制御してコアアウト21やコアアウト22の圧力を上げてマスターモールド3や基板5を凸状に変形させる。このように型を変形させることで、インプリント材14はマスターモールド3に形成されたパターンの凹部に入り込み、インプリント材14がマスターモールド3によってパターンが成形される。
この後、型の圧力調整部50、基板の圧力調整部51を制御して徐々に圧力を下げ、マスターモールド3とインプリント材14の接触面積を増やしていく。そして、S106のTTMスコープ13によるアライメントマークの検出と位置合わせは、マスターモールド3をインプリント材14に接触させた状態で行ってもよい(図2のS108)。
そして、インプリント材14とマスターモールド3が接触した状態で照明系ユニット2から光17を照射することで、インプリント材14を硬化させる(図3(C)、図2のS109)。
インプリント材14を硬化させた後、マスターモールド3と基板5の間隔を広げることで、マスターモールド3を硬化したインプリント材14から引き離す(離型)。このとき、マスターモールド3と基板5を型の圧力調整部50と基板の圧力調整部51を制御することで凸状に変形させて、マスターモールド3を硬化したインプリント材14から引き離す。この結果、硬化したインプリント材14のパターン20が、基板5(ブランクモールド)上に形成される(図3(D)、図2のS110)。硬化したインプリント材14が基板5上に残りやすくなるように、基板5の表面に密着層を供給してもよい。
最後に基板搬送装置12によってパターンが形成された基板5をインプリント装置1から搬出し、モールド搬送装置11によってマスターモールド3をインプリント装置1から搬出する(図2のS111)。基板5の搬出とマスターモールド3の搬出の順序は入れ替わってもよいし、並行して処理してもよい。そして、一連のインプリント処理が終了する(図2のS112)。また、図2には記載されていないが、S111の処理の後に、新たなレプリカモールドを搬入し、新たな基板5に対してインプリント処理を行うことは、可能である。なお、図3(A)〜(D)では、簡略化のため、マスターモールド3と基板5の関係を図示したが、インプリント装置1のその他の構成は図1の通りである。
(型製造装置について)
インプリント装置で用いられる型は、基板上のインプリント材と接触するため、パーティクルによる型のダメージや、インプリント材の型への付着など、様々な要因により、型が使えなくなる恐れがある。そこで、安価に型を製造する方法として、インプリント装置を使い、高価な原版(マスターモールド)から、安価な型(レプリカモールド)を複製する技術が提案されている。
マスターモールド3および基板5は、パーティクルの付着を防ぐために、ポッドと呼ばれる収納容器に格納されている。ポッドをインプリント装置1に設けられたロードポートに置くことで、ポッド内のマスターモールド3および基板5をインプリント装置1内に搬送する方法が一般的である。
インプリント方法を用いて型を作製する場合、マスターモールド3と同じ大きさの基板5をインプリント装置1に搬入してインプリントすることになる。インプリント装置1(型製造装置)のロードポートがマスターモールド用とレプリカモールド用に分かれている場合、人為的なミスにより、置き間違いが生じる恐れがある。また、インプリント装置1のロードポートがマスターモールド用とブランクモールド用に分かれていない場合は、装置内の搬送装置の操作ミスなどが生じる恐れがある。また、ポッドには、レプリカモールド用の基板はマスターモールド3に対して上下反転させて、インプリント装置1内に搬入する必要があるが、人為的なミスにより、上下向きの入れ間違いが生じる恐れがある。
このように、マスターモールド3や基板5の置き間違い、操作ミス、入れ間違いなどが発生した場合、そのまま、インプリント処理を行う基板5上に所望のパターンが形成されない恐れがある。例えばコアアウトが形成されたマスターモールド3を用いる製造プロセスにおいて、コアアウトが形成されていないマスターモールドとレプリカモールドを装置に入れてしまった場合について説明する。マスターモールド3とインプリント材14を接触させる際に、マスターモールド3を凸状にたわませることができないため、マスターモールド3と基板5の間の空気を徐々に押し出すことができず、気泡が残り充填性が低下する。そのため、気泡が残ることでパターン20に欠陥が発生して生産性を低下させる恐れがある。
そのため、インプリント装置1に搬入された型(例えばマスターモールド)や基板(例えばブランクモールド)のコアアウトの有無が適切な状態であるかをチェックする必要がある。
(コアアウトの制御について)
インプリント装置1内に搬入される型と基板のコアアウトの有無を検出した結果、様々な組み合わせが考えられる。図4にその一例を示す。図4は、第1実施形態の型製造装置に搬入される、マスターモールド3と基板5のそれぞれについて、コアアウトの有無の組み合わせを示したものである。インプリント装置1の制御部10は、コアアウトの有無の組み合わせに応じてインプリント処理の動作を変えることができる。
図4(A)と図4(B)は、基板5にコアアウト22が形成されている場合である。図4(A)に示すようにマスターモールド3にコアアウト21が形成されている場合、インプリント装置1は、マスターモールド3と基板5をたわませて押印することができる。さらに、マスターモールド3と基板5をたわませることができるので、小さな力で離型することができる。そのため、インプリント装置1は、押印時と離型時にマスターモールド3のコアアウト21と基板5のコアアウト22に対して圧力の制御をする必要がある。
図4(B)に示すようにマスターモールド3にコアアウト21が形成されていない場合、インプリント装置1は、基板5をたわませて押印することができる。さらに、基板5をたわませることができるので比較的小さな力で離型することが可能である。しかし、マスターモールド3にコアアウト21が形成されていない場合は、コアアウトが形成されている場合に比べて、離型する時間を長くしたりするなど、インプリント処理を制御することが望ましい。また、コアアウト22が形成されている基板5がたわみ過ぎないように、圧力の制御をする必要がある。
図4(C)と図4(D)は、基板5にコアアウト22が形成されていない場合である。図4(C)に示すようにマスターモールド3にコアアウト21が形成されている場合、インプリント装置1は、マスターモールド3をたわませて押印することができる。さらに、マスターモールド3をたわませることができるので比較的小さな力で離型することが可能である。基板5にコアアウト22が形成されていない場合は、コアアウトが形成されている場合に比べて、離型する時間を長くしたりするなど、インプリント処理を制御することが望ましい。また、コアアウト21が形成されているマスターモールド3がたわみ過ぎないように、圧力の制御をする必要がある。
