JP6821408B2 - インプリント装置、インプリント方法、および物品の製造方法 - Google Patents
インプリント装置、インプリント方法、および物品の製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP6821408B2 JP6821408B2 JP2016230704A JP2016230704A JP6821408B2 JP 6821408 B2 JP6821408 B2 JP 6821408B2 JP 2016230704 A JP2016230704 A JP 2016230704A JP 2016230704 A JP2016230704 A JP 2016230704A JP 6821408 B2 JP6821408 B2 JP 6821408B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- mold
- substrate
- core
- imprint
- absence
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 104
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 28
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 327
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 88
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims description 60
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 48
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 claims description 24
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims description 18
- 238000012937 correction Methods 0.000 claims description 15
- 238000003825 pressing Methods 0.000 claims description 5
- 238000007639 printing Methods 0.000 claims description 3
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 71
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 19
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 10
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 8
- 238000001723 curing Methods 0.000 description 5
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 5
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 5
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 5
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 4
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 4
- 238000013461 design Methods 0.000 description 4
- 230000006870 function Effects 0.000 description 4
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 4
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 4
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 2
- 230000008859 change Effects 0.000 description 2
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 2
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 2
- 238000000691 measurement method Methods 0.000 description 2
- 230000015654 memory Effects 0.000 description 2
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 2
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 2
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 2
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 2
- 239000003963 antioxidant agent Substances 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 239000000852 hydrogen donor Substances 0.000 description 1
- 239000003999 initiator Substances 0.000 description 1
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 1