図4(D)に示すようにマスターモールド3と基板5の両方に、コアアウトが形成されていない場合、インプリント装置1はマスターモールド3と基板5のどちらもたわませて押印することができず、離型時に大きな力が必要である。また、押印時にはマスターモールド3のパターンにインプリント材が充填するのに時間を要する。マスターモールド3と基板5の両方に、コアアウトが形成されていないため、インプリント装置1はキャビティ圧を制御する必要はない。そのため、マスターモールド3と基板5を互いに傾けた状態でマスターモールド3とインプリント材を接触させたり、離型したりしてもよい。また、図4(D)の場合には、インプリント処理を中止して、マスターモールド3や基板をインプリント装置から搬出する制御を行ってもよい。
なお、図4(a)〜図4(c)の場合においても、マスターモールド3と基板5を互いに傾けることによって押印したり離型したりすることができる。
(コアアウトの有無の検出について)
そこでインプリント装置1は、インプリント処理を行う前に、マスターモールド3および基板5の互いに対向する面の裏面にコアアウトが形成されているかを検出する。コアアウトの有無の検出には、コアアウト検出手段(取得部)を用いる。コアアウト検出手段には、マスターモールド3の表面を計測するモールド計測センサー9(型検出手段)と、基板5の表面を計測する基板計測センサー8(基板検出手段)を含む。さらに、コアアウト検出手段には、モールド搬送装置11や基板搬送装置12に設けられたセンサーやスコープなどの計測器を含む。また、コアアウトの有無の情報は、マスターモールド毎、基板毎、インプリントプロセス毎、インプリント装置毎に管理される装置パラメータの情報であっても良い。
以下に、コアアウト検出手段を用いた、マスターモールド3および基板5のコアアウトの有無の検出方法について説明する。
(コアアウトの検出方法1)
コアアウトの有無を検出する方法として、マスターモールド3や基板5にコアアウトが形成されている場合のコアアウトの位置と大きさの設計値を、予めインプリント装置1(制御部10)に入力しておく方法がある。検出方法1は、予めインプリント装置1に入力された設計値と、製造誤差を含めたマージンに基づいて、コアアウト内部のマスターモールド3の基板側の表面をモールド計測センサー9で計測する。このとき、型の圧力調整部50により、キャビティ圧を高圧と低圧に調整し、それぞれの場合においてモールド計測センサー9の計測結果を比較する。
図5(A)は、マスターモールド3の表面を、モールド計測センサー9で計測している例を示した図である。予め入力されたコアアウトの位置と大きさの設計値の情報から、コアアウトの内側と思われる場所に、モールド計測センサー9を移動させ、モールド計測センサー9からマスターモールド3の表面までの距離を計測する。マスターモールド3のコアアウト21の圧力調整による距離の差は通常数十μm程度である。モールド計測センサー9は、数nm〜数十nm程度の計測精度をもっているため、コアアウトの有無を確認するのに十分な精度を持っている。図5(A)の左図はキャビティ圧を低圧に調整した場合を示しており、図5(A)の右図はキャビティ圧を高圧に調整した場合を示している。マスターモールド3にコアアウトが形成されていると、圧力を調整した場合に、モールド計測センサー9の計測結果に差が生じるのに対し、コアアウトが形成されていないと、モールド計測センサー9の計測結果に差は生じない。
ここでは、コアアウトの有無を検出する方法について説明したが、上記の圧力調整によってマスターモールド3の表面の形状が可変であるか不変であるかを検出してもよい。例えば、コアアウトに限らず、マスターモールド3のパターンが形成されている領域が厚いか薄いかを検出することができる。マスターモールド3のパターンが形成されている領域のモールドの厚さが薄く、圧力調整によってマスターモールド3の表面の形状が可変であると検出されれば、押印時や離型時にマスターモールド3の表面の形状を凸形状に変形させることができる。
図5(A)は、模式図であるためマスターモールド3に形成されたパターンを強調しているが、通常、パターンの凹部は数十nmから数百nm程度であり、パターン面の高さは数十μmを有する。そのため、マスターモールド3のパターンによって、モールド計測センサー9によるコアアウトの有無の検出結果が誤りとならないように、閾値を設けることは容易である。すなわち、型の圧力調整部50によりキャビティ圧を変化させながら、マスターモールドの表面を計測した結果の差が、数μmあるいは、数十μmと、パターンの凹部に対して10倍以上に設ければ十分である。
また、キャビティ圧とマスターモールド3の表面に対するモールド計測センサー9の計測値の傾向から、コアアウト21の掘り込みの深さを確認することも可能である。さらに、型の圧力調整部50によりキャビティ圧の大きさを複数設定しつつ、それぞれのキャビティ圧においてモールド計測センサー9で距離を計測することで、キャビティ圧に対するマスターモールド3の凸状の変形量の関係を求めることができる。このように複数のキャビティ圧でマスターモールド3の距離を複数計測することで、より信頼性を向上させることが可能となる。
同様に、基板計測センサー8と基板の圧力調整部51を用いて、基板5に形成されたコアアウトの有無を検出することができる。
図5(B)は、基板5の型側の表面を、基板計測センサー8で計測している例を示した図である。予め入力されたコアアウトの位置と大きさの設計値の情報から、コアアウトの内部と思われる場所に、基板計測センサー8を移動させ、基板計測センサー8から基板5までの距離を計測する。基板5のコアアウト22の圧力調整による距離の差は通常数十μm程度である。基板計測センサー8は、数nm〜数十nm程度の計測精度をもっているため、コアアウトの有無を確認するのに十分な精度を持っている。図5(B)の左図はキャビティ圧を低圧に調整した場合を示しており、図5(B)の右図はキャビティ圧を高圧に調整した場合を示している。基板5にコアアウトが形成されていると、圧力を調整した場合に、基板計測センサー8の計測結果に差が生じるのに対し、コアアウトが形成されていないと、基板計測センサー8の計測結果に差は生じない。このように、基板5のコアアウトの有無を検出する方法も、図5(A)のマスターモールド3と同様、設計値によって、コアアウトが形成されているマスターモールド3の表面を、基板保持部6を駆動することで計測している。
図9では、基板5としてのレプリカモールドが、複数のショット領域が形成される場合(マルチエリアインプリント)と、単一のショット領域が形成される場合(シングルエリアインプリント)を示している。この場合、基板5のコアアウトの形状(大きさ)が異なるため、同じキャビティ圧を与えたとしても、基板5の表面のたわみ方が異なる。図9では、基板5に同じキャビティ圧を与えた場合、コアアウトの大きさが小さい方がコアアウトの大きさが大きい場合と比較して、たわみ量が大きいことを示している。そのため、キャビティ圧を高圧と低圧に調整し、基板計測センサー8で基板5の表面を計測することによって、基板5のコアアウトの形状を計測することができる。
(コアアウトの検出方法2)
マスターモールド3や基板5までの距離を計測する検出器が、コアアウトが形成されている側に配置されている場合の、コアアウトの有無の検出方法について説明する。
図5(C)は、マスターモールド3のコアアウト21が形成されている面に対し、XY方向に駆動可能に配置されたモールド計測センサー29を用いて、マスターモールド3のコアアウトの有無を検出する方法を表している。モールド計測センサー29は、マスターモールド3の表面までの距離を計測することができるセンサーである。モールド計測センサー29をXY面に沿って駆動しつつ、少なくとも2カ所以上計測することによって、その距離差からコアアウトの有無を検出することが可能である。また、モールド計測センサー29を細かく駆動しつつ、マスターモールド3のパターンが形成された面と反対側の表面を計測することで、駆動位置と計測値の関係から、マスターモールド3の大きさ、形状を求めることも可能である。また、モールド計測センサー29をコアアウトが計測できる位置に配置し、コアアウトが有る場合と無い場合の基準高さ(距離)を記憶していれば、マスターモールド3の表面を1か所計測することによりコアアウトの有無を検出することができる。
図5(D)は、基板5のコアアウト22が形成されている面に対し、XY方向に駆動可能に配置された基板計測センサー30を用いて、基板5のコアアウトの有無を検出する方法を表している。基板計測センサー30は、基板5の表面までの距離を計測することができるセンサーである。基板計測センサー30は、図5(C)で説明したモールド計測センサー29と同様の方法で基板5に形成されたコアアウト22の有無を検出することができる。また、図5(C)、図5(D)に記載された計測方法を利用することで、コアアウト内外の高さ差からコアアウトの掘り込みの深さを計測することが出来る。また、モールド計測センサー29をモールド搬送装置11、基板計測センサー30を基板搬送装置12内でも配置しても良い。
以上述べたコアアウトの検出方法1および検出方法2では、コアアウトの位置と形状(大きさや掘り込みの深さ)などの情報を、予めインプリント装置1に情報として入力しておくのが望ましい。何れの方法も、モールド計測センサーと基板計測センサーによる計測点を最小限に限定することで、コアアウトの有無の検出に要する時間を最小限に抑えられ、単位時間の型の製造能力、いわゆるスループットの低下を抑えることができる。
一方で、コアアウトの位置と形状などの情報を、予め装置に入力しておかなくても、型の圧力調整部50や基板の圧力調整部51を調整しながら、マスターモールド3や基板5の全面を計測してもよい。例えば、基板保持部6を等速で駆動中に基板計測センサー8の計測値を取り出すスキャン計測と、基板5の全面をある間隔でステップアンドリピートしながら計測するステップ計測とが考えられる。いずれの場合も、コアアウトの有無の検出において、コアアウトの大きさより十分小さい間隔で計測すれば十分である。この検出方法では、コアアウトの位置と形状などの情報があらかじめ不要であるという利点の他、それらの情報が間違って入力されてしまった場合でも、コアアウトの有無を正確に確認できるという利点がある。計測範囲や計測間隔は、通常考えられるコアアウトの位置や形状や大きさで決定してもよい。例えば、円形状のコアアウトの中心位置が分かっていれば、中心位置付近で円を描くように数点計測するように計測位置を決めてもよい。
(コアアウトの検出方法3)
コアアウトの有無の検出方法に、撮像部23でマスターモールド3に形成されたパターン領域よりも広範囲を撮像し、撮像画像からコアアウトの有無を検出する方法がある。撮像部23がコアアウト有無に関する情報を取得する取得部として機能する。図6(A)は、マスターモールド3のコアアウト21の有無を検出するための画像を示している。図6(A)は、撮像部23の視野24内を示した画像であり、マスターモールド3のコアアウト21とパターンが形成されているメサ部25が撮像されていることが分かり、この例ではマスターモールド3にコアアウトが形成されていると判断できる。
図6(B)の例では、基板保持部6を数nm〜数十mm程度駆動させ、マスターモールド3と基板5が、撮像部23の視野24内の画像で重ならないようにしている。図6(B)に示す画像には、マスターモールド3のコアアウト21とメサ部25、基板5のコアアウト22とパターンが形成される領域のメサ部26が撮像されていることが分かる。このように図6(B)は、撮像部23による1つの撮像結果でマスターモールド3と基板5のそれぞれに形成されたコアアウトの有無を検出することができる例を示している。検出方法3でも、撮像画像のコアアウトの形状から、マスターモールド3や基板5が、図9に示すような、マルチエリアインプリントかシングルインプリントかを検出することが可能である。
このように、マスターモールド3に形成されたパターン領域の全体を撮像することができる撮像部23を用いることによって、コアアウトの有無やコアアウトの形状を検出することができる。
(コアアウトの検出方法4)
コアアウトの有無の検出方法に、TTMスコープ13を使用する方法がある。図7(A)〜(C)は、TTMスコープ13を使用してコアアウトの有無を検出する方法の例を示している。TTMスコープ13がコアアウト有無に関する情報を取得する取得部として機能する。図7(A)と図7(B)の例は、マスターモールド3のキャビティ圧を高圧と低圧に調整し、コアアウト21に形成されたマーク27を計測した際のフォーカス差を比較する方法である。図7では2つのマークが形成されている場合について示しているが、コアアウトの有無の検出には、少なくとも一つのマーク27が形成されていればよい。キャビティ圧を低圧にした時のTTMスコープ13のフォーカス位置と、キャビティ圧を高圧にしたときのTTMスコープ13のフォーカス位置とに差が発生する場合は、マスターモールド3にコアアウトが形成されていると判断される。
また、図7(A)と図7(C)に示すようにコアアウトの有無で明らかにフォーカス差があるため、マーク27に対してフォーカス計測を行い、TTMスコープ13のフォーカス位置に応じて、コアアウトの有無を判断しても良い。
また、マスターモールド3の製造時にコアアウトが形成されている場合に、マーク27を形成しても良い。図7(A)のようにマスターモールド3のマーク27が有るかどうかを計測することで、コアアウトの有無を検出することができる。マーク27の検出結果を、型製造装置やリモートホストで管理されたデータと合わせて、コアアウトの有無や、形状、大きさ、掘り込みの深さなどを判断しても良い。反対に、マスターモールド3の製造時にコアアウトが形成されていない場合に、マーク27を形成しても良い。また、マーク27は、マスターモールド3のパターンが形成されている面に配置しても良い。
マーク27が有るか無いかを検出する場合は、マーク27はマスターモールド3のコアアウトの内側でも外側でも、どちらに配置しても良い。例えば、コアアウトが形成されている場合はマスターモールド3の表側にマーク27を配置し、コアアウトが形成されていない場合はマスターモールド3の裏側にマーク27を配置する。マーク27を検出した時のTTMスコープ13のフォーカス位置から、コアアウトの有無を判断しても良い。