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 1
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 239000006082 mold release agent Substances 0.000 description 1
- 238000000016 photochemical curing Methods 0.000 description 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 1
- 230000003362 replicative effect Effects 0.000 description 1
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 1
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 1
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 description 1
- 239000004094 surface-active agent Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70216—Mask projection systems
- G03F7/7035—Proximity or contact printers
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/0002—Lithographic processes using patterning methods other than those involving the exposure to radiation, e.g. by stamping
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
- G03F7/70491—Information management, e.g. software; Active and passive control, e.g. details of controlling exposure processes or exposure tool monitoring processes
- G03F7/70516—Calibration of components of the microlithographic apparatus, e.g. light sources, addressable masks or detectors
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
- G03F7/70605—Workpiece metrology
- G03F7/70681—Metrology strategies
- G03F7/70683—Mark designs
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
- G03F7/70605—Workpiece metrology
- G03F7/706843—Metrology apparatus
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
- G03F7/70605—Workpiece metrology
- G03F7/706843—Metrology apparatus
- G03F7/706851—Detection branch, e.g. detector arrangements, polarisation control, wavelength control or dark/bright field detection
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
- G03F7/70808—Construction details, e.g. housing, load-lock, seals or windows for passing light in or out of apparatus
- G03F7/70825—Mounting of individual elements, e.g. mounts, holders or supports
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
- G03F7/70858—Environment aspects, e.g. pressure of beam-path gas, temperature
- G03F7/70866—Environment aspects, e.g. pressure of beam-path gas, temperature of mask or workpiece
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
- H01L21/0271—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers
- H01L21/0273—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers characterised by the treatment of photoresist layers
- H01L21/0274—Photolithographic processes
Landscapes
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Environmental & Geological Engineering (AREA)
- Public Health (AREA)
- Epidemiology (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Toxicology (AREA)