これらのコアアウトの検出方法4は、基板5に対しても同様にコアアウトの検出方法を行うことが出来る。基板5に対してコアアウトの検出を行う場合、基板5に形成されるマークをオフアクシススコープ28で検出しても良い。検出方法4でも、マークの検出結果から、マスターモールド3や基板5が、図9に示すような、マルチエリアインプリントかシングルインプリントかを検出することが可能である。
(コアアウトの検出方法5)
コアアウトの有無の検出方法に、バーコードリーダを用いる方法がある。例えば、インプリント装置1にバーコードリーダが配置されており、インプリント装置に搬入されたマスターモールド3や基板5に設けられたバーコードを読み取る。ここでは、基板に配置されたバーコードを読み取るバーコードリーダが基板検出手段(取得部)として機能し、型に配置されたバーコードを読み取るバーコードリーダが型検出手段(取得部)として機能する。インプリント装置は、バーコードを読み取った結果を用いてインプリント装置内に保存されたデータやリモートホストで管理されたデータから、型や基板の形状が分かる。そのため、インプリント装置に搬入されたマスターモールド3や基板5に設けられたバーコードを読み取ることでコアアウトの有無の検出することができる。
また、バーコードリーダはモールド搬送装置11、基板搬送装置12に配置して良い。バーコード情報から、コアアウトの形状、大きさ、掘り込みの深さ、マルチエリアインプリントかどうかを判断することもできる。
また、バーコードの読み取りが出来なかった場合、バーコードの位置が間違っている可能性がある。そのため、コアアウトの有無、形状、大きさ、掘り込みの深さ、マルチエリアインプリントかどうかを上述のコアアウトの検出方法1〜4で説明した一つ以上の方法を兼ね合わせて、判断しても良い。また、バーコードの読み取りが出来なかった時点で、コアアウトの有無、形状、大きさ、掘り込みの深さ、マルチエリアインプリントかどうかが判定できなかったとしても良い。判定ができなかった場合は、インプリント処理を停止したり、マスターモールド3や基板5をエラーと判断してインプリント装置1から搬出するなどしたりすることができる。
(コアアウトの検出方法6)
コアアウトの有無の検出方法に、マスターモールド毎、基板毎、インプリントプロセス毎、インプリント装置毎、型製造装置毎に管理される装置パラメータの情報を用いる方法がある。例えば、マスターモールドをインプリント装置に搬入する際に、マスターモールドと、マスターモールド毎に管理される装置パラメータやリモートホストで管理される情報とを関連付けし、関連付けされた情報からコアアウトの有無の情報を導出する。しかし、この方法では、マスターモールドと型を入れ間違いするなど、意図しないマスターモールドが搬入されてしまった場合に、正しい判断を行うことは出来ない。そのため、上述のコアアウトの検出方法1〜5で説明した一つ以上の方法と本検出方法で判断する方法とを兼ね合わせて、ダブルチェックやトリプルチェックを行うことができる。
以上述べたようなコアアウトの有無の検出方法による検出結果に基づき、インプリント処理を行う前に、インプリント装置や型製造装置、搬送装置の処理の切替えを行う。コアアウトの有無を検出した結果、例えば、マスターモールド3と基板5のどちらにもコアアウトが形成されていない場合には、図2のS103でインプリント処理ができないと判断し、S120でエラー処理を行う。エラー処理としては、インプリント処理を停止したり、適切でないマスターモールド3や基板5をインプリント装置1から搬出したりする方法がある。製造プロセスによっては、インプリント材のパターンへの充填性が低下しても問題にならない場合があり、その場合はインプリント処理を停止させなくても良い。また、コアアウトの有無、大きさ、形状を検出し、検出結果が装置パラメータで管理している情報と、不一致であれば、インプリント処理を行わずに、インプリント処理を停止させるものである。
またインプリント装置1は、コアアウトの有無を検出した検出結果を表示させたり、インプリント処理ができない旨のエラーを表示させたりしてもよい。そのための表示装置をインプリント装置1に備えていてもよいし、インプリント装置1とは異なる場所で検出結果を表示させてもよい。表示装置に表示された検出結果やエラー表示によってオペレータは、インプリント装置1に搬入されたマスターモールド3や基板5(ブランクモールド・レプリカモールド)のそれぞれの状態を確認することができる。その結果、インプリント装置1に誤って搬入されてしまった型や基板を搬出(回収)し、正しい状態(表裏)にしたり、別のものをインプリント装置1に正しい状態で搬入したりすることで、インプリント処理を再開することができる。
このように、インプリント装置1に所望のマスターモールド3や基板5が搬入されない場合には、インプリント処理を停止することで、パターン欠陥などの発生を低減することができる。また、誤ったパターンを基板上に形成してしまうリスクを低減することができる。また、コアアウトの有無が判定できなかった場合は、その後のインプリント処理を停止したり、型や基板をインプリント装置から搬出したりすることで、誤ったパターンを基板上に形成してしまうリスクを低減することができる。
(第2実施形態)
第1実施形態では、マスターモールド3と基板5のコアアウトの有無を検出して、所望のコアアウトが形成されていない場合に、インプリント処理を停止する形態について説明した。第2実施形態では、インプリント処理の制御の一例として、コアアウトの有無の検出結果に応じて、インプリント処理時のキャビティ圧を制御する。
例えば、型の圧力調整部50によるキャビティ圧の調整を、マスターモールド3にコアアウトが形成されていない場合は行わず、コアアウトが形成されている場合は行うようにインプリント処理を制御する。具体的に、型の圧力調整部50は、コアアウトが形成されているマスターモールド3に対しては、インプリント動作時にキャビティ圧を高くするなどの制御を行なう。また、コアアウトが形成されていないマスターモールド3に対しては、インプリント動作時にキャビティ圧の制御を行わないようにしたり、キャビティ圧を低くしたりするなどの制御を行なう。
また、離型時に、マスターモールド3と基板5のたわみ方が対称になることで、パターン倒れが軽減されることが分かっている。そのため、マスターモールド3と基板5に形成されたコアアウトの掘り込みの深さに応じて、キャビティ圧を制御する。コアアウトの形状や掘り込み部の深さによって、マスターモールド3や基板5のたわみ方が異なる。例えば、コアアウト部の掘り込みが浅い場合は、深い場合と比較してマスターモールド3や基板5の表面がたわみにくい。そこで、マスターモールド3や基板5に形成されたコアアウトの掘り込みの深さに応じて、キャビティ圧の高低を制御しても良い。インプリント装置1は、離型時にマスターモールド3と基板5のたわみ方が対称になるように、型の圧力調整部50と基板の圧力調整部51を制御する。