- Atmospheric Sciences (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Shaping Of Tube Ends By Bending Or Straightening (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Description
(インプリント装置について)
図1は本発明の第1実施形態におけるインプリント装置1を示した図である。インプリント装置は、基板上に供給されたインプリント材を型と接触させ、インプリント材に硬化用のエネルギーを与えることにより、型の凹凸パターンが転写された硬化物のパターンを形成する装置である。
図1のインプリント装置1を用いて、マスターモールド3に形成されたパターンを基板(ブランクモールド)に転写することによってモールド(レプリカモールド)を作製する、モールド作製方法を説明する。図2は、本発明のモールド作製方法(インプリント方法)を説明するフローチャートである。
インプリント装置で用いられる型は、基板上のインプリント材と接触するため、パーティクルによる型のダメージや、インプリント材の型への付着など、様々な要因により、型が使えなくなる恐れがある。そこで、安価に型を製造する方法として、インプリント装置を使い、高価な原版(マスターモールド)から、安価な型(レプリカモールド)を複製する技術が提案されている。
インプリント装置1内に搬入される型と基板のコアアウトの有無を検出した結果、様々な組み合わせが考えられる。図4にその一例を示す。図4は、第1実施形態の型製造装置に搬入される、マスターモールド3と基板5のそれぞれについて、コアアウトの有無の組み合わせを示したものである。インプリント装置1の制御部10は、コアアウトの有無の組み合わせに応じてインプリント処理の動作を変えることができる。
そこでインプリント装置1は、インプリント処理を行う前に、マスターモールド3および基板5の互いに対向する面の裏面にコアアウトが形成されているかを検出する。コアアウトの有無の検出には、コアアウト検出手段(取得部)を用いる。コアアウト検出手段には、マスターモールド3の表面を計測するモールド計測センサー9(型検出手段)と、基板5の表面を計測する基板計測センサー8(基板検出手段)を含む。さらに、コアアウト検出手段には、モールド搬送装置11や基板搬送装置12に設けられたセンサーやスコープなどの計測器を含む。また、コアアウトの有無の情報は、マスターモールド毎、基板毎、インプリントプロセス毎、インプリント装置毎に管理される装置パラメータの情報であっても良い。
コアアウトの有無を検出する方法として、マスターモールド3や基板5にコアアウトが形成されている場合のコアアウトの位置と大きさの設計値を、予めインプリント装置1(制御部10)に入力しておく方法がある。検出方法1は、予めインプリント装置1に入力された設計値と、製造誤差を含めたマージンに基づいて、コアアウト内部のマスターモールド3の基板側の表面をモールド計測センサー9で計測する。このとき、型の圧力調整部50により、キャビティ圧を高圧と低圧に調整し、それぞれの場合においてモールド計測センサー9の計測結果を比較する。
マスターモールド3や基板5までの距離を計測する検出器が、コアアウトが形成されている側に配置されている場合の、コアアウトの有無の検出方法について説明する。
コアアウトの有無の検出方法に、撮像部23でマスターモールド3に形成されたパターン領域よりも広範囲を撮像し、撮像画像からコアアウトの有無を検出する方法がある。撮像部23がコアアウト有無に関する情報を取得する取得部として機能する。図6(A)は、マスターモールド3のコアアウト21の有無を検出するための画像を示している。図6(A)は、撮像部23の視野24内を示した画像であり、マスターモールド3のコアアウト21とパターンが形成されているメサ部25が撮像されていることが分かり、この例ではマスターモールド3にコアアウトが形成されていると判断できる。
コアアウトの有無の検出方法に、TTMスコープ13を使用する方法がある。図7(A)〜(C)は、TTMスコープ13を使用してコアアウトの有無を検出する方法の例を示している。TTMスコープ13がコアアウト有無に関する情報を取得する取得部として機能する。図7(A)と図7(B)の例は、マスターモールド3のキャビティ圧を高圧と低圧に調整し、コアアウト21に形成されたマーク27を計測した際のフォーカス差を比較する方法である。図7では2つのマークが形成されている場合について示しているが、コアアウトの有無の検出には、少なくとも一つのマーク27が形成されていればよい。キャビティ圧を低圧にした時のTTMスコープ13のフォーカス位置と、キャビティ圧を高圧にしたときのTTMスコープ13のフォーカス位置とに差が発生する場合は、マスターモールド3にコアアウトが形成されていると判断される。
コアアウトの有無の検出方法に、バーコードリーダを用いる方法がある。例えば、インプリント装置1にバーコードリーダが配置されており、インプリント装置に搬入されたマスターモールド3や基板5に設けられたバーコードを読み取る。ここでは、基板に配置されたバーコードを読み取るバーコードリーダが基板検出手段(取得部)として機能し、型に配置されたバーコードを読み取るバーコードリーダが型検出手段(取得部)として機能する。インプリント装置は、バーコードを読み取った結果を用いてインプリント装置内に保存されたデータやリモートホストで管理されたデータから、型や基板の形状が分かる。そのため、インプリント装置に搬入されたマスターモールド3や基板5に設けられたバーコードを読み取ることでコアアウトの有無の検出することができる。
コアアウトの有無の検出方法に、マスターモールド毎、基板毎、インプリントプロセス毎、インプリント装置毎、型製造装置毎に管理される装置パラメータの情報を用いる方法がある。例えば、マスターモールドをインプリント装置に搬入する際に、マスターモールドと、マスターモールド毎に管理される装置パラメータやリモートホストで管理される情報とを関連付けし、関連付けされた情報からコアアウトの有無の情報を導出する。しかし、この方法では、マスターモールドと型を入れ間違いするなど、意図しないマスターモールドが搬入されてしまった場合に、正しい判断を行うことは出来ない。そのため、上述のコアアウトの検出方法1〜5で説明した一つ以上の方法と本検出方法で判断する方法とを兼ね合わせて、ダブルチェックやトリプルチェックを行うことができる。