また、コアアウトの形状の検出結果から、基板5が図9に示すようなマルチエリアインプリントの場合、シングルエリアインプリントの基板に比べてたわみにくい。そのため、コアアウトの広さの検出結果に応じて、インプリント装置1はキャビティ圧の高低を制御することができる。
このように、マスターモールドや基板のコアアウトの有無や形状に応じてキャビティ圧を制御することができ、押印時や離型時にマスターモールドや基板を所望の形状にたわませることができる。
(第3実施形態)
第3実施形態では、インプリント処理の制御の一例として、コアアウトの有無の検出結果に応じて、インプリント処理時の充填時間を制御する。
例えば、マスターモールド3にコアアウトが形成されていない場合、表面形状を変化させにくい。そのため、マスターモールド3に形成されたパターンの凹凸形状によっては、パターンの凹部にインプリント材が充填する時間が長くなる場合がある。そのため、マスターモールド3に、コアアウトが形成されている場合はインプリント時の充填時間を短くし、コアアウトが形成されていない場合はインプリント時の充填時間を長くするように制御する。
また、コアアウトの形状の検出結果から、図9に示すようにマルチエリアインプリントの場合、パターン部の面積が広いため、マスターモールド3とインプリント材の接触後に充填時間を長くするように制御することができる。
このように、マスターモールドや基板のコアアウトの有無や形状に応じて充填時間を制御することができ、パターンの凹部にインプリント材が充填しないことによる欠陥を低減することができる。
(第4実施形態)
第4実施形態では、インプリント処理の制御の一例として、コアアウトの有無の検出に応じて、押印時と離型時の型保持部4の制御方法を変える。
例えば、マスターモールド3にコアアウトが形成されている場合、マスターモールドをたわませてインプリント材に接触させても、キャビティ圧の影響により、マスターモールドがたわんだ状態のままになることがある。そのため、マスターモールド3にコアアウトが形成されていない場合と比較し、インプリント材と接触後にマスターモールドをさらに押し付ける方向へ駆動するように型保持部4の目標位置を与える必要がある。このように、コアアウトの有無に応じて、押印時の型保持部4の制御方法を変える。
また、マスターモールド3にコアアウトが形成されている場合、キャビティ圧の制御でマスターモールド3の表面形状をたわませて、硬化したインプリント材から引き離すことができる。マスターモールド3をたわませて離型することで、離型力を低減させることができる。
しかし、コアアウトが形成されていない場合、離型時にマスターモールド3の表面形状をたわませることが出来ない。そのため、離型力が大きくなり、インプリント材のパターンが倒れてしまうなどの欠陥が生じる恐れがある。このような離型時の欠陥の発生を低減するためには、マスターモールド3が硬化したインプリント材から引きはがす時間を、遅くするように型保持部4の駆動を制御しなければならない。
また、コアアウトの大きさや形状によっては、キャビティ圧を加圧しても、たわみにくかったり、表面が傾いたりする可能性がある。そのため、コアアウトの大きさ、形状に応じて、型保持部4の駆動の制御方法を変えて、マスターモールド3の高さや傾きを変えても良い。
この例では、マスターモールド3のコアアウトの有無について述べているが、基板5に対しても同様に考えてよいし、マスターモールド3と基板5のコアアウト有無、大きさ、形状に応じて、型保持部4の制御方法を変えても良い。
(第5実施形態)
第5実施形態では、インプリント処理の制御の一例として、コアアウトの有無、形状、大きさの検出結果に応じて、離型時の型チャック53と基板チャック54の吸着圧を制御する。
例えば、マスターモールド3にコアアウトが形成されていない場合、離型時にマスターモールド3の表面形状をたわませることができず、離型力が大きくなる。そのため、吸着圧が弱いと、マスターモールド3を硬化したインプリント材から引き離す途中、型チャック53からマスターモールド3がはがれて(デチャック)しまう恐れがある。ここで吸着圧が弱いとは、チャック(型チャック53や基板チャック54)が型や基板を保持する力が弱い状態を示している。
同様に基板5にコアアウトが形成されていない場合、離型時に基板5の表面形状をたわませることができず、離型力が大きくなる。そのため、吸着圧が弱いと、離型時に基板チャック54から基板5がはがれてしまう恐れがある。
そのため、コアアウトが形成されていない場合は、吸着圧を強くする必要がある。また、コアアウトの形状や大きさでも離型力が異なる。そのため、コアアウト有無、形状、大きさの検出結果に応じて、型チャック53や基板チャック54の吸着圧を制御しても良い。
(第6実施形態)
第6実施形態では、インプリント処理の制御の一例として、コアアウトの有無、形状、大きさの検出結果に応じて、形状補正機構52を制御する。形状補正機構52は、複数個所で、マスターモールド3に対して側面から力を加えることによりパターン部の基板面に沿った方向の形状を変化させる機構である。形状補正機構52は、マスターモールドのパターン部の倍率、ローテーション、ひし形、台形、といった形状の補正や、さらなる高次の形状補正を行うことができる。図8は、形状補正機構52の一例を示した図である。この例では、マスターモールド3の側面に16か所の押し引きする機構を設けているが、これより少ない数でも良いし、多くても良い。
この形状補正機構52によるパターン部の変形は、コアアウトの有無、形状、大きさにより、マスターモールド3に力を加えた際の、変形しやすさが異なる。
例えば、形状補正機構52でマスターモールド3に力を加えた際に、コアアウトが形成されている場合は空洞部が有ることから型が変形しやすいが、コアアウトが形成されていない場合は空洞部が無いことから型が変形しにくい。同様に、コアアウトの広さや深さによっても、型の変形のしやすさが異なる。また、図8に示すように、コアアウトの形状が円形の場合、形状補正機構52によって同一の力で型中心部を押す場合と端部を押す場合では、中心部の方が変形しやすい。しかし、コアアウト形状が長方形の場合では、形状補正機構52によって同一の力で型中心部を押す場合と端部を押す場合では、型の端部の方が変形しにくいが、変形のしやすさの差は、コアアウトの形状が円形の場合に比べて小さい。そのため、本実施形態のインプリント装置は、コアアウトの有無、形状、大きさに応じて、形状補正機構52がマスターモールド3に加える力を大きくするなど、制御することができる。形状補正機構52がマスターモールド3の側面に力を加えるタイミングは、押印前、押印中、離型中のいずれのタイミングでも良い。
(第7実施形態)