第1実施形態では、マスターモールド3と基板5のコアアウトの有無を検出して、所望のコアアウトが形成されていない場合に、インプリント処理を停止する形態について説明した。第2実施形態では、インプリント処理の制御の一例として、コアアウトの有無の検出結果に応じて、インプリント処理時のキャビティ圧を制御する。
第3実施形態では、インプリント処理の制御の一例として、コアアウトの有無の検出結果に応じて、インプリント処理時の充填時間を制御する。
第4実施形態では、インプリント処理の制御の一例として、コアアウトの有無の検出に応じて、押印時と離型時の型保持部4の制御方法を変える。
第5実施形態では、インプリント処理の制御の一例として、コアアウトの有無、形状、大きさの検出結果に応じて、離型時の型チャック53と基板チャック54の吸着圧を制御する。
第6実施形態では、インプリント処理の制御の一例として、コアアウトの有無、形状、大きさの検出結果に応じて、形状補正機構52を制御する。形状補正機構52は、複数個所で、マスターモールド3に対して側面から力を加えることによりパターン部の基板面に沿った方向の形状を変化させる機構である。形状補正機構52は、マスターモールドのパターン部の倍率、ローテーション、ひし形、台形、といった形状の補正や、さらなる高次の形状補正を行うことができる。図8は、形状補正機構52の一例を示した図である。この例では、マスターモールド3の側面に16か所の押し引きする機構を設けているが、これより少ない数でも良いし、多くても良い。
第7実施形態では、インプリント処理の制御の一例として、コアアウトの有無の検出結果に応じて、押印中のアライメント時に、TTMスコープ13が検出するアライメントマークを変える。例えば、マスターモールド3にコアアウトが形成されていない場合、アライメントマークが形成されている場所によっては、マスターモールド3と基板5の間の空気を押し出すまでに時間が要する場合がある。アライメント時に、マスターモールド3と基板5の間に空気が入った状態だと、TTMスコープ13がアライメントマークを検出する場合、アライメントマークがデフォーカスしたり、計測光が散乱、屈折したりする恐れがある。アライメントマークの検出にエラーが生じると、TTMスコープはアライメントマークを正確に検出できず、正しい計測値を得られない恐れがある。そのため、マスターモールドにコアアウトが形成されていない場合は、マスターモールド3と基板5の間に空気が入りにくい場所に形成されたアライメントマークを選択するように変える。このように、コアアウトの有無の検出結果に応じて、検出されるアライメントマークを変えることで、マスターモールド3と基板5の位置合わせの時間を短くすることができる。
第8実施形態では、インプリント処理の制御の一例として、基板5のコアアウトの形状の検出結果に応じて、インプリント処理の動作を制御する。例えば、図9に示すように基板5がマルチエリアインプリントの場合、基板5の複数ショット領域の全てに対してインプリント処理を実施するが、シングルエリアインプリントの場合、1ショットのみインプリント処理するなど、インプリント動作を制御する。マルチエリアインプリントの場合、マスターモールド3に1ショット領域のパターンしか形成されていない場合は、1ショット毎にインプリント処理を行う。また、マスターモールド3に複数ショット領域のパターンが形成されている場合は、1回のインプリント処理で複数ショット領域分のインプリントを行うことが可能である。また、装置パラメータや、リモートホストの情報でショットレイアウトを管理している場合、シングルエリアか、マルチエリアかの判定結果が、管理された情報と不一致であれば、インプリント処理を行わずに、装置を停止させても良い。このように、コアアウトの形状の検出結果に応じて、インプリント処理の動作を制御することで、基板の形状に応じたパターンを形成することができる。
上述の何れの実施形態も、マスターモールドから型を複製する型製造装置の実施形態について説明しているが、本発明は型製造装置に限られない。図10は、半導体デバイス製造装置としてのインプリント装置1を示した図である。図1の型を複製する型製造装置としてのインプリント装置と比較して異なる点を説明する。
インプリント装置を用いて形成した硬化物のパターンは、各種物品の少なくとも一部に恒久的に、或いは各種物品を製造する際に一時的に、用いられる。物品とは、電気回路素子、光学素子、MEMS、記録素子、センサー、或いは、型等である。電気回路素子としては、DRAM、SRAM、フラッシュメモリ、MRAMのような、揮発性或いは不揮発性の半導体メモリや、LSI、CCD、イメージセンサ、FPGAのような半導体素子等が挙げられる。型としては、インプリント用のモールド等が挙げられる。
3 マスターモールド
4 型保持部
5 基板
6 基板保持部
8、30 基板計測センサー
9、29 モールド計測センサー
21、22 コアアウト
50、51 圧力調整部
52 形状補正機構
Claims (20)
- 型を用いて基板上にインプリント材のパターンを形成するインプリント装置であって、
前記型を保持する型保持部と、
前記基板を保持する基板保持部と、
前記型の型保持部側における面に形成されるコアアウトの有無に関する情報、および、前記基板の基板保持部側における面に形成されるコアアウトの有無に関する情報の少なくとも一方の情報を取得する取得部と、
前記取得部によって取得された前記コアアウトの有無に関する情報に応じて、前記基板上に前記インプリント材のパターンを形成するインプリント動作を制御する制御部を備えることを特徴とするインプリント装置。 - 前記型の前記型保持部側における面のコアアウト内に圧力を加える型の圧力調整部を備え、
前記制御部は、前記型の型保持部側における面のコアアウトの有無に関する情報に応じて、前記型の圧力調整部の制御を変えることにより前記インプリント動作を制御することを特徴とする請求項1に記載のインプリント装置。 - 前記基板の基板保持部側における面のコアアウト内に圧力を加える基板の圧力調整部を備え、
前記制御部は、前記基板の基板保持部側における面のコアアウトの有無に関する情報に応じて、前記基板の圧力調整部の制御を変えることにより前記インプリント動作を制御することを特徴とする請求項1または2に記載のインプリント装置。 - 前記制御部は、前記型の型保持部側における面のコアアウトの有無に関する情報、および、前記基板の基板保持部側におけるコアアウトの有無に関する情報の少なくとも一方の情報に応じて、前記インプリント動作を停止することを特徴とする請求項1乃至3のいずれか一項に記載のインプリント装置。
- 前記制御部は、前記型の型保持部側における面のコアアウトの有無に関する情報、および、前記基板の基板保持部側におけるコアアウトの有無に関する情報の少なくとも一方の情報に応じて、前記型と前記基板上のインプリント材を接触させてから前記インプリント材を硬化させるまでの時間を変えることにより前記インプリント動作を制御することを特徴とする請求項1乃至4のいずれか一項に記載のインプリント装置。
- 前記型の前記型保持部側における面に圧力を加える型の圧力調整部と、
前記型の前記基板側における面までの距離を計測する計測部と、を備え、
前記計測部は、
前記型の圧力調整部によって前記型の型保持部側における面が第1の圧力のとき、前記型の前記基板側における面までの第1の距離を計測し、
前記第1の圧力と異なる第2の圧力のとき、前記型の前記基板側における面までの第2距離を計測し、
前記第1の距離および前記第2の距離に基づき、前記型の型保持部側における面のコアアウトの有無に関する情報を取得することを特徴とする請求項1に記載のインプリント装置。 - 前記基板の前記基板保持部側における面に圧力を加える基板の圧力調整部と、
前記基板の前記型側における面までの距離を計測する計測部と、を備え、
前記計測部は、
前記基板の圧力調整部によって前記基板の基板保持部側における面が第3の圧力のとき、前記基板の前記型側における面までの第3の距離を計測し、
前記第3の圧力と異なる第4の圧力のとき、前記基板の前記型側における面までの第4の距離を計測し、
前記第3の距離および前記第4の距離に基づき、前記型の型保持部側における面のコアアウトの有無に関する情報を取得することを特徴とする請求項1に記載のインプリント装置。 - 前記型に形成されたマークを検出する検出部を備え、
前記検出部の検出結果に基づき、前記型の型保持部側における面のコアアウトの有無に関する情報を取得することを特徴とする請求項1乃至7のいずれか一項に記載のインプリント装置。 - 前記基板に形成されたマークを検出する検出部を備え、
前記検出部の検出結果に基づき、前記基板の基板保持部側における面のコアアウトの有無に関する情報を取得することを特徴とする請求項1乃至7のいずれか一項に記載のインプリント装置。 - 前記型に形成されたマークと前記基板に形成されたマークを検出するマーク検出部を備え、
前記取得された前記コアアウトの有無に関する情報に基づいて、前記マーク検出部が検出するマークの位置を変えることを特徴とする請求項1乃至7のいずれか一項に記載のインプリント装置。 - 前記コアアウトの有無に関する情報は、前記コアアウトの形状を含むことを特徴とする請求項1乃至10のいずれか一項に記載のインプリント装置。
- 前記型の側面に力を加えることによって、前記型の形状を変える形状補正機構を備え、
前記制御部は、前記型の型保持部側における面のコアアウトの形状に応じて、前記形状補正機構の動作を制御することを特徴とする請求項11に記載のインプリント装置。 - 型を用いて基板上にインプリント材のパターンを形成するインプリント装置であって、
前記型を保持する型保持部と、
前記基板を保持する基板保持部と、
型にコアアウトが設けられている場合に、前記型の型保持部側における面に圧力を加えることで、型の表面の形状を変形させる第1圧力調整部と、
基板にコアアウトが設けられている場合に、前記基板の基板保持部側における面に圧力を加えることで、基板の表面を変形させる第2圧力調整部と、を備え、
前記第1圧力調整部により圧力を加えた際の前記型のパターンが形成された表面の形状の変形の有無に関する情報、および、前記第2圧力調整部により圧力を加えた際の前記基板にパターンが形成される表面の形状の変形の有無に関する情報の少なくとも一方の情報を取得する取得部と、
前記取得部によって取得された変形の有無に関する情報に応じて、前記基板上に前記インプリント材のパターンを形成するインプリント動作を制御する制御部を備えることを特徴とするインプリント装置。 - 型を用いて基板上にインプリント材のパターンを形成するインプリント装置であって、
前記型を保持する型保持部と、
前記基板を保持する基板保持部と、
前記型の型保持部側に形成されるコアアウトの有無に関する情報を取得する取得部と、
前記取得部によって取得された前記コアアウトの有無に関する情報に応じて、前記基板上に前記インプリント材のパターンを形成するインプリント動作を中止させる制御部と、を備えることを特徴とするインプリント装置。 - 前記制御部は、インプリント動作を中止させた後に、前記型を前記インプリント装置から搬出させることを特徴とする請求項14に記載のインプリント装置。
- 型を用いて基板上にインプリント材のパターンを形成するインプリント装置であって、
前記型を保持する型保持部と、
前記基板を保持する基板保持部と、
前記型の型保持部側における面に形成されるコアアウトの有無に関する情報、および、前記基板の基板保持部側における面に形成されるコアアウトの有無に関する情報の少なくとも一方の情報を取得する第1の取得部と、
前記型の型保持部側における面に形成されるコアアウトの有無に関する情報、および、前記基板の基板保持部側における面に形成されるコアアウトの有無に関する情報の少なくとも一方の情報を、前記第1の取得部とは異なる方法で取得する第2の取得部と、
前記第1の取得部で取得されたコアアウトの有無に関する情報と、前記第2の取得部で取得されたコアアウトの有無に関する情報とが不一致である場合に、前記基板上に前記インプリント材のパターンを形成するインプリント動作を中止させる制御部と、を備えることを特徴とするインプリント装置。 - 型を用いて基板上にインプリント材のパターンを形成するインプリント方法であって、