第7実施形態では、インプリント処理の制御の一例として、コアアウトの有無の検出結果に応じて、押印中のアライメント時に、TTMスコープ13が検出するアライメントマークを変える。例えば、マスターモールド3にコアアウトが形成されていない場合、アライメントマークが形成されている場所によっては、マスターモールド3と基板5の間の空気を押し出すまでに時間が要する場合がある。アライメント時に、マスターモールド3と基板5の間に空気が入った状態だと、TTMスコープ13がアライメントマークを検出する場合、アライメントマークがデフォーカスしたり、計測光が散乱、屈折したりする恐れがある。アライメントマークの検出にエラーが生じると、TTMスコープはアライメントマークを正確に検出できず、正しい計測値を得られない恐れがある。そのため、マスターモールドにコアアウトが形成されていない場合は、マスターモールド3と基板5の間に空気が入りにくい場所に形成されたアライメントマークを選択するように変える。このように、コアアウトの有無の検出結果に応じて、検出されるアライメントマークを変えることで、マスターモールド3と基板5の位置合わせの時間を短くすることができる。
(第8実施形態)
第8実施形態では、インプリント処理の制御の一例として、基板5のコアアウトの形状の検出結果に応じて、インプリント処理の動作を制御する。例えば、図9に示すように基板5がマルチエリアインプリントの場合、基板5の複数ショット領域の全てに対してインプリント処理を実施するが、シングルエリアインプリントの場合、1ショットのみインプリント処理するなど、インプリント動作を制御する。マルチエリアインプリントの場合、マスターモールド3に1ショット領域のパターンしか形成されていない場合は、1ショット毎にインプリント処理を行う。また、マスターモールド3に複数ショット領域のパターンが形成されている場合は、1回のインプリント処理で複数ショット領域分のインプリントを行うことが可能である。また、装置パラメータや、リモートホストの情報でショットレイアウトを管理している場合、シングルエリアか、マルチエリアかの判定結果が、管理された情報と不一致であれば、インプリント処理を行わずに、装置を停止させても良い。このように、コアアウトの形状の検出結果に応じて、インプリント処理の動作を制御することで、基板の形状に応じたパターンを形成することができる。
上述の何れの実施形態も、基板5のパターンが形成される領域は、その周囲に対して凸状であるメサ部を有しており、マスターモールド3にはメサ部がない場合を示した。通常、基板としてのレプリカモールドにはメサ部を有しているため、マスターモールド3には、メサ部を有していても、有していなくてもよい。
(デバイス製造装置について)
上述の何れの実施形態も、マスターモールドから型を複製する型製造装置の実施形態について説明しているが、本発明は型製造装置に限られない。図10は、半導体デバイス製造装置としてのインプリント装置1を示した図である。図1の型を複製する型製造装置としてのインプリント装置と比較して異なる点を説明する。
図10のインプリント装置1は、レプリカモールドである基板5の代わりに、シリコンウエハである基板19の上にインプリント材のパターンを形成する装置である。また、図10のインプリント装置1は、マスターモールド3の代わりに、レプリカモールドを含む型18を用いてパターンを形成する。型18は、図1の型製造装置によって、マスターモールド3が複製されたレプリカモールドを使用する。基本的なインプリント処理は、第1実施形態で説明した通りである。これを、基板19の全面に行うことで、半導体デバイス製造に必要な回路パターンを形成することができる。
通常、基板19にはコアアウトは形成されていないが、型18にはコアアウトが形成されている。そのため、図10のインプリント装置1には型の圧力調整部50が備わっており、型18を基板19に対してたわませて、インプリント処理を行うことができる。図10のインプリント装置1は、上述のコアアウトの有無の検出方法により型18のコアアウトの有無を検出することができる。そして、図10のインプリント装置は、コアアウトの有無の検出結果に応じて、インプリント動作を制御することができる。このように、型18のコアアウトの検出結果に応じて、インプリント動作を制御することで、インプリント装置に搬入される型18に応じて適切なインプリント処理を実行することができる。
(物品の製造方法)
インプリント装置を用いて形成した硬化物のパターンは、各種物品の少なくとも一部に恒久的に、或いは各種物品を製造する際に一時的に、用いられる。物品とは、電気回路素子、光学素子、MEMS、記録素子、センサー、或いは、型等である。電気回路素子としては、DRAM、SRAM、フラッシュメモリ、MRAMのような、揮発性或いは不揮発性の半導体メモリや、LSI、CCD、イメージセンサ、FPGAのような半導体素子等が挙げられる。型としては、インプリント用のモールド等が挙げられる。
硬化物のパターンは、上記物品の少なくとも一部の構成部材として、そのまま用いられるか、或いは、レジストマスクとして一時的に用いられる。基板の加工工程においてエッチング又はイオン注入等が行われた後、レジストマスクは除去される。
次に、物品の具体的な製造方法について説明する。図11(a)に示すように、絶縁体等の被加工材2zが表面に形成されたシリコンウエハ等の基板1zを用意し、続いて、インクジェット法等により、被加工材2zの表面にインプリント材3zを付与する。ここでは、複数の液滴状になったインプリント材3zが基板上に付与された様子を示している。
図11(b)に示すように、インプリント用の型4zを、その凹凸パターンが形成された側を基板上のインプリント材3zに向け、対向させる。図11(c)に示すように、インプリント材3zが付与された基板1と型4zとを接触させ、圧力を加える。インプリント材3zは型4zと被加工材2zとの隙間に充填される。この状態で硬化用のエネルギーとして光を型4zを透して照射すると、インプリント材3zは硬化する。
図11(d)に示すように、インプリント材3zを硬化させた後、型4zと基板1zを引き離すと、基板1z上にインプリント材3zの硬化物のパターンが形成される。この硬化物のパターンは、型の凹部が硬化物の凸部に、型の凹部が硬化物の凸部に対応した形状になっており、即ち、インプリント材3zに型4zの凹凸パターンが転写されたことになる。
図11(e)に示すように、硬化物のパターンを耐エッチングマスクとしてエッチングを行うと、被加工材2zの表面のうち、硬化物が無いか或いは薄く残存した部分が除去され、溝5zとなる。なお、当該エッチングとは異種のエッチングにより当該残存した部分を予め除去しておくのも好ましい。図11(f)に示すように、硬化物のパターンを除去すると、被加工材2zの表面に溝5zが形成された物品を得ることができる。ここでは硬化物のパターンを除去したが、加工後も除去せずに、例えば、半導体素子等に含まれる層間絶縁用の膜、つまり、物品の構成部材として利用してもよい。
1 インプリント装置
3 マスターモールド
4 型保持部
5 基板
6 基板保持部
8、30 基板計測センサー
9、29 モールド計測センサー
21、22 コアアウト
50、51 圧力調整部
52 形状補正機構