前記型の前記型を保持する型保持部側における面のコアアウトの有無に関する情報、および、前記基板の前記基板を保持する前記基板保持部側における面のコアアウトの有無に関する情報の少なくとも一方の情報を取得する工程と、
前記取得された情報に基づいて前記基板上に前記インプリント材のパターンを形成するインプリント動作を制御する工程と、
を備えることを特徴とするインプリント方法。 - 型を用いて基板上にインプリント材のパターンを形成するインプリント方法であって、
前記型の前記型を保持する型保持部側における面のコアアウトの有無に関する情報を取得する工程と、
前記取得された前記コアアウトの有無に関する情報に応じて、前記基板上に前記インプリント材のパターンを形成するインプリント動作を中止させる工程と、
を備えることを特徴とするインプリント方法。 - 型を用いて基板上にインプリント材のパターンを形成するインプリント方法であって、
前記型の前記型を保持する型保持部における面のコアアウトの有無に関する情報、および前記基板の前記基板を保持する基板保持部における面のコアアウトの有無に関する情報の少なくとも一方の情報を取得する第1の取得工程と、
前記型の型保持部側における面に形成されるコアアウトの有無に関する情報、および、前記基板の基板保持部側における面に形成されるコアアウトの有無に関する情報の少なくとも一方の情報を、前記第1の取得工程とは異なる方法で取得する第2の取得工程と、
前記第1の取得工程で取得されたコアアウトの有無に関する情報と、前記第2の取得工程で取得されたコアアウトの有無に関する情報とが不一致である場合に、前記基板上に前記インプリント材のパターンを形成するインプリント動作を中止させるように制御する工程と、
を備えることを特徴とするインプリント方法。 - 請求項1乃至15のいずれか一項に記載のインプリント装置を用いて基板の上にパターンを形成する工程と、
前記パターンが形成された前記基板を加工する工程と、
を有することを特徴とする物品の製造方法。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2016230704A JP6821408B2 (ja) | 2016-11-28 | 2016-11-28 | インプリント装置、インプリント方法、および物品の製造方法 |
KR1020170154469A KR102286380B1 (ko) | 2016-11-28 | 2017-11-20 | 임프린트 장치, 임프린트 방법 및 물품의 제조 방법 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2016230704A JP6821408B2 (ja) | 2016-11-28 | 2016-11-28 | インプリント装置、インプリント方法、および物品の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2018088472A JP2018088472A (ja) | 2018-06-07 |
JP6821408B2 true JP6821408B2 (ja) | 2021-01-27 |
Family
ID=62493851
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2016230704A Active JP6821408B2 (ja) | 2016-11-28 | 2016-11-28 | インプリント装置、インプリント方法、および物品の製造方法 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6821408B2 (ja) |
KR (1) | KR102286380B1 (ja) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6953259B2 (ja) * | 2017-09-28 | 2021-10-27 | キヤノン株式会社 | インプリント装置、インプリント方法および、物品製造方法 |
CN118061486A (zh) * | 2024-04-17 | 2024-05-24 | 山西泰宝科技有限公司 | 一种自动翻模方法及系统 |
Family Cites Families (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20080160129A1 (en) * | 2006-05-11 | 2008-07-03 | Molecular Imprints, Inc. | Template Having a Varying Thickness to Facilitate Expelling a Gas Positioned Between a Substrate and the Template |
US20110272838A1 (en) * | 2010-05-06 | 2011-11-10 | Matt Malloy | Apparatus, System, and Method for Nanoimprint Template with a Backside Recess Having Tapered Sidewalls |
JP5930622B2 (ja) * | 2010-10-08 | 2016-06-08 | キヤノン株式会社 | インプリント装置、及び、物品の製造方法 |
JP6029268B2 (ja) * | 2011-09-12 | 2016-11-24 | キヤノン株式会社 | インプリント装置、それを用いた物品の製造方法 |
JP5824380B2 (ja) * | 2012-02-07 | 2015-11-25 | キヤノン株式会社 | インプリント装置、インプリント方法、及び物品の製造方法 |
JP6071221B2 (ja) * | 2012-03-14 | 2017-02-01 | キヤノン株式会社 | インプリント装置、モールド、インプリント方法及び物品の製造方法 |
JP6019685B2 (ja) * | 2012-04-10 | 2016-11-02 | 大日本印刷株式会社 | ナノインプリント方法及びナノインプリント装置 |