Claims (20)

  1. 型を用いて基板上にインプリント材のパターンを形成するインプリント装置であって、
    前記型を保持する型保持部と、
    前記基板を保持する基板保持部と、
    前記型の型保持部側における面に形成されるコアアウトの有無に関する情報、および、前記基板の基板保持部側における面に形成されるコアアウトの有無に関する情報の少なくとも一方の情報を取得する取得部と、
    前記取得部によって取得された前記コアアウトの有無に関する情報に応じて、前記基板上に前記インプリント材のパターンを形成するインプリント動作を制御する制御部を備えることを特徴とするインプリント装置。
  2. 前記型の前記型保持部側における面のコアアウト内に圧力を加える型の圧力調整部を備え、
    前記制御部は、前記型の型保持部側における面のコアアウトの有無に関する情報に応じて、前記型の圧力調整部の制御を変えることにより前記インプリント動作を制御することを特徴とする請求項1に記載のインプリント装置。
  3. 前記基板の基板保持部側における面のコアアウト内に圧力を加える基板の圧力調整部を備え、
    前記制御部は、前記基板の基板保持部側における面のコアアウトの有無に関する情報に応じて、前記基板の圧力調整部の制御を変えることにより前記インプリント動作を制御することを特徴とする請求項1または2に記載のインプリント装置。
  4. 前記制御部は、前記型の型保持部側における面のコアアウトの有無に関する情報、および、前記基板の基板保持部側におけるコアアウトの有無に関する情報の少なくとも一方の情報に応じて、前記インプリント動作を停止することを特徴とする請求項1乃至3のいずれか一項に記載のインプリント装置。
  5. 前記制御部は、前記型の型保持部側における面のコアアウトの有無に関する情報、および、前記基板の基板保持部側におけるコアアウトの有無に関する情報の少なくとも一方の情報に応じて、前記型と前記基板上のインプリント材を接触させてから前記インプリント材を硬化させるまでの時間を変えることにより前記インプリント動作を制御することを特徴とする請求項1乃至4のいずれか一項に記載のインプリント装置。
  6. 前記型の前記型保持部側における面に圧力を加える型の圧力調整部と、
    前記型の前記基板側における面までの距離を計測する計測部と、を備え、
    前記計測部は、
    前記型の圧力調整部によって前記型の型保持部側における面が第1の圧力のとき、前記型の前記基板側における面までの第1の距離を計測し、
    前記第1の圧力と異なる第2の圧力のとき、前記型の前記基板側における面までの第2距離を計測し、
    前記第1の距離および前記第2の距離に基づき、前記型の型保持部側における面のコアアウトの有無に関する情報を取得することを特徴とする請求項1に記載のインプリント装置。
  7. 前記基板の前記基板保持部側における面に圧力を加える基板の圧力調整部と、
    前記基板の前記型側における面までの距離を計測する計測部と、を備え、
    前記計測部は、
    前記基板の圧力調整部によって前記基板の基板保持部側における面が第3の圧力のとき、前記基板の前記型側における面までの第3の距離を計測し、
    前記第3の圧力と異なる第4の圧力のとき、前記基板の前記型側における面までの第4の距離を計測し、
    前記第3の距離および前記第4の距離に基づき、前記型の型保持部側における面のコアアウトの有無に関する情報を取得することを特徴とする請求項1に記載のインプリント装置。
  8. 前記型に形成されたマークを検出する検出部を備え、
    前記検出部の検出結果に基づき、前記型の型保持部側における面のコアアウトの有無に関する情報を取得することを特徴とする請求項1乃至7のいずれか一項に記載のインプリント装置。
  9. 前記基板に形成されたマークを検出する検出部を備え、
    前記検出部の検出結果に基づき、前記基板の基板保持部側における面のコアアウトの有無に関する情報を取得することを特徴とする請求項1乃至7のいずれか一項に記載のインプリント装置。
  10. 前記型に形成されたマークと前記基板に形成されたマークを検出するマーク検出部を備え、
    前記取得された前記コアアウトの有無に関する情報に基づいて、前記マーク検出部が検出するマークの位置を変えることを特徴とする請求項1乃至7のいずれか一項に記載のインプリント装置。
  11. 前記コアアウトの有無に関する情報は、前記コアアウトの形状を含むことを特徴とする請求項1乃至10のいずれか一項に記載のインプリント装置。
  12. 前記型の側面に力を加えることによって、前記型の形状を変える形状補正機構を備え、
    前記制御部は、前記型の型保持部側における面のコアアウトの形状に応じて、前記形状補正機構の動作を制御することを特徴とする請求項11に記載のインプリント装置。
  13. 型を用いて基板上にインプリント材のパターンを形成するインプリント装置であって、
    前記型を保持する型保持部と、
    前記基板を保持する基板保持部と、
    型にコアアウトが設けられている場合に、前記型の型保持部側における面に圧力を加えることで、の表面の形状を変形させる第1圧力調整部と、
    基板にコアアウトが設けられている場合に、前記基板の基板保持部側における面に圧力を加えることで、基板の表面を変形させる第2圧力調整部と、を備え、
    前記第1圧力調整部により圧力を加えた際の前記型のパターンが形成された表面の形状の変形の有無に関する情報、および、前記第2圧力調整部により圧力を加えた際の前記基板にパターンが形成される表面の形状の変形の有無に関する情報の少なくとも一方の情報を取得する取得部と、
    前記取得部によって取得された変形の有無に関する情報に応じて、前記基板上に前記インプリント材のパターンを形成するインプリント動作を制御する制御部を備えることを特徴とするインプリント装置。
  14. 型を用いて基板上にインプリント材のパターンを形成するインプリント装置であって、
    前記型を保持する型保持部と、
    前記基板を保持する基板保持部と、
    前記型の型保持部側に形成されるコアアウトの有無に関する情報を取得する取得部と、
    前記取得部によって取得された前記コアアウトの有無に関する情報に応じて、前記基板上に前記インプリント材のパターンを形成するインプリント動作を中止させる制御部と、を備えることを特徴とするインプリント装置。
  15. 前記制御部は、インプリント動作を中止させた後に、前記型を前記インプリント装置から搬出させることを特徴とする請求項14に記載のインプリント装置。
  16. 型を用いて基板上にインプリント材のパターンを形成するインプリント装置であって、
    前記型を保持する型保持部と、
    前記基板を保持する基板保持部と、
    前記型の型保持部側における面に形成されるコアアウトの有無に関する情報、および、前記基板の基板保持部側における面に形成されるコアアウトの有無に関する情報の少なくとも一方の情報を取得する第1の取得部と、
    前記型の型保持部側における面に形成されるコアアウトの有無に関する情報、および、前記基板の基板保持部側における面に形成されるコアアウトの有無に関する情報の少なくとも一方の情報を、前記第1の取得部とは異なる方法で取得する第2の取得部と、
    前記第1の取得部で取得されたコアアウトの有無に関する情報と、前記第2の取得部で取得されたコアアウトの有無に関する情報とが不一致である場合に、前記基板上に前記インプリント材のパターンを形成するインプリント動作を中止させる制御部と、を備えることを特徴とするインプリント装置。
  17. 型を用いて基板上にインプリント材のパターンを形成するインプリント方法であって、
    前記型の前記型を保持する型保持部側における面のコアアウトの有無に関する情報、および、前記基板の前記基板を保持する前記基板保持部側における面のコアアウトの有無に関する情報の少なくとも一方の情報を取得する工程と、
    前記取得された情報に基づいて前記基板上に前記インプリント材のパターンを形成するインプリント動作を制御する工程と、
    を備えることを特徴とするインプリント方法。
  18. 型を用いて基板上にインプリント材のパターンを形成するインプリント方法であって、
    前記型の前記型を保持する型保持部側における面のコアアウトの有無に関する情報を取得する工程と、
    前記取得された前記コアアウトの有無に関する情報に応じて、前記基板上に前記インプリント材のパターンを形成するインプリント動作を中止させる工程と、
    を備えることを特徴とするインプリント方法。
  19. 型を用いて基板上にインプリント材のパターンを形成するインプリント方法であって、
    前記型の前記型を保持する型保持部における面のコアアウトの有無に関する情報、および前記基板の前記基板を保持する基板保持部における面のコアアウトの有無に関する情報の少なくとも一方の情報を取得する第1の取得工程と、
    前記型の型保持部側における面に形成されるコアアウトの有無に関する情報、および、前記基板の基板保持部側における面に形成されるコアアウトの有無に関する情報の少なくとも一方の情報を、前記第1の取得工程とは異なる方法で取得する第2の取得工程と、
    前記第1の取得工程で取得されたコアアウトの有無に関する情報と、前記第2の取得工程で取得されたコアアウトの有無に関する情報とが不一致である場合に、前記基板上に前記インプリント材のパターンを形成するインプリント動作を中止させるように制御する工程と、
    を備えることを特徴とするインプリント方法。
  20. 請求項1乃至1のいずれか一項に記載のインプリント装置を用いて基板の上にパターンを形成する工程と、
    前記パターンが形成された前記基板を加工する工程と、
    を有することを特徴とする物品の製造方法。
JP2016230704A 2016-11-28 2016-11-28 インプリント装置、インプリント方法、および物品の製造方法 Active JP6821408B2 (ja)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2016230704A JP6821408B2 (ja) 2016-11-28 2016-11-28 インプリント装置、インプリント方法、および物品の製造方法
KR1020170154469A KR102286380B1 (ko) 2016-11-28 2017-11-20 임프린트 장치, 임프린트 방법 및 물품의 제조 방법