JP6368075B2 (ja) * | 2013-06-26 | 2018-08-01 | キヤノン株式会社 | モールド |
JP6263930B2 (ja) * | 2013-09-30 | 2018-01-24 | 大日本印刷株式会社 | インプリント装置及びインプリント方法 |
JP6361317B2 (ja) * | 2014-06-25 | 2018-07-25 | 大日本印刷株式会社 | 位置精度推定方法及び位置精度保証方法 |
JP2016157784A (ja) * | 2015-02-24 | 2016-09-01 | 株式会社東芝 | パターン形成方法およびパターン形成装置 |
JP6758967B2 (ja) * | 2016-07-12 | 2020-09-23 | キヤノン株式会社 | インプリント装置、インプリント方法、及び物品の製造方法 |
-
2016
- 2016-11-28 JP JP2016230704A patent/JP6821408B2/ja active Active
-
2017
- 2017-11-20 KR KR1020170154469A patent/KR102286380B1/ko active IP Right Grant
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2018088472A (ja) | 2018-06-07 |
KR102286380B1 (ko) | 2021-08-05 |
KR20180060992A (ko) | 2018-06-07 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR101454063B1 (ko) | 리소그래피 장치 및 물품의 제조 방법 | |
TWI554378B (zh) | 壓印裝置與物品的製造方法 | |
US9442370B2 (en) | Imprinting method, imprinting apparatus, and device manufacturing method | |
KR101676195B1 (ko) | 임프린트 장치, 임프린트 방법 및 물품의 제조 방법 | |
KR101995615B1 (ko) | 임프린트 방법, 임프린트 장치 및 물품 제조 방법 | |
JP6029494B2 (ja) | インプリント方法およびインプリント装置、それを用いた物品の製造方法 | |
KR20100035111A (ko) | 임프린트 장치 및 물품 제조 방법 | |
JP6821408B2 (ja) | インプリント装置、インプリント方法、および物品の製造方法 | |
KR102246569B1 (ko) | 임프린트 장치, 임프린트 방법 및 물품의 제조 방법 | |
KR102543393B1 (ko) | 정보 처리 장치, 저장 매체, 리소그래피 장치, 리소그래피 시스템 및 물품 제조 방법 | |
US10948819B2 (en) | Imprint apparatus and article manufacturing method | |
KR20190062202A (ko) | 정보 처리 장치, 컴퓨터 프로그램, 리소그래피 장치, 리소그래피 시스템 및 물품의 제조 방법 | |
US11835871B2 (en) | Imprint apparatus, imprint method, and article manufacturing method | |
JP2007250767A (ja) | 加工装置及び方法、並びに、デバイス製造方法 | |
KR102378292B1 (ko) | 위치 정렬 방법, 임프린트 장치, 프로그램 및 물품의 제조 방법 | |
JP7254564B2 (ja) | インプリント装置、インプリント方法、および物品の製造方法 | |
JP2019021875A (ja) | インプリント方法、インプリント装置、および物品の製造方法 | |
US20210379800A1 (en) | Imprint device, article manufacturing method, and measuring method for imprint device | |
US20230415403A1 (en) | Imprint system, substrate, imprint method, replica mold manufacturing method, and article manufacturing method | |
JP2018137360A (ja) | インプリント装置および物品製造方法 | |
JP2022122673A (ja) | インプリント装置、インプリント方法、および物品の製造方法 | |
TW202209434A (zh) | 壓印裝置和製造物品的方法 | |
KR20210093783A (ko) | 임프린트 방법, 임프린트 장치 및 물품 제조 방법 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20191119 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20200923 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20201006 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20201118 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20201208 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20210106 |
|
R151 | Written notification of patent or utility model registration |
Ref document number: 6821408 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R151 |