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2016230704A JP6821408B2 (ja) 2016-11-28 2016-11-28 インプリント装置、インプリント方法、および物品の製造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2018088472A JP2018088472A (ja) 2018-06-07
JP6821408B2 true JP6821408B2 (ja) 2021-01-27

Family

ID=62493851

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2016230704A Active JP6821408B2 (ja) 2016-11-28 2016-11-28 インプリント装置、インプリント方法、および物品の製造方法

Country Status (2)

Country Link
JP (1) JP6821408B2 (ja)
KR (1) KR102286380B1 (ja)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6953259B2 (ja) * 2017-09-28 2021-10-27 キヤノン株式会社 インプリント装置、インプリント方法および、物品製造方法
CN118061486A (zh) * 2024-04-17 2024-05-24 山西泰宝科技有限公司 一种自动翻模方法及系统

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20080160129A1 (en) * 2006-05-11 2008-07-03 Molecular Imprints, Inc. Template Having a Varying Thickness to Facilitate Expelling a Gas Positioned Between a Substrate and the Template
US20110272838A1 (en) * 2010-05-06 2011-11-10 Matt Malloy Apparatus, System, and Method for Nanoimprint Template with a Backside Recess Having Tapered Sidewalls
JP5930622B2 (ja) * 2010-10-08 2016-06-08 キヤノン株式会社 インプリント装置、及び、物品の製造方法
JP6029268B2 (ja) * 2011-09-12 2016-11-24 キヤノン株式会社 インプリント装置、それを用いた物品の製造方法
JP5824380B2 (ja) * 2012-02-07 2015-11-25 キヤノン株式会社 インプリント装置、インプリント方法、及び物品の製造方法
JP6071221B2 (ja) * 2012-03-14 2017-02-01 キヤノン株式会社 インプリント装置、モールド、インプリント方法及び物品の製造方法
JP6019685B2 (ja) * 2012-04-10 2016-11-02 大日本印刷株式会社 ナノインプリント方法及びナノインプリント装置
JP6368075B2 (ja) * 2013-06-26 2018-08-01 キヤノン株式会社 モールド
JP6263930B2 (ja) * 2013-09-30 2018-01-24 大日本印刷株式会社 インプリント装置及びインプリント方法
JP6361317B2 (ja) * 2014-06-25 2018-07-25 大日本印刷株式会社 位置精度推定方法及び位置精度保証方法
JP2016157784A (ja) * 2015-02-24 2016-09-01 株式会社東芝 パターン形成方法およびパターン形成装置
JP6758967B2 (ja) * 2016-07-12 2020-09-23 キヤノン株式会社 インプリント装置、インプリント方法、及び物品の製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
JP2018088472A (ja) 2018-06-07
KR102286380B1 (ko) 2021-08-05
KR20180060992A (ko) 2018-06-07

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101454063B1 (ko) 리소그래피 장치 및 물품의 제조 방법
TWI554378B (zh) 壓印裝置與物品的製造方法
US9442370B2 (en) Imprinting method, imprinting apparatus, and device manufacturing method
KR101676195B1 (ko) 임프린트 장치, 임프린트 방법 및 물품의 제조 방법
KR101995615B1 (ko) 임프린트 방법, 임프린트 장치 및 물품 제조 방법
JP6029494B2 (ja) インプリント方法およびインプリント装置、それを用いた物品の製造方法
KR20100035111A (ko) 임프린트 장치 및 물품 제조 방법
JP6821408B2 (ja) インプリント装置、インプリント方法、および物品の製造方法
KR102246569B1 (ko) 임프린트 장치, 임프린트 방법 및 물품의 제조 방법
KR102543393B1 (ko) 정보 처리 장치, 저장 매체, 리소그래피 장치, 리소그래피 시스템 및 물품 제조 방법
US10948819B2 (en) Imprint apparatus and article manufacturing method
KR20190062202A (ko) 정보 처리 장치, 컴퓨터 프로그램, 리소그래피 장치, 리소그래피 시스템 및 물품의 제조 방법
US11835871B2 (en) Imprint apparatus, imprint method, and article manufacturing method
JP2007250767A (ja) 加工装置及び方法、並びに、デバイス製造方法
KR102378292B1 (ko) 위치 정렬 방법, 임프린트 장치, 프로그램 및 물품의 제조 방법
JP7254564B2 (ja) インプリント装置、インプリント方法、および物品の製造方法
JP2019021875A (ja) インプリント方法、インプリント装置、および物品の製造方法
US20210379800A1 (en) Imprint device, article manufacturing method, and measuring method for imprint device
US20230415403A1 (en) Imprint system, substrate, imprint method, replica mold manufacturing method, and article manufacturing method
JP2018137360A (ja) インプリント装置および物品製造方法
JP2022122673A (ja) インプリント装置、インプリント方法、および物品の製造方法
TW202209434A (zh) 壓印裝置和製造物品的方法
KR20210093783A (ko) 임프린트 방법, 임프린트 장치 및 물품 제조 방법

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20191119

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20200923

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20201006

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20201118

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20201208

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20210106

R151 Written notification of patent or utility model registration

Ref document number: 6821408

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R